JPH10154308A - Ｈｄｄ磁気ヘッド用フレキシブル配線材 - Google Patents
Ｈｄｄ磁気ヘッド用フレキシブル配線材Info
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- JPH10154308A JPH10154308A JP32795596A JP32795596A JPH10154308A JP H10154308 A JPH10154308 A JP H10154308A JP 32795596 A JP32795596 A JP 32795596A JP 32795596 A JP32795596 A JP 32795596A JP H10154308 A JPH10154308 A JP H10154308A
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- film
- flexible wiring
- base film
- wiring material
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Insulated Conductors (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気ヘッドの信号を減衰させることなく伝達可
能で、小型化、軽量化されるとともに接続部の信頼性が
向上し、配線作業性に優れた安価なＨＤＤ磁気ヘッド用
フレキシブル配線材を提供する。 【解決手段】複数の信号線４を形成するための回路パタ
ーン4Bとバンプ電極形成用開口5Aおよび絶縁層６を形成
せしめたベースフィルム３を用いて、信号線４と少なく
ともコネクタ部８側に複数の金属薄層からなる円筒状の
バンプ電極５を設けてＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル
配線材を構成する。
能で、小型化、軽量化されるとともに接続部の信頼性が
向上し、配線作業性に優れた安価なＨＤＤ磁気ヘッド用
フレキシブル配線材を提供する。 【解決手段】複数の信号線４を形成するための回路パタ
ーン4Bとバンプ電極形成用開口5Aおよび絶縁層６を形成
せしめたベースフィルム３を用いて、信号線４と少なく
ともコネクタ部８側に複数の金属薄層からなる円筒状の
バンプ電極５を設けてＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル
配線材を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスク装置
（以下ＨＤＤと記す。）の磁気ヘッド側と信号変換回路
側端末となるフレキシブルプリント基板（以下ＦＰＣと
記す。）間の信号配線に好適なＨＤＤ磁気ヘッド用フレ
キシブル配線材に関するものである。
（以下ＨＤＤと記す。）の磁気ヘッド側と信号変換回路
側端末となるフレキシブルプリント基板（以下ＦＰＣと
記す。）間の信号配線に好適なＨＤＤ磁気ヘッド用フレ
キシブル配線材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＨＤＤの磁気ヘッド側と信号
変換回路側端末となるＦＰＣ間とを接続する信号配線用
の信号線には、極細銅線にポリウレタン絶縁皮膜を形成
した複数本のマグネットワイヤが一般的に使用されてい
た。
変換回路側端末となるＦＰＣ間とを接続する信号配線用
の信号線には、極細銅線にポリウレタン絶縁皮膜を形成
した複数本のマグネットワイヤが一般的に使用されてい
た。
【０００３】この信号線4Aをサスペンション９（図７参
照）に固定するに際しては、信号線4Aを保護するため、
信号線4Aを細径のプラスチックチューブ11（図６参照）
に挿通していた。また、プラスチックチューブ11と信号
線4Aとはチューブ内に注入されたＵＶ樹脂12を硬化させ
固定しており、信号線4Aと磁気ヘッド15側の接合は超音
波ボンディングにより行われ、信号線4Aの両端末部のコ
ネクタ部8B,8B にはエキシマレーザーにより絶縁皮膜を
剥離した皮膜剥離部13が形成されていた。
照）に固定するに際しては、信号線4Aを保護するため、
信号線4Aを細径のプラスチックチューブ11（図６参照）
に挿通していた。また、プラスチックチューブ11と信号
線4Aとはチューブ内に注入されたＵＶ樹脂12を硬化させ
固定しており、信号線4Aと磁気ヘッド15側の接合は超音
波ボンディングにより行われ、信号線4Aの両端末部のコ
ネクタ部8B,8B にはエキシマレーザーにより絶縁皮膜を
剥離した皮膜剥離部13が形成されていた。
【０００４】近年、ＨＤＤの小型，大容量化に伴って信
号線4Aに対する小型，軽量化の要求も強まってきてい
る。具体的には、磁気ヘッドの小型化により、スライダ
（図示せず）と呼ばれるヘッド浮上機構（図示せず）の
小型化が顕著になると同時に、信号線4Aやプラスチック
チューブ11に対する細径化も進行している。
号線4Aに対する小型，軽量化の要求も強まってきてい
る。具体的には、磁気ヘッドの小型化により、スライダ
（図示せず）と呼ばれるヘッド浮上機構（図示せず）の
