JPH10189668A - 半導体集積回路の評価支援装置及びその評価支援方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ユーザフレンドリなインタフェースによっ
て、データベースから必要な情報を簡単に検索し、検索
結果について加工・表示等を行う半導体集積回路の評価
支援装置及びその処理方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 評価データ記憶手段１０１と、識別パラ
メータの階層構造に関連したデータが記述されているデ
ータ記述記憶手段１０２と、把握された識別パラメータ
の階層構造を基に選択ウィンドウを表示し対応する識別
パラメータが採り得る識別パラメータ値を表示する表示
手段１０３と、識別パラメータ値を選択または非選択指
示し評価データの表示方法を指示する指示手段１０４
と、識別パラメータ値に基づき評価データ記憶手段内の
評価データを特定し指示された表示方法で該評価データ
をそのまま或いは加工して表示させる制御手段１０５と
を有して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の評
価支援装置及びその評価支援方法に係り、特に、半導体
集積回路の各種電気特性についての測定結果をデータベ
ース化して、ユーザフレンドリなインタフェースによっ
て、データベースから必要な情報を簡単に検索し、検索
結果について加工・表示等を行って半導体集積回路の評
価を支援する半導体集積回路の評価支援装置及びその評
価支援方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の試作過程においては、
非常に多くの数の測定を行う。電気特性（Ｉ−Ｖ特性）
のみに限っても、１枚のウェハーに数十個のオーダーの
集積回路が搭載されており、各集積回路に更に数十個の
オーダーのトランジスタが搭載されており、これら各ト
ランジスタを測定するため、採取したデータの量が膨大
なものとなり、該測定データはデータベース管理システ
ムの管理の下に置かれているのが一般的である。

【０００３】一方、一般的なデータベース管理システム
は、表形式を基本とするため、特に、ウェハー内でのば
らつきを調べたいような場合には、表の上では該ウェハ
ーのどこに該当するかが分かりにくく、直感的な検索が
行えないことから不便である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように、一般的な
データベース管理システムを用いて測定データにアクセ
スする従来の半導体集積回路の評価支援装置において
は、ウェハー内のばらつきを見る等の半導体集積回路に
特有の現象を、簡単にまた直感的に調べることができ
ず、結果的に評価作業に時間を要するという事情があっ
た。

【０００５】本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされ
たものであって、ユーザフレンドリなインタフェースに
よって、半導体集積回路の各種電気特性についての測定
結果データベースから必要な情報を簡単に検索し、検索
結果について加工・表示等を行って半導体集積回路の直
感的な評価を可能にした半導体集積回路の評価支援装置
及びその支援方法を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体集積回路の評価支援装置は、評価対
象を特定するための識別パラメータが階層構造を持つ半
導体集積回路の評価支援装置であって、前記評価対象の
評価データを記憶する評価データ記憶手段と、前記識別
パラメータの階層構造に関連したデータが記述されてい
るデータ記述記憶手段と、前記データ記述記憶手段の記
述内容に基づいて把握された前記識別パラメータの階層
構造を基に、該階層構造の各識別パラメータに対応した
選択ウィンドウを表示して、該選択ウィンドウ内に、対
応する識別パラメータが採り得る識別パラメータ値を表
示する表示手段と、前記選択ウィンドウ内の１または複
数の識別パラメータ値を指示し、評価データの表示方法
を指示する指示手段と、前記指示手段により指示された
識別パラメータ値に基づき、前記評価データ記憶手段内
の評価データを特定し、前記指示手段により指示された
表示方法で、該評価データを前記表示手段に表示する制
御手段とを備えるものである。

【０００７】また、本発明の半導体集積回路の評価支援
装置は、前記制御手段は、前記表示手段を、把握した識
別パラメータの階層構造の上位に位置する識別パラメー
タに対応する選択ウィンドウから、順に指示可能な状態
となるように制御し、前記指示手段は、指示可能な状態
となっている選択ウィンドウについて指示するものであ
る。

