JPH0377401A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
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- JPH0377401A JPH0377401A JP21343589A JP21343589A JPH0377401A JP H0377401 A JPH0377401 A JP H0377401A JP 21343589 A JP21343589 A JP 21343589A JP 21343589 A JP21343589 A JP 21343589A JP H0377401 A JPH0377401 A JP H0377401A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要）
本発明はマイクロ波混戒集積回路の構造に関し、マイク
ロ波がＲＦ増幅回路からＤＣ電源であるＤＣバイアス供
給線に混入することの防止を目的とし、 本発明のマイクロ波集積回路は マイクロ波増幅回路に近接して誘電体基板上に設けられ
たＤＣバイアス供袷線であるストリップ・ラインに、該
ラインに沿い且つ該ラインに接して、前記ストリップ・
ライン形成材料より高比抵抗である導電性材料の帯状皮
膜が設けられた構成とする。
ロ波がＲＦ増幅回路からＤＣ電源であるＤＣバイアス供
給線に混入することの防止を目的とし、 本発明のマイクロ波集積回路は マイクロ波増幅回路に近接して誘電体基板上に設けられ
たＤＣバイアス供袷線であるストリップ・ラインに、該
ラインに沿い且つ該ラインに接して、前記ストリップ・
ライン形成材料より高比抵抗である導電性材料の帯状皮
膜が設けられた構成とする。
ＤＣ電流は高抵抗皮膜の影響を受けることはないが、Ｒ
Ｆリーク電流は高抵抗皮膜を含む全体が導電路となるた
め減衰が大きく、ＤＣバイアス線を通じてのＲＦ信号の
フィードバックが抑制される。
Ｆリーク電流は高抵抗皮膜を含む全体が導電路となるた
め減衰が大きく、ＤＣバイアス線を通じてのＲＦ信号の
フィードバックが抑制される。
本発明はマイクロ波混戒集積回路に関わり、特にＤＣバ
イアス供給線にＲＦ戒分が混入するのを防止した回路構
成に関わる。
イアス供給線にＲＦ戒分が混入するのを防止した回路構
成に関わる。
ＧａＡｓＦＥＴのような能動素子や分布定数回路でＲＦ
増幅回路を構成し、これを誘電体基板上に配置して混成
集積回路を形成することが行われているが、多段構成の
増幅回路の電源は、第３図に示す如く、共通のＤＣバイ
アスｖＡ（ＶＤ）から供給されることになる。
増幅回路を構成し、これを誘電体基板上に配置して混成
集積回路を形成することが行われているが、多段構成の
増幅回路の電源は、第３図に示す如く、共通のＤＣバイ
アスｖＡ（ＶＤ）から供給されることになる。
その場合、ＦＥＴ回路で増幅されたＲＦ出力信号が、点
線の矢印で示したようにＤＣバイアス線を通して入力側
にフィードバンクされると、増幅回路の周波数特性が変
化したり発振する等の不都合を生じるので、ＲＦ開回路
らＤＣ回路へのマイクロ波の伝播を防止することが必要
であり、これ等両回路の間にはマイクロ波を遮断するた
めの分離回路が設けられる（該回路はバイアス回路と呼
ばれることが多いが、本明細書ではＤＣバイアスを供給
する回路との混同を避けるため、分離回路と呼ぶことに
する）。
線の矢印で示したようにＤＣバイアス線を通して入力側
にフィードバンクされると、増幅回路の周波数特性が変
化したり発振する等の不都合を生じるので、ＲＦ開回路
らＤＣ回路へのマイクロ波の伝播を防止することが必要
であり、これ等両回路の間にはマイクロ波を遮断するた
めの分離回路が設けられる（該回路はバイアス回路と呼
ばれることが多いが、本明細書ではＤＣバイアスを供給
する回路との混同を避けるため、分離回路と呼ぶことに
する）。
マイクロ波集積回路が扱うのは数ＧＨｚから数十ＧＨｚ
に及ぶ高周波であるから、分布定数回路や導電路を形成
するマイクロ・ストリップのパターンは小型となり、Ｒ
Ｆ開回路ＤＣ回路を従来のものより近接して配置するこ
とは可能であるが、ＲＦ開回路ＤＣバイアス回路を近接
して配置すると、マイクロ波は前記分離回路を通過して
ＤＣバイアス線に漏出する他に、誘電体基板表面や空中
を伝播してＤＣバイアス線に入り込むようになるので無
