JPH10162431A

JPH10162431A - 光ディスク

Info

Publication number: JPH10162431A
Application number: JP8318184A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kikuchi; 稔菊地
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-11-28
Filing date: 1996-11-28
Publication date: 1998-06-19

Abstract

(57)【要約】【課題】４８０ｎｍの波長の光及び７８０ｎｍの波長
の光のいずれかを用いたときでも、良好な記録再生特性
を有する光ディスクを提供する。【解決手段】波長が７８０ｎｍの光又は波長が４８０
ｎｍの光のうちいずれの光に対しても、記録層５が結晶
状態のときの光吸収率よりも記録層５がアモルファス状
態のときの光吸収率のほうが小であり、且つ、記録層５
が結晶状態のときの反射率と記録層５がアモルファス状
態のときの反射率との差の絶対値が０．１５以上であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶状態とアモル
ファス状態とを可逆的に変化する記録層を有する光ディ
スクに関し、特に、約７８０ｎｍ又は約４８０ｎｍの波
長の光によって記録、再生及び消去することができる光
ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光の照射によって情報信号の記
録、再生及び消去を行う光ディスクとして、光磁気ディ
スクや相変化型光ディスク等が知られている。この中で
も、相変化型光ディスクは、外部磁場を発生する手段を
必要としないために記録再生装置を小型化することがで
き、且つ、情報信号のオーバーライトが容易に行えるこ
とから注目を集めている。

【０００３】これらの光ディスクは、いずれもポリカー
ボネート等のプラスチック又はガラス製の透明基板上に
記録層等が積層されてなるような構成を有する。この相
変化型光ディスクでは、所定のレーザ光を記録層に照射
することによって、照射された部分の記録層を構成する
材料が結晶状態及びアモルファス状態を可逆的に変化す
ることとなる。

【０００４】具体的に、相変化型光ディスクでは、先
ず、初期化状態として、記録層が結晶状態とされる。そ
して、この相変化型光ディスクに情報信号を記録する
際、記録層に対して強いパワーを有するレーザ光を照射
する。これによって、このレーザ光が照射された部分
は、融点以上に昇温されることとなり、その後、冷却さ
れてアモルファス状態となる。

【０００５】また、この相変化型光ディスクでは、記録
層に記録された情報信号を消去する際、記録時に照射し
たレーザ光よりも弱いレーザ光を照射することによっ
て、記録層の温度を融点以下、結晶化温度以上に昇温す
る。これによって、このレーザ光が照射された部分は、
前の状態に関係なく結晶状態となる。

【０００６】さらに、この相変化型光ディスクでは、記
録層に記録された情報信号が再生される際、最も弱いレ
ーザ光が記録層に照射される。このとき、照射される部
分が結晶状態かアモルファス状態かによって、照射され
るレーザ光の反射率が変化する。これは、結晶状態の光
学定数とアモルファス状態の光学定数との違いに起因す
る。そして、この反射率を検出することによって、情報
信号を再生する。

【０００７】一方、このような光ディスクにおいては、
記録層に記録用のレーザ光を照射し記録マークを形成す
る際、記録マークの中心に情報信号を持たせるマークポ
ジション記録方式と、記録マークの両端部に情報信号を
持たせるマークエッジ記録方式とがある。

【０００８】上述したような、従来の相変化型光ディス
ク１０は、図３に示すように、透明基板１１と、第１の
誘電体層１２と、記録層１３と、第２の誘電体層１４
と、反射層１５と、保護層１６とをこの順で積層してな
る。この相変化型光ディスク１０において、記録層１３
を構成する材料としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料及びＩｎ−Ｓｅ系材料が挙
げられる。また、第１の誘電体層１２及び第２の誘電体
層１４は、記録層１３の酸化防止及び多重干渉による信
号の増幅効果のために配される層であり、例えば、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂膜又はＳｉＮ膜からなる。さらに、反射層
１５は、Ａｌ又はＡｕ等からなる。これらいずれの層
も、真空蒸着法、スパッタリング法等の手法により成膜
される。さらにまた、保護層１６は、紫外線硬化樹脂か
らなる。