【０００８】また、本発明の半導体集積回路の評価支援
装置は、前記選択ウィンドウは、識別パラメータ値を図
的に表示するものである。

【０００９】また、本発明の半導体集積回路の評価支援
装置は、前記指示手段により指示された識別パラメータ
値と、前記データ記述記憶手段の記述内容とに基づい
て、前記評価データ記憶手段内の評価データを特定し、
前記指示手段により指示された表示方法で、該特定され
た評価データを表示するものである。

【００１０】更に、本発明の半導体集積回路の評価支援
方法は、評価対象を特定するための識別パラメータが階
層構造を持つ半導体集積回路の評価支援方法であって、
前記識別パラメータの階層構造に関連したデータが記述
されているデータ記述の記述内容に基づいて前記識別パ
ラメータの階層構造を把握する第１ステップと、前記デ
ータ記述に記述された配置情報に基づいて配置に関連し
た識別パラメータを獲得し、該識別パラメータに対応す
る選択ウィンドウにおいて、識別パラメータ値を図的に
表示する第２ステップと、把握した識別パラメータの階
層構造の上位に位置する識別パラメータに対応する選択
ウィンドウから、順に識別パラメータ値を表示してユー
ザに指示させる第３ステップと、前記第３ステップによ
り指示された識別パラメータ値と、前記データ記述の記
述内容とに基づいて、評価データを特定する第４ステッ
プと、前記第４ステップにおいて特定された評価データ
を指示された表示方法で表示する第５ステップとを備え
るものである。

【００１１】本発明の半導体集積回路の評価支援装置及
びその評価支援方法では、制御手段は、先ず第１ステッ
プで、データ記述記憶手段の記述内容に基づいて識別パ
ラメータの階層構造を把握し、第２ステップでは、表示
手段上に識別パラメータに対応した選択ウィンドウを表
示して、該選択ウィンドウ内に、対応する識別パラメー
タが採り得る識別パラメータ値を表示する。また、デー
タ記述記憶手段の記述された配置情報に基づいて配置に
関連した識別パラメータを獲得し、該識別パラメータに
対応する選択ウィンドウにおいて、識別パラメータ値を
図的に表示する。次に第３ステップでは、把握した識別
パラメータの階層構造の上位に位置する識別パラメータ
に対応する選択ウィンドウから、順に可能な状態となる
ように制御し、ユーザの指示手段による識別パラメータ
値についての指示、並びに評価データの表示方法につい
ての指示を待つ。次に第４ステップでは、指示手段によ
り指示された識別パラメータ値と、データ記述記憶手段
の記述内容とに基づいて、評価データ記憶手段内の評価
データを特定する。更に第５ステップでは、指示手段で
指示された表示方法により、第４ステップにおいて特定
された評価データを表示手段に表示する。

【００１２】このように、把握した識別パラメータの階
層構造の上位に位置する識別パラメータに対応する選択
ウィンドウから、順に選択または非選択可能な状態とな
り、ユーザは、それに従って、指示手段により識別パラ
メータ値を指示していけば評価対象を特定でき、検索に
不慣れなユーザでも簡単に特定することができる。ま
た、評価データ記憶手段へのアクセスは、上記操作によ
り特定された評価対象とデータ記述記憶手段の記述内容
とに基づいて、評価データ記憶手段内のアドレスが自動
的に把握されるので、ユーザは評価対象を特定するだけ
で検索・表示したい評価データを簡単に特定でき、ま
た、評価データ記憶手段内のメモリマップ等を知ってお
く必要もない。

【００１３】また、配置に関連した識別パラメータにつ
いては、該識別パラメータに対応する選択ウィンドウに
おける識別パラメータ値表示を図的に行うので、ウェハ
ー内のばらつき等の半導体集積回路に特有の現象を、直
感的に認識しながら評価データの検索・表示を行うこと
ができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体集積回路の
評価支援装置及びその評価支援方法の実施形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。

