JPH10154216A - 非接触ｉｃカード - Google Patents
非接触ｉｃカードInfo
- Publication number
- JPH10154216A JPH10154216A JP8313253A JP31325396A JPH10154216A JP H10154216 A JPH10154216 A JP H10154216A JP 8313253 A JP8313253 A JP 8313253A JP 31325396 A JP31325396 A JP 31325396A JP H10154216 A JPH10154216 A JP H10154216A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- data
- writing
- memory
- rewritable memory
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- Power Sources (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非接触ＩＣカードにおいて、本体装置との誘
導結合による電源供給の際、本体装置と非接触ＩＣカー
ドとの間隔は必ずしも一定ではないので、本体装置と非
接触ＩＣカードとの間隔が広がると、動作可能な電圧を
下回り、書き換え途中であると、メモリ内部に異常なデ
ータが残ることがあった。 【解決手段】 非接触ＩＣカード内の電源回路と基準電
圧を入力として比較し、比較結果により書き換え可能メ
モリへの書き込み・読み出しを制限する信号を出力する
コンパレータを設けたことで、書き換え可能メモリの内
容を確実に保護することができる非接触ＩＣカードを提
供できる。
導結合による電源供給の際、本体装置と非接触ＩＣカー
ドとの間隔は必ずしも一定ではないので、本体装置と非
接触ＩＣカードとの間隔が広がると、動作可能な電圧を
下回り、書き換え途中であると、メモリ内部に異常なデ
ータが残ることがあった。 【解決手段】 非接触ＩＣカード内の電源回路と基準電
圧を入力として比較し、比較結果により書き換え可能メ
モリへの書き込み・読み出しを制限する信号を出力する
コンパレータを設けたことで、書き換え可能メモリの内
容を確実に保護することができる非接触ＩＣカードを提
供できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、本体装置と非接触
状態でデータ信号の授受を行う非接触ＩＣカードに関す
るものであり、詳しくはこの非接触ＩＣカードの書き換
え可能メモリへのデータの書き込み及び書き込み確認に
関するものである。
状態でデータ信号の授受を行う非接触ＩＣカードに関す
るものであり、詳しくはこの非接触ＩＣカードの書き換
え可能メモリへのデータの書き込み及び書き込み確認に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄型化のため必要な回路をＩＣチ
ップに集積して内蔵し、電池を持たずに誘導結合等を利
用して電源の授受を行い、非接触でデータ信号の送受信
を行う非接触ＩＣカードが開発されている。この非接触
ＩＣカードは使用する度に本体装置と接触させる必要が
なく、接点を持たないために汚れや磨耗によるカード表
面の劣化の心配が無く、カード形状を自由にデザインで
きるという長所を持っている。
ップに集積して内蔵し、電池を持たずに誘導結合等を利
用して電源の授受を行い、非接触でデータ信号の送受信
を行う非接触ＩＣカードが開発されている。この非接触
ＩＣカードは使用する度に本体装置と接触させる必要が
なく、接点を持たないために汚れや磨耗によるカード表
面の劣化の心配が無く、カード形状を自由にデザインで
きるという長所を持っている。
【０００３】図５は一般的な非接触ＩＣカードの構成を
示すブロック図である。同図において本体装置１０は、
本体装置１０側に含まれるアンテナコイル１１に非接触
ＩＣカード２０のアンテナコイル２１を接近させること
で、電磁誘導電圧を発生することによる電源供給と、デ
ータ信号の送受信を行っている。２２は受信データ信号
を復調する復調部、２３は復調部２２により復調された
データ信号を復号化する復号化部、２４はマイクロプロ
セッサ、２５はマイクロプロセッサ２４を動作させるた
めのプログラムが格納された読み出し専用メモリ、２６
はカード所有者固有の情報を書き換え・格納する書き換
え可能メモリ、２７はアンテナコイル２１による電磁誘
導電圧を整流平滑し、非接触ＩＣカードで用いる電源電
圧を確保する電源回路、２８はマイクロプロセッサ２４
