JPH10154105A - メモリチップをテストする方法 - Google Patents

メモリチップをテストする方法

Info

Publication number
JPH10154105A
JPH10154105A JP9313078A JP31307897A JPH10154105A JP H10154105 A JPH10154105 A JP H10154105A JP 9313078 A JP9313078 A JP 9313078A JP 31307897 A JP31307897 A JP 31307897A JP H10154105 A JPH10154105 A JP H10154105A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
row
cell
area
test
fault
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9313078A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3181869B2 (ja
Inventor
Horst Dr Eckardt
エッカルト ホルスト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH10154105A publication Critical patent/JPH10154105A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3181869B2 publication Critical patent/JP3181869B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1012Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using codes or arrangements adapted for a specific type of error
    • G06F11/1024Identification of the type of error

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セルフィールドに分割されたメモリチップの
テストをリアルタイム条件を遵守しながらコンピュータ
の動作中に行えるようにする。 【解決手段】 第1の行領域が選び出され、その内容が
アプリケーションプログラムによって占有されているな
らば、それを別の空いた行領域へコピーしなおし、プロ
グラムのアドレッシングが変更される。第1の行領域に
おけるすべてのセルフィールドに対し Franklin-Test
が実行される。行領域から2つのセルフィールドが選び
出され、任意の一方のセル行に対し Nair-Test が実行
される。すべての可能な組み合わせをテストするため、
Nair-Test が繰り返される。選び出された第1の行領域
に制限されて、任意のセル列に対し Nair-Test が実行
される。個々のステップは、メモリチップのすべての行
領域に対して実行される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリチップがマ
トリックス状に行領域と列領域とに分割されており、こ
れらの領域はそれぞれ少なくとも1つのセルフィールド
を有しており、1つのセル行により行領域における個々
の行が定められ、1つのセル列により列領域における個
々の列が定められている、リアルタイム条件を遵守しな
がらコンピュータの動作中、複数のセルフィールドに分
割されたメモリチップをテストする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】コンピュータは今日、所定のタイムイン
ターバル内での応答を必要とする適用分野において使用
されることが多い。ここではリアルタイムシステムにつ
いて述べる。この場合、コンピュータを”組込みシステ
ム(Embedded System)”としてアプリケーションに統
合させることもできるし、あるいはたとえばメモリプロ
グラミング可能なコントローラないしは自動化コンピュ
ータとしてそれとは別個に実現させることもできる。こ
の種のアプリケーションでは中断することのない動作が
要求される(高度に利用可能なシステムまたはHシステ
ム、H-Systeme)。
【0003】また、他の適用事例においては障害発生
時、被制御施設が安全性の面で危険な状態に陥って人間
の命や高価なものが危険に晒されたりしてはならない
(障害に対して安全なシステムまたはFシステム、F-Sy
stem)。さらに、これら両方の要求が同時に課される可
能性もある(H+Fシステム、H+F-System)。
【0004】上述の3つの動作モードすべてにおいて必
要とされるのは、コンピュータが動作中にセルフテスト
を行えることである。これにより障害の発生個所を特定
することができ、システムの障害状態を引き起こす前に
すでに障害のあるコンポーネントを場合によっては識別
することができる。最も危険の多いコンピュータコンポ
ーネントは、多数のトランジスタにより構成されている
コンポーネントつまりメモリ、プロセッサおよび周辺機
器ロジックである。
【0005】本発明は、メモリコンポーネントのテスト