小型化が顕著になると同時に、信号線4Aやプラスチック
チューブ11に対する細径化も進行している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、信号線4Aを
サスペンション９に固定する手段としては、サスペンシ
ョン９の一部にカシメ部14（図７参照）を設け、このカ
シメ部14で信号線4Aをカシメて固定する方法が一般的で
あった。そして、この方法では信号線4Aにフッ素系樹脂
チューブ11を被せる工程が必要不可欠であった。しか
し、信号線4Aにフッ素系樹脂チューブ11を被せる工程の
機械化は極めて困難であるため、この工程は作業者が手
作業で行っていた。従って、信号線4Aに断線を生じ易い
ほか、この工程はプラスチックチューブ11が細径化する
ほど難しくなるという難点があった。
サスペンション９に固定する手段としては、サスペンシ
ョン９の一部にカシメ部14（図７参照）を設け、このカ
シメ部14で信号線4Aをカシメて固定する方法が一般的で
あった。そして、この方法では信号線4Aにフッ素系樹脂
チューブ11を被せる工程が必要不可欠であった。しか
し、信号線4Aにフッ素系樹脂チューブ11を被せる工程の
機械化は極めて困難であるため、この工程は作業者が手
作業で行っていた。従って、信号線4Aに断線を生じ易い
ほか、この工程はプラスチックチューブ11が細径化する
ほど難しくなるという難点があった。
【０００６】また、信号線4Aの固定は、磁気ヘッドの上
下動を行うサスペンション９と呼ばれるアーム10上に設
けたカシメ部14でチューブ11を機械的にカシメて行って
おり、サスペンション９及びチューブ11のカシメ部14に
歪みを生じさせ易く、チューブ11の剛性がサスペンショ
ン９の上下動に悪影響を及ぼす難点があった。
下動を行うサスペンション９と呼ばれるアーム10上に設
けたカシメ部14でチューブ11を機械的にカシメて行って
おり、サスペンション９及びチューブ11のカシメ部14に
歪みを生じさせ易く、チューブ11の剛性がサスペンショ
ン９の上下動に悪影響を及ぼす難点があった。
【０００７】また、ＨＤＤ用磁気ヘッドの高性能化にと
もなって、信号線4Aにはさらに磁気ヘッドの信号を減衰
することなく伝達可能なことはもちろん、小型，軽量化
されるとともに接続部の信頼性が向上し、信号線4Aの保
持固定が容易となる形状をも考慮した製品が要求される
ようになってきている。
もなって、信号線4Aにはさらに磁気ヘッドの信号を減衰
することなく伝達可能なことはもちろん、小型，軽量化
されるとともに接続部の信頼性が向上し、信号線4Aの保
持固定が容易となる形状をも考慮した製品が要求される
ようになってきている。
【０００８】さらに、複数本の信号線4Aは撚り合わせら
れたり、平行に並べられた状態でチューブ11に挿入され
るため、信号線相互間の絶縁が保持されている必要があ
る。このため、信号線4Aには銅線にポリウレタン絶縁皮
膜を施したマグネットワイヤ等の絶縁電線が使用されて
おり、磁気ヘッドと信号線4Aを超音波ボンディング接続
するには、信号線4Aの両端末部のコネクタ部8B,8B の絶
縁皮膜をエキシマレーザーにより剥離する工程が必要で
あった。しかしながら、極細線である信号線4Aの絶縁皮
膜を精度よく剥離することはエキシマレーザーを用いて
も困難であるばかりか、エキシマレーザー自体の管理が
難しいといった難点があった。
れたり、平行に並べられた状態でチューブ11に挿入され
るため、信号線相互間の絶縁が保持されている必要があ
る。このため、信号線4Aには銅線にポリウレタン絶縁皮
膜を施したマグネットワイヤ等の絶縁電線が使用されて
おり、磁気ヘッドと信号線4Aを超音波ボンディング接続
するには、信号線4Aの両端末部のコネクタ部8B,8B の絶
縁皮膜をエキシマレーザーにより剥離する工程が必要で
あった。しかしながら、極細線である信号線4Aの絶縁皮
膜を精度よく剥離することはエキシマレーザーを用いて
も困難であるばかりか、エキシマレーザー自体の管理が
難しいといった難点があった。
【０００９】本発明の目的は、これら従来技術の難点を
解消し、小型, 軽量化が達成可能で、配線が簡便な手段
で効率よく出来るＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線
材を提供するものである。
解消し、小型, 軽量化が達成可能で、配線が簡便な手段
で効率よく出来るＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線
材を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】複数の信号線４を形成す
るための回路パターン4Bとバンプ電極形成用開口5Aおよ
び絶縁層６を形成せしめたベースフィルム３を用いて、
信号線４と少なくともコネクタ部８側に複数の金属薄層
からなる円筒状のバンプ電極５を設けてＨＤＤ磁気ヘッ
ド用フレキシブル配線材を構成するものであり、バンプ
電極形成用開口5Aに隣接させて透孔７を設けたベースフ
ィルム3Aを用いてもよく、複数の信号線４の絶縁層６を
ソルダーレジストで形成するとよく、ベースフィルム
