JPH10197216A - 膜厚むら測定装置 - Google Patents
膜厚むら測定装置Info
- Publication number
- JPH10197216A JPH10197216A JP323797A JP323797A JPH10197216A JP H10197216 A JPH10197216 A JP H10197216A JP 323797 A JP323797 A JP 323797A JP 323797 A JP323797 A JP 323797A JP H10197216 A JPH10197216 A JP H10197216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- absolute
- film
- wavelength
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】各部の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に行うこ
とができる膜厚むら測定装置を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ１の表面側に形成された酸
化膜２の表面２ａの二次元画像を多色で撮影するＣＣＤ
カラーカメラ３０と、酸化膜２の基準点Ｐ１の絶対膜厚
ｄを測定する絶対膜厚測定器５０と、酸化膜２の基準点
Ｐ１の絶対膜厚ｄとＣＣＤカラーカメラ３０で撮影され
た二次元画像の各部の色（即ち波長）とに基づいて酸化
膜２の膜厚むらを出力する出力部６０とを備える。
とができる膜厚むら測定装置を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハ１の表面側に形成された酸
化膜２の表面２ａの二次元画像を多色で撮影するＣＣＤ
カラーカメラ３０と、酸化膜２の基準点Ｐ１の絶対膜厚
ｄを測定する絶対膜厚測定器５０と、酸化膜２の基準点
Ｐ１の絶対膜厚ｄとＣＣＤカラーカメラ３０で撮影され
た二次元画像の各部の色（即ち波長）とに基づいて酸化
膜２の膜厚むらを出力する出力部６０とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各部の絶対膜厚測
定を容易且つ高精度に行うことができる膜厚むら測定装
置に関する。
定を容易且つ高精度に行うことができる膜厚むら測定装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体材料に回路を形成したい
わゆる半導体チップを製造する過程では、薄板状に成形
された半導体ウェーハの表面の酸化膜の膜厚を測定する
工程がある。この工程では、従来、次のような膜厚むら
測定装置が用いられる。その膜厚むら測定装置は、半導
体ウェーハの表面の酸化膜を撮影するカメラと、カメラ
で撮影された画像の各部の波長に基づいて酸化膜の膜厚
むらを出力する出力部とを備える。
わゆる半導体チップを製造する過程では、薄板状に成形
された半導体ウェーハの表面の酸化膜の膜厚を測定する
工程がある。この工程では、従来、次のような膜厚むら
測定装置が用いられる。その膜厚むら測定装置は、半導
体ウェーハの表面の酸化膜を撮影するカメラと、カメラ
で撮影された画像の各部の波長に基づいて酸化膜の膜厚
むらを出力する出力部とを備える。
【０００３】従って、この膜厚むら測定装置では、従前
の測定結果に基づいて予め作成されていた波長と絶対膜
厚との対応と、前述したカメラで撮影された画像の各部
の波長とに基づいて、酸化膜の各部の絶対膜厚を容易に
検出できる。
の測定結果に基づいて予め作成されていた波長と絶対膜
厚との対応と、前述したカメラで撮影された画像の各部
の波長とに基づいて、酸化膜の各部の絶対膜厚を容易に
検出できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
膜厚むら測定装置では、酸化膜の濁り具合などに応じて
波長と絶対膜厚との対応は若干変化するので、そのよう
に予め作成されていた波長と絶対膜厚との対応に基づい
て、絶対膜厚を測定していては、高精度な絶対膜厚測定
を行うことが難しいという問題がある。
膜厚むら測定装置では、酸化膜の濁り具合などに応じて
波長と絶対膜厚との対応は若干変化するので、そのよう
に予め作成されていた波長と絶対膜厚との対応に基づい
て、絶対膜厚を測定していては、高精度な絶対膜厚測定
を行うことが難しいという問題がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、各部の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に行う
ことができる膜厚むら測定装置を提供することを目的と
する。
たもので、各部の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に行う
ことができる膜厚むら測定装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】本発明は前記目的を達成す
るために、被測定物の表面側に形成された膜を撮影する
カメラと、該カメラで撮影された画像の各部の波長に基
づいて前記膜の膜厚むらを出力する出力部とを備える膜
厚むら測定装置において、前記膜の基準点の絶対膜厚を
測定する絶対膜厚測定器を有し、前記出力部は、前記基
準点の絶対膜厚と、前記カメラで撮影された画像中の前
記基準点の波長とに基づいて、波長と絶対膜厚との対応