思慮な高密配置はゆるされない。
に及ぶ高周波であるから、分布定数回路や導電路を形成
するマイクロ・ストリップのパターンは小型となり、Ｒ
Ｆ開回路ＤＣ回路を従来のものより近接して配置するこ
とは可能であるが、ＲＦ開回路ＤＣバイアス回路を近接
して配置すると、マイクロ波は前記分離回路を通過して
ＤＣバイアス線に漏出する他に、誘電体基板表面や空中
を伝播してＤＣバイアス線に入り込むようになるので無
思慮な高密配置はゆるされない。
かかる事情でマイクロ波集積回路の小型化が阻害されて
いるが、ＲＦ開回路ＤＣバイアス回路をより近接して配
置することが出来れば、この種の集積回路がより小型に
形成されることになる。
いるが、ＲＦ開回路ＤＣバイアス回路をより近接して配
置することが出来れば、この種の集積回路がより小型に
形成されることになる。
（従来の技術）
第４図は公知のマイクロ波増幅回路を示す回路図である
。ＧａＡｓＦＥＴ１１のドレインにはマイクロ・ストリ
ップラインの分布定数回路である整合回路１２が接続さ
れ、ＲＦ出力端子からマイクロ波電力が出力される。
。ＧａＡｓＦＥＴ１１のドレインにはマイクロ・ストリ
ップラインの分布定数回路である整合回路１２が接続さ
れ、ＲＦ出力端子からマイクロ波電力が出力される。
一方、電源はＤＣバイアス線１５を通して供給され、該
ラインと前記整合回路とはＲＦ酸成分遮断するための分
離回路を介して接続されている。該分離回路は導電路で
あってインダクティブに機能するλ／４ライン１３と、
これに結合されたλ／４ライン１４から成る通常のもの
で、特定波長域のマイクロ波に対し高インピーダンスと
なるものである。
ラインと前記整合回路とはＲＦ酸成分遮断するための分
離回路を介して接続されている。該分離回路は導電路で
あってインダクティブに機能するλ／４ライン１３と、
これに結合されたλ／４ライン１４から成る通常のもの
で、特定波長域のマイクロ波に対し高インピーダンスと
なるものである。
これ等各回路を構成する素子は相互に干渉しないように
配置されるが、その位置は経験則に従って試行錯誤的に
定められることが多い。
配置されるが、その位置は経験則に従って試行錯誤的に
定められることが多い。
上記の公知回路では、分離回路によるマイクロ波の減衰
が完全ではなく、該回路を通過して漏出するマイクロ波
が存在するため、増幅回路の利得が高い場合には、漏洩
ＲＦ酸成分よる悪影響が生ずることがあり、更に、誘電
体基板表面や空中を伝播したマイクロ波がＤＣバイアス
線に乗ることもあるので、マイクロ波増幅回路を正常に
作動させ、所定の帯域幅を得るには、これ等のＲＦ酸成
分漏洩をより厳しく抑制しなければならない。
が完全ではなく、該回路を通過して漏出するマイクロ波
が存在するため、増幅回路の利得が高い場合には、漏洩
ＲＦ酸成分よる悪影響が生ずることがあり、更に、誘電
体基板表面や空中を伝播したマイクロ波がＤＣバイアス
線に乗ることもあるので、マイクロ波増幅回路を正常に
作動させ、所定の帯域幅を得るには、これ等のＲＦ酸成
分漏洩をより厳しく抑制しなければならない。
本発明の目的は、ＲＦ増幅回路から伝播するマイクロ波
をより効果的に減衰させるＤＣバイアス線の構造を提供
することであり、それによって、より優れた特性のマイ
クロ波集積回路装置を提供することである。
をより効果的に減衰させるＤＣバイアス線の構造を提供
することであり、それによって、より優れた特性のマイ
クロ波集積回路装置を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明のマイクロ波集積回路
装置では、 マイクロ波増幅回路に近接して誘電体基板上に設けられ
たＤＣバイアス供給線であるストリップ・ラインに接し
且つ該ラインに沿って、高比抵抗導電性材料の帯状皮膜
が設けられている。
装置では、 マイクロ波増幅回路に近接して誘電体基板上に設けられ
たＤＣバイアス供給線であるストリップ・ラインに接し
且つ該ラインに沿って、高比抵抗導電性材料の帯状皮膜
が設けられている。
第２図は本発明のＤＣバイアス線の構造を示す模式図で
、同図（川は平面図、同図０：１）はそのｘ−ｘ’断面
図である。図に於いて１はＤＣバイアス線本体であり、
材料は金（Ａｕ）であるストリップライン、２はタンタ
ル（Ｔａ）のような比較的高比抵抗の材料で形成される
帯状部分、３はアルミナ等の誘電体材料の基板である。
