JPH10186346A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH10186346A
JPH10186346A JP8345582A JP34558296A JPH10186346A JP H10186346 A JPH10186346 A JP H10186346A JP 8345582 A JP8345582 A JP 8345582A JP 34558296 A JP34558296 A JP 34558296A JP H10186346 A JPH10186346 A JP H10186346A
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JP
Japan
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color
electrode
color filter
reflection electrode
liquid crystal
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JP8345582A
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English (en)
Inventor
Ryuji Nishikawa
龍司 西川
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高開口率の反射型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 Rの反射電極13R上にRのカラーフィル
タ14R、これを層間膜としてGの反射電極13G、この上に
Gのカラーフィルタ14G、これを層間膜としてBの反射
電極13B、この上にBのカラーフィルタ14Bを有した構
造。各々の反射電極13R,13G,13Bは、平面的には完全に
隙間なく配置され、開口率は実質的に100%となる。
Rのセルギャップが最も大きく、Gのセルギャップがそ
れよりも小さく、Bのセルギャップが最も大きく、波長
とセルギャップとの比により定まる電圧と透過率との関
係は、R、G、Bの場合で均一に近づけられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型の液晶表示
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は小型、薄型、低消費電力
などの利点があり、OA機器、AV機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄
膜トランジスタ(以下、TFTと略す)を用いたアクテ
ィブマトリクス型は、原理的にデューティ比100%の
スタティック駆動をマルチプレクス的に行うことがで
き、大画面、高精細な動画ディスプレイに使用されてい
る。
【0003】図3は従来の反射型の液晶表示装置の断面
図である。基板(50)上に、TFT(51)がマトリ
クス状に形成され、これを覆う全面には、アクリル酸レ
ジン等の平坦化作用のある有機絶縁膜からなる層間絶縁
膜(52)が形成されている。層間絶縁膜(52)上に
は、液晶駆動用の表示電極である、Al等の高光反射導
電材からなる反射電極(53)が形成され、層間絶縁膜
(52)に開けられたコンタクトホールを介してTFT
(51)のソースに電気的に接続されている。
【0004】これに対向する位置には、間に液晶(7
0)を挟んで、透明な絶縁性基板(60)が配置され、
その対向表面には、Cr等の遮光膜(61)、および、
画素領域に対応づけられた赤(R)、緑(G)、青
(B)のカラーフィルター(62R)(62G)(62
B)、更には、液晶駆動用の共通電極である、ITO
(indium tin oxide)等からなる透明電極(63)が形
成されている。透明電極(63)は、液晶(70)を誘
電層として、反射電極(53)との間で、液晶を駆動し
て透過率を変化させる画素容量を構成する。
【0005】また、遮光膜(61)は、非画素領域に対
応づけて設けられ、画素毎に明るさが制御されて巨視的
に形作られる表示画像の視認性が、非画素領域において
透過された強度が制御されない光により妨害されるのを
防いでいる。即ち、透明基板(60)側から画素毎に強
度が調整された反射光の分布として表示画像が認識され