【０００９】ところで、このような相変化型の光ディス
ク１０では、記録層１３が結晶状態かアモルファス状態
かによって、記録層１３の光吸収率が異なる。相変化型
の光ディスク１０では、記録層１３の光吸収率が異なる
と、レーザ光が照射される際に形成されるスポットの形
状が異なる。すなわち、この相変化型の光ディスク１０
では、照射される部分が結晶状態かアモルファス状態か
によって、記録マークの形状が異なってしまうこととな
る。そして、このような相変化型の光ディスク１０で
は、新たに情報信号の書き換えを行うと、記録マークの
形状にばらつきが生じるために、ジッターが増加するこ
ととなる。

【００１０】相変化型の光ディスク１０では、高密度記
録化を図る目的で上述したようなマークエッジ記録方式
が採用されると、上述したようにジッターが発生するた
め、正確に情報信号が記録再生されないといった問題点
があった。この問題点を解決するためには、結晶状態と
アモルファス状態といずれの場合でも光吸収率を等しく
することが必要である。具体的には、特開平１−１４９
２３８号公報に記載されているように、反射層１５とし
て膜厚が２０ｎｍのＡｕを用いることによって、光吸収
率を等しくしていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな光ディスク１０においては、７８０ｎｍの波長のレ
ーザ光が用いられている。そして、より高密度記録化を
図るためには、記録マークを形成するレーザ光のスポッ
トサイズを小さくすることが考えられる。このスポット
サイズは、レーザ光の波長に比例して小さくなる。この
ため、現在、４８０ｎｍの波長のレーザ光を用いる検討
が盛んに行われている。光ディスク１０において、４８
０ｎｍの波長のレーザ光が用いられると、スポットサイ
ズは、７８０ｎｍの波長のレーザ光の場合と比較して約
６０％小さくなる。これは、記録密度が、従来より約
２．６倍向上することとなり、より高密度記録化が実現
されることとなる。

【００１２】しかしながら、上述した相変化型の光ディ
スク１０では、記録層１３の結晶状態とアモルファス状
態とにおける光吸収率が波長依存性を有している。すな
わち、相変化型の光ディスク１０では、７８０ｎｍの波
長のレーザ光に対してジッタが増加しないように光吸収
率を最適化したとしても、他の波長のレーザ光に対して
記録再生に適した光吸収率を有するとは限らない。した
がって、特開平１−１４９２３８号公報に記載される光
ディスクは、７８０ｎｍの波長のレーザ光と４８０ｎｍ
の波長のレーザ光とに対してジッタが増加しないように
光吸収率を最適化されたものではなかった。

【００１３】従来の相変化型の光ディスク１０におけ
る、照射されるレーザ光の波長と光吸収率との関係を図
４に示す。この図４において、記録層１３が結晶状態の
ときの光吸収率をＡａで示し、記録層１３がアモルファ
ス状態のときの光吸収率をＡｃで示す。この図４から明
らかなように、７８０ｎｍの波長のレーザ光では、Ａａ
とＡｃとの関係が最適化されているが、４８０ｎｍの波
長のレーザ光では、ＡａとＡｃとの差が大きくなってい
る。このように、従来の相変化型の光ディスク１０で
は、７８０ｎｍの波長のレーザ光と４８０ｎｍの波長の
レーザ光とで良好な光吸収率を示すような記録層１３を
有していなかった。したがって、従来の相変化型の光デ
ィスク１０は、短波長のレーザ光を用いることによっ
て、さらなる高密度記録化を達成することができなかっ
た。

【００１４】また、上述したような相変化型の光ディス
ク１０では、情報信号を再生する際、記録層１３が結晶
状態のときの反射率（以下、Ｒｃとする。）と、記録層
１３がアモルファス状態のときの反射率（以下、Ｒａと
する。）との差（以下、△Ｒとする。）を検出してい
た。したがって、この相変化型の光ディスク１０では、
高いＣ／Ｎを達成するために、各反射率Ｒｃ、Ｒａの差
△Ｒを大きくすることが必要である。

【００１５】上述したように、相変化型の光ディスク１
０において、７８０ｎｍの波長のレーザ光と４８０ｎｍ
の波長のレーザ光とを用いる場合、それぞれの波長にお
いて、反射率Ｒｃ及び反射率Ｒａの差△Ｒを所望の値に
する必要がある。具体的には、高いＣ／Ｎを達成するた
めには、△Ｒの絶対値が０．１５以上であることが好ま
しい。