３，3Aの形状をサスペンション９及びキャリッジアーム
10の形状に対応するよう形成するものである。
るための回路パターン4Bとバンプ電極形成用開口5Aおよ
び絶縁層６を形成せしめたベースフィルム３を用いて、
信号線４と少なくともコネクタ部８側に複数の金属薄層
からなる円筒状のバンプ電極５を設けてＨＤＤ磁気ヘッ
ド用フレキシブル配線材を構成するものであり、バンプ
電極形成用開口5Aに隣接させて透孔７を設けたベースフ
ィルム3Aを用いてもよく、複数の信号線４の絶縁層６を
ソルダーレジストで形成するとよく、ベースフィルム
３，3Aの形状をサスペンション９及びキャリッジアーム
10の形状に対応するよう形成するものである。
【００１１】また、ベースフィルム３のバンプ電極形成
用開口5Aとベースフィルム3Aの透孔７を対応させるよう
それぞれのコネクタ部８，８側を密着接合せしめたベー
スフィルム3B用いることにより、コネクタ部８側を多層
構造に、コネクタ部8A側を平面状に形成したＨＤＤ磁気
ヘッド用フレキシブル配線材を構成するものである。
用開口5Aとベースフィルム3Aの透孔７を対応させるよう
それぞれのコネクタ部８，８側を密着接合せしめたベー
スフィルム3B用いることにより、コネクタ部８側を多層
構造に、コネクタ部8A側を平面状に形成したＨＤＤ磁気
ヘッド用フレキシブル配線材を構成するものである。
【００１２】
【作用】本発明は、アディティブ法によってプラスチッ
クフィルム上に形成された信号線とバンプ電極から構成
されたフレキシブル配線材であり、薄型化されて可撓性
に優れるほか、小型，軽量化が可能となる。また、端末
リード線としての実装容積が小さくなるほか、信号線の
断線がなく、接続部の信頼性が向上し、配線効率が向上
する。さらに、磁気ヘッドとの接続の自動化，高速化が
可能となる。
クフィルム上に形成された信号線とバンプ電極から構成
されたフレキシブル配線材であり、薄型化されて可撓性
に優れるほか、小型，軽量化が可能となる。また、端末
リード線としての実装容積が小さくなるほか、信号線の
断線がなく、接続部の信頼性が向上し、配線効率が向上
する。さらに、磁気ヘッドとの接続の自動化，高速化が
可能となる。
【００１３】また、本発明のＨＤＤ磁気ヘッド用フレキ
シブル配線材は折り曲げ配線も可能で、サスペンション
接合面側に粘着層を設ける等の簡便な手段によってサス
ペンションへの密着接合が可能で、接合時のサスペンシ
ョンに対する歪みもなく、サスペンションの上下動も妨
げられなくなる。
シブル配線材は折り曲げ配線も可能で、サスペンション
接合面側に粘着層を設ける等の簡便な手段によってサス
ペンションへの密着接合が可能で、接合時のサスペンシ
ョンに対する歪みもなく、サスペンションの上下動も妨
げられなくなる。
【００１４】さらに、従来は必要としたエキシマレーザ
ーによる絶縁皮膜剥離工程が不要となり、工程数削減に
よる大幅なコストダウンが可能となって安価な配線材を
提供できる。
ーによる絶縁皮膜剥離工程が不要となり、工程数削減に
よる大幅なコストダウンが可能となって安価な配線材を
提供できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明のＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシ
ブル配線材について、図１，図２，図３，図４，図５に
より詳細に説明する。図において、４は銅パターンから
なる信号線であり、アディティブ法により設計に基づい
た回路パターンで形成されている。５はバンプ電極、5A
はバンプ電極５形成用の開口である。６はソルダーレジ
ストからなる絶縁層である。２はポリイミドフィルムや
ポリエステルフィルム又はポリパラバン酸フィルムから
なる厚さ25〜125 μm のプラスチックフィルムであり、
３はプラスチックフィルム２上に回路パターン4Bとバン
プ電極５形成用の開口5Aおよび絶縁層６が設けられたベ
ースフィルムである。７はバンプ電極形成用開口5Aに隣
接して設けられた透孔である。
ブル配線材について、図１，図２，図３，図４，図５に
より詳細に説明する。図において、４は銅パターンから
なる信号線であり、アディティブ法により設計に基づい
た回路パターンで形成されている。５はバンプ電極、5A
はバンプ電極５形成用の開口である。６はソルダーレジ
ストからなる絶縁層である。２はポリイミドフィルムや
ポリエステルフィルム又はポリパラバン酸フィルムから
なる厚さ25〜125 μm のプラスチックフィルムであり、
３はプラスチックフィルム２上に回路パターン4Bとバン
プ電極５形成用の開口5Aおよび絶縁層６が設けられたベ
ースフィルムである。７はバンプ電極形成用開口5Aに隣
接して設けられた透孔である。
【００１６】実施例１ まず、ボビン巻された厚さ25μｍ，巾50ｍｍのポリイミ
ドフィルム２に対して、フィルム表面の脱脂、エッ
チング、コンディショニング、プレディッピング、
アクチベーディング、アクセレーティング、乾燥
という一般的な工程により金属触媒層であるパラジウム
層18を形成せしめる（図３(a) 参照）。そこに厚さ35μ
ｍのフォトレジスタ膜17を形成し、露光プロセスにより
