JPH10172146A - 光学情報の記録装置 - Google Patents
光学情報の記録装置Info
- Publication number
- JPH10172146A JPH10172146A JP9301784A JP30178497A JPH10172146A JP H10172146 A JPH10172146 A JP H10172146A JP 9301784 A JP9301784 A JP 9301784A JP 30178497 A JP30178497 A JP 30178497A JP H10172146 A JPH10172146 A JP H10172146A
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- JP
- Japan
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- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化光ディスクの媒体構成を工夫しなくて
もマークエッジが記録を実現できる光学情報の記録方法
及びその装置を提供する。 【解決手段】 同一トラック上に記録を行う主レーザ光
と、記録膜の状態を検出する副レーザ光の２つのレーザ
光を配置し、副ビームにより記録膜が非晶質状態にある
か結晶状態にあるかを検出し、検出された記録膜の状態
に応じて主レーザ光の強度を変化させる。すなわち、オ
ーバライト前の状態が結晶状態であった部分に新たに記
録を行う際に照射されるレーザパワＰｗ2 の方を、オー
バライト前の状態が非晶質状態であった部分に新たに記
録を行う際に照射されるレーザパワＰｗ1 より高くす
る。これりにより、非晶質状態の方が結晶状態より光学
的な吸収率が高くても、実効的な温度上昇を等しくする
ことが可能となり、オーバライトジッタを低減すること
ができる。
もマークエッジが記録を実現できる光学情報の記録方法
及びその装置を提供する。 【解決手段】 同一トラック上に記録を行う主レーザ光
と、記録膜の状態を検出する副レーザ光の２つのレーザ
光を配置し、副ビームにより記録膜が非晶質状態にある
か結晶状態にあるかを検出し、検出された記録膜の状態
に応じて主レーザ光の強度を変化させる。すなわち、オ
ーバライト前の状態が結晶状態であった部分に新たに記
録を行う際に照射されるレーザパワＰｗ2 の方を、オー
バライト前の状態が非晶質状態であった部分に新たに記
録を行う際に照射されるレーザパワＰｗ1 より高くす
る。これりにより、非晶質状態の方が結晶状態より光学
的な吸収率が高くても、実効的な温度上昇を等しくする
ことが可能となり、オーバライトジッタを低減すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学情報の記録装
置に関し、特に、相変化光ディスクを利用した光学情報
の記録装置に関する。
置に関し、特に、相変化光ディスクを利用した光学情報
の記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光の照射によって情報の記録・消
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図５に示すように、
基板１１上に下部保護層１２、記録層１３、上部保護層
１４、反射層１５がこの順に設けられた４層構成が通常
用いられる。情報の記録・消去はレーザ光の照射による
昇温・冷却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の
非晶質・結晶間の相変化を利用して行われる。オーバラ
イトを行う場合、半導体レーザの出力は通常、記録パワ
Ｐｗ、消去パワＰｅ、再生パワＰｒの３状態間で変調さ
れる。記録パワが照射された部分は融点以上に達し溶融
後急冷され非晶質状態となる。また、消去パワが照射さ
れた部分は結晶化温度以上に達し結晶状態となる。
去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディ
スクや相変化光ディスクなどが知られている。このう
ち、例えば相変化光ディスクでは、図５に示すように、
基板１１上に下部保護層１２、記録層１３、上部保護層
１４、反射層１５がこの順に設けられた４層構成が通常
用いられる。情報の記録・消去はレーザ光の照射による
昇温・冷却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の
非晶質・結晶間の相変化を利用して行われる。オーバラ
イトを行う場合、半導体レーザの出力は通常、記録パワ
Ｐｗ、消去パワＰｅ、再生パワＰｒの３状態間で変調さ
れる。記録パワが照射された部分は融点以上に達し溶融
後急冷され非晶質状態となる。また、消去パワが照射さ
れた部分は結晶化温度以上に達し結晶状態となる。
【０００３】高密度化には、記録マークの両端に情報を
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶状態の吸収率と非晶質状態の吸
