JPH10163461A - 半導体スイッチ - Google Patents
半導体スイッチInfo
- Publication number
- JPH10163461A JPH10163461A JP8319488A JP31948896A JPH10163461A JP H10163461 A JPH10163461 A JP H10163461A JP 8319488 A JP8319488 A JP 8319488A JP 31948896 A JP31948896 A JP 31948896A JP H10163461 A JPH10163461 A JP H10163461A
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- Japan
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- conductor
- ground plane
- strip
- semiconductor switch
- impedance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号伝送線路とグランド間に容量を持たせる
ことにより、マイクロ波等の高周波をスイッチングする
場合においても十分なオフアイソレーションを得る。 【解決手段】 半絶縁性半導体基板１の同一面上に、狭
小ギャップ５により隔てられたストリップ導体２ａ，２
ｂと接地平面導体３ａ，３ｂが形成されており、さらに
その上に全面ににわたって誘電体層４が設けられ、スト
リップ導体と接地平面導体との間に容量を持たせた構成
となっている。
ことにより、マイクロ波等の高周波をスイッチングする
場合においても十分なオフアイソレーションを得る。 【解決手段】 半絶縁性半導体基板１の同一面上に、狭
小ギャップ５により隔てられたストリップ導体２ａ，２
ｂと接地平面導体３ａ，３ｂが形成されており、さらに
その上に全面ににわたって誘電体層４が設けられ、スト
リップ導体と接地平面導体との間に容量を持たせた構成
となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波等の高
周波信号を高速スイッチングする半導体スイッチに関す
る。
周波信号を高速スイッチングする半導体スイッチに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体スイッチの概略構
成図である。この半導体スイッチは、半絶縁性半導体基
板１０１上に低容量電極パターン、すなわち狭小ギャッ
プ１０５に隔てられたストリップ導体１０２ａ，１０２
ｂと左右接地平面導体１０３ａ，１０３ｂとからなるコ
プレーナラインが形成された構成となっている。ストリ
ップ導体１０２ａ，１０２ｂは信号伝送線路で、ストリ
ップ導体の一端（ここでは１０２ａ側）から信号が入力
され、他端（ここでは１０２ｂ側）から出力されるよう
になっている。なお、半絶縁性半導体基板とは、光照射
によりキャリアが発生し、誘電率が変化する半導体をい
い、種々の半導体が含まれる。
成図である。この半導体スイッチは、半絶縁性半導体基
板１０１上に低容量電極パターン、すなわち狭小ギャッ
プ１０５に隔てられたストリップ導体１０２ａ，１０２
ｂと左右接地平面導体１０３ａ，１０３ｂとからなるコ
プレーナラインが形成された構成となっている。ストリ
ップ導体１０２ａ，１０２ｂは信号伝送線路で、ストリ
ップ導体の一端（ここでは１０２ａ側）から信号が入力
され、他端（ここでは１０２ｂ側）から出力されるよう
になっている。なお、半絶縁性半導体基板とは、光照射
によりキャリアが発生し、誘電率が変化する半導体をい
い、種々の半導体が含まれる。
【０００３】この半導体スイッチの等価回路を図５に示
す。半導体スイッチ（狭小ギャップ部）に光が照射され
ていないときは、可変抵抗Ｒの抵抗値が高いため、入力
信号はこのスイッチを通過できない。一方、光が照射さ
れているときは、可変抵抗Ｒの抵抗値が小さくなって、
入力信号はこのスイッチを通過する。このように、従来
の半導体スイッチは、狭小ギャップ部に光が照射される
とストリップ導体１０２ａ，１０２ｂ間の抵抗値が下が
ることを利用して、入力信号に対するスイッチング動作
が行われていた。
す。半導体スイッチ（狭小ギャップ部）に光が照射され
ていないときは、可変抵抗Ｒの抵抗値が高いため、入力
信号はこのスイッチを通過できない。一方、光が照射さ
れているときは、可変抵抗Ｒの抵抗値が小さくなって、
入力信号はこのスイッチを通過する。このように、従来
の半導体スイッチは、狭小ギャップ部に光が照射される