、同図（川は平面図、同図０：１）はそのｘ−ｘ’断面
図である。図に於いて１はＤＣバイアス線本体であり、
材料は金（Ａｕ）であるストリップライン、２はタンタ
ル（Ｔａ）のような比較的高比抵抗の材料で形成される
帯状部分、３はアルミナ等の誘電体材料の基板である。
ＤＣバイアス線がこのような形状であれば、電流のＤＣ
成分はＡｕのストリップラインを導電路とするので、通
常と異なることはないが、ＲＦ酸成分高抵抗帯状部にも
分布するので、ＲＦ酸成分対しては伝播損失となり、こ
れを減衰させることになる。
成分はＡｕのストリップラインを導電路とするので、通
常と異なることはないが、ＲＦ酸成分高抵抗帯状部にも
分布するので、ＲＦ酸成分対しては伝播損失となり、こ
れを減衰させることになる。
このようなＲＦ戒分凍衰効果は、分離回路を通過した漏
洩ＲＦ信号に対してだけでなく、ＲＦ電界によって誘起
されるＲＦ信号に対しても有効であるから、誘電体基板
表面や空中を伝播してＤＣバイアス線に乗ったマイクロ
波も同様に減衰させる。
洩ＲＦ信号に対してだけでなく、ＲＦ電界によって誘起
されるＲＦ信号に対しても有効であるから、誘電体基板
表面や空中を伝播してＤＣバイアス線に乗ったマイクロ
波も同様に減衰させる。
第１図は本発明の実施例を示す回路図で、本発明の特徴
となるＤＣバイアス線の部分は具体的形状に従って高抵
抗膜１６が措かれている。マイクロ波増幅回路及びＲＦ
分離回路は既に説明した第４図の公知技術と同しである
。
となるＤＣバイアス線の部分は具体的形状に従って高抵
抗膜１６が措かれている。マイクロ波増幅回路及びＲＦ
分離回路は既に説明した第４図の公知技術と同しである
。
本実施例の混成集積回路は、アルミナなどの誘電体基板
画に最初Ｔａ皮膜を被着し、その上にＡｕ皮膜を被着し
たものを、フォトリソグラフィによってバターニングし
、必要な形状とすることで形成される。Ｔａ膜とＡｕ膜
の厚みは数μｍであることが多いが、Ａｕ膜はＲＦｔ力
により、またＴａ膜は抵抗体形成等の利用目的に合わせ
て、夫々の膜厚が設定される。
画に最初Ｔａ皮膜を被着し、その上にＡｕ皮膜を被着し
たものを、フォトリソグラフィによってバターニングし
、必要な形状とすることで形成される。Ｔａ膜とＡｕ膜
の厚みは数μｍであることが多いが、Ａｕ膜はＲＦｔ力
により、またＴａ膜は抵抗体形成等の利用目的に合わせ
て、夫々の膜厚が設定される。
ＤＣバイアス線部分のＡｕストリップの幅が１１００ｐ
程度の場合、片方のＴａ膜のパターン幅は例えば５０ｕ
ｍ程度である。Ａｕストリップに対する高抵抗帯状部の
抵抗値の比率は数百倍程度に設定される。
程度の場合、片方のＴａ膜のパターン幅は例えば５０ｕ
ｍ程度である。Ａｕストリップに対する高抵抗帯状部の
抵抗値の比率は数百倍程度に設定される。
上記形成性によれば、ＤＣバイアス線部分の断面形状は
第１図のものとは若干異なり、Ａｕのストリップライン
と誘電体基板との間にもＴａ膜が存在するが、機能的に
は同じと考えてよい、その他のＡｕストリップラインと
誘電体基板との間にもＴａ膜が残るが、これも回路特性
には殆ど影響を及ぼさない。
第１図のものとは若干異なり、Ａｕのストリップライン
と誘電体基板との間にもＴａ膜が存在するが、機能的に
は同じと考えてよい、その他のＡｕストリップラインと
誘電体基板との間にもＴａ膜が残るが、これも回路特性
には殆ど影響を及ぼさない。
以上説明したように、本発明によればＲＦ回路からＤＣ
バイアス線へのマイクロ波の漏出が効果的に減衰するの
で、ＲＦ増幅回路の利得や帯域幅が不所望に変化するこ
とがなく、動作の安定したマイクロ波集積回路が得られ
ることになる。
バイアス線へのマイクロ波の漏出が効果的に減衰するの
で、ＲＦ増幅回路の利得や帯域幅が不所望に変化するこ
とがなく、動作の安定したマイクロ波集積回路が得られ
ることになる。
１６は高抵抗膜
である。
第１図は実施例のマイクロ波回路の構成を示す図、
第２図は本発明のＤＣバイアス線の基本構造を示す図、
第３図は多段増幅回路の電源供給構成を示す図、第４図
は公知のマイクロ波回路の構成を示す図であって５、 図に於いて １はＡｕストリップライン、 ２は高抵抗帯状部、 ３は誘電体基（反、 １３は導電路であるλ／４ライン、 Ｉ４はλ／４ライン、 １５はＤＣバイアス線、 実施例のマイクロ波回路の構成を示す図第 図 本発明のＤＣバイアス線の基本構造を示す図第 図 多段増幅回路の電源供給構成を示す図 第 図 二 公知のマイクロ波回路の構成を示す図 第 図