が送信するデータ信号をコード化する符号化部、２９は
アンテナコイル２１を介して本体装置１０にデータ信号
を送信するための変調を行う変調部、３０は受信と送信
を切り替えるスイッチである。
示すブロック図である。同図において本体装置１０は、
本体装置１０側に含まれるアンテナコイル１１に非接触
ＩＣカード２０のアンテナコイル２１を接近させること
で、電磁誘導電圧を発生することによる電源供給と、デ
ータ信号の送受信を行っている。２２は受信データ信号
を復調する復調部、２３は復調部２２により復調された
データ信号を復号化する復号化部、２４はマイクロプロ
セッサ、２５はマイクロプロセッサ２４を動作させるた
めのプログラムが格納された読み出し専用メモリ、２６
はカード所有者固有の情報を書き換え・格納する書き換
え可能メモリ、２７はアンテナコイル２１による電磁誘
導電圧を整流平滑し、非接触ＩＣカードで用いる電源電
圧を確保する電源回路、２８はマイクロプロセッサ２４
が送信するデータ信号をコード化する符号化部、２９は
アンテナコイル２１を介して本体装置１０にデータ信号
を送信するための変調を行う変調部、３０は受信と送信
を切り替えるスイッチである。
【０００４】この構成において、本体装置１０と非接触
ＩＣカード２０が一定距離内に入るとデータ信号の送受
信を始め、本体装置１０が欲する書き換え可能メモリ２
６からのデータの呼び出し、および新規データの書き換
え可能メモリ２６への書き込み等が終了すると送受信を
終わる仕組みとなっている。
ＩＣカード２０が一定距離内に入るとデータ信号の送受
信を始め、本体装置１０が欲する書き換え可能メモリ２
６からのデータの呼び出し、および新規データの書き換
え可能メモリ２６への書き込み等が終了すると送受信を
終わる仕組みとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この非接触ＩＣカード
において、本体装置のアンテナコイルと非接触ＩＣカー
ドのアンテナコイルとの間隔は必ずしも一定ではないの
で、本体装置と非接触ＩＣカードとの間隔が広がると、
電磁誘導結合が疎になり、動作保証電圧を下回ってしま
う。特に書き換え可能メモリ２６の内容を変更している
途中で電圧が低下すると、書き換え可能メモリ２６に異
常なデータが残ったり、ひどい時には本体装置１０から
の信号に応答しなくなってしまうこともある。これを防
ぐために、非接触ＩＣカード２０の消費電力の低減など
が考えられている。
において、本体装置のアンテナコイルと非接触ＩＣカー
ドのアンテナコイルとの間隔は必ずしも一定ではないの
で、本体装置と非接触ＩＣカードとの間隔が広がると、
電磁誘導結合が疎になり、動作保証電圧を下回ってしま
う。特に書き換え可能メモリ２６の内容を変更している
途中で電圧が低下すると、書き換え可能メモリ２６に異
常なデータが残ったり、ひどい時には本体装置１０から
の信号に応答しなくなってしまうこともある。これを防
ぐために、非接触ＩＣカード２０の消費電力の低減など
が考えられている。
【０００６】しかしながら、書き換え可能メモリの内容
を保護する目的で非接触ＩＣカードにおける消費電力を
減少させても、さらにデータ信号の送受信可能な間隔を
広げようとすると同様の問題が発生する。
を保護する目的で非接触ＩＣカードにおける消費電力を
減少させても、さらにデータ信号の送受信可能な間隔を
広げようとすると同様の問題が発生する。
【０００７】本発明はこのような従来の課題を解決する
ものであり、安価な構成で書き換え可能メモリの内容を
確実に保護することができる非接触ＩＣカードを提供す
ることを目的とする。
ものであり、安価な構成で書き換え可能メモリの内容を
確実に保護することができる非接触ＩＣカードを提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、非接触状態にある本体装置との誘導結合に
より電源供給を受けるとともに、データ信号の送受信を
行う非接触入出力手段と、誘導結合により得た電力を整
流平滑する電源回路と、前記データ信号の処理を行うマ
イクロプロセッサと、処理されたデータを記憶する書き
換え可能メモリとを有し、前記電源回路において生成さ
れた出力電圧と基準電圧とを比較し、比較結果を前記マ
イクロプロセッサに出力するコンパレータを設けた構成
としたものであり、コンパレータに入力される電源回路
の出力電圧が一定値を下回るとマイクロプロセッサへの
出力を変化させ、書き換え可能メモリへの書き込み・読
み出しを制限させることで書き換え可能メモリの内容を
確実に保護することができる。
に本発明は、非接触状態にある本体装置との誘導結合に
より電源供給を受けるとともに、データ信号の送受信を