に係わるものである。大きい容量のMByteのメモリ
の搭載されるコンピュータの場合、メモリに最も多くの
トランジスタが含まれており、したがってメモリは一番
重要な被検査コンポーネントである。
【0006】この場合、3つの論理的な故障の分類に分
けられる:縮退故障(Stuck-at fault)、結合故障(Co
upling fault)、パターン依存故障(Pattern-sensitiv
e fault) [文献1]。これらの故障の検出率に応じ
て、メモリテストに対し特定の有効性が割り当てられ
る。テストにおける高い有効性を達成するためには、す
べての縮退故障、大部分の結合故障および多くのパター
ン依存故障を識別しなければならない。
【0007】複雑さの最も僅かなテストつまりは最短実
行時間のテストは Nair, Thatte, Abraham によるテス
ト略して Nair-Test であることが知られている[文献
2]。
【0008】また、Franklin-Test [文献3]も知られ
ており、かなり複雑であり高度にコンポーネントが集積
されている場合、このテストによって Nair-Test より
もいっそう良好に重要なパターン依存故障が検出され
る。この Franklin-Test は Nair-Test の論理的な拡張
とみなすことができる。それというのもこのテストによ
り任意の3重の故障が見つけ出され、他方、Nair-Test
により関与するすべてのメモリセルが分離しているよう
な3重の故障だけが検出されるからである。したがって
Franklin-Test も Nair-Test と同様、おおいに効果的
であるとみなすことができる。これら3つのテストに共
通しているのは、チップ上の物理的なセル配置構成に関
する情報を必要としないことである。この場合、適正な
実施のためには通常のメーカ情報で十分である。
【0009】また、[文献4]によれば動作中にメモリ
チップをテストする方法が知られており、この方法は
[文献4]においてリアルタイムデータ保護処理と呼ばれ
ている。
【0010】さらに[文献5]によれば、複数のセルフ
ィールドに区分けされたメモリチップのテスト方法が公
知である(文献中の請求項9参照)。この公知の方法の
メモリチップは、マトリックス状に複数の行領域と列領
域に区分されている(請求項1,9;図1参照)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明が基礎とする問
題点は、システムの応答能力(典型的には数ms)が制
限されないようにするためには、リアルタイム条件のも
とで動作中のメモリチップのテストを中断可能にしなけ
ればならないことである(その際、高い有効性のテスト
であることが重要)。有効性の高い公知のメモリテスト
はこのような特性を備えておらず、このためリアルタイ
ムコンピュータにおいては起動時テストとしてしか利用
できない。動作中は有効性の低いテストで甘んじてい
る。この場合、そのようなテストにより所定のタイムス
ロット内でそれぞれ1つの小さいメモリ領域が検査され
る。その間はいかなる中断も許されず、つまりコンピュ
ータの割込みメカニズムはオフにされている。
【0012】したがって本発明の課題は、上述の問題点
を解決することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、a)第1の行領域を選び出すステップと、b)該第
1の行領域の内容がアプリケーションプログラムにより
占有されているならば、その内容を他の空いている第2
の行領域へコピーし、それに応じて該第2の行領域に対
しアプリケーションプログラムのアドレッシングを変更
するステップと、c)前記第1の行領域におけるすべて
のセルフィールドに対しそれぞれ Franklintest を実行
するステップと、d)前記行領域から2つのセルフィー
ルドを選び出すステップと、e)選び出された両方のセ
ルフィールドにおける1つの任意のセル行に対し Nair-
Test を実行するステップと、f)セルフィールドによ
るすべての可能な2つの組み合わせを巡ってしまうま
で、ステップd)からステップe)を繰り返すステップ
と、g)選び出された前記第1の行領域に制限して、Na
ir-Test を1つの任意のセル列に対して実行するステッ
プと、h)メモリチップのすべての行領域に対しステッ
プb)からg)を実行するステップと、i)1対の行領
域を選び出すステップと、j)該1対の行領域のうちの
一方または両方の行領域がアプリケーションプログラム
により占有されているならば、その一方の行領域または
それら両方の行領域の内容を1つまたは2つの空いてい
る行領域へコピーしなおし、それに応じてコピーしなお
された各行領域に対しアプリケーションプログラムのア
ドレッシングを変更するステップと、k)選び出された
行領域からそれぞれ1つの任意のセル列を選択するステ
ップと、l)選び出された両方のセル列に対し Nair-Te
st を実行するステップと、m)行領域によるすべての
可能な2つの組み合わせを巡ってしまうまで、ステップ
j)からステップl)を行領域の他の対を用いて実行す
るステップ、とを有することを特徴とする、メモリチッ
プをテストする方法により解決される。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明によれば、セルフィールド
に分割されたメモリチップのテストをリアルタイム条件
を遵守しながらコンピュータの動作中に行えるようにな