とストリップ導体１０２ａ，１０２ｂ間の抵抗値が下が
ることを利用して、入力信号に対するスイッチング動作
が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半絶縁
性半導体基板上に低容量電極パターンを形成してなる従
来の半導体スイッチにおいては、半導体スイッチに光が
照射されていないときの可変抵抗Ｒの抵抗値は数百ｋΩ
と小さいため、マイクロ波等の高周波信号をスイッチン
グする場合には、光が照射されていないときでも入力信
号がスイッチを通過していく（漏れる）。例えば、図６
に示すように、光が照射されていない区間において、入
力信号の漏れが生じてしまう。このように、従来の半導
体スイッチは、高周波信号をスイッチングする場合に
は、十分なオフアイソレーションが得られないという問
題がある。
性半導体基板上に低容量電極パターンを形成してなる従
来の半導体スイッチにおいては、半導体スイッチに光が
照射されていないときの可変抵抗Ｒの抵抗値は数百ｋΩ
と小さいため、マイクロ波等の高周波信号をスイッチン
グする場合には、光が照射されていないときでも入力信
号がスイッチを通過していく（漏れる）。例えば、図６
に示すように、光が照射されていない区間において、入
力信号の漏れが生じてしまう。このように、従来の半導
体スイッチは、高周波信号をスイッチングする場合に
は、十分なオフアイソレーションが得られないという問
題がある。
【０００５】本発明の目的は、上記問題を解決し、マイ
クロ波等の高周波信号をスイッチングする場合において
も十分なオフアイソレーションを得られる半導体スイッ
チを提供することにある。
クロ波等の高周波信号をスイッチングする場合において
も十分なオフアイソレーションを得られる半導体スイッ
チを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、半絶縁性半導体基板の同一面上に、
狭小ギャップを有するストリップ導体と接地平面導体と
が形成され、前記狭小ギャップへの光照射のオン・オフ
制御によりスイッチング動作が行われる半導体スイッチ
において、前記ストリップ導体と前記接地平面導体との
間に所定容量を持たせたことを特徴とする。
め、第１の発明は、半絶縁性半導体基板の同一面上に、
狭小ギャップを有するストリップ導体と接地平面導体と
が形成され、前記狭小ギャップへの光照射のオン・オフ
制御によりスイッチング動作が行われる半導体スイッチ
において、前記ストリップ導体と前記接地平面導体との
間に所定容量を持たせたことを特徴とする。
【０００７】上記の場合、前記ストリップ導体から前記
接地平面導体にわたって誘電体層が形成されたものとし
てもよい。
接地平面導体にわたって誘電体層が形成されたものとし
てもよい。
【０００８】また、前記ストリップ導体と前記接地平面
導体との間の容量Ｃが、前記狭小ギャップにより隔てら
れたストリップ導体間における浮遊容量および抵抗とに
よって決まるストリップ導体のインピーダンスＺに対し
て、以下の条件を満たすように設定されるようにしても
よい。
導体との間の容量Ｃが、前記狭小ギャップにより隔てら
れたストリップ導体間における浮遊容量および抵抗とに
よって決まるストリップ導体のインピーダンスＺに対し
て、以下の条件を満たすように設定されるようにしても
よい。
【０００９】Ｚon＜＜１／（ωＣ）＜＜Ｚoff Ｚon ：光照射時におけるインピーダンス Ｚoff ：未照射時におけるインピーダンス
【００１０】第２の発明は、半絶縁性半導体基板の同一
面上に、狭小ギャップを有するストリップ導体と接地平
面導体とが形成され、前記狭小ギャップへの光照射のオ
ン・オフ制御によりスイッチング動作が行われる半導体
スイッチにおいて、前記ストリップ導体と前記接地平面
導体との間に所定抵抗を持たせたことを特徴とする。
面上に、狭小ギャップを有するストリップ導体と接地平
面導体とが形成され、前記狭小ギャップへの光照射のオ
ン・オフ制御によりスイッチング動作が行われる半導体
スイッチにおいて、前記ストリップ導体と前記接地平面
導体との間に所定抵抗を持たせたことを特徴とする。
【００１１】上記の場合、前記ストリップ導体から前記
接地平面導体にわたって抵抗層が形成されたものとして
もよい。
接地平面導体にわたって抵抗層が形成されたものとして
もよい。
【００１２】また、前記ストリップ導体と前記接地平面
導体との間の抵抗Ｒが、前記狭小ギャップにより隔てら
れたストリップ導体間における浮遊容量および抵抗とに
よって決まるストリップ導体のインピーダンスＺに対し
て、以下の条件を満たすように設定されてるようにして
もよい。
導体との間の抵抗Ｒが、前記狭小ギャップにより隔てら