【００１６】従来の相変化型の光ディスク１０におけ
る、照射されるレーザ光の波長と反射率との関係を図５
に示す。この図５から明らかなように、反射率Ｒｃと反
射率Ｒａとの差△Ｒは、７８０ｎｍの波長のレーザ光を
用いた場合、０．１５以上の値を取るが、４８０ｎｍの
波長のレーザ光を用いた場合、０．１５以下の値を取
る。このように、従来の相変化型の光ディスク１０で
は、７８０ｎｍの波長のレーザ光では良好なＣ／Ｎを達
成することができるが、４８０ｎｍの波長のレーザ光で
はＣ／Ｎが低下してしまう。したがって、従来の相変化
型の光ディスク１０は、短波長のレーザ光を用いること
によって、さらなる高密度記録化を達成した上で、良好
な記録再生特性を達成することができなかった。

【００１７】そこで、本発明は、上述したような実情に
鑑みて提案されたものであり、４８０ｎｍの波長の光及
び７８０ｎｍの波長の光のいずれかを用いたときでも、
それぞれの波長に対して良好な記録再生特性を有する光
ディスクを提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
は、結晶状態とアモルファス状態とを可逆的に変化する
記録層を備えた光ディスクであって、波長が７８０ｎｍ
の光又は波長が４８０ｎｍの光のうちいずれの光に対し
ても、上記記録層が結晶状態のときの光吸収率よりも上
記記録層がアモルファス状態のときの光吸収率のほうが
小であり、且つ、上記記録層が結晶状態のときの反射率
と上記記録層がアモルファス状態のときの反射率との差
の絶対値が０．１５以上である。

【００１９】以上のように構成された本発明に係る光デ
ィスクでは、アモルファス状態と比較して融解潜熱の大
きい結晶状態のとき、記録層が大きな光吸収率を有する
ように構成されている。このため、この光ディスクで
は、レーザ光がアモルファス状態の領域又は結晶状態の
領域のいずれに照射された場合でも、レーザ光のスポッ
トサイズが変化することなく一定となる。したがって、
この光ディスクでは、７８０ｎｍ又は４８０ｎｍの波長
の光のうちいずれの光が使用されても、ジッタが増加す
ることはない。

【００２０】また、この光ディスクは、記録層がアモル
ファス状態のときと結晶状態のときとの反射率の差の絶
対値が０．１５以上とされるために、高いＣ／Ｎを示す
こととなる。したがって、この光ディスクは、４８０ｎ
ｍの波長の光及び７８０ｎｍの波長の光のいずれかを用
いたときでも、良好な記録再生特性を有する。

【００２１】また、本発明に係る光ディスクは、透明基
板上に形成された光吸収層と、この光吸収層上に形成さ
れた第１の誘電体層と、この第１の誘電体層上に形成さ
れた上記記録層と、上記記録層上に形成された第２の誘
電体層と、この第２の誘電体層上に形成された反射層と
を備えるような構成であって好適である。

【００２２】以上のように構成された光ディスクでは、
記録層に照射される光の反射率及び光吸収率を所定の値
とするために、光吸収層が配されている。この光ディス
クでは、光吸収層が第１の誘電体層を介して記録層上に
積層されるため、照射された光が多重干渉を起こす。そ
して、この光吸収層は、多重干渉を起こした光を吸収す
る。このとき、光吸収層は、記録層が結晶状態かアモル
ファス状態かにより多重干渉の条件が異なるために、異
なる光量を吸収することができる。これにより、記録層
が結晶状態である場合には、記録層がアモルファス状態
である場合と比較して、より多くのレーザ光のエネルギ
ーが吸収されることになる。これにより、この光ディス
クでは、記録層の状態にかかわらず、均一なスポットサ
イズで記録マークが形成される。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光ディスクの
具体的な実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。

【００２４】本実施の形態に係る光ディスク１は、図１
に示すように、ポリカーボネート等からなる透明基板２
と、この透明基板２上に形成されてＡｌ又はＳｉからな
る光吸収層３と、この光吸収層３上に形成されてＺｎＳ
−ＳｉＯ₂等からなる第１の誘電体層４と、この第１の
誘電体層４上に形成されてＧｅＳｂＴｅ系材料からなる
記録層５と、この記録層５上に形成されてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂等からなる第２の誘電体層６と、この第２の誘電体
層６上に形成されてＡｌ等からなる反射層７と、この反
射層７上に形成されて紫外線硬化樹脂からなる保護層８
とから構成されている。