行う非接触入出力手段と、誘導結合により得た電力を整
流平滑する電源回路と、前記データ信号の処理を行うマ
イクロプロセッサと、処理されたデータを記憶する書き
換え可能メモリとを有し、前記電源回路において生成さ
れた出力電圧と基準電圧とを比較し、比較結果を前記マ
イクロプロセッサに出力するコンパレータを設けた構成
としたものであり、コンパレータに入力される電源回路
の出力電圧が一定値を下回るとマイクロプロセッサへの
出力を変化させ、書き換え可能メモリへの書き込み・読
み出しを制限させることで書き換え可能メモリの内容を
確実に保護することができる。
【０００９】また非接触状態にある本体装置との誘導結
合により電源供給を受けるとともに、データ信号の送受
信を行う非接触入出力手段と、前記データ信号の処理を
行うマイクロプロセッサと、処理されたデータを記憶す
る書き換え可能メモリとを有し、本体装置からのデータ
信号を受けて、書き換え可能メモリにデータを書き込む
際、データを書き換え可能メモリのメモリ領域Ａに書き
込み、書き込み終了後に書き込み確認フラグＣを０もし
くは１に、書き込み確認フラグＤも０もしくは１と設定
したのち、同一のデータを前記書き換え可能メモリのメ
モリ領域Ｂに書き込み、書き込み終了後に書き込み確認
フラグＣを０から１もしくは１から０に、書き込み確認
フラグＤも０から１もしくは１から０と設定変更して書
き込みを終了するようにすると、新たな部品を用いるこ
となくソフトウェア上の処理だけで書き換え可能メモリ
の内容を確実に保護することができる。
合により電源供給を受けるとともに、データ信号の送受
信を行う非接触入出力手段と、前記データ信号の処理を
行うマイクロプロセッサと、処理されたデータを記憶す
る書き換え可能メモリとを有し、本体装置からのデータ
信号を受けて、書き換え可能メモリにデータを書き込む
際、データを書き換え可能メモリのメモリ領域Ａに書き
込み、書き込み終了後に書き込み確認フラグＣを０もし
くは１に、書き込み確認フラグＤも０もしくは１と設定
したのち、同一のデータを前記書き換え可能メモリのメ
モリ領域Ｂに書き込み、書き込み終了後に書き込み確認
フラグＣを０から１もしくは１から０に、書き込み確認
フラグＤも０から１もしくは１から０と設定変更して書
き込みを終了するようにすると、新たな部品を用いるこ
となくソフトウェア上の処理だけで書き換え可能メモリ
の内容を確実に保護することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態を図
１から図４を用いて詳細に説明する。なお本実施の形態
において、従来例と同等の機能を有するものは同一の番
号を付し、説明を省略する。なお本実施の形態におい
て、非接触入出力手段は従来例と同様のアンテナコイル
２１を用いている。
１から図４を用いて詳細に説明する。なお本実施の形態
において、従来例と同等の機能を有するものは同一の番
号を付し、説明を省略する。なお本実施の形態におい
て、非接触入出力手段は従来例と同様のアンテナコイル
２１を用いている。
【００１１】（実施の形態１）本発明の一実施の形態に
ついて図１、図２を用いて説明する。図１に示すように
コンパレータ３５は電源回路２７の出力および基準電圧
として用いるアース電圧を入力とし、その比較結果をマ
イクロプロセッサ２４に出力する構成としている。書き
換え可能メモリのデータを書き換えるためには、通常回
路が動作する電圧より高い電圧が必要であるので、コン
パレータ３５の出力は、基準電圧と電源電圧との差が書
き込みあらかじめ定めた禁止電圧を切ったときに変化す
るように設定しておく。
ついて図１、図２を用いて説明する。図１に示すように
コンパレータ３５は電源回路２７の出力および基準電圧
として用いるアース電圧を入力とし、その比較結果をマ
イクロプロセッサ２４に出力する構成としている。書き
換え可能メモリのデータを書き換えるためには、通常回
路が動作する電圧より高い電圧が必要であるので、コン
パレータ３５の出力は、基準電圧と電源電圧との差が書
き込みあらかじめ定めた禁止電圧を切ったときに変化す
るように設定しておく。
【００１２】図２にその一例を示す。同図において、例
えば書き換え可能メモリに確実に書き込みができる書き
込み保証電圧の下限（ｂ）を２．８Ｖ、回路の動作を保
証する回路動作保証電圧の下限（ｃ）を２．０Ｖとした
場合、書き込み禁止電圧（ａ）を例えば後述する理由に
より３．０Ｖと設定する。
えば書き換え可能メモリに確実に書き込みができる書き
込み保証電圧の下限（ｂ）を２．８Ｖ、回路の動作を保
証する回路動作保証電圧の下限（ｃ）を２．０Ｖとした
場合、書き込み禁止電圧（ａ）を例えば後述する理由に
より３．０Ｖと設定する。