れたストリップ導体間における浮遊容量および抵抗とに
よって決まるストリップ導体のインピーダンスＺに対し
て、以下の条件を満たすように設定されてるようにして
もよい。
【００１３】Ｚon＜＜Ｒ＜＜Ｚoff Ｚon ：光照射時におけるインピーダンス Ｚoff ：未照射時におけるインピーダンス
【００１４】上記のとおりの本発明によれば、信号伝送
線路とグランドの間に形成された容量Ｃによって以下の
ような作用を有する。
線路とグランドの間に形成された容量Ｃによって以下の
ような作用を有する。
【００１５】詳しくは後述するが、上述した半絶縁性半
導体基板の同一面上に狭小ギャップを有するストリップ
導体と接地平面導体とが形成される半導体スイッチにお
けるオフアイソレーションの低下の問題は、ストリップ
導体（信号伝送線路）と接地平面導体（グランド）との
間に容量を持たせることにより解決できる。
導体基板の同一面上に狭小ギャップを有するストリップ
導体と接地平面導体とが形成される半導体スイッチにお
けるオフアイソレーションの低下の問題は、ストリップ
導体（信号伝送線路）と接地平面導体（グランド）との
間に容量を持たせることにより解決できる。
【００１６】本発明では、ストリップ導体と接地平面導
体との間の容量Ｃは光照射時においてインピーダンスＺ
onに比べて非常に小さくなるので、入力信号は信号伝送
線路を通過することになる。一方、未照射時において
は、容量ＣはインピーダンスＺoffに比べて非常に大き
くなるので、入力信号は信号伝送線路を通過せず、その
容量Ｃを通してグランド側に伝搬されることになる。
体との間の容量Ｃは光照射時においてインピーダンスＺ
onに比べて非常に小さくなるので、入力信号は信号伝送
線路を通過することになる。一方、未照射時において
は、容量ＣはインピーダンスＺoffに比べて非常に大き
くなるので、入力信号は信号伝送線路を通過せず、その
容量Ｃを通してグランド側に伝搬されることになる。
【００１７】また、ストリップ導体（信号伝送線路）と
接地平面導体（グランド）との間に抵抗を持たせること
によっても、上述の容量を持たせた場合と同様にしてオ
フアイソレーションの低下の問題を解決することができ
る。
接地平面導体（グランド）との間に抵抗を持たせること
によっても、上述の容量を持たせた場合と同様にしてオ
フアイソレーションの低下の問題を解決することができ
る。
【００１８】本発明では、ストリップ導体と接地平面導
体との間の抵抗Ｒは光照射時においてインピーダンスＺ
onに比べて非常に大きくなるので、入力信号は信号伝送
線路を通過することになる。一方、未照射時において
は、抵抗ＲはインピーダンスＺoffに比べて非常に小さ
くなるので、入力信号は信号伝送線路を通過せず、その
抵抗Ｒを通してグランド側に伝搬されることになる。
体との間の抵抗Ｒは光照射時においてインピーダンスＺ
onに比べて非常に大きくなるので、入力信号は信号伝送
線路を通過することになる。一方、未照射時において
は、抵抗ＲはインピーダンスＺoffに比べて非常に小さ
くなるので、入力信号は信号伝送線路を通過せず、その
抵抗Ｒを通してグランド側に伝搬されることになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２０】半絶縁性半導体基板上に低容量電極パター
ンを形成してなる半導体スイッチの信号伝送線路とグラ
ンドとの間にインピーダンスＺを構成することにより、
マイクロ波等の高周波においても十分なオフアイソレー
ションを得られ、前述の図６に示したような入力信号の
漏れをなくすことができる。
ンを形成してなる半導体スイッチの信号伝送線路とグラ
ンドとの間にインピーダンスＺを構成することにより、
マイクロ波等の高周波においても十分なオフアイソレー
ションを得られ、前述の図６に示したような入力信号の
漏れをなくすことができる。
【００２１】例えば、前述の図５に示した回路を図２
（ａ）に示すような回路構成、すなわち入力ラインをキ
ャパシタンスＣ１を介して接地した構成とすれば、半導
体スイッチに光が照射されていないときの入力信号はグ
ランドに落ちることとなり、スイッチを通過することは
なくなる。これにより、マイクロ波等の高周波において
も、十分なオフアイソレーションを得られ、光が照射さ
れていないときの入力信号の漏れをなくすことができ
る。
（ａ）に示すような回路構成、すなわち入力ラインをキ
ャパシタンスＣ１を介して接地した構成とすれば、半導
体スイッチに光が照射されていないときの入力信号はグ
ランドに落ちることとなり、スイッチを通過することは
なくなる。これにより、マイクロ波等の高周波において
も、十分なオフアイソレーションを得られ、光が照射さ
