JPH10161270A - 熱現像記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 黒ポツがなく、完全乾式処理で写真製版分野
で利用できる高いＤｍａｘと階調を有する画像を形成し
うる熱現像記録材料を提供する。 【解決手段】 少なくとも１層の画像形成層を有する熱
現像記録材料に、特定構造のヒドラジン誘導体と一般式
（Ｉ）、（II）の化合物を併用する。 【化２７】 ［一般式（１）中ＥＷＤは電子吸引性基を表し、
Ｒ₁₀₀、Ｒ₂₀₀およびＲ₃₀₀は各々水素原子または１価の
置換基を表す。但し、Ｒ₁₀₀およびＲ₂₀₀のうちの少なく
とも一方は１価の置換基である。一般式（II）中Ｒ₄₀₀
は１価の置換基を表す。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は熱現像記録材料に関
し、特に印刷製版用に適している熱現像感光材料に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】熱現像処理法を用いて写真画像を形成す
る熱現像感光材料は、例えば米国特許第３１５２９０４
号、同３４５７０７５号、およびＤ．モーガン(Morgan)
とＢ．シェリー(Shely) による「熱によって処理される
銀システム(Thermally Processed Silver Systems)」
（イメージング・プロセッシーズ・アンド・マテリアル
ズ(Imaging Processes and Materials) Neblette第８
版、スタージ(Sturge)、Ｖ．ウォールワース(Walwort
h)、Ａ．シェップ(Shepp) 編集、第２頁、１９６９年に
開示されている。

【０００３】このような熱現像感光材料は、還元可能な
銀源（例えば有機銀塩）、触媒活性量の光触媒（例えば
ハロゲン化銀）、銀の色調を制御する色調剤および還元
剤を通常バインダーマトリックス中に分散した状態で含
有している。熱現像感光材料は常温で安定であるが、露
光後高温（例えば、８０℃以上）に加熱した場合に還元
可能な銀源（酸化剤として機能する）と還元剤との間の
酸化還元反応を通じて銀を生成する。この酸化還元反応
は露光で発生した潜像の触媒作用によって促進される。
露光領域中の有機銀塩の反応によって生成した銀は黒色
画像を提供し、これは非露光領域と対照をなし、画像の
形成がなされる。

【０００４】このような熱現像感光材料は、マイクロ用
感光材料や、レントゲン用等の医療用感光材料に使われ
てきたが、印刷用感光材料としては一部で使われている
のみである。それは、得られる画像のＤｍａｘが低く、
階調が軟調なために、印刷用感光材料としては画質が著
しく悪いからであった。

【０００５】一方、近年レーザーや発光ダイオードの発
達により、６００〜８００nmに発振波長を有するスキャ
ナーやイメージセッターが広く普及し、これらの出力機
に適性を有する、感度、Ｄｍａｘが高く、かつ硬調な感
材の開発が強く望まれていた。また、簡易処理、ドライ
化への要求も強くなっている。

【０００６】ところで、米国特許第３６６７９５８号に
は、ポリヒドロキシベンゼン類とヒドロキシルアミン
類、レダクトン類またはヒドラジン類を併用した熱現像
感光材料が高い画質識別性と解像力を有することが記載
されているが、この還元剤の組合せはカブリの上昇を引
き起こしやすいことがわかった。

【０００７】また米国特許第５４９６６９５号には、有
機銀塩、ハロゲン化銀、ヒンダードフェノール類、およ
びある種のヒドラジン誘導体を含む熱現像感光材料が開
示されている。しかし、これらのヒドラジン誘導体にお
いては、十分満足な最高到達濃度、あるいは超硬調性が
得られないことがわかってきた。

【０００８】さらに米国特許第５５４５５１５号には、
アクリロニトリル類をCo-developerとして用いる例が示
されているが、ここで用いられたヒドラジン化合物で
は、十分満足な硬調性が得られず、また黒ポツの発生が
見られた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は黒ポツ
の発生がなく、感度、Ｄｍａｘの高い熱現像記録材料を
提供することである。特に、画質がよく、湿式処理が必
要ない完全ドライ処理の印刷製版用感光材料を提供する
ことである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（４）の本発明により達成される。 （１） 少なくとも１層の画像形成層を有する熱現像記
録材料において、有機銀塩と、還元剤と、下記一般式
（１）から一般式（９）で表されるヒドラジン誘導体の
うちの少なくとも１つと、下記一般式（Ｉ）および（I
I）で表される化合物のうちの少なくとも１つとを含有
することを特徴とする熱現像記録材料。

【００１１】

【化３】

【００１２】［一般式（１）においてＹ₁₀はニトロ基、
メトキシ基、アルキル基またはアセトアミド基を表し、
Ｘ₁₀はＹ₁₀で表される置換基を除く１価の置換基を表
す。ｍ₁₀は0 〜5 の整数であり、ｎ₁₀は0 〜4 の整数で
ある。Ａ₁ およびＡ₂ はそれぞれ水素原子、アルキルス
ルホニル基、アリールスルホニル基またはアシル基を表
し、Ａ₁ およびＡ₂ はともに水素原子であるか、または
一方が水素原子で他方がアルキルスルホニル基、アリー
ルスルホニル基またはアシル基である。但し、ｍ₁₀とｎ
₁₀との和が5 をこえることはなく、またｍ₁₀が0 の時、
Ａ₁ およびＡ₂ のいずれか一方はアルキルスルホニル
基、アリールスルホニル基またはアシル基である。一般
式（２）においてＡｒ₁ は芳香族基またはヘテロ環基を
表し、Ａ₃ およびＡ₄ はそれぞれ一般式（１）における
Ａ₁ およびＡ₂ で表される基と同義の基を表す。Ｘ
₁₁は、少なくとも１つの特定の置換基で置換されたアル
キル基、少なくとも１つの特定の置換基で置換されたア
リール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、
無置換アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ
基、ヘテロ環アミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基ま
たはアリールオキシ基を表す。一般式（３）においてＡ
ｒ₂ は芳香族基またはヘテロ環基を表し、Ａ₅ およびＡ
₆ はそれぞれ一般式（１）におけるＡ₁ およびＡ₂ で表
される基と同義の基を表す。Ｘ₁₂は水素原子またはブロ
ック基を表す。一般式（４）においてＡｒ₃ は芳香族基
またはヘテロ環基を表し、Ａ₇ およびＡ₈ はそれぞれ一
般式（１）におけるＡ₁ およびＡ₂ で表される基と同義
の基を表す。Ｘ₁₃は水素原子またはブロック基を表し、
Ｇ₃ は−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ−、−ＰＯ
（Ｘ₃₃）−（Ｘ₃₃はＸ₁₃に定義した基と同じ範囲内より
選ばれ、Ｘ₁₃と異なっていてもよい。）、ビニレン基ま
たはイミノメチレン基を表す。但し、Ｇ₃ がビニレン基
またはイミノメチレン基である時、Ｘ₁₃はそのα炭素に
結合し、またＧ₃ がビニレン基である時、Ａｒ₃はヘテ
ロ環基である。一般式（５）においてＸ₂₀、Ｘ₂₁、およ
びＸ₂₂はそれぞれ水素原子または１価の置換基を表す
が、但しＸ₂₀、Ｘ₂₁およびＸ₂₂が同時に芳香族基となる
ことはない。Ａ₉ およびＡ₁₀はそれぞれ一般式（１）に
おけるＡ₁ およびＡ₂ で表される基と同義の基を表し、
Ｘ₁₄は水素原子またはブロック基を表す。一般式（６）
においてＸ₃₀は脂肪族基を表し、Ｘ₁₅は水素原子または
ブロック基を表す。Ｇ₅ は−ＣＯＣＯ−または一般式
（４）のＧ₃ で表される基と同義の基を表す。Ａ₁₁およ
びＡ₁₂はそれぞれ一般式（１）におけるＡ₁ およびＡ₂
で表される基と同義の基を表す。但し、Ｇ₅ が−Ｃ（＝
Ｓ）−である時、Ｘ₁₅が無置換アニリノ基となることは
ない。一般式（７）においてＸ₄₀は脂肪族基を表し、Ｘ
₁₆は脂肪族基、芳香族基またはヘテロ環基を表す。Ａ₁₃
およびＡ₁₄はそれぞれ一般式（１）におけるＡ₁ および
Ａ₂ で表される基と同義の基を表す。但し、Ｘ₄₀がトリ
チル基である時、Ｘ₁₆が無置換フェニル基となることは
ない。一般式（８）においてＸ₅₀は３つのアリール基で
置換されたメチル基を表し、Ｘ₁₇は無置換アミノ基、ア
ルキルアミノ基、ヘテロ環アミノ基またはアルキニル基
を表す。Ａ₁₅およびＡ₁₆はそれぞれ一般式（１）におけ
るＡ₁ およびＡ₂ で表される基と同義の基を表す。一般
式（９）においてＨｅｔはヘテロ環基を表し、Ａ₁₇およ
びＡ₁₈はそれぞれ一般式（１）におけるＡ₁およびＡ₂で
表される基と同義の基を表す。］

【００１３】

【化４】

【００１４】［一般式（Ｉ）においてＥＷＤは電子吸引
性基を表し、Ｒ₁₀₀、Ｒ₂₀₀およびＲ_{30 0}は各々水素原子
または１価の置換基を表す。但し、Ｒ₁₀₀およびＲ₂₀₀の
うちの少なくとも一方は１価の置換基である。一般式
（II）においてＲ₄₀₀は１価の置換基を表す。］ （２） 一般式（２）から一般式（９）で表されるヒド
ラジン誘導体を少なくとも１つ含有する上記（１）に記
載の熱現像記録材料。 （３） 感光性ハロゲン化銀を含有する上記（１）また
は（２）に記載の熱現像記録材料。 （４） 一般式（Ｉ）で表される化合物が、一般式
（Ｉ）中のＥＷＤがシアノ基またはホルミル基であり、
Ｒ₃₀₀が電子吸引性基またはアリール基であり、Ｒ_{1 00}お
よびＲ₂₀₀のいずれか一方が水素原子で、他方がヒドロ
キシ基、アルコキシ基または不飽和ヘテロ環基である化
合物であり、一般式（II）で表される化合物が、一般式
（II）中のＲ₄₀₀が電子吸引性基である化合物である上
記（１）〜（３）のいずれかに記載の熱現像記録材料。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の熱現像記録材料は、少なくとも１層の画像形成
層を有し、有機銀塩と還元剤とを含有し、さらに好まし
くは感光性ハロゲン化銀を含有する熱現像感光材料であ
り、一般式（１）〜（９）で表されるヒドラジン誘導体
と一般式（Ｉ）、（II）で表される化合物とを含有す
る。

【００１６】これらの化合物を含有させることによっ
て、高Ｄｍａｘで高感度であり、硬調性が十分であり、
黒ポツの発生が抑制された熱現像記録材料が得られる。

【００１７】次に本発明で用いられる一般式（１）から
一般式（９）で表されるヒドラジン誘導体について詳し
く説明する。

【００１８】一般式（１）においてＹ₁₀はニトロ基、メ
トキシ基、アルキル基、またはアセトアミド基を表し、
Ｘ₁₀はＹ₁₀を除く１価の置換基を表す。Ｘ₁₀は具体的に
は、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、スルファモイルアミノ基、ホスホンアミド基、アミ
ノ基、ハロゲン原子、シアノ基、総炭素数２以上（好ま
しくは２０以下）のアルコキシ基、アリールオキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、総
炭素数３以上（好ましくは２０以下）のアシルアミノ
基、カルバモイル基、スルファモイル基、カルボキシ基
（その塩を含む）、スルホ基（その塩を含む）、イミド
基、オキサモイル基、セミカルバジド基、または（アル
キルもしくはアリール）スルホニル基等を表す。ｍ₁₀は
０〜５の整数を表し、ｎ₁₀は０〜４の整数を表す。Ａ
₁ 、Ａ₂ ともに水素原子、あるいは一方が水素原子で他
方が置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、置換
もしくは無置換のアリールスルホニル基、または置換も
しくは無置換のアシル基を表す。但し、ｍ₁₀とｎ₁₀との
和が５をこえることはなく、ｍ₁₀が０の時、Ａ₁ かＡ₂
のいずれかは水素原子ではない。

【００１９】一般式（１）においてＡ₁ 、Ａ₂ は水素原
子、炭素数２０以下のアルキルまたはアリールスルホニ
ル基（好ましくはフェニルスルホニル基、またはハメッ
トの置換基定数の和が−０．５以上となるように置換さ
れたフェニルスルホニル基）、炭素数２０以下のアシル
基（好ましくはベンゾイル基、またはハメットの置換基
定数の和が−０．５以上となるように置換されたベンゾ
イル基、あるいは直鎖、分岐、または環状の置換もしく
は無置換の脂肪族アシル基（ここに置換基としては、例
えばハロゲン原子、エーテル基、スルホンアミド基、カ
ルボンアミド基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ
基等が挙げられる））であるが、Ａ₁、Ａ₂ としては水
素原子が最も好ましい。

【００２０】但し一般式（１）においてｍ₁₀が０の時、
すなわちｍ₁₀が０でｎ₁₀が０の時、もしくはｍ₁₀が０で
ｎ₁₀が１〜４の時には、Ａ₁ かＡ₂ のいずれかは水素原
子ではない。一般式（１）においては、ｍ₁₀が１または
２でｎ₁₀を表す時、あるいはｍ₁₀が１でｎ₁₀が１の時が
最も好ましい。一般式（１）においてＸ₁₀として特に好
ましくは、シアノ基、クロル原子、スルホンアミド基、
ウレイド基、チオウレイド基、総炭素数２以上（好まし
くは２０以下）のアルコキシ基、総炭素数３以上（好ま
しくは２０以下）のアシルアミノ基、カルバモイル基、
スルファモイル基、またはカルボキシ基（その塩を含
む）である。

【００２１】一般式（２）においてＡｒ₁ は、芳香族基
またはヘテロ環基を表す。芳香族基とは単環もしくは縮
合環のアリール基で、例えばベンゼン環、ナフタレン環
から誘導されるフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
ヘテロ環基としては、単環または縮合環の、飽和もしく
は不飽和の、芳香族または非芳香族のヘテロ環基で、こ
れらの基中のヘテロ環として、例えば、ピリジン環、ピ
リミジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、キノリン
環、イソキノリン環、ベンズイミダゾール環、チアゾー
ル環、ベンゾチアゾール環、ピペリジン環、トリアジン
環、モルホリン環、ピロリジン環、インダゾール環、テ
トラゾール環等が挙げられる。

【００２２】Ａｒ₁ として好ましいものは置換もしくは
無置換のフェニル基、または炭素数３〜９のヘテロ環基
で、ヘテロ環基としては、少なくとも１つの窒素原子、
硫黄原子もしくは酸素原子を含み、単環の場合は芳香族
ヘテロ環基が、縮合環の場合は少なくともヒドラジノ基
の置換する環が芳香族ヘテロ環もしくはベンゼン環であ
る縮合ヘテロ環基が好ましい。これらの基中のヘテロ環
としては、例えばピリジン環、トリアジン環、キノリン
環、イソキノリン環、チアゾール環、メチレンジオキシ
ベンゼン環等が好ましい。