【００２５】以上のように構成された光ディスク１は、
記録再生装置に装着され、７８０ｎｍ又は４８０ｎｍの
波長のレーザ光が照射されることにより、情報信号の記
録、消去及び再生が行われる。この光ディスクにおい
て、これらのレーザ光は、図２に示すように、透明基板
２側から記録層５に対して照射されて情報信号を記録、
消去及び再生する。この記録層５を構成するＧｅＳｂＴ
ｅ系材料は、融点以上の温度に昇温された後に冷却され
るとアモルファス状態となり、これに対して、融点以下
で且つ結晶化温度以上に昇温された後に冷却されると結
晶状態となる。そして、この記録層５は、レーザ光が照
射される際、アモルファス状態であるか結晶状態である
かによって、異なった反射率Ｒａ及びＲｃを示す。

【００２６】この光ディスクは、７８０ｎｍ又は４８０
ｎｍの波長のレーザ光のうちいずれかが照射される場合
でも、記録層５が結晶状態の場合の光吸収率（以下、Ａ
ｃとする。）よりも記録層５がアモルファス状態の場合
の光吸収率（以下、Ａａとする。）の方が小とされる。
すなわち、この光ディスク１は、Ａｃ−Ａａ≧０なる関
係を有する。また、この光ディスクでは、記録層５が結
晶状態の場合の反射率（以下、Ｒｃとする。）と記録層
５がアモルファス状態の場合の反射率（以下、Ｒａとす
る。）との差の絶対値が０．１５以上とされる。

【００２７】この光ディスク１は、情報信号が記録され
る前の初期化状態において、記録層５が均一な結晶状態
となるように形成されている。この光ディスク１では、
情報信号を記録する際、記録層５に対して所定の強度を
有するレーザ光が照射される。このレーザ光は、記録層
５上の情報信号を書き込む領域に対して所定のスポット
サイズで照射される。そして、このレーザ光が所定のス
ポットサイズで照射された記録層５上の領域は、融点以
上の温度に昇温されることとなる。そして、その後、冷
却されることによって、この領域は、アモルファス状態
となる。このように、この光ディスク１では、情報信号
がアモルファス状態の記録マークとして記録される。

【００２８】また、この光ディスク１では、同様にレー
ザ光が照射されることによって、情報信号が書き換えら
れる。このとき、レーザ光は、記録層５が結晶状態であ
るかアモルファス状態であるかにかかわらず、記録する
情報信号にしたがって照射される。この光ディスク１で
は、７８０ｎｍ又は４８０ｎｍの波長のレーザ光のうち
いずれかが用いられた場合でもＡｃ−Ａａ≧０なる関係
を有している。このため、この光ディスク１では、アモ
ルファス状態の領域よりも融解潜熱が大きい結晶状態の
領域がより多くのエネルギーを吸収することになる。し
たがって、この光ディスク１において、レーザ光のスポ
ットサイズは、記録層５が結晶状態であるかアモルファ
ス状態であるかにかかわらず、それぞれ一定の形状とな
る。したがって、この光ディスク１では、記録層５の状
態によりスポットサイズが変化することなく、７８０ｎ
ｍ又は４８０ｎｍの波長のレーザ光を使用することがで
きる。

【００２９】この光ディスク１では、上述したように、
７８０ｎｍの波長のレーザ光又は４８０ｎｍの波長のレ
ーザ光が使用されるために、各レーザ光においてＡｃ−
Ａａ≧０なる関係を示すように光吸収層３が配されてい
る。これらのレーザ光は、この光吸収層３を介して記録
層５に照射されることとなるために、記録層５がアモル
ファス状態か結晶状態化により異なる条件下で多重干渉
される。したがって、この光吸収層３は、記録層５がア
モルファス状態か結晶状態かによって、照射されるレー
ザ光のうちで異なる量のレーザ光を吸収する。なお、光
吸収層３は、その膜厚を制御することによって、吸収す
るレーザ光の光量を制御することができる。

【００３０】また、この光ディスク１では、上述したよ
うに記録された情報信号を消去する際、消去用のレーザ
光が記録層５に対して照射される。この消去用のレーザ
光は、記録層５に照射されると、照射された領域を融点
以下で且つ結晶化温度以上に昇温する。消去用のレーザ
光が照射された領域は、その後、冷却されることにより
結晶状態となる。このように、この光ディスクでは、情
報信号として書き込まれたアモルファス状態の記録マー
クを結晶状態とすることによって、情報信号が消去され
る。