れていないときの入力信号の漏れをなくすことができ
る。
【００２２】光が照射されていないときの入力信号がキ
ャパシタンスＣ１を介してグランドに落ちるキャパシタ
ンスＣ１の望ましい条件としては、 （１）照射時 Ｚon＜＜１／（ωＣ１） （２）未照射時 Ｚoff＞＞１／（ωＣ１） である。すなわち、キャパシタンスＣ１の値が、 Ｚon＜＜１／（ωＣ１）＜＜Ｚoff （１） を満たすことが条件となる。ここで、Ｚon、Ｚoffは、
ストリップ導体（信号伝送線路）と左右接地平面導体
（グランド）間における浮遊容量および抵抗によって決
まる信号伝送線路の入力インピーダンスである。
ャパシタンスＣ１を介してグランドに落ちるキャパシタ
ンスＣ１の望ましい条件としては、 （１）照射時 Ｚon＜＜１／（ωＣ１） （２）未照射時 Ｚoff＞＞１／（ωＣ１） である。すなわち、キャパシタンスＣ１の値が、 Ｚon＜＜１／（ωＣ１）＜＜Ｚoff （１） を満たすことが条件となる。ここで、Ｚon、Ｚoffは、
ストリップ導体（信号伝送線路）と左右接地平面導体
（グランド）間における浮遊容量および抵抗によって決
まる信号伝送線路の入力インピーダンスである。
【００２３】また、図２（ｂ）に示すような回路構成、
すなわち入力ラインを抵抗Ｒ１を介して接地した構成と
しても、上記の場合と同様に、半導体スイッチに光が照
射されていないときの入力信号の漏れをなくすことがで
きる。この場合、抵抗Ｒ１は、 Ｚon＜＜Ｒ１＜＜Ｚoff （２） を満たすことが条件となる。
すなわち入力ラインを抵抗Ｒ１を介して接地した構成と
しても、上記の場合と同様に、半導体スイッチに光が照
射されていないときの入力信号の漏れをなくすことがで
きる。この場合、抵抗Ｒ１は、 Ｚon＜＜Ｒ１＜＜Ｚoff （２） を満たすことが条件となる。
【００２４】次に、本発明の実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００２５】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の半導体スイッチ
の概略構成を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
の概略構成を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【００２６】半導体スイッチは、半絶縁性半導体基板１
上に低容量電極パターン、すなわち狭小ギャップ５によ
り隔てられたストリップ導体２ａ，２ｂと左右接地平面
導体３ａ，３ｂとからなるコプレーナラインが形成さ
れ、さらにその上から全面に誘電体層４が塗布された構
成となっている。図１（ａ）では、誘電体層４の一部が
切り欠かれた状態が示されている。ストリップ導体２
ａ，２ｂは信号伝送線路で、ストリップ導体の一端（こ
こでは２ａ側）から信号が入力され、他端（ここでは２
ｂ側）から出力されるようになっている。
上に低容量電極パターン、すなわち狭小ギャップ５によ
り隔てられたストリップ導体２ａ，２ｂと左右接地平面
導体３ａ，３ｂとからなるコプレーナラインが形成さ
れ、さらにその上から全面に誘電体層４が塗布された構
成となっている。図１（ａ）では、誘電体層４の一部が
切り欠かれた状態が示されている。ストリップ導体２
ａ，２ｂは信号伝送線路で、ストリップ導体の一端（こ
こでは２ａ側）から信号が入力され、他端（ここでは２
ｂ側）から出力されるようになっている。
【００２７】図１（ｂ）に示すように、左右接地平面導
体３ａ，３ｂとストリップ導体２ａ，２ｂとの間には誘
電体層４が存在し、これにより、グランドである左右接
地平面導体３ａ，３ｂと伝送線路であるストリップ導体
２ａ，２ｂとの間に、誘電体層４による容量Ｃが形成さ
れている。
体３ａ，３ｂとストリップ導体２ａ，２ｂとの間には誘
電体層４が存在し、これにより、グランドである左右接
地平面導体３ａ，３ｂと伝送線路であるストリップ導体
２ａ，２ｂとの間に、誘電体層４による容量Ｃが形成さ
れている。
【００２８】この容量Ｃは、誘電体層４に使用される材
料の誘電率およびその厚さ、さらには左右接地平面導体
３ａ，３ｂとストリップ導体２ａ，２ｂとの間隔の大き
さによって決まるもので、上述した式（１）の条件を満
たすように設定される。
料の誘電率およびその厚さ、さらには左右接地平面導体
３ａ，３ｂとストリップ導体２ａ，２ｂとの間隔の大き
さによって決まるもので、上述した式（１）の条件を満
たすように設定される。
【００２９】上述のように構成された半導体スイッチで
は、半導体スイッチに光が照射されていないときの入力
信号は左右接地平面導体３ａ，３ｂを通じてグランドに