【００２３】一般式（２）において、Ａｒ₁は、特に好
ましくは置換もしくは無置換のフェニル基である。

【００２４】Ａｒ₁ は置換されていてもよく、代表的な
置換基としては例えばハロゲン原子（フッ素原子、クロ
ル原子、臭素原子、または沃素原子）、アルキル基（ア
ラルキル基、シクロアルキル基、活性メチン基等を含
む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素
環基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば
ピリジニオ基）、アシル基、アルコキシカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボ
キシ基またはその塩、スルホニルカルバモイル基、アシ
ルカルバモイル基、スルファモイルカルバモイル基、カ
ルバゾイル基、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ
基、チオカルバモイル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基
（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を
繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環
オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリ
ールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ
基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル，アリ
ール，またはヘテロ環）アミノ基、Ｎ−置換の含窒素ヘ
テロ環基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイ
ド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしく
はアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイ
ルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド
基、ヒドラジノ基、4 級のアンモニオ基、オキサモイル
アミノ基、（アルキルもしくはアリール）スルホニルウ
レイド基、アシルウレイド基、アシルスルファモイルア
ミノ基、ニトロ基、メルカプト基、（アルキル，アリー
ル，またはヘテロ環）チオ基、（アルキルまたはアリー
ル）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフ
ィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、
アシルスルファモイル基、スルホニルスルファモイル基
またはその塩、リン酸アミドもしくはリン酸エステル構
造を含む基、等が挙げられる。これら置換基は、これら
置換基でさらに置換されていてもよい。

【００２５】Ａｒ₁ が有していてもよい置換基として好
ましいものは、アルキル基（活性メチレン基を含む）、
アラルキル基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アシルアミ
ノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、スルファモイル
アミノ基、イミド基、チオウレイド基、リン酸アミド
基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アシルオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボ
キシ基（その塩を含む）、（アルキル，アリール，また
はヘテロ環）チオ基、スルホ基（その塩を含む）、スル
ファモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基等が
挙げられる。

【００２６】Ａｒ₁ が置換フェニル基を表す時、その置
換基として特に好ましくは、スルホンアミド基、ウレイ
ド基、チオウレイド基、アルコキシ基、アシルアミノ
基、カルバモイル基、スルファモイル基、ニトロ基、ク
ロル原子、シアノ基、またはカルボキシ基（その塩を含
む）であり、特に好ましくはスルホンアミド基、ウレイ
ド基、アルコキシ基、アシルアミノ基、ニトロ基、クロ
ル原子、シアノ基、またはカルボキシ基である。

【００２７】一般式（２）においてＸ₁₁は、少なくとも
１つの特定の置換基で置換されたアルキル基、少なくと
も１つの特定の置換基で置換されたアリール基、アルケ
ニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、アミノ基（無置換
アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテ
ロ環アミノ基）、ヒドラジノ基、アルコキシ基、または
アリールオキシ基を表す。ここに特定の置換基とは、電
子吸引性基もしくはアミノ基を表し、さらに電子吸引性
基とは、ハメットの置換基定数σm が正の値を取る置換
基のことである。但し、カルボキシ基およびピリジニオ
基を除く。すなわち、特定の置換基とは具体的に以下の
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
アシルアミノ基、スルホンアミド基、スルファモイル
基、カルバモイル基、アシルオキシ基、（アルキルもし
くはアリール）スルホニル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、（アルキルもしくはアリール）チオ基、メル
カプト基、ヒドロキシ基、スルホ基、アリール基、ホス
ホニル基、イミド基、飽和のヘテロ環基、またはアミノ
基等を表す。

【００２８】Ｘ₁₁で表される少なくとも１つの特定の置
換基で置換されたアルキル基として好ましくは、炭素数
１〜１０のアルキル基であり、例えばトリフルオロメチ
ル基、ジフルオロメチル基、２−カルボキシテトラフル
オロエチル基、ジフルオロメトキシメチル基、ジフルオ
ロカルボキシメチル基、３−メタンスルホンアミドプロ
ピル基、メタンスルホンアミドメチル基、トリフルオロ
メタンスルホンアミドメチル基、ベンゼンスルホンアミ
ドメチル基、トリフルオロアセトアミドメチル基、ヒド
ロキシメチル基、ジメチルヒドロキシメチル基、フェニ
ルスルホニルメチル基、ｏ- ヒドロキシベンジル基、メ
トキシメチル基、フェノキシメチル基、４−エチルフェ
ノキシメチル基、フェニルチオメチル基、シアノメチル
基、ジフェニルメチル基、ジ（メチルチオ）メチル基、
スクシンイミドメチル基、２−ヒドロキシエチル基、ジ
メチルアミノメチル基、アミノメチル基、ヒダントイン
−１−イルメチル基、などが挙げられる。

【００２９】Ｘ₁₁で表される少なくとも１つの特定の置
換基で置換されたアリール基として好ましくは、単環の
アリール基で、置換フェニル基が特に好ましく、例えば
パーフルオロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル
基、２−メタンスルホンアミドフェニル基、 ２−カル
バモイルフェニル基、４，５−ジシアノフェニル基、
２，６−ジクロロ−４−シアノフェニル基、２−クロロ
−５−オクチルスルファモイルフェニル基、３−メトキ
シフェニル基などが挙げられる。

【００３０】アルケニル基として好ましくは炭素数１〜
１０のアルケニル基であり、例えばビニル基、２−エト
キシカルボニルビニル基、２−トリフルオロ−２−メト
キシカルボニルビニル基等が挙げられる。アルキニル基
として好ましくは炭素数１〜１０のアルキニル基であ
り、例えばエチニル基、２−メトキシカルボニルエチニ
ル基、２−トリフルオロエチニル基等が挙げられる。

【００３１】ヘテロ環基として好ましくは、窒素、酸
素、および硫黄のなかの少なくとも１つの原子を含む５
〜６員の、飽和もしくは不飽和の、単環もしくは縮合環
のヘテロ環基で、例えばモルホリノ基、ピペリジノ基
（Ｎ−置換）、イミダゾリル基、インダゾリル基（４−
ニトロインダゾリル基等）、ピラゾリル基、トリアゾリ
ル基、ベンゾイミダゾリル基、テトラゾリル基、ピリジ
ル基、ピリジニオ基（Ｎ−メチル−３−ピリジニオ基
等）、キノリニオ基、キノリル基などがある。

【００３２】アルコキシ基としては炭素数１〜８のアル
コキシ基が好ましく、例えばメトキシ基、２−ヒドロキ
シエトキシ基、ベンジルオキシ基、ｔ−ブトキシ基等が
挙げられる。アリールオキシ基としては置換もしくは無
置換のフェノキシ基が好ましく、アミノ基としては無置
換アミノ基、および炭素数１〜１０のアルキルアミノ
基、アリールアミノ基、または飽和もしくは不飽和のヘ
テロ環アミノ基（４級化された窒素原子を含む含窒素ヘ
テロ環アミノ基を含む) が好ましい。アミノ基の具体例
としては、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−
４−イルアミノ基、プロピルアミノ基、２−ヒドロキシ
エチルアミノ基、アニリノ基，ｏ−ヒドロキシアニリノ
基、５−ベンゾトリアゾリルアミノ基、Ｎ−ベンジル−
３−ピリジニオアミノ基等が挙げられる。ヒドラジノ基
としては置換もしくは無置換のヒドラジノ基、または置
換もしくは無置換のフェニルヒドラジノ基（４−ベンゼ
ンスルホンアミドフェニルヒドラジノ基など）が特に好
ましい。

【００３３】Ｘ₁₁で表される、アルキル基もしくはアリ
ール基以外の基は置換されていても良く、その置換基の
例としては、Ａｒ₁ の置換基として例示したものがあて
はまる。

【００３４】一般式（２）においてＸ₁₁は好ましくは、
少なくとも１つの特定の置換基で置換されたアルキル
基、少なくとも１つの特定の置換基で置換されたアリー
ル基、またはヘテロ環基であり、さらに好ましくは少な
くとも１つの特定の置換基で置換されたアルキル基であ
り、ここに特定の置換基としては、フッ素原子、クロル
原子、（アルキルもしくはアリール）スルホニル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリ
ールチオ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、スルホンア
ミド基、アシルアミノ基、飽和のヘテロ環基またはアミ
ノ基が好ましく、特にフッ素原子、クロル原子、ヒドロ
キシ基、スルホンアミド基、アシルアミノ基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、またはアミノ基が好ましい。

【００３５】一般式（２）においてＡ₃およびＡ₄は、そ
れぞれ一般式（１）のＡ₁およびＡ₂と同義の基であり、
その好ましい範囲もまた同じである。

【００３６】一般式（２）で表される化合物のうち、最
も好ましいものは、Ａｒ₁がスルホンアミド基、ウレイ
ド基、チオウレイド基、アルコキシ基、アシルアミノ
基、カルバモイル基、スルファモイル基、ニトロ基、ク
ロル原子、シアノ基またはカルボキシ基（その塩を含
む）で置換された置換フェニル基、もしくは無置換フェ
ニル基を表し、Ｘ₁₁がフッ素原子、クロル原子、ヒドロ
キシ基、スルホンアミド基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、またはアミノ基で置換された置換アルキル基を
表し、かつＡ₃、Ａ₄が水素原子を表す化合物である。一
般式（３）においてＡｒ₂は、一般式（２）のＡｒ₁と同
義の基であり、その好ましい範囲もまた同じである。一
般式（３）においてＡ₅およびＡ₆は、一般式（１）のＡ
₁ およびＡ₂ と同義の基であり、その好ましい範囲もま
た同じである。Ｘ₁₂は水素原子またはブロック基を表す
が、ここにブロック基とは脂肪族基（具体的にはアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基）、芳香族基（単環
もしくは縮合環のアリール基）、ヘテロ環基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アミノ基（無置換アミノ基、
アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ
基）またはヒドラジノ基を表す。

【００３７】これらの基の好ましい例としては、一般式
（２）のＸ₁₁について挙げた具体例がそのまま当てはま
る他に、アルキル基およびアリール基については、無置
換もしくは任意の置換基（一般式（２）におけるＡｒ₁
の置換基として例示したものがあてはまる）を有してい
てもよく、例えばアルキル基についてはメチル基、エチ
ル基、2-カルボキシエチル基、t-ブチル基、2-カルボキ
シエチル基、ピリジニオメチル基、アンモニオメチル基
等が挙げられ、またアリール基としてはフェニル基、4-
メトキシフェニル基、2-ヒドロキシメチルフェニル基、
2-カルボキシフェニル基等が挙げられる。一般式（３）
においてＸ₁₂は好ましくは置換アミノ基であり、詳しく
は炭素数１〜１０の、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、または飽和もしくは不飽和のヘテロ環アミノ基
（４級化された窒素原子を含む含窒素ヘテロ環アミノ基
を含む）が好ましい。これらの基の具体例は一般式
（２）のＸ₁₁にて説明したものが挙げられる。

【００３８】一般式（３）で表される化合物のうち、最
も好ましいものは、Ａｒ₂ がスルホンアミド基、ウレイ
ド基、チオウレイド基、アルコキシ基、アシルアミノ
基、カルバモイル基、スルファモイル基、ニトロ基、ク
ロル原子、またはカルボキシ基（その塩を含む）で置換
された置換フェニル基を表し、Ｘ₁₂がアルキルアミノ
基、アリールアミノ基、または飽和もしくは不飽和のヘ
テロ環アミノ基を表し、かつＡ₅ 、Ａ₆ が水素原子を表
す化合物である。一般式（４）においてＡｒ₃ は、一般
式（２）のＡｒ₁ と同義の基であり、その好ましい範囲
もまた同じである。Ａ₇ およびＡ₈ は、一般式（１）の
Ａ₁ およびＡ₂ と同義の基であり、その好ましい範囲も
また同じである。Ｇ₃ は、−Ｃ（＝Ｓ）−，−ＳＯ₂
−，−ＳＯ−，−ＰＯ（Ｘ₃₃）−（Ｘ₃₃はＸ₁₃に定義し
た基と同じ範囲内より選ばれ、Ｘ₁₃と異なっていてもよ
い。）、ビニレン基、またはイミノメチレン基を表す。
但しＧ₃ がビニレン基またはイミノメチレン基を表す
時、Ｘ₁₃はそのα炭素に結合し、またＧ₃がビニル基を
表す時、Ａｒ₃はヘテロ環基を表す。Ｘ₁₃は水素原子ま
たはブロック基を表し、これは一般式（３）のＸ₁₂と同
義の基である。Ｇ₃がビニレン基またはイミノメチレン
基を表すとき、これらは任意の置換基を有していてもよ
い。

【００３９】一般式（４）において、Ｇ₃ は好ましくは
−Ｃ（＝Ｓ）−，−ＳＯ₂ −，ビニレン基、または−Ｐ
Ｏ（Ｘ₃₃）−を表し、Ｘ₁₃はＧ₃ が−Ｃ（＝Ｓ）−の
時、好ましくはアミノ基またはヒドラジノ基を、Ｇ₃ が
−ＳＯ₂ −の時、好ましくはアルキル基、アリール基、
またはアミノ基を、Ｇ₃ が−ＰＯ（Ｘ₃₃）−の時、好ま
しくはアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ルキル基、またはアリール基を表す。またＧ₃ がビニレ
ン基の時、Ｘ₁₃は水素原子が好ましい。Ｇ₃は特に好ま
しくは、−ＳＯ₂ −またはビニレン基である。

【００４０】一般式（４）で表される化合物のうち、最
も好ましいものは、Ｇ₃ が−ＳＯ₂−を表す時、Ａｒ₃
がスルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、ア
ルコキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、スルフ
ァモイル基、ニトロ基、クロル原子、またはカルボキシ
基（その塩を含む）で置換された置換フェニル基を表
し、Ｘ₁₃がアルキル基、アリール基、またはアミノ基を
表し、かつＡ₇ ，Ａ₈ が水素原子を表す化合物である。
またＧ₃ がビニレン基を表すとき、このビニレン基は以
下の基から選ばれる置換基を有することが好ましい。す
なわち、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル
基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ス
ルファモイル基、トリフルオロメチル基等である。具体
的にはＧ₃ はβ−シアノ−β−エトキシカルボニルビニ
ル基、β，β−ジシアノビニル基、β−アセチル−β−
エトキシカルボニルビニル基等が好ましい例として挙げ
られる。Ｇ₃ がビニレン基を表す時、Ｘ₁₃は水素原子が
好ましく、Ａｒ₃は炭素数３〜９のヘテロ環基で、少な
くとも１つの窒素原子、硫黄原子もしくは酸素原子を含
むヘテロ環基で、単環の場合は芳香族ヘテロ環基が、縮
合環の場合は、少なくともヒドラジノ基の置換する環は
芳香族ヘテロ環もしくはベンゼン環である縮合環が好ま
しい。これらの基中のヘテロ環としては、例えばピリジ
ン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、チ
アゾール環、メチレンジオキシベンゼン環、ベンツイミ
ダゾール環等が好ましい。

