JPH10152353A - 粉粒状原料の焼成装置およびその運転方法 - Google Patents
粉粒状原料の焼成装置およびその運転方法Info
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- JPH10152353A JPH10152353A JP30687796A JP30687796A JPH10152353A JP H10152353 A JPH10152353 A JP H10152353A JP 30687796 A JP30687796 A JP 30687796A JP 30687796 A JP30687796 A JP 30687796A JP H10152353 A JPH10152353 A JP H10152353A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コーチングの発生を防ぎ、熱消費を低減して
熱回収効率の向上を図ることができる焼成装置を提供す
る。 【解決手段】 粉粒状原料を分散板６２，６３，６４上
に投入して予熱／仮焼する流動層形予熱／仮焼炉ＰＣを
設け、原料投入ダクト９０から投入された原料を予熱／
仮焼し、この予熱／仮焼後の原料を分岐手段４５によっ
て焼成炉ＫＦに供給し、焼成炉ＫＦではバーナ４３によ
って原料を焼成する。その焼成後の製品を冷却装置ＦＢ
Ｑに導き、ブロア１４３によって供給された空気と熱交
換して製品を冷却するとともに製品との熱交換によって
温度上昇したガスを焼成炉ＫＦの風箱１２２へ導いてバ
ーナ４３を燃焼させ、熱消費を可及的に少なくして熱回
収効率を向上する。また予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧
力損失が予め定める値となるように制御して、予熱／仮
焼炉ＰＣ内が高温になることを防止して、コーチングの
発生を防ぐ。
熱回収効率の向上を図ることができる焼成装置を提供す
る。 【解決手段】 粉粒状原料を分散板６２，６３，６４上
に投入して予熱／仮焼する流動層形予熱／仮焼炉ＰＣを
設け、原料投入ダクト９０から投入された原料を予熱／
仮焼し、この予熱／仮焼後の原料を分岐手段４５によっ
て焼成炉ＫＦに供給し、焼成炉ＫＦではバーナ４３によ
って原料を焼成する。その焼成後の製品を冷却装置ＦＢ
Ｑに導き、ブロア１４３によって供給された空気と熱交
換して製品を冷却するとともに製品との熱交換によって
温度上昇したガスを焼成炉ＫＦの風箱１２２へ導いてバ
ーナ４３を燃焼させ、熱消費を可及的に少なくして熱回
収効率を向上する。また予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧
力損失が予め定める値となるように制御して、予熱／仮
焼炉ＰＣ内が高温になることを防止して、コーチングの
発生を防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、石灰石およびドロ
マイトなどの粉粒状原料を焼成して生石灰および焼成ド
ロマイトなどの焼成物を生成する設備に好適に実施する
ことができる粉粒状原料の焼成装置およびその運転方法
に関する。
マイトなどの粉粒状原料を焼成して生石灰および焼成ド
ロマイトなどの焼成物を生成する設備に好適に実施する
ことができる粉粒状原料の焼成装置およびその運転方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１５は、典型的な従来技術の粉粒状原
料の焼成装置１を示す系統図であり、類似の従来技術は
たとえば特開平４−６０３８１号公報に開示されてい
る。この焼成装置１は、相互にダクト３ａ，３ｂ，３ｃ
およびシュート３ｄ，３ｅによって接続される複数のサ
イクロンＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を有し、下段のサイク
ロンから各ダクト３ａ〜３ｅを介して上段のサイクロン
へ導かれるガスに石灰石などの粉粒状原料を浮遊させ
て、各サイクロンＣ１〜Ｃ４間を気流輸送しながら加熱
するサスペンションプレヒータＳＰと、バーナ４を備
え、サスペンションプレヒータＳＰの最下段のサイクロ
ンＣ１および仮焼炉ＰＣから導かれる原料を焼成する流
動層形焼成炉ＫＦと、焼成炉ＫＦおよび捕集サイクロン
ＣＯから導かれる原料を空気によって冷却する冷却装置
ＦＢＱと、サスペンションプレヒータＳＰの下から２段
目のサイクロンＣ２から供給される原料を、焼成炉ＫＦ
からのガスによって加熱して仮焼し、前記最下段のサイ
クロンＣ１にガスを導く流動層形仮焼炉ＰＣとを含む。
料の焼成装置１を示す系統図であり、類似の従来技術は
たとえば特開平４−６０３８１号公報に開示されてい
る。この焼成装置１は、相互にダクト３ａ，３ｂ，３ｃ
およびシュート３ｄ，３ｅによって接続される複数のサ
イクロンＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を有し、下段のサイク
ロンから各ダクト３ａ〜３ｅを介して上段のサイクロン
へ導かれるガスに石灰石などの粉粒状原料を浮遊させ
て、各サイクロンＣ１〜Ｃ４間を気流輸送しながら加熱
するサスペンションプレヒータＳＰと、バーナ４を備
え、サスペンションプレヒータＳＰの最下段のサイクロ
ンＣ１および仮焼炉ＰＣから導かれる原料を焼成する流
動層形焼成炉ＫＦと、焼成炉ＫＦおよび捕集サイクロン
ＣＯから導かれる原料を空気によって冷却する冷却装置
ＦＢＱと、サスペンションプレヒータＳＰの下から２段
目のサイクロンＣ２から供給される原料を、焼成炉ＫＦ
からのガスによって加熱して仮焼し、前記最下段のサイ
クロンＣ１にガスを導く流動層形仮焼炉ＰＣとを含む。
【０００３】このような焼成装置１において、最上段の
サイクロンＣ４と上から２段目のサイクロンＣ３とを接
続するダクト３Ｃには、原料投入シュート５から上記粉
粒状原料が投入され、この原料は、たとえば５〜６ｍｍ
以下の粉粒状であり、サスペンションプレヒータＳＰ内
で焼成炉ＫＦからのガスによって加熱されて予熱され、
仮焼炉ＰＣで一部仮焼されてシュート９ａ、Ｌバルブ１
０、シュート９ｂを経て焼成炉ＫＦに投入される。また
仮焼炉ＰＣを飛散した少量の微粉原料は、最下段のサイ
クロンＣ１からシュート６を介して前記焼成炉ＫＦに導
かれる。焼成炉ＫＦは、分散板７を備え、この分散板７
上に前記原料が貯留される。原料は風箱８からの空気に
よって流動化されながらバーナ４の燃焼ガスによって加
熱され、焼成される。このような焼成炉ＫＦ内では、原
料の石灰石ＣａＣＯ3 の粉粒体は、 ＣａＣＯ3 → ＣａＯ＋ＣＯ2 のように反応して、生石灰ＣａＯと炭酸ガスＣＯ2 とが
生成される。またサスペンションプレヒータＳＰでは、
焼成後の少量の微粉が導かれた場合に６００〜８００℃
のガスとの接触によって、そのガス中の炭酸ガスと再炭
酸化反応、 Ｃ2Ｏ＋ＣＯ2 → ＣａＣＯ3 を生じて付着性が強くなり、各サイクロンＣ１〜Ｃ４内
で遠心力の作用によって内壁に付着して成長し、硬質の
コーチングが発生する。
サイクロンＣ４と上から２段目のサイクロンＣ３とを接
続するダクト３Ｃには、原料投入シュート５から上記粉
粒状原料が投入され、この原料は、たとえば５〜６ｍｍ
以下の粉粒状であり、サスペンションプレヒータＳＰ内
で焼成炉ＫＦからのガスによって加熱されて予熱され、
仮焼炉ＰＣで一部仮焼されてシュート９ａ、Ｌバルブ１
０、シュート９ｂを経て焼成炉ＫＦに投入される。また
仮焼炉ＰＣを飛散した少量の微粉原料は、最下段のサイ
クロンＣ１からシュート６を介して前記焼成炉ＫＦに導
かれる。焼成炉ＫＦは、分散板７を備え、この分散板７
上に前記原料が貯留される。原料は風箱８からの空気に
よって流動化されながらバーナ４の燃焼ガスによって加
熱され、焼成される。このような焼成炉ＫＦ内では、原
料の石灰石ＣａＣＯ3 の粉粒体は、 ＣａＣＯ3 → ＣａＯ＋ＣＯ2 のように反応して、生石灰ＣａＯと炭酸ガスＣＯ2 とが
生成される。またサスペンションプレヒータＳＰでは、
焼成後の少量の微粉が導かれた場合に６００〜８００℃
のガスとの接触によって、そのガス中の炭酸ガスと再炭
酸化反応、 Ｃ2Ｏ＋ＣＯ2 → ＣａＣＯ3 を生じて付着性が強くなり、各サイクロンＣ１〜Ｃ４内
で遠心力の作用によって内壁に付着して成長し、硬質の
コーチングが発生する。
【０００４】そのため、この従来技術では、サスペンシ
ョンプレヒータＳＰの各サイクロンＣ１〜Ｃ４に導かれ
るガスの温度を再炭酸化反応温度以下に制限するため
に、焼成炉ＫＦに直結される捕集サイクロンＣ０と最下
段のサイクロンＣ１との間に仮焼炉ＰＣを設け、捕集サ
イクロンＣ０から排出される約４０ｍ／ｓｅｃの流速の
ガス流を、仮焼炉ＰＣによって２〜５ｍ／ｓｅｃの流速
に減速して、仮焼炉ＰＣでの原料の滞留時間を長くし、
これによって仮焼炉ＰＣ内で原料とガスとを充分に熱交
換させた後、仮焼炉ＰＣ内の原料は、シュート９ａ，９
ｂ間に介在されるマテリアルシールを行う気密排出手段
であるＬバルブ１０を介して焼成炉ＫＦに戻され、温度
が低下したガスはダクト１１を介して前記最下段のサイ
クロンＣ１へ導かれる。最下段のサイクロンＣ１で捕集
された微粉原料は、シュート６によって焼成炉ＫＦに導
かれ、ガスはダクト３ａによって下から２段目のサイク
ロンＣ２に導かれる。
ョンプレヒータＳＰの各サイクロンＣ１〜Ｃ４に導かれ
るガスの温度を再炭酸化反応温度以下に制限するため
に、焼成炉ＫＦに直結される捕集サイクロンＣ０と最下
段のサイクロンＣ１との間に仮焼炉ＰＣを設け、捕集サ
イクロンＣ０から排出される約４０ｍ／ｓｅｃの流速の
ガス流を、仮焼炉ＰＣによって２〜５ｍ／ｓｅｃの流速
に減速して、仮焼炉ＰＣでの原料の滞留時間を長くし、
これによって仮焼炉ＰＣ内で原料とガスとを充分に熱交
換させた後、仮焼炉ＰＣ内の原料は、シュート９ａ，９
ｂ間に介在されるマテリアルシールを行う気密排出手段
であるＬバルブ１０を介して焼成炉ＫＦに戻され、温度
が低下したガスはダクト１１を介して前記最下段のサイ
クロンＣ１へ導かれる。最下段のサイクロンＣ１で捕集
された微粉原料は、シュート６によって焼成炉ＫＦに導
かれ、ガスはダクト３ａによって下から２段目のサイク
ロンＣ２に導かれる。
【０００５】この下から２段目のサイクロンＣ２で捕集
された原料は、シュート２７によって仮焼炉ＰＣに導か
れ、ガスはダクト３ｂによって下から３段目のサイクロ
ンＣ３に導かれる。さらに前記下から３段目のサイクロ
ンＣ３で捕集された原料は、シュート３ｅによって、前
記最下段のサイクロンＣ１と下から２段目のサイクロン
Ｃ２とを接続するダクト３ａに導かれ、このダクト３ａ
内を上昇するガス流によって前記下から２段目のサイク
ロンＣ２に導かれる。
された原料は、シュート２７によって仮焼炉ＰＣに導か
れ、ガスはダクト３ｂによって下から３段目のサイクロ
ンＣ３に導かれる。さらに前記下から３段目のサイクロ
ンＣ３で捕集された原料は、シュート３ｅによって、前
記最下段のサイクロンＣ１と下から２段目のサイクロン
Ｃ２とを接続するダクト３ａに導かれ、このダクト３ａ
内を上昇するガス流によって前記下から２段目のサイク
ロンＣ２に導かれる。
【０００６】前記下から３段目のサイクロンＣ３からの
ガスは、ダクト３ｃによって最上段のサイクロンＣ４に
導かれる。投入シュート５から投入された原料は、ダク
ト３ｃ内のガス流によって前記最上段のサイクロンＣ４
に導かれる。最上段のサイクロンＣ４で捕集された原料
は、シュート３ｄによって、前記下から２段目のサイク
ロンＣ２と前記下から３段目のサイクロンＣ３とを接続
するダクト３ｂに供給され、ダクト３ｂ内のガス流によ
って再び下から３段目のサイクロンＣ３に導かれる。最
上段のサイクロンＣ４内のガスは、誘引ファン２８によ
って排気ダクト２９から吸引され、除塵フィルタ等で除
塵した後、大気へ放散される。
ガスは、ダクト３ｃによって最上段のサイクロンＣ４に
導かれる。投入シュート５から投入された原料は、ダク
ト３ｃ内のガス流によって前記最上段のサイクロンＣ４
に導かれる。最上段のサイクロンＣ４で捕集された原料
は、シュート３ｄによって、前記下から２段目のサイク
ロンＣ２と前記下から３段目のサイクロンＣ３とを接続
するダクト３ｂに供給され、ダクト３ｂ内のガス流によ
って再び下から３段目のサイクロンＣ３に導かれる。最
上段のサイクロンＣ４内のガスは、誘引ファン２８によ
って排気ダクト２９から吸引され、除塵フィルタ等で除
塵した後、大気へ放散される。
【０００７】焼成炉ＫＦにおいて焼成された製品は、シ
ュート１２からマテリアルシールを行う気密排出手段で
あるＬバルブ１３を介して、シュート１４から冷却装置
ＦＢＱに導かれる。また焼成炉ＫＦ内を飛散した微粉原
料は、捕集サイクロンＣ０によって捕集され、シュート
１５を介して前記シュート１４から冷却装置ＦＢＱに導
かれる。前記冷却装置ＦＢＱは分散板１６を備え、仕切
板１７によって仕切られた２つの空気室１８には押込み
ファン２１から空気が供給され、分散板１６上で流動層
を形成する製品が冷却され、シュート２２を介して搬出