る。この場合、テストの中断を可能にしながら高度な有
効性が保証される。
【0015】メモリチップは、マトリックス状に配置さ
れた個々のセルフィールドに分割できる。このマトリッ
クスは行領域と列領域に分割され、それらは少なくとも
1つのセルフィールドをそれぞれ有している。1つのセ
ル行は行領域における個々の行により定められており、
1つのセル列は列領域における個々の列により定められ
ている。
【0016】メモリチップをテストする方法は以下のよ
うに構成されている:第1の行領域が選び出される。こ
の第1の行領域の内容がアプリケーションプログラムに
よって占有されている場合には、その内容を別の空いた
第2の行領域へコピーしなおす必要があり、それに応じ
てアプリケーションプログラムのアドレッシングを第2
の行領域に関して変更する必要がある。第1の行領域に
おけるすべてのセルフィールドに対しそれぞれ Frankli
n-Test が実行される。さらに、行領域から2つのセル
フィールドが選び出される。選び出されたそれら2つの
セルフィールドのうち任意の一方のセル行に対し Nair-
Test が実行される。セルフィールドによるすべての可
能な2つの組み合わせをテストする目的で、それぞれ別
のセルフィールド対を用いて最後のステップの Nair-Te
st が繰り返される。選び出された第1の行領域に制限
されて、任意のセル列に対し Nair-Testが実行される。
既述の方法における個々のステップは、メモリチップの
すべての行領域に対して実行される。
【0017】この方法の第2の部分は以下の通りであ
る:一対の行領域が選び出される。それら行領域の一方
または両方の行領域がアプリケーションプログラムによ
り占有されている場合、一方の行領域または両方の行領
域の内容が1つまたは2つの空いた行領域へコピーしな
おされ、それに応じてコピーしなおされた行領域に対し
アプリケーションプログラムのアドレッシングが変更さ
れる。選び出された両方の行領域から、それぞれ1つの
任意のセル列が選択される。選び出された両方のセル列
に対し Nair-Test が実行される。この第2の部分の個
々のステップは、行領域によるすべての可能な2つの組
み合わせを巡ってしまうまで、別の行領域対を用いて実
行される。
【0018】この方法の第1の部分における Franklin-
Test により、隣り合うセルの結合に起因して生じるダ
イナミックなパターン依存故障についてテストされる。
この故障は、論理アドレスによるセルの物理的な割り当
てが既知でなくても、Franklin-Test により識別され
る。この方法の第1の部分および第2の部分の Nair-Te
st により、スタティックな故障(短絡)およびライン
間の結合についてテストされる。
【0019】Nair-Test の実行中、割り込みを許可しな
いのが有利である。Nair-Test が排他的に実行されれ
ば、メインメモリアクセスによる副作用を排除すること
ができる。
【0020】さらに有利であるのは、メモリ全体におけ
る複数のメモリチップをパラレルなテストにより同時に
検査することである。この目的で、すべてのメモリチッ
プに同じデータが書き込まれ、すべてのメモリチップか
ら同じデータが読み出される。
【0021】さらに有利であるのは、EDCメカニズム
を利用可能なコンピュータシステムにおいて、メモリ故
障が補正されたか否かをEDCコントローラの問い合わ
せにより調べること、および必要に応じて故障のタイプ
を類別することである。故障の再現性という前提条件の
もとで、縮退故障、結合故障およびパターン依存故障を
区別することができる。縮退故障の類別は、セルがそれ
にダイレクトに書き込まれたものとは別の値を有すると
きに発生する。他の2つの故障つまり結合故障とパター
ン依存故障は、請求項1記載の方法に従って検出され
る。
【0022】従属請求項には本発明による方法の有利な
実施形態が示されている。
【0023】次に、実施例に基づき本発明について詳細
に説明する。
【0024】
【実施例】図1には、メモリチップSCの実現可能な物
理的構造が示されている。この場合、セルフィールドZ
Fはマトリクス状に行領域ZBと列領域SBに配列され
ている。1つのセル行ZZは行領域ZBにおける個々の
行により定められ、1つのセル列ZSは列領域SBにお
ける個々の列により定められている。また、個々のセル
フィールドZFはフィールド幅FB n とフィールド高
さFH m を有している。さらに、行ラインZZLと列
ラインSZLが設けられている。
【0025】図2には、本発明による方法の個々のステ
ップが示されている。有効性の高いメモリテストのため
に重要であるのは、隣り合う各セルの結合に起因して生
じるダイナミックなパターン依存故障(Pattern-sensit
ive fault )と、各ライン間の結合に起因して生じるス
タティックな故障とを識別することである。リアルタイ
ム条件のもとで動作中に有効性の高いメモリテストを実
施できるようにするために2段階の方法が設けられ、ま
ずはじめにダイナミックなパターン依存故障が調べら
れ、次に1つの行領域における列ラインおよび/または
行ラインにより引き起こされるスタティックな故障が調
べられ、これはすべての行領域に対しインタラクティブ
に実行され、第2のステップにおいて行領域による可能
なすべての2つの組み合わせに関して、自身の行領域に
おける行ラインが他の行ラインに対してテストされる。