【００４１】一般式（５）においてＡ₉ ，Ａ₁₀はそれぞ
れ一般式（１）におけるＡ₁ ，Ａ₂と同義の基を表し、
その好ましい範囲もまた同じである。Ｘ₁₄は水素原子ま
たはブロック基を表し、これは一般式（３）のＸ₁₂と同
義の基である。Ｘ₁₄として好ましくは、水素原子、アル
キル基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基であり、さらに好ましくは水素
原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ
基、アルコキシ基である。

【００４２】一般式（５）においてＸ₂₀，Ｘ₂₁，および
Ｘ₂₂は水素原子または１価の置換基を表す。ここに１価
の置換基とは一般式（２）のＡｒ₁ の置換基として例示
したものが挙げられる。但しＸ₂₀，Ｘ₂₁，Ｘ₂₂が同時に
芳香族基（芳香族ヘテロ環基を含む）を表すことはな
い。

【００４３】Ｘ₂₀，Ｘ₂₁，およびＸ₂₂で表される１価の
置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘ
テロ環基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル
基、スルファモイル基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アミノ基、（アルキル，アリール，またはヘテロ
環）アミノ基、（アルキル，アリール，またはヘテロ
環）チオ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリー
ル基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオ
キシカルボニル基、カルバモイル基、（アルキル，アリ
ール，またはヘテロ環）チオ基である。

【００４４】Ｘ₂₀，Ｘ₂₁，およびＸ₂₂で置換されたメチ
ル基の具体例としては、例えば、t-ブチル基、ジシアノ
メチル基、シアノジメチルメチル基、ジフェニルメチル
基、トリフェニルメチル基（トリチル基）、メトキシカ
ルボニルジフェニルメチル基、シアノジフェニルメチル
基、メチルチオジフェニルメチル基、シクロプロピルジ
フェニルメチル基、ジ（メチルチオ）メチル基、１，３
−ジチオラン−２−イルメチル基などが挙げられる。

【００４５】Ｘ₂₀，Ｘ₂₁，およびＸ₂₂のうち、少なくと
も１つはアリール基であることが好ましく、さらにはＸ
₂₀，Ｘ₂₁，およびＸ₂₂のうちの２つがアリール基である
ことが特に好ましい。ここにアリール基としては、置換
もしくは無置換のフェニル基が最も好ましい。

【００４６】一般式（５）で表される化合物のうち最も
好ましいものは、Ｘ₂₀，Ｘ₂₁，およびＸ₂₂のうちの１
つ、もしくは２つがアリール基（中でも、置換もしくは
無置換のフェニル基）を表し、Ｘ₁₄が水素原子、アルキ
ル基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、またはアル
コキシ基を表し、かつＡ₉ ，Ａ₁₀が水素原子を表す化合
物である。

【００４７】一般式（６）においてＡ₁₁，Ａ₁₂はそれぞ
れ一般式（１）におけるＡ₁ ，Ａ₂と同義の基を表し、
その好ましい範囲もまた同じである。Ｘ₁₅は水素原子ま
たはブロック基を表し、これは一般式（３）のＸ₁₂と同
義の基である。Ｇ₅ は、−ＣＯＣＯ−，−Ｃ（＝Ｓ）
−，−ＳＯ₂ −，−ＳＯ−，−ＰＯ（Ｘ₅₅）−（Ｘ₅₅は
Ｘ₁₅に定義した基と同じ範囲内より選ばれ、Ｘ₁₅と異な
っていてもよい。），ビニレン基またはイミノメチレン
基を表す。但し、Ｇ₅ が−Ｃ（＝Ｓ）−を表す時、Ｘ₁₅
が無置換アニリノ基を表すことはない。

【００４８】一般式（６）においてＸ₃₀は脂肪族基を表
す。脂肪族基として好ましくは、炭素数１〜３０のアル
キル基であり、さらに好ましくは置換メチル基である。
その置換基としては、一般式（５）のＸ₂₀，Ｘ₂₁，およ
びＸ₂₂で表される置換基が挙げられ、好ましい範囲もま
た同じである。但し、一般式（６）においては、３つの
芳香族基もしくは芳香族ヘテロ環基で置換されたメチル
基であってもよく、例えばトリフェニルメチル基（トリ
チル基）、トリ（４−メトキシフェニル）メチル基、９
−フェニルキサンテン−９−イル基等が挙げられる。

【００４９】一般式（６）においてＸ₃₀は、少なくとも
２つのアリール基で置換された２置換もしくは３置換メ
チル基が特に好ましく、トリチル基が最も好ましい。

【００５０】一般式（６）においてＧ₅ は、好ましくは
−ＣＯＣＯ−，−ＳＯ₂ −，ビニレン基、−ＰＯ
（Ｘ₅₅）−であり、Ｘ₁₅はＧ₅ が−ＣＯＣＯ−の時、好
ましくは置換アミノ基であり、詳しくは炭素数１〜１０
のアルキルアミノ基、アリールアミノ基、または飽和も
しくは不飽和のヘテロ環アミノ基（４級化された窒素原
子を含む含窒素ヘテロ環アミノ基を含む) が好ましい。
Ｇ₅ が−ＳＯ₂ −の時、好ましくはアルキル基、アリー
ル基、またはアミノ基を、Ｇ₅ がビニレン基の時、好ま
しくは水素原子を、Ｇ₅が−ＰＯ（Ｘ₅₅）−の時、好ま
しくはアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ルキル基、またはアリール基を表す。Ｇ₅ は特に好まし
くは−ＣＯＣＯ−である。

【００５１】一般式（６）で表される化合物のうち最も
好ましいものは、Ｘ₃₀が少なくとも２つのアリール基で
置換された２置換もしくは３置換メチル基を表し、Ｇ₅
が−ＣＯＣＯ−を表し、Ｘ₁₅ がアルキルアミノ基、ア
リールアミノ基、または飽和もしくは不飽和のヘテロ環
アミノ基を表し、かつＡ₁₁，Ａ₁₂が水素原子を表す化合
物である。

【００５２】一般式（７）においてＡ₁₃，Ａ₁₄はそれぞ
れ一般式（１）におけるＡ₁ ，Ａ₂と同義の基を表し、
その好ましい範囲もまた同じである。Ｘ₄₀は脂肪族基を
表し、これは一般式（６）のＸ₃₀と同義の基であり、そ
の好ましい範囲もまた同じである。Ｘ₁₆は脂肪族基、芳
族族基、またはヘテロ環基を表わすが、但し、Ｘ₄₀がト
リチル基を表すとき、Ｘ₁₆が無置換フェニル基を表すこ
とはない。

【００５３】Ｘ₁₆が脂肪族基を表す時、その好ましい範
囲は、一般式（６）のＸ₃₀で表される脂肪族基の好まし
い範囲と同じである。Ｘ₁₆が芳香族基またはヘテロ環基
を表す時、その好ましい範囲は一般式（２）のＡｒ₁ で
表される芳香族基またはヘテロ環基の好ましい範囲と同
じである。

【００５４】Ｘ₁₆は好ましくは芳香族基または脂肪族基
であり、さらに好ましくは置換フェニル基または置換メ
チル基である。置換フェニル基を表す時、その置換基と
して特に好ましくは、スルホンアミド基、ウレイド基、
チオウレイド基、アルコキシ基、アシルアミノ基、カル
バモイル基、スルファモイル基、ニトロ基、クロル原
子、シアノ基、またはカルボキシ基（その塩を含む）で
あり、置換メチル基を表す時、その置換基の好ましい範
囲は、一般式（６）のＸ₃₀で表される脂肪族基が置換メ
チル基を表す時の好ましい置換基の範囲と同じである。

【００５５】一般式（７）で表される化合物のうち最も
好ましいものは、Ｘ₄₀およびＸ₁₆が、少なくとも２つの
アリール基で置換された２置換もしくは３置換メチル基
を表すか、またはＸ₄₀が少なくとも２つのアリール基で
置換された２置換もしくは３置換メチル基を表し、Ｘ₁₆
がスルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、ア
ルコキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、スルフ
ァモイル基、ニトロ基、クロル原子、シアノ基、または
カルボキシ基（その塩を含む）で置換された置換フェニ
ル基を表すもので、かつ同時にＡ₁₃，Ａ₁₄が水素原子を
表す化合物である。

【００５６】一般式（８）においてＡ₁₅，Ａ₁₆はそれぞ
れ一般式（１）におけるＡ₁ ，Ａ₂と同義の基を表し、
その好ましい範囲もまた同じである。Ｘ₅₀は３つのアリ
ール基で置換されたメチル基を表し、ここにアリール基
とは、置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、
および芳香族ヘテロ環基を表し、これら３つのアリール
基は同じでも異なっていてもよく、また互いに連結して
いてもよい。これらが置換基を有する時、置換基として
は一般式（２）のＡｒ₁ が有する置換基と同じものが挙
げられる。Ｘ₅₀は好ましくは置換もしくは無置換のフェ
ニル基で置換されたメチル基であり、最も好ましくはト
リチル基である。Ｘ₁₇は無置換アミノ基、アルキルアミ
ノ基、ヘテロ環アミノ基、またはアルキニル基を表す。
これらの基の具体例は、一般式（２）のＸ₁₁について説
明した中で、説明したものが挙げられる。Ｘ₁₇は好まし
くはアルキルアミノ基またはヘテロ環アミノ基である。

【００５７】一般式（８）で表される化合物のうち最も
好ましいものは、Ｘ₅₀がトリチル基を表し、Ｘ₁₇がアル
キルアミノ基またはヘテロ環アミノ基を表し、かつ
Ａ₁₅，Ａ₁₆が水素原子を表す化合物である。

【００５８】一般式（９）においてＨｅｔで表されるヘ
テロ環基は、単環または縮合環の、飽和もしくは不飽和
の、芳香族または非芳香族のヘテロ環基で、これらの基
中のヘテロ環としては、例えば、ピリジン環、ピリミジ
ン環、イミダゾール環、ピラゾール環、キノリン環、イ
ソキノリン環、ベンズイミダゾール環、チアゾール環、
ベンゾチアゾール環、ピペリジン環、トリアジン環、モ
ルホリン環、ピロリジン環、インダゾール環、テトラゾ
ール環、メチレンジオキシベンゼン環等が挙げられる。
これらが置換基を有する時、置換基としては一般式
（２）のＡｒ₁が有する置換基と同じものが挙げられ、
その好ましい範囲もＡｒ₁がヘテロ環基を表す時の置換
基の好ましい範囲と同じである。

【００５９】一般式（９）においてＨｅｔで表されるヘ
テロ環基として好ましくは、炭素数３〜９のヘテロ環基
で、少なくとも１つの窒素原子、硫黄原子もしくは酸素
原子を含むヘテロ環基で、単環の場合は芳香族ヘテロ環
基で、縮合環の場合は、少なくともヒドラジノ基の置換
する環は芳香族ヘテロ環もしくはベンゼン環である縮合
環が好ましい。このような基中のヘテロ環としては、例
えばピリジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノ
リン環、チアゾール環、メチレンジオキシベンゼン環、
ベンツイミダゾール環等が好ましい。

【００６０】一般式（９）においてＡ₁₇，Ａ₁₈は一般式
（１）におけるＡ₁ ，Ａ₂ と同義の基を表し、その好ま
しい範囲もまた同じである。

【００６１】一般式（４）、一般式（５）、または一般
式（６）においてＸ₁₃、Ｘ₁₄、、またはＸ₁₅は、それぞ
れ−Ｇ₃ −Ｘ₁₃、−ＣＯ−Ｘ₁₄、−Ｇ₅−Ｘ₁₅の部分を
残余分子から分裂させ、これらの原子団を含む環式構造
を生成させる環化反応を生起するようなものであっても
よく、その例としては、例えば特開昭63-29751号などに
記載のものが挙げられる。

【００６２】一般式（１）〜（９）で表されるヒドラジ
ン誘導体は、ハロゲン化銀に対して吸着する吸着性の基
が組み込まれていてもよい。こうした吸着基としては、
アルキルチオ基、アリールチオ基、チオ尿素基、チオア
ミド基、メルカプト複素環基、トリアゾール基などの米
国特許第4385108 号、同第4459347 号、特開昭59-19523
3 号、同59-200231 号、同59-201045 号、同59-201046
号、同59-201047 号、同59-201048 号、同59-201049
号、特開昭61-170733 号、同61-270744 号、同62-948
号、同63-234244 号、同63-234245 号、同63-234246 号
に記載された基が挙げられる。またこれらハロゲン化銀
への吸着基は、プレカーサー化されていてもよい。その
ようなプレカーサーとしては、特開平2-285344号に記載
された基が挙げられる。

【００６３】一般式（１）〜（９）で表されるヒドラジ
ン誘導体は、その中にカプラー等の不動性写真用添加剤
において常用されているバラスト基またはポリマーが組
み込まれているものでもよい。バラスト基は８以上の炭
素数を有する、写真性に対して比較的不活性な基であ
り、例えばアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、
フェニル基、アルキルフェニル基、フェノキシ基、アル
キルフェノキシ基などの中から選ぶことができる。また
ポリマーとしては、例えば特開平1-100530号に記載のも
のが挙げられる。

【００６４】一般式（１）〜（９）で表されるヒドラジ
ン誘導体は、置換基としてヒドラジノ基を複数個含んで
いてもよく、この時これら化合物は、ヒドラジノ基に関
しての多量体を表し、具体的には例えば特開昭64-86134
号、特開平4-16938 号、特開平5-197091号、ＷO95-3245
2 号、ＷO95-32453 号、特願平7-351132号、特願平7-35
1269号、特願平7-351168号、特願平7-351287号、特願平
7-351279号等に記載された化合物が挙げられる。

【００６５】一般式（１）〜（９）で表されるヒドラジ
ン誘導体は、その中にカチオン性基（具体的には、４級
のアンモニオ基を含む基、または４級化された窒素原子
を含む含窒素ヘテロ環基等）、エチレンオキシ基もしく
はプロピレンオキシ基の繰り返し単位を含む基、（アル
キル，アリール，またはヘテロ環）チオ基、あるいは塩
基により解離しうる解離性基（カルボキシ基、スルホ
基、アシルスルファモイル基、カルバモイルスルファモ
イル基等）が含まれていてもよい。これらの基が含まれ
る例としては、例えば特開平7-234471号、特開平5-3334
66号、特開平6-19032号、特開平6-19031号、特開平5-45
761号、米国特許第4994365号、米国特許第4988604号、
特開平3-259240号、特開平7-5610号、特開平7-244348
号、独特許第4006032号等に記載の化合物が挙げられ
る。

【００６６】一般式（１）で表されるヒドラジン誘導体
については、ハロゲン化銀に対して吸着する吸着性の
基、バラスト基またはポリマー、カチオン性基（具体的
には、４級のアンモニオ基を含む基、または４級化され
た窒素原子を含む含窒素ヘテロ環基等）、エチレンオキ
シ基もしくはプロピレンオキシ基の繰り返し単位を含む
基、（アルキル、アリール、またはヘテロ環）チオ基、
あるいは塩基により解離しうる解離性基（カルボキシ
基、スルホ基、アシルスルファモイル基、カルバモイル
スルファモイル基等）のうち、少なくとも１つの基が含
まれているか、あるいはヒドラジノ基に関して２量体も
しくは３量体を形成しうる構造となっていることが特に
好ましい。

