JPH10163026A - ソレノイド駆動制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路規模が小さく、安定に動作するソレノイ
ド逆励磁制御用の回路を提供すること。 【解決手段】 微分回路（ＳＣ）と積分回路（ＰＣ）と
を組み合わせた抵抗及びコンデンサからなる充電回路
と、１個の電圧比較器（１２）とを用いることにより、
ソレノイドの逆励磁制御に必要な遅延機能とタイマ機能
とを実現した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はソレノイド駆動制御
回路に関し、さらに詳細に述べると、ソレノイドに流す
駆動電流の立ち下がり時にソレノイドに逆励磁電流を流
すことによりソレノイドの高速駆動制御を図るようにし
たソレノイド駆動制御回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、電磁弁の高速駆動のため、電磁
弁ソレノイドの駆動終了時にソレノイドにその駆動電流
とは逆向きの消磁電流（逆励磁電流）を流して電磁弁の
動作を迅速に終了させるようにしたソレノイド駆動回路
の構成が、特開昭６３−８００３８号公報、特開平６−
２６７７３９号公報等に開示されている。

【０００３】図１１は、燃料噴射弁の閉弁動作を高速化
するため逆励磁駆動を行うようにしたソレノイド駆動回
路の従来の構成の一例を示すブロック図である。図１１
に示したソレノイド駆動回路１００において、１０１は
昇圧回路、１０２は昇圧回路１０１からの高電圧ＶＨを
燃料噴射弁ＦＶのソレノイド１０３に印加するのを制御
するための高圧分配スイッチである。ソレノイド１０３
とアースとの間にはソレノイド１０３に流れる電流のレ
ベルを検出するための電流検出回路１０４が設けられて
おり、電流検出回路１０４からの検出結果に応答して作
動する定電流回路１０５からの定電流ＩＨは低圧分配ス
イッチ１０６を介してソレノイド１０３に供給される構
成となっている。１０７はソレノイド１０３を逆励磁す
るための消磁電圧ＶＲを供給する消磁電圧回路であり、
消磁電圧ＶＲは消磁スイッチ１０８を介してソレノイド
１０３に印加される。

【０００４】符号１１０で示されるのは、高圧分配スイ
ッチ１０２、低圧分配スイッチ１０６及び消磁スイッチ
１０８をスイッチング制御するための第１乃至第３スイ
ッチング制御信号ＰＰ、ＰＨ、ＰＲを出力するための制
御信号発生部である。制御信号発生部１１０は、電磁弁
駆動信号ＤＳ及び第３スイッチング制御信号ＰＲに応答
して第１スイッチング制御信号ＰＰを出力する始動期間
信号出力回路１１１と、電磁弁駆動信号ＤＳと第１スイ
ッチング制御信号ＰＰとに応答して第２スイッチング制
御信号ＰＨを出力する保持期間信号出力回路１１２と、
電磁弁駆動信号ＤＳに応答して第３スイッチング制御信
号ＰＲを出力する消磁制御信号出力回路１１３とを備え
ている。

【０００５】図１２には、制御信号発生部１１０からの
第１乃至第３スイッチング制御信号ＰＰ、ＰＨ、ＰＲの
タイムチャートが示されている。図１２から判るよう
に、電磁弁駆動信号ＤＳの低レベル期間は燃料噴射弁Ｆ
Ｖの開弁のための駆動期間を示しており、第１乃至第３
スイッチング制御信号ＰＰ、ＰＨ、ＰＲの高レベル期間
が、それぞれ対応するスイッチのオン期間を示してい
る。