次に、図2にも記載されているこの方法について詳しく
説明する。
【0026】まずはじめに、第1の行領域が選び出され
る(図2のステップ2a参照)。この第1の行領域の内
容がアプリケーションプログラムにより占有されている
のであれば、その内容が空いている他の行領域にコピー
しなおされる。これに応じて、アプリケーションプログ
ラムのアドレッシングはその行領域に対して変える必要
がある(ステップ2b)。第1の行領域のすべてのセル
フィールドについてそれぞれ Franklin-Test が実行さ
れる(ステップ2c)。その後、行領域から2つのセル
フィールドが選び出される。隣り合うセルフィールドに
おける1つの任意のセル行がそれぞれ選び出される。そ
して各列ライン間の結合がテストされ、このテストは行
領域における各セルフィールドのすべての可能な2つの
組み合わせに対し Nair-Test を実行することにより行
われ、この場合、選択されたセル行においてそれぞれ N
air-Test を実行すれば十分である(ステップ2d)。
また、各行ライン間の結合がテストされ、このテストは
選択された第1の行領域における1つの任意のセル列に
おいて Nair-Test を実行することにより行われる(ス
テップ2e)。その後、行領域のすべてを巡ってしまう
まで別の行領域が選択され、ステップ2bへジャンプす
る(ステップ2f)。上述の方法に従ってすべての行領
域が個々にテストされてしまうと、行領域の1つの対が
選択される(ステップ2g)。アプリケーションプログ
ラムが一方の行領域または両方の行領域のメモリを必要
としている場合には、占有されている各行領域を空いて
いる行領域にコピーしなおし、それに応じてアプリケー
ションプログラムのアドレッシングをコピーしなおされ
た各行領域に対して変更する必要がある(ステップ2
h)。次に、選択された両方の行領域からそれぞれ1つ
の任意のセル列が選び出される。そして、選択された両
方のセル列に対し Nair-Test が実行される(ステップ
2i)。このようにして、各行領域間の行ラインに対し
スタティックな故障と各ライン間の結合に関して故障検
査が実行される。行領域による可能なすべての2つの組
み合わせが選択されてしまうまで、行領域による新しい
可能な2つの組み合わせが選び出され(ステップ2
j)、ステップ2hへジャンプする。
【0027】Franklin-Test は Nair-Test よりも複雑
なものであり、そのために高度なコンポーネントの集積
である場合に重要なパターン依存故障がいっそう良好に
検出される。Franklin-Test は Nair-Test の論理的な
拡張である。それというのもこれにより任意の3重の故
障が見つけ出され、他方、Nair-Test によれば関与する
すべてのメモリセルが分離しているような3重の故障だ
けが検出されるからである。本発明の方法によればメモ
リテストはコンピュータの動作中、リアルタイム条件の
もとで実行しようというものであるので、複雑な Frank
lin-Test は個々のセルフィールドに対してのみ適用さ
れる。そこにおいてダイナミックなパターン依存故障が
検出される。スタティックな故障(短絡)と各ライン間
の結合は、本発明の方法においては Nair-Test により
識別される。Franklin-Test がかなり複雑であることに
基づく所要時間を是認できるならば、スタティックな故
障を検出するために Franklin-Test を使用することも
できる。
【0028】本出願においては以下の刊行物を引用し
た: [1] DIN V VDE 0801/A1: 1994-10. Grundsaetze fuer R
echner in Systemen mitSicherheitsaufgaben. [2] R.Nair, S.M.Thatte, J.A.Abraham, Efficient Alo
grithms for Testing Semiconductor Random-Access Me
mories. IEEE Trans. on Comp. C-27,6 (1978) 572-57
6. [3] M.Franklin, K.K.Saluja, Hypergraph Coloring an
d Reconfigured RAM Testing. IEEE Trans. on Comp. 4
3,6 (1994) 725-736.M.Franklin, K.K.Saluja, An Algo
rithm to Test Reconfigured RAMs. 7th Intl. Conf.on
VLSI Design, Calcutta, India, 5-8 Jan.1994, Comp.
Soc.Press (1994) 359-364. [4] D. Rhein, H. Freitag: Mikroelektronische Speic
her, Springer-Verlag Wien, New York 1992. [5] Duetsche Patentschrift 40 11 987 C2
【図面の簡単な説明】
【図1】メモリチップの物理的な構造を示す図である。
【図2】個々のステップを示すフローチャートである。
【符号の説明】
SC メモリチップ ZF セルフィールド ZZ セル行 ZB 行領域 FH フィールド高さ ZS セル列 FB フィールド幅 SB 列領域 ZZL 行ライン SZL 列ライン