落ちることとなる。この半導体スイッチでの、マイクロ
波等の高周波についてｏｎ・ｏｆｆ時の出力を図３に示
す。図３から分かるように、ｏｆｆ状態（光が照射され
ていない状態）において、入力信号の漏れはなく、入力
信号は完全に遮断されることとなる。
は、半導体スイッチに光が照射されていないときの入力
信号は左右接地平面導体３ａ，３ｂを通じてグランドに
落ちることとなる。この半導体スイッチでの、マイクロ
波等の高周波についてｏｎ・ｏｆｆ時の出力を図３に示
す。図３から分かるように、ｏｆｆ状態（光が照射され
ていない状態）において、入力信号の漏れはなく、入力
信号は完全に遮断されることとなる。
【００３０】上述した実施例では、誘電体層４は全面に
塗布されているが、部分的に塗布するようにしてもよ
い。例えば、左右接地平面導体３ａ，３ｂとストリップ
導体２ａとの間にのみ誘電体層が形成されるように、誘
電体層４を塗布してもよい。この場合は、上述の図２
（ａ）に示したような等価回路を構成することができ
る。
塗布されているが、部分的に塗布するようにしてもよ
い。例えば、左右接地平面導体３ａ，３ｂとストリップ
導体２ａとの間にのみ誘電体層が形成されるように、誘
電体層４を塗布してもよい。この場合は、上述の図２
（ａ）に示したような等価回路を構成することができ
る。
【００３１】また、誘電体層４に代えて抵抗層を形成す
るようにしてもよい。すなわち、グランドである左右接
地平面導体３ａ，３ｂと伝送線路であるストリップ導体
２ａ，２ｂとの間に、抵抗層による抵抗Ｒが形成される
ようにする。この抵抗Ｒを上述した式（２）の条件を満
たすように設定すれば、誘電体層４を形成した場合と同
様、ｏｆｆ状態（光が照射されていない状態）におい
て、入力信号の漏れがなくなり、入力信号は完全に遮断
される。
るようにしてもよい。すなわち、グランドである左右接
地平面導体３ａ，３ｂと伝送線路であるストリップ導体
２ａ，２ｂとの間に、抵抗層による抵抗Ｒが形成される
ようにする。この抵抗Ｒを上述した式（２）の条件を満
たすように設定すれば、誘電体層４を形成した場合と同
様、ｏｆｆ状態（光が照射されていない状態）におい
て、入力信号の漏れがなくなり、入力信号は完全に遮断
される。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように構成される本発明に
よれば、未照射時（スイッチがオフのとき）は、入力信
号（高周波信号）は信号伝送線路を通過せず、ストリッ
プ導体（信号伝送線路）と接地平面導体（グランド）と
の間において形成された容量または抵抗を通してグラン
ド側に伝搬されるので、十分なオフアイソレーションを
得ることができ、従来問題となっていた未照射時におけ
る入力信号の漏れをなくすことができる。
よれば、未照射時（スイッチがオフのとき）は、入力信
号（高周波信号）は信号伝送線路を通過せず、ストリッ
プ導体（信号伝送線路）と接地平面導体（グランド）と
の間において形成された容量または抵抗を通してグラン
ド側に伝搬されるので、十分なオフアイソレーションを
得ることができ、従来問題となっていた未照射時におけ
る入力信号の漏れをなくすことができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体スイッチの概略構成
を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’断面図である。
を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’断面図である。
【図２】（ａ）は信号伝送線路とグランド間に容量を持
たせた半導体スイッチの等価回路図、（ｂ）は信号伝送
線路とグランド間に抵抗を持たせた半導体スイッチの等
価回路図である。
たせた半導体スイッチの等価回路図、（ｂ）は信号伝送
線路とグランド間に抵抗を持たせた半導体スイッチの等
価回路図である。
【図３】図１に示す半導体スイッチのｏｎ・ｏｆｆ時の
出力を示す図である。
出力を示す図である。
【図４】従来の半導体スイッチの概略構成図である。
【図５】図４に示す半導体スイッチの等価回路図であ
る。
る。
【図６】図４に示す半導体スイッチのｏｎ・ｏｆｆ時の
出力を示す図である。
出力を示す図である。
１ 半絶縁性半導体基板 ２ａ，２ｂ ストリップ導体 ３ａ，３ｂ 接地平面導体 ４ 誘電体層 ５ 狭小ギャップ
Claims (6)
- 【請求項１】 半絶縁性半導体基板の同一面上に、狭小
ギャップを有するストリップ導体と接地平面導体とが形
成され、前記狭小ギャップへの光照射のオン・オフ制御
によりスイッチング動作が行われる半導体スイッチにお
いて、 前記ストリップ導体と前記接地平面導体との間に所定容
量を持たせたことを特徴とする半導体スイッチ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体スイッチにおい
て、 前記ストリップ導体から前記接地平面導体にわたって誘
電体層が形成されたことを特徴とする半導体スイッチ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体スイッチにおい
て、 前記ストリップ導体と前記接地平面導体との間の容量Ｃ
が、前記狭小ギャップにより隔てられたストリップ導体
間における浮遊容量および抵抗とによって決まるストリ
ップ導体のインピーダンスＺに対して、以下の条件を満
たすように設定されたことを特徴とする半導体スイッ
チ。 Ｚon＜＜１／（ωＣ）＜＜Ｚoff Ｚon ：光照射時におけるインピーダンス Ｚoff ：未照射時におけるインピーダンス - 【請求項４】 半絶縁性半導体基板の同一面上に、狭小
ギャップを有するストリップ導体と接地平面導体とが形
成され、前記狭小ギャップへの光照射のオン・オフ制御
によりスイッチング動作が行われる半導体スイッチにお
いて、 前記ストリップ導体と前記接地平面導体との間に所定抵
抗を持たせたことを特徴とする半導体スイッチ。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体スイッチにおい
て、 前記ストリップ導体から前記接地平面導体にわたって抵
抗層が形成されたことを特徴とする半導体スイッチ。 - 【請求項６】 請求項４に記載の半導体スイッチにおい
て、 前記ストリップ導体と前記接地平面導体との間の抵抗Ｒ
が、前記狭小ギャップにより隔てられたストリップ導体
間における浮遊容量および抵抗とによって決まるストリ
ップ導体のインピーダンスＺに対して、以下の条件を満
たすように設定されたことを特徴とする半導体スイッ
チ。 Ｚon＜＜Ｒ＜＜Ｚoff Ｚon ：光照射時におけるインピーダンス Ｚoff ：未照射時におけるインピーダンス
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8319488A JPH10163461A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 半導体スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8319488A JPH10163461A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 半導体スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163461A true JPH10163461A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18110776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8319488A Withdrawn JPH10163461A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 半導体スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100320191B1 (ko) * | 1999-05-17 | 2002-01-10 | 구자홍 | 고주파 스위치 제조방법 |
| KR100323715B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2002-02-07 | 구자홍 | 마이크로 스위치 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP8319488A patent/JPH10163461A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100320191B1 (ko) * | 1999-05-17 | 2002-01-10 | 구자홍 | 고주파 스위치 제조방법 |
| KR100323715B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2002-02-07 | 구자홍 | 마이크로 스위치 및 그 제조방법 |
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