【００６７】一般式（１）〜（９）で表される本発明の
ヒドラジン誘導体のうち好ましいものは、一般式（２）
〜一般式（９）で表される化合物であり、さらに好まし
いものは一般式（２）、一般式（３）、一般式（５）、
一般式（６）、一般式（８）または一般式（９）で表さ
れる化合物であり、特に好ましいものは一般式（２）、
一般式（３）、一般式（６）または一般式（９）で表さ
れる化合物であり、最も好ましいものは一般式（２）ま
たは（３）で表される化合物である。

【００６８】一般式（１）〜一般式（９）で表される化
合物の具体例を以下に示す。但し本発明はこれらに限定
されるものではない。

【００６９】

【表１】

【００７０】

【表２】

【００７１】

【表３】

【００７２】

【表４】

【００７３】

【表５】

【００７４】

【表６】

【００７５】

【表７】

【００７６】

【表８】

【００７７】

【表９】

【００７８】

【表１０】

【００７９】

【表１１】

【００８０】

【表１２】

【００８１】

【表１３】

【００８２】

【表１４】

【００８３】

【表１５】

【００８４】

【表１６】

【００８５】

【表１７】

【００８６】

【表１８】

【００８７】

【表１９】

【００８８】

【表２０】

【００８９】

【表２１】

【００９０】これらの化合物は１種のみ用いても２種以
上併用してもよい。

【００９１】本発明に用いられるヒドラジン誘導体とし
ては、本発明の化合物の他に、下記の特許に記載のヒド
ラジン誘導体を組み合わせて用いることができる。本発
明の化合物はまた、下記の特許に記載された種々の方法
を参照することにより、容易に合成することができる。

【００９２】特公平6-77138号に記載の（化１）で表さ
れる化合物で、具体的には同公報３頁、４頁に記載の化
合物。特公平6-93082 号に記載の一般式（Ｉ）で表され
る化合物で、具体的には同公報８頁〜18頁に記載の１〜
38の化合物。特開平6-230497号に記載の一般式（４）、
一般式（５）および一般式（６）で表される化合物で、
具体的には同公報25頁、26頁に記載の化合物4-1 〜化合
物4-10、28頁〜36頁に記載の化合物5-1〜5-42、および3
9頁、40頁に記載の化合物6-1 〜化合物6-7 。特開平6-2
89520号に記載の一般式（１）および一般式（２）で表
される化合物で、具体的には同公報５頁〜７頁に記載の
化合物1-1）〜1-17）および2-1）。特開平6-313936号に
記載の（化２）および（化３）で表される化合物で、具
体的には同公報６頁〜19頁に記載の化合物。特開平6-31
3951号に記載の（化１）で表される化合物で、具体的に
は同公報３頁〜５頁に記載の化合物。特開平7-5610号に
記載の一般式（Ｉ）で表される化合物で、具体的には同
公報５頁〜10頁に記載の化合物Ｉ-1〜Ｉ-38 。特開平7-
77783 号に記載の一般式（II）で表される化合物で、具
体的には同公報10頁〜27頁に記載の化合物II-1〜II-10
2。特開平7-104426号に記載の一般式（Ｈ）および一般
式（Ｈａ）で表される化合物で、具体的には同公報８頁
〜15頁に記載の化合物Ｈ-1〜Ｈ-44 。EP713131A号に記
載の，ヒドラジン基の近傍にアニオン性基またはヒドラ
ジンの水素原子と分子内水素結合を形成するノニオン性
基を有することを特徴とする化合物で、特に一般式
（Ａ），一般式（Ｂ），一般式（Ｃ），一般式（Ｄ），
一般式（Ｅ），一般式（Ｆ）で表される化合物で，具体
的には同公報に記載の化合物Ｎ-1〜Ｎ-30 。EP713131A
号に記載の一般式（１）で表される化合物で、具体的に
は同公報に記載の化合物Ｄ-1〜Ｄ-55 。

【００９３】さらに1991年3月22日発行の「公知技術（1
〜207頁）」（アズテック社刊）の25頁から34頁に記載
の種々のヒドラジン誘導体。特開昭62-86354号（６頁〜
７頁）の化合物Ｄ-2およびＤ-39 。

【００９４】本発明のヒドラジン系造核剤は、水または
適当な有機溶媒、例えばアルコ- ル類（メタノール、エ
タノール、プロパノール、フッ素化アルコール）、ケト
ン類（アセトン、メチルエチルケトン）、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブな
どに溶解して用いることができる。

【００９５】また、既によく知られている乳化分散法に
よって、ジブチルフタレート、トリクレジルフォスフェ
ート、グリセリルトリアセテートあるいはジエチルフタ
レートなどのオイル、酢酸エチルやシクロヘキサノンな
どの補助溶媒を用いて溶解し、機械的に乳化分散物を作
製して用いることができる。あるいは固体分散法として
知られている方法によって、ヒドラジン誘導体の粉末を
水の中にボールミル、コロイドミル、あるいは超音波に
よって分散し用いることができる。

【００９６】本発明のヒドラジン造核剤は、支持体に対
して画像形成層側の層、すなわち画像形成層あるいは他
のどの層に添加してもよいが、画像形成層あるいはそれ
に隣接する層に添加することが好ましい。

【００９７】本発明の造核剤の添加量は銀１モルに対し
１×10^-6〜１モルが好ましく、１×10^-5〜５×10^-1モル
がより好ましく、２×10^-5〜２×10^-1モルが最も好まし
い。

【００９８】次に一般式（Ｉ）、（II）で表される化合
物について説明する。

【００９９】

【化５】

【０１００】まず、一般式（Ｉ）について説明すると、
式中、ＥＷＤは電子吸引性基を表し、Ｒ₁₀₀、Ｒ₂₀₀およ
びＲ₃₀₀は、各々水素原子または１価の置換基を表す。
但し、Ｒ₁₀₀およびＲ₂₀₀が同時に水素原子を表すことは
ない。

【０１０１】ここにＥＷＤで表される電気吸引性基とは
ハメットの置換基定数σｐが正の値を取りうる置換基の
ことであり、具体的には、シアノ基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル
基、スルファモイル基、アルキルスルホニル基、アリー
ルスルホニル基、ニトロ基、ハロゲン原子、パーフルオ
ロアルキル基、アシル基、ホルミル基、ホスホリル基、
カルボキシ基（またはその塩）、スルホ基（またはその
塩）、飽和もしくは不飽和のヘテロ環基、アルケニル
基、アルキニル基、アシルオキシ基、アシルチオ基、ス
ルホニルオキシ基、またはこれら電子吸引性基で置換さ
れたアリール基等が挙げられる。これらの基は置換基を
有していてもよく、その置換基としては、一般式（２）
のＡｒ₁が有していてもよい置換基と同じものが挙げら
れる。

【０１０２】Ｒ₁₀₀、Ｒ₂₀₀およびＲ₃₀₀で表される１価
の置換基としては、一般式（２）のＡｒ₁が有していて
もよい置換基と同じものが挙げられるが、具体的には上
述のＥＷＤで表される電子吸引性基と同義の基、および
アルキル基、ヒドロキシ基（またはその塩）、メルカプ
ト基（またはその塩）、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ
基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、
ヘテロ環アミノ基、ウレイド基、アミド基、または置換
もしくは無置換のアリール基等が挙げられる。Ｒ₁₀₀、
Ｒ₂₀₀およびＲ₃₀₀で表される置換基はさらに置換基を有
していてもよく、その置換基としては、一般式（２）の
Ａｒ₁が有していてもよい置換基と同じものが挙げられ
る。

【０１０３】次に一般式（Ｉ）で表される化合物の中
で、好ましいものについて述べる。一般式（Ｉ）におい
て、ＥＷＤで表される電子吸引性基として好ましくは、
シアノ基、ニトロ基、アルケニル基、アシル基、ホルミ
ル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボ
ニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル
基、カルバモイル基、スルファモイル基、トリフルオロ
メチル基、ホスホリル基、飽和もしくは不飽和のヘテロ
環基、または任意の電子吸引性基で置換されたフェニル
基であり、さらにシアノ基、アシル基、ホルミル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルバモイル基、スルファモイ
ル基、アルキルスルホニル基、またはアリールスルホニ
ル基が好ましい。特に好ましくはシアノ基、ホルミル
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、またはカルバ
モイル基であり、最も好ましくはシアノ基、またはホル
ミル基である。

【０１０４】一般式（Ｉ）において、Ｒ₁₀₀ およびＲ
₂₀₀ は、好ましくはどちらか一方が水素原子で、他方が
１価の置換基を表す時である。その１価の置換基として
好ましくは、アルキル基、ヒドロキシ基（またはその
塩）、メルカプト基（またはその塩）、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、
ヘテロ環チオ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環
アミノ基、置換もしくは無置換のフェニル基、またはヘ
テロ環基等が好ましく、さらにヘテロ環基としては、不
飽和のヘテロ環基で、中でも含窒素ヘテロ環基（例えば
ベンゾトリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンツイミダ
ゾリル基）が好ましい。

【０１０５】一般式（Ｉ）において、Ｒ₁₀₀ およびＲ
₂₀₀ は、最も好ましくはどちらか一方が水素原子で、他
方がヒドロキシ基（またはその塩）、アルコキシ基、ま
たは不飽和の含窒素ヘテロ環基である。

【０１０６】一般式（Ｉ）において、Ｒ₃₀₀は、好まし
くは電子吸引性基またはアリール基である。Ｒ₃₀₀が電
子吸引性基を表す時、好ましくは、シアノ基、ニトロ
基、アシル基、ホルミル基、アルコキシカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、
アリールスルホニル基、カルバモイル基、スルファモイ
ル基、トリフルオロメチル基、ホスホリル基、または飽
和もしくは不飽和のヘテロ環基であり、さらにシアノ
基、アシル基、ホルミル基、アルコキシカルボニル基、
カルバモイル基、スルファモイル基が好ましい。特に好
ましくはシアノ基、ホルミル基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、またはカルバモイル基である。

【０１０７】Ｒ₃₀₀がアリール基を表すとき、好ましく
は置換もしくは無置換のフェニル基であり、置換基とし
ては、一般式（２）のＡｒ₁が有していてもよい置換基
と同じものが挙げられる。

【０１０８】一般式（Ｉ）においてＲ₃₀₀は、特に好ま
しくはシアノ基、アルコキシカルボニル基、または置換
もしくは無置換のフェニル基であり、最も好ましくはシ
アノ基またはアルコキシカルボニル基である。

【０１０９】一般式（Ｉ）で表される化合物の中で、特
に好ましいものは、ＥＷＤがシアノ基またはホルミル基
を表し、Ｒ₃₀₀ が電子吸引性基またはアリール基を表
し、Ｒ₁₀₀またはＲ₂₀₀のどちらか一方が水素原子で、他
方がヒドロキシ基（またはその塩）、アルコキシ基、ま
たは不飽和ヘテロ環基を表す化合物である。

【０１１０】次に一般式（II）で表される化合物につい
て説明する。一般式（II）においてＲ₄₀₀は１価の置換
基を表す。一般式（II）においてＲ₄₀₀で表される１価
の置換基は、好ましくは電子吸引性基またはアリール基
である。Ｒ₄₀₀が電子吸引性基を表す時、好ましくは、
シアノ基、ニトロ基、アシル基、ホルミル基、アルコキ
シカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキ
ルスルホニル基、アリールスルホニル基、カルバモイル
基、スルファモイル基、トリフルオロメチル基、ホスホ
リル基、または飽和もしくは不飽和のヘテロ環基であ
り、さらにシアノ基、アシル基、ホルミル基、アルコキ
シカルボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基が
好ましい。特に好ましくはシアノ基、ホルミル基、アシ
ル基、アルコキシカルボニル基、またはカルバモイル基
である。

【０１１１】Ｒ₄₀₀がアリール基を表すとき、好ましく
は置換もしくは無置換のフェニル基であり、置換基とし
ては、一般式（２）のＡｒ₁が有していてもよい置換基
と同じものが挙げられる。

【０１１２】一般式（II）においてＲ₄₀₀は、特に好ま
しくはシアノ基、アルコキシカルボニル基、または置換
もしくは無置換のフェニル基であり、最も好ましくはシ
アノ基またはアルコキシカルボニル基である。

【０１１３】以下に本発明の一般式（Ｉ）または一般式
（II）で表される化合物を例示するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。

【０１１４】

【化６】

【０１１５】

【化７】

【０１１６】

【化８】

【０１１７】

【化９】

【０１１８】これらの化合物は１種のみ用いても２種以
上併用してもよい。

【０１１９】一般式（Ｉ）および一般式（II）で表され
る化合物は公知の方法により容易に合成することができ
るが、例えば、米国特許第５５４５５１５号に記載の方
法を参考にすることができる。

【０１２０】本発明の一般式（Ｉ）、（II）の化合物
は、水または適当な有機溶媒、例えばアルコール類（メ
タノール、エタノール、プロパノール、フッ素化アルコ
ール）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン）、
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチル
セロソルブなどに溶解して用いることができる。また、
既によく知られている乳化分散法によって、ジブチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート、グリセリルト
リアセテートあるいはジエチルフタレートなどのオイ
ル、酢酸エチルやシクロヘキサノンなどの補助溶媒を用
いて溶解し、機械的に乳化分散物を作製して用いること
ができる。あるいは固体分散法として知られている方法
によって、一般式（Ｉ）、（II）の化合物の粉末を水の
中にボールミル、コロイドミル、あるいは超音波によっ
て分散し用いることができる。

【０１２１】本発明の一般式（Ｉ）、（II）の化合物
は、支持体に対して画像形成層側の層、すなわち画像形
成層あるいは他のどの層に添加してもよいが、画像形成
層あるいはそれに隣接する層に添加することが好まし
い。

【０１２２】本発明の一般式（Ｉ）、（II）の化合物の
添加量は銀１モルに対し１×１０^-6〜１モルが好まし
く、１×１０^-5〜５×１０^-1モルがより好ましく、２×
１０^-5〜２×１０^-1モルが最も好ましい。

【０１２３】本発明の熱現像記録材料には、ヒドラジン
誘導体と併用して、アミン誘導体、オニウム塩化合物、
ジスルフィド誘導体、およびヒドロキシアミン誘導体な
どの造核促進剤を添加することが好ましい。造核促進剤
の化合物例を以下に挙げる。