コンベア２３上に排出される。このようにして空気室１
８内で分散板１６上の製品を冷却した空気は、ダクト２
４，２５からダクト２６を経て、前記焼成炉ＫＦの風箱
８に前記バーナ４の燃焼用空気として供給される。
ュート１２からマテリアルシールを行う気密排出手段で
あるＬバルブ１３を介して、シュート１４から冷却装置
ＦＢＱに導かれる。また焼成炉ＫＦ内を飛散した微粉原
料は、捕集サイクロンＣ０によって捕集され、シュート
１５を介して前記シュート１４から冷却装置ＦＢＱに導
かれる。前記冷却装置ＦＢＱは分散板１６を備え、仕切
板１７によって仕切られた２つの空気室１８には押込み
ファン２１から空気が供給され、分散板１６上で流動層
を形成する製品が冷却され、シュート２２を介して搬出
コンベア２３上に排出される。このようにして空気室１
８内で分散板１６上の製品を冷却した空気は、ダクト２
４，２５からダクト２６を経て、前記焼成炉ＫＦの風箱
８に前記バーナ４の燃焼用空気として供給される。
【０００８】このようにして焼成炉ＫＦの高温のガスを
サスペンションプレヒータＳＰに直接導かずに、製品捕
集サイクロンＣ０と最下段のサイクロンＣ１との間に流
動層形仮焼炉ＰＣを設けて、前記焼成炉ＫＦからのガス
を仮焼炉ＰＣに導き、原料との熱交換によって顕熱を回
収したガスを最下段のサイクロンＣ１に供給し、各サイ
クロンＣ１〜Ｃ４の内壁へのコーチングの発生を防止ま
たは抑制するようにしている。
サスペンションプレヒータＳＰに直接導かずに、製品捕
集サイクロンＣ０と最下段のサイクロンＣ１との間に流
動層形仮焼炉ＰＣを設けて、前記焼成炉ＫＦからのガス
を仮焼炉ＰＣに導き、原料との熱交換によって顕熱を回
収したガスを最下段のサイクロンＣ１に供給し、各サイ
クロンＣ１〜Ｃ４の内壁へのコーチングの発生を防止ま
たは抑制するようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術では、
仮焼炉ＰＣによる熱回収後の温度の低いガスをサスペン
ションプレヒータＳＰに導いて、原料を予熱するが、焼
成炉ＫＦの排ガス温度が約１１００℃の高温なので、仮
焼炉ＰＣの温度が原料の仮焼反応温度約８００℃にな
り、再炭酸化反応温度以下にすることができず、各サイ
クロンＣ１〜Ｃ４、特にＣ２，Ｃ３の内壁にコーチング
が発生することが防がれず、連続して安定に運転するこ
とが困難であった。また仮焼炉ＰＣからサスペンション
プレヒータＳＰに供給される前記再炭酸化反応温度を超
える温度のガスは、仮焼炉ＰＣおよびサスペンションプ
レヒータＳＰ内で原料によって充分に熱回収されないま
ま排気ダクト２９および誘引ファン２８から大気へ放散
され、無駄な熱消費が多くなってしまう。
仮焼炉ＰＣによる熱回収後の温度の低いガスをサスペン
ションプレヒータＳＰに導いて、原料を予熱するが、焼
成炉ＫＦの排ガス温度が約１１００℃の高温なので、仮
焼炉ＰＣの温度が原料の仮焼反応温度約８００℃にな
り、再炭酸化反応温度以下にすることができず、各サイ
クロンＣ１〜Ｃ４、特にＣ２，Ｃ３の内壁にコーチング
が発生することが防がれず、連続して安定に運転するこ
とが困難であった。また仮焼炉ＰＣからサスペンション
プレヒータＳＰに供給される前記再炭酸化反応温度を超
える温度のガスは、仮焼炉ＰＣおよびサスペンションプ
レヒータＳＰ内で原料によって充分に熱回収されないま
ま排気ダクト２９および誘引ファン２８から大気へ放散
され、無駄な熱消費が多くなってしまう。
【００１０】このような問題を解決する他の従来技術
は、たとえば実開平４−３００３４号公報に開示されて
いる。この従来技術では、図１５の仮想線３０，３１に
よってそれぞれ示されるように、コーチングが発生しや
すい下から２段目のサイクロンＣ２および下から３段目
のサイクロンＣ２の各外壁に冷却空気管等によって実現
される冷却手段を設けて、炉壁の温度を５００℃程度に
低下させ、コーチングの発生を防ぐ技術が開示されてい
るが、この冷却手段によって熱消費量が大きくなり、バ
ーナ４の燃料が無駄に消費されてしまうという問題があ
る。
は、たとえば実開平４−３００３４号公報に開示されて
いる。この従来技術では、図１５の仮想線３０，３１に
よってそれぞれ示されるように、コーチングが発生しや
すい下から２段目のサイクロンＣ２および下から３段目
のサイクロンＣ２の各外壁に冷却空気管等によって実現
される冷却手段を設けて、炉壁の温度を５００℃程度に
低下させ、コーチングの発生を防ぐ技術が開示されてい
るが、この冷却手段によって熱消費量が大きくなり、バ
ーナ４の燃料が無駄に消費されてしまうという問題があ
る。
【００１１】したがって本発明の目的は、コーチングを
発生することなしに高い熱回収効率を達成することがで
きるようにした粉粒状原料の焼成装置およびその運転方
法を提供することである。
発生することなしに高い熱回収効率を達成することがで
きるようにした粉粒状原料の焼成装置およびその運転方
法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明
は、単独または複数段の流動層の分散板上に粉粒状原料
を投入して予熱および／または仮焼する流動層形予熱／
仮焼炉ＰＣと、バーナを備え、予熱および／または仮焼
された原料を焼成する流動層形焼成炉ＫＦと、焼成炉Ｋ
Ｆで焼成された焼成物を空気によって冷却する冷却装置
ＦＢＱとを備える粉粒状原料の焼成装置において、焼成
炉ＫＦの排ガスは微粉焼成物を捕集するサイクロンＣ０
を経て、前記流動層形予熱／仮焼炉ＰＣに導入され、予
熱／仮焼炉ＰＣにおける流動層の圧力損失を検出する圧
力損失検出手段と、予熱／仮焼炉ＰＣから予熱および／
または仮焼された原料を排出し、前記焼成炉ＫＦに気密
に排出する気密排出手段と、圧力損失検出手段の出力に
応答し、圧力損失検出手段によって検出される圧力損失
が予め定める値になるように、気密排出手段による原料
の流量を制御する制御手段とを含むことを特徴とする粉
粒状原料の焼成装置である。本発明に従えば、予熱／仮
焼炉ＰＣには、焼成炉ＫＦからサイクロンＣ０によって
微粉焼成物が除去された排ガスが導かれ、この排ガスに
よって予熱／仮焼炉ＰＣ内には流動層が形成され、排ガ
スと微粒状原料とが交流接触して、微粒状原料が加熱さ
れて、予熱されまたは仮焼されもしくは予熱された後に
仮焼される。このような予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧
力損失が圧力損失検出手段によって検出され、この圧力
損失検出手段によって検出される圧力損失が予め定める
値になるように、気密排出手段を介して排出される原料
の流量が制御手段によって制御される。この気密排出手
段を介して、予熱／仮焼炉ＰＣから予熱および／または
仮焼された原料が焼成炉ＫＦに投入され、焼成される。
この焼成炉ＫＦで焼成された焼成物は、冷却装置ＦＢＱ
に導かれ、空気によって冷却される。前述のようにし
て、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれる排ガス
は、サイクロンＣ０によって微粉焼成物が除去されてい
るので、予熱／仮焼炉ＰＣ内で微粉焼成物が付着するこ
とがなく、コーチングが発生しない。また気密排出手段
は、予熱／仮焼炉の圧力損失に基づいて流量が制御され
るので、たとえば流動層の圧力損失が予め定める値を超
えたときには、気密排出手段を、流量が大きくなるよう
に制御し、逆に流動層の圧力損失が予め定める値以下の
ときには、気密排出手段を、流量が小さくなるように制
御することができる。このようにして予熱／仮焼炉ＰＣ
の流動層の圧力損失が予め定める値となるように制御さ
れるので、予熱／仮焼炉ＰＣ内の排ガス温度が、コーチ
ングが発生する温度、たとえば６００〜８００℃程度に
操業中に上昇することが防がれる。
は、単独または複数段の流動層の分散板上に粉粒状原料
を投入して予熱および／または仮焼する流動層形予熱／
仮焼炉ＰＣと、バーナを備え、予熱および／または仮焼
された原料を焼成する流動層形焼成炉ＫＦと、焼成炉Ｋ
Ｆで焼成された焼成物を空気によって冷却する冷却装置
ＦＢＱとを備える粉粒状原料の焼成装置において、焼成
炉ＫＦの排ガスは微粉焼成物を捕集するサイクロンＣ０
を経て、前記流動層形予熱／仮焼炉ＰＣに導入され、予
熱／仮焼炉ＰＣにおける流動層の圧力損失を検出する圧
力損失検出手段と、予熱／仮焼炉ＰＣから予熱および／
または仮焼された原料を排出し、前記焼成炉ＫＦに気密
に排出する気密排出手段と、圧力損失検出手段の出力に
応答し、圧力損失検出手段によって検出される圧力損失
が予め定める値になるように、気密排出手段による原料
の流量を制御する制御手段とを含むことを特徴とする粉
粒状原料の焼成装置である。本発明に従えば、予熱／仮
焼炉ＰＣには、焼成炉ＫＦからサイクロンＣ０によって
微粉焼成物が除去された排ガスが導かれ、この排ガスに
よって予熱／仮焼炉ＰＣ内には流動層が形成され、排ガ
スと微粒状原料とが交流接触して、微粒状原料が加熱さ
れて、予熱されまたは仮焼されもしくは予熱された後に
仮焼される。このような予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧
力損失が圧力損失検出手段によって検出され、この圧力
損失検出手段によって検出される圧力損失が予め定める
値になるように、気密排出手段を介して排出される原料
の流量が制御手段によって制御される。この気密排出手
段を介して、予熱／仮焼炉ＰＣから予熱および／または
仮焼された原料が焼成炉ＫＦに投入され、焼成される。
この焼成炉ＫＦで焼成された焼成物は、冷却装置ＦＢＱ
に導かれ、空気によって冷却される。前述のようにし
て、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれる排ガス
は、サイクロンＣ０によって微粉焼成物が除去されてい
るので、予熱／仮焼炉ＰＣ内で微粉焼成物が付着するこ
とがなく、コーチングが発生しない。また気密排出手段
は、予熱／仮焼炉の圧力損失に基づいて流量が制御され
るので、たとえば流動層の圧力損失が予め定める値を超
えたときには、気密排出手段を、流量が大きくなるよう
に制御し、逆に流動層の圧力損失が予め定める値以下の
ときには、気密排出手段を、流量が小さくなるように制
御することができる。このようにして予熱／仮焼炉ＰＣ
の流動層の圧力損失が予め定める値となるように制御さ
れるので、予熱／仮焼炉ＰＣ内の排ガス温度が、コーチ
ングが発生する温度、たとえば６００〜８００℃程度に
操業中に上昇することが防がれる。
【００１３】請求項２記載の本発明は、粉粒状原料を分
散板上に投入して予熱および／または仮焼する流動層形
予熱および／または仮焼炉ＰＣと、バーナを備え、予熱
および／または仮焼された原料を焼成する流動層形焼成
炉ＫＦと、焼成炉ＫＦからの焼成物を空気によって冷却
する冷却装置ＦＢＱと、予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱お
よび／または仮焼された原料を分岐して、その原料の分
岐した一部分を焼成炉ＫＦに導く分岐手段と、予熱／仮
焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された原料の分
岐手段によって分岐された残余が投入され、この投入さ
れた原料によって、冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが
加熱され、この加熱されたガスを焼成炉ＫＦに導き、原
料を予熱／仮焼炉ＰＣに戻す流動層形熱交換器ＨＲとを
含むことを特徴とする粉粒状原料の焼成装置である。本
発明に従えば、焼成炉ＫＦには、流動層形熱交換器ＨＲ
からのガスが導かれ、このガスによって前記焼成炉ＫＦ
に備えられるバーナが燃焼し、分岐手段によって流動層
形予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の一部分が導かれ、この
原料は流動化されながら焼成される。熱交換器ＨＲに
は、前記分岐手段によって予熱／仮焼炉ＰＣからの原料
の残余の部分が投入されるとともに、冷却装置ＦＢＱか
らガスが導かれ、このガスと原料とが熱交換し、この熱
交換によって原料から熱回収して昇温したガスは、上記
のように焼成炉ＫＦに導かれる。このようにして焼成炉
ＫＦには熱交換器ＨＲからの温度の高いガスが供給され
るので、バーナの熱負荷が低減され、燃焼量を節約する
ことができる。前記予熱／仮焼炉ＰＣには、前記焼成炉
ＫＦからガスが導かれ、分散板上に投入された原料を流
動化して予熱しまたは仮焼しもしくは予熱した後に仮焼
する。このような予熱／仮焼炉ＰＣ内の原料は、再炭酸
化されて付着力が高くなっても、分散板上で流動化され
ているため、炉壁などに付着するおそれはなく、コーチ
ングを生じない。このようにしてコーチングの発生を防
ぎ、熱回収効率を向上して、粉粒状原料を焼成すること
ができる。
散板上に投入して予熱および／または仮焼する流動層形
予熱および／または仮焼炉ＰＣと、バーナを備え、予熱
および／または仮焼された原料を焼成する流動層形焼成