【０００６】図１１に示した従来のソレノイド駆動回路
の構成によれば、第２スイッチング制御信号ＰＨによっ
て低圧分配スイッチ１０６がオフとなっても低圧分配ス
イッチ１０６のスイッチング素子の動作遅延のためにソ
レノイド１０３に流れる電流は直ちに零にはならず、し
ばらくの間ソレノイド１０３に駆動電流が流れることに
なる。このため、図１２に示されるように、ソレノイド
１０３の逆励磁のための第３スイッチング制御信号ＰＲ
のレベルの立ち上がりを、第２スイッチング制御信号Ｐ
Ｈの立ち下がり直後ではなく、所定の時間ｔｄ経過後と
する必要があった。これは、スイッチング素子の動作遅
延のためにソレノイド１０３に駆動電流が未だ流れてい
るにも拘らず第３スイッチング制御信号ＰＲのレベルが
立ち上がってしまうと、ソレノイド１０３に正負の電流
が同時に流れて短絡状態となり、パワー素子の破損、エ
ネルギー効率の低下、電源、特に消磁電源の大容量化、
放射ノイズの増大、駆動装置の発熱量増加、などの問題
を生じることになるからである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のソ
レノイド駆動回路にあっては、ソレノイド駆動終了後に
逆励磁を行う構成とする場合、ソレノイドの逆励磁駆動
のための制御回路は、定電流駆動のための駆動電流の印
加停止制御を行ってから実際にソレノイド駆動電流のレ
ベルが充分に低下するまで第３スイッチング制御信号Ｐ
Ｒのレベルが立ち上がらないように遅延を与える構成と
する必要がある。しかし、この遅延時間が長すぎてしま
うとソレノイドの吸引を迅速に終了させることができな
くなってしまうので、上記遅延時間は所定の許容範囲に
入るように回路を構成する必要がある。

【０００８】一方、消磁電流を流す期間は駆動終了後に
おける一定期間だけとする必要があり、この逆励磁期間
が長くなると消磁のための電源部及びパワー素子の大容
量化を招くことになり、エネルギー効率も低下してしま
うという不具合を生じることになる。

【０００９】このような条件を満足させるため、特開昭
６１−２８７３１６号公報には、１個のコンデンサを用
い、入力信号がアクティブ状態から非アクティブ状態に
なったときのみ一定時間幅の逆励磁のための制御信号を
出力することができる、微分タイマ回路に遅延回路を付
加した回路構成が開示されている。

【００１０】しかし、この回路構成では、入力信号を遅
延させるためのＣＲ時定数回路のほか微分タイマ回路に
もＣＲ時定数回路が必要となるため、回路構成及びその
調整が極めて複雑となり、下記の如き問題点を生じるこ
とになる。 (1) 回路規模が大きくなり、コスト増となる。 (2) 回路規模が大きくなり、実装サイズが大きくな
る。 (3) 回路規模が大きくなり、消費電力が増大する。 (4) 計時機能に影響を与える要因が多く、動作が不安
定になり昜い。 本発明の目的は、したがって、従来技術における上述の
問題点を解決することができるソレノイド駆動制御回路
を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の請求項１の発明の特徴は、電磁弁の閉弁応答時間を短
縮するために、前記電磁弁のソレノイドへの通電を停止
した後に前記駆動電流とは逆方向の消磁電流を所定期間
だけ前記ソレノイドに供給するのを制御するためのソレ
ノイド駆動制御回路において、前記ソレノイドへの通電
停止制御のため通電終了タイミングで電位がステップ的
に変化する制御信号に応答してレベルが山形又は谷形に
変化する出力電圧を出力する充電回路と、該出力電圧を
所定の基準電圧とレベル比較して前記通電終了タイミン
グから所定時間経過後において前記所定期間だけアクテ
ィブ状態となる制御信号を出力する電圧レベル比較手段
とを備えて成る点にある。充電回路は、例えば、微分回
路と積分回路とを組み合わせた抵抗及びコンデンサから
なる充電回路とすることができる。このように、充電回
路と１個の電圧監視手段とを用いることにより、簡単な
回路構成でソレノイドの逆励磁制御に必要な遅延機能と
タイマの機能とを実現したものである。

【００１２】請求項２の発明の特徴は、電磁弁の閉弁応
答時間を短縮するために、前記電磁弁のソレノイドへの
通電を停止した後に前記駆動電流とは逆方向の消磁電流
を所定期間だけ前記ソレノイドに供給するのを制御する
ためのソレノイド駆動制御回路において、一方の入力に
一定電位が与えられている電圧比較手段と、前記ソレノ
イドへの通電停止制御のため通電終了タイミングで電位
がステップ的に低下する制御信号を受け取るための入力
端子と、該入力端子と前記電圧比較手段の他方の入力と
の間に設けられたコンデンサ−抵抗直列回路と、前記他
方の入力と所定の一定レベルの電圧を供給する直流電源
との間に設けられたコンデンサ−抵抗並列回路とを備
え、前記他方の入力の電位が前記一方の入力の電位を下
回る期間を示す信号を前記電圧比較手段の出力から前記
所定期間を示す信号として取り出すようにした点にあ
る。