を設定し、この波長と絶対膜厚との対応と、前記画像中
の膜の各部の波長とに基づいて、前記膜の各部の絶対膜
厚を検出し、出力することを特徴とする。即ち、測定し
ようとする膜ごとに波長と絶対膜厚との対応が高精度に
設定される。
るために、被測定物の表面側に形成された膜を撮影する
カメラと、該カメラで撮影された画像の各部の波長に基
づいて前記膜の膜厚むらを出力する出力部とを備える膜
厚むら測定装置において、前記膜の基準点の絶対膜厚を
測定する絶対膜厚測定器を有し、前記出力部は、前記基
準点の絶対膜厚と、前記カメラで撮影された画像中の前
記基準点の波長とに基づいて、波長と絶対膜厚との対応
を設定し、この波長と絶対膜厚との対応と、前記画像中
の膜の各部の波長とに基づいて、前記膜の各部の絶対膜
厚を検出し、出力することを特徴とする。即ち、測定し
ようとする膜ごとに波長と絶対膜厚との対応が高精度に
設定される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る膜厚むら測定装置の好ましい実施の形態について詳説
する。図１に示すように、膜厚むら測定装置１００は、
被測定物としての薄板状の半導体ウェーハ１の裏面を吸
着して水平に保持する吸着テーブル１０と、吸着テーブ
ル１０の位置を調整するテーブル位置調整手段２０と、
半導体ウェーハ１の表面側に形成された酸化膜２の表面
２ａの二次元画像を多色で撮影するＣＣＤカラーカメラ
３０と、酸化膜２の表面２ａを満遍なく白色光で照らす
白色照明装置４０と、酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶
対膜厚ｄを測定する絶対膜厚測定器５０と、絶対膜厚測
定器５０を膜厚むら測定装置１００内の定位置に移動位
置決めさせることで酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２に移動
位置決めさせ、また、前記定位置から水平方向に退避さ
せることで酸化膜２の上方から退避させる油圧シリンダ
ーなどの絶対膜厚測定器移動駆動手段５５と、酸化膜２
の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜厚ｄとＣＣＤカラーカメラ
３０で撮影された二次元画像の各部の色（即ち波長）と
に基づいて酸化膜２の膜厚むらを出力する出力部６０と
を備える。
る膜厚むら測定装置の好ましい実施の形態について詳説
する。図１に示すように、膜厚むら測定装置１００は、
被測定物としての薄板状の半導体ウェーハ１の裏面を吸
着して水平に保持する吸着テーブル１０と、吸着テーブ
ル１０の位置を調整するテーブル位置調整手段２０と、
半導体ウェーハ１の表面側に形成された酸化膜２の表面
２ａの二次元画像を多色で撮影するＣＣＤカラーカメラ
３０と、酸化膜２の表面２ａを満遍なく白色光で照らす
白色照明装置４０と、酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶
対膜厚ｄを測定する絶対膜厚測定器５０と、絶対膜厚測
定器５０を膜厚むら測定装置１００内の定位置に移動位
置決めさせることで酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２に移動
位置決めさせ、また、前記定位置から水平方向に退避さ
せることで酸化膜２の上方から退避させる油圧シリンダ
ーなどの絶対膜厚測定器移動駆動手段５５と、酸化膜２
の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜厚ｄとＣＣＤカラーカメラ
３０で撮影された二次元画像の各部の色（即ち波長）と
に基づいて酸化膜２の膜厚むらを出力する出力部６０と
を備える。
【０００８】テーブル位置調整手段２０は、吸着テーブ
ル１０を水平旋回させる旋回駆動部２１と、旋回駆動部
２１を水平方向に移動させる水平移動駆動部２２と、水
平移動駆動部２２を上下方向に移動させる昇降駆動部２
３とを備えている。ＣＣＤカラーカメラ３０は、二次元
配列された光電検出器の出力を電荷結合素子を用いて時
系列信号として取り出して画像信号をつくり出す原理を
応用したものである。
ル１０を水平旋回させる旋回駆動部２１と、旋回駆動部
２１を水平方向に移動させる水平移動駆動部２２と、水
平移動駆動部２２を上下方向に移動させる昇降駆動部２
３とを備えている。ＣＣＤカラーカメラ３０は、二次元
配列された光電検出器の出力を電荷結合素子を用いて時
系列信号として取り出して画像信号をつくり出す原理を
応用したものである。
【０００９】白色照明装置４０は、下方に開放された筐
体４１と、筐体４１を上下に移動位置決めさせる油圧機
構等の図示しない筐体昇降部と、筐体４１の内部に白色
光を供給する白色光供給手段４５とを有しており、筐体
４１の天板４１ａには、ＣＣＤカラーカメラ３０が吸着
テーブル１０に向けて設けられている。絶対膜厚測定器
５０は、レーザー光などの電磁波を酸化膜２の基準点Ｐ
１、或いは基準点Ｐ２に向けて射出し、酸化膜２の表面
２ａで反射した反射波と酸化膜２を通過して半導体ウェ
ーハ１の基部３で反射した反射波とに基づいて、その酸
化膜２の絶対膜厚ｄ、即ち酸化膜２の厚みの絶対値を検
出するものである。
体４１と、筐体４１を上下に移動位置決めさせる油圧機
構等の図示しない筐体昇降部と、筐体４１の内部に白色
光を供給する白色光供給手段４５とを有しており、筐体
４１の天板４１ａには、ＣＣＤカラーカメラ３０が吸着
テーブル１０に向けて設けられている。絶対膜厚測定器