は公知のマイクロ波回路の構成を示す図であって５、 図に於いて １はＡｕストリップライン、 ２は高抵抗帯状部、 ３は誘電体基（反、 １３は導電路であるλ／４ライン、 Ｉ４はλ／４ライン、 １５はＤＣバイアス線、 実施例のマイクロ波回路の構成を示す図第 図 本発明のＤＣバイアス線の基本構造を示す図第 図 多段増幅回路の電源供給構成を示す図 第 図 二 公知のマイクロ波回路の構成を示す図 第 図
Claims (1)
- マイクロ波増幅回路に近接して誘電体基板上に設けら
れたＤＣバイアス供給線であるストリップ・ラインに、
該ラインに沿い且つ該ラインに接して、前記ストリップ
・ライン形成材料より高比抵抗である導電性材料の帯状
皮膜が設けられていることを特徴とするマイクロ波集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21343589A JPH0377401A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21343589A JPH0377401A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377401A true JPH0377401A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16639183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21343589A Pending JPH0377401A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0377401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1317062A2 (en) * | 2001-11-16 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Power supply control of cascaded amplifiers in a transmission circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797201A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-16 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit for microwave |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP21343589A patent/JPH0377401A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797201A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-16 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit for microwave |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1317062A2 (en) * | 2001-11-16 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Power supply control of cascaded amplifiers in a transmission circuit |
| EP1317062A3 (en) * | 2001-11-16 | 2003-10-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Power supply control of cascaded amplifiers in a transmission circuit |
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