【００１３】ソレノイドの通電停止制御のための制御信
号のレベルが通電停止のタイミングでステップ的に低下
すると、電圧比較手段の他方の入力の電位は、コンデン
サ−抵抗直列回路のために緩やかに低下する。この低下
の度合いはコンデンサ−抵抗直列回路の時定数によって
定まり、所定時間経過後に他方の入力の電位が一方の入
力の電位を一旦下回る。これと同時にコンデンサ−抵抗
並列回路のコンデンサに直流電源から電流が流れて充電
が行われ、他方の入力の電位が上昇に転じ、再び他方の
入力の電位が一方の入力の電位を上回ることになる。こ
の結果、上記所定時間経過後に、所定期間だけ電圧比較
手段の出力を所定レベル状態とすることができる。

【００１４】請求項３の発明の特徴は、電磁弁の閉弁応
答時間を短縮するために、前記電磁弁のソレノイドへの
通電を停止した後に前記駆動電流とは逆方向の消磁電流
を所定期間だけ前記ソレノイドに供給するのを制御する
ためのソレノイド駆動制御回路において、一方の入力に
一定電位が与えられている電圧比較手段と、前記ソレノ
イドへの通電停止制御のため通電終了タイミングで電位
がステップ的に増加する制御信号を受け取るための入力
端子と、該入力端子と前記電圧比較手段の他方の入力と
の間に設けられたコンデンサ−抵抗直列回路と、前記他
方の入力とアースとの間に設けられたコンデンサ−抵抗
並列回路とを備え、前記他方の入力の電位が前記一方の
入力の電位を上回る期間を示す信号を前記電圧比較手段
の出力から前記所定期間を示す信号として取り出すよう
にした点にある。

【００１５】ソレノイドの通電停止制御のための制御信
号のレベルが通電停止のタイミングでステップ的に増加
すると、電圧比較手段の他方の入力の電位は、コンデサ
−抵抗直列回路のために緩かに上昇する。この上昇の度
合いはコンデンサ−抵抗直列回路の時定数によって定ま
り、所定時間経過後に他方の入力の電位が一方の入力の
電位を一旦上回る。これと同時にコンデンサ−抵抗並列
回路のコンデンサに入力端子から電流が流れて充電が行
われ、他方の入力の電位が下降に転じ、再び他方の入力
の電位が一方の入力の電位を下回ることになる。この結
果、上記所定時間経過後に、所定期間だけ電圧比較手段
の出力を所定レベル状態とすることができる。

【００１６】請求項１、２のいずれの場合においても、
入力信号の振幅をＥとした場合，電圧比較手段の出力を
所定のレベル状態にする所定期間を、Ｅに所定の係数Ｋ
ｒを乗じた期間とすることができる。また、電圧比較手
段を、トランジスタ、電昇効果トランジスタ等の能動素
子を用いて構成する。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。図１は、本発明
によるソレノイド駆動制御回路の実施の形態の一例を示
す回路図である。ソレノイド駆動制御回路１０は、図１
１に示したソレノイド駆動回路１００の消磁制御信号出
力回路１１３として用いることができる回路であり、入
力端子１１に外部から印加されるソレノイドへの通電制
御のための通電制御電圧信号ＶＳに応答し、通電制御電
圧信号ＶＳのレベルが通電停止タイミングでステップ的
に低下した時点から所定時間経過後に所定期間だけ高レ
ベル状態となる逆励磁制御電圧信号ＳＲを出力する構成
である。

【００１８】ソレノイド駆動制御回路１０は電圧比較器
１２を有し、電圧比較器１２の＋入力には、定電圧直流
電源（図示せず）からの安定化直流電圧ＶCCを抵抗器１
３、１４で分圧して成る基準電圧Ｖｒが印加されてい
る。電圧比較器１２の−入力と入力端子１１との間には
コンデンサ１５と抵抗器１６とから成るコンデンサ−抵
抗直列回路ＳＣが設けられており、且つ電圧比較器１２
の−入力には、コンデンサ１７と抵抗器１８とから成る
コンデンサ−抵抗並列回路ＰＣを介して安定化直流電圧
ＶCCが印加されている。