５０は、レーザー光などの電磁波を酸化膜２の基準点Ｐ
１、或いは基準点Ｐ２に向けて射出し、酸化膜２の表面
２ａで反射した反射波と酸化膜２を通過して半導体ウェ
ーハ１の基部３で反射した反射波とに基づいて、その酸
化膜２の絶対膜厚ｄ、即ち酸化膜２の厚みの絶対値を検
出するものである。
【００１０】出力部６０は、制御装置６１とディスプレ
イ６５を備えており、制御装置６１は、絶対膜厚測定器
５０が測定した酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜厚
ｄと、ＣＣＤカラーカメラ３０で撮影された二次元画像
中の基準点Ｐ１、Ｐ２の色（波長）との対応関係に基づ
いて、測定しようとする酸化膜２での色（波長）と絶対
膜厚ｄとの一義的な対応を設定し、この酸化膜２での色
（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的な対応と酸化膜２の各
部の色（波長）とに基づいて、酸化膜２の各部の絶対膜
厚ｄを検出し、ディスプレイ６５に表示させる。また、
制御装置６１は、ディスプレイ６５にＣＣＤカラーカメ
ラ３０の画像信号に基づく、酸化膜２の二次元画像の各
部の色むらを表示させる。
イ６５を備えており、制御装置６１は、絶対膜厚測定器
５０が測定した酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜厚
ｄと、ＣＣＤカラーカメラ３０で撮影された二次元画像
中の基準点Ｐ１、Ｐ２の色（波長）との対応関係に基づ
いて、測定しようとする酸化膜２での色（波長）と絶対
膜厚ｄとの一義的な対応を設定し、この酸化膜２での色
（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的な対応と酸化膜２の各
部の色（波長）とに基づいて、酸化膜２の各部の絶対膜
厚ｄを検出し、ディスプレイ６５に表示させる。また、
制御装置６１は、ディスプレイ６５にＣＣＤカラーカメ
ラ３０の画像信号に基づく、酸化膜２の二次元画像の各
部の色むらを表示させる。
【００１１】以下に、膜厚むら測定装置１００による膜
厚むらの測定方法について説明する。まず、白色照明装
置４０の筐体４１を吸着テーブル１０の上方に退避させ
ておくと共に、絶対膜厚測定器５０を吸着テーブル１０
の上方から水平方向に退避させておく。
厚むらの測定方法について説明する。まず、白色照明装
置４０の筐体４１を吸着テーブル１０の上方に退避させ
ておくと共に、絶対膜厚測定器５０を吸着テーブル１０
の上方から水平方向に退避させておく。
【００１２】次に、吸着テーブル１０に半導体ウェーハ
１の裏面を吸着させて保持させる。次に、絶対膜厚測定
器５０を酸化膜２の基準点Ｐ１に移動位置決めさせる。
また、テーブル位置調整手段２０により絶対膜厚測定器
５０に対する半導体ウェーハ１の位置を絶対膜厚測定器
５０の測定に最適な位置に調整する。これにより、絶対
膜厚測定器５０による酸化膜２の基準点Ｐ１の絶対膜厚
ｄの測定を高精度に行うことができる。
１の裏面を吸着させて保持させる。次に、絶対膜厚測定
器５０を酸化膜２の基準点Ｐ１に移動位置決めさせる。
また、テーブル位置調整手段２０により絶対膜厚測定器
５０に対する半導体ウェーハ１の位置を絶対膜厚測定器
５０の測定に最適な位置に調整する。これにより、絶対
膜厚測定器５０による酸化膜２の基準点Ｐ１の絶対膜厚
ｄの測定を高精度に行うことができる。
【００１３】また、テーブル位置調整手段２０により、
吸着テーブル１０と共に半導体ウェーハ１の水平位置
や、旋回角度位置を変更することにより、酸化膜２の別
の基準点Ｐ２の絶対膜厚ｄを測定する。この酸化膜２の
基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜厚ｄは、制御装置６１に出力
される。
吸着テーブル１０と共に半導体ウェーハ１の水平位置
や、旋回角度位置を変更することにより、酸化膜２の別
の基準点Ｐ２の絶対膜厚ｄを測定する。この酸化膜２の
基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜厚ｄは、制御装置６１に出力
される。
【００１４】次に、絶対膜厚測定器５０を吸着テーブル
１０の上方から水平方向に退避させ、白色照明装置４０
の筐体４１の開放された下部を吸着テーブル１０の周縁
に被せる。これにより、酸化膜２の表面２ａから上を閉
じ空間とする。そこで、筐体４１の内部に白色光を供給
する。これにより、酸化膜２の表面２ａを満遍なく均質
に白色光で照らすことができる。
１０の上方から水平方向に退避させ、白色照明装置４０
の筐体４１の開放された下部を吸着テーブル１０の周縁
に被せる。これにより、酸化膜２の表面２ａから上を閉
じ空間とする。そこで、筐体４１の内部に白色光を供給
する。これにより、酸化膜２の表面２ａを満遍なく均質
に白色光で照らすことができる。
【００１５】この白色光の反射光をＣＣＤカラーカメラ
３０で捕らえ、半導体ウェーハ１の酸化膜２の表面２ａ
の二次元画像を多色で撮影する。この二次元画像は制御
装置６１に出力される。制御装置６１は、絶対膜厚測定
器５０が測定した酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜
厚ｄと、ＣＣＤカラーカメラ３０で撮影された二次元画
像中の基準点Ｐ１、Ｐ２の色（波長）との対応関係に基
づいて、測定しようとする酸化膜２での色（波長）と絶
対膜厚ｄとの一義的な対応を設定する。これにより、既