る際、画素間から基板(50)の背景が感知されるのを
防ぎ、コントラスト比が低下するのを避けている。
【0006】図4は、このような断面構造を有した反射
型液晶表示装置の画素配列の平面図である。ここでは、
例としてR、G、Bの各画素が三角形をなして配置され
たデルタ配列型を示している。R、G、Bの各々の表示
画素(5)は、図3に示された透明電極(63)と液晶
(70)が反射電極(53)により区画され、更に、こ
れが遮光膜(61)の開口部により制限されたものであ
る。反射電極(53)は、電界の相互影響を防ぐために
一定の平面離間距離をもって配置されており、これら反
射電極(53)間の非画素領域が、図3に示される遮光
膜(61)により遮光された遮光領域(6)となってい
る。
【0007】ここに挙げたのは、表示電極として反射電
極を用い、透明な対向基板(60)側から入射された周
囲光が、反射電極(53)で反射される際に、所望の画
像を形作るべく、各画素毎に、透過率を制御して対向基
板(60)側の観察者へ向けて、再射出する反射型であ
る。従って、このタイプの液晶表示装置は、光源との組
み合わせが不要となり、ディスプレイモジュールの小型
化、消費電力の大幅低減が可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】反射型の液晶表示装置
は、TFTのアレイ基板(50)側において、表示電極
である反射電極(53)をTFTの上層に形成すること
で、TFTの形成領域により有効表示領域が削減される
ことがなくなり、開口率80%以上が実現される。この
ような高開口率は、一方で、光源を用いない反射型にお
いて、感知光量を十分に多くして、明るい画面を得るた
めに必要である。ところが、図3に示した構造におい
て、非画素領域に対応づけて設けられた遮光膜(61)
は、対向基板側に設けられているために、両基板(5
0)(60)の貼り合わせ時のずれに起因して、遮光膜
(61)が非画素領域から外れることを防ぐ目的で、数
μmの幅をもって、あらかじめ、反射電極(53)の領
域に重畳されるように形成されている。即ち、図4に平
面配置を示すように、反射電極(53)不在の非画素領
域と遮光膜(61)が形成された遮光領域(6)とを合
わせることが必要であるため、遮光領域(6)を非画素
領域よりも、言い換えれば、遮光膜(61)の開口部で
ある表示画素(5)が反射電極(53)よりも小さく形
成されている。従って、このように遮光膜(61)と反
射電極(53)とが重畳された分だけ、有効表示領域が
可能的な最大の表示領域よりも縮小され、最大の開口率
が得られない問題が残されていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、この課題を解
決するために成され、第1の基板上にマトリクス状に配
置された光反射電極と、液晶を挟んで第1の基板に対向
配置された第2の基板上に形成された透明電極と、前記
光反射電極と前記透明電極との対向部分よりなる表示画
素単位毎に対応づけられた第1色、第2色または第3色
を呈する第1、第2または第3のカラーフィルタを有す
る液晶表示装置において、前記第1のカラーフィルタの
層が第1色に対応づけられた第1の光反射電極を覆って
全域に形成され、前記第2のカラーフィルタの層が前記
第1のカラーフィルタの層上に形成された第2色に対応
づけられた第2の光反射電極を覆い前記第1の光反射電
極上を除く領域に形成され、前記第3のカラーフィルタ
の層が前記第2のカラーフィルタの層上に形成された第
3色に対応づけられた第3の光反射電極上に形成されて
いる構成である。
【0010】これにより、互いに隣接する第1、第2及
び第3の光反射電極は、基板面の垂直方向に離間され、
各々の反射電極に印加される電圧による電界の相互影響
が抑えられるとともに、これら各反射電極は、平面的に
は完全に隙間なく配置されるので、開口率が最大にされ
る。また、最下層にある第1の光反射電極に対応づけら
れた第1のカラーフィルタを最も長い波長の光による第
1色を呈し、最上層にある第3の光反射電極に対応づけ
られた第3のカラーフィルタを最も短い波長の光による
第3色を呈し、それらの中間にある第2の光反射電極に
対応づけれた第2のカラーフィルタをその中間の波長の
光による第2色を呈するものとすることにより、各波長
光に対応づけれた各画素における印加電圧と透過率との
関係を等しくすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態にかか
る反射型液晶表示装置の断面図である。基板(10)上
には、TFT(11)がマトリクス状に配置形成され、
TFT(11)を覆う全面には、層間絶縁膜(12)が
形成されている。この層間絶縁膜(12)は、アクリル
酸レジン等の平坦化作用のある有機絶縁膜からなり、T
FT(11)による表面の凹凸を吸収し、反射電極の下
地を平坦化する。
【0012】この層間絶縁膜(12)上には、液晶駆動
用の表示電極として、Al等の高光反射材からなる第1
の反射電極(13R)が形成され、層間絶縁膜(12)
に開けられたコンタクトホールを介して、TFT(1
1)のソースに接続されている。第1の反射電極(13
R)を覆う全面には、顔料分散、あるいは、染色により
着色されて赤色(R)を呈する第1のカラーフィルタ層
(14R)が形成されている。
【0013】この第1のカラーフィルタ層(14R)上
の、平面的に第1の反射電極(13R)とは異なる領域
上には、Al等の第2の反射電極(13G)が形成さ
れ、第1のカラーフィルタ層(14R)及び層間絶縁膜
(13)に開けられたコンタクトホールを介して、TF
T(11)のソースに接続されている。第2の反射電極
(13G)を覆う、第1の反射電極(13R)を除く平
面領域上には、顔料分散、あるいは、染色により着色さ
れて緑色(G)を呈する第2のカラーフィルタ層(14
G)が形成されている。
【0014】この第2のカラーフィルタ層(14G)上
の、平面的に第2の反射電極(13G)を除く領域上に
は、Al等の第3の反射電極(13B)が形成され、第
2のカラーフィルタ(14G)、第1のカラーフィルタ
(14R)及び層間絶縁膜(13)に開けられたコンタ
クトホールを介して、TFT(11)のソースに接続さ
れている。第3の反射電極(13B)上には、顔料分
散、あるいは、染色により着色されて青色(B)を呈す
る第3のカラーフィルタ層(14B)が形成されてい
る。
【0015】これに対向する位置には、間に液晶(3
0)を挟んで、ガラス等の透明基板(20)が配され、
その対向表面には、ITOからなる液晶駆動用の透明電
極(21)が形成されている。透明電極(21)と液晶
(30)は、対向する反射電極(13R,13G,13
B)により区画されて、液晶を誘電層とした画素容量を
構成している。
【0016】また、各々の基板(10,20)の最表面
には、図示は省いたが、液晶の初期状態に指向性を与え
るための配向膜が設けられている。即ち、電圧の無印加
時における液晶の配向を弱く束縛することで、形成され
る電界の強度を制御することによって液晶の光学的状態
を制御することができるようにされる。TFT(11)
は、半導体層としてアモルファスシリコン、あるいは、
ポリシリコン等を用いた周知の薄膜電界効果型トランジ
スタであり、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極
を有し、ゲート電極に接続したゲートラインとドレイン
電極に接続したドレインラインとの交差部に半導体層が
形成されてなっている。また、ソース電極は反射電極
(13R,13G,13B)に接続されている。ゲート
電極は、ゲートラインを伝わって与えられた電圧により
半導体層に電界を与え電気伝導を制御し、これにより、
ドレインラインに印加されたデータ信号電圧が、走査信
号電圧がゲートラインへ印加されるのに従って選択され
て、ドレイン電極から半導体層を伝わって、ソース電極
へ伝えられ、所望の画素電圧が画素容量に印加される。
【0017】第1の反射電極(13R)上にはRのカラ
ーフィルタ(14R)、第2の反射電極(13G)上に
はGのカラーフィルタ(14G)、第3の反射電極(1
3B)上にはBのカラーフィルタ(14B)が形成され
ており、各々の反射電極(13)により区画された各画
素容量はR、G、Bの各色を呈する表示画素となる。本
発明では、図1に示されるように、各色の反射電極(1
3R,13G,13B)は基板面の法線方向に、所定の
離間距離をもって配された構造となっている。従って、
平面方向に離間距離をとる必要がなく、R、G、Bの各
々の反射電極(13R)(13G)(13B)は、平面
方向に関して完全に接触された形となっている。図1に
示す実施の形態では、その平面図を図2に示すように、
各反射電極(13R)(13G)(13B)が、そのエ
ッジ部において、互いに重畳されて隙間なく配置された
形状となっている。即ち、マスク合わせ時にずれがあっ
