JPH10163239A - 半導体封止方法 - Google Patents
半導体封止方法Info
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- JPH10163239A JPH10163239A JP31676096A JP31676096A JPH10163239A JP H10163239 A JPH10163239 A JP H10163239A JP 31676096 A JP31676096 A JP 31676096A JP 31676096 A JP31676096 A JP 31676096A JP H10163239 A JPH10163239 A JP H10163239A
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- Japan
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- injection molding
- injection
- epoxy resin
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 射出成形用エポキシ樹脂封止材料を用いて
低圧・低速の射出成形により半導体封止を長時間連続し
て実施すること。 【解決手段】 半導体素子が接合され、ワイヤボンデイ
ングされたリードフレーム、又は半導体素子が接合され
たリード線を射出成形金型にインサートとして固定し、
その後、前記金型に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬
化剤、硬化促進剤、無機質充填材を必須成分とする射出
成形用エポキシ樹脂封止材料を、射出速度を０．３〜５
０ｍｍ／秒の低速に制御し、射出圧力を３０〜１７５ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 の低圧に制御して射出することを特徴とす
る半導体封止方法。
低圧・低速の射出成形により半導体封止を長時間連続し
て実施すること。 【解決手段】 半導体素子が接合され、ワイヤボンデイ
ングされたリードフレーム、又は半導体素子が接合され
たリード線を射出成形金型にインサートとして固定し、
その後、前記金型に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬
化剤、硬化促進剤、無機質充填材を必須成分とする射出
成形用エポキシ樹脂封止材料を、射出速度を０．３〜５
０ｍｍ／秒の低速に制御し、射出圧力を３０〜１７５ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 の低圧に制御して射出することを特徴とす
る半導体封止方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エポキシ樹脂封止
材料を用い射出成形により半導体を封止する方法に関す
るものである。
材料を用い射出成形により半導体を封止する方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、デイスクリート等の半導
体素子の封止には、エポキシ樹脂封止材料のトランスフ
ァ成形が、低コスト、高信頼性及び生産性に適した方法
として従来より用いられている。トランスファ成形で
は、エポキシ樹脂封止材料をタブレット状に賦形してか
ら、金型内のポットにこのタブレットを投入し、加熱溶
融させながらプランジャーで加圧することにより、金型
キャビティ内に移送し、硬化させるのが一般的である。
体素子の封止には、エポキシ樹脂封止材料のトランスフ
ァ成形が、低コスト、高信頼性及び生産性に適した方法
として従来より用いられている。トランスファ成形で
は、エポキシ樹脂封止材料をタブレット状に賦形してか
ら、金型内のポットにこのタブレットを投入し、加熱溶
融させながらプランジャーで加圧することにより、金型
キャビティ内に移送し、硬化させるのが一般的である。
【０００３】しかしながら、この成形方法ではエポキシ
樹脂封止材料をタブレット状に賦形することが前提とな
るために、賦形の工程が必要である。成形された半導体
装置の形状・大きさによりタブレット形状は種々異なる
ので、賦形のための金型装置も多く必要である。また成
形毎にタブレットの投入と熱溶融が必要であるため成形
サイクルを一定時間以下に短縮できない。これらの点か
ら低コスト化、大量生産性に限界があり、また、賦形等
の前工程のため、封止材料に不純物混入の恐れも多い。
更に、トランスファ成形においてはポットに投入された
封止材料が金型内を流動しキャビテイ内に到達する迄の
流路であるランナー部や、ポット内で残りのカル部が完
全に硬化してしまうため、再利用が不可能であり、必要
とする半導体パツケージ部以外に多量の樹脂廃棄物を生
成してしまうという問題がある。