【００１３】書き込み禁止電圧（ａ）を３.０Ｖと設定
しておくと、本体装置とＩＣカードの間隔が広がる等に
より電源電圧が３．０Ｖまで低下するとコンパレータ３
５からの出力が変化し、本体装置１０からの書き込み要
求に対して拒絶応答を返送する構成となっている。
しておくと、本体装置とＩＣカードの間隔が広がる等に
より電源電圧が３．０Ｖまで低下するとコンパレータ３
５からの出力が変化し、本体装置１０からの書き込み要
求に対して拒絶応答を返送する構成となっている。
【００１４】しかしながら拒絶応答を返送するまでに送
られたデータ信号を当該書き換え可能メモリに書き込む
途中で、電圧値が書き込み禁止電圧（ａ）の電圧レベル
を切ることも考えられるが、ＩＣカードの電源電圧は徐
々に減衰していくため書き込み禁止電圧（ａ）から書き
込み保証電圧（ｂ）まで減衰するには所定の時間を要す
る。
られたデータ信号を当該書き換え可能メモリに書き込む
途中で、電圧値が書き込み禁止電圧（ａ）の電圧レベル
を切ることも考えられるが、ＩＣカードの電源電圧は徐
々に減衰していくため書き込み禁止電圧（ａ）から書き
込み保証電圧（ｂ）まで減衰するには所定の時間を要す
る。
【００１５】本実施の形態において、上記の書き込み禁
止電圧（ａ）を３.０Ｖと設定したのは、ＩＣカードの
電源電圧が減衰する間に書き込みを終了できる電圧とし
たためであり、３.０Ｖに限定する必要はないが、書き
込み禁止電圧（ａ）の電圧値を電源電圧が書き込み保証
電圧（ｂ）に低下するまでに書き込みを終了するのに必
要な時間を確保できる値に設定しておけば、誤ったデー
タがメモリ内に保持されることはない。
止電圧（ａ）を３.０Ｖと設定したのは、ＩＣカードの
電源電圧が減衰する間に書き込みを終了できる電圧とし
たためであり、３.０Ｖに限定する必要はないが、書き
込み禁止電圧（ａ）の電圧値を電源電圧が書き込み保証
電圧（ｂ）に低下するまでに書き込みを終了するのに必
要な時間を確保できる値に設定しておけば、誤ったデー
タがメモリ内に保持されることはない。
【００１６】（実施の形態２）本発明の他の実施の形態
について図３、図４のフローチャートを用いて説明す
る。図３は本発明の非接触ＩＣカードの書き換え可能メ
モリにデータを書き込む場合のフローチャートを示して
おり、本体装置から送信されたデータ信号は、一旦マイ
クロプロセッサの受信バッファに格納し、伝送エラーが
無いことを確認したデータを書き換え可能メモリに転送
する。
について図３、図４のフローチャートを用いて説明す
る。図３は本発明の非接触ＩＣカードの書き換え可能メ
モリにデータを書き込む場合のフローチャートを示して
おり、本体装置から送信されたデータ信号は、一旦マイ
クロプロセッサの受信バッファに格納し、伝送エラーが
無いことを確認したデータを書き換え可能メモリに転送
する。
【００１７】まず、書き換え可能メモリのメモリ領域Ａ
にデータを書き込む。書き換え可能メモリのメモリ領域
Ａの書き込み終了後に書き込み確認フラグＣを１にセッ
トし、書き込み確認フラグＤを０にクリアする。フラグ
Ｃ・Ｄ設定後、メモリ領域Ａに書き込んだデータと同じ
受信バッファ３１の内容を書き換え可能メモリのメモリ
領域Ｂに書き込む。メモリ領域Ｂの書き込み終了後、書
き込み確認フラグＣを０にクリアし、書き込み確認フラ
グＤを１にセットする。
にデータを書き込む。書き換え可能メモリのメモリ領域
Ａの書き込み終了後に書き込み確認フラグＣを１にセッ
トし、書き込み確認フラグＤを０にクリアする。フラグ
Ｃ・Ｄ設定後、メモリ領域Ａに書き込んだデータと同じ
受信バッファ３１の内容を書き換え可能メモリのメモリ
領域Ｂに書き込む。メモリ領域Ｂの書き込み終了後、書
き込み確認フラグＣを０にクリアし、書き込み確認フラ
グＤを１にセットする。
【００１８】この構成によれば、書き換え可能メモリ内
容を読み出す場合、書き込み確認フラグＣ・Ｄの状態を
確認し、該当するメモリ領域を読み出せば、誤ったデー
タを読み出すことを避けることができる。
容を読み出す場合、書き込み確認フラグＣ・Ｄの状態を
確認し、該当するメモリ領域を読み出せば、誤ったデー
タを読み出すことを避けることができる。
【００１９】図４に書き換え可能メモリ内のデータを読
み出す場合のフローチャートを示している。まず、デー
タ読み出し時にフラグＤを確認する。フラグＤが１でフ
ラグＣが０の場合は正常に終了している（（Ｓ６）の時
点）、または図３における書き込み時（（Ｓ１）の時
点）すなわちメモリ領域Ａにデータを書き込んでいる途
中で電圧が低下したと判断して領域Ｂのデータを読み出
す。
み出す場合のフローチャートを示している。まず、デー
タ読み出し時にフラグＤを確認する。フラグＤが１でフ