回路パターン4B部分を選択除去することにより、最狭部
30μｍ幅の回路パターン4B部分のみ除去したレジスト膜
17を設けたベースフィルム３を得る（図３(b) 参照）。
ドフィルム２に対して、フィルム表面の脱脂、エッ
チング、コンディショニング、プレディッピング、
アクチベーディング、アクセレーティング、乾燥
という一般的な工程により金属触媒層であるパラジウム
層18を形成せしめる（図３(a) 参照）。そこに厚さ35μ
ｍのフォトレジスタ膜17を形成し、露光プロセスにより
回路パターン4B部分を選択除去することにより、最狭部
30μｍ幅の回路パターン4B部分のみ除去したレジスト膜
17を設けたベースフィルム３を得る（図３(b) 参照）。
【００１７】次に、無電解ニッケルメッキ工程により回
路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化する。その
後、ベースフィルム３を80℃の無電解ニッケルメッキ液
中に５分間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメッキ膜の
回路パターン4Bを形成し、さらに選択的に選ばれた金属
導電層上に電解銅メッキにより良導電性金属層を10μｍ
形成させる。
路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化する。その
後、ベースフィルム３を80℃の無電解ニッケルメッキ液
中に５分間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメッキ膜の
回路パターン4Bを形成し、さらに選択的に選ばれた金属
導電層上に電解銅メッキにより良導電性金属層を10μｍ
形成させる。
【００１８】ここでフォトレジスタ膜17を一旦除去し、
その後、回路接続部となるコネクタ部８，8Aにバンブ電
極５，５を形成するために60μｍφの円筒状の開口5A,5
A を設けたソルダレジスト膜19をベースフィルム３の全
面に形成し（図３(c) 参照）、さらに有機レジスト膜20
を同じくコネクタ部８，8Aに開口5A, 5Aを設けて形成す
る（図３(d) 参照）。
その後、回路接続部となるコネクタ部８，8Aにバンブ電
極５，５を形成するために60μｍφの円筒状の開口5A,5
A を設けたソルダレジスト膜19をベースフィルム３の全
面に形成し（図３(c) 参照）、さらに有機レジスト膜20
を同じくコネクタ部８，8Aに開口5A, 5Aを設けて形成す
る（図３(d) 参照）。
【００１９】次に、亜硫酸錯体浴を用いて電気金メッキ
を行って金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ電極
５，５を形成する。その後、有機レジスト膜20のみ除去
して長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することにより
パターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッド用
フレキシブル配線材１を得る（図３(E) 参照）。
を行って金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ電極
５，５を形成する。その後、有機レジスト膜20のみ除去
して長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することにより
パターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッド用
フレキシブル配線材１を得る（図３(E) 参照）。
【００２０】実施例２ まず、ボビン巻された厚さ25μｍ，巾50ｍｍのポリイミ
ドフィルム２に対して、フィルム表面の脱脂、エッ
チング、コンディショニング、プレディッピング、
アクチベーディング、アクセレーティング、乾燥
という一般的な工程を施し、金属触媒層であるパラジウ
ム層18を形成する（図３(a) 参照）。
ドフィルム２に対して、フィルム表面の脱脂、エッ
チング、コンディショニング、プレディッピング、
アクチベーディング、アクセレーティング、乾燥
という一般的な工程を施し、金属触媒層であるパラジウ
ム層18を形成する（図３(a) 参照）。
【００２１】次に、ポリイミドフィルム上に回路パター
ン4Bを形成するためにエキシマレーザーを用いてパター
ン4Bの不要部分にレーザー光を照射し、不要部分のパラ
ジウム層18を選択除去したベースフィルム３を得る（図
３(b) 参照）。
ン4Bを形成するためにエキシマレーザーを用いてパター
ン4Bの不要部分にレーザー光を照射し、不要部分のパラ
ジウム層18を選択除去したベースフィルム３を得る（図
３(b) 参照）。
【００２２】この時の照射条件としては、ポリイミドフ
ィルム２の面で２Ｊ／ｃｍ2 のエネルギーで10shots で
ある。また、レーザー光の不要部分への照射には誘電体
マスクを用いたマスクイメージング法またはコンフォー
マルマスク法を選択使用することができる。
ィルム２の面で２Ｊ／ｃｍ2 のエネルギーで10shots で
ある。また、レーザー光の不要部分への照射には誘電体