樹脂封止材料をタブレット状に賦形することが前提とな
るために、賦形の工程が必要である。成形された半導体
装置の形状・大きさによりタブレット形状は種々異なる
ので、賦形のための金型装置も多く必要である。また成
形毎にタブレットの投入と熱溶融が必要であるため成形
サイクルを一定時間以下に短縮できない。これらの点か
ら低コスト化、大量生産性に限界があり、また、賦形等
の前工程のため、封止材料に不純物混入の恐れも多い。
更に、トランスファ成形においてはポットに投入された
封止材料が金型内を流動しキャビテイ内に到達する迄の
流路であるランナー部や、ポット内で残りのカル部が完
全に硬化してしまうため、再利用が不可能であり、必要
とする半導体パツケージ部以外に多量の樹脂廃棄物を生
成してしまうという問題がある。
【０００４】一方、エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂成
形材料の成形として、射出成形方式の検討が従来より行
われてきた。射出成形においては、エポキシ樹脂成形材
料は射出成形機内に粉末状又は顆粒状にて供給され、シ
リンダー内で溶融状態を保ったままスクリューにより金
型に射出される。このため、タブレット状に賦形する工
程が不要であり、賦形のための装置・時間を省略するこ
とができる。連続生産が可能であり、加熱溶融状態とな
った成形材料が金型に射出されるために硬化時間がトラ
ンスファ成形に比べ短縮できる等、大量生産に適した方
法である。
形材料の成形として、射出成形方式の検討が従来より行
われてきた。射出成形においては、エポキシ樹脂成形材
料は射出成形機内に粉末状又は顆粒状にて供給され、シ
リンダー内で溶融状態を保ったままスクリューにより金
型に射出される。このため、タブレット状に賦形する工
程が不要であり、賦形のための装置・時間を省略するこ
とができる。連続生産が可能であり、加熱溶融状態とな
った成形材料が金型に射出されるために硬化時間がトラ
ンスファ成形に比べ短縮できる等、大量生産に適した方
法である。
【０００５】しかしながら、エポキシ樹脂封止材料の成
形方法として射出成形は実用化されていないのが現状で
ある。その理由としては、従来のエポキシ樹脂封止材料
は７０〜１１０℃に加熱されたシリンダー内での溶融状
態では、封止材料中の樹脂の硬化反応の進行によって粘
度が増大し、５〜１０分間で流動性を失う性質を有して
おり、溶融封止材料の熱安定性が著しく低いためであ
る。このため、低圧での射出成形は不可能であり、高圧
での成形を必要とし、その結果半導体素子上のボンデイ
ングワイヤの変形もしくは切断、あるいはダイオード等
では内部素子への加圧による電気性能の低下等、得られ
た半導体パツケージの信頼性を著しく損なう結果となる
と考えられていた。
形方法として射出成形は実用化されていないのが現状で
ある。その理由としては、従来のエポキシ樹脂封止材料
は７０〜１１０℃に加熱されたシリンダー内での溶融状
態では、封止材料中の樹脂の硬化反応の進行によって粘
度が増大し、５〜１０分間で流動性を失う性質を有して
おり、溶融封止材料の熱安定性が著しく低いためであ
る。このため、低圧での射出成形は不可能であり、高圧
での成形を必要とし、その結果半導体素子上のボンデイ
ングワイヤの変形もしくは切断、あるいはダイオード等
では内部素子への加圧による電気性能の低下等、得られ
た半導体パツケージの信頼性を著しく損なう結果となる
と考えられていた。
【０００６】また、金型の掃除等のための成形を一定時
間中断する場合には、エポキシ樹脂封止材料はシリンダ
ー内で硬化し、再度の射出が不可能となるため、連続生
産にも支障をきたしてしまうという問題点も指摘されて
いた。
間中断する場合には、エポキシ樹脂封止材料はシリンダ
ー内で硬化し、再度の射出が不可能となるため、連続生
産にも支障をきたしてしまうという問題点も指摘されて
いた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来からの
低圧トランスファ成形方法でも成形可能である射出成形
用エポキシ樹脂封止材料を使用し、低圧・低速射出成形
により半導体を封止する方法に関するものである。
低圧トランスファ成形方法でも成形可能である射出成形
用エポキシ樹脂封止材料を使用し、低圧・低速射出成形
により半導体を封止する方法に関するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、半導体
が接合され、ワイヤボンデイングされたリードフレー
ム、又は半導体素子が接合されたリード線を、射出成形
金型にインサートとして固定し、その後、前記金型に、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無
機質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂封止材料を射