定値で色（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的な対応を設定
していた従来の場合に比して、設定を高精度に行うこと
ができる。また、本実施形態では、酸化膜２の基準点Ｐ
１、Ｐ２等の複数の基準点の絶対膜厚ｄを用いることに
より、酸化膜２での色（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的
な対応を更に高精度に設定している。
３０で捕らえ、半導体ウェーハ１の酸化膜２の表面２ａ
の二次元画像を多色で撮影する。この二次元画像は制御
装置６１に出力される。制御装置６１は、絶対膜厚測定
器５０が測定した酸化膜２の基準点Ｐ１、Ｐ２の絶対膜
厚ｄと、ＣＣＤカラーカメラ３０で撮影された二次元画
像中の基準点Ｐ１、Ｐ２の色（波長）との対応関係に基
づいて、測定しようとする酸化膜２での色（波長）と絶
対膜厚ｄとの一義的な対応を設定する。これにより、既
定値で色（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的な対応を設定
していた従来の場合に比して、設定を高精度に行うこと
ができる。また、本実施形態では、酸化膜２の基準点Ｐ
１、Ｐ２等の複数の基準点の絶対膜厚ｄを用いることに
より、酸化膜２での色（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的
な対応を更に高精度に設定している。
【００１６】また、制御装置６１は、この酸化膜２での
色（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的な対応と酸化膜２の
各部の色（波長）とに基づいて、酸化膜２の各部の絶対
膜厚ｄを検出し、ディスプレイ６５に表示させる。よっ
て、各部の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に行うことが
できる。また、制御装置６１は、ディスプレイ６５にＣ
ＣＤカラーカメラ３０の画像信号に基づく、酸化膜２の
二次元画像の各部の色むらを表示させる。
色（波長）と絶対膜厚ｄとの一義的な対応と酸化膜２の
各部の色（波長）とに基づいて、酸化膜２の各部の絶対
膜厚ｄを検出し、ディスプレイ６５に表示させる。よっ
て、各部の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に行うことが
できる。また、制御装置６１は、ディスプレイ６５にＣ
ＣＤカラーカメラ３０の画像信号に基づく、酸化膜２の
二次元画像の各部の色むらを表示させる。
【００１７】尚、上記実施形態では、半導体ウェーハ１
の酸化膜２の絶対膜厚測定の場合を説明したが、光の一
部が通過する膜を有する被測定物であれば、如何なるも
のでもその膜の各部の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に
行うことができることは勿論である。
の酸化膜２の絶対膜厚測定の場合を説明したが、光の一
部が通過する膜を有する被測定物であれば、如何なるも
のでもその膜の各部の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に
行うことができることは勿論である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
測定しようとする膜ごとに波長と絶対膜厚との対応が高
精度に設定されるので、この設定された波長と絶対膜厚
との対応と、膜の画像の各部の波長とに基づいて、各部
の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に行うことができる。
測定しようとする膜ごとに波長と絶対膜厚との対応が高
精度に設定されるので、この設定された波長と絶対膜厚
との対応と、膜の画像の各部の波長とに基づいて、各部
の絶対膜厚測定を容易且つ高精度に行うことができる。
【図１】本発明の膜厚むら測定装置の一実施形態を示す
図
図
１…半導体ウェーハ（被測定物） ２…酸化膜（膜） ３０…ＣＣＤカラーカメラ（カメラ） ５０…絶対膜厚測定器 ６０…出力部 １００…膜厚むら測定装置 Ｐ１、Ｐ２…基準点 ｄ…絶対膜厚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土肥 俊郎 埼玉県浦和市下大久保255 埼玉大学内
Claims (1)
- 【請求項１】 被測定物の表面側に形成された膜を撮影
するカメラと、該カメラで撮影された画像の各部の波長
に基づいて前記膜の膜厚むらを出力する出力部とを備え
る膜厚むら測定装置において、 前記膜の基準点の絶対膜厚を測定する絶対膜厚測定器を
有し、 前記出力部は、前記基準点の絶対膜厚と、前記カメラで
撮影された画像中の前記基準点の波長とに基づいて、波
長と絶対膜厚との対応を設定し、この波長と絶対膜厚と
の対応と、前記画像中の膜の各部の波長とに基づいて、
前記膜の各部の絶対膜厚を検出し、出力することを特徴