ラグＣが０の場合は正常に終了している（（Ｓ６）の時
点）、または図３における書き込み時（（Ｓ１）の時
点）すなわちメモリ領域Ａにデータを書き込んでいる途
中で電圧が低下したと判断して領域Ｂのデータを読み出
す。
【００２０】次に、フラグＤが１でフラグＣも１の場合
は図３における書き込み時（（Ｓ２）の時点）で電圧が
低下したと判断して、正常にデータの書き込みが終了し
ている領域Ａのデータを読み出す。
は図３における書き込み時（（Ｓ２）の時点）で電圧が
低下したと判断して、正常にデータの書き込みが終了し
ている領域Ａのデータを読み出す。
【００２１】さらに、フラグＤが０でフラグＣが１の時
は図３における書き込み時（（Ｓ３）かもしくは（Ｓ
４）の時点）で電圧が低下したと判断して、正常にデー
タの書き込みが終了している領域Ａのデータを読み出
す。
は図３における書き込み時（（Ｓ３）かもしくは（Ｓ
４）の時点）で電圧が低下したと判断して、正常にデー
タの書き込みが終了している領域Ａのデータを読み出
す。
【００２２】最後に、フラグＤが０でフラグＣも０の時
は図３における書き込み時（（Ｓ５）の時点）で電圧が
低下したと判断して領域Ｂのデータを読み出す。
は図３における書き込み時（（Ｓ５）の時点）で電圧が
低下したと判断して領域Ｂのデータを読み出す。
【００２３】このように、メモリを２重にして複数の書
き込み確認フラグを設けておけば、重要なデータをメモ
リに書き込む途中に電源電圧が低下して誤った情報が書
き換え可能メモリに保存されたとしても、読み出す場合
には変更以前の情報を有効な情報として採用するので、
その誤ったデータを読み出すことはない。
き込み確認フラグを設けておけば、重要なデータをメモ
リに書き込む途中に電源電圧が低下して誤った情報が書
き換え可能メモリに保存されたとしても、読み出す場合
には変更以前の情報を有効な情報として採用するので、
その誤ったデータを読み出すことはない。
【００２４】なお本発明においては、制御回路をマイク
ロプロセッサと読み出し専用メモリで構成したが、ワイ
ヤードロジックで構成してもよい。
ロプロセッサと読み出し専用メモリで構成したが、ワイ
ヤードロジックで構成してもよい。
【００２５】また本実施の形態においては、メモリ領域
および書き込み確認フラグを２個づつ設けたが、さらに
メモリ領域および書き込み確認フラグを設けても同等以
上の効果が得られることはいうまでもない。
および書き込み確認フラグを２個づつ設けたが、さらに
メモリ領域および書き込み確認フラグを設けても同等以
上の効果が得られることはいうまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上にように、本発明によれば、書き込
み途中で電圧が書き込み禁止電圧より低下する場合には
予めデータの書き込みを禁止してデータを保護すること
ができる。
み途中で電圧が書き込み禁止電圧より低下する場合には
予めデータの書き込みを禁止してデータを保護すること
ができる。
【００２７】また複数の書き込みメモリ領域とフラグを
設けることで、書き換え可能メモリのデータ変更中に、
電源電圧が低下して書き込み途中で書き込みを終了して
しまい誤ったデータが保存されても、読み出し時は書き
換え以前のデータをメモリ領域から読み出すことができ
る。
設けることで、書き換え可能メモリのデータ変更中に、
電源電圧が低下して書き込み途中で書き込みを終了して
しまい誤ったデータが保存されても、読み出し時は書き
換え以前のデータをメモリ領域から読み出すことができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態における非接触ＩＣカー
ドのブロック図
ドのブロック図
【図２】本発明の一実施の形態における非接触ＩＣカー
ドの電圧相関図
ドの電圧相関図
【図３】本発明の一実施の形態におけるデータ信号書き
込み手順を示すフローチャート
込み手順を示すフローチャート
【図４】本発明の一実施の形態におけるデータ信号読み
出し手順を示すフローチャート
出し手順を示すフローチャート
【図５】一般的なＩＣカードを表すブロック図
１０ 本体装置 ２０ 非接触ＩＣカード ２１ アンテナコイル（非接触入出力手段） ２２ 復調部 ２３ 復号化部 ２４ マイクロプロセッサ ２５ 読み出し専用メモリ ２６ 書き換え可能メモリ ２７ 電源回路 ２８ 符号化部 ２９ 変調部 ３５ コンパレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０６Ｋ 17/00 Ｇ０６Ｆ 1/00 ３３３Ｄ ３３５Ｅ Ｈ０２Ｊ 17/00 ３４１Ｐ
Claims (2)
