JPH10187977A

JPH10187977A - パターン検査方法及び装置

Info

Publication number: JPH10187977A
Application number: JP34602996A
Authority: JP
Inventors: Takayoshi Matsuyama; 隆義松山; Kenichi Kobayashi; 賢一小林
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-12-25
Filing date: 1996-12-25
Publication date: 1998-07-21
Also published as: KR19980063409A; US20010012391A1; US6327379B2; KR100351037B1

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明はパターン検査方法及び装置に関し、
補助パターン付きの回路パターンを能率良く、且つ精度
良く検査する方法を実現することを課題とする。【解決手段】工程２０でマスクのパターンの画像を認
識し、パターン画像２１と補助パターン画像２２とより
なる認識画像２３を得る。次いで、工程３０で、認識画
像２３より補助パターンの画像を抽出して、補助パター
ン画像２２だけの画像３１を得る。次いで、工程３２
で、パターン画像２１と補助パターン画像２２とよりな
る画像２３から補助パターン画像２２を削除し、パター
ン画像２１だけの補助パターン画像削除済認識画像３３
を得る。他方、工程３４で補助パターン無しの設計デー
タを複写する。次いで、工程２６で補助パターン無しの
設計データを検査に適した検査用データに変換し、工程
２７で検査用データを画像に展開して、パターン２１Ａ
だけの検査用画像３５を得る。工程２９で、補助パター
ン画像削除済認識画像３３と検査用画像３５とを比較照
合して、マスク上の回路パターンに欠陥が有るか否かを
判断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパターン検査方法及
び装置に係り、特に、半導体デバイスの製造に使用され
るマスク等に形成されている回路パターンであって、補
助パターンを有する回路パターンの検査方法及び装置に
関する。

【０００２】近年の半導体デバイスの高集積度化に伴
い、回路パターンが微細化してきている。回路パターン
が微細化すると、露光装置の解像力の限界の関係で、図
９に示すように、矩形のパターン１０を形成したマスク
を使用して露光を行うと、ウェハ上に形成されたパター
ンは符号１１で示すように丸っこい形状となってしまう
傾向にある。このようなことが回路パターンで起きる
と、コーナが丸くなり、導通はとれていても、回路特性
上の問題が発生しやすくなる。

【０００３】そこで、この問題を解決するために、即
ち、回路パターンを設計通りに形成するために、図１０
に示すように、矩形のパターン１０の周辺部に、具体的
には各コーナ部の近くに補助パターン１２を追加して配
置する技術が採用されるようになってきた。補助パター
ン１２を追加して配置すると、ウェハ上に形成されたパ
ターンは符号１３で示すように四角に近い形状となる。

【０００４】この補助パターンを有する回路パターンに
欠陥が有るか無いかを検査するにあたっては、補助パタ
ーンの存在を考慮したパターン検査方法が必要となる。

【０００５】

【従来の技術】従来、マスク上の補助パターンを有する
回路パターンの検査は、補助パターンを有しない通常の
回路パターンを検査する方法と同じ方法で行っていた。
即ち、図１１に示すように、工程２０でマスクのパター
ンの画像を認識し、パターン画像２１と補助パターン画
像２２とよりなる認識画像２３を得る。他方、工程２５
で補助パターン有りの設計データを複写し、次いで、工
程２６で設計データを検査に適した検査用データに変換
し、工程２７で検査用データを画像に展開して、パター
ン画像２１Ａと補助パターン画像２２Ａとよりなる検査
用画像２８を得る。工程２９で、認識画像２３と検査用
画像２８とを比較照合して、マスク上の回路パターンに
欠陥が有るか否かを判断する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ここで、工程２６で変
換する設計データは補助パターン有りの設計データであ
り、このデータ量は、補助パターンが無い通常の設計デ
ータのデータ量の数倍と多い。ここで、回路パターンの
微細化に伴って、補助パターンが無い通常の設計データ
についてみただけでも、データ量が従来より多くなって
いる。このため、補助パターン有りの設計データのデー
タ量は、膨大なものとなっている。よって、工程２６に
おけるデータ変換に、長い時間が掛かってしまい、結果
として、パターンの検査に時間が掛かってしまう。