マスクを用いたマスクイメージング法またはコンフォー
マルマスク法を選択使用することができる。
【００２３】この後、無電解ニッケルメッキ工程により
回路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化させる。
そして、ベースフィルム３を80℃の無電解ニッケルメッ
キ液中に５分間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメッキ
膜の回路パターン4Bを形成し、さらに選択的に選ばれた
金属導電層上に電解銅メッキにより良導電性金属層を10
μｍ形成させる。
回路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化させる。
そして、ベースフィルム３を80℃の無電解ニッケルメッ
キ液中に５分間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメッキ
膜の回路パターン4Bを形成し、さらに選択的に選ばれた
金属導電層上に電解銅メッキにより良導電性金属層を10
μｍ形成させる。
【００２４】次に、回路接続部となるコネクタ部８，８
にバンブ電極５，５を形成するため、60μｍφの円筒状
の開口5A,5A を設けたソルダレジスト膜19をベースフィ
ルム３上の全面に形成し（図３(c) 参照）、さらに有機
レジスト膜20を同じくコネクタ部８, ８に開口5A,5A を
設けて形成する（図３(d) 参照）。
にバンブ電極５，５を形成するため、60μｍφの円筒状
の開口5A,5A を設けたソルダレジスト膜19をベースフィ
ルム３上の全面に形成し（図３(c) 参照）、さらに有機
レジスト膜20を同じくコネクタ部８, ８に開口5A,5A を
設けて形成する（図３(d) 参照）。
【００２５】ここで亜硫酸錯体浴を用いて電気金メッキ
を行い、金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ電極
５，５を形成する。この後、有機レジスト膜20のみ除去
して長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することにより
パターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッド用
フレキシブル配線材１を得る（図３(e) 参照）。
を行い、金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ電極
５，５を形成する。この後、有機レジスト膜20のみ除去
して長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することにより
パターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッド用
フレキシブル配線材１を得る（図３(e) 参照）。
【００２６】実施例３ まず、ボビン巻された厚さ25μｍ，巾50ｍｍのポリイミ
ドフィルム２に対して、ポリイミドフィルム２の表面の
回路パターン4B部分にエキシマレーザーの同期スキャン
方式と誘電体マスクを使用した特殊光学系を用いた方法
によりレーザー光を照射することで回路パターン4B部分
の表面を活性化する（図３(a) 参照）。
ドフィルム２に対して、ポリイミドフィルム２の表面の
回路パターン4B部分にエキシマレーザーの同期スキャン
方式と誘電体マスクを使用した特殊光学系を用いた方法
によりレーザー光を照射することで回路パターン4B部分
の表面を活性化する（図３(a) 参照）。
【００２７】この際、フィルム材料によってはArガスを
アシストガスとして用いるとよい。また、照射条件とし
てはポリイミドフィルム２の面で１〜２Ｊ／ｃｍ2 のエ
ネルギーとする。
アシストガスとして用いるとよい。また、照射条件とし
てはポリイミドフィルム２の面で１〜２Ｊ／ｃｍ2 のエ
ネルギーとする。
【００２８】この後、無電解ニッケルメッキ工程によっ
て回路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化したベ
ースフィルム３を得る（図３(b) 参照）。そして、ベー
スフィルム３を80℃の無電解ニッケルメッキ液中に５分
間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメッキ膜の回路パタ
ーン4Bを形成する。さらに選択的に選ばれた金属導電層
上に電解銅メッキにより良導電性金属層を10μｍ形成さ
せる（図３(b) 参照）。
て回路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化したベ
ースフィルム３を得る（図３(b) 参照）。そして、ベー
スフィルム３を80℃の無電解ニッケルメッキ液中に５分
間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメッキ膜の回路パタ
ーン4Bを形成する。さらに選択的に選ばれた金属導電層
上に電解銅メッキにより良導電性金属層を10μｍ形成さ
せる（図３(b) 参照）。