- 【請求項１】 非接触状態にある本体装置との誘導結合
により電源供給を受けるとともに、データ信号の送受信
を行う非接触入出力手段と、誘導結合により得た電力を
整流平滑する電源回路と、前記データ信号の処理を行う
マイクロプロセッサと、処理されたデータを記憶する書
き換え可能メモリとを有し、 前記電源回路において生成された出力電圧と基準電圧と
を比較し、比較結果を前記マイクロプロセッサに出力す
るコンパレータを設けたことを特徴とする非接触ＩＣカ
ード。 - 【請求項２】 非接触状態にある本体装置との誘導結合
により電源供給を受けるとともに、データ信号の送受信
を行う非接触入出力手段と、前記データ信号の処理を行
うマイクロプロセッサと、処理されたデータを記憶する
書き換え可能メモリとを有し、 本体装置からのデータ信号を受けて、書き換え可能メモ
リにデータを書き込む際、データを書き換え可能メモリ
のメモリ領域Ａに書き込み、書き込み終了後に書き込み
確認フラグＣを０もしくは１に、書き込み確認フラグＤ
も０もしくは１と設定したのち、 同一のデータを前記書き換え可能メモリのメモリ領域Ｂ
に書き込み、書き込み終了後に書き込み確認フラグＣを
０から１もしくは１から０に、書き込み確認フラグＤも
０から１もしくは１から０と設定変更して書き込みを終
了することを特徴とする非接触ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313253A JPH10154216A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 非接触ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313253A JPH10154216A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 非接触ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154216A true JPH10154216A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18038980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8313253A Pending JPH10154216A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 非接触ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154216A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143377A1 (fr) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | EM Microelectronic-Marin SA | Transpondeur actif ayant des moyens permettant de varier la distance maximale de communication |
| US6457650B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-10-01 | The Nippon Signal Co., Ltd. | Card with display function |
| JP2014157455A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Mitsubishi Nichiyu Forklift Co Ltd | データ書き込み制御装置及びデータ書き込み制御方法 |
| JP2016025502A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | ワイヤレス受電用アンテナ及びウエアラブルデバイス |
| JP2017152024A (ja) * | 2008-02-25 | 2017-08-31 | ティヴォ ソリューションズ インコーポレイテッド | 積層可能な通信システム |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP8313253A patent/JPH10154216A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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