炉ＫＦと、焼成炉ＫＦからの焼成物を空気によって冷却
する冷却装置ＦＢＱと、予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱お
よび／または仮焼された原料を分岐して、その原料の分
岐した一部分を焼成炉ＫＦに導く分岐手段と、予熱／仮
焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された原料の分
岐手段によって分岐された残余が投入され、この投入さ
れた原料によって、冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが
加熱され、この加熱されたガスを焼成炉ＫＦに導き、原
料を予熱／仮焼炉ＰＣに戻す流動層形熱交換器ＨＲとを
含むことを特徴とする粉粒状原料の焼成装置である。本
発明に従えば、焼成炉ＫＦには、流動層形熱交換器ＨＲ
からのガスが導かれ、このガスによって前記焼成炉ＫＦ
に備えられるバーナが燃焼し、分岐手段によって流動層
形予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の一部分が導かれ、この
原料は流動化されながら焼成される。熱交換器ＨＲに
は、前記分岐手段によって予熱／仮焼炉ＰＣからの原料
の残余の部分が投入されるとともに、冷却装置ＦＢＱか
らガスが導かれ、このガスと原料とが熱交換し、この熱
交換によって原料から熱回収して昇温したガスは、上記
のように焼成炉ＫＦに導かれる。このようにして焼成炉
ＫＦには熱交換器ＨＲからの温度の高いガスが供給され
るので、バーナの熱負荷が低減され、燃焼量を節約する
ことができる。前記予熱／仮焼炉ＰＣには、前記焼成炉
ＫＦからガスが導かれ、分散板上に投入された原料を流
動化して予熱しまたは仮焼しもしくは予熱した後に仮焼
する。このような予熱／仮焼炉ＰＣ内の原料は、再炭酸
化されて付着力が高くなっても、分散板上で流動化され
ているため、炉壁などに付着するおそれはなく、コーチ
ングを生じない。このようにしてコーチングの発生を防
ぎ、熱回収効率を向上して、粉粒状原料を焼成すること
ができる。
【００１４】請求項３記載の本発明は、請求項２記載の
発明の構成に加えて、予熱／仮焼炉ＰＣにおける流動層
の圧力損失を検出する第１圧力損失検出手段と、分岐手
段から原料を焼成炉ＫＦに気密に排出する第１気密排出
手段と、第１圧力損失検出手段の出力に応答し、第１圧
力損失検出手段によって検出される圧力損失が予め定め
る値になるように、第１気密排出手段による原料の流量
を制御する第１制御手段と、熱交換器ＨＲにおける流動
層の圧力損失を検出する第２圧力損失検出手段と、熱交
換器ＨＲから原料を予熱／仮焼炉ＰＣに気密に排出する
第２気密排出手段と、第２圧力損失検出手段の出力に応
答し、第２圧力損失検出手段によって検出される圧力損
失が予め定める値になるように、第２気密排出手段によ
る原料の流量を制御する第２制御手段とを含むことを特
徴とする。本発明に従えば、予熱／仮焼炉ＰＣにおける
流動層による圧力損失は第１圧力損失検出手段によって
検出し、また熱交換器ＨＲにおける流動層による圧力損
失が第２圧力損失検出手段によって検出される。第１制
御手段は、第１圧力損失検出手段による圧力損失が予め
定める値になるように、第１気密排出手段による原料の
流量を制御し、また第２制御手段は、第２圧力損失検出
手段による圧力損失が予め定める値になるように、第２
気密排出手段による原料の流量を制御する。前記第１気
密排出手段による原料の流量は、たとえば投入量に等し
くなるように選ばれ、このような投入量に等しい第１気
密排出手段からの原料の流量となるように、第１制御手
段による制御量が設定される。また第２気密排出手段に
よる原料の流量は、熱交換器および予熱／仮焼炉ＰＣ間
の原料の循環量が一定となるように定められる。これに
よって熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガスの温
度が一定に保たれ、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに
導かれるガスの温度を安定させ、原料の投入量の変化に
追従して、予熱／仮焼炉ＰＣにおける原料の予熱温度ま
たは仮焼温度を一定に保つことができる。
発明の構成に加えて、予熱／仮焼炉ＰＣにおける流動層
の圧力損失を検出する第１圧力損失検出手段と、分岐手
段から原料を焼成炉ＫＦに気密に排出する第１気密排出
手段と、第１圧力損失検出手段の出力に応答し、第１圧
力損失検出手段によって検出される圧力損失が予め定め
る値になるように、第１気密排出手段による原料の流量
を制御する第１制御手段と、熱交換器ＨＲにおける流動
層の圧力損失を検出する第２圧力損失検出手段と、熱交
換器ＨＲから原料を予熱／仮焼炉ＰＣに気密に排出する
第２気密排出手段と、第２圧力損失検出手段の出力に応
答し、第２圧力損失検出手段によって検出される圧力損
失が予め定める値になるように、第２気密排出手段によ
る原料の流量を制御する第２制御手段とを含むことを特
徴とする。本発明に従えば、予熱／仮焼炉ＰＣにおける
流動層による圧力損失は第１圧力損失検出手段によって
検出し、また熱交換器ＨＲにおける流動層による圧力損
失が第２圧力損失検出手段によって検出される。第１制
御手段は、第１圧力損失検出手段による圧力損失が予め
定める値になるように、第１気密排出手段による原料の
流量を制御し、また第２制御手段は、第２圧力損失検出
手段による圧力損失が予め定める値になるように、第２
気密排出手段による原料の流量を制御する。前記第１気
密排出手段による原料の流量は、たとえば投入量に等し
くなるように選ばれ、このような投入量に等しい第１気
密排出手段からの原料の流量となるように、第１制御手
段による制御量が設定される。また第２気密排出手段に
よる原料の流量は、熱交換器および予熱／仮焼炉ＰＣ間
の原料の循環量が一定となるように定められる。これに
よって熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガスの温
度が一定に保たれ、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに
導かれるガスの温度を安定させ、原料の投入量の変化に
追従して、予熱／仮焼炉ＰＣにおける原料の予熱温度ま
たは仮焼温度を一定に保つことができる。
【００１５】請求項４記載の本発明は、請求項２記載の
発明の構成に加えて、熱交換器ＨＲからの原料を、気密
排出手段および気流輸送手段をこの順序で介して予熱／
仮焼炉ＰＣに戻し、気流輸送手段は、焼成炉ＫＦから予
熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの一部分を分岐して用
い、原料を浮遊して輸送することを特徴とする。本発明
に従えば、流動層形熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予
熱／仮焼炉ＰＣからの原料によって冷却装置ＦＢＱから
導かれるガスが加熱され、この加熱によって温度が低下
した原料は、気密排出手段および気流輸送手段を介して
前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記気密排出手段に
よって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけ
が導かれ、ガスを遮断することができる。こうして熱交
換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環さ
せ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いることがで
きる。前記気流輸送手段は気密排出手段によって導かれ
た原料をガスによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼
炉ＰＣに供給する。このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／
仮焼炉ＰＣに導かれるガスの一部分を分岐して用いら
れ、これによって気流輸送中に原料が加熱され、予熱／
仮焼炉ＰＣの炉内の温度低下が防がれ、熱交換器ＨＲで
熱回収がさらに増加する。
発明の構成に加えて、熱交換器ＨＲからの原料を、気密
排出手段および気流輸送手段をこの順序で介して予熱／
仮焼炉ＰＣに戻し、気流輸送手段は、焼成炉ＫＦから予
熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの一部分を分岐して用
い、原料を浮遊して輸送することを特徴とする。本発明
に従えば、流動層形熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予
熱／仮焼炉ＰＣからの原料によって冷却装置ＦＢＱから
導かれるガスが加熱され、この加熱によって温度が低下
した原料は、気密排出手段および気流輸送手段を介して
前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記気密排出手段に
よって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけ
が導かれ、ガスを遮断することができる。こうして熱交
換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環さ
せ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いることがで
きる。前記気流輸送手段は気密排出手段によって導かれ
た原料をガスによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼
炉ＰＣに供給する。このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／
仮焼炉ＰＣに導かれるガスの一部分を分岐して用いら
れ、これによって気流輸送中に原料が加熱され、予熱／
仮焼炉ＰＣの炉内の温度低下が防がれ、熱交換器ＨＲで
熱回収がさらに増加する。
【００１６】請求項５記載の本発明は、請求項２記載の
発明の構成に加えて、熱交換器ＨＲからの原料を、気密
排出手段および気流輸送手段をこの順序で介して予熱／
仮焼炉ＰＣに戻し、気流輸送手段は、冷却装置ＦＢＱか
ら熱交換器ＨＲに導かれるガスの一部分を分岐して用
い、原料を浮遊して輸送することを特徴とする。本発明
に従えば、流動層形熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予
熱／仮焼炉ＰＣからの原料によって冷却装置ＦＢＱから
導かれるガスが加熱され、この加熱によって温度が低下
した原料は、気密排出手段および気流輸送手段を介して
前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記気密排出手段に
よって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけ
が導かれ、ガスを遮断することができる。こうして熱交
換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環さ
せ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いることがで
きる。前記気流輸送手段は気密排出手段によって導かれ
た原料をガスによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼
炉ＰＣに供給する。このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱
交換器ＨＲに導かれるガスの一部分を分岐して用いら
れ、これによって気流輸送中に原料が冷却されるので、
予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度が低下し、排ガス温度も
低下する。
発明の構成に加えて、熱交換器ＨＲからの原料を、気密
排出手段および気流輸送手段をこの順序で介して予熱／
仮焼炉ＰＣに戻し、気流輸送手段は、冷却装置ＦＢＱか
ら熱交換器ＨＲに導かれるガスの一部分を分岐して用
い、原料を浮遊して輸送することを特徴とする。本発明
に従えば、流動層形熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予
熱／仮焼炉ＰＣからの原料によって冷却装置ＦＢＱから
導かれるガスが加熱され、この加熱によって温度が低下
した原料は、気密排出手段および気流輸送手段を介して
前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記気密排出手段に
よって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけ
が導かれ、ガスを遮断することができる。こうして熱交