ても、反射電極(13R)(13G)(13B)間に隙
間が生じないようにされている。このため、表示装置の
表示部の全域が表示画素領域となり、非画素領域、及
び、非画素領域に少なくとも対応づけられた遮光領域が
消滅し、開口率は100%となる。
【0018】また、本発明では、図1に示すように、R
を呈する反射電極(13R)が最下層に、Gを呈する反
射電極(13G)がそれよりも上層に、Bを呈する反射
電極(13B)が最上層に形成されている。従って、
R、G、Bの各場合に関して、反射電極(13R,13
G,13B)の各々の電極上のカラーフィルタ(14
R,14G,14B)とこれに対向された透明電極(2
1)との間の離間距離即ちセルギャップは、Rが最も大
きく、Gがそれよりも小さく、Bが最も小さくされてい
る。
【0019】これは、周知のGooch and Ta
rryの式によって示されているように、画素容量への
印加電圧と透過率との関係が、セルギャップと波長との
比に依存して変化するからである。即ち、波長が大きい
とき、その分、セルギャップも大きければ、電圧と透過
率との関係は変化しない。従って、本発明において、最
も波長の長い赤の反射光を射出するRの画素に関する反
射電極(13R)を最下層に、それよりも波長の短い緑
の反射光を射出するGの画素に関する反射電極(13
G)をそれよりも上層に、最も波長の短い青の反射光を
射出するBの反射電極(13B)を最上層に配置するこ
とにより、R、G、Bのいずれの画素に関しても、セル
ギャップと波長との比が均一になる。従って、全画素に
関して印加電圧と透過率との関係が同じになり、表示品
位が良くなる。
【0020】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明
で、反射型液晶表示装置の反射電極を平面的に隙間なく
配置することができ、開口率を極めて高くすることがで
きた。また、R、G、Bに各々対応する反射電極を異な
る層に形成することで、Rに関したセルギャップを最も
大きく、Gに関したセルギャップをそれよりも小さく、
Bに関したセルギャップを最も小さくするなり、射出光
の波長に依存した電圧と透過率との関係の差異が小さく
なり、良好なカラー表示が行われるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる反射型液晶表示装
置の断面図である。
【図2】本発明の実施の形態にかかる反射型液晶表示装
置の平面図である。
【図3】従来の液晶表示装置の断面図である。
【図4】従来の液晶表示装置の平面図である。
【符号の説明】
10,20 基板 11 TFT 12 層間絶縁膜 13 反射電極 14 カラーフィルター 21 透明電極 30 液晶

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の基板上にマトリクス状に配置され
    た光反射電極と、液晶を挟んで第1の基板に対向配置さ
    れた第2の基板上に形成された透明電極と、前記光反射
    電極と前記透明電極との対向部分よりなる表示画素単位
    毎に対応づけられた第1色、第2色または第3色を呈す
    る第1、第2または第3のカラーフィルタを有する液晶
    表示装置において、 前記第1のカラーフィルタの層が第1色に対応づけられ
    た第1の光反射電極を覆って全域に形成され、前記第2
    のカラーフィルタの層が前記第1のカラーフィルタの層
    上に形成された第2色に対応づけられた第2の光反射電
    極を覆い前記第1の光反射電極上を除く領域に形成さ
    れ、前記第3のカラーフィルタの層が前記第2のカラー
    フィルタの層上に形成された第3色に対応づけられた第
    3の光反射電極上に形成されていることを特徴とする液
    晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の光反射電極、前記第2の光反
    射電極及び第3の光反射電極は、それらの端縁が平面的
    に重畳されていることを特徴とする請求項1記載の液晶
    表示装置。
  3. 【請求項3】 前記第1色は赤であり、前記第2色は緑
    であり、前記第3色は青であることを特徴とする請求項
    1または請求項2記載の液晶表示装置。
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