とする膜厚むら測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP323797A JPH10197216A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 膜厚むら測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP323797A JPH10197216A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 膜厚むら測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10197216A true JPH10197216A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11551858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP323797A Pending JPH10197216A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 膜厚むら測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10197216A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003103898A1 (ja) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | 株式会社ニコン | 残膜モニタ装置、研磨装置、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
| CN112068399A (zh) * | 2019-06-10 | 2020-12-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基片检查系统、基片检查方法和存储介质 |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP323797A patent/JPH10197216A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003103898A1 (ja) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | 株式会社ニコン | 残膜モニタ装置、研磨装置、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
| CN112068399A (zh) * | 2019-06-10 | 2020-12-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基片检查系统、基片检查方法和存储介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6464126B2 (en) | Bonding apparatus and bonding method | |
| EP0557558B1 (en) | Apparatus for inspecting the surface of materials | |
| CN106596574B (zh) | 一种检测物体表面缺陷的装置及方法 | |
| KR100939537B1 (ko) | 표면 형상 측정 시스템 및 그를 이용한 측정 방법 | |
| KR100612932B1 (ko) | 3차원 형상 측정장치 및 방법 | |
| US20070103675A1 (en) | Method and an apparatus for simultaneous 2D and 3D optical inspection and acquisition of optical inspection data of an object | |
| CA3061440C (en) | Optical scanning arrangement and method | |
| JP2981942B2 (ja) | ボンデイングワイヤ検査方法 | |
| JP2969403B2 (ja) | ボンデイングワイヤ検査装置 | |
| US20050033184A1 (en) | Arrangement and method for measuring shape of basically two dimensional objects | |
| KR100612933B1 (ko) | 3차원 형상 측정장치 및 방법 | |
| TWI808288B (zh) | 厚度量測裝置 | |
| JP2969402B2 (ja) | ボンデイングワイヤ検査装置 | |
| CN113196006B (zh) | 无接触的厚度测量 | |
| JPH10197216A (ja) | 膜厚むら測定装置 | |
| JP2007334423A (ja) | 自動撮影装置 | |
| TW584708B (en) | Method and apparatus for measuring a line width | |
| KR102174227B1 (ko) | 스캔 장치 | |
| KR20180123870A (ko) | 3차원 형상 측정 시스템 | |
| CN112857234A (zh) | 结合物体二维和高度信息的测量方法及其装置 | |
| JPH08327324A (ja) | 位置合せ装置 | |
| KR100710703B1 (ko) | 반도체 리드프레임 도금 선폭 측정 검사장치 및 그 방법 | |
| JPH08136876A (ja) | 基板検査装置 | |
| JP2000074631A (ja) | 面取り幅測定装置 | |
| JP3399697B2 (ja) | 測定点マッピング装置およびこれを利用した半導体ウエハの測定装置 |