【００３１】一方、この光ディスク１において、上述し
たように書き込まれた情報信号を再生する際、記録層５
に対して再生用のレーザ光が照射される。この再生用の
レーザ光は、記録層５に対して照射されても、記録層５
の温度を結晶化温度以上に昇温することはない。この光
ディスク１では、７８０ｎｍ又は４８０ｎｍの波長のレ
ーザ光のうちいずれかが用いられた場合でも、ＲｃとＲ
ａとの差の絶対値が０．１５以上とされる。このため、
記録層５に対して照射されたレーザ光は、照射される領
域が結晶状態かアモルファス状態かによって、大きく異
なる反射率を示すこととなる。これにより、光ディスク
１は、７８０ｎｍ又は４８０ｎｍの波長のレーザ光のう
ちいずれかが用いられた場合でも高いＣ／Ｎを示すこと
となる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を適用して実際に作製した実施
例について説明する。ここでは、実施例として、実施例
１乃至実施例３を作製した。また、これらの実施例と比
較するために、比較例１として従来の光ディスクも作製
した。

【００３３】上述したような光ディスク１において、各
層を構成する材料は、７８０ｎｍの波長のレーザ光又は
４８０ｎｍの波長のレーザ光が使用される際、表１に示
すような光学定数（ｎ，ｋ）を有する。この光学定数
（ｎ，ｋ）は、吸収性の媒質の光学的性質を表す定数で
あり、ｎが屈折率を表し、ｋが消衰係数を表す。このよ
うな材料を用いて、実施例１乃至実施例３と比較例１と
が形成される。

【００３４】

【表１】

【００３５】この実施例１は、光吸収層３がＡｌからな
るものとして形成され、実施例２及び実施例３は、光吸
収層３がＳｉからなるものとして形成された。また、比
較例１は、光吸収層を有さないような構成とされる。こ
のとき、各実施例において、光吸収層３は、特に、７８
０ｎｍの波長のレーザ光又は４８０ｎｍの波長のレーザ
光が使用される際、光ディスク１が各レーザ光において
Ａｃ−Ａａ≧０なる関係を示すような膜厚とされた。具
体的には、表１に示す光学定数から各層の膜厚を算出
し、表２に示すような膜厚とした。なお、これら実施例
１乃至実施例３と比較例１とにおいて、保護層は、平均
膜厚が１５μｍとされる紫外線硬化樹脂により形成され
た。

【００３６】

【表２】

【００３７】このように構成された実施例１乃至実施例
３と比較例１の光ディスクは、７８０ｎｍの波長のレー
ザ光又は４８０ｎｍの波長のレーザ光が使用される際、
表３に示すような光吸収率差（△Ａ）及び反射率差（△
Ｒ）を示す。ここで、光吸収差△Ａとは、Ａｃ−Ａａの
ことであり、反射率差△Ｒとは、Ｒｃ−Ｒａのことであ
る。

【００３８】

【表３】

【００３９】この表３から明らかなように、実施例１乃
至実施例３に示す光ディスクは、７８０ｎｍの波長のレ
ーザ光又は４８０ｎｍの波長のレーザ光いずれが使用さ
れた場合でも、△Ａが０以上とされており、△Ｒの絶対
値が０．１５以上となっている。これに対して、比較例
１に示す従来の光ディスクは、４８０ｎｍの波長のレー
ザ光が使用される場合、△Ａが０以下の値を示し、△Ｒ
の絶対値が０．１５以下の値を示している。

【００４０】以上の用に作製された実施例１乃至実施例
３及び比較例１に対して、それぞれの記録層が均一な結
晶状態となるように初期化処理を施した。このように初
期化された各光ディスクに対して、１回記録した場合
と、オーバーライト１０００回行った場合とのジッタを
測定した。ここで、ジッタとは、照射されるレーザ光の
スポットサイズにより形成される記録マーク形状の変化
を示す値であり、その変化を割合として示す値である。