【００１９】次に、図２を参照しながら、ソレノイド駆
動制御回路１０の動作について説明する。通電制御電圧
信号ＶＳが高レベル状態にある場合には、図示しないソ
レノイドに定電流が供給される定電流駆動期間となって
おり、ソレノイドへの通電停止タイミングｔ１において
制御電圧信号ＶＳのレベルがステップ的に低レベル状態
になる（図２（Ａ）参照）。したがって、ｔ１以前にあ
っては、入力端子１１のレベルは略安定化直流電圧ＶCC
の値に等しくなっているため、電圧比較器１２の−入力
の電位ＶＡがその＋入力の電位、すなわち基準電圧Ｖｒ
よりも高くなっており、電圧比較器１２の出力である逆
励磁制御電圧信号ＳＲは低レベル状態になっている（図
２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。この状態にあってはコンデン
サ１５、１７の充電電荷は略零となっている。

【００２０】ｔ１において通電制御電圧信号ＶＳのレベ
ルがステップ的に低レベルとなると、図２（Ｂ）に示す
ように、−入力の電位ＶＡのレベルは一旦緩やかに低下
した後、徐々に上昇する谷形のレベル変化を生じる。こ
の結果、ｔ２＜ｔ＜ｔ３の期間において、ＶＡ＜Ｖｒの
状態が生じ、この期間だけ逆励磁制御電圧信号ＳＲが高
レベル状態となる。

【００２１】図３には、図１に示したソレノイド駆動制
御回路１０の入力部の等価回路が示されている。ここ
で、Ｃ１はコンデンサ１５の容量値、Ｒ１は抵抗器１６
の抵抗値、Ｃ２はコンデンサ１７の容量値、Ｒ２は抵抗
器１８の抵抗値、Ｅは安定化直流電圧ＶCCの電圧値であ
る。スイッチＳＷは入力端子１１の電圧レベルがステッ
プ的に高レベルから低レベルに変化した状態を作り出す
ためのものであり、ｉｘは閉回路電流、Ｖｘは電圧比較
器１２の−入力の電位ＶＡの値に相当する電位である。

【００２２】ｔ＝０においてスイッチＳＷを閉じた後に
は次の方程式が成立する。 ｉｘ＝（Ｅ−Ｖｘ）／Ｒ２＋Ｃ２（ｄＶｘ／ｄｔ）・・・（１） ｄＶｘ／ｄｔ＝ｉｘ／Ｃ１＋Ｒ１（ｄｉｘ／ｄｔ）・・・（２） ここで、初期条件としてｔ＝０のときＣ１、Ｃ２の電荷
が零で、Ｖｘ＝Ｅ、ｉｘ＝Ｅ／Ｒ１を用いると、ラプラ
ス変換を用いることにより、

【数１】 ただし、

【数２】 となる。（３）式より、ｔ０のときｄＶｘ／ｄｔ＝０と
なるとすると、電圧Ｖｘの値は図４に示す通り、一旦小
さくなり、ｔ＝ｔ０のときに最小値Ｖｘmin となり、以
後Ｖｘの値が大きくなる谷形のレベル変化をすることが
判る。

【００２３】したがって、Ｖｒの値を、Ｖｘと２つの交
点を有するような一定値に定めることにより、図２の
（Ｃ）に示す如き遅延時間ＴＤを有し、そのパルス時間
幅がＷである逆励磁制御電圧信号ＳＲを得ることができ
る。ここで、遅延時間ＴＤ及びパルス時間幅ＷはＣ１、
Ｃ２、Ｒ１、Ｒ２の各値の設定により所望の値とするこ
とができる。

【００２４】逆励磁制御電圧信号ＳＲのレベルが立ち上
がることに応答してソレノイドに消磁電流を供給するた
めのスイッチ手段として、例えばサイリスタ素子のよう
に一時的にトリガを掛ければ逆励磁制御電圧信号ＳＲが
非アクティブ状態となった後もソレノイドへ電流を流し
つづけることができる自己保持型の素子を用いれば、パ
ルス時間幅Ｗに関する制御は非常に緩かなものとなるの
で、遅延時間ＴＤの値にのみ着目して設計を行うことが
できることとなり、回路の設計が容易となる。