【００２９】次に、回路接続部となるコネクタ部８，８
にバンブ電極５，５を形成するために60μｍφの円筒状
の開口5A,5A を設けたソルダレジスト膜19をベースフィ
ルム３上の全面に形成し（図３(c) 参照）、さらに有機
レジスト膜20を同じくコネクタ部８，８に開口5A,5A を
設けて形成する（図３(d) 参照）。
にバンブ電極５，５を形成するために60μｍφの円筒状
の開口5A,5A を設けたソルダレジスト膜19をベースフィ
ルム３上の全面に形成し（図３(c) 参照）、さらに有機
レジスト膜20を同じくコネクタ部８，８に開口5A,5A を
設けて形成する（図３(d) 参照）。
【００３０】そして、亜硫酸錯体浴を用いた電気金メッ
キを行うことで金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ
電極５，５を形成する。この後、有機レジスト膜20のみ
除去して長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することに
よりパターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッ
ド用フレキシブル配線材１を得る（図３(e) 参照）。
キを行うことで金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ
電極５，５を形成する。この後、有機レジスト膜20のみ
除去して長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することに
よりパターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッ
ド用フレキシブル配線材１を得る（図３(e) 参照）。
【００３１】実施例４ まず、ボビン巻された厚さ25μｍ，巾50ｍｍのポリイミ
ドフィルム２に対して、フィルム表面の脱脂、エッ
チング、コンディショニング、プレディッピング、
アクチベーディング、アクセレーティング、乾燥
という一般的な工程を施し、金属触媒層であるパラジウ
ム層18を形成する（図３(a) 参照）。
ドフィルム２に対して、フィルム表面の脱脂、エッ
チング、コンディショニング、プレディッピング、
アクチベーディング、アクセレーティング、乾燥
という一般的な工程を施し、金属触媒層であるパラジウ
ム層18を形成する（図３(a) 参照）。
【００３２】次に、ポリイミドフィルム上に回路パター
ン4Bを形成するためにエキシマレーザーを用いてパター
ン4Bの不要部分にレーザー光を照射し、不要部分のパラ
ジウム層18を選択除去したベースフィルム３(3A)を得る
（図３(b) 参照）。
ン4Bを形成するためにエキシマレーザーを用いてパター
ン4Bの不要部分にレーザー光を照射し、不要部分のパラ
ジウム層18を選択除去したベースフィルム３(3A)を得る
（図３(b) 参照）。
【００３３】この時の照射条件としては、ポリイミドフ
ィルム２の面で２Ｊ／ｃｍ2 のエネルギーで10shots で
ある。また、レーザー光の不要部分への照射には誘電体
マスクを用いたマスクイメージング法またはコンフォー
マルマスク法を選択使用することができる。
ィルム２の面で２Ｊ／ｃｍ2 のエネルギーで10shots で
ある。また、レーザー光の不要部分への照射には誘電体
マスクを用いたマスクイメージング法またはコンフォー
マルマスク法を選択使用することができる。
【００３４】この後、無電解ニッケルメッキ工程により
回路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化させる。
そして、ベースフィルム３(3A)を80℃の無電解ニッケル
メッキ液中に５分間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメ
ッキ膜の回路パターン4Bを形成し、さらに選択的に選ば
れた金属導電層上に電解銅メッキにより良導電性金属層
を10μｍ形成させる。
回路パターン4B部分のパラジウム層18を活性化させる。
そして、ベースフィルム３(3A)を80℃の無電解ニッケル
メッキ液中に５分間浸漬させ、厚さ１μｍのＮｉ−Ｐメ
ッキ膜の回路パターン4Bを形成し、さらに選択的に選ば
れた金属導電層上に電解銅メッキにより良導電性金属層
を10μｍ形成させる。
【００３５】そして、回路接続部となるコネクタ部８，
８にバンブ電極５，５を形成するために60μｍφの円筒
状の開口5A,5A を設けたソルダレジスト膜19をベースフ
ィルム３(3A)上の全面に形成するが、回路パターン4Bの
異なるもの、または類似するものを２種類作成し、ベー
スフィルム３と3Aを得る（図５(a),(b) 参照）。
８にバンブ電極５，５を形成するために60μｍφの円筒
状の開口5A,5A を設けたソルダレジスト膜19をベースフ
ィルム３(3A)上の全面に形成するが、回路パターン4Bの
異なるもの、または類似するものを２種類作成し、ベー
スフィルム３と3Aを得る（図５(a),(b) 参照）。
【００３６】ここで、前記２種類の一方のベースフィル
ム3Aには他方のベースフィルム３の開口5Aに合わせて透