【０１２４】

【化１０】

【０１２５】

【化１１】

【０１２６】またこの他には、以下の例が挙げられる。
特開平７−７７７８３号公報４８頁２行〜３７行に記載
の化合物で、具体的には４９頁〜５８頁に記載の化合物
Ａ−１）〜Ａ−７３）。特開平７−８４３３１号に記載
の（化２１）、（化２２）および（化２３）で表される
化合物で、具体的には同公報６頁〜８頁に記載の化合
物。特開平７−１０４４２６号に記載の一般式〔Ｎａ〕
および一般式〔Ｎｂ〕で表される化合物で、具体的には
同公報１６頁〜２０頁に記載のＮａ−１〜Ｎａ−２２の
化合物およびＮｂ−１−Ｎｂ−１２の化合物。特開平７
−３７８１７号に記載の一般式（１）、一般式（２）、
一般式（３）、一般式（４）、一般式（５）、一般式
（６）および一般式（７）で表される化合物で、具体的
には同明細書に記載の１−１〜１−１９の化合物、２−
１〜２−２２の化合物、３−１〜３−３６の化合物、４
−１〜４−５の化合物、５−１〜５−４１の化合物、６
−１〜６−５８の化合物および７−１〜７−３８の化合
物。特願平８−７０９０８号記載の造核促進剤。

【０１２７】本発明の造核促進剤添加量は、銀１モルに
対し１×１０^-6〜２×１０^-2モルが好ましく、１×１０
^-5〜２×１０^-2モルがより好ましく、２×１０^-5〜１×
１０^-2モルが最も好ましい。

【０１２８】本発明の熱現像記録材料は還元剤を含有す
る。

【０１２９】本発明の一態様において、還元剤として下
記一般式（Ａ）で表される化合物を熱現像記録材料中に
含有させる。

【０１３０】

【化１２】

【０１３１】式中、Ｒは水素原子、または炭素原子数１
〜１０のアルキル基（例えば、−Ｃ₄ Ｈ₉ 、２，４，４
−トリメチルペンチル）を表し、Ｒ’およびＲ”は炭素
原子数１〜５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、
ｔ−ブチル）を表す。

【０１３２】一般式（Ａ）で表される化合物の具体例を
以下に示す。ただし、本発明は、以下の化合物に限定さ
れるものではない。

【０１３３】

【化１３】

【０１３４】

【化１４】

【０１３５】一般式（Ａ）で表される化合物の使用量は
好ましくは銀１モル当たり１×１０^-2〜１０モル、特に
１×１０^-2〜１．５モルである。

【０１３６】本発明の一態様において、還元剤として下
記の一般式（Ｒ−Ｉ）（Ｒ−II）、（Ｒ−III ）、（Ｒ
−IV）で表される化合物を熱現像記録材料に含有させ
る。

【０１３７】

【化１５】

【０１３８】なお、式（Ｒ−III)においてＺが形成する
環構造は下記のものである。

【０１３９】

【化１６】

【０１４０】また、式（Ｒ−IV）においてＺが形成する
環構造は下記のものである。

【０１４１】

【化１７】

【０１４２】式中、Ｌ₁ ，Ｌ₂ は、−ＣＨ（Ｒ₆）−、
−ＣＨ（Ｒ₆’）−で表される基もしくは硫黄原子であ
る。ｎは自然数を表す。

【０１４３】式中Ｒ₁ 〜Ｒ₅ ，Ｒ₆ ，Ｒ₇ 〜Ｒ₁₀，Ｒ
₁ ′〜Ｒ₅ ′，Ｒ₆ ′，Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃，Ｒ₁₁′〜Ｒ₁₃′，
Ｒ₂₁〜Ｒ₂₆、Ｒ₂₁′〜Ｒ₂₄′は、水素原子、アルキル
基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン基、アミノ基
もしくは−ＯＡで表される置換基である。ただし、Ｒ₁
〜Ｒ₅ の少なくとも一つおよびＲ₁ ′〜Ｒ₅ ′の少なく
とも一つおよびＲ₇ 〜Ｒ₁₀の少なくとも一つは−ＯＡで
表される基である。また、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ ，Ｒ₇ 〜Ｒ₁₀，Ｒ
₁ ′〜Ｒ₅ ′，Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃，Ｒ₁₁′〜Ｒ₁₃′，Ｒ₂₁〜Ｒ
₂₆、Ｒ₂₁′〜Ｒ₂₄′の各々の中の複数個の置換基が互い
に結合して環を形成しても良い。

【０１４４】Ａ，Ａ′は、水素原子、アルキル基（炭素
数１〜３０）、アシル基（炭素数１〜３０）、アリール
基、リン酸基、スルホニル基を表す。

【０１４５】Ｒ₁ 〜Ｒ₅ ，Ｒ₇ 〜Ｒ₁₀，Ｒ₁ ′〜Ｒ
₅ ′，Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃，Ｒ₁₁′〜Ｒ₁₃′，Ｒ₂₁〜Ｒ₂₆、
Ｒ₂₁′〜Ｒ₂₄′Ａ，Ａ′は置換されていてもよい。

【０１４６】但し、一般式（Ｒ−II）において、Ｒ₁ 〜
Ｒ₅ の少なくとも一方、Ｒ₁ ’〜Ｒ₅ ’の少なくとも一
方が−ＯＡで表される基の場合は、Ｌ₁ は硫黄原子であ
る。

【０１４７】Ｒ₁ 〜Ｒ₅ ，Ｒ₇ 〜Ｒ₁₀，Ｒ₁ ′〜Ｒ
₅ ′，Ｒ₁₁〜Ｒ₁₃，Ｒ₁₁′〜Ｒ₁₃′，Ｒ₂₁〜Ｒ₂₆、
Ｒ₂₁′〜Ｒ₂₄′Ａ，Ａ’の置換基としては例えばアルキ
ル基（活性メチン基を含む）、ニトロ基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、複素環を含む基、４級
化された窒素原子を含むヘテロ環（例えばピリジニオ
基）を含む基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレン
オキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含
む基を含む）、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、カルバモイル基、ウレタン基、カルボキシル
基、イミド基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホン
アミド基、ウレイド基、チオウレイド基、スルファモイ
ルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド
基、ヒドラジノ基を含む基、４級のアンモニオ基を含む
基、メルカプト基（アルキル，アリール，またはヘテロ
環）チオ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル
基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スル
ホ基、スルファモイル基、アシルスルファモイル基、
（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、
（アルキルもしくはアリール）スルホニルカルバモイル
基、ハロゲン原子、シアノ基、リン酸アミド基、リン酸
エステル構造を含む基、アシルウレア構造を持つ基、セ
レン原子またはテルル原子を含む基、３級スルホニウム
構造または４級スルホニウム構造を持つ基などが挙げら
れる。これらの置換基はさらに置換されていても良く、
さらなる置換基としては上記に述べたものが挙げられ
る。

【０１４８】以下に、式（Ｒ−Ｉ）〜式（Ｒ−IV）で表
される化合物の具体例を述べるが、本発明はこれに限定
されるものではない。

【０１４９】

【表２２】

【０１５０】

【表２３】

【０１５１】

【化１８】

【０１５２】

【表２４】

【０１５３】

【化１９】

【０１５４】

【表２５】

【０１５５】

【表２６】

【０１５６】

【表２７】

【０１５７】

【表２８】

【０１５８】一般式（Ｒ−Ｉ）〜（Ｒ−IV）で表される
本発明の還元剤の使用量は、好ましくは銀１モル当たり
１×１０^-3〜１０モル、特に１×１０^-2〜１．５モルで
ある。

【０１５９】一般式（Ａ）の化合物、一般式（Ｒ−Ｉ）
〜（Ｒ−IV）の化合物はそれぞれ単独で使用してもよい
が、併用してもよい。混合使用する場合、主還元剤に対
して副還元剤をモル数で１／１０００〜１／１、好まし
くは１／１００〜１／１の範囲で用いる。

【０１６０】本発明の熱現像記録材料は、熱現像処理法
を用いて写真画像を形成するものである。この一態様で
ある熱現像感光材料としては前述のとおり例えば米国特
許第３１５２９０４号、３４５７０７５号、およびＤ．
モーガン (Morgan) とＢ．シェリー (Shely)による「熱
によって処理される銀システム (Thermally Processed
Silver Systems) 」（イメージング・プロセッシーズ・
アンド・マテリアルズ(Imaging Processes and Materia
ls) Neblette 第８版、スタージ (Sturge) 、Ｖ．ウォ
ールワース (Walworth) 、Ａ．シェップ (Shepp)編集、
第２頁、１９６９年）等に開示されている。

【０１６１】本発明の熱現像記録材料は、熱現像処理を
用いて写真画像を形成するものであり、還元可能な銀源
（有機銀塩）、触媒活性量の光触媒（例えばハロゲン化
銀）、銀の色調を抑制する色調剤および還元剤を通常
（有機）バインダーマトリックス中に分散した状態で含
有している熱現像感光材料であることが好ましい。本発
明の熱現像感光材料は常温で安定であるが、露光後処理
液を供給することなく高温（例えば８０℃以上）に加熱
することで現像される。加熱することで還元可能な銀源
（酸化剤として機能する）と還元剤との間の酸化還元反
応に通じて銀を生成する。この酸化還元反応は露光で発
生した潜像の触媒作用によって促進される。露光領域中
の有機銀塩の反応によって生成した銀は黒色画像を提供
し、これは非露光領域と対照をなし、画像の形成がなさ
れる。

【０１６２】本発明の熱現像記録材料は支持体上に少な
くとも一層の感光層等の画像形成層を有している。支持
体の上に感光層等の画像形成層のみを形成しても良い
が、感光層等の画像形成層の上に少なくとも１層の非感
光層等の画像保護層を形成することが好ましい。

【０１６３】本発明の好ましい態様である熱現像感光材
料において、感光層に通過する光の量または波長分布を
制御するために感光層と同じ側または反対側にフィルタ
ー層を形成しても良いし、感光層に染料または顔料を含
ませても良い。染料としては特願平７−１１１８４号の
化合物が好ましい。

【０１６４】画像形成層である感光層は複数層にしても
良く、また感光層において階調の調節のため感度を高感
層／低感層または低感層／高感層にしても良い。

【０１６５】各種の添加剤は感光層等の画像形成層、非
感光層等の非画像形成層、またはその他の構成層のいず
れに添加しても良い。

【０１６６】本発明の熱現像記録材料には例えば、界面
活性剤、酸化防止剤、安定化剤、可塑剤、紫外線吸収
剤、被覆助剤等を用いても良い。

【０１６７】好適なバインダーは透明または半透明で、
一般に無色であり、天然ポリマー合成樹脂やポリマーお
よびコポリマー、その他フィルムを形成する媒体、例え
ば：ゼラチン、アラビアゴム、ポリ（ビニルアルコー
ル）、ヒドロキシエチルセルロース、セルロースアセテ
ート、セルロースアセテートブチレート、ポリ（ビニル
ピロリドン）、カゼイン、デンプン、ポリ（アクリル
酸）、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリ（塩化ビニ
ル）、ポリ（メタクリル酸）、コポリ（スチレン−無水
マレイン酸）、コポリ（スチレン−アクリロニトリ
ル）、コポリ（スチレン−ブタジエン）、ポリ（ビニル
アセタール）類［例えば、ポリ（ビニルホルマール）お
よびポリ（ビニルブチラール）］、ポリ（エステル）
類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹脂、ポリ（塩化
ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、ポリ（カーボネ
ート）類、ポリ（ビニルアセテート）、セルロースエス
テル類、ポリ（アミド）類がある。バインダーは水また
は有機溶媒またはエマルジョンから被覆形成してもよ
い。

【０１６８】また、本発明の画像形成層のうち少なくと
も1層は以下に述べるポリマーラテックスを全バインダ
ーの50wt%以上含有する画像形成層であっても良い。以
降この画像形成層を「本発明の画像形成層」、バインダ
ーに用いるポリマーラテックスを「本発明のポリマーラ
テックス」と表す。ただしここで言う「ポリマーラテッ
クス」とは水不溶な疎水性ポリマーが微細な粒子として
水溶性の分散媒中に分散したものである。分散状態とし
てはポリマーが分散媒中に乳化されているもの、乳化重
合されたもの、ミセル分散されたもの、あるいはポリマ
ー分子中に部分的に親水的な構造を持ち分子鎖自身が分
子状分散したものなどいずれでもよい。なお本発明のポ
リマーラテックスについては「合成樹脂エマルジョン
(奥田平、稲垣寛編集、高分子刊行会発行(1978))」、
「合成ラテックスの応用(杉村孝明、片岡靖男、鈴木聡
一、笠原啓司編集、高分子刊行会発行(1993))」、「合
成ラテックスの化学(室井宗一著、高分子刊行会発行(19
70))」などに記載されている。分散粒子の平均粒径は1
〜50000nm、より好ましくは5〜1000nm程度の範囲が好ま
しい。分散粒子の粒径分布に関しては特に制限は無く、
広い粒径分布を持つものでも単分散の粒径分布を持つも
のでもよい。

【０１６９】本発明のポリマーラテックスとしては通常
の均一構造のポリマーラテックス以外、いわゆるコア／
シェル型のラテックスでもよい。この場合コアとシェル
はガラス転移温度を変えると好ましい場合がある。

【０１７０】本発明のポリマーラテックスの最低造膜温
度(MFT)は-30℃〜90℃、より好ましくは0℃〜70℃程度
である。最低造膜温度をコントロールするために造膜助
剤を添加してもよい。造膜助剤は可塑剤ともよばれポリ
マーラテックスの最低造膜温度を低下させる有機化合物
(通常有機溶剤)で、例えば前述の「合成ラテックスの化
学(室井宗一著、高分子刊行会発行(1970))」に記載され
ている。

【０１７１】本発明のポリマーラテックスに用いられる
ポリマー種としてはアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ゴム系樹脂、塩化
ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリオレフィン樹
脂、またはこれらの共重合体などがある。ポリマーとし
ては直鎖のポリマーでも枝分かれしたポリマーでも、ま
た架橋されたポリマーでも良い。またポリマーとしては
単一のモノマーが重合したいわゆるホモポリマーでも良
いし、2種以上のモノマーが重合したコポリマーでも良
い。コポリマーの場合はランダムコポリマーでもブロッ
クコポリマーでも良い。ポリマーの分子量は数平均分子
量で5000〜1000000、好ましくは10000〜100000程度であ
る。分子量が小さすぎるものは画像形成層の力学強度が
不十分であり、大きすぎるものは成膜性が悪く好ましく
ない。

【０１７２】本発明に用いられるポリマーラテックスの
ポリマーは25℃60%RHでの平衡含水率が2wt%以下、より
好ましくは1wt%以下のものであることが好ましい。平衡
含水率の下限に特に制限はないが、０．０１wt% が好ま
しく、より好ましくは０．０３wt% である。平衡含水率
の定義と測定法については、例えば「高分子工学講座1
4、高分子材料試験法(高分子学会編、地人書館)」など
を参考にすることができる。