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリチップ(SC)がマトリックス状
    に行領域(ZB)と列領域(SB)とに分割されてお
    り、これらの領域はそれぞれ少なくとも1つのセルフィ
    ールド(ZF)を有しており、1つのセル行(ZZ)に
    より行領域における個々の行が定められ、1つのセル列
    (ZS)により列領域(SB)における個々の列が定め
    られている、 リアルタイム条件を遵守しながらコンピュータの動作
    中、複数のセルフィールド(ZF)に分割されたメモリ
    チップをテストする方法において、 a)第1の行領域(ZB)を選び出すステップと、 b)該第1の行領域の内容がアプリケーションプログラ
    ムにより占有されているならば、その内容を他の空いて
    いる第2の行領域へコピーし、それに応じて該第2の行
    領域に対しアプリケーションプログラムのアドレッシン
    グを変更するステップと、 c)前記第1の行領域(ZB)におけるすべてのセルフ
    ィールド(ZF)に対しそれぞれ Franklintest を実行
    するステップと、 d)前記行領域(ZB)から2つのセルフィールドを選
    び出すステップと、 e)選び出された両方のセルフィールドにおける1つの
    任意のセル行(ZZ)に対し Nair-Test を実行するス
    テップと、 f)セルフィールドによるすべての可能な2つの組み合
    わせを巡ってしまうまで、ステップd)からステップ
    e)を繰り返すステップと、 g)選び出された前記第1の行領域に制限して、Nair-T
    est を1つの任意のセル列(ZS)に対して実行するス
    テップと、 h)メモリチップ(SC)のすべての行領域に対しステ
    ップb)からg)を実行するステップと、 i)1対の行領域を選び出すステップと、 j)該1対の行領域のうちの一方または両方の行領域が
    アプリケーションプログラムにより占有されているなら
    ば、その一方の行領域またはそれら両方の行領域の内容
    を1つまたは2つの空いている行領域へコピーしなお
    し、それに応じてコピーしなおされた各行領域に対しア
    プリケーションプログラムのアドレッシングを変更する
    ステップと、 k)選び出された行領域からそれぞれ1つの任意のセル
    列を選択するステップと、 l)選び出された両方のセル列に対し Nair-Test を実
    行するステップと、 m)行領域によるすべての可能な2つの組み合わせを巡
    ってしまうまで、ステップj)からステップl)を行領
    域の他の対を用いて実行するステップ、とを有すること
    を特徴とする、メモリチップをテストする方法。
  2. 【請求項2】 Nair-Test の実行中は割り込みを許可し
    ない、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 すべてのメモリチップへ同じデータを書
    き込み、すべてのメモリチップから同じデータを読み出
    すことにより、メモリ全体における複数のメモリチップ
    をパラレルなテストによって同時に検査する、請求項1
    または2記載の方法。
  4. 【請求項4】 EDCメカニズムを利用可能なコンピュ
    ータシステムにおける故障を類別するため請求項1,2
    または3記載の方法を使用する方法において、 EDCコントローラの問い合わせにより故障の発生をマ
    ークして該故障を類別し、故障再現性の前提条件のもと
    で、セルがダイレクトにそこに書き込まれたものとは異
    なる値を有するときは縮退故障、 請求項1のステップe)〜g)ないしステップl)〜
    m)により故障が検出されたときには結合故障、 請求項1のステップc)により故障が検出されたときに
    はパターン依存故障として区別することを特徴とする方
    法。
JP31307897A 1996-11-14 1997-11-14 メモリチップをテストする方法 Expired - Fee Related JP3181869B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19647159.1 1996-11-14
DE19647159A DE19647159A1 (de) 1996-11-14 1996-11-14 Verfahren zum Testen eines in Zellenfelder unterteilten Speicherchips im laufenden Betrieb eines Rechners unter Einhaltung von Echtzeitbedingungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10154105A true JPH10154105A (ja) 1998-06-09
JP3181869B2 JP3181869B2 (ja) 2001-07-03