出成形機により注入し、硬化させることを特徴とする半
導体封止方法において、射出成形機の射出速度を０．３
〜５０ｍｍ／秒の低速に制御することを特徴とする半導
体封止方法、である。
が接合され、ワイヤボンデイングされたリードフレー
ム、又は半導体素子が接合されたリード線を、射出成形
金型にインサートとして固定し、その後、前記金型に、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無
機質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂封止材料を射
出成形機により注入し、硬化させることを特徴とする半
導体封止方法において、射出成形機の射出速度を０．３
〜５０ｍｍ／秒の低速に制御することを特徴とする半導
体封止方法、である。
【０００９】本発明において使用されるエポキシ樹脂封
止材料は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化
促進剤、無機質充填材を必須成分として含有するもの
で、その形状は粉末又は顆粒状のものであり、トランス
ファ成形の場合のようにタブレットにする必要はない。
そして、射出成形機のシリンダー内での熱安定性の良好
なもの、及びキャビテイ内で流動性が特に良好で速やか
に硬化するものが望ましく、これらの点を考慮すれば、
組成的にはエポキシ樹脂はノボラツク型エポキシ樹脂、
ビフェノール型エポキシ樹脂等の溶融粘度の低いエポキ
シ樹脂で、特に軟化点が５０〜８０℃のものが好まし
く、硬化剤は、ノボラツク型フェノール樹脂、パラキシ
リレン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール樹脂等のフェノール樹脂が例示されるが、特
に軟化点が６０〜１２０℃で、かつ１核体及び２核体成
分の少ないフェノール樹脂が好ましい。硬化促進剤とし
ては、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）系化合物、
トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン等を使用す
るが、特に低温での活性の低い潜伏性の大きなものが好
ましい。
止材料は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化
促進剤、無機質充填材を必須成分として含有するもの
で、その形状は粉末又は顆粒状のものであり、トランス
ファ成形の場合のようにタブレットにする必要はない。
そして、射出成形機のシリンダー内での熱安定性の良好
なもの、及びキャビテイ内で流動性が特に良好で速やか
に硬化するものが望ましく、これらの点を考慮すれば、
組成的にはエポキシ樹脂はノボラツク型エポキシ樹脂、
ビフェノール型エポキシ樹脂等の溶融粘度の低いエポキ
シ樹脂で、特に軟化点が５０〜８０℃のものが好まし
く、硬化剤は、ノボラツク型フェノール樹脂、パラキシ
リレン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール樹脂等のフェノール樹脂が例示されるが、特
に軟化点が６０〜１２０℃で、かつ１核体及び２核体成
分の少ないフェノール樹脂が好ましい。硬化促進剤とし
ては、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）系化合物、
トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン等を使用す
るが、特に低温での活性の低い潜伏性の大きなものが好
ましい。
【００１０】次に、射出成形方法について説明する。射
出成形機はスクリューインライン式、プランジャ式、ス
クリュープランジャ式など特に限定されないが、温度コ
ントロールの容易さ、溶融の均一化等の点からスクリュ
ーインライン式が好ましい。 射出速度は射出容量等にもよるが、一般的な成形機では
１〜１００ｍｍ／秒であり、半導体封止のような成形で
は、特に微低速の制御が必要であり、０．３〜５０ｍｍ
／秒が好ましい。これより速い速度では半導体素子上の
ボンデイングワイヤの変形、切断、あるいはダイオード
等では内部素子の電気性能の低下等を起こす可能性があ
り、一方、これより遅い速度ではキャビテイ内での充填
不良、ボイド、ダイオード等では耐圧不良を生じる恐れ
がある。さらに好ましい射出速度の範囲は０．３〜１５
ｍｍ／秒である。またこの射出速度の分解能は最低でも
０．１ｍｍ／秒が必要でこれより大きい分解能では微細
な速度制御が困難で、安定性、再現性の低下の心配があ
る。
出成形機はスクリューインライン式、プランジャ式、ス
クリュープランジャ式など特に限定されないが、温度コ
ントロールの容易さ、溶融の均一化等の点からスクリュ
ーインライン式が好ましい。 射出速度は射出容量等にもよるが、一般的な成形機では
１〜１００ｍｍ／秒であり、半導体封止のような成形で