【０１７３】本発明の熱現像記録材料の画像形成層のバ
インダーとして用いられるポリマーラテックスの具体例
としては以下のようなものがある。メチルメタクリレー
ト／エチルアクリレート／メタクリル酸コポリマーのラ
テックス、メチルメタクリレート／2エチルヘキシルア
クリレート／スチレン／アクリル酸コポリマーのラテッ
クス、スチレン／ブタジエン／アクリル酸コポリマーの
ラテックス、スチレン／ブタジエン／ジビニルベンゼン
／メタクリル酸コポリマーのラテックス、メチルメタク
リレート／塩化ビニル／アクリル酸コポリマーのラテッ
クス、塩化ビニリデン／エチルアクリレート／アクリロ
ニトリル／メタクリル酸コポリマーのラテックスなど。
また、このようなポリマーは市販もされていて、以下の
ようなポリマーが利用できる。例えばアクリル樹脂の例
として、セビアンA-4635,46583、4601(以上ダイセル化
学工業（株）製)、Nipol Lx811、814、821、820、857
(以上日本ゼオン（株）製)など、ポリエステル樹脂とし
ては、FINETEX ES650、611、675、850(以上大日本イン
キ化学（株）製)、WD-size、WMS(以上イーストマンケミ
カル製)など、ポリウレタン樹脂としてはHYDRAN AP10、
20、30、40(以上大日本インキ化学（株）製)など、ゴム
系樹脂としてはLACSTAR 7310K、3307B、4700H、7132C
(以上大日本インキ化学（株）製)、 Nipol Lx416、41
0、438C、2507、(以上日本ゼオン（株）製)など、塩化
ビニル樹脂としてはG351、G576(以上日本ゼオン（株）
製)など、塩化ビニリデン樹脂としてはL502、L513(以上
旭化成工業（株）製)など、オレフィン樹脂としてはケ
ミパールS120、SA100(以上三井石油化学（株）製)など
を挙げることができる。これらのポリマーは単独で用い
てもよいし、必要に応じて2種以上ブレンドして用いて
も良い。

【０１７４】本発明の画像形成層は全バインダーの50wt
%以上として上記ポリマーラテックスが用いられるが、7
0wt%以上が上記ポリマーラテックスであることが好まし
い。

【０１７５】本発明の画像形成層には必要に応じて全バ
インダーの50wt%以下の範囲でゼラチン、ポリビニルア
ルコール、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセル
ロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロ
ピルメチルセルロースなどの親水性ポリマーを添加して
も良い。これらの親水性ポリマーの添加量は画像形成層
の全バインダーの30wt%以下が好ましい。

【０１７６】本発明の画像形成層は水系の塗布液を塗布
後乾燥して調製することができる。ただし、ここで言う
「水系」とは塗布液の溶媒(分散媒)の30wt%以上が水で
あることをいう。塗布液の水以外の成分はメチルアルコ
ール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジメチルホルムア
ミド、酢酸エチルなどの水混和性の有機溶媒を用いるこ
とができる。具体的な溶媒組成の例としては以下のよう
なものがある。水／メタノール=90／10、水／メタノー
ル=70／30、水／エタノール=90／10、水／イソプロパノ
ール=90／10、水／ジメチルホルムアミド=95／5、水／
メタノール／ジメチルホルムアミド=80／15／5、水／メ
タノール／ジメチルホルムアミド=90／5／5。(ただし数
字はwt%を表す。)また、米国特許5,496,695号に記載の
方法を使用することもできる。

【０１７７】本発明の画像形成層は全バインダー量は0.
2〜30g／m²、より好ましくは1〜15g/m²の範囲が好まし
い。本発明の画像形成層には架橋のための架橋剤、塗布
性改良のための界面活性剤などを添加してもよい。

【０１７８】色調剤の添加は非常に望ましい。好適な色
調剤の例は調査報告第１７０２９号に開示されており、
次のものがある：イミド類（例えば、フタルイミド）；
環状イミド類、ピラゾリン−５−オン類、およびキナゾ
リノン（例えば、スクシンイミド、３−フェニル−２−
ピラゾリン−５−オン、１−フェニルウラゾール、キナ
ゾリンおよび２，４−チアゾリジンジオン）；ナフター
ルイミド類（例えば、Ｎ−ヒドロキシ−１，８−ナフタ
ールイミド）；コバルト錯体（例えば、コバルトのヘキ
サントリフルオロアセテート）、メルカプタン類（例え
ば、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール）；Ｎ
−（アミノメチル）アリールジカルボキシイミド類（例
えば、Ｎ−（ジメチルアミノメチル）フタルイミド）；
ブロックされたピラゾール類、イソチウロニウム（isot
hiuronium)誘導体およびある種の光漂白剤の組み合わせ
（例えば、Ｎ，Ｎ′ヘキサメチレン（１−カルバモイル
−３，５−ジメチルピラゾール）、１，８−（３，６−
ジオキサオクタン）ビス（イソチウロニウムトリフルオ
ロアセテート）、および２−（トリブロモメチルスルホ
ニル）ベンゾチアゾールの組み合わせ）；メロシアニン
染料（例えば、３−エチル−５−（（３−エチル−２−
ベンゾチアゾリニリデン（benzothiazolinylidene)）−
１−メチルエチリデン）−２−チオ−２，４−オキサゾ
リジンジオン（oxazolidinedione））；フタラジノン、
フタラジノン誘導体またはこれらの誘導体の金属塩（例
えば、４−（１−ナフチル）フタラジノン、６−クロロ
フタラジノン、５，７−ジメチルオキシフタラジノン、
および２，３−ジヒドロ−１，４−フタラジンジオ
ン）；フタラジノンとスルフィン酸誘導体の組み合わせ
（例えば、６−クロロフタラジノン＋ベンゼンスルフィ
ン酸ナトリウムまたは８−メチルフタラジノン＋ｐ−ト
リスルホン酸ナトリウム）；フタラジン＋フタル酸の組
み合わせ；フタラジン（フタラジンの付加物を含む）と
マレイン酸無水物、およびフタル酸、２，３−ナフタレ
ンジカルボン酸またはｏ−フェニレン酸誘導体およびそ
の無水物（例えば、フタル酸、４−メチルフタル酸、４
−ニトロフタル酸およびテトラクロロフタル酸無水物）
から選択される少なくとも１つの化合物との組み合わ
せ；キナゾリンジオン類、ベンズオキサジン、ナルトキ
サジン誘導体；ベンズオキサジン−２，４−ジオン類
（例えば、１，３−ベンズオキサジン−２，４−ジオ
ン）；ピリミジン類および不斉−トリアジン類（例え
ば、２，４−ジヒドロキシピリミジン）、およびテトラ
アザペンタレン誘導体（例えば、３，６−ジメロカプト
−１，４−ジフェニル−１Ｈ、４Ｈ−２，３ａ，５，６
ａ−テトラアザペンタレン。好ましい色調剤としてはフ
タラゾンである。

【０１７９】本発明の好ましい態様である熱現像感光材
料において、触媒活性量の光触媒として有用なハロゲン
化銀は感光性のいかなるハロゲン化銀（例えば、臭化
銀、ヨウ化銀、塩化銀、塩臭化銀、ヨウ臭化銀、塩ヨウ
臭化銀等）であってもよいがヨウ素イオンを含むことが
好ましい。このハロゲン化銀はいかなる方法で画像形成
層に添加されてもよく、このときハロゲン化銀は還元可
能な銀源に近接するように配置する。一般にハロゲン化
銀は還元可能銀源に対して０．７５〜３０重量％の量を
含有することが好ましい。ハロゲン化銀は、ハロゲンイ
オンとの反応による銀石鹸部の変換によって調製しても
よく、予備形成して石鹸の発生時にこれを添加してもよ
く、またはこれらの方法の組み合わせも可能である。後
者が好ましい。

【０１８０】還元可能な銀源は還元可能な銀イオン源を
含有する有機およびヘテロ有機酸の銀塩、特に長鎖（１
０〜３０、好ましくは１５〜２５の炭素原子数）の脂肪
族カルボン酸の銀塩が好ましい。配位子が、４．０〜１
０．０の銀イオンに対する総安定度定数を有する有機ま
たは無機の銀塩錯体も有用である。好適な銀塩の例は、
Research Disclosure 第１７０２９および２９９６３に
記載されており、次のものがある。有機酸の塩（例え
ば、没食子酸、シュウ酸、ベヘン酸、ステアリン酸、パ
ルミチン酸、ラウリン酸等）；銀のカルボキシアルキル
チオ尿素塩（例えば、１−（３−カルボキシプロピル）
チオ尿素、１−（３−カルボキシプロピル）−３，３−
ジメチルチオ尿素等）；アルデヒドとヒドロキシ置換芳
香族カルボン酸とのポリマー反応生成物の銀錯体（例え
ば、アルデヒド類（ホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド）、ヒドロキシ置換酸類（例え
ば、サリチル酸、安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息
香酸、５，５−チオジサリチル酸）、チオエン類の銀塩
または錯体（例えば、３−（２−カルボキシエチル）−
４−ヒドロキシメチル−４−（チアゾリン−２−チオエ
ン、および３−カルボキシメチル−４−チアゾリン−２
−チオエン）、イミダゾール、ピラゾール、ウラゾー
ル、１，２，４−チアゾールおよび１Ｈ−テトラゾー
ル、３−アミノ−５−ベンジルチオ−１，２，４−トリ
アゾールおよびベンゾトリアゾールから選択される窒素
酸と銀との錯体また塩；サッカリン、５−クロロサリチ
ルアルドキシム等の銀塩；およびメルカプチド類の銀
塩。好ましい銀源はベヘン酸銀である。還元可能な銀源
は好ましくは銀量として３g/m²以下である。さらに好ま
しくは２g/m²である。その下限には特に制限はないが、
０．１g/m²である。

【０１８１】このような熱現像記録材料中にはかぶり防
止剤が含まれて良い。最も有効なかぶり防止剤は水銀イ
オンであった。感光材料中にかぶり防止剤として水銀化
合物を使用することについては、例えば米国特許第３５
８９９０３号に開示されている。しかし、水銀化合物は
環境的に好ましくない。非水銀かぶり防止剤としては例
えば米国特許第４５４６０７５号および同４４５２８８
５号および日本特許公開第５９−５７２３４号に開示さ
れているようなかぶり防止剤が好ましい。

【０１８２】特に好ましい非水銀かぶり防止剤は、米国
特許第３８７４９４６号および同４７５６９９９号に開
示されているような化合物、−Ｃ（Ｘ¹ ）（Ｘ² ）（Ｘ
³ ）（ここでＸ¹ およびＸ² はハロゲン（例えば、Ｆ，
Ｃｌ，ＦｒおよびＩ）でＸ³は水素またはハロゲン）で
表される１以上の置換基を備えたヘテロ環状化合物であ
る。好適なかぶり防止剤の例としては次のものがある。

【０１８３】

【化２０】

【０１８４】

【化２１】

【０１８５】更により好適なかぶり防止剤は米国特許第
５０２８５２３号および英国特許出願第９２２２１３８
３．４号、同９３００１４７．７号、同９３１１７９
０．１号に開示されている。

【０１８６】本発明の好ましい態様である熱現像感光材
料には、例えば特開昭６３−１５９８４１号、同６０−
１４０３３５号、同６３−２３１４３７号、同６３−２
５９６５１号、同６３−３０４２４２号、同６３−１５
２４５号、米国特許４６３９４１４号、同４７４０４５
５号、同４７４１９６６号、同４７５１１７５号、同４
８３５０９６号に記載された増感色素が使用できる。

【０１８７】本発明に使用される有用な増感色素は例え
ばRESEARCH DISCLOSURE I tem １７６４３IV−Ａ項（１
９７８年１２月ｐ．２３）、同Ｉtem １８３１Ｘ項（１
９７８年８月ｐ．４３７）に記載もしくは引用された文
献に記載されている。

【０１８８】特に各種スキャナー光源の分光特性に適し
た分光感度を有する増感色素を有利に選択することがで
きる。

【０１８９】例えば Ａ）アルゴンレーザー光源に対しては、特開昭６０−１
６２２４７号、特開平２−４８６５３号、米国特許２，
１６１，３３１号、西独特許９３６，０７１号、特願平
３−１８９５３２号記載のシンプルメロシアニン類、
Ｂ）ヘリウム−ネオンレーザー光源に対しては、特開昭
５０−６２４２５号、同５４−１８７２６号、同５９−
１０２２２９号に示された三核シアニン色素類、特願平
６−１０３２７２号に示されたメロシアニン類、Ｃ）Ｌ
ＥＤ光源および赤色半導体レーザーに対しては特公昭４
８−４２１７２号、同５１−９６０９号、同５５−３９
８１８号へ特開昭６２−２８４３４３号、特開平２−１
０５１３５号に記載されたチアカルボシアニン類、Ｄ）
赤外半導体レーザー光源に対しては特開昭５９−１９１
０３２号、特開昭６０−８０８４１号に記載されたトリ
カルボシアニン類、特開昭５９−１９２２４２号、特開
平３−６７２４２号の式（IIIa）、式（IIIb）に記載さ
れた４−キノリン核を含有するジカルボシアニン類など
が有利に選択される。

【０１９０】これらの増感色素は単独に用いてもよい
が、それらの組合せを用いてもよく、増感色素の組合せ
は特に、強色増感の目的でしばしば用いられる。増感色
素とともに、それ自身分光増感作用をもたない色素ある
いは可視光を実質的に吸収しない物質であって、強色増
感を示す物質を乳剤中に含んでもよい。

【０１９１】本発明における熱現像感光材料の露光は、
Ａｒレーザー（４８８nm）、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（６３
３nm）、赤色半導体レーザー（６７０nm）、赤外半導体
レーザー（７８０nm、８３０nm）などが好ましい。

【０１９２】本発明における熱現像感光材料にはハレー
ション防止層として、染料を含有する層を設けることが
できる。Ａｒレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、赤色半導
体レーザー用には４００nm〜７５０nmの範囲で、露光波
長に少なくとも０．３以上、好ましくは０．８以上の吸
収となるように染料を添加する。赤外半導体レーザー用
には７５０nm〜１５００nmの範囲で、露光波長に少なく
とも０．３以上、好ましくは０．８以上の吸収となるよ
うに染料を添加する。染料は１種でも数種を組み合わせ
ても良い。

【０１９３】熱現像感光材料において、染料は感光層と
同じ側の支持体に近い染料層あるいは、感光層と反対側
の染料層に添加することができる。

【０１９４】本発明で用いられる支持体は、紙、合成
紙、合成樹脂（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン）をラミネートした紙、プラスチック
フイルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
カーボネート、ポリイミド、ナイロン、セルローストリ
アセテート）金属板、（例えば、アルミニウム、アルミ
ニウム合金、亜鉛、鉄、銅）、上記のような金属がラミ
ネートあるいは蒸着された紙やプラスチックフイルムな
どが用いられる。

【０１９５】一方、プラスチックフイルムを熱現像機に
通すとフイルムの寸法が伸縮する。印刷用記録材料とし
て使用する場合、この伸縮は精密多色印刷を行う時に重
大な問題となる。よって本発明では寸法変化の小さいフ
イルムを用いることが好ましい。例えば、シンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体や熱処理したポリ
エチレンなどがある。ガラス転移点の高いものも好まし
く、ポリエーテルエチルケトン、ポリスチレン、ポリス
ルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリアレート等が
使用できる。