【００２５】図５には、本発明の実施の形態の別の例が
示されている。図５に示すソレノイド駆動制御回路２０
は、ソレノイドに定電流が供給される定電流駆動期間に
あっては低レベル状態になっており、通電停止タイミン
グでステップ的に高レベル状態になる通電制御電圧信号
ＶＳＲに応答して逆励磁制御電圧信号ＳＲを出力する回
路構成となっている点で、図１に示したソレノイド駆動
回路１０と異なっている。

【００２６】ソレノイド駆動制御回路２０もまた、電圧
比較器２２を有し、定電圧直流電源（図示せず）とアー
スとの間には抵抗器２３、２４が直列に接続され、抵抗
器２３、２４との接続点の電圧ＶＢが電圧比較器２２の
−入力に与えられている。通電制御電圧信号ＶＳＲが印
加される入力端子２１と電圧比較器２２の＋入力との間
には、コンデンサ２５と抵抗器２６とから成るコンデン
サ−抵抗直列回路ＳＣＲが設けられており、且つ電圧比
較器１２の＋入力とアースとの間には、コンデンサ２７
と抵抗器２８とから成るコンデンサ−抵抗並列回路ＰＣ
Ｒが接続されている。

【００２７】次に、図６を参照しながら、ソレノイド駆
動制御回路２０の動作について説明する。通電制御電圧
信号ＶＳＲが低レベル状態にある場合には、図示しない
ソレノイドに定電流が供給される定電流駆動期間となっ
ており、ソレノイドへの通電停止タイミングｔ４におい
て通電制御電圧信号ＶＳＲのレベルがステップ的に高レ
ベル状態になる（図６（Ａ）参照）。したがって、ｔ４
以前にあっては、入力端子２１のレベルは略アースレベ
ルに等しくなっているため、電圧比較器２２の＋入力の
電位ＶＣのレベルは低く、電圧比較器２２の−入力の電
位ＶＢがその＋入力の電位ＶＣよりも高くなっており、
電圧比較器１２の出力である逆励磁制御電圧信号ＳＲは
低レベル状態になっている（図６（Ｂ）、（Ｃ）参
照）。この状態にあってはコンデンサ１５、１７の充電
電荷は略零となっている。

【００２８】ｔ４において通電制御電圧信号ＶＳＲのレ
ベルがステップ的に高レベルとなると、図６（Ｂ）に示
すように＋入力の電位ＶＣのレベルは一旦緩やかに上昇
した後、徐々に下降する山形のレベル変化を生じる。こ
の結果、ｔ５＜ｔ＜ｔ６の期間において、ＶＢ＜ＶＣの
状態が生じ、この期間だけ逆励磁制御電圧信号ＳＲが高
レベル状態となる。

【００２９】この場合における電位ＶＣのレベル変化
は、図１の回路における電位ＶＡの変化と丁度逆になる
が、遅延時間ＴＤ及びパルス時間幅Ｗの値をコンデンサ
２５、２７及び抵抗器１６、１８の各値を適宜に選択す
ることにより所望の値に設定できることは図１に示した
ソレノイド駆動回路１０の場合と同様である。

【００３０】図７には、本発明によるソレノイド駆動制
御回路の実施の形態の別の例が示されている。図７に示
したソレノイド駆動制御回路３０は、図１における電圧
比較器１２を、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ３１と
抵抗器３２とを用いて構成されたスイッチング回路３３
に置き換えたものである。したがって、図７において図
１の各部に対応しているその他の部分については同一の
符号を付してそれらの説明を省略する。

【００３１】図７に示すソレノイド駆動制御回路３０の
構成によると、制御電圧信号ＶＳのレベルがｔ７におい
て低レベルになると（図８（Ａ））、電位ＶＡのレベル
は、図８（Ｂ）に示されるように、一旦低下した後再び
安定化直流電圧ＶCCのレベルに漸近する。この結果、ト
ランジスタ３１は、電位ＶＡにより定まるベース電圧が
そのエミッタ電圧からトランジスタ３１の作動に必要な
一定しきい値電圧以上低下している期間（ｔ８＜ｔ＜ｔ
９）だけオンとなる。これにより、抵抗器３２から図８
（Ｃ）に示すような逆励磁制御電圧信号ＳＲが出力され
る。