孔７を設け、２枚のベースフィルム３，3Aをコネクタ部
８，8A側の必要長さだけ密着接合せしめ、さらに有機レ
ジスト膜を同じくコネクタ部８，8Aに開口5A,5A を設け
て形成し、ベースフィルム3Bを得る（図５(c) 参照）。
ム3Aには他方のベースフィルム３の開口5Aに合わせて透
孔７を設け、２枚のベースフィルム３，3Aをコネクタ部
８，8A側の必要長さだけ密着接合せしめ、さらに有機レ
ジスト膜を同じくコネクタ部８，8Aに開口5A,5A を設け
て形成し、ベースフィルム3Bを得る（図５(c) 参照）。
【００３７】ここで亜硫酸錯体浴を用いて電気金メッキ
を行い、金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ電極
５，５を形成する。この後、有機レジスト膜のみ除去し
て長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することによりパ
ターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッド用フ
レキシブル配線材1Aを得る（図５(d) 参照）。
を行い、金メッキ層を10〜20μｍ積層したバンブ電極
５，５を形成する。この後、有機レジスト膜のみ除去し
て長さ50〜70ｍｍの必要な形状に裁断することによりパ
ターン相互間の巾が10〜20μｍのＨＤＤ磁気ヘッド用フ
レキシブル配線材1Aを得る（図５(d) 参照）。
【００３８】得られたフレキシブル配線材１Ａは、信号
変換回路側のコネクタ部８側が多層構造に形成され、磁
気ヘッド側のコネクタ部8A側が平面状に形成されている
（図４参照）。本実施例のフレキシブル配線材1Aは多層
の信号経路を有する製品の提供が可能で、キャリッジア
ーム９上に複数の信号線３を配置する場合、密着接合せ
しめられていない部分を途中から別々にして配線できる
ので実装容積を小さくすることが可能となる。
変換回路側のコネクタ部８側が多層構造に形成され、磁
気ヘッド側のコネクタ部8A側が平面状に形成されている
（図４参照）。本実施例のフレキシブル配線材1Aは多層
の信号経路を有する製品の提供が可能で、キャリッジア
ーム９上に複数の信号線３を配置する場合、密着接合せ
しめられていない部分を途中から別々にして配線できる
ので実装容積を小さくすることが可能となる。
【００３９】
【発明の効果】本発明のＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブ
ル配線材は、サスペンション及びキャリッジアーム形状
に合わせたプラスチックフィルムと銅パターンからなる
超極細線の信号線およびバンプ電極から構成されるの
で、薄型化され、柔軟性と量産性に優れる。また、取扱
が容易で、必要に応じてあらゆる配線配置に対応可能で
配線の自由度が大幅に増加する。また、信号線保護用チ
ューブやエキシマレーザーによる絶縁皮膜剥離工程が不
要となり、信号線の断線もなく、接続作業性が大幅に向
上した安価なＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材が
得られる。また、サスペンションへの密着接合が簡便な
手段ででき、カシメによる歪みの悪影響やサスペンショ
ンの上下動に対する悪影響がなくなってサスペンション
設計の自由度も増加する。また、キャリッジアーム上に
複数の信号線を配置する場合でも多層の信号経路を有す
る製品の使用が可能となるので、実装容積を小さく出来
る。等その実用上の効果は極めて大きなものがある。
ル配線材は、サスペンション及びキャリッジアーム形状
に合わせたプラスチックフィルムと銅パターンからなる
超極細線の信号線およびバンプ電極から構成されるの
で、薄型化され、柔軟性と量産性に優れる。また、取扱
が容易で、必要に応じてあらゆる配線配置に対応可能で
配線の自由度が大幅に増加する。また、信号線保護用チ
ューブやエキシマレーザーによる絶縁皮膜剥離工程が不
要となり、信号線の断線もなく、接続作業性が大幅に向
上した安価なＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材が
得られる。また、サスペンションへの密着接合が簡便な
手段ででき、カシメによる歪みの悪影響やサスペンショ
ンの上下動に対する悪影響がなくなってサスペンション
設計の自由度も増加する。また、キャリッジアーム上に
複数の信号線を配置する場合でも多層の信号経路を有す
る製品の使用が可能となるので、実装容積を小さく出来
る。等その実用上の効果は極めて大きなものがある。
【図１】本発明によるＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル
配線材の一例の要部構成を示す説明図である。
配線材の一例の要部構成を示す説明図である。
【図２】本発明によるＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル
配線材の配線状態の一例を示す説明図である。
配線材の配線状態の一例を示す説明図である。