【０１９６】

【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ （有機銀塩乳剤Ａの調製）ベヘン酸８４０ｇ、ステアリ
ン酸９５ｇを１２リットルの水に添加し９０℃に保ちな
がら、水酸化ナトリウム４８ｇ、炭酸ナトリウム６３ｇ
を１．５リットルの水に溶解したものを添加した。３０
分撹拌した後５０℃とし、Ｎ−ブロモスクシンイミド
（Ｃ−１２）１％水溶液１．１リットルを添加し、次い
で硝酸銀１７％水溶液２．３リットルを撹拌しながら徐
々に添加した。さらに液温を３５℃とし、撹拌しながら
臭化カリウム２％水溶液１．５リットルを２分間かけて
添加した後３０分間撹拌し、Ｎ−ブロモサクシイミド１
％水溶液２．４リットルを添加した。この水系混合物に
撹拌しながら１．２重量％ポリ酢酸ビニルの酢酸ブチル
溶液３３００ｇを加えた後１０分間静置し２層に分離さ
せ水層を取り除き、さらに残されたゲルを水で２回洗浄
した。こうして得られたゲル状のベヘン酸／ステアリン
酸銀および臭化銀の混合物をポリビニルブチラール（電
気化学工業（株）製デンカブチラール＃３０００−Ｋ）
の２．６％ブタンノン溶液１８００ｇで分散し、さらに
ポリビニルブチラール（電気化学工業（株）製デンカブ
チラール＃４０００−２）６００ｇ、イソプロピルアル
コール３００ｇと共に分散し有機酸銀塩乳剤（平均短径
０．０５μｍ、平均長径１．２μｍ、変動係数２５％の
針状粒子）を得た。

【０１９７】（乳剤層塗布液Ａの調製）上記で得た有機
銀塩乳剤に銀１モル当たり以下の量となるように各薬品
を添加した。２５℃でフェニルチオスルホン酸ナトリウ
ム１０mg、増感色素Ａを２０mg、増感色素Ｂを２５mg、
増感色素Ｃを１５mg、２−メルカプト−５−メチルベン
ゾイミダゾール（Ｃ−１）２ｇ、２−メルカプト−５−
メチルベンゾチアゾール（Ｃ−２）１g 、４−クロロベ
ンゾフェノン−２−カルボン酸（Ｃ−３）２１．５ｇと
２−ブタノン５８０ｇ、ジメチルホルムアミド２２０ｇ
を撹拌しながら添加し３時間放置した。ついで、４，６
−ジトリクロロメチル−２−フェニルトリアジン（Ｃ−
４）４．５ｇ、ジスルフィド化合物Ａを２ｇ、１，１−
ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−
３，５，５−トリメチルヘキサン（Ｃ−５）１６０g 、
フタラジン（Ｃ−６）１５g 、テトラクロロフタル酸
（Ｃ−７）５ｇ、表２７、２８に記載のヒドラジン誘導
体を表２９、３０に記載の量、表２７、２８に記載の一
般式（Ｉ）、（II）の化合物を表２９、３０に記載の
量、メガファックスＦ−１７６Ｐ（大日本インキ化学工
業（株）製フッ素系界面活性剤）１．１ｇ、２−ブタノ
ン５９０ｇ、メチルイソブチルケトン１０ｇを撹拌しな
がら添加した。

【０１９８】（乳剤面保護層塗布液Ａの調製）ＣＡＢ１
７１−１５Ｓ（イーストマンケミカル（株）製酢酸酪酸
セルロース）７５ｇ、４−メチルフタル酸（Ｃ−８）
５．７g 、テトラクロロフタル酸無水物（Ｃ−９）１．
５ｇ、２−トリブロモメチルスルフォニルベンゾチアゾ
ール（Ｃ−１０）１０g 、フタラゾン（Ｃ−１１）２g
、メガファックスＦ−１７６Ｐ０．３g 、シルデック
スＨ３１（洞海化学社製真球状シリカ平均サイズ３μ
ｍ）２ｇ、sumidur Ｎ３５００（住友バイエルウレタン
社製ポリイソシアネート）５ｇを２−ブタノン３０７０
ｇと酢酸エチル３０ｇに溶解したものを調製した。

【０１９９】（バック面を有した支持体の作成）ポリビ
ニルブチラール（電気化学工業（株）製デンカブチラー
ル＃４０００−２）６g 、シルデックスＨ１２１（洞海
化学社製真球状シリカ平均サイズ１２μｍ）０．２ｇ、
シルデックスＨ５１（洞海化学社製真球状シリカ平均サ
イズ５μｍ）０．２ｇ、０．１g のメガファックスＦ−
１７６Ｐを２−プロパノール６４g に攪拌しながら添加
し溶解および混合させた。さらに、４２０mgの染料Ａを
メタノール１０g とアセトン２０g に溶かした混合溶液
および３−イソシアナトメチル−３，５，５，−トリメ
チルヘキシルイソシアネート０．８g を酢酸エチル６g
に溶かした溶液を添加し塗布液を調製した。両面が塩化
ビニリデンを含む防湿下塗りからなるポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にバック面塗布液を６３３nmの光
学濃度０．７となるように塗布した。上記のように調製
した支持体上に乳剤層塗布液を銀が２g/m²となるように
塗布した後、乳剤面上に乳剤面保護層塗布液を乾燥厚さ
５μm となるように塗布し、熱現像記録材料のサンプル
を得た。

【０２００】なお、上記において用いた化合物の構造式
を以下に示す。また、これらは実施例２、５に用いられ
るものもあり、さらには実施例２、５にのみ用いられる
化合物の構造式も併せて示す。

【０２０１】

【化２２】

【０２０２】

【化２３】

【０２０３】（写真性能の評価）大日本スクリーン
（株）製のヘリウム- ネオン光源カラースキャナーＳＧ
−６０８を使用して記録材料を露光した後、記録材料を
ヒートドラムを使用して１１５℃で２５秒間処理（現
像）し、さらにハロゲンランプで１５秒曝光した後、得
られた画像の評価を濃度計により行った。測定の結果
は、Ｄｍａｘ、感度（Ｄｍｉｎより１．５高い濃度を与
える露光量の比の逆数）で評価した。また、特性曲線で
濃度０．３と３．０の点を結ぶ直線の傾きを階調γとし
て示した。結果を表２９、３０に示す。

【０２０４】（黒ポツの評価）未露光の記録材料を、ヒ
ートドラムを使用して１２０℃で６０秒間現像処理し、
発生した黒ポツの数を目視評価した。「５」が最も良く
「１」が最も悪い品質を表す。「３」が実用可能限界
で、「２」、「１」は実用不可である。結果を表２９、
３０に示す。

【０２０５】

【表２９】

【０２０６】

【表３０】

【０２０７】（結果）本発明のヒドラジン化合物と一般
式（Ｉ）、（II）で表される化合物を使用することによ
り、高Ｄｍａｘ、硬調性、黒ポツをすべて満足する熱現
像記録材料を得ることができた。

【０２０８】実施例２ （ハロゲン化銀粒子Ｂの調製）水９００mlにイナートゼ
ラチン７．５g および臭化カリウム１０mgを溶解して温
度３５℃にてpHを３．０に合わせた後、硝酸銀７４g を
含む水溶液３７０mlと臭化カリウムと沃化カリウムとを
９４：６のモル比で含みＫ₃〔ＩｒＣｌ₆ 〕を含む水溶
液をpAg ７．７に保ちながらコントロールダブルジェッ
ト法で１０分間かけて添加した。〔ＩｒＣｌ₆ 〕^3-は銀
１モルに対して３×１０^-7モルになるように添加した。
その後４−ヒドロキシ−６−メチル１，３，３ａ，７−
テトラザインデン０．３g を添加し、ＮａＯＨでpHを５
に調整して平均サイズ０．０６μm 投影面積変動係数８
％、｛１００｝面比率８７％の立方体沃臭化銀粒子を得
た。この乳剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈降させ脱
塩処理後フェノキシエタノール０．１g を加え、pH５．
９、pAg ７．５に調製した。

【０２０９】（有機酸銀乳剤Ｂの調製）ベヘン酸１０．
６g 、蒸留水３００mlを９０℃で１５分間混合し、激し
く攪拌しながら１Ｎ−ＮａＯＨ水溶液３１．１mlを１５
分かけて添加し、そのまま１時間放置した後、３０℃に
降温した。次に、１Ｎ−リン酸水溶液７mlを添加し、よ
り激しく攪拌しながら上記化２２に示したＮ−ブロモス
クシンイミド（Ｃ−１２）０．１３g を添加した後、あ
らかじめ調製したハロゲン化銀粒子Ｂをハロゲン化銀量
が２．５m モルとなるように添加した。さらに、１Ｎ−
硝酸銀水溶液２５mlを２分かけて連続添加し、そのまま
９０分間攪拌し続けた。この水系混合物にポリ酢酸ビニ
ルの１．２重量％の酢酸ブチル溶液３７g を添加して分
散物のフロックを形成後、水を取り除き、さらに２回の
水洗と水の除去を行った後、ポリビニルブチラール（電
気化学工業（株）製デンカブチラール＃３０００−Ｋ）
の２．５wt% の酢酸ブチルとイソプロピルアルコール
１：２混合溶液２０g を攪拌しながら加えた後、こうし
て得られたゲル状の有機酸、ハロゲン化銀の混合物にポ
リビニルブチラール（電気化学工業（株）製デンカブチ
ラール＃４０００−２）７．８g 、２−ブタノン５７g
を添加しホモジナイザーで分散し、ベヘン酸銀塩乳剤
（平均短径０．０４μm 、平均長径１μm 、変動係数３
０％の針状粒子）を得た。

【０２１０】（乳剤層塗布液Ｂの調製）上記で得た有機
銀塩乳剤に銀１モル当たり以下の量となるように各薬品
を添加した。２５℃でフェニルチオスルホン酸ナトリウ
ム１０mg、増感色素Ａを２５mg、増感色素Ｂを２０mg、
増感色素Ｃを１８mg、２−メルカプト−５−メチルベン
ゾイミダゾール（Ｃ−１）２ｇ、４−クロロベンゾフェ
ノン−２−カルボン酸（Ｃ−３）２１．５ｇと２−ブタ
ノン５８０ｇ、ジメチルホルムアミド２２０ｇを撹拌し
ながら添加し３時間放置した。ついで、４，６−ジトリ
クロロメチル−２−フェニルトリアジン（Ｃ−４）４
ｇ、ジスルフィド化合物Ａを２ｇ、１，１−ビス（２−
ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，５，５
−トリメチルヘキサン（Ｃ−５）１７０g 、テトラクロ
ロフタル酸（Ｃ−７）５ｇ、フタラジン（Ｃ−６）１５
g 、表３１、３２に記載のヒドラジン誘導体を表３１、
３２に記載の量、メガファックスＦ−１７６Ｐ（大日本
インキ化学工業（株）製フッ素系界面活性剤）１．１
ｇ、２−ブタノン５９０ｇ、メチルイソブチルケトン１
０ｇを撹拌しながら添加した。

【０２１１】（乳剤面保護層塗布液Ｂの調製）ＣＡＢ１
７１−１５Ｓ（イーストマンケミカル（株）製酢酸酪酸
セルロース）７５g 、４−メチルフタル酸（Ｃ−８）
５．７g 、テトラクロロフタル酸無水物（Ｃ−９）１．
５g 、５−トリブロモメチルスルフォニル−２−メチル
チアジアゾール（Ｃ−１３）８g 、２−トリブロモメチ
ルスルフォニルベンゾチアゾール（Ｃ−１０）６g 、フ
タラジン（Ｃ−１１）３g 、０．３g のメガファックス
Ｆ−１７６Ｐ、表３１、３２に記載の一般式（Ｉ）、
（II）で表される化合物を表３１、３２に記載の量、シ
ルデックスＨ３１（洞海化学社製真球状シリカ平均サイ
ズ３μm ）２g 、sumidur N3500 （住友バイエルウレタ
ン社製ポリイソシアネート）６g を２−ブタノン３０７
０g と酢酸エチル３０g に溶解したものを調製した。

【０２１２】（バック面を有した支持体の作成）ポリビ
ニルブチラール（電気化学工業（株）製デンカブチラー
ル＃４０００−２）の６g 、シルデックスＨ１２１（洞
海化学社製真球状シリカ平均サイズ１２μｍ）０．２
ｇ、シルデックスＨ５１（洞海化学社製真球状シリカ平
均サイズ５μｍ）０．２ｇ、０．１g のメガファックス
Ｆ−１７６Ｐを２−プロパノール６４g に攪拌しながら
添加し溶解および混合させた。さらに、４２０mgの染料
Ａをメタノール１０g とアセトン２０g に溶かした混合
溶液および３−イソシアナトメチル−３，５，５，−ト
リメチルヘキシルイソシアネート０．８g を酢酸エチル
６g に溶かした溶液を添加し塗布液を調製した。

【０２１３】両面が塩化ビニリデンを含む防湿下塗りか
らなるポリエチレンテレフタレートフィルム上にバック
面塗布液を６８８nmの光学濃度０．７となるように塗布
した。上記のように調製した支持体上に乳剤層塗布液を
銀が２g/m²となるように塗布した後、乳剤面上に乳剤面
保護層塗布液を乾燥厚さ５μm となるように塗布し、熱
現像記録材料のサンプルを得た。

【０２１４】（写真性能の評価）実施例１と同様に評価
した。結果を表３１、３２に示す。

【０２１５】（黒ポツの評価）実施例１と同様に評価し
た。結果を表３１、３２に示す。

【０２１６】

【表３１】

【０２１７】

【表３２】

【０２１８】（結果）本発明のヒドラジン化合物と一般
式（Ｉ）、（II）で表される化合物を使用することによ
り、高Ｄｍａｘ、硬調性、黒ポツをすべて満足する熱現
像記録材料を得ることができた。

【０２１９】実施例３ ヒドラジン化合物と一般式（Ｉ）、（II）で表される化
合物を表３３、３４に記載されたように使用すること、
使用する増感色素を増感色素Ｄ（１５mg）、Ｅ（２０m
g）、Ｆ（１８mg）の混合物に変更すること、７８０nm
の吸収が０．７となるように染料Ｂを添加したバックコ
ート層が塗布された支持体を使用する以外は、実施例１
と同様にサンプルを作成した。

【０２２０】なお、ここで用いた増感色素および染料の
構造式を以下に示す。増感色素は実施例４にも用いられ
ており、実施例４に用いられる染料の構造式を併せて示
す。

【０２２１】

【化２４】

【０２２２】（写真性能の評価）上記サンプルを７８０
nmにピークを持つ干渉フィルターを介し、ステップウェ
ッジを通して発光時間１０^-6sec のキセノンフラッシュ
光で露光し、ハロゲンランプで曝光しない以外は実施例
１と同様に評価した。結果を表３３、３４に示す。

【０２２３】（黒ポツの評価）実施例１と同様に評価し
た。結果を表３３、３４に示す。

【０２２４】

【表３３】

【０２２５】

【表３４】

【０２２６】（結果）本発明のヒドラジン化合物と一般
式（Ｉ）、（II）で表される化合物を使用することによ
り、高Ｄmax 、硬調性、黒ポツをすべて満足する熱現像
記録材料を得ることができた。