【００４１】このとき、実施例１乃至実施例３及び比較
例１の光ディスクは、７８０ｎｍの波長のレーザ光を出
射する記録再生装置と４８０ｎｍの波長のレーザ光を出
射する記録再生装置とによりそれぞれ記録される。この
７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射する記録再生装置
は、記録パワーＰｈ＝１２ｍＷ、Ｐｌ＝６ｍＷ、線速
２．４ｍ／ｓ、１チャンネルクロック＝１２０ｎｓｅｃ
の条件下でＥＦＭランダムパターンを記録する。また、
この４８０ｎｍの波長のレーザ光を出射する記録再生装
置は、記録パワーＰｈ＝１２ｍＷ、Ｐｌ＝６ｍＷ、線速
２．４ｍ／ｓ、１チャンネルクロック＝７４ｎｓｅｃの
条件下でＥＦＭランダムパターンを記録する。ここで、
Ｐｈは、アモルファス状態の記録マークを形成するとき
のレーザ光の強度であり、Ｐｌは、記録マークの有無に
かかわらず結晶状態に消去するときのレーザ光の強度を
示す。

【００４２】実施例１乃至実施例３及び比較例１に関し
て、ジッタを測定した結果を表４に示す。

【００４３】

【表４】

【００４４】この表４から明らかなように、比較例１の
従来の光ディスクは、４８０ｎｍの波長のレーザ光を用
いて１０００回のオーバーライトを行うと、ジッタの値
が１３％に達する。これに対して、実施例１乃至実施例
３の光ディスクは、７８０ｎｍの波長のレーザ光及び４
８０ｎｍの波長のレーザ光いずれを用いた場合でも、１
０００回のオーバーライトを行った後のジッタが顕著に
増加していない。

【００４５】すなわち、本発明を適用した光ディスク
は、７８０ｎｍ又は４８０ｎｍの波長のレーザ光のうち
いずれのレーザ光を用いて多数回のオーバーライトを行
った後でも、ほぼ一定の形状を示す記録マークを有す
る。このため、本発明に係る光ディスクは、いずれのレ
ーザ光においても、良好な記録再生特性を有する。

【００４６】特に、この光ディスクでは、４８０ｎｍの
波長のレーザ光を用いた場合、形成される記録マーク
が、７８０ｎｍの波長のレーザ光を用いた場合と比較し
て約６０％小さくなる。その結果、この光ディスクで
は、記録密度が７８０ｎｍの波長を用いた場合と比較し
て約２．６倍向上することになる。

【００４７】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る光ディスクでは、７８０ｎｍ又は４８０ｎｍの波長
のレーザ光のうちいずれを用いた場合でも、Ａｃよりも
Ａａの方が小とされ、且つＲｃとＲａとの差の絶対値が
０．１５以上とされる。これにより、この光ディスクで
は、いずれの波長のレーザ光を用いた場合でも、多数回
のオーバーライトを行ってもジッタが増加することはな
い。したがって、本発明に係る光ディスクは、７８０ｎ
ｍの波長のレーザ光及び４８０ｎｍのレーザ光の両方に
対して良好な記録再生特性を有することとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ディスクの要部断面図である。

【図２】記録層にレーザ光が照射された状態を概略的に
示す要部断面図である。

【図３】従来の光ディスクの要部断面図である。

【図４】記録層に照射されるレーザ光の波長と光吸収率
との関係を示す特性図である。

【図５】記録層に照射されるレーザ光の波長と反射率と
の関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１光ディスク、２透明基板、３光吸収層、４第
１の誘電体層、５記録層、６第２の誘電体層、７
反射層、８保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】結晶状態とアモルファス状態とを可逆的
に変化する記録層を備えた光ディスクにおいて、波長が７８０ｎｍの光又は波長が４８０ｎｍの光のうち
いずれの光に対しても、上記記録層が結晶状態のときの
光吸収率よりも上記記録層がアモルファス状態のときの
光吸収率のほうが小であり、且つ、上記記録層が結晶状
態のときの反射率と上記記録層がアモルファス状態のと
きの反射率との差の絶対値が０．１５以上であることを
特徴とする光ディスク。
【請求項２】透明基板上に形成されて照射される光の
一部を吸収する光吸収層と、この光吸収層上に形成され
た第１の誘電体層と、この第１の誘電体層上に形成され
た上記記録層と、上記記録層上に形成された第２の誘電
体層と、この第２の誘電体層上に形成されて照射される
光を反射する反射層とを備えることを特徴とする請求項
１記載の光ディスク。
【請求項３】上記光吸収層は、Ａｌ合金又はＳｉを主
体とすることを特徴とする請求項２記載の光ディスク。