【００３２】図７のソレノイド駆動制御回路３０の構成
による場合も、逆励磁制御電圧信号ＳＲにより動作する
スイッチング素子としてサイリスタを使用すればパルス
時間幅Ｗに関する制約が緩くなり、回路設計が簡単にな
る。この回路は構成が簡単であるから、回路規模をより
一層小さくすることができるという利点を有している。

【００３３】ところで、図７に示したソレノイド駆動制
御回路３０は、通電制御電圧信号ＶＳの非アクティブ期
間が短いと、コンデンサ１５、１７の放電が不充分なま
ま回路が動作しはじめるので、逆励磁制御電圧信号ＳＲ
における遅延時間ＴＤ及びパルス時間幅Ｗの値が設計値
と異なってしまうという問題を生じる可能性がある。

【００３４】図９に示すソレノイド駆動制御回路３０’
は、これに対処するためソレノイド駆動制御回路３０に
ダイオード３４を図示の如く追加したものである。この
構成によると、通電制御電圧信号ＶＳが非アクティブと
なるとコンデンサ１５の電荷はダイオード３４を介して
電源に急速に放出される。したがって、コンデンサ１７
の電荷も急速に放電されることになる。

【００３５】このため、電位ＶＡのレベルは、図１０
（Ｂ）に示されるように、通電制御電圧信号ＶＳのレベ
ルがステップ的に高レベル（非アクティブ）となった場
合、急速に安定化直流電圧ＶCCのレベルに戻ることにな
る。これに対し、ダイオード３４を設けない図７の構成
の場合には、電位ＶＡのレベルは図１０（Ｂ）に点線で
示されるように変化するので、安定化直流電圧ＶCCのレ
ベルに戻る前の時点、例えば、ｔｘにおいて通電制御電
圧信号ＶＳのレベルが再びアクティブになると、コンデ
ンサ１５、１７の電荷が零になる前にその充電動作が再
開されてしまい、遅延時間ＴＤ、パルス時間幅Ｗが共に
短縮されてしまうことになる。なお、ダイオード３４
は、トランジスタ３１のベースと電源との間に点線で示
されるように接続してもよい。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、上述の如く、従来の回
路に比べて部品点数が少なくなり、コストの低下を期待
することができる。また、回路規模が小さくなるので実
装サイズを小さくすることが可能である。さらに、部品
点数の減少を図ることができることにより、消費電力を
低く抑えることができる。そのほか、本発明では、計時
機能に影響を与える要因が少なくなるので、動作の不安
定要因が減少し、安定な動作を期待することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるソレノイド駆動制御回路の実施の
形態の一例を示す回路図。

【図２】図１に示すソレノイド駆動制御回路の動作を説
明するための各部の信号の波形図。

【図３】図１に示すソレノイド駆動制御回路の入力回路
の等価回路図。

【図４】図１の回路における電圧信号のレベル変化の状
態を説明するためのグラフ。

【図５】本発明によるソレノイド駆動制御回路の実施の
形態の他の例を示す回路図。

【図６】図５に示すソレノイド駆動制御回路の動作を説
明するための各部の信号の波形図。

【図７】本発明によるソレノイド駆動制御回路の実施の
形態の別の例を示す回路図。

【図８】図７に示すソレノイド駆動制御回路の動作を説
明するための各部の信号の波形図。

【図９】図７に示したソレノイド駆動制御回路の変形例
を示す回路図。

【図１０】図９に示したソレノイド駆動制御回路の動作
を説明するための波形図。

【図１１】従来のソレノイド駆動回路構成の一例を示す
ブロック図。

【図１２】図１１に示したソレノイド駆動回路の動作を
説明するための各部の信号の波形図。

【符号の説明】

１０、２０、３０ ソレノイド駆動制御回路 １１、２１ 入力端子 １２ 電圧比較器 １３、１４、１６、１８、２６，２８ 抵抗器 １５、１７、２５，２７ コンデンサ ２２ 電圧比較器 ３１ バイポーラトランジスタ ３３ スイッチング回路 ＰＣ，ＰＣＲ コンデンサ−抵抗並列回路 ＳＣ、ＳＣＲ コンデンサ−抵抗直列回路 ＳＲ 逆励磁制御電圧信号 ＴＤ 遅延時間 ＶCC 安定化直流電圧 Ｖｒ 基準電圧 ＶＳ、ＶＳＲ 通電制御電圧信号 Ｗ パルス時間幅