換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環さ
せ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いることがで
きる。前記気流輸送手段は気密排出手段によって導かれ
た原料をガスによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼
炉ＰＣに供給する。このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱
交換器ＨＲに導かれるガスの一部分を分岐して用いら
れ、これによって気流輸送中に原料が冷却されるので、
予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度が低下し、排ガス温度も
低下する。
【００１７】請求項６記載の本発明は、請求項３記載の
発明の構成に加えて、第２気密排出手段と予熱／仮焼炉
ＰＣとの間に原料の気流輸送手段を介在し、気流輸送手
段は、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガス
の一部分を分岐して用い、原料を浮遊して輸送すること
を特徴とする。本発明に従えば、流動層形熱交換器ＨＲ
において、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によっ
て冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加
熱によって温度が低下した原料は、気密排出手段および
気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻され
る。前記気密排出手段によって、熱交換器ＨＲから予熱
／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮断すること
ができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣと
の間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒
体として用いることができる。前記気流輸送手段は気密
排出手段によって導かれた原料をガスによって浮遊して
輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。このガス
は、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの
一部分を分岐して用いられ、これによって気流輸送中に
原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度低下が
防がれ、熱交換器ＨＲでの熱回収がさらに増加する。
発明の構成に加えて、第２気密排出手段と予熱／仮焼炉
ＰＣとの間に原料の気流輸送手段を介在し、気流輸送手
段は、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガス
の一部分を分岐して用い、原料を浮遊して輸送すること
を特徴とする。本発明に従えば、流動層形熱交換器ＨＲ
において、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によっ
て冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加
熱によって温度が低下した原料は、気密排出手段および
気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻され
る。前記気密排出手段によって、熱交換器ＨＲから予熱
／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮断すること
ができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣと
の間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒
体として用いることができる。前記気流輸送手段は気密
排出手段によって導かれた原料をガスによって浮遊して
輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。このガス
は、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの
一部分を分岐して用いられ、これによって気流輸送中に
原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度低下が
防がれ、熱交換器ＨＲでの熱回収がさらに増加する。
【００１８】請求項７記載の本発明は、請求項３記載の
発明に加えて、第２気密排出手段と予熱／仮焼炉ＰＣと
の間に原料の気流輸送手段を介在し、気流輸送手段は、
冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれるガスの一部
分を分岐して用い、原料を浮遊して輸送することを特徴
とする。本発明に従えば、流動層形熱交換器ＨＲにおい
て、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によって冷却
装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加熱によ
って温度が低下した原料は、気密排出手段および気流輸
送手段を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記
気密排出手段によって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉
ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮断することができ
る。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で
原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体とし
て用いることができる。前記気流輸送手段は気密排出手
段によって導かれた原料をガスによって浮遊して輸送
し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。このガスは、冷
却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれるガスの一部分
を分岐して用いられ、これによって気流輸送中に原料が
冷却されるので、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度が低下
し、排ガス温度も低下する。
発明に加えて、第２気密排出手段と予熱／仮焼炉ＰＣと
の間に原料の気流輸送手段を介在し、気流輸送手段は、
冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれるガスの一部
分を分岐して用い、原料を浮遊して輸送することを特徴
とする。本発明に従えば、流動層形熱交換器ＨＲにおい
て、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によって冷却
装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加熱によ
って温度が低下した原料は、気密排出手段および気流輸
送手段を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記
気密排出手段によって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉
ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮断することができ
る。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で
原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体とし
て用いることができる。前記気流輸送手段は気密排出手
段によって導かれた原料をガスによって浮遊して輸送
し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。このガスは、冷
却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれるガスの一部分
を分岐して用いられ、これによって気流輸送中に原料が
冷却されるので、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度が低下
し、排ガス温度も低下する。
【００１９】請求項８記載の本発明は、請求項２〜７の
いずれかに記載の発明の構成に加えて、焼成炉ＫＦから
のガスを予熱／仮焼炉ＰＣに導くガス経路に、微粉を捕
集する捕集装置Ｃ０を介在し、その捕集した微粉を冷却
装置ＦＢＱに供給することを特徴とする。本発明に従え
ば、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスを
捕集装置Ｃ０に導いてそのガス中に含まれる微粉が捕集
されるので、予熱／仮焼炉ＰＣ内の炉壁および分散板な
どにコーチングが発生することをより確実に防ぐことが
できる。またこの捕集装置Ｃ０で捕集した微粉は冷却装
置ＦＢＱに供給されるので、原料が無駄にならず、経済
的である。また、微粉製品の顕熱も回収することがで
き、さらに熱消費の低減が図られる。
いずれかに記載の発明の構成に加えて、焼成炉ＫＦから
のガスを予熱／仮焼炉ＰＣに導くガス経路に、微粉を捕
集する捕集装置Ｃ０を介在し、その捕集した微粉を冷却
装置ＦＢＱに供給することを特徴とする。本発明に従え
ば、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスを
捕集装置Ｃ０に導いてそのガス中に含まれる微粉が捕集
されるので、予熱／仮焼炉ＰＣ内の炉壁および分散板な
どにコーチングが発生することをより確実に防ぐことが
できる。またこの捕集装置Ｃ０で捕集した微粉は冷却装
置ＦＢＱに供給されるので、原料が無駄にならず、経済
的である。また、微粉製品の顕熱も回収することがで
き、さらに熱消費の低減が図られる。
【００２０】請求項９記載の本発明は、請求項２〜８の
いずれかに記載の発明の構成に加えて、分岐手段は、焼
成炉ＫＦと熱交換器ＨＲとに、予熱／仮焼炉ＰＣからの
原料を分岐する各流路の流量比を可変とすることを特徴
とする。本発明に従えば、分岐手段によって予熱／仮焼
炉ＰＣから焼成炉ＫＦに導かれる原料の流量と、前記予
熱／仮焼炉ＰＣから熱交換器ＨＲに導かれる原料の流量
との比が可変であるので、予熱／仮焼炉ＰＣおよび熱交
換器ＨＲ間の原料の循環量を一定に維持して、熱交換器
ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガスの温度を一定に保
ち、かつ予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉ＫＦに導かれる原
料の流量を投入量と等しくして、コーチングを発生させ
ずに連続運転が可能となり、焼成物を安定して生成する
ことができる。
いずれかに記載の発明の構成に加えて、分岐手段は、焼
成炉ＫＦと熱交換器ＨＲとに、予熱／仮焼炉ＰＣからの
原料を分岐する各流路の流量比を可変とすることを特徴
とする。本発明に従えば、分岐手段によって予熱／仮焼
炉ＰＣから焼成炉ＫＦに導かれる原料の流量と、前記予
熱／仮焼炉ＰＣから熱交換器ＨＲに導かれる原料の流量
との比が可変であるので、予熱／仮焼炉ＰＣおよび熱交
換器ＨＲ間の原料の循環量を一定に維持して、熱交換器
ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガスの温度を一定に保
ち、かつ予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉ＫＦに導かれる原
料の流量を投入量と等しくして、コーチングを発生させ
ずに連続運転が可能となり、焼成物を安定して生成する
ことができる。
【００２１】請求項１０記載の本発明は、請求項３記載
の発明の構成に加えて、分岐手段から原料を熱交換器Ｈ
Ｒに気密に排出する第３気密排出手段が設けられ、この
第３気密排出手段は、ハウジング内で羽根車を駆動手段
によって回転し、分岐手段と流動層形熱交換器ＨＲとを
気密にするロータリフィーダであることを特徴とする。
本発明に従えば、分岐手段と熱交換器ＨＲとの間にロー
タリフィーダによって実現される第３気密排出手段が介
在されるので、予熱／仮焼炉ＰＣから原料だけを熱交換
器ＨＲに導き、ガスの流入を遮断することができる。こ
れによって前記分岐手段が予熱／仮焼炉ＰＣからの原料
を熱交換器ＨＲに導くたびに予熱／仮焼炉ＰＣ内で原料