Family

ID=7811715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31307897A Expired - Fee Related JP3181869B2 (ja) 1996-11-14 1997-11-14 メモリチップをテストする方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5937367A (ja)
EP (1) EP0843317B1 (ja)
JP (1) JP3181869B2 (ja)
KR (1) KR100435092B1 (ja)
CN (1) CN1078719C (ja)
DE (2) DE19647159A1 (ja)
TW (1) TW466500B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9009549B2 (en) 2011-02-18 2015-04-14 Mitsubishi Electric Corporation Memory diagnostic apparatus and memory diagnostic method and program
US10438679B2 (en) 2015-03-10 2019-10-08 Mitsubishi Electric Corporation Memory diagnosis apparatus and memory diagnosis program

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW340067B (en) * 1996-11-13 1998-09-11 Ishikawajima Harima Heavy Ind Rolled strip joining device and a hot strip mill having such a device
JP3578638B2 (ja) * 1998-08-25 2004-10-20 株式会社日立ユニシアオートモティブ マイコン用メモリの診断装置
US6434503B1 (en) 1999-12-30 2002-08-13 Infineon Technologies Richmond, Lp Automated creation of specific test programs from complex test programs
US6963813B1 (en) 2000-09-13 2005-11-08 Dieter Rathei Method and apparatus for fast automated failure classification for semiconductor wafers
CN100419668C (zh) * 2003-05-23 2008-09-17 日本电信电话株式会社 并行处理设备和并行处理方法
US8176250B2 (en) * 2003-08-29 2012-05-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for testing a memory
US7346755B2 (en) * 2003-09-16 2008-03-18 Hewlett-Packard Development, L.P. Memory quality assurance
CN100372315C (zh) * 2005-02-06 2008-02-27 华为技术有限公司 耦合故障通道的定位方法和多通道设备的检测方法
CN100337213C (zh) * 2005-07-28 2007-09-12 深圳兆日技术有限公司 一种安全芯片在dos下的功能检测实现方法
DE102008010233A1 (de) * 2008-02-21 2009-08-27 Robert Bosch Gmbh Anordnung zur Überprüfung eines Programmspeichers einer Recheneinheit
US7848899B2 (en) * 2008-06-09 2010-12-07 Kingtiger Technology (Canada) Inc. Systems and methods for testing integrated circuit devices
US8356215B2 (en) * 2010-01-19 2013-01-15 Kingtiger Technology (Canada) Inc. Testing apparatus and method for analyzing a memory module operating within an application system
US8724408B2 (en) 2011-11-29 2014-05-13 Kingtiger Technology (Canada) Inc. Systems and methods for testing and assembling memory modules
US9117552B2 (en) 2012-08-28 2015-08-25 Kingtiger Technology(Canada), Inc. Systems and methods for testing memory
CN104951276B (zh) * 2015-06-24 2017-05-31 福州瑞芯微电子股份有限公司 一种芯片指令高速缓存失效的检测方法及系统
CN112098770B (zh) * 2020-08-20 2024-06-14 深圳市宏旺微电子有限公司 针对动态耦合故障模拟极端环境下的测试方法和装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4586178A (en) * 1983-10-06 1986-04-29 Eaton Corporation High speed redundancy processor
US4757503A (en) * 1985-01-18 1988-07-12 The University Of Michigan Self-testing dynamic ram
DE3530257A1 (de) * 1985-08-23 1987-03-05 Siemens Ag Verfahren zur pruefung eines schreib-lese-speichers waehrend seines betriebs
DE3817857A1 (de) * 1988-05-26 1988-12-29 Cordell Steve Verfahren zur selbstpruefung eines random access memory (ram) einer schaltung
JP2717712B2 (ja) * 1989-08-18 1998-02-25 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US5128941A (en) * 1989-12-20 1992-07-07 Bull Hn Information Systems Inc. Method of organizing a memory for fault tolerance
US5134616A (en) * 1990-02-13 1992-07-28 International Business Machines Corporation Dynamic ram with on-chip ecc and optimized bit and word redundancy
GB9023867D0 (en) * 1990-11-02 1990-12-12 Mv Ltd Improvements relating to a fault tolerant storage system
US5377148A (en) * 1990-11-29 1994-12-27 Case Western Reserve University Apparatus and method to test random access memories for a plurality of possible types of faults
US5550394A (en) * 1993-06-18 1996-08-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor memory device and defective memory cell correction circuit
US5715253A (en) * 1993-02-15 1998-02-03 Lg Semicon Co., Ltd. ROM repair circuit
ES2153891T3 (es) * 1994-03-22 2001-03-16 Hyperchip Inc Arquitectura resistente a los defectos basada en celdas con uso beneficioso de celdas de reserva no asignadas.
US5535164A (en) * 1995-03-03 1996-07-09 International Business Machines Corporation BIST tester for multiple memories