収率が異なる場合が多く、一般に、非晶質状態の吸収率
が結晶状態の吸収率より大きくなっている。このような
場合、形成されるマークの幅や長さは、新たに記録する
前の状態が結晶であったか、非晶質であったかによって
影響され、オーバライトによってジッタが大きく増加し
てしまう。従って、相変化光ディスクにマークエッジ記
録を適用するには、オーバライトによるジッタ増加を低
減しなければならない。
持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号
の再生に結晶・非晶質間の反射率差を利用している相変
化光ディスクでは、結晶状態の吸収率と非晶質状態の吸
収率が異なる場合が多く、一般に、非晶質状態の吸収率
が結晶状態の吸収率より大きくなっている。このような
場合、形成されるマークの幅や長さは、新たに記録する
前の状態が結晶であったか、非晶質であったかによって
影響され、オーバライトによってジッタが大きく増加し
てしまう。従って、相変化光ディスクにマークエッジ記
録を適用するには、オーバライトによるジッタ増加を低
減しなければならない。
【０００４】ジッタ低減の代表的な記録方法としては、
特開平３−１８５６２８号公報に記されているマルチパ
ルス記録が知られている。この方法は、マーク形状を整
形することによりジッタを低減するものである。しかし
ながら、相変化光ディスクにおけるオーバライトによる
ジッタ増加の原因は結晶部と非晶質部の感度差にあるた
め、マーク形状を整形してもオーバライトによるジッタ
増加を低減することは困難である。
特開平３−１８５６２８号公報に記されているマルチパ
ルス記録が知られている。この方法は、マーク形状を整
形することによりジッタを低減するものである。しかし
ながら、相変化光ディスクにおけるオーバライトによる
ジッタ増加の原因は結晶部と非晶質部の感度差にあるた
め、マーク形状を整形してもオーバライトによるジッタ
増加を低減することは困難である。
【０００５】相変化光ディスクのジッタ低減手法として
は、特開平６−４９０３号公報に記されているような、
結晶状態と非晶質状態の実効的な感度を等しくする発明
が知られている。この発明では、媒体構成を工夫し結晶
の吸収率を非晶質の吸収率より高くすることでジッタを
低減している。
は、特開平６−４９０３号公報に記されているような、
結晶状態と非晶質状態の実効的な感度を等しくする発明
が知られている。この発明では、媒体構成を工夫し結晶
の吸収率を非晶質の吸収率より高くすることでジッタを
低減している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】現在製品化されている
相変化光ディスクの媒体構成は、マークポジション記録
に対応したものであり、非晶質状態の吸収率の方が結晶
状態の吸収率より高くなっているため、マークエッジ記
録を適用することは困難である。
相変化光ディスクの媒体構成は、マークポジション記録
に対応したものであり、非晶質状態の吸収率の方が結晶
状態の吸収率より高くなっているため、マークエッジ記
録を適用することは困難である。
【０００７】相変化光ディスクを用いてマークエッジ記
録を可能にする従来の発明は、媒体構成を工夫してマー
クエッジ記録を可能にするものであり、現在製品化され
ている相変化光ディスクにマークエッジ記録を適用可能
にする発明ではない。
録を可能にする従来の発明は、媒体構成を工夫してマー
クエッジ記録を可能にするものであり、現在製品化され
ている相変化光ディスクにマークエッジ記録を適用可能
にする発明ではない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、媒体構
成を特に限定せず、従来の媒体構成でもマークエッジ記
録を可能にすることができる情報の記録装置を提供する
ことにある。
成を特に限定せず、従来の媒体構成でもマークエッジ記
録を可能にすることができる情報の記録装置を提供する
ことにある。
【０００９】そのため、本発明の光学情報の記録装置
は、相変化光ディスクを用いて情報の記録・再生を行う
光学情報の記録装置において、同一トラック上に、情報
の記録を行う主レーザ光と、記録膜の状態を検出する少
なくとも１つの副レーザ光を配置し、前記副レーザ光か
らの再生信号により前記記録膜が非晶質状態にあるか結
晶状態にあるかを検出し、前記検出された記録膜の状態
に応じて前記主レーザ光の強度を変化させる制御手段と
を有する光学情報の記録装置であって、前記制御手段
が、前記副レーザ光からの再生信号をパルス化してゲー
ト信号を生成するゲート信号生成回路と、前記生成され
たゲート信号により前記主レーザ光の記録時の駆動電流
のみを制御するレーザ駆動回路とを有することを特徴と
している。
は、相変化光ディスクを用いて情報の記録・再生を行う
光学情報の記録装置において、同一トラック上に、情報
の記録を行う主レーザ光と、記録膜の状態を検出する少
なくとも１つの副レーザ光を配置し、前記副レーザ光か
らの再生信号により前記記録膜が非晶質状態にあるか結
晶状態にあるかを検出し、前記検出された記録膜の状態
に応じて前記主レーザ光の強度を変化させる制御手段と
を有する光学情報の記録装置であって、前記制御手段
が、前記副レーザ光からの再生信号をパルス化してゲー
ト信号を生成するゲート信号生成回路と、前記生成され
たゲート信号により前記主レーザ光の記録時の駆動電流
のみを制御するレーザ駆動回路とを有することを特徴と
している。
【００１０】本発明によれば、オーバライト前に結晶状
態にあった記録膜に照射されるレーザパワを、オーバラ
イト前に非晶質状態にあった記録膜に照射されるレーザ
パワより高くすることができるので、現在製品化されて
いる相変化光ディスクのように、結晶状態の吸収率が非
晶質状態の吸収率より高い場合にも、両状態の実効的な
温度上昇を等しくすることができ、オーバライトによる
ジッタ増加を低減することができる。
態にあった記録膜に照射されるレーザパワを、オーバラ
イト前に非晶質状態にあった記録膜に照射されるレーザ
パワより高くすることができるので、現在製品化されて
いる相変化光ディスクのように、結晶状態の吸収率が非
晶質状態の吸収率より高い場合にも、両状態の実効的な
温度上昇を等しくすることができ、オーバライトによる
ジッタ増加を低減することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１２】図１は本発明に用いる光学情報の記録方法
の一実施形態を説明するための図、図２は本発明の光学
情報の記録装置の一実施形態のレーザ光駆動電流を制御
する回路の構成図、図３は図２の光学情報の記録装置の
レーザ光の配置を示す図、図４は図２の光学情報の記録
装置の再生信号をパルス化する方法の一例を示す図であ
る。
の一実施形態を説明するための図、図２は本発明の光学
情報の記録装置の一実施形態のレーザ光駆動電流を制御
する回路の構成図、図３は図２の光学情報の記録装置の
レーザ光の配置を示す図、図４は図２の光学情報の記録
装置の再生信号をパルス化する方法の一例を示す図であ
る。
【００１３】図２において、本実施例の光学情報の記録
装置は、副レーザ光からの再生信号をパルス化してゲー
ト信号を生成するゲート信号生成回路１と、ゲート信号
生成回路１で生成されたゲート信号をディレイするディ
レイ回路２と、ディレイ回路２からのゲート信号により
主レーザ光の駆動電流を制御するレーザ駆動回路３と、
レーザ駆動回路３の駆動電流により駆動されるレーザダ
イオード４とから構成され、記録データがレーザ駆動回
路３に入力される。
装置は、副レーザ光からの再生信号をパルス化してゲー
ト信号を生成するゲート信号生成回路１と、ゲート信号
生成回路１で生成されたゲート信号をディレイするディ
レイ回路２と、ディレイ回路２からのゲート信号により
主レーザ光の駆動電流を制御するレーザ駆動回路３と、
レーザ駆動回路３の駆動電流により駆動されるレーザダ
イオード４とから構成され、記録データがレーザ駆動回
路３に入力される。
【００１４】次に、本実施形態の動作について図１〜図
４を参照して説明する。
４を参照して説明する。
【００１５】図３に示すように、主レーザ光と副レーザ
光を同一トラック上に配置し、かつ、副レーザ光を主レ
ーザ光より前方に配置する。主レーザ光は情報の記録・
消去に用いられ、副レーザ光は記録膜の状態検出に用い
られる。従来の技術では、再生パワ、消去パワ、記録パ
ワの３状態間でレーザパワを変調する場合、レーザ光の
駆動電流は再生電流Ｉｒ，消去電流Ｉｅ，記録電流ａＩ
ｗ1 の３種類であり、オーバライト時には、オーバライ
トする前の記録膜が結晶であったか非晶質であったかに
よらず同じ記録パワが照射されるので、ジッタが増加し
てしまう。主レーザ光の駆動電流として本実施例では、
図２に示すように、再生電流Ｉｒ、消去電流Ｉｅ、記録
電流ａＩｗ1 、記録電流ｂＩｗ2 の４種類の電流値を設
定し、副レーザ光によりオーバライトを行う前の記録膜
が結晶状態であると判定された場合にゲート信号生成回
路１（図２）によりゲート信号を生成する。ゲート信号
を生成する方法としては、図４の４０１の記録マークに
示すように、マークエッジ記録された情報を再生し、４
０２に示すような再生出力を得、それを４０３に示すよ
うに所定のレベルでスライスしてゲート信号を得る方法
などがある。各駆動電流は、図２に示すように、Ｉｒは
常時、Ｉｅは記録データ０に同期して、Ｉｗ1 は記録デ
ータ１に同期して発生させられる。Ｉｗ2 は副レーザ光
の状態検出信号から生成されたゲート信号と記録データ
１の積に同期して発生させられる。その結果、図２に示
すレーザダイオード４のレーザ光の出力は、図１に示す
ように、再生パワＰｒ、消去パワＰｅ、中間記録パワＰ
ｗ1 、ピーク記録パワＰｗ2 の４状態間で変調されるこ
とになる。なお、図２に示したディレイ回路２は、副レ
ーザ光と主レーザ光の距離を時間軸上で補正するために
用いられる。
光を同一トラック上に配置し、かつ、副レーザ光を主レ
ーザ光より前方に配置する。主レーザ光は情報の記録・
消去に用いられ、副レーザ光は記録膜の状態検出に用い
られる。従来の技術では、再生パワ、消去パワ、記録パ
ワの３状態間でレーザパワを変調する場合、レーザ光の
駆動電流は再生電流Ｉｒ，消去電流Ｉｅ，記録電流ａＩ
ｗ1 の３種類であり、オーバライト時には、オーバライ
トする前の記録膜が結晶であったか非晶質であったかに
よらず同じ記録パワが照射されるので、ジッタが増加し
てしまう。主レーザ光の駆動電流として本実施例では、
図２に示すように、再生電流Ｉｒ、消去電流Ｉｅ、記録
電流ａＩｗ1 、記録電流ｂＩｗ2 の４種類の電流値を設
定し、副レーザ光によりオーバライトを行う前の記録膜
が結晶状態であると判定された場合にゲート信号生成回
路１（図２）によりゲート信号を生成する。ゲート信号
を生成する方法としては、図４の４０１の記録マークに
示すように、マークエッジ記録された情報を再生し、４
０２に示すような再生出力を得、それを４０３に示すよ
うに所定のレベルでスライスしてゲート信号を得る方法
などがある。各駆動電流は、図２に示すように、Ｉｒは
常時、Ｉｅは記録データ０に同期して、Ｉｗ1 は記録デ
ータ１に同期して発生させられる。Ｉｗ2 は副レーザ光
の状態検出信号から生成されたゲート信号と記録データ
１の積に同期して発生させられる。その結果、図２に示
すレーザダイオード４のレーザ光の出力は、図１に示す
ように、再生パワＰｒ、消去パワＰｅ、中間記録パワＰ
ｗ1 、ピーク記録パワＰｗ2 の４状態間で変調されるこ
とになる。なお、図２に示したディレイ回路２は、副レ
ーザ光と主レーザ光の距離を時間軸上で補正するために
用いられる。
【００１６】ゲート信号生成回路１からのゲート信号
は、副レーザ光により記録膜が結晶状態であると判定さ
れたときにのみ生成される。その結果、オーバライト前
の状態が結晶状態であった部分に新たに記録を行う際に
照射されるレーザダイオード４からのレーザパワはＰｗ
2 となり、オーバライト前の状態が非晶質状態であった
部分に新たに記録を行う際に照射されるレーザパワＰｗ
1 より高くなる。したがって、非晶質状態の方が結晶状
態より光学的な吸収率が高くても、実効的な温度上昇を
等しくすることが可能となり、オーバライトジッタを低
減することができる。
は、副レーザ光により記録膜が結晶状態であると判定さ
れたときにのみ生成される。その結果、オーバライト前
の状態が結晶状態であった部分に新たに記録を行う際に
照射されるレーザダイオード４からのレーザパワはＰｗ
2 となり、オーバライト前の状態が非晶質状態であった
部分に新たに記録を行う際に照射されるレーザパワＰｗ
1 より高くなる。したがって、非晶質状態の方が結晶状
態より光学的な吸収率が高くても、実効的な温度上昇を
等しくすることが可能となり、オーバライトジッタを低
減することができる。
【００１７】次に、本発明を具体的な相変化媒体に適用
した実施形態について説明する。
した実施形態について説明する。
【００１８】図５は相変化光ディスクの媒体構成の一例
を示す図である。
を示す図である。
【００１９】この相変化媒体は、基板１１上に下部保護
層１２、記録層１３、上部保護層１４、反射層１５を順
次積層した構成である。
層１２、記録層１３、上部保護層１４、反射層１５を順
次積層した構成である。
【００２０】まず、第一の実施形態について説明する。
【００２１】基板１１としてポリカーボネート（ＰＣ）
を用い、下部保護層１２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１０
０ｎｍ、記録層１３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２０ｎ
ｍ、上部保護層１４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０ｎ
ｍ、反射層１５としてＡｌを６０ｎｍを順次スパッタリ
ングにより積層した。この構成における吸収率は波長７
８０ｎｍの光に対して非晶質状態で８０％、結晶状態で
６５％であった。
を用い、下部保護層１２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を１０
０ｎｍ、記録層１３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を２０ｎ
ｍ、上部保護層１４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 を２０ｎ
ｍ、反射層１５としてＡｌを６０ｎｍを順次スパッタリ
ングにより積層した。この構成における吸収率は波長７
８０ｎｍの光に対して非晶質状態で８０％、結晶状態で
６５％であった。
【００２２】上記ディスクを線速１１．３ｍ／ｓで回転
させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザを用いて記録・消
去を行った。２．１２ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝５０％の信号
に３．３９ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝５０％の信号をオーバラ
イトして、Ｃ／Ｎ、消去率、ジッタを測定した。
させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザを用いて記録・消
去を行った。２．１２ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝５０％の信号
に３．３９ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝５０％の信号をオーバラ
イトして、Ｃ／Ｎ、消去率、ジッタを測定した。
【００２３】本実施形態ではレーザパワを、再生パワ１
ｍＷ、消去パワ６ｍＷ、中間記録パワ１２ｍＷ、ピーク
記録パワ１４ｍＷに設定した。また、従来例と同様にピ
ーク記録パワを設定せずに、再生パワ１ｍＷ、消去パワ
６ｍＷ、記録パワ１２ｍＷにレーザパワを設定してオー
バライトを行い、本実施例と比較した。
ｍＷ、消去パワ６ｍＷ、中間記録パワ１２ｍＷ、ピーク
記録パワ１４ｍＷに設定した。また、従来例と同様にピ
ーク記録パワを設定せずに、再生パワ１ｍＷ、消去パワ
６ｍＷ、記録パワ１２ｍＷにレーザパワを設定してオー
バライトを行い、本実施例と比較した。
【００２４】測定結果を表１に示す。Ｃ／Ｎ、消去率は
従来例と本実施例でほぼ同等であるものの、ジッタは本
実施例により大幅に改善されることが確認された。
従来例と本実施例でほぼ同等であるものの、ジッタは本
実施例により大幅に改善されることが確認された。
【００２５】
【表１】
【００２６】次に、第二の実施形態について説明する。
【００２７】基板１１としてＰＣを用い、下部保護層１
２としてＳｉＮを１００ｎｍ、記録層１３としてＧｅ1
Ｓｂ2 Ｔｅ4 を２０ｎｍ、上部保護層１４としてＳｉＮ
を２０ｎｍ、反射層１５としてＡｕを６０ｎｍを順次ス
パッタリングにより積層した。
２としてＳｉＮを１００ｎｍ、記録層１３としてＧｅ1
Ｓｂ2 Ｔｅ4 を２０ｎｍ、上部保護層１４としてＳｉＮ
を２０ｎｍ、反射層１５としてＡｕを６０ｎｍを順次ス
パッタリングにより積層した。
【００２８】この構成における吸収率は、波長７８０ｎ
ｍの光に対して、非晶質状態で８５％、結晶状態で６０
％であった。
ｍの光に対して、非晶質状態で８５％、結晶状態で６０
％であった。
【００２９】上記ディスクを線速１１．３ｍ／ｓで回転
させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザを用いて記録・消
去を行った。第一実施例と同様に２．１２ＭＨｚ，ｄｕ
ｔｙ＝５０％の信号に３．３９ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝５０
％の信号をオーバライトしてジッタを測定した。レーザ
パワは、再生パワ１ｍｗ、消去パワ５ｍｗ、中間記録パ
ワ１１ｍｗ、ピーク記録パワ１６ｍｗに設定した結果、
Ｃ／Ｎ６２ｄＢ、消去率３８ｄＢ、ジッタ１．８ｎｓと
良好な値が得られた。
させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザを用いて記録・消
去を行った。第一実施例と同様に２．１２ＭＨｚ，ｄｕ
ｔｙ＝５０％の信号に３．３９ＭＨｚ，ｄｕｔｙ＝５０
％の信号をオーバライトしてジッタを測定した。レーザ
パワは、再生パワ１ｍｗ、消去パワ５ｍｗ、中間記録パ
ワ１１ｍｗ、ピーク記録パワ１６ｍｗに設定した結果、
Ｃ／Ｎ６２ｄＢ、消去率３８ｄＢ、ジッタ１．８ｎｓと
良好な値が得られた。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学情報
の記録装置は、記録・再生・消去を行う主レーザ光と記
録膜の状態を検出する副レーザ光を有することにより、
媒体構成を特に工夫しなくてもマークエッジ記録を実現
することが可能となり、現在製品化されている媒体をそ
のまま用いて高密度化を実現できるという効果を奏す
る。
の記録装置は、記録・再生・消去を行う主レーザ光と記
録膜の状態を検出する副レーザ光を有することにより、
媒体構成を特に工夫しなくてもマークエッジ記録を実現
することが可能となり、現在製品化されている媒体をそ
のまま用いて高密度化を実現できるという効果を奏す
る。
【図１】本発明に用いる光学情報の記録方法の一実施形
態を説明するための図である。
態を説明するための図である。
【図２】本発明の光学情報の記録装置の一実施形態のレ
ーザ光駆動電流を制御する回路の構成図である。
ーザ光駆動電流を制御する回路の構成図である。
【図３】図２の光学情報の記録装置のレーザ光の配置を
示す図である。
示す図である。
【図４】図２の光学情報の記録装置の再生信号をパルス
化する方法の一例を示す図である。
化する方法の一例を示す図である。
【図５】相変化光ディスクの媒体構成の一例を示す図で
ある。
ある。