【０２２７】実施例４ ヒドラジン化合物と一般式（Ｉ）、（II）で表される化
合物（ともに乳剤層に添加）を表３５、３６に記載され
たように使用すること、使用する増感色素を増感色素Ｄ
（１８mg）、Ｅ（１５mg）、Ｆ（１５mg）の混合物に変
更すること、７８０nmの吸収が０．７となるように染料
Ｃを添加したバックコート層が塗布された支持体を使用
する以外は、実施例２と同様にサンプルを作成した。

【０２２８】（写真性能の評価）上記サンプルを７８０
nmにピークを持つ干渉フィルターを介し、ステップウェ
ッジを通して発光時間１０^-6sec のキセノンフラッシュ
光で露光し、ハロゲンランプで曝光しない以外は実施例
１と同様に評価した。結果を表３５、３６に示す。

【０２２９】（黒ポツの評価）実施例１と同様に評価し
た。結果を表３５、３６に示す。

【０２３０】

【表３５】

【０２３１】

【表３６】

【０２３２】（結果）本発明のヒドラジン化合物と一般
式（Ｉ）、（II）で表される化合物を使用することによ
り、高Ｄmax 、硬調性、黒ポツをすべて満足する熱現像
記録材料を得ることができた。

【０２３３】実施例５ （ハロゲン化銀粒子Ｃの調製）水７００mlにフタル化ゼ
ラチン２２gおよび臭化カリウム３０mgを溶解して温度
４０℃にてpHを５．０に合わせた後、硝酸銀１８．６g
を含む水溶液１５９mlと臭化カリウムを含む水溶液をpA
g ７．７に保ちながらコントロールダブルジェット法で
１０分間かけて添加した。Ｋ₃〔ＩｒＣｌ₆ 〕^3-を８×
１０^-6モル／リットルと臭化カリウムを１モル／リット
ルで含む水溶液をpAg ７．７に保ちながらコントロール
ダブルジェット法で３０分間かけて添加した。その後ｐ
Ｈ５．９、pAg８．０に調整した。

【０２３４】得られた粒子は、平均粒子サイズ０．０７
μm 、投影面積直径の変動係数８％、（１００）面積率
８６％の立方体粒子であった。

【０２３５】上記のハロゲン化銀粒子Ｃを温度６０℃に
昇温して、銀１モル当たり８．５×１０^-5モルのチオ硫
酸ナトリウム、１．１×１０^-5モルの２，３，４，５，
６−ペンタフロロフェニルジフェニルスルフィンセレニ
ド、２×１０^-6モルの下記テルル化合物−１、３．３×
１０^-6モルの塩化金酸、２．３×１０^-4モルのチオシア
ン酸を添加して、１２０分間熟成した。その後、温度を
５０℃にして８×１０^-4モルの下記増感色素−Ｇを撹拌
しながら添加し、さらに、３．５×１０^-2モルの沃化カ
リウムを添加して３０分間撹拌し、３０℃に急冷してハ
ロゲン化銀粒子の調製を完了した。

【０２３６】

【化２５】

【０２３７】（有機酸銀微結晶分散物の調製）ベヘン酸
４０ｇ、ステアリン酸７．３ｇ、蒸留水５００mlを９０
℃で１５分間混合し、激しく撹拌しながら１Ｎ−ＮａＯ
Ｈ水溶液１８７mlを１５分かけて添加し、１Ｎ−硝酸水
溶液６１mlを添加して５０℃に降温した。次に、１Ｎ−
硝酸銀水溶液１２４mlを添加してそのまま３０分間撹拌
した。その後、吸引濾過で固形分を濾過し、濾水の伝導
度が３０μＳ/cmになるまで固形分を水洗した。こうし
て得られた固形分は、乾燥させないでウェットケーキと
して取り扱い、乾燥固形分３４．８g 相当のウェットケ
ーキに対して、ポリビニルアルコール１２g および水１
５０mlを添加し、よく混合してスラリーとした。平均直
径０．５mmのジルコニアビーズ８４０g を用意してスラ
リーと一緒にベッセルに入れ、分散機（１／４Ｇ−サン
ドグラインダーミル：アイメックス（株）社製）にて５
時間分散し、体積加重平均１．５μm の有機酸銀微結晶
分散物を得た。粒子サイズの測定は、Malvern Instrume
nts Ltd.製 Master Saizer Xにて行った。

【０２３８】（素材固体微粒子分散物の調製）テトラク
ロロフタル酸（Ｃ−７）、４−メチルフタル酸（Ｃ−
８）、１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチ
ルフェニル）−３，５，５−トリメチルヘキサン（Ｃ−
５）、フタラジン（Ｃ−６）、トリブロモメチルスルフ
ォニルベンゼン（Ｃ−１４）について固体微粒子分散物
を調製した。

【０２３９】テトラクロロフタル酸に対して、ヒドロキ
シプロピルセルロース0.81ｇと水94.2mlとを添加して良
く攪拌してスラリーとして10時間放置した。その後、平
均直径0.5mmのジルコニアビーズを100mlとスラリーとを
一緒にベッセルに入れて有機酸銀微結晶分散物の調製に
用いたものと同じ型の分散機で5時間分散してテトラク
ロロフタル酸の固体微結晶分散物を得た。固体微粒子の
粒子サイズは70wt％が1.0μｍ以下であった。その他の
素材については所望の平均粒径を得るために適宜分散剤
の使用量および分散時間を変更して、固体微粒子分散物
を得た。

【０２４０】（乳剤層塗布液の調製）先に調製した有機
酸銀微結晶分散物に対して下記の各組成物を添加して乳
剤塗布液を調製した。 有機酸銀微結晶分散物 1モル ハロゲン化銀粒子Ｃ 0.05モル バインダー：SBRラテックス(LACSTAR 3307B(大日本インキ化学工業（株）製) 430ｇ 現像用素材： テトラクロロフタル酸 5ｇ 1,1-ビス(2-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル)-3,5,5-トリメチルヘキサン 98ｇ フタラジン 9.2ｇ トリブロモメチルフェニルスルホン 12ｇ ４−メチルフタル酸 7ｇ ヒドラジン誘導体（表３７〜４０に示す種類、添加量；モル／モルＡｇ） 本発明の化合物（表３７〜４０に示す種類、添加量；モル／モルＡｇ） なお、LACSTAR 3307Bはスチレン−ブタジエン系コポリ
マーのラテックスであり、分散粒子の平均粒径は０．１
〜０．１５μm であり、２５℃６０％ＲＨ条件下でのポ
リマーの平衡含水率は０．６wt% であった。

【０２４１】（乳剤保護層塗布液の調製）イナートゼラ
チンに対して、下記の各組成物を添加して乳剤保護層塗
布液を調製した。 イナートゼラチン 10g 界面活性剤Ａ（下記） 0.26g 界面活性剤Ｂ（下記） 0.09g シリカ微粒子（平均粒径2.5μｍ） 0.9g １，２−（ビスビニルスルホンアセトアミド）エタン 0.3g 水 64g

【０２４２】

【化２６】

【０２４３】（バック面を有した支持体の作成）ポリビ
ニルブチラール（電気化学工業（株）製デンカブチラー
ル＃４０００−２）６g 、シルデックスＨ１２１（洞海
化学社製真球状シリカ平均サイズ１２μｍ）０．２ｇ、
シルデックスＨ５１（洞海化学社製真球状シリカ平均サ
イズ５μｍ）０．２ｇ、０．１g のメガファックスＦ−
１７６Ｐを２−プロパノール６４g に攪拌しながら添加
し溶解および混合させた。さらに、４２０mgの染料Ｂを
メタノール１０g とアセトン２０g に溶かした混合溶液
および３−イソシアナトメチル−３，５，５，−トリメ
チルヘキシルイソシアネート０．８g を酢酸エチル６g
に溶かした溶液を添加し塗布液を調製した。両面が塩化
ビニリデンを含む防湿下塗りからなるポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にバック面塗布液を７８０nmの光
学濃度０．７となるように塗布した。

【０２４４】（乳剤層塗布液の調製）上記のように調製
した乳剤層塗布液をバック面が塗布されているポリエチ
レンテレフタレート支持体上に銀が１．６g/m²になるよ
うに塗布した。その上に乳剤層保護層塗布液をゼラチン
の塗布量が１．８g/m²になるように塗布し、サンプルを
得た。

【０２４５】（写真性能の評価）実施例１と同様に評価
した。結果を表３７〜４０に示す。

【０２４６】（黒ポツの評価）実施例１と同様に評価し
た。結果を表３７〜４０に示す。

【０２４７】

【表３７】

【０２４８】

【表３８】

【０２４９】

【表３９】

【０２５０】

【表４０】

【０２５１】（結果）本発明の化合物を使用することに
より、高Ｄｍａｘ、超硬調性、黒ポツをすべて満足する
熱現像記録材料を得ることができた。

【０２５２】

【発明の効果】本発明によれば、黒ポツがなく、高Ｄｍ
ａｘ、高感度であり、硬調性が十分な熱現像記録材料が
得られる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１層の画像形成層を有する熱
   現像記録材料において、有機銀塩と、還元剤と、下記一
   般式（１）から一般式（９）で表されるヒドラジン誘導
   体のうちの少なくとも１つと、下記一般式（Ｉ）および
   （II）で表される化合物のうちの少なくとも１つとを含
   有することを特徴とする熱現像記録材料。 【化１】 ［一般式（１）においてＹ₁₀はニトロ基、メトキシ基、
   アルキル基またはアセトアミド基を表し、Ｘ₁₀はＹ₁₀で
   表される置換基を除く１価の置換基を表す。ｍ₁₀は0 〜
   5 の整数であり、ｎ₁₀は0 〜4 の整数である。Ａ₁ およ
   びＡ₂ はそれぞれ水素原子、アルキルスルホニル基、ア
   リールスルホニル基またはアシル基を表し、Ａ₁ および
   Ａ₂ はともに水素原子であるか、または一方が水素原子
   で他方がアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基
   またはアシル基である。但し、ｍ₁₀とｎ₁₀との和が5 を
   こえることはなく、またｍ₁₀が0 の時、Ａ₁ およびＡ₂
   のいずれか一方はアルキルスルホニル基、アリールスル
   ホニル基またはアシル基である。一般式（２）において
   Ａｒ₁ は芳香族基またはヘテロ環基を表し、Ａ₃ および
   Ａ₄ はそれぞれ一般式（１）におけるＡ₁ およびＡ₂ で
   表される基と同義の基を表す。Ｘ₁₁は、少なくとも1 つ
   の特定の置換基で置換されたアルキル基、少なくとも1
   つの特定の置換基で置換されたアリール基、アルケニル
   基、アルキニル基、ヘテロ環基、無置換アミノ基、アル
   キルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、
   ヒドラジノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を
   表す。一般式（３）においてＡｒ₂ は芳香族基またはヘ
   テロ環基を表し、Ａ₅ およびＡ₆ はそれぞれ一般式
   （１）におけるＡ₁ およびＡ₂ で表される基と同義の基
   を表す。Ｘ₁₂は水素原子またはブロック基を表す。一般
   式（４）においてＡｒ₃ は芳香族基またはヘテロ環基を
   表し、Ａ₇ およびＡ₈ はそれぞれ一般式（１）における
   Ａ₁ およびＡ₂ で表される基と同義の基を表す。Ｘ₁₃は
   水素原子またはブロック基を表し、Ｇ₃ は−Ｃ（＝Ｓ）
   −、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ−、−ＰＯ（Ｘ₃₃）−（Ｘ₃₃は
   Ｘ₁₃に定義した基と同じ範囲内より選ばれ、Ｘ₁₃と異な
   っていてもよい。）、ビニレン基またはイミノメチレン
   基を表す。但し、Ｇ₃ がビニレン基またはイミノメチレ
   ン基である時、Ｘ₁₃はそのα炭素に結合し、またＧ₃ が
   ビニレン基である時、Ａｒ₃はヘテロ環基である。一般
   式（５）においてＸ₂₀、Ｘ₂₁、およびＸ₂₂はそれぞれ水
   素原子または１価の置換基を表すが、但しＸ₂₀、Ｘ₂₁お
   よびＸ₂₂が同時に芳香族基となることはない。Ａ₉ およ
   びＡ₁₀はそれぞれ一般式（１）におけるＡ₁ およびＡ₂
   で表される基と同義の基を表し、Ｘ₁₄は水素原子または
   ブロック基を表す。一般式（６）においてＸ₃₀は脂肪族
   基を表し、Ｘ₁₅は水素原子またはブロック基を表す。Ｇ
   ₅ は−ＣＯＣＯ−または一般式（４）のＧ₃ で表される
   基と同義の基を表す。Ａ₁₁およびＡ₁₂はそれぞれ一般式
   （１）におけるＡ₁ およびＡ₂ で表される基と同義の基
   を表す。但し、Ｇ₅ が−Ｃ（＝Ｓ）−である時、Ｘ₁₅が
   無置換アニリノ基となることはない。一般式（７）にお
   いてＸ₄₀は脂肪族基を表し、Ｘ₁₆は脂肪族基、芳香族基
   またはヘテロ環基を表す。Ａ₁₃およびＡ₁₄はそれぞれ一
   般式（１）におけるＡ₁ およびＡ₂ で表される基と同義
   の基を表す。但し、Ｘ₄₀がトリチル基である時、Ｘ₁₆が
   無置換フェニル基となることはない。一般式（８）にお
   いてＸ₅₀は３つのアリール基で置換されたメチル基を表
   し、Ｘ₁₇は無置換アミノ基、アルキルアミノ基、ヘテロ
   環アミノ基またはアルキニル基を表す。Ａ₁₅およびＡ₁₆
   はそれぞれ一般式（１）におけるＡ₁ およびＡ₂ で表さ
   れる基と同義の基を表す。一般式（９）においてＨｅｔ
   はヘテロ環基を表し、Ａ₁₇およびＡ₁₈はそれぞれ一般式
   （１）におけるＡ₁およびＡ₂で表される基と同義の基を
   表す。］ 【化２】 ［一般式（Ｉ）においてＥＷＤは電子吸引性基を表し、
   Ｒ₁₀₀、Ｒ₂₀₀およびＲ_{30 0}は各々水素原子または１価の
   置換基を表す。但し、Ｒ₁₀₀およびＲ₂₀₀のうちの少なく
   とも一方は１価の置換基である。一般式（II）において
   Ｒ₄₀₀は１価の置換基を表す。］
2. 【請求項２】 一般式（２）から一般式（９）で表され
   るヒドラジン誘導体を少なくとも１つ含有する請求項１
   に記載の熱現像記録材料。
3. 【請求項３】 感光性ハロゲン化銀を含有する請求項１
   または２に記載の熱現像記録材料。
4. 【請求項４】 一般式（Ｉ）で表される化合物が、一般
   式（Ｉ）中のＥＷＤがシアノ基またはホルミル基であ
   り、Ｒ₃₀₀が電子吸引性基またはアリール基であり、Ｒ
   ₁₀₀およびＲ₂₀₀のいずれか一方が水素原子で、他方がヒ
   ドロキシ基、アルコキシ基または不飽和ヘテロ環基であ
   る化合物であり、 一般式（II）で表される化合物が、一般式（II）中のＲ
   ₄₀₀が電子吸引性基である化合物である請求項１〜３の
   いずれかに記載の熱現像記録材料。