【０００７】また、パターン検査装置の有限である処理
能力との関係で、回路パターンの微細化に伴って、パタ
ーン検査は一つのマスクを複数の区画に分割してデータ
処理して行うようになってきている。この状況の下で、
補助パターン有りの設計データを取り扱うとデータ量が
更に増し、この結果、一つのマスクを区画に分割する数
が増えてしまい、このことによってもパターンの検査に
時間が掛かってしまう。

【０００８】また、補助パターンは通常のパターンと比
較してサイズがかなり小さいため、パターン検査のとき
に疑似欠陥が発生する原因にもなっており、パターンの
検査の信頼性を損ねていた。そこで、本発明は上記課題
を解決したパターン検査方法及び装置を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、検査
対象物のパターンの周辺部に補助パターンを有する実際
のパターンの画像を認識する工程と、該認識した認識画
像から補助パターンの画像を削除して補助パターン画像
削除済認識画像を作成する工程と、補助パターンが除か
れた設計データより検査に使用する検査用画像を作成す
る工程と、上記作成された補助パターン画像削除済認識
画像と、上記作成された検査用画像とを比較する工程と
よりなる構成としたものである。

【００１０】請求項２の発明は、第１の光学系によって
検査対象物の一の場所を撮影してパターンの周辺部に補
助パターンを有する実際のパターンの画像を認識する工
程と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削
除して第１の補助パターン画像削除済認識画像を作成す
る工程と、第２の光学系によって上記検査対象物の別の
場所であって上記一の場所に対応する場所を撮影してパ
ターンの周囲に補助パターンを有する実際のパターンの
画像を認識する工程と、該認識した認識画像から補助パ
ターンの画像を削除して第２の補助パターン画像削除済
認識画像を作成する工程と、上記第１の補助パターン画
像削除済認識画像と第２の補助パターン画像削除済認識
画像とを比較する工程とよりなる構成としたものであ
る。

【００１１】請求項３の発明は、検査対象物のパターン
の周辺部に補助パターンを有する実際のパターンの画像
を認識する手段と、該認識した認識画像から補助パター
ンの画像を削除して補助パターン画像削除済認識画像を
作成する手段と、補助パターンが除かれた設計データよ
り検査に使用する検査用画像を作成する手段と、上記作
成された補助パターン画像削除済認識画像と、上記作成
された検査用画像とを比較する手段とよりなる構成とし
たものである。

【００１２】請求項４の発明は、第１の光学系によって
検査対象物の一の場所を撮影してパターンの周辺部に補
助パターンを有する実際のパターンの画像を認識する手
段と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削
除して第１の補助パターン画像削除済認識画像を作成す
る手段と、第２の光学系によって上記検査対象物の別の
場所であって上記一の場所に対応する場所を撮影してパ
ターンの周囲に補助パターンを有する実際のパターンの
画像を認識する手段と、該認識した認識画像から補助パ
ターンの画像を削除して第２の補助パターン画像削除済
認識画像を作成する手段と、上記第１の補助パターン画
像削除済認識画像と第２の補助パターン画像削除済認識
画像とを比較する手段とよりなる構成としたものであ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例であるデ
ータ照合によるパターン検査方法を概略的に示す。図１
中、図１１に示す構成部分と同じ構成部分には同じ符号
を付す。工程２０でマスクのパターンの画像を認識し、
パターン画像２１と補助パターン画像２２とよりなる認
識画像２３を得る。次いで、工程３０で、認識画像２３
より補助パターンの画像を抽出して、補助パターン画像
２２だけの画像３１を得る。次いで、工程３２で、パタ
ーン画像２１と補助パターン画像２２とよりなる画像２
３から補助パターン画像２２を削除し、パターン画像２
１だけの画像、即ち、補助パターン画像削除済認識画像
３３を得る。

【００１４】工程３０では、図２に示すように、補助パ
ターンのテンプレート４０を使用して、補助パターン画
像２２が有ることを認識し、画像メモリから補助パター
ン画像２２を抽出する。工程３１では、図３（Ａ），
（Ｂ）に示すように、補助パターン画像２２の部分の情
報「１」を情報「０」として、画像メモリから補助パタ
ーン画像２２を削除している。

【００１５】他方、工程３４でパターンだけの設計デー
タ、即ち、補助パターン無しの設計データを複写する。
次いで、工程２６で補助パターン無しの設計データを検
査に適した検査用データに変換し、工程２７で検査用デ
ータを画像に展開して、パターン２１Ａだけの検査用画
像３５を得る。

【００１６】工程２９で、補助パターン画像削除済認識
画像３３と検査用画像３５とを比較照合して、マスク上
の回路パターンに欠陥が有るか否かを判断する。ここ
で、設計データは補助パターン無しのデータであるた
め、データ量は、補助パターン有りの設計データのデー
タ量より格段に少なく、よって、工程２６は従来に比べ
て短時間で完了する。よって、マスク上の回路パターン
の検査は従来に比べて短い時間で終了する。

【００１７】また、補助パターンの部分は除外した形で
比較照合しているため、疑似欠陥の発生が抑制され、そ
の分、マスク上の回路パターンの検査は精度良く行われ
る。次に、上記の図１のデータ照合によるパターン検査
方法を詳細に説明する。図４はデータ照合によるパター
ン検査装置５０を示す。パターン検査装置５０は、ＸＹ
ステージ５１と、光源５２と、対物レンズ５３と、ＣＣ
Ｄ５４と、自動焦点機構５５と、制御装置５６とよりな
る。

【００１８】制御装置５６は、補助パターン無しのデー
タである設計データ６０と、データ変換装置６１と、検
査データ６２と、画像展開部６３と、画像メモリ６４、
６５と、画像合成回路６６と、微小欠陥検出回路６７
と、補助パターン画像認識除去回路６８と、システム制
御回路６９とよりなる。

【００１９】マスク上の回路パターンの検査に当たって
は、検査対象物である実際に回路パターンが形成されて
いるマスク７０をＸＹステージ５１上に固定し、光源５
２でマスク７０を透過照明し、自動焦点機構５５によっ
て位置決めされた対物レンズ５３によってマスク７０上
の所定の個所の回路パターンを拡大投影する。これによ
って、ＣＣＤ５４がマスク７０上の所定の場所の回路パ
ターンを認識する。画像メモリ６４がこの回路パターン
の認識画像を一時的に記憶する。

【００２０】一方、補助パターン無しの設計データ６０
のうち上記の撮影した場所と同じ場所の補助パターン無
しの設計データをデータ変換装置６１によって変換して
検査データ６２とし、これを画像展開部６３によって画
像に展開し、この展開された検査用画像を画像メモリ６
５に転送する。

【００２１】画像メモリ６４より読みだされた回路パタ
ーンの認識画像は、画像合成回路６６に供給される前に
補助パターン画像認識除去回路６８に供給され、ここ
で、補助パターンの画像が認識されて除去され、補助パ
ターン画像削除済認識画像となる。

【００２２】画像合成回路６６が、画像メモリ６５より
読みだされ検査用画像と画像メモリ６４より読みだされ
補助パターン認識除去回路６８を経て補助パターン画像
が除去された補助パターン画像削除済認識画像とを合成
し、微小欠陥検出回路６７が合成した結果の画像に基づ
いて凹凸等のパターン欠陥を検出する。

【００２３】ＸＹステージ５１を移動させて、次々にマ
スク７０上の別の場所の回路パターンを撮影する。これ
に応じて、データ変換装置６１が補助パターン無しの設
計データ６０のうち上記の撮影した場所と同じ場所の補
助パターン無しの設計データを次々に読みこんで画像に
展開する。撮影して得た回路パターンの認識画像と展開
された回路パターンの検査用画像を逐次合成して検査す
ることによって、マスク７０上の回路パターン全体につ
いて微小欠陥の有無が検査される。

【００２４】次に、上記パターン検査装置５０のパター
ン検査動作について、図５を参照して説明する。制御装
置５６は、コンピュータで構成されており、パターン検
査装置５０の検査動作は、操作者による作業とコンピュ
ータの動作とが組み合わされたものとなっている。操作
者による作業は「工程」で表現し、コンピュータの動作
は「ステップ（ＳＴ）」で表現する。

【００２５】パターン検査に先立って、３つの作業８
０、８１、８２を行う。第１の作業８０では、補助パタ
ーン無しの設計データ６０を複写し（ＳＴ９０）、補助
パターン無しの設計データ６０を変換して（ＳＴ９
１）、検査用データ６２を作成する。第２の作業８１で
は、補助パターンのテンプレート４０（図２参照）を作
成し（ＳＴ９２）、作成した補助パターンのテンプレー
ト４０を登録する（ＳＴ９３）。第３の作業８２では、
操作者がマスク７０をＸＹステージ５１上にセットし、
検査範囲、検査感度、光源５２の光量、マスク７０の平
行度等の検査条件を設定し、マスク７０を位置決めす
る。

【００２６】以上の作業が完了した後に、パターン検査
を開始する。ＸＹステージ５１を移動させ（ＳＴ９
４）、マスク７０上の回路パターンの画像を取り込み
（ＳＴ９５）、これを画像メモリ６４に登録する（ＳＴ
９６）。また、検査用データ６２のうち移動したＸＹス
テージ５１の位置に対応した位置のデータを読み込み
（ＳＴ９７）、これを画像に展開し（ＳＴ９８）、展開
して得た検査用画像を画像メモリ６５に登録する（ＳＴ
９９）。

【００２７】また、ＳＴ９６の後に、補助パターンのテ
ンプレート４０を読み込み（ＳＴ１００）、画像メモリ
６４内の画像と補助パターンのテンプレート４０とを比
較し（ＳＴ１０１）、補助パターンのテンプレート４０
と同じパターンの画像を検出した場合には（ＳＴ１０
２）、画像メモリ６４からそのパターンの画像を除去す
る（ＳＴ１０４）。補助パターンのテンプレート４０と
同じパターンを検出しない場合には（ＳＴ１０２）、別
のテンプレートを読み込んで、上記と同じ動作を行う。
この動作を全部のテンプレートについて行う（ＳＴ１０
３）。

【００２８】次いで、画像メモリ６５に登録された検査
用画像と、補助パターン認識除去回路６８を経て補助パ
ターンが除去された補助パターン画像削除済認識画像画
像とを合成し（ＳＴ１０５）、画像メモリ６４内の回路
パターンの認識画像の欠陥を検出し（ＳＴ１０６）、欠
陥情報を記憶する（ＳＴ１０７）。

【００２９】上記の動作をマスク７０上の回路パターン
の全部の場所について行う（ＳＴ１０８）。パターンデ
ータの欠陥を検出する動作をマスク７０上の回路パター
ンの全部の場所について完了すると、欠陥を確認する作
業を開始する。

【００３０】先ず、メモリから欠陥情報を呼び出す（Ｓ
Ｔ１０９）。これを欠陥の確認が終了するまで行う（Ｓ
Ｔ１１０）。欠陥の確認が終了すると、操作者がマスク
７０をＸＹステージ５１から取り外して、検査作業が終
了する。

【００３１】次に、本発明の別の実施例になるマスクツ
ウマスク照合によるパターン検査方法について説明す
る。図６は、マスクの回路パターンの規則性を利用し
た、マスクツウマスク照合によるパターン検査方法を概
略的に示す。図６中、図１に示す構成部分と同じ構成部
分には同じ符号を付す。

【００３２】工程２０でマスクのパターンの画像を認識
し、パターン画像２１と補助パターン画像２２とよりな
る認識画像２３を得る。次いで、工程３０で、認識画像
２３より補助パターンの画像を抽出して、補助パターン
画像２２だけの画像３１を得る。次いで、工程３２で、
パターン画像２１と補助パターン画像２２とよりなる画
像２３から補助パターン画像２２を削除し、パターン画
像２１だけの画像、即ち、第１の補助パターン画像削除
済認識画像３３を得る。

【００３３】工程２０Ｂでマスクの上記の所定の場所の
パターンと同じパターンが形成されている場所のパター
ンの画像を認識し、パターン画像２１Ｂと補助パターン
画像２２Ｂとよりなる認識画像２３Ｂを得る。次いで、
工程３０Ｂで、認識画像２３Ｂより補助パターンの画像
を抽出して、補助パターン画像２１Ｂだけの画像３１Ｂ
を得る。次いで、工程３２Ｂで、パターン画像２１Ｂと
補助パターン画像２２Ｂとよりなる画像２３Ｂから補助
パターン画像２２Ｂを削除し、パターン画像２１Ｂだけ
の画像、即ち、第２の補助パターン画像削除済認識画像
３３Ｂを得る。

【００３４】工程２９で、第１の補助パターン画像削除
済認識画像３３と第２の補助パターン画像削除済認識画
像３３Ｂとを比較照合して、マスク上の回路パターンに
欠陥が有るか否かを判断する。ここで、補助パターンの
部分は除外した形で比較照合しているため、疑似欠陥の
発生が抑制され、その分、マスク上の回路パターンの検
査を精度良く行われる。

【００３５】次に、上記の図６のマスクツウマスク照合
によるパターン検査方法を詳細に説明する。図７はマス
クツウマスク照合によるパターン検査装置５０Ｂを示
す。図７中、図４に示す構成部分と同じ構成部分には同
じ符号を付す。パターン検査装置５０Ｂは、ＸＹステー
ジ５１と、光源５２と、第１の対物レンズ５３と、第１
のＣＣＤ５４と、第１の自動焦点機構５５と、第２の対
物レンズ５３Ｂと、第２のＣＣＤ５４Ｂと、第２の自動
焦点機構５５Ｂと、制御装置５６Ｂとよりなる。第１の
対物レンズ５３と第２の対物レンズ５３Ｂとは所定の間
隔Ｃ離してあり、多数の回路パターンがマトリクス状に
規則正しく形成されているマスク上の同じ回路パターン
が形成されている場所を撮影するようにしてある。

【００３６】制御装置５６Ｂは、画像メモリ６４、６５
と、パターン合成回路６６と、微小欠陥検出回路６７
と、第１の補助パターン認識除去回路６８と、第２の補
助パターン認識除去回路６８Ｂと、システム制御回路６
９Ｂとよりなる。マスク上の回路パターンの検査に当た
っては、検査対象物である実際に回路パターンが形成さ
れているマスク７０をＸＹステージ５１上に固定し、光
源５２でマスク７０を透過照明し、第１の自動焦点機構
５５によって位置決めされた第１の対物レンズ５３によ
ってマスク７０上の所定の場所の回路パターンを拡大投
影する。これによって、第１のＣＣＤ５４がマスク７０
上の図７中右寄りの所定の場所の回路パターンを認識す
る。第１の画像メモリ６４がこの回路パターンの認識画
像を一時的に記憶する。また、第２の自動焦点機構５５
Ｂによって位置決めされた第２の対物レンズ５３Ｂによ
ってマスク７０上の別の場所の回路パターンを拡大投影
する。これによって、第２のＣＣＤ５４Ｂがマスク７０
上の図７中左寄りの所定の場所（前記の所定の場所の回
路パターンと同じ回路パターンを有する場所）の回路パ
ターンを認識する。第２の画像メモリ６５がこの回路パ
ターンの認識画像を一時的に記憶する。

【００３７】第１の画像メモリ６４より読みだされた回
路パターンの認識画像は、画像合成回路６６に供給され
る前に第１の補助パターン画像認識除去回路６８に供給
され、ここで、補助パターンの画像が認識されて除去さ
れ、第１の補助パターン画像削除済認識画像となる。

【００３８】また、第１の画像メモリ６５より読みださ
れた回路パターンの認識画像は、画像合成回路６６に供
給される前に第２の補助パターン画像認識除去回路６８
Ｂに供給され、ここで、補助パターンの画像が認識され
て除去され、第２の補助パターン画像削除済認識画像と
なる。

【００３９】画像合成回路６６が、第１の画像メモリ６
４より読みだされ第１の補助パターン認識除去回路６８
を経て補助パターン画像が除去された第１の補助パター
ン画像削除済認識画像と、第２の画像メモリ６５より読
みだされ第２の補助パターン認識除去回路６８Ｂを経て
補助パターン画像が除去された第１の補助パターン画像
削除済認識画像とを合成し、微小欠陥検出回路６７が合
成した結果の画像に基づいて凹凸等のパターン欠陥を検
出する。

【００４０】ＸＹステージ５１を移動させて、第１の対
物レンズ５３と第１のＣＣＤ５４と、及び第２の対物レ
ンズ５３Ｂと第２のＣＣＤ５４Ｂとが次々にマスク７０
上の別の場所であって同じ回路パターンの場所を撮影す
る。撮影して得た回路パターンの画像より上記と同じく
補助パターンが除去された回路パターンの画像同士を逐
次合成して検査することによって、マスク７０上の回路
パターン全体について微小欠陥の有無が検査される。

【００４１】次に、上記パターン検査装置１１０のパタ
ーン検査動作について、図８を参照して説明する。制御
装置５６は、コンピュータで構成されており、パターン
検査装置１１０の検査動作は、操作者による作業とコン
ピュータの動作とが組み合わされたものとなっている。
操作者による作業は工程で表現し、コンピュータの動作
はステップ（ＳＴ）で表現する。

【００４２】パターン検査に先立って、３つの作業８
１、８１Ｂ、８２を行う。第１の作業８１では、補助パ
ターンのテンプレート４０（図２参照）を作成し（ＳＴ
９２）、作成した補助パターンのテンプレート４０を登
録する（ＳＴ９３）。第２の作業８１Ｂは第１の作業８
２と同じである（ＳＴ９２Ｂ，ＳＴ９３Ｂ）。第３の作
業８２では、操作者がマスク７０をＸＹステージ５１上
にセットし、検査範囲、検査感度、対物レンズ５３、５
３Ｂの間隔Ｃ、光源５２の光量、マスク７０の平行度等
の検査条件を設定し、マスク７０を位置決めする。

【００４３】以上の作業が完了した後に、パターン検査
を開始する。ＸＹステージ５１を移動させ（ＳＴ９
４）、第１の対物レンズ５３と第１のＣＣＤ５４、及び
第２の対物レンズ５３Ｂと第２のＣＣＤ５４Ｂとによっ
てマスク７０上の２つの場所の回路パターンの画像を取
り込み（ＳＴ９５）、これを画像メモリ６４に登録する
（ＳＴ９６）。

【００４４】また、ＳＴ９６の後に、補助パターンのテ
ンプレート４０を読み込み（ＳＴ１００）、第１の画像
メモリ６４内の画像と補助パターンのテンプレート４０
とを比較し（ＳＴ１０１）、補助パターンのテンプレー
ト４０と同じパターンの画像を検出した場合には（ＳＴ
１０２）、第１の画像メモリ６４からそのパターンの画
像を除去する（ＳＴ１０４）。補助パターンのテンプレ
ート４０と同じパターンを検出しない場合には（ＳＴ１
０２）、別のテンプレートを読み込んで、上記と同じ動
作を行う。この動作を全部のテンプレートについて行う
（ＳＴ１０３）。

【００４５】第２の画像メモリ６５内の画像について、
これと同じ動作を行う（ＳＴ１００Ｂ乃至ＳＴ１０４
Ｂ）。次いで、第１の画像メモリ６４の画像より補助パ
ターン画像が除去された第１の補助パターン画像削除済
認識画像と、第２の画像メモリ６５の画像より補助パタ
ーン画像が除去された第２の補助パターン画像削除済認
識画像とを合成し（ＳＴ１０５）、第１の補助パターン
画像削除済認識画像及び第１の補助パターン画像削除済
認識画像の欠陥を検出し（ＳＴ１０６）、欠陥情報を記
憶する（ＳＴ１０７）。

【００４６】上記の動作をマスク７０上の回路パターン
の全部の場所について行う（ＳＴ１０８）。パターンデ
ータの欠陥を検出する動作をマスク７０上の回路パター
ンの全部の場所について完了すると、欠陥を確認する作
業を開始する。

【００４７】先ず、メモリから欠陥情報を呼び出す（Ｓ
Ｔ１０９）。これを欠陥の確認が終了するまで行う（Ｓ
Ｔ１１０）。欠陥の確認が終了すると、操作者がマスク
７０をＸＹステージ５１から取り外して、検査作業が終
了する。

【００４８】なお、検査対象物は、マスクの回路パター
ンに限らず、レチクルの回路パターン、ウェハ上の回路
パターン、プリント基板の回路パターン、液晶表示装置
のパターン、プラズマディスプレイのパターンでもよ
い。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、パターンの周辺部に補助パターンを有するパタ
ーンの画像から補助パターンの画像を削除した画像を検
査の対象とするため、比較する画像は、補助パターンが
除かれた設計データより作成した画像となり、よって、
設計データのデータ量は、補助パターン有りの設計デー
タのデータ量より格段に少なく、よって、設計データよ
り画像を作成するに要する時間を従来に比べて短時間と
出来、よって、検査対象物のパターンの検査を従来に比
べて短い時間で、能率良く行うことが出来る。また、補
助パターンの部分は除外した形で比較照合しているた
め、疑似欠陥の発生が抑制され、その分、検査対象物の
パターンの検査を精度良く、且つ信頼性良く行うことが
出来る。

【００５０】請求項２の発明によれば、第１の光学系に
よって検査対象物の一の場所を撮影して得たパターンの
周辺部に補助パターンを有するパターンの画像から補助
パターンの画像を削除した第１の補助パターン画像削除
済認識画像と、第２の光学系によって上記検査対象物の
別の場所の上記一の場所に対応する場所を撮影して得た
パターンの周辺部に補助パターンを有するパターンの画
像から補助パターンの画像を削除した第２の補助パター
ン画像削除済認識画像とを比較する構成としたため、即
ち、補助パターンの部分は除外した形で比較照合してい
るため、疑似欠陥の発生が抑制され、その分、検査対象
物のパターンの検査を精度良く、且つ信頼性良く行うこ
とが出来る。

【００５１】請求項３の発明によれば、パターンの周辺
部に補助パターンを有するパターンの画像から補助パタ
ーンの画像を削除した画像を検査の対象とするため、比
較する画像は、補助パターンが除かれた設計データより
作成した画像となり、よって、設計データのデータ量
は、補助パターン有りの設計データのデータ量より格段
に少なく、よって、設計データより画像を作成するに要
する時間を従来に比べて短時間と出来、よって、検査対
象物のパターンの検査を従来に比べて短い時間で、能率
良く行うことが出来る。また、補助パターンの部分は除
外した形で比較照合しているため、疑似欠陥の発生が抑
制され、その分、検査対象物のパターンの検査を精度良
く、且つ信頼性良く行うことが出来る。

【００５２】請求項４の発明によれば、第１の光学系に
よって検査対象物の一の場所を撮影して得たパターンの
周辺部に補助パターンを有するパターンの画像から補助
パターンの画像を削除した第１の補助パターン画像削除
済認識画像と、第２の光学系によって上記検査対象物の
別の場所の上記一の場所に対応する場所を撮影して得た
パターンの周辺部に補助パターンを有するパターンの画
像から補助パターンの画像を削除した第２の補助パター
ン画像削除済認識画像とを比較する構成としたため、即
ち、補助パターンの部分は除外した形で比較照合してい
るため、疑似欠陥の発生が抑制され、その分、検査対象
物のパターンの検査を精度良く、且つ信頼性良く行うこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例になるデータ照合によるパタ
ーン検査方法を概略的に示す図である。

【図２】図１中の工程３０で使用する補助パターンのテ
ンプレートを示す図である。

【図３】図１中の工程３２の動作を示す図である。

【図４】データ照合によるパターン検査装置を示す図で
ある。

【図５】図４のパターン検査装置によるパターン検査方
法を説明する図である。

【図６】本発明の別の実施例になるマスクツウマスク照
合によるパターン検査方法を概略的に示す図である。

【図７】マスクツウマスク照合によるパターン検査装置
を示す図である。

【図８】図６のパターン検査装置によるパターン検査方
法を説明する図である。

【図９】回路パターンが微細化した場合のマスクのパタ
ーンとウェハ上に形成されたパターンとの関係を示す図
である。

【図１０】マスクの補助パターン付きのパターンとウェ
ハ上に形成されたパターンとの関係を示す図である。

【図１１】従来のパターン検査方法を概略的に示す図で
ある。

【符号の説明】

２０工程２１パターン画像２２補助パターン画像２３認識画像３１補助パターン画像だけの画像３３補助パターン画像削除済認識画像３５検査用画像５０データ照合によるパターン検査装置５１ＸＹステージ５２光源５３，５３Ｂ対物レンズ５４，５４ＢＣＣＤ５５，５５Ｂ自動焦点機構５６，５６Ｂ制御装置６０補助パターン無しのデータである設計データ６１データ変換装置６２検査データ６３画像展開部６４、６５画像メモリ６６パターン合成回路６７微小欠陥検出回路６８，６８Ｂ補助パターン認識除去回路６９，６９Ｂシステム制御回路５０Ｂマスクツウマスク照合によるパターン検査装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】検査対象物のパターンの周辺部に補助パ
ターンを有する実際のパターンの画像を認識する工程
と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削除して
補助パターン画像削除済認識画像を作成する工程と、補助パターンが除かれた設計データより検査に使用する
検査用画像を作成する工程と、上記作成された補助パターン画像削除済認識画像と、上
記作成された検査用画像とを比較する工程とよりなる構
成としたことを特徴とするパターン検査方法。
【請求項２】第１の光学系によって検査対象物の一の
場所を撮影してパターンの周辺部に補助パターンを有す
る実際のパターンの画像を認識する工程と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削除して
第１の補助パターン画像削除済認識画像を作成する工程
と、第２の光学系によって上記検査対象物の別の場所であっ
て上記一の場所に対応する場所を撮影してパターンの周
囲に補助パターンを有する実際のパターンの画像を認識
する工程と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削除して
第２の補助パターン画像削除済認識画像を作成する工程
と、上記第１の補助パターン画像削除済認識画像と第２の補
助パターン画像削除済認識画像とを比較する工程とより
なる構成としたことを特徴とするパターン検査方法。
【請求項３】検査対象物のパターンの周辺部に補助パ
ターンを有する実際のパターンの画像を認識する手段
と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削除して
補助パターン画像削除済認識画像を作成する手段と、補助パターンが除かれた設計データより検査に使用する
検査用画像を作成する手段と、上記作成された補助パターン画像削除済認識画像と、上
記作成された検査用画像とを比較する手段とよりなる構
成としたことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項４】第１の光学系によって検査対象物の一の
場所を撮影してパターンの周辺部に補助パターンを有す
る実際のパターンの画像を認識する手段と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削除して
第１の補助パターン画像削除済認識画像を作成する手段
と、第２の光学系によって上記検査対象物の別の場所であっ
て上記一の場所に対応する場所を撮影してパターンの周
囲に補助パターンを有する実際のパターンの画像を認識
する手段と、該認識した認識画像から補助パターンの画像を削除して
第２の補助パターン画像削除済認識画像を作成する手段
と、上記第１の補助パターン画像削除済認識画像と第２の補
助パターン画像削除済認識画像とを比較する手段とより
なる構成としたことを特徴とするパターン検査装置。