を流動化するためのガス圧力が低減してしまうという不
具合が防がれ、予熱／仮焼炉ＰＣ内で希望する層厚また
は圧力損失で原料を流動化して、投入された原料を安定
して予熱し、あるいは仮焼することができる。
の発明の構成に加えて、分岐手段から原料を熱交換器Ｈ
Ｒに気密に排出する第３気密排出手段が設けられ、この
第３気密排出手段は、ハウジング内で羽根車を駆動手段
によって回転し、分岐手段と流動層形熱交換器ＨＲとを
気密にするロータリフィーダであることを特徴とする。
本発明に従えば、分岐手段と熱交換器ＨＲとの間にロー
タリフィーダによって実現される第３気密排出手段が介
在されるので、予熱／仮焼炉ＰＣから原料だけを熱交換
器ＨＲに導き、ガスの流入を遮断することができる。こ
れによって前記分岐手段が予熱／仮焼炉ＰＣからの原料
を熱交換器ＨＲに導くたびに予熱／仮焼炉ＰＣ内で原料
を流動化するためのガス圧力が低減してしまうという不
具合が防がれ、予熱／仮焼炉ＰＣ内で希望する層厚また
は圧力損失で原料を流動化して、投入された原料を安定
して予熱し、あるいは仮焼することができる。
【００２２】請求項１１記載の本発明は、粉粒状原料の
焼成装置を準備し、この焼成装置は、原料を分散板上に
投入して予熱および／または仮焼する流動層形予熱／仮
焼炉ＰＣと、バーナを備え、予熱および／または仮焼さ
れた原料を焼成する流動層形焼成炉ＫＦと、焼成炉ＫＦ
からの原料を空気によって冷却する冷却装置ＦＢＱと、
予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された
原料を分岐して、その原料の分岐した一部分を焼成炉Ｋ
Ｆに導く分岐手段と、予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱およ
び／または仮焼された原料の分岐手段によって分岐され
た残余が投入され、この投入された原料によって、冷却
装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加熱され
たガスを焼成炉ＫＦに導き、原料を予熱／仮焼炉ＰＣに
戻す流動層形熱交換器ＨＲと、予熱／仮焼炉ＰＣにおけ
る流動層の圧力損失を検出する第１圧力損失検出手段
と、分岐手段から原料を焼成炉ＫＦに気密に排出する第
１気密排出手段と、第１圧力損失検出手段の出力に応答
し、第１圧力損失検出手段によって検出される圧力損失
が予め定める値になるように、第１気密排出手段による
原料の流量を制御する第１制御手段と、熱交換器ＨＲに
おける流動層の圧力損失を検出する第２圧力損失検出手
段と、熱交換器ＨＲから原料を予熱／仮焼炉ＰＣに気密
に排出する第２気密排出手段と、第２圧力損失検出手段
の出力に応答し、第２圧力損失検出手段によって検出さ
れる圧力損失が予め定める値になるように、第２気密排
出手段による原料の流量を制御する第２制御手段と、分
岐手段と熱交換器ＨＲとの間に介在される第３気密排出
手段とを含み、先ず、予熱／仮焼炉ＰＣから原料を投入
してゆき、予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を、分岐手段に
よって、熱交換器側ＨＲに比べて焼成炉ＫＦに大きい流
量で供給し、第１圧力損失検出手段によって検出される
圧力損失が予め定める値になるように、第１気密排出手
段による原料の流量を制御し、次に、分岐手段によって
熱交換器ＨＲ側に供給する原料の流量の割合を大きくし
て予め定める分岐比率にまでもたらし、第１および第２
圧力損失検出手段によって検出される圧力損失が、予め
定める値になった後、第３気密排出手段による原料の流
量を予め定める値に制御することを特徴とする粉粒状原
料の焼成装置の運転方法である。本発明に従えば、予熱
／仮焼炉ＰＣには焼成炉ＫＦから高温のガスが導かれ、
このガスによって分散板上に投入された粉粒状原料が流
動化されながら予熱され、または仮焼され、もしくは予
熱された後に仮焼される。予熱／仮焼炉ＰＣで予熱およ
び／または仮焼された原料は焼成炉ＫＦに導かれ、バー
ナの燃焼による高温ガスによって焼成されて、冷却装置
ＦＢＱに導かれる。この冷却装置ＦＢＱでは、前記焼成
炉ＫＦから導かれた製品を空気によって冷却し、この製
品から熱回収した高温の空気は熱交換器ＨＲに導かれ
る。このような熱交換器ＨＲには、前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃから予熱され、またはさらに仮焼された原料が導か
れ、前記冷却装置ＦＢＱから導かれたガスと熱交換して
前記ガスが昇温され、この昇温されたガスは焼成炉ＫＦ
に導かれて前記バーナの燃焼用空気として用いられると
ともに、原料を流動化するためのガスとして用いられ
る。このようにして焼成炉ＫＦには熱交換器ＨＲから高
温ガスが供給されるので、前記バーナの熱負荷が軽減さ
れ、バーナの燃焼量を節約して、熱効率を向上すること
ができる。前記予熱／仮焼炉ＰＣと熱交換器ＨＲとの間
には、分岐手段が設けられる。この分岐手段は、予熱／
仮焼炉ＰＣからの原料の一部分を分岐して焼成炉ＫＦに
導き、前記予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の残部を前記熱
交換器ＨＲに導き、この原料の残部は前述したように熱
交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いられ、冷却装置Ｆ
ＢＱからのガスを加熱する。前記分岐手段によって焼成
炉ＫＦに導かれる原料の一部分は、たとえば原料の投入
量に等しくなるようにその流量が設定され、前記予熱／
仮焼炉ＰＣ、焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲのいずれか
１箇所であるいは複数箇所で原料が滞留してしまうこと
を防ぎ、焼成物の生成量の変動、および熱回収効率の低
下が防がれる。前記予熱／仮焼炉炉ＰＣの流動層の圧力
損失は、第１圧力損失検出手段によって検出され、熱交
換器ＨＲにおける流動層の圧力損失は第２圧力損失検出
手段によって検出される。また分岐手段によって分岐さ
れた原料の一部分は、第１気密排出手段によって焼成炉
ＫＦに気密に排出され、この第１気密排出手段は前記第
１圧力損失検出手段による圧力損失が予め定める値にな
るように第１気密排出手段による原料の流量が第１制御
手段によって制御される。さらに熱交換器ＨＲからの原
料は、第２気密排出手段によって予熱／仮焼炉ＰＣに気
密に排出される。この第２気密排出手段は、前記第２圧
力損失検出手段による圧力損失が予め定める値となるよ
うに第２気密排出手段による原料の流量が第２制御手段
によって制御される。前記分岐手段と熱交換器ＨＲとの
間には第３気密排出手段が介在される。運転を開始する
にあたっては、まず前記予熱／仮焼炉ＰＣに原料を投入
し、この予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を分岐手段によっ
て焼成炉ＫＦに導く。このとき、焼成炉ＫＦに導かれる
原料の流量は、熱交換器ＨＲ側に比べて大きくなるよう
に設定され、第１制御手段によって第１気密排出手段に
よる原料の流量が、第１圧力損失検出手段によって検出
される圧力損失が前記予め定める値になるように制御す
る。このようにして第１圧力損失検出手段による予熱／
仮焼炉ＰＣの流動層の圧力損失が予め定める値に達した
ときには、前記分岐手段によって熱交換器ＨＲ側に供給
する原料の流量の割合を前記焼成炉ＫＦ側に供給する原
料の流量よりも大きくして、予め定める分岐比率に達す
る。熱交換器ＨＲ側への割合を大きくし、第１および第
２圧力損失検出手段による圧力損失がともに予め定める
値になった後、前記第３気密排出手段による原料の流量
の制御を開始し、この第３気密排出手段による原料の流
量が予め定める値になるように排出量を調整し、このよ
うにしてコーチングを生じることなしに焼成物の生成量
を一定に保ち、原料とガスとの熱回収率を向上して、安
定した操業を行うことが可能となる。
焼成装置を準備し、この焼成装置は、原料を分散板上に
投入して予熱および／または仮焼する流動層形予熱／仮
焼炉ＰＣと、バーナを備え、予熱および／または仮焼さ
れた原料を焼成する流動層形焼成炉ＫＦと、焼成炉ＫＦ
からの原料を空気によって冷却する冷却装置ＦＢＱと、
予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された
原料を分岐して、その原料の分岐した一部分を焼成炉Ｋ
Ｆに導く分岐手段と、予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱およ
び／または仮焼された原料の分岐手段によって分岐され
た残余が投入され、この投入された原料によって、冷却
装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加熱され
たガスを焼成炉ＫＦに導き、原料を予熱／仮焼炉ＰＣに
戻す流動層形熱交換器ＨＲと、予熱／仮焼炉ＰＣにおけ
る流動層の圧力損失を検出する第１圧力損失検出手段
と、分岐手段から原料を焼成炉ＫＦに気密に排出する第
１気密排出手段と、第１圧力損失検出手段の出力に応答
し、第１圧力損失検出手段によって検出される圧力損失
が予め定める値になるように、第１気密排出手段による
原料の流量を制御する第１制御手段と、熱交換器ＨＲに
おける流動層の圧力損失を検出する第２圧力損失検出手
段と、熱交換器ＨＲから原料を予熱／仮焼炉ＰＣに気密
に排出する第２気密排出手段と、第２圧力損失検出手段
の出力に応答し、第２圧力損失検出手段によって検出さ
れる圧力損失が予め定める値になるように、第２気密排
出手段による原料の流量を制御する第２制御手段と、分
岐手段と熱交換器ＨＲとの間に介在される第３気密排出
手段とを含み、先ず、予熱／仮焼炉ＰＣから原料を投入
してゆき、予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を、分岐手段に
よって、熱交換器側ＨＲに比べて焼成炉ＫＦに大きい流
量で供給し、第１圧力損失検出手段によって検出される
圧力損失が予め定める値になるように、第１気密排出手
段による原料の流量を制御し、次に、分岐手段によって
熱交換器ＨＲ側に供給する原料の流量の割合を大きくし
て予め定める分岐比率にまでもたらし、第１および第２
圧力損失検出手段によって検出される圧力損失が、予め
定める値になった後、第３気密排出手段による原料の流
量を予め定める値に制御することを特徴とする粉粒状原
料の焼成装置の運転方法である。本発明に従えば、予熱
／仮焼炉ＰＣには焼成炉ＫＦから高温のガスが導かれ、
このガスによって分散板上に投入された粉粒状原料が流
動化されながら予熱され、または仮焼され、もしくは予
熱された後に仮焼される。予熱／仮焼炉ＰＣで予熱およ
び／または仮焼された原料は焼成炉ＫＦに導かれ、バー
ナの燃焼による高温ガスによって焼成されて、冷却装置
ＦＢＱに導かれる。この冷却装置ＦＢＱでは、前記焼成
炉ＫＦから導かれた製品を空気によって冷却し、この製
品から熱回収した高温の空気は熱交換器ＨＲに導かれ
る。このような熱交換器ＨＲには、前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃから予熱され、またはさらに仮焼された原料が導か
れ、前記冷却装置ＦＢＱから導かれたガスと熱交換して
前記ガスが昇温され、この昇温されたガスは焼成炉ＫＦ
に導かれて前記バーナの燃焼用空気として用いられると
ともに、原料を流動化するためのガスとして用いられ
る。このようにして焼成炉ＫＦには熱交換器ＨＲから高
温ガスが供給されるので、前記バーナの熱負荷が軽減さ
れ、バーナの燃焼量を節約して、熱効率を向上すること
ができる。前記予熱／仮焼炉ＰＣと熱交換器ＨＲとの間
には、分岐手段が設けられる。この分岐手段は、予熱／
仮焼炉ＰＣからの原料の一部分を分岐して焼成炉ＫＦに
導き、前記予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の残部を前記熱
交換器ＨＲに導き、この原料の残部は前述したように熱
交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いられ、冷却装置Ｆ
ＢＱからのガスを加熱する。前記分岐手段によって焼成
炉ＫＦに導かれる原料の一部分は、たとえば原料の投入
量に等しくなるようにその流量が設定され、前記予熱／
仮焼炉ＰＣ、焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲのいずれか
１箇所であるいは複数箇所で原料が滞留してしまうこと
を防ぎ、焼成物の生成量の変動、および熱回収効率の低
下が防がれる。前記予熱／仮焼炉炉ＰＣの流動層の圧力
損失は、第１圧力損失検出手段によって検出され、熱交
換器ＨＲにおける流動層の圧力損失は第２圧力損失検出
手段によって検出される。また分岐手段によって分岐さ
れた原料の一部分は、第１気密排出手段によって焼成炉
ＫＦに気密に排出され、この第１気密排出手段は前記第
１圧力損失検出手段による圧力損失が予め定める値にな
るように第１気密排出手段による原料の流量が第１制御
手段によって制御される。さらに熱交換器ＨＲからの原
料は、第２気密排出手段によって予熱／仮焼炉ＰＣに気
密に排出される。この第２気密排出手段は、前記第２圧
力損失検出手段による圧力損失が予め定める値となるよ
うに第２気密排出手段による原料の流量が第２制御手段
によって制御される。前記分岐手段と熱交換器ＨＲとの
間には第３気密排出手段が介在される。運転を開始する
にあたっては、まず前記予熱／仮焼炉ＰＣに原料を投入
し、この予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を分岐手段によっ
て焼成炉ＫＦに導く。このとき、焼成炉ＫＦに導かれる
原料の流量は、熱交換器ＨＲ側に比べて大きくなるよう
に設定され、第１制御手段によって第１気密排出手段に
よる原料の流量が、第１圧力損失検出手段によって検出
される圧力損失が前記予め定める値になるように制御す
る。このようにして第１圧力損失検出手段による予熱／
仮焼炉ＰＣの流動層の圧力損失が予め定める値に達した
ときには、前記分岐手段によって熱交換器ＨＲ側に供給
する原料の流量の割合を前記焼成炉ＫＦ側に供給する原
料の流量よりも大きくして、予め定める分岐比率に達す
る。熱交換器ＨＲ側への割合を大きくし、第１および第
２圧力損失検出手段による圧力損失がともに予め定める
値になった後、前記第３気密排出手段による原料の流量
の制御を開始し、この第３気密排出手段による原料の流
量が予め定める値になるように排出量を調整し、このよ
うにしてコーチングを生じることなしに焼成物の生成量
を一定に保ち、原料とガスとの熱回収率を向上して、安
定した操業を行うことが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態の
粉粒状原料の焼成装置４０を示す系統図である。焼成装
置４０は、石灰石ＣａＣＯ3またはドロマイトＣａＭｇ
（ＣＯ3）2から成る粉粒状原料を複数（本実施形態では
３）の分散板６２，６３，６４上に投入して予熱および
／または仮焼する流動層形予熱／仮焼炉ＰＣと、バーナ
４３を備え、予熱および／または仮焼すなわち予熱さ
れ、または仮焼され、もしくは予熱された後に仮焼され
た原料を分散板４４上に投入して焼成する流動層形焼成
炉ＫＦと、焼成炉ＫＦからの製品を空気によって冷却す
るいわゆる流動層クーラと呼ばれる冷却装置ＦＢＱとを
含む。
粉粒状原料の焼成装置４０を示す系統図である。焼成装
置４０は、石灰石ＣａＣＯ3またはドロマイトＣａＭｇ
（ＣＯ3）2から成る粉粒状原料を複数（本実施形態では
３）の分散板６２，６３，６４上に投入して予熱および
／または仮焼する流動層形予熱／仮焼炉ＰＣと、バーナ
４３を備え、予熱および／または仮焼すなわち予熱さ
れ、または仮焼され、もしくは予熱された後に仮焼され
た原料を分散板４４上に投入して焼成する流動層形焼成
炉ＫＦと、焼成炉ＫＦからの製品を空気によって冷却す
るいわゆる流動層クーラと呼ばれる冷却装置ＦＢＱとを
含む。
【００２４】上記焼成装置４０はさらに、予熱／仮焼炉
ＰＣにおける最下段の流動層の圧力損失ΔＰ１を検出す
る圧力損失検出手段４６と、予熱／仮焼炉ＰＣから原料
を焼成炉ＫＦに気密に排出する気密排出手段４７と、圧
力損失検出手段４６の出力に応答し、圧力損失検出手段
４６によって検出される圧力損失ΔＰ１が予め定める値
になるように、気密排出手段４７による原料の流量を制
御する制御手段４８とを含む。
ＰＣにおける最下段の流動層の圧力損失ΔＰ１を検出す
る圧力損失検出手段４６と、予熱／仮焼炉ＰＣから原料
を焼成炉ＫＦに気密に排出する気密排出手段４７と、圧
力損失検出手段４６の出力に応答し、圧力損失検出手段
４６によって検出される圧力損失ΔＰ１が予め定める値
になるように、気密排出手段４７による原料の流量を制
御する制御手段４８とを含む。
【００２５】前記予熱／仮焼炉ＰＣは、直円筒状（角形
でもよい）の円筒部５４と、円筒部５４の下端部に連な
る逆円錐台状の円錐台部５５と、円筒部５４の上端開口
部を塞ぐ上蓋部５６とを有する炉体５７と、炉体５７内
の空間を３つの予熱／仮焼室５８，５９，６０と風箱６
１とに仕切る３つの分散板６２，６３，６４とを有す
る。各分散板６２〜６４には、その厚み方向に挿通する
複数の透孔６５〜６７がそれぞれ形成され、これらの透
孔６５〜６７を下から上へ通過して噴射するガスによっ
て、各分散板６２〜６４上の原料が流動化されながらガ
スと熱交換して顕熱を回収し、約８００℃に予熱され
て、前記焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲにそれぞれ導か
れる。
でもよい）の円筒部５４と、円筒部５４の下端部に連な
る逆円錐台状の円錐台部５５と、円筒部５４の上端開口
部を塞ぐ上蓋部５６とを有する炉体５７と、炉体５７内
の空間を３つの予熱／仮焼室５８，５９，６０と風箱６
１とに仕切る３つの分散板６２，６３，６４とを有す
る。各分散板６２〜６４には、その厚み方向に挿通する
複数の透孔６５〜６７がそれぞれ形成され、これらの透
孔６５〜６７を下から上へ通過して噴射するガスによっ
て、各分散板６２〜６４上の原料が流動化されながらガ
スと熱交換して顕熱を回収し、約８００℃に予熱され
て、前記焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲにそれぞれ導か
れる。
【００２６】最下段の分散板６４上で流動層を形成する
原料は、シュート１１２、気密排出手段４７およびシュ
ート１１３を介して前記焼成炉ＫＦの上段の分散板４４
上に投入され、この分散板４４に形成される透孔１２４
を介して下から上へ噴出するガスによって流動化され
る。このような流動層へのシュート１１３からの原料の
投入位置は、流動層の界面よりも上方近傍に設けられ
る。
原料は、シュート１１２、気密排出手段４７およびシュ
ート１１３を介して前記焼成炉ＫＦの上段の分散板４４
上に投入され、この分散板４４に形成される透孔１２４
を介して下から上へ噴出するガスによって流動化され
る。このような流動層へのシュート１１３からの原料の
投入位置は、流動層の界面よりも上方近傍に設けられ
る。
【００２７】前記予熱／仮焼炉ＰＣにおいて、最上段の
分散板６２上で流動層を形成する原料は、シュート８
１、気密排出手段８２およびシュート８３によって上下
方向中段の流動層にその界面よりも上方から投入され
る。この中段の分散板６３上で流動層を形成する原料
は、シュート８４、気密排出手段８５およびシュート８
６によって最下段の分散板６４上にその流動層の界面よ
りも上方から投入される。上蓋部５６には、その中央に
大略的に逆Ｌ字状に屈曲したダクト８７が設けられる。
このダクト８７は、前記上蓋部５６の上面に垂直な鉛直
方向に立上る立上り部分８８と、立上り部分８８の上端
からほぼ直角に屈曲して水平に延びる水平部分８９とを
有し、立上り部分８８には前記粉粒状原料が投入される
原料投入シュート９０が設けられる。水平部分８９は、
最上段のサイクロンＣ１に接続され、このサイクロンＣ
１によって捕集された原料は、シュート９１、気密排出
手段９２およびシュート９３を経て、最上段の分散板６
２上にその流動層の界面よりも上方から投入される。
分散板６２上で流動層を形成する原料は、シュート８
１、気密排出手段８２およびシュート８３によって上下
方向中段の流動層にその界面よりも上方から投入され
る。この中段の分散板６３上で流動層を形成する原料
は、シュート８４、気密排出手段８５およびシュート８
６によって最下段の分散板６４上にその流動層の界面よ
りも上方から投入される。上蓋部５６には、その中央に
大略的に逆Ｌ字状に屈曲したダクト８７が設けられる。
このダクト８７は、前記上蓋部５６の上面に垂直な鉛直
方向に立上る立上り部分８８と、立上り部分８８の上端
からほぼ直角に屈曲して水平に延びる水平部分８９とを
有し、立上り部分８８には前記粉粒状原料が投入される
原料投入シュート９０が設けられる。水平部分８９は、
最上段のサイクロンＣ１に接続され、このサイクロンＣ
１によって捕集された原料は、シュート９１、気密排出
手段９２およびシュート９３を経て、最上段の分散板６
２上にその流動層の界面よりも上方から投入される。
【００２８】このような予熱／仮焼炉ＰＣには、各分散
板およびその上方の流動層を挟む上下方向両側のフリー
ボードの空間で分散板を含む流動層の圧力損失を検出す
るために、各圧力損失検出手段１０１，１０２と前述の
圧力損失検出手段４６とが設けられる。各圧力損失検出
手段１０１，１０２の出力は各制御手段１０３，１０４
にそれぞれ入力され、また前記圧力損失検出手段４６の
出力は前記制御手段４８に入力される。
板およびその上方の流動層を挟む上下方向両側のフリー
ボードの空間で分散板を含む流動層の圧力損失を検出す
るために、各圧力損失検出手段１０１，１０２と前述の
圧力損失検出手段４６とが設けられる。各圧力損失検出
手段１０１，１０２の出力は各制御手段１０３，１０４
にそれぞれ入力され、また前記圧力損失検出手段４６の
出力は前記制御手段４８に入力される。
【００２９】前記気密排出手段８２，８５は、ロータリ
フィーダ１０５，１０６と、各ロータリフィーダ１０
５，１０６をそれぞれ駆動するモータ１０７，１０８と
を有する。各モータ１０７，１０８は、制御手段１０
３，１０４からの制御信号によって制御され、各ロータ
リフィーダ１０５，１０６によって原料の流量を調整す
ることができる。また気密排出手段９２は、ロータリフ
ィーダ１０９と、このロータリフィーダ１０９を操業中
に一定の回転速度で駆動するモータ１１０とを有する。
前記制御手段４８は、圧力損失検出手段４６によって検
出された圧力損失が一定となるように前記気密排出手段
４７による流量を制御する。この気密排出手段４７は、
予熱／仮焼炉ＰＣの最下段の流動層の原料が供給される
シュート１１２と、気密排出手段４７によって前記一定
の流量で排出される原料を焼成炉ＫＦの流動層４４上に
形成される流動層の界面の上方に導くシュート１１３と
の間に介在される。
フィーダ１０５，１０６と、各ロータリフィーダ１０
５，１０６をそれぞれ駆動するモータ１０７，１０８と
を有する。各モータ１０７，１０８は、制御手段１０
３，１０４からの制御信号によって制御され、各ロータ
リフィーダ１０５，１０６によって原料の流量を調整す
ることができる。また気密排出手段９２は、ロータリフ
ィーダ１０９と、このロータリフィーダ１０９を操業中
に一定の回転速度で駆動するモータ１１０とを有する。
前記制御手段４８は、圧力損失検出手段４６によって検
出された圧力損失が一定となるように前記気密排出手段
４７による流量を制御する。この気密排出手段４７は、
予熱／仮焼炉ＰＣの最下段の流動層の原料が供給される
シュート１１２と、気密排出手段４７によって前記一定
の流量で排出される原料を焼成炉ＫＦの流動層４４上に
形成される流動層の界面の上方に導くシュート１１３と
の間に介在される。
【００３０】焼成炉ＫＦは、直円筒状（角形でもよい）
の円筒部１１７と、円筒部１１７の下端部に連なる逆円
錐台状の円錐台部１１８と、円筒部１１７の上端部を塞
ぐ上蓋部１１９とを有する。これらの円筒部１１７、円
錐台部１１８および上蓋部１１９によって、前記予熱／
仮焼炉ＰＣの炉体５７と同様なキャスタブル耐火物から
成る炉体１２０が構成される。このような炉体１２０内
の空間は、前記分散板４４によって円筒部１１７内の焼
成室１２１と、前記円錐台部１１８内の風箱１２２とに
仕切られ、この風箱１２２には冷却装置ＦＢＱからダク
ト１２３を介して、製品によって加熱された、たとえば
約３００〜４００℃のガスが導かれ、分散板４４に形成
される複数の透孔１２４を介して噴出し、原料を流動化
する。この分散板４４の透孔１２４から噴出したガスは
また、バーナ４３の燃料を燃焼するための燃焼用空気と
して用いられ、これによってバーナ４３の燃焼負荷が軽
減されて、燃料を節約することができる。
の円筒部１１７と、円筒部１１７の下端部に連なる逆円
錐台状の円錐台部１１８と、円筒部１１７の上端部を塞
ぐ上蓋部１１９とを有する。これらの円筒部１１７、円
錐台部１１８および上蓋部１１９によって、前記予熱／
仮焼炉ＰＣの炉体５７と同様なキャスタブル耐火物から
成る炉体１２０が構成される。このような炉体１２０内
の空間は、前記分散板４４によって円筒部１１７内の焼
成室１２１と、前記円錐台部１１８内の風箱１２２とに
仕切られ、この風箱１２２には冷却装置ＦＢＱからダク
ト１２３を介して、製品によって加熱された、たとえば
約３００〜４００℃のガスが導かれ、分散板４４に形成
される複数の透孔１２４を介して噴出し、原料を流動化
する。この分散板４４の透孔１２４から噴出したガスは
また、バーナ４３の燃料を燃焼するための燃焼用空気と
して用いられ、これによってバーナ４３の燃焼負荷が軽
減されて、燃料を節約することができる。
【００３１】焼成炉ＫＦの炉体１２０の上部には、ダク
ト１２５を介して捕集サイクロンＣ０が接続され、この
捕集サイクロンＣ０によって捕集された原料はシュート
１２６に導かれ、ガスはダクト１２７によって予熱／仮
焼炉ＰＣの風箱６１内へ導かれる。このようにして焼成
炉ＫＦからダクト１２５、捕集サイクロンＣ０およびダ
クト１２７を介して予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１に導か
れるガスの温度は、約１１００℃である。
ト１２５を介して捕集サイクロンＣ０が接続され、この
捕集サイクロンＣ０によって捕集された原料はシュート
１２６に導かれ、ガスはダクト１２７によって予熱／仮
焼炉ＰＣの風箱６１内へ導かれる。このようにして焼成
炉ＫＦからダクト１２５、捕集サイクロンＣ０およびダ
クト１２７を介して予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１に導か
れるガスの温度は、約１１００℃である。
【００３２】焼成炉ＫＦの分散板４４上で流動層を形成
する原料は、ダクト１２８、気密排出手段１２９および
ダクト１３０を経て冷却装置ＦＢＱに導かれる。前記焼
成炉ＫＦ内では、原料と石灰石ＣａＣＯ3の粉粒体は、 ＣａＣＯ3 →ＣａＯ＋ＣＯ2 のように脱炭酸反応して、生石灰ＣａＯと炭酸ガスＣＯ
2とが生成される。また予熱／仮焼炉ＰＣ内では、焼成
後の粉粒状原料が約６００〜８００℃のガスと接触し
て、そのガス中の炭酸ガスＣＯ2と再炭酸化反応、 Ｃ2Ｏ＋ＣＯ2 →ＣａＣＯ3 を生じて付着性が強くなるけれども、予熱／仮焼炉ＰＣ
内ではサイクロンのように原料の粉粒体に遠心力が作用
しないため、原料が炉壁の内面に付着して成長するコー
チングが発生しない。そのため予熱／仮焼炉ＰＣによっ
て原料を高温のガスと接触させて連続して安定に予熱お
よび／または仮焼することができる。
する原料は、ダクト１２８、気密排出手段１２９および
ダクト１３０を経て冷却装置ＦＢＱに導かれる。前記焼
成炉ＫＦ内では、原料と石灰石ＣａＣＯ3の粉粒体は、 ＣａＣＯ3 →ＣａＯ＋ＣＯ2 のように脱炭酸反応して、生石灰ＣａＯと炭酸ガスＣＯ
2とが生成される。また予熱／仮焼炉ＰＣ内では、焼成
後の粉粒状原料が約６００〜８００℃のガスと接触し
て、そのガス中の炭酸ガスＣＯ2と再炭酸化反応、 Ｃ2Ｏ＋ＣＯ2 →ＣａＣＯ3 を生じて付着性が強くなるけれども、予熱／仮焼炉ＰＣ
内ではサイクロンのように原料の粉粒体に遠心力が作用
しないため、原料が炉壁の内面に付着して成長するコー
チングが発生しない。そのため予熱／仮焼炉ＰＣによっ
て原料を高温のガスと接触させて連続して安定に予熱お
よび／または仮焼することができる。
【００３３】前記焼成炉ＫＦにおいて、風箱１２２から
分散板４４の透孔１２４を介して焼成室１２１側へ噴出
するガスの圧力損失は、風箱１２２と焼成室１２１の流
動層の界面よりも上方のフリーボードの空間との間の差
圧によって圧力損失を求める圧力損失検出手段１３１に
よって検出され、この圧力損失検出手段１３１によって
検出された分散板４４を含む流動層による圧力損失に基
づいて、制御手段１３２は気密排出手段１２９による排
出量が、前記圧力損失が一定となるように、すなわち分
散板４４上に一定の層厚の流動層が形成されるように排
出量を制御する。気密排出手段１２９からシュート１３
０に排出された原料は、前記捕集サイクロンＣ０からシ
ュート１２６を介して排出される原料と合流し、冷却装
置ＦＢＱに導かれる。
分散板４４の透孔１２４を介して焼成室１２１側へ噴出
するガスの圧力損失は、風箱１２２と焼成室１２１の流
動層の界面よりも上方のフリーボードの空間との間の差
圧によって圧力損失を求める圧力損失検出手段１３１に
よって検出され、この圧力損失検出手段１３１によって
検出された分散板４４を含む流動層による圧力損失に基
づいて、制御手段１３２は気密排出手段１２９による排
出量が、前記圧力損失が一定となるように、すなわち分
散板４４上に一定の層厚の流動層が形成されるように排
出量を制御する。気密排出手段１２９からシュート１３
０に排出された原料は、前記捕集サイクロンＣ０からシ
ュート１２６を介して排出される原料と合流し、冷却装
置ＦＢＱに導かれる。
【００３４】冷却装置ＦＢＱは、キャスタブル耐火物か
ら成る炉体１３５内に、隔壁１３６によって仕切られた
２つの冷却室１３７，１３８を有し、各冷却室１３７，
１３８は分散板１３９，１４０によって風箱１４１，１
４２と仕切られる。各冷却室１３７，１３８は、隔壁１
３６の各分散板１３９，１４０付近に形成される連絡通
路１３６ａによって連通され、製品が通過できるように
構成されている。各風箱１４１，１４２には、ブロア１
４３から管路１４４，１４５によって冷却用ガスとして
空気が導かれ、この空気は各分散板１３９，１４０にそ
れぞれ形成される複数の透孔１４６，１４７を経て上方
の空間に噴出し、原料を流動化して冷却する。各冷却室
１３７，１３８内で原料との接触によって熱回収して温
度が上昇した空気は、ダクト１４８，１４９およびダク
ト１５０を介して最下段のサイクロンＣ２に導かれ、サ
イクロンＣ２のガスは、ダクト１２３によって導かれる
とともに、このガス中の微粉末の製品が捕集されてシュ
ート５００に排出され、後述する気密排出手段８２と同
様の構成を有する気密排出手段５０１を介してシュート
１５１に導かれる。この気密排出手段５０１は、ロータ
リフィーダ５３０と、このロータリフィーダ５３０を操
業中に一定の回転速度で駆動するモータ５３１とを有す
る。また一方の冷却室１３７から他方の冷却室１３８に
移動して分散板１４０上で流動層を形成する原料は、シ
ュート１５２から前記シュート１５１に合流して気密排
出手段１５３によって排出シュート１５４に排出され、
図示しない搬送コンベアによって次工程へ搬出される。
ら成る炉体１３５内に、隔壁１３６によって仕切られた
２つの冷却室１３７，１３８を有し、各冷却室１３７，
１３８は分散板１３９，１４０によって風箱１４１，１
４２と仕切られる。各冷却室１３７，１３８は、隔壁１
３６の各分散板１３９，１４０付近に形成される連絡通
路１３６ａによって連通され、製品が通過できるように
構成されている。各風箱１４１，１４２には、ブロア１
４３から管路１４４，１４５によって冷却用ガスとして
空気が導かれ、この空気は各分散板１３９，１４０にそ
れぞれ形成される複数の透孔１４６，１４７を経て上方
の空間に噴出し、原料を流動化して冷却する。各冷却室
１３７，１３８内で原料との接触によって熱回収して温
度が上昇した空気は、ダクト１４８，１４９およびダク
ト１５０を介して最下段のサイクロンＣ２に導かれ、サ
イクロンＣ２のガスは、ダクト１２３によって導かれる
とともに、このガス中の微粉末の製品が捕集されてシュ
ート５００に排出され、後述する気密排出手段８２と同
様の構成を有する気密排出手段５０１を介してシュート
１５１に導かれる。この気密排出手段５０１は、ロータ
リフィーダ５３０と、このロータリフィーダ５３０を操
業中に一定の回転速度で駆動するモータ５３１とを有す
る。また一方の冷却室１３７から他方の冷却室１３８に
移動して分散板１４０上で流動層を形成する原料は、シ
ュート１５２から前記シュート１５１に合流して気密排
出手段１５３によって排出シュート１５４に排出され、
図示しない搬送コンベアによって次工程へ搬出される。
【００３５】気密排出手段１５３は、冷却装置ＦＢＱ内
の冷却室１３７，１３８と大気との差圧が大きいため、
２つのロータリフィーダ１５５，１５６と、各ロータリ
フィーダ１５５，１５６を駆動する２つのモータ１５
７，１５８とを備える。また冷却装置ＦＢＱには、風箱
１４２から分散板１４０の透孔１４７を介して冷却室１
３８へ噴出するガスの圧力損失を、風箱１４２と冷却室
１３８の流動層の界面よりも上方のフリーボードの空間
との間の差圧によって圧力損失を求める圧力損失検出手
段５０２が設けられる。各モータ１５７，１５８は、制
御手段１５９によって、圧力損失検出手段５０２によっ
て検出される圧力損失に基づいて、予め定める流量で製
品を排出することができるように制御される。このよう
に２つのロータリフィーダ５５，５６を連接することに
よって、シール性を高め、冷却装置ＦＢＱから大気への
ガスの放散が防がれる。
の冷却室１３７，１３８と大気との差圧が大きいため、
２つのロータリフィーダ１５５，１５６と、各ロータリ
フィーダ１５５，１５６を駆動する２つのモータ１５
７，１５８とを備える。また冷却装置ＦＢＱには、風箱
１４２から分散板１４０の透孔１４７を介して冷却室１
３８へ噴出するガスの圧力損失を、風箱１４２と冷却室
１３８の流動層の界面よりも上方のフリーボードの空間
との間の差圧によって圧力損失を求める圧力損失検出手
段５０２が設けられる。各モータ１５７，１５８は、制
御手段１５９によって、圧力損失検出手段５０２によっ
て検出される圧力損失に基づいて、予め定める流量で製
品を排出することができるように制御される。このよう
に２つのロータリフィーダ５５，５６を連接することに
よって、シール性を高め、冷却装置ＦＢＱから大気への
ガスの放散が防がれる。
【００３６】図２は、気密排出手段４７の具体的構成を
示す拡大断面図であり、図２（１）はＬバルブ１９６に
ノズル部材１９７を設けた気密排出手段４７ａを示し、
図２（２）はＬバルブ１９６に前記ノズル部材１９７に
代えて押圧棒１９８を設けた気密排出手段４７ｂを示
す。なお、各気密排出手段４７ａ，４７ｂを総称する場
合には、添字ａ，ｂは省略する。前記気密排出手段４７
は、予熱／仮焼炉ＰＣからシュート１１２を介して供給
される原料によるマテリアルシールによってガスの通過
を遮断し、原料だけを焼成炉ＫＦ側のシュート１１３へ
導くＬバルブ１９６と、このＬバルブ１９６内に堆積し
た原料を押出すための原料押出し手段１９９ａ，１９９
ｂとを含む。
示す拡大断面図であり、図２（１）はＬバルブ１９６に
ノズル部材１９７を設けた気密排出手段４７ａを示し、
図２（２）はＬバルブ１９６に前記ノズル部材１９７に
代えて押圧棒１９８を設けた気密排出手段４７ｂを示
す。なお、各気密排出手段４７ａ，４７ｂを総称する場
合には、添字ａ，ｂは省略する。前記気密排出手段４７
は、予熱／仮焼炉ＰＣからシュート１１２を介して供給
される原料によるマテリアルシールによってガスの通過
を遮断し、原料だけを焼成炉ＫＦ側のシュート１１３へ
導くＬバルブ１９６と、このＬバルブ１９６内に堆積し
た原料を押出すための原料押出し手段１９９ａ，１９９
ｂとを含む。
【００３７】図２（１）は、本実施の形態に用いられる
気密排出手段４７ａを示す。この気密排出手段４７ａの
Ｌバルブ１９６は、上方に立上る立上り部２０１と、立
上り部２０１の下端部にほぼ直角に屈曲して連なり水平
に延びる水平部２０２と、水平部２０２の前記立上り部
２０１が連なる長手方向一端部と反対側の他端部からほ
ぼ直角に屈曲して下方に延びる立下り部２０３とを有す
る。立上り部２０１の上端部にはフランジ２０４が形成
され、このフランジ２０４はシュート１１２の下端部に
形成されるフランジ２０５とボルトおよびナット等によ
ってフランジ接合される。また立下り部２０３の下端部
にはフランジ２０６が形成され、このフランジ２０６は
シュート１１３の上端部に形成されるフランジ２０７と
ボルトおよびナット等によってフランジ接合される。こ
のようなＬバルブ１９６は、たとえば耐熱性金属製また
は耐火物で内張りされ、分岐手段４５側のシュート１１
２と焼成炉ＫＦ側のシュート１１３との間に気密に接続
される。
気密排出手段４７ａを示す。この気密排出手段４７ａの
Ｌバルブ１９６は、上方に立上る立上り部２０１と、立
上り部２０１の下端部にほぼ直角に屈曲して連なり水平
に延びる水平部２０２と、水平部２０２の前記立上り部
２０１が連なる長手方向一端部と反対側の他端部からほ
ぼ直角に屈曲して下方に延びる立下り部２０３とを有す
る。立上り部２０１の上端部にはフランジ２０４が形成
され、このフランジ２０４はシュート１１２の下端部に
形成されるフランジ２０５とボルトおよびナット等によ
ってフランジ接合される。また立下り部２０３の下端部
にはフランジ２０６が形成され、このフランジ２０６は
シュート１１３の上端部に形成されるフランジ２０７と
ボルトおよびナット等によってフランジ接合される。こ
のようなＬバルブ１９６は、たとえば耐熱性金属製また
は耐火物で内張りされ、分岐手段４５側のシュート１１
２と焼成炉ＫＦ側のシュート１１３との間に気密に接続
される。
【００３８】予熱／仮焼炉ＰＣから導かれシュート１１
２を介して立上り部２０１から供給された原料は、水平
部２０２において立下り部２０３内の空間に臨む角部２
０８から上方に安息角θｒを成す安息面２０９を形成し
て堆積している。このようにしてＬバルブ１９６内の水
平部２０２から立上り部２０３にわたって堆積した原料
によってマテリアルシールされ、上方のシュート１１２
から下方のシュート１１３へのガスの通過が防がれる。
２を介して立上り部２０１から供給された原料は、水平
部２０２において立下り部２０３内の空間に臨む角部２
０８から上方に安息角θｒを成す安息面２０９を形成し