１ ゲート信号生成回路 ２ ディレイ回路 ３ レーザ駆動回路 ４ レーザダイオード １１ 基板 １２ 下部保護層 １３ 記録層 １４ 上部保護層 １５ 反射層 Ｉｒ 再生電流 Ｉｅ 消去電流 Ｉｗ1 記録電流ａ Ｉｗ2 記録電流ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】相変化光ディスクを用いて情報の記録・再
生を行う光学情報の記録装置において、同一トラック上
に、情報の記録を行う主レーザ光と、記録膜の状態を検
出する少なくとも１つの副レーザ光を配置し、前記副レ
ーザ光からの再生信号により前記記録膜が非晶質状態に
あるか結晶状態にあるかを検出し、前記検出された記録
膜の状態に応じて前記主レーザ光の強度を変化させる制
御手段とを有する光学情報の記録装置であって、前記制
御手段が、前記副レーザ光からの再生信号をパルス化し
てゲート信号を生成するゲート信号生成回路と、前記生
成されたゲート信号により前記主レーザ光の記録時の駆
動電流のみを制御するレーザ駆動回路とを有することを
特徴とする光学情報の記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9301784A JPH10172146A (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 光学情報の記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9301784A JPH10172146A (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 光学情報の記録装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6292855A Division JP2773662B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 光学情報の記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172146A true JPH10172146A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=17901138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9301784A Pending JPH10172146A (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 光学情報の記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172146A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354849B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-10-05 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록매체에의 최적 기록파워 제어방법 및 제어장치 |
| US6774543B2 (en) | 2001-08-03 | 2004-08-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Heat dissipating plasma display device |
| KR100516564B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2005-09-22 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록 장치의 기록파워 제어 방법 |
-
1997
- 1997-11-04 JP JP9301784A patent/JPH10172146A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100354849B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-10-05 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록매체에의 최적 기록파워 제어방법 및 제어장치 |
| KR100516564B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2005-09-22 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록 장치의 기록파워 제어 방법 |
| US6774543B2 (en) | 2001-08-03 | 2004-08-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Heat dissipating plasma display device |
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