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電磁弁の閉弁応答時間を短縮するため
   に、前記電磁弁のソレノイドへの通電を停止した後に前
   記駆動電流とは逆方向の消磁電流を所定期間だけ前記ソ
   レノイドに供給するのを制御するためのソレノイド駆動
   制御回路において、 前記ソレノイドへの通電停止制御のため通電終了タイミ
   ングで電位がステップ的に変化する制御信号に応答して
   レベルが山形又は谷形に変化する出力電圧を出力する充
   電回路と、 該出力電圧を所定の基準電圧とレベル比較して前記通電
   終了タイミングから所定時間経過後において前記所定期
   間だけアクティブ状態となる制御信号を出力する電圧レ
   ベル比較手段とを備えて成ることを特徴とするソレノイ
   ド駆動制御回路。
2. 【請求項２】 電磁弁の閉弁応答時間を短縮するため
   に、前記電磁弁のソレノイドへの通電を停止した後に前
   記駆動電流とは逆方向の消磁電流を所定期間だけ前記ソ
   レノイドに供給するのを制御するためのソレノイド駆動
   制御回路において、 一方の入力に一定電位が与えられている電圧比較手段
   と、 前記ソレノイドへの通電停止制御のため通電終了タイミ
   ングで電位がステップ的に低下する制御信号を受け取る
   ための入力端子と、 該入力端子と前記電圧比較手段の他方の入力との間に設
   けられたコンデンサ−抵抗直列回路と、 前記他方の入力と所定の一定レベルの電圧を供給する直
   流電源との間に設けられたコンデンサ−抵抗並列回路と
   を備え、前記他方の入力の電位が前記一方の入力の電位
   を下回る期間を示す信号を前記電圧比較手段の出力から
   前記所定期間を示す信号として取り出すようにしたこと
   を特徴とするソレノイド駆動制御回路。
3. 【請求項３】 電磁弁の閉弁応答時間を短縮するため
   に、前記電磁弁のソレノイドへの通電を停止した後に前
   記駆動電流とは逆方向の消磁電流を所定期間だけ前記ソ
   レノイドに供給するのを制御するためのソレノイド駆動
   制御回路において、 一方の入力に一定電位が与えられている電圧比較手段
   と、 前記ソレノイドへの通電停止制御のため通電終了タイミ
   ングで電位がステップ的に増加する制御信号を受け取る
   ための入力端子と、 該入力端子と前記電圧比較手段の他方の入力との間に設
   けられたコンデンサ−抵抗直列回路と、 前記他方の入力とアースとの間に設けられたコンデンサ
   −抵抗並列回路とを備え、前記他方の入力の電位が前記
   一方の入力の電位を上回る期間を示す信号を前記電圧比
   較手段の出力から前記所定期間を示す信号として取り出
   すようにしたことを特徴とするソレノイド駆動制御回
   路。
4. 【請求項４】 電磁弁の閉弁応答時間を短縮するため
   に、前記電磁弁のソレノイドへの通電を停止した後に前
   記駆動電流とは逆方向の消磁電流を所定期間だけ前記ソ
   レノイドに供給するのを制御するためのソレノイド駆動
   制御回路において、 スイッチングトランジスタを含んで成り安定化直流電源
   から直流電力の供給を受けているスイッチング回路と、 前記ソレノイドへの通電停止制御のため通電終了タイミ
   ングでステップ的に低下する制御信号を受け取るための
   入力端子と、 該入力端子と前記スイッチングトランジスタの制御電極
   との間に設けられたコンデンサ−抵抗直列回路と、 前記制御電極と前記安定化直流電源との間に設けられた
   コンデンサ−抵抗並列回路と、を備えて成ることを特徴
   とするソレノイド駆動制御回路。
5. 【請求項５】 前記制御信号のレベルがステップ的に増
   加した場合に、前記コンデンサ−抵抗直列回路のコンデ
   ンサの電荷を前記安定化直流電源に急速に逃がすための
   ダイオード回路をさらに備えた請求項４に記載のソレノ
   イド駆動制御回路。