【００１５】〔実施形態〕図１は本発明の一実施形態に
係る半導体集積回路の評価支援装置の構成図である。

【００１６】同図において、本実施形態の半導体集積回
路の評価支援装置は、測定データファイル（評価データ
記憶手段）１０１、データ記述ファイル（データ記述記
憶手段）１０２、表示手段１０３、指示手段１０４及び
制御手段１０５を備えて構成されている。尚、本実施形
態の半導体集積回路の評価支援装置は、ワークステーシ
ョン等の計算機によって実現され、測定データファイル
１０１及びデータ記述ファイル１０２はハードディスク
装置等の記憶媒体上に、表示手段１０３はディスプレ
イ、指示手段１０４はマウス等のポインティングデバイ
ス或いはキーボードとして、更に、制御手段１０５は計
算機内のＣＰＵとして、それぞれ具現されるものであ
る。

【００１７】測定データファイル１０１は、評価対象の
測定データを記憶する。ここでは、測定データをトラン
ジスタのＩ−Ｖ曲線とし、各々のＩ−Ｖ曲線は、（ｉ
１，ｖ１），（ｉ２，ｖ２），…といった形の電流及び
電圧の値の組によるテキストファイルとして格納されて
いる。尚、該Ｉ−Ｖ曲線データファイル名は、後述する
ように、選択指示された識別パラメータ値を変数として
持つデータ記述ファイル１０２における識別パラメータ
（アドレスデータ）によって、自動的に認識される。

【００１８】また、データ記述ファイル１０２には、識
別パラメータの階層構造に関連したデータが記述されて
いる。図２（ａ）に、データ記述ファイル１０２の記述
例を示す。図中、記号＊から記号＊までがひとまとまり
のデータ記述であり、各行の先頭の２文字が該行のデー
タの内容を示している。また、この先頭の２文字は「評
価対象を特定する「識別パラメータ」であり、その意味
するところは、以下の通りである。 ＬＮ：ロット名， ＷＦ：ウェハー番号， ＩＶ：特性の種別（Ｉｄ−Ｖｄ或いはＩｄ−Ｖｇ）， ＣＡ／ＣＥ／ＣＤ：チップの並びに関する情報， ＧＬ：ゲート長， ＡＤ：Ｉ−Ｖ曲線データファイルのアドレス

【００１９】尚、チップの並びに関する情報ＣＡ／ＣＥ
／ＣＤの内、識別パラメータＣＡは、チップアレイ全体
の構成を特定するものであり、識別パラメータＣＥは、
チップアレイ上で存在するチップ数を、識別パラメータ
ＣＤは、測定データファイル１０１内にＩ−Ｖ曲線デー
タファイルが格納されているチップ番号を示す。つま
り、１枚のウェハー上にチップが幾つ搭載されているか
決まっているわけではなく、また、必ずしも全てのチッ
プについて測定がなされるわけでもない。そこで、デー
タ記述ファイル１０２に、これらの情報を記述しておく
のである。

【００２０】ところで、評価対象であるトランジスタ
は、一般に、図２（ｂ）に示すような識別パラメータの
階層構造で捉えられる。即ち、最上位の階層にロット名
ＬＮ、第２の階層にウェハー番号ＷＦ、第３の階層に特
性ＩＶ、第４の階層にゲート長ＧＬ及びチップ位置ＣＡ
／ＣＥ／ＣＤを持つ階層構造である。

【００２１】データ記述ファイル１０２では、このよう
な識別パラメータの階層構造を前提として記述されてお
り、制御手段１０５は、データ記述ファイル１０２の各
行の先頭の２文字を参照することにより、図２（ｂ）に
示したような識別パラメータの階層構造を獲得する。
尚、本実施形態では、同一階層に複数の識別パラメータ
を許していることから、データ記述ファイル１０２の識
別パラメータの並びを参照しただけでは、一意に図２
（ｂ）の階層構造は得られないが、例えば、各識別パラ
メータ毎に階層を規定した階層管理テーブルを別途設け
ることにより、自動的な識別パラメータの階層構造の獲
得を実現している。

【００２２】また、表示手段１０３は、獲得した識別パ
ラメータの階層構造を基に、該階層構造の各識別パラメ
ータに対応した選択ウィンドウを表示して、該選択ウィ
ンドウ内に、対応する識別パラメータが採り得る識別パ
ラメータ値を表示する。

【００２３】図３は、表示手段１０３上の表示画面例を
示す説明図である。図中、２０１はロット名を選択する
選択ウィンドウ、２０２はウェハー名を選択する選択ウ
ィンドウ、２０３は特性の種別を選択する選択ウィンド
ウ、２０４はチップ位置を選択する選択ウィンドウ、２
０５はゲート長を選択する選択ウィンドウである。

【００２４】選択ウィンドウ２０１，２０２，２０３，
２０５では、行単位でそれぞれの名称、種別または数値
が並べられ、通常、その内の１つの識別パラメータ値を
選択する。尚、選択はマウス等のポインティングデバイ
スによるクリック操作、または、キーボード上の特定キ
ーの押下によって行なわれる。また、選択される識別パ
ラメータ値の候補数の多い選択ウィンドウに関しては、
該選択ウィンドウの右側に上下スクロールバーが、下側
には左右スクロールバーがそれぞれ設置されている。

【００２５】また、チップ位置を選択する選択ウィンド
ウ２０４は、図３に示すように、チップアレイが図的に
表示されている。即ち、測定データファイル１０１内に
Ｉ−Ｖ曲線データファイルが格納されているチップにつ
いてチップ番号が割り当てられ、該番号が選択ウィンド
ウ２０４上に表示されている。

【００２６】つまり、図２（ａ）との対比より明らかな
ように、チップアレイ全体の構成（識別パラメータＣＡ
参照）は９×９のアレイであり、チップアレイ上で存在
するチップ数（識別パラメータＣＥ参照）は、各行につ
いて上から３，７，７、９，９，９，７，５，３個のチ
ップが存在し、測定データファイル１０１内にＩ−Ｖ曲
線データファイルが格納されているチップ番号（識別パ
ラメータＣＤ参照）は、３６，４４，４５，４６，５
４，５５である。

【００２７】このように、本実施形態の半導体集積回路
の評価支援装置では、選択ウィンドウ２０１，２０２，
２０３により、ロット名、ウェハー名及び特性の種別が
特定されると、データ記述ファイル１０２の該当するデ
ータ記述からチップの並びに関する情報ＣＡ／ＣＥ／Ｃ
Ｄを読み出して、チップの並びや測定したチップがどれ
であるかの表示を変化させるべく、選択ウィンドウ２０
４の表示を変化させる。

【００２８】また、選択は、他の選択ウィンドウと同様
に、マウス等のポインティングデバイスによるクリック
操作、または、キーボード上の特定キーの押下によって
行なわれるが、番号の記載されているチップはトグルス
イッチになっていて、マウス等でクリックするたびに選
択／非選択が切り換わるようになっている。更に、選択
ウィンドウ２０４の下方にある「ＳｅｔＡｌｌ」ボタン
２２１または「Ｃｌｅａｎ」ボタン２２２をクリックす
ることにより、それぞれ、一度に全ての番号付きチップ
を選択または非選択とすることもできる。

【００２９】また、ゲート長ＧＬについても、データ記
述ファイル１０２からゲート長ＧＬに関する情報「０３
０，０３２，０３３，０３８，０５０，０８０，１０
０，２００，４００」が読み出されて、選択ウィンドウ
２０５内に選択されるべき識別パラメータ値として表示
され、ユーザによる選択を促す。尚、ゲート長ＧＬの選
択についても複数の選択が可能である。

【００３０】以上のようにして、選択ウィンドウ２０１
〜２０５により、ロット名、ウェハー名、特性の種別、
チップ番号（複数選択可）及びゲート長（複数選択可）
が特定されると、Ｉ−Ｖ曲線が一意に決定される。ここ
で、Ｉ−Ｖ曲線データファイルが測定データファイル１
０１内のどこにあるかについては、選択指示された識別
パラメータ値を変数として持つデータ記述ファイル１０
２における識別パラメータ（Ｉ−Ｖ曲線データファイル
のアドレスＡＤ）によって、自動的に認識される。

【００３１】図２（ａ）のデータ記述によれば、 AD ／MDATA／data1／IdVg＿M03＿xg／M03%C＿%L＿xg であるので、変数％Ｃを選択ウィンドウ２０４で選択指
示されたチップ番号で置き換え、変数％Ｌを選択ウィン
ドウ２０５で選択指示されたゲート長で置き換えること
によってＩ−Ｖ曲線データファイル名が決定される。

【００３２】例えば、チップ番号が”４４”で、ゲート
長が”０５０”（５［μｍ］）であれば、求めるＩ−Ｖ
曲線データファイル名は、 ／MDATA／data1／IdVg＿M03＿xg／M0344＿050＿xg である。このような規則を定めておくことにより、Ｉ−
Ｖ曲線データファイル名を選択指示された識別パラメー
タ値とデータ記述ファイル１０２における識別パラメー
タ（Ｉ−Ｖ曲線データファイルのアドレスＡＤ）によっ
て自動認識することができ、Ｉ−Ｖ曲線データファイル
の格納場所をかなり柔軟にすることができる。

【００３３】次に、以上のようにして求められたＩ−Ｖ
曲線データファイルのグラフ表示は、表示手段１０３上
の「グラフ表示」ボタン２１１をマウス等でクリックす
ることによって行なわれる。また、Ｉ−Ｖ曲線データか
らしきい値電圧Ｖｔｈ、Ｉｄｓまたはｓｕｂｔｈｒｅｓ
ｈｏｌｄ ｓｗｉｎｇ等を計算して、ゲート長との関係
をグラフ化したい場合には、それぞれ、「ＧａｔｅＬ−
Ｖｔｈ」ボタン２１２、「ＧａｔｅＬ−Ｉｄｓ」ボタン
２１３、「ＧａｔｅＬ−Ｓｗｉｎｇ」ボタン２１４を指
示すればよい。

【００３４】更に、測定データファイル１０１以外に、
測定したＩ−Ｖ曲線データに対応したシミュレーション
結果があるような場合には、データ記述ファイル１０２
内に、該シミュレーション結果の所在を示す識別パラメ
ータとして「関連した計算結果ファイルのアドレス」を
用意し、上記Ｉ−Ｖ曲線データファイルの特定と同様の
方法で特定し得るようにしておくと共に、表示手段１０
３上に「関連した計算結果の表示」を行う旨のボタンを
用意すればよい。

【００３５】次に、本実施形態の半導体集積回路の評価
支援装置におけるＣＰＵ１０５が行う動作について、図
４のフローチャートを参照して説明する。

【００３６】先ずステップＳ２０１では、データ記述フ
ァイル１０２からロット名ＬＮ、ウェハー番号ＷＦ及び
特性ＩＶの階層構造を把握する。即ち、図２（ｂ）に示
すような階層構造が得られることとなる。

【００３７】次にステップＳ２０２では、マウス等の指
示手段１０４により、表示手段１０３上のロット名選択
ウィンドウ２０１からロット名ＬＮを、ウェハー番号選
択ウィンドウ２０２からウェハー番号ＷＦを、特性種別
選択ウィンドウ２０３から特性ＩＶを、それぞれ選択す
る。この時、ＣＰＵ１０５は、各選択ウィンドウ２０１
〜２０３を把握した階層構造の上位から順次アクティブ
となるよう制御し、ユーザはＣＰＵ１０５の誘導に従っ
て選択指示することとなる。

【００３８】次にステップＳ２０３では、選択指示され
たロット名ＬＮ、ウェハー番号ＷＦ及び特性ＩＶに基づ
いて、データ記述ファイル１０２を参照して、チップの
並びに関する情報ＣＡ／ＣＥ／ＣＤ及びゲート長ＧＬに
関する情報を読み出し、該読み出しデータに基づいて表
示手段１０３上にチップ位置選択ウィンドウ２０４及び
ゲート長選択ウィンドウ２０５を表示する。

【００３９】次にステップＳ２０４では、マウス等の指
示手段１０４により、表示手段１０３上のチップ位置選
択ウィンドウ２０４及びゲート長選択ウィンドウ２０５
からチップ番号及びゲート長をそれぞれ選択する。尚、
この場合、複数選択が可能であり、「ＳｅｔＡｌｌ」ボ
タン２２１または「Ｃｌｅａｎ」ボタン２２２により全
ての番号付きチップを選択または非選択とすることもで
きる。

【００４０】次にステップＳ２０５では、選択指示され
たチップ番号及びゲート長に基づいて、データ記述ファ
イル１０２における識別パラメータ（Ｉ−Ｖ曲線データ
ファイルのアドレスＡＤ）によりＩ−Ｖ曲線データファ
イル名を自動認識し、測定データファイル１０１から読
み出す。

【００４１】次にステップＳ２０６では、ユーザが、Ｉ
−Ｖ曲線データからしきい値電圧Ｖｔｈ、Ｉｄｓまたは
ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｓｗｉｎｇ等を計算して、
ゲート長との関係をグラフ化したい場合には、それぞ
れ、「ＧａｔｅＬ−Ｖｔｈ」ボタン２１２、「Ｇａｔｅ
Ｌ−Ｉｄｓ」ボタン２１３、「ＧａｔｅＬ−Ｓｗｉｎ
ｇ」ボタン２１４を指示し、更に、「グラフ表示」ボタ
ン２１１をマウス等の指示手段１０４により指示するこ
とによって、ステップＳ２０７において、表示手段１０
４上にグラフ表示がなされる。

【００４２】以上説明したように、本実施形態の半導体
集積回路の評価支援装置によれば、制御手段１０５は、
把握した識別パラメータの階層構造の上位に位置する識
別パラメータに対応する選択ウィンドウから、順に選択
または非選択可能な状態となるよう制御し、ユーザは、
それに従って、指示手段１０４により識別パラメータ値
を指示していけば評価対象を特定できるので、検索に不
慣れなユーザでも簡単に特定することができる。

【００４３】また、測定データファイル１０１へのアク
セスは、上記操作により特定された評価対象とデータ記
述ファイル１０２の記述内容とに基づいて、測定データ
ファイル１０１内のアドレスが自動的に把握されるの
で、ユーザは評価対象を特定するだけで検索・表示した
い測定データを簡単に特定でき、また、測定データファ
イル１０１内のメモリマップ等を知っておく必要もな
い。

【００４４】また、半導体集積回路上の配置に関連した
識別パラメータについては、該識別パラメータに対応す
る選択ウィンドウ２０４における識別パラメータ値表示
を図的に行うので、ウェハー内のばらつき等の半導体集
積回路に特有の現象を、直感的に認識しながら測定デー
タ等の検索・表示を行うことができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路の評価支援装置及びその処理方法によれば、半導
体集積回路の各種電気特性についての測定結果データベ
ースから必要な情報を簡単に検索し、検索結果について
加工・表示等を行って半導体集積回路の直感的な評価を
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の評
価支援装置の構成図である。

【図２】図２（ａ）はデータ記述ファイルのデータ記述
を例示する説明図、図２（ｂ）は本実施形態における識
別パラメータの階層構造を示す説明図である。

【図３】本実施形態の表示手段上の選択ウィンドウ等の
表示を例示する説明図である。

【図４】本実施形態の半導体集積回路の評価支援装置の
動作を説明するフローチャートである。

【符号の説明】

１０１…測定データファイル（評価データ記憶手段）、
１０２…データ記述ファイル（データ記述記憶手段）、
１０３…表示手段、１０４…指示手段、１０５…ＣＰＵ
（制御手段）、ＬＮ…ロット名、ＷＦ…ウェハー番号、
ＩＶ…特性の種別、ＣＡ，ＣＥ，ＣＤ…チップの並びに
関する情報、ＧＬ…ゲート長、ＡＤ…Ｉ−Ｖ曲線データ
ファイルのアドレス、２０１…ロット名選択ウィンド
ウ、２０２…ウェハー番号選択ウィンドウ、２０３…特
性種別選択ウィンドウ、２０４…チップ位置選択ウィン
ドウ、２０５…ゲート長選択ウィンドウ、２１２…「Ｇ
ａｔｅＬ−Ｖｔｈ」ボタン、２１３…「ＧａｔｅＬ−Ｉ
ｄｓ」ボタン、２１４…「ＧａｔｅＬ−Ｓｗｉｎｇ」ボ
タン、２２１…「ＳｅｔＡｌｌ」ボタン、２２２「Ｃｌ
ｅａｎ」ボタン。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 評価対象を特定するための識別パラメー
   タが階層構造を持つ半導体集積回路の評価支援装置であ
   って、 前記評価対象の評価データを記憶する評価データ記憶手
   段と、 前記識別パラメータの階層構造に関連したデータが記述
   されているデータ記述記憶手段と、 前記データ記述記憶手段の記述内容に基づいて把握され
   た前記識別パラメータの階層構造を基に、該階層構造の
   各識別パラメータに対応した選択ウィンドウを表示し
   て、該選択ウィンドウ内に、対応する識別パラメータが
   採り得る識別パラメータ値を表示する表示手段と、 前記選択ウィンドウ内の１または複数の識別パラメータ
   値を指示し、評価データの表示方法を指示する指示手段
   と、 前記指示手段により指示された識別パラメータ値に基づ
   き、前記評価データ記憶手段内の評価データを特定し、
   前記指示手段により指示された表示方法で、該評価デー
   タを前記表示手段に表示する制御手段と、 を有する半導体集積回路の評価支援装置。
2. 【請求項２】 前記制御手段は、前記表示手段を、把握
   した識別パラメータの階層構造の上位に位置する識別パ
   ラメータに対応する選択ウィンドウから、順に指示可能
   な状態となるように制御し、 前記指示手段は、指示可能な状態となっている選択ウィ
   ンドウについて指示する請求項１記載の半導体集積回路
   の評価支援装置。
3. 【請求項３】 前記選択ウィンドウは、識別パラメータ
   値を図的に表示する請求項１記載の半導体集積回路の評
   価支援装置。
4. 【請求項４】 前記制御手段は、前記指示手段により指
   示された識別パラメータ値と、前記データ記述記憶手段
   の記述内容とに基づいて、前記評価データ記憶手段内の
   評価データを特定し、前記指示手段により指示された表
   示方法で、該特定された評価データを表示する請求項１
   記載の半導体集積回路の評価支援装置。
5. 【請求項５】 評価対象を特定するための識別パラメー
   タが階層構造を持つ半導体集積回路の評価支援方法であ
   って、 前記識別パラメータの階層構造に関連したデータが記述
   されているデータ記述の記述内容に基づいて前記識別パ
   ラメータの階層構造を把握する第１ステップと、 前記データ記述に記述された配置情報に基づいて配置に
   関連した識別パラメータを獲得し、該識別パラメータに
   対応する選択ウィンドウにおいて、識別パラメータ値を
   図的に表示する第２ステップと、 把握した識別パラメータの階層構造の上位に位置する識
   別パラメータに対応する選択ウィンドウから、順に識別
   パラメータ値を表示してユーザに指示させる第３ステッ
   プと、 前記第３ステップにより指示された識別パラメータ値
   と、前記データ記述の記述内容とに基づいて、評価デー
   タを特定する第４ステップと、 前記第４ステップにおいて特定された評価データを指示
   された表示方法で表示する第５ステップと、 を有する半導体集積回路の評価支援方法。