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9009549B2 (en) 2011-02-18 2015-04-14 Mitsubishi Electric Corporation Memory diagnostic apparatus and memory diagnostic method and program
US10438679B2 (en) 2015-03-10 2019-10-08 Mitsubishi Electric Corporation Memory diagnosis apparatus and memory diagnosis program

Also Published As

Publication number Publication date
KR100435092B1 (ko) 2004-07-16
EP0843317A2 (de) 1998-05-20
CN1191346A (zh) 1998-08-26
JP3181869B2 (ja) 2001-07-03
EP0843317B1 (de) 2003-03-26
KR19980042413A (ko) 1998-08-17
TW466500B (en) 2001-12-01
DE19647159A1 (de) 1998-06-04
CN1078719C (zh) 2002-01-30
DE59709613D1 (de) 2003-04-30
EP0843317A3 (de) 1999-07-28
US5937367A (en) 1999-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10154105A (ja) メモリチップをテストする方法
US5675545A (en) Method of forming a database that defines an integrated circuit memory with built in test circuitry
JP3313102B2 (ja) 回路障害を分離する方法
US6845477B2 (en) Semiconductor test device for conducting an operation test in parallel on many chips in a wafer test and semiconductor test method
EP0834124B1 (en) Parallel testing of cpu cache and instruction units
JP2007226711A (ja) 集積回路装置、集積回路装置の診断方法、および診断回路
US20030200492A1 (en) Semiconductor integrated circuit and its analyzing method
Liu et al. Diagnosis of interconnects and FPICs using a structured walking-1 approach
KR20020024532A (ko) 메모리 어레이 셀프-테스트용 컴파일가능한 어드레스 크기비교기
US5898705A (en) Method for detecting bus shorts in semiconductor devices
Che et al. Fault spectrum analysis for fast spare allocation in reconfigurable arrays
JP2972208B2 (ja) Ic試験装置
Nordholz et al. A defect-tolerant word-oriented static RAM with built-in self-test and self-reconfiguration
US6775193B1 (en) System and method for testing multiple embedded memories
JP2792327B2 (ja) 半導体集積回路装置
van Riessen et al. A design for testability expert system for silicon compilers
Munshi et al. A new method for testing EEPLAs
JP2806692B2 (ja) Icテスト・システム
JPH08125024A (ja) オンチップram試験システム
JPS61245068A (ja) テスト用パタ−ンデ−タ記憶装置
Krasniewski Automatic Design of Exhaustively Self-Testing VLSI Circuits
Das Adaptive scheduled experimentation and fault location in large combinational logic networks
Zorian et al. Multi-chip modules testing and DfT
JPH03248441A (ja) マルチチップ実装半導体集積回路装置
Huang et al. An efficient parallel transparent diagnostic BIST

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010313

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080420

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees