JPH10154584A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子Info
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
ことを容易にする。 【解決手段】評価用素子を設け、画素セル内に位置を表
わす目印が下部電極及び上部電極の一方または両方によ
り形成されている。
Description
し、特にマトリックス状に画素セルを配置した有機ＥＬ
素子の評価用パターンに関する。
した有機ＥＬ素子は、例えば特開平２−６６８７３に記
載されているように、基板上に形成されたストライプ
（縞）状の下部電極と、それに直交するストライプ状の
上部電極と、これらの間に配設された有機化合物薄膜と
により構成されている。図８（ａ），（ｂ）に示すよう
に、基板１上に形成された下部電極２と上部電極３の重
なった部分が発光する画素となり、矩形の画素セルがマ
トリックス状に配列されている。
ることが半導体装置において行われている。例えば、特
開平７−８６３６６，特開昭６２−１４９１１４，特開
昭５９−１２４７５２に記載されている。例えば、図９
に示すように、半導体メモリセル５の配列の周辺部に三
角形の目印６を５行５列毎に配列している。
半導体装置の例にならえば、不良の画素セルは特定でき
るが、矩形の画素セル内部の不良箇所を特定することは
困難であった。その理由は、矩形の画素セルの中の位置
を表わし、不良箇所を特定するような目印が存在してい
ないからである。
画素セルの中に大きさ１μｍ程度の非発光となる欠陥が
数個、５００倍程度の光学顕微鏡で下部電極側から観察
されたとする。この場合、例えばＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）で欠陥部を５万倍程度の高倍率で上部電極側から
観察するためには、欠陥の位置を特定する必要があり、
上部電極表面が一様で画素セル中の位置を特定すること
が困難な時は、欠陥部へ影響しないように印をつける必
要があった。画素セルの中の位置を特定するために、下
部電極及び上部電極以外の構造物で目印を形成すると、
有機ＥＬ素子の製造工程が増える。下部電極または上部
電極により全ての画素セルの中に目印を形成すると、画
素セルの発光部の面積が減少して暗くなる。ストライプ
状の下部電極またはストライプ状の上部電極の各々の電
極の間に、各々の電極により目印を形成すると各々の電
極の間隔を広げる必要があり、全体に対する画素セルの
面積比が減少して暗くなる。
陥が存在した場合に、その欠陥箇所の特定を容易に行う
ことができる有機ＥＬ素子を提供することである。
は、透明な下部電極（図１の２）有機化合物からなる薄
膜（図１の３）と上部電極（図１の４）から構成され、
特定の画素セル内の位置を表わすために下部電極（図１
の２）及び上部電極（図１の４）の一方または両方に目
印（図１の６）が形成されている。目印は、特定の画素
セルの外周に凹部目盛パターンを設けて形成することも
できる。
または両方により位置を表わす目印が形成されているの
で、微小欠陥が存在した場合にその場所を特定すること
が容易になる。
図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は本発明の
第１の実施の形態を示すための断面図、図１（ｂ）は平
面図、図２は斜視図である。図３はマトリックス状の画
素セル配列と評価用素子の平面図である。図３の評価用
素子７を拡大したのが図１（ｂ）であり、図１（ａ）は
図１（ｂ）のＸ−Ｘ′線で切った断面図である。
上に導電性の透明な下部電極２を形成する。材料として
は、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）のような金属酸
化物を用いる。この透明な下部電極をパターニングする
ことにより図１（ｂ）に示すように画素パターン内に位
置を現わす目印６を形成する。この実施の形態では、目
印として下部電極の内に矩形の穴を縦と横に規則的に配
列したが、形状や配列の仕方は任意で、観察する場合に
目印としての機能をもつものであればよい。目印の形状
としては高倍率の観察で位置が確認し易いように角があ
り、大きさ１μｍ程度の欠陥を観察するには目印の間隔
が１００μｍ以下であることが望ましい。
（ａ）に示すように形成する。この薄膜は、単層または
積層構造でＥＬ発光現象を示す。成膜方法は、真空蒸着
法やスピンコート法を用いる。次に導電性金属からなる
上部電極４を図１（ａ）に示すように形成する。材料と
しては、仕事関数の小さい金属の合金であるマグネシウ
ム：銀やマグネシウム：インジウムなどを用いる。
示すための断面図、図４（ｂ）は平面図、図５は斜視図
である。なお、図４（ａ）は図４（ｂ）のＹ−Ｙ′線で
切った断面図である。この実施の形態では、上部電極を
パターニングすることにより画素セル内に位置を現わす
目印を形成する。
画素セル内に位置を現わす目印が形成されているので、
不良箇所が存在した場合その位置を特定することが容易
にできる。
画素セルの面積を等しくしパターンエッヂの長さが下部
電極と上部電極で異なるようにできるので、第１の実施
の形態と第２の実施の形態で不良の発生頻度に差があれ
ば、欠陥の原因が下部・上部のどちらの製造工程が推定
できる。
して詳細に説明する。図６（ａ）は第１の実施の形態の
実施例を示す断面図、図６（ｂ）は平面図である。な
お、図６（ａ）は図６（ｂ）のＺ−Ｚ′線で切った断面
図である。図６（ａ）に示すように、厚さ１ｍｍのガラ
ス基板１上にスパッタ法によりＩＴＯ膜を２０００オン
グストローム堆積する。次に図６（ｂ）に示すように、
フォトリソグラフィ技術とドライエッチングにより、幅
３００μｍのパターン中に一辺２０μｍの正方形の穴を
５０μｍの間隔で縦と横に規則的に形成する。このこと
により評価用素子の画素セル内の位置を表わす目印が形
成される。次に図６（ａ）に示すように、真空蒸着によ
り有機化合物からなる薄膜３を堆積する。正孔輸送層３
Ａとしてジアミン誘導体（ＴＰＤ）を５００オングスト
ローム，発光層及び電子輸送層３Ｂとしてトリス（８−
キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を５００オン
グストローム蒸着する。次にマグネシウムを５００オン
グストローム、銀を１５００オングストローム蒸着して
上部電極４を形成する。
ｍの評価用素子では中央付近に不良が存在した場合、下
部電極エッヂと上部電極のエッヂの交点から１５０μｍ
程度操作し、不良箇所の位置を特定する必要がある。こ
れに対し、本実施例の評価素子においては、目印となる
矩形の頂点から３０μｍ程度の操作により不良箇所の位
置を特定することが可能となる。
図面を参照して説明する。図７は本発明の第３の実施の
形態を示すための平面図である。下部電極２と上部電極
３のみを示しており、それぞれに位置を表わす目盛パタ
ーンを形成する。評価用素子の画素セル内の位置を表わ
す機能の他に、下部電極と上部電極とで目盛のピッチを
変えてノギスのように下部電極と上部電極との設計から
の位置ずれの検出ができる。
盛として大きさ２０μｍの凹形状を間隔５０μｍで形成
し、上部電極４の縦と横にそれぞれ目盛として大きさ２
０μｍの凹形状を間隔４０μｍで形成する。下部電極と
上部電極の各々の中央の目盛を長くし位置を合わせて設
計する。画素セル内の位置の特定が間隔５０μｍまたは
４０μｍの目盛を使うことにより可能であり、最小１０
μｍの位置ずれの検出も可能となる。
素の内部に不良箇所が存在した場合、その位置の特定を
容易にするということである。その理由は、下部電極及
び上部電極の一方または両方に位置を表わす目印が形成
されているからである。
形成工程が不良の発生原因となっている場合、どちらか
を推定できることである。その理由は、画素の面積が等
しく下部電極と上部電極のエッヂの長さが異なる評価用
素子パターンを形成できるからである。
示す断面図と平面図である。
る。
ス状に画素セルを配置した有機ＥＬ素子の平面図であ
る。
示す断面図と平面図である。
る。
実施例を示す断面図と平面図である。
る。
セルを配置した有機ＥＬ素子の斜視図と平面図である。
図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な下部電極と有機化合物からなる薄
膜と上部電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）素子において、画素セルがマトリックス状に配
置されており、特定の画素セル内の位置を表わすため
に、前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方に
目印が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記目印は、特定の画素セルの上部電極
または下部電極の少なくとも一方に複数個の穴を設けて
形成することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項３】 前記目印は、特定の画素セルの上部電極
または下部電極の外周に凹部目盛パターンを設けて形成
することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8315121A JP2762995B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8315121A JP2762995B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154584A true JPH10154584A (ja) | 1998-06-09 |
| JP2762995B2 JP2762995B2 (ja) | 1998-06-11 |
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ID=18061667
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8315121A Expired - Fee Related JP2762995B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762995B2 (ja) |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP8315121A patent/JP2762995B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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| JP2762995B2 (ja) | 1998-06-11 |
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