は、特に微低速の制御が必要であり、０．３〜５０ｍｍ
／秒が好ましい。これより速い速度では半導体素子上の
ボンデイングワイヤの変形、切断、あるいはダイオード
等では内部素子の電気性能の低下等を起こす可能性があ
り、一方、これより遅い速度ではキャビテイ内での充填
不良、ボイド、ダイオード等では耐圧不良を生じる恐れ
がある。さらに好ましい射出速度の範囲は０．３〜１５
ｍｍ／秒である。またこの射出速度の分解能は最低でも
０．１ｍｍ／秒が必要でこれより大きい分解能では微細
な速度制御が困難で、安定性、再現性の低下の心配があ
る。
【００１１】射出圧力は金型形状、構造あるいは封止材
料の溶融粘度等にもよるが、３０〜３００ｋｇｆ／ｃｍ
2 である。特に成形物の特性に影響する保圧段階ではよ
り低圧が好ましく、その範囲は３０〜１７５ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の低圧である。これより高い圧力では半導体素子上
のボンデイングワイヤの変形、切断、あるいはダイオー
ド等では内部素子への加圧による電気性能の低下等を起
こす可能性があり、一方、これより低い圧力ではキャビ
テイ内での充填不良、ボイド、ダイオード等では耐圧不
良を生じる恐れがある。さらに好ましくは５０〜１２５
ｋｇｆ／ｃｍ2の範囲である。またこの射出圧力の分解
能は最低でも１ｋｇｆ／ｃｍ2 が必要であり、これより
大きいと微細な制御が十分にできず、成形の安定性もよ
くない。
料の溶融粘度等にもよるが、３０〜３００ｋｇｆ／ｃｍ
2 である。特に成形物の特性に影響する保圧段階ではよ
り低圧が好ましく、その範囲は３０〜１７５ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の低圧である。これより高い圧力では半導体素子上
のボンデイングワイヤの変形、切断、あるいはダイオー
ド等では内部素子への加圧による電気性能の低下等を起
こす可能性があり、一方、これより低い圧力ではキャビ
テイ内での充填不良、ボイド、ダイオード等では耐圧不
良を生じる恐れがある。さらに好ましくは５０〜１２５
ｋｇｆ／ｃｍ2の範囲である。またこの射出圧力の分解
能は最低でも１ｋｇｆ／ｃｍ2 が必要であり、これより
大きいと微細な制御が十分にできず、成形の安定性もよ
くない。
【００１２】駆動方式は油圧式および電動サーボ式の一
方、あるいは併用式が採用可能であるが、駆動の安定
性、再現性の点より電動サーボ式が好ましい。電動サー
ボ式を採用すると、低圧・微低速制御の容易さと相俟っ
て、半導体での長時間連続運転が可能となる。
方、あるいは併用式が採用可能であるが、駆動の安定
性、再現性の点より電動サーボ式が好ましい。電動サー
ボ式を採用すると、低圧・微低速制御の容易さと相俟っ
て、半導体での長時間連続運転が可能となる。
【００１３】本発明の封止方法において、金型の設定温
度は、封止材料（樹脂組成物）の硬化時間等から１５０
〜１９０℃、好ましくは１６５〜１８５℃である。この
ような温度で成形サイクルは１５０秒以下、速硬化性の
樹脂組成物の場合６０秒以下とすることが可能である。
度は、封止材料（樹脂組成物）の硬化時間等から１５０
〜１９０℃、好ましくは１６５〜１８５℃である。この
ような温度で成形サイクルは１５０秒以下、速硬化性の
樹脂組成物の場合６０秒以下とすることが可能である。
【００１４】なお、本発明の半導体封止方法において、
金型として、スプルーレス金型あるいはスプルーランナ
ーレス金型を採用することができる。即ち、金型のスプ
ルー部あるいはスプルー部とランナー部の温度を封止材
料の硬化が起こり難い温度、即ち、シリンダー内の温度
とほぼ同等の温度にコントロールすることにより、成形
品（樹脂封止された半導体）を取り出した後に次のサイ
クルでスプルー部あるいはスプルー・ランナー部の未硬
化の封止材料をキャビテイ部へ注入して成形する方式を
実施することができる。この方式を実施することによ
り、必要とする成形品以外は硬化物が殆ど発生しないた
め、プラスチツク廃棄物を大きく低減できるという長所
がある。
金型として、スプルーレス金型あるいはスプルーランナ
ーレス金型を採用することができる。即ち、金型のスプ
ルー部あるいはスプルー部とランナー部の温度を封止材
料の硬化が起こり難い温度、即ち、シリンダー内の温度
とほぼ同等の温度にコントロールすることにより、成形
品（樹脂封止された半導体）を取り出した後に次のサイ
クルでスプルー部あるいはスプルー・ランナー部の未硬
化の封止材料をキャビテイ部へ注入して成形する方式を
実施することができる。この方式を実施することによ
り、必要とする成形品以外は硬化物が殆ど発生しないた
め、プラスチツク廃棄物を大きく低減できるという長所
がある。
【００１５】通常のトランスファ成形による封止の場
合、カル・ランナー部の硬化廃棄物の全封止材料に占め
る割合は４０〜６０％程度であるが、本発明の射出成形
による封止では、硬化廃棄物の割合は３０〜５０％と若
干小さくなり、スプルーレス成形では２５〜３５％、ス
プルーランナーレス成形では１０〜３０％と、それぞれ
大きく低下する。
合、カル・ランナー部の硬化廃棄物の全封止材料に占め
る割合は４０〜６０％程度であるが、本発明の射出成形
による封止では、硬化廃棄物の割合は３０〜５０％と若
干小さくなり、スプルーレス成形では２５〜３５％、ス
プルーランナーレス成形では１０〜３０％と、それぞれ
大きく低下する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。エポキシ
樹脂封止材料として、オルソクレゾールノボラツク型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２００）、フェノールノボラ
ツク（水酸基当量１０３）、ジアザビシクロウンデセン
化合物（硬化促進剤）及び溶融シリカを主成分とし、他
に離型剤、着色剤等を配合したものを使用した。
樹脂封止材料として、オルソクレゾールノボラツク型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量２００）、フェノールノボラ
ツク（水酸基当量１０３）、ジアザビシクロウンデセン
化合物（硬化促進剤）及び溶融シリカを主成分とし、他
に離型剤、着色剤等を配合したものを使用した。
【００１７】射出成形機は名機製作所Ｍ−７０Ｂ−ＴＳ
（スクリューインライン式）を改造し、射出圧力の分解
能を１ｋｇｆ／ｃｍ2 、射出速度の分解能を０．１ｍｍ
／秒とした。シリンダー設定温度８５℃、射出圧力９０
ｋｇｆ／ｃｍ2 、射出速度１．０ｍｍ／秒に設定した。
金型は２列で各列１０個の２０個取りとし、ＩＣ素子
（２０ｐＳＯＰ）を接合し、金線ボンデイングされた１
０個連続の銅製リードフレーム２本を金型にセットし、
金型温度１７５℃とし、成形サイクル８０秒で連続成形
した。１時間毎に封止された成形品について外観、充填
性、ワイヤスイープ、ボイドを測定した。５時間毎の結
果を表１に示す。
（スクリューインライン式）を改造し、射出圧力の分解
能を１ｋｇｆ／ｃｍ2 、射出速度の分解能を０．１ｍｍ
／秒とした。シリンダー設定温度８５℃、射出圧力９０
ｋｇｆ／ｃｍ2 、射出速度１．０ｍｍ／秒に設定した。
金型は２列で各列１０個の２０個取りとし、ＩＣ素子
（２０ｐＳＯＰ）を接合し、金線ボンデイングされた１
０個連続の銅製リードフレーム２本を金型にセットし、
金型温度１７５℃とし、成形サイクル８０秒で連続成形
した。１時間毎に封止された成形品について外観、充填
性、ワイヤスイープ、ボイドを測定した。５時間毎の結
果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】（測定方法） １．外観：実体顕微鏡（１０倍）で観察し、φ０．１ｍ
ｍ以上の大きさの表面ボイドのあるものの数をカウント
した。数値の分子は、１００個の成形品を観察したとき
の表面ボイドのある成形品の数である。 ２．充填性：上記と同様にして、実体顕微鏡で表面の未
充填箇所の有無を観察した。良好は、未充填がないこと
を示す。 ３．ワイヤスイープ：成形品に軟Ｘ線を照射して、ボン
デイングワイヤ（３０μｍ径：長さ２．２ｍｍのセミハ
ード金線）の流れ（変形）量を測定した。ＩＣ素子端面
とリード端子のボンデイング間の距離に対する最大ワイ
ヤ流れ量の比を％で示した。 ４．ボイド：成形品に超音波を照射して、φ０．３ｍｍ
以上の大きさの内部ボイドのあるものの数をカウントし
た。数値の分子は、１００個の成形品を観察したときの
内部ボイドのある成形品の数である。
ｍ以上の大きさの表面ボイドのあるものの数をカウント
した。数値の分子は、１００個の成形品を観察したとき
の表面ボイドのある成形品の数である。 ２．充填性：上記と同様にして、実体顕微鏡で表面の未
充填箇所の有無を観察した。良好は、未充填がないこと
を示す。 ３．ワイヤスイープ：成形品に軟Ｘ線を照射して、ボン
デイングワイヤ（３０μｍ径：長さ２．２ｍｍのセミハ
ード金線）の流れ（変形）量を測定した。ＩＣ素子端面
とリード端子のボンデイング間の距離に対する最大ワイ
ヤ流れ量の比を％で示した。 ４．ボイド：成形品に超音波を照射して、φ０．３ｍｍ
以上の大きさの内部ボイドのあるものの数をカウントし
た。数値の分子は、１００個の成形品を観察したときの
内部ボイドのある成形品の数である。
【００２０】これらの結果は、従来の低圧トランスファ
成形による場合と同等であり、全く問題がないことを示
している。従って、長時間の連続成形が可能であること
がわかる。
成形による場合と同等であり、全く問題がないことを示
している。従って、長時間の連続成形が可能であること
がわかる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、射出成形用エポキシ樹
脂封止材料による半導体封止を射出成形により問題なく
実施できることが明らかとなった。射出成形において
は、射出圧力、特に低圧域、及び射出速度、特に微低速
域を容易に制御できる。従って、通常の射出成形の場合
より低圧・低速にすることにより、より安定した長時間
の連続成形が可能である。低圧・低速成形では、インサ
ートである半導体を接合しワイヤボンデイングされたリ
ードフレーム、あるいは半導体を接合したリード線への
圧力が小さいことから性能面での信頼性が得られる。射
出条件が一定に制御されるので、適切な射出条件の設定
によりバリの発生や充填不良を防止することができる。
脂封止材料による半導体封止を射出成形により問題なく
実施できることが明らかとなった。射出成形において
は、射出圧力、特に低圧域、及び射出速度、特に微低速
域を容易に制御できる。従って、通常の射出成形の場合
より低圧・低速にすることにより、より安定した長時間
の連続成形が可能である。低圧・低速成形では、インサ
ートである半導体を接合しワイヤボンデイングされたリ
ードフレーム、あるいは半導体を接合したリード線への
圧力が小さいことから性能面での信頼性が得られる。射
出条件が一定に制御されるので、適切な射出条件の設定
によりバリの発生や充填不良を防止することができる。
【００２２】封止材料は粉末又は顆粒状で射出成形機に
供給されるので、トランスファ成形のようにタブレット
形状に予備成形する必要がなく、タブレット化のための
多大な装置・時間を省略できる。更にタブレット化等の
前工程が不要であることから不純物の混入の恐れが小さ
い。また、スプルーレス成形、スプルーランナーレス成
形が採用でき、これにより、成形品以外の硬化物（廃棄
物）の割合が大幅に減少する。
供給されるので、トランスファ成形のようにタブレット
形状に予備成形する必要がなく、タブレット化のための
多大な装置・時間を省略できる。更にタブレット化等の
前工程が不要であることから不純物の混入の恐れが小さ
い。また、スプルーレス成形、スプルーランナーレス成
形が採用でき、これにより、成形品以外の硬化物（廃棄
物）の割合が大幅に減少する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 // Ｂ２９Ｋ 63:00 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体が接合され、ワイヤボンデイング
されたリードフレーム、又は半導体素子が接合されたリ
ード線を、射出成形金型にインサートとして固定し、そ
の後、前記金型に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤、硬化促進剤、無機質充填材を必須成分とする射出成
形用エポキシ樹脂封止材料を射出成形機により注入し、
硬化させる半導体封止方法において、射出成形機の射出
速度を０．３〜５０ｍｍ／秒の低速に制御することを特
徴とする半導体封止方法。 - 【請求項２】 射出成形機の射出速度の分解能が０．１
ｍｍ／秒である請求項１記載の半導体封止方法。 - 【請求項３】 射出成形機の射出圧力を３０〜１７５ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 の低圧に制御する請求項１記載の半導体封
止方法。 - 【請求項４】 射出成形機の射出圧力の分解能が１ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 である請求項３記載の半導体封止方法。 - 【請求項５】 制御のための駆動方式が油圧又は電動サ
ーボである請求項１、２、３又は４記載の半導体封止方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31676096A JPH10163239A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31676096A JPH10163239A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163239A true JPH10163239A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18080624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31676096A Pending JPH10163239A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163239A (ja) |
-
1996
- 1996-11-27 JP JP31676096A patent/JPH10163239A/ja active Pending
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