【図３】本発明によるＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル
配線材の製造工程の概略を示す説明図である。
配線材の製造工程の概略を示す説明図である。
【図４】本発明によるＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル
配線材の他の実施例の構成を示す説明図である。
配線材の他の実施例の構成を示す説明図である。
【図５】本発明によるＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル
配線材の他の実施例の製造工程を示す要部断面図であ
る。
配線材の他の実施例の製造工程を示す要部断面図であ
る。
【図６】従来例の構成を示す説明図である。
【図７】従来例の配線状態を示す説明図である。
１，1A ＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材 ２ プラスチックフィルム ３，3A，3B ベースフィルム ４，4A 信号線 4B 回路パターン ５ バンプ電極 5A バンプ電極形成用開口 ６ 絶縁層 ７ 透孔 ８，8A,8B コネクタ部 ９ サスペンション 10 キャリッジアーム 11 プラスチックチューブ 12 ＵＶ樹脂 13 皮膜剥離部 14 カシメ部 15 磁気ヘッド 16 ＦＰＣ 17 フォトレジスト層 18 パラジウム層 19 ソルダレジスト膜 20 有機レジスト膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ハードディスク装置の磁気ヘッド側に対
応するコネクタ部8Aと信号変換回路端末側に対応するコ
ネクタ部８を有するアディティブ法により形成されるＨ
ＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材であって、 複数の信号線４を形成するための回路パターン4Bとバン
プ電極形成用開口5Aおよび絶縁層６を形成せしめたベー
スフィルム３を用いて、信号線４と少なくともコネクタ
部８側に複数の金属薄層からなる円筒状のバンプ電極５
を設けてなることを特徴とするＨＤＤ磁気ヘッド用フレ
キシブル配線材。 - 【請求項２】 前記開口５Ａに隣接する透孔７を設けた
ベースフィルム3Aを用いることを特徴とする請求項１記
載のＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材。 - 【請求項３】 前記複数の信号線４の絶縁層６をソルダ
ーレジストで形成したことを特徴とする請求項１または
２記載のＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材。 - 【請求項４】 前記ベースフィルム３，3Aの形状をサス
ペンション９及びキャリッジアーム10の形状に対応する
よう形成したことを特徴とする請求項１，２または３記
載のＨＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材。 - 【請求項５】 前記ベースフィルム３の開口5Aとベース
フィルム3Aの透孔７とを対応させるようそれぞれのコネ
クタ部８，８側を密着接合せしめたベースフィルム3Bを
用いることにより、コネクタ部８側を多層構造に、コネ
クタ部8A側を平面状に形成してなることを特徴とするＨ
ＤＤ磁気ヘッド用フレキシブル配線材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32795596A JPH10154308A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | Ｈｄｄ磁気ヘッド用フレキシブル配線材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32795596A JPH10154308A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | Ｈｄｄ磁気ヘッド用フレキシブル配線材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154308A true JPH10154308A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18204889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32795596A Pending JPH10154308A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | Ｈｄｄ磁気ヘッド用フレキシブル配線材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154308A (ja) |
-
1996
- 1996-11-22 JP JP32795596A patent/JPH10154308A/ja active Pending
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