て堆積している。このようにしてＬバルブ１９６内の水
平部２０２から立上り部２０３にわたって堆積した原料
によってマテリアルシールされ、上方のシュート１１２
から下方のシュート１１３へのガスの通過が防がれる。
【００３９】このような状態で、原料だけを排出するた
めに、立上り部２０１の出隅側の壁の下部には、原料の
安息面２０９に向けてガスを噴射するノズル部材１９７
が水平部２０２とほぼ平行に設けられる。このノズル部
材１９７に供給されるガスは、たとえばこのノズル部材
１９７用に独立して設けられるブロア２１０からの常温
の空気であり、ノズル部材１９７とブロア２１０との間
に介在される流量調整弁５１０を開閉動作させて、ガス
噴射量の調整を容易に行うことができるようにして流量
を制御できるように構成される。また、仮想線５４０で
示されるように、圧縮空気をノズル部材１９７から噴出
するようにしてもよく、電磁弁５４１を開閉動作して、
空気を間欠的に噴射して、その間隔を制御して流量を制
御し、その大きな噴射力によってノズル部材１９７の前
方に存在する原料を排出することができる。前記ノズル
部材１９７とブロア２１０とを含んで、前記原料押出し
手段１９９ａを構成している。他の実施形態では、熱交
換器ＨＲから図示しない管路を介して導かれた高温のガ
スであってもよい。このような熱交換器ＨＲからの高温
のガスを導く場合には、Ｌバルブ１９６内に堆積した原
料の温度が低下することを防ぐことができる。ノズル部
材１９７から噴射されるガスの流量および噴射時間は、
このガスによって押出される原料の流量が前記原料投入
シュート９０から投入される原料の投入量Ｒと等しくな
るように設定される。このようなノズル部材１９７から
噴射されるガスの噴射量の設定は、後述するように、予
熱／仮焼炉ＰＣの最下段の分散板６４上の流動層および
分散板６４を含む圧力損失に基づいて決定される。
めに、立上り部２０１の出隅側の壁の下部には、原料の
安息面２０９に向けてガスを噴射するノズル部材１９７
が水平部２０２とほぼ平行に設けられる。このノズル部
材１９７に供給されるガスは、たとえばこのノズル部材
１９７用に独立して設けられるブロア２１０からの常温
の空気であり、ノズル部材１９７とブロア２１０との間
に介在される流量調整弁５１０を開閉動作させて、ガス
噴射量の調整を容易に行うことができるようにして流量
を制御できるように構成される。また、仮想線５４０で
示されるように、圧縮空気をノズル部材１９７から噴出
するようにしてもよく、電磁弁５４１を開閉動作して、
空気を間欠的に噴射して、その間隔を制御して流量を制
御し、その大きな噴射力によってノズル部材１９７の前
方に存在する原料を排出することができる。前記ノズル
部材１９７とブロア２１０とを含んで、前記原料押出し
手段１９９ａを構成している。他の実施形態では、熱交
換器ＨＲから図示しない管路を介して導かれた高温のガ
スであってもよい。このような熱交換器ＨＲからの高温
のガスを導く場合には、Ｌバルブ１９６内に堆積した原
料の温度が低下することを防ぐことができる。ノズル部
材１９７から噴射されるガスの流量および噴射時間は、
このガスによって押出される原料の流量が前記原料投入
シュート９０から投入される原料の投入量Ｒと等しくな
るように設定される。このようなノズル部材１９７から
噴射されるガスの噴射量の設定は、後述するように、予
熱／仮焼炉ＰＣの最下段の分散板６４上の流動層および
分散板６４を含む圧力損失に基づいて決定される。
【００４０】本発明の実施の他の形態として、図２
（２）に示されるように、上記のノズル部材１９７に代
えて、押圧棒１９８が設けられる。この押圧棒１９８
は、直円柱状であって、水平部２０２と平行な軸線方向
に駆動シリンダ２１１によって駆動され、駆動シリンダ
２１１と押圧棒１９８とを含んで、前記原料押出し手段
１９９ｂを構成している。この駆動シリンダ２１１はた
とえば複動空気圧シリンダであって、Ｌバルブ１９６内
で安息角φｒを成す安息面２０９を形成して堆積した原
料を、押圧棒１９８が立上り部２０１の内壁面２０１ａ
からストロークＳＲだけ突出することによって、水平部
２０２内の原料を押圧し、これによって安息面２０９が
破壊されて原料が角部２０８を超えて立下り部２０３側
へ押出され、下方のシュート１１３内へ落下する。この
ような駆動シリンダ２１１のストロークＳＲおよび作動
周期は、上記の図２（１）に示す原料押出し手段１９９
ａと同様に、前記シュート１１３を介して焼成炉ＫＦへ
供給される原料の流量が投入量Ｒと等しくなるように設
定され、このような設定値は予熱／仮焼炉ＰＣの最下段
の流量層の圧力損失に基づいて行われる。
（２）に示されるように、上記のノズル部材１９７に代
えて、押圧棒１９８が設けられる。この押圧棒１９８
は、直円柱状であって、水平部２０２と平行な軸線方向
に駆動シリンダ２１１によって駆動され、駆動シリンダ
２１１と押圧棒１９８とを含んで、前記原料押出し手段
１９９ｂを構成している。この駆動シリンダ２１１はた
とえば複動空気圧シリンダであって、Ｌバルブ１９６内
で安息角φｒを成す安息面２０９を形成して堆積した原
料を、押圧棒１９８が立上り部２０１の内壁面２０１ａ
からストロークＳＲだけ突出することによって、水平部
２０２内の原料を押圧し、これによって安息面２０９が
破壊されて原料が角部２０８を超えて立下り部２０３側
へ押出され、下方のシュート１１３内へ落下する。この
ような駆動シリンダ２１１のストロークＳＲおよび作動
周期は、上記の図２（１）に示す原料押出し手段１９９
ａと同様に、前記シュート１１３を介して焼成炉ＫＦへ
供給される原料の流量が投入量Ｒと等しくなるように設
定され、このような設定値は予熱／仮焼炉ＰＣの最下段
の流量層の圧力損失に基づいて行われる。
【００４１】このような押圧棒１９８を用いる原料押出
し手段１９９ｂを採用した場合には、前述の図２（１）
に示されるノズル部材１９７による原料押出し手段１９
９ａを採用した場合に比べて、押圧棒１９８によってＬ
バルブ１９６内に堆積した原料を押出すだけであるの
で、焼成炉ＫＦへ導かれる原料の温度が低下するという
不具合が生じない。
し手段１９９ｂを採用した場合には、前述の図２（１）
に示されるノズル部材１９７による原料押出し手段１９
９ａを採用した場合に比べて、押圧棒１９８によってＬ
バルブ１９６内に堆積した原料を押出すだけであるの
で、焼成炉ＫＦへ導かれる原料の温度が低下するという
不具合が生じない。
【００４２】以上の説明では、気密排出手段４７の構成
について説明したけれども、前述の気密排出手段１２９
についてもまた、気密排出手段４７と同様に構成され、
焼成炉ＫＦで焼成された原料を気密に冷却装置ＦＢＱに
供給することができる。その供給量は、焼成炉ＫＦの流
動層と分散板４４とによる圧力損失が一定となるように
設定されている。
について説明したけれども、前述の気密排出手段１２９
についてもまた、気密排出手段４７と同様に構成され、
焼成炉ＫＦで焼成された原料を気密に冷却装置ＦＢＱに
供給することができる。その供給量は、焼成炉ＫＦの流
動層と分散板４４とによる圧力損失が一定となるように
設定されている。
【００４３】図３は、気密排出手段８２の具体的構成を
示す拡大断面図である。前記気密排出手段８２は、予熱
／仮焼炉ＰＣの予熱／仮焼室５８から予熱／仮焼室５９
に原料を導く各シュート８１，８３間に介在され、ケー
シング２１２内で矢符Ｂ方向に回転駆動されるロータ２
１３が設けられるロータリフィーダ１０５と、前記ロー
タ２１３を矢符Ｂ方向に所定の回転速度で回転駆動する
モータ１０７とを有する。
示す拡大断面図である。前記気密排出手段８２は、予熱
／仮焼炉ＰＣの予熱／仮焼室５８から予熱／仮焼室５９
に原料を導く各シュート８１，８３間に介在され、ケー
シング２１２内で矢符Ｂ方向に回転駆動されるロータ２
１３が設けられるロータリフィーダ１０５と、前記ロー
タ２１３を矢符Ｂ方向に所定の回転速度で回転駆動する
モータ１０７とを有する。
【００４４】ケーシング２１２は、予熱／仮焼室５８側
のシュート８１のフランジ２１６にボルトおよびナット
等によってフランジ接合されるフランジ２１７を有する
流入部２１８と、前記ロータ２１３が矢符Ｂ方向に回転
可能に収納され、ロータ２１３の水平な回転軸線と同軸
を成す直円柱状のロータ収納空間２１９を有するロータ
収納部２２０と、ロータ収納部２２０に連なり、ロータ
２１３によって原料が導かれ、予熱／仮焼室５９側のシ
ュート８３のフランジ２２１にボルトおよびナット等に
よってフランジ接合されるフランジ２２２を有する流出
部２２３とを有する。
のシュート８１のフランジ２１６にボルトおよびナット
等によってフランジ接合されるフランジ２１７を有する
流入部２１８と、前記ロータ２１３が矢符Ｂ方向に回転
可能に収納され、ロータ２１３の水平な回転軸線と同軸
を成す直円柱状のロータ収納空間２１９を有するロータ
収納部２２０と、ロータ収納部２２０に連なり、ロータ
２１３によって原料が導かれ、予熱／仮焼室５９側のシ
ュート８３のフランジ２２１にボルトおよびナット等に
よってフランジ接合されるフランジ２２２を有する流出
部２２３とを有する。
【００４５】ロータ２１３は、前記モータ１０７によっ
て矢符Ｂ方向に回転駆動される回転軸２２４と、この回
転軸２２４に周方向に等間隔をあけて放射状に設けられ
る複数のブレード２２５とを有する。このようなロータ
２１３の各ブレート２２５は、その回転軸線から最も離
れた最外周部の端面２２６がロータ収納部２２０の内周
面２２７と原料を噛込まずに回転し得る程度の僅かな間
隔をあけて形成されおり、これによって予熱／仮焼室５
８側のシュート８１から予熱／仮焼室５９側のシュート
８３に原料だけを導き、ガスの通過を遮断することがで
きる。
て矢符Ｂ方向に回転駆動される回転軸２２４と、この回
転軸２２４に周方向に等間隔をあけて放射状に設けられ
る複数のブレード２２５とを有する。このようなロータ
２１３の各ブレート２２５は、その回転軸線から最も離
れた最外周部の端面２２６がロータ収納部２２０の内周
面２２７と原料を噛込まずに回転し得る程度の僅かな間
隔をあけて形成されおり、これによって予熱／仮焼室５
８側のシュート８１から予熱／仮焼室５９側のシュート
８３に原料だけを導き、ガスの通過を遮断することがで
きる。
【００４６】ロータ２１３は、予熱／仮焼室５８側のシ
ュート８１から流入部２１８内に導かれる原料およびガ
スのうち、原料だけを周方向に隣接する各ブレード２２
５間の貯留空間２２８内に貯留し、ロータ２１３の回転
によってその貯留空間２２８が流出部２２３内の空間に
臨んだとき、貯留空間２２８内の原料が流出部２２３内
に落下し、こうしてガスを通過させずに原料だけを下流
側へ排出することができる。ロータ２１３の回転時に、
前記ロータ収納部２２０の内周面２２７と各ブレード２
２５との間に原料が噛込むことを防止するために、流入
部２１８のロータ２１３の回転方向下流側である矢符Ｂ
方向下流側の壁部２２９には、矢符Ｂ方向とは逆方向に
突出する噛込み防止片２３０が一体的に形成される。こ
のような噛込み防止片２３０は、いわゆる邪魔板として
設けられ、粒径の大きな原料の噛込みを防止することが
できる。
ュート８１から流入部２１８内に導かれる原料およびガ
スのうち、原料だけを周方向に隣接する各ブレード２２
５間の貯留空間２２８内に貯留し、ロータ２１３の回転
によってその貯留空間２２８が流出部２２３内の空間に
臨んだとき、貯留空間２２８内の原料が流出部２２３内
に落下し、こうしてガスを通過させずに原料だけを下流
側へ排出することができる。ロータ２１３の回転時に、
前記ロータ収納部２２０の内周面２２７と各ブレード２
２５との間に原料が噛込むことを防止するために、流入
部２１８のロータ２１３の回転方向下流側である矢符Ｂ
方向下流側の壁部２２９には、矢符Ｂ方向とは逆方向に
突出する噛込み防止片２３０が一体的に形成される。こ
のような噛込み防止片２３０は、いわゆる邪魔板として
設けられ、粒径の大きな原料の噛込みを防止することが
できる。
【００４７】前記気密排出手段８５，９２，１５３もま
た、上記の気密排出手段８２と同様に構成される。
た、上記の気密排出手段８２と同様に構成される。
【００４８】図４は、焼成装置４０に備えられる気密排
出手段４７，８２，８５，９２，１２９，１５３，５０
１を制御するための制御装置２３４の電気的構成を示す
ブロック図である。制御装置２３４は、設定手段２３５
と、圧力損失検出手段４６，１０１，１０２，１３１，
５０２と、制御手段４８，１０３，１０４，１３２，１
５９と、駆動手段２３６，２３８〜２４４とを含む。
出手段４７，８２，８５，９２，１２９，１５３，５０
１を制御するための制御装置２３４の電気的構成を示す
ブロック図である。制御装置２３４は、設定手段２３５
と、圧力損失検出手段４６，１０１，１０２，１３１，
５０２と、制御手段４８，１０３，１０４，１３２，１
５９と、駆動手段２３６，２３８〜２４４とを含む。
【００４９】この制御装置２３４は、たとえばパーソナ
ルコンピュータによって実現され、設定手段２３５はそ
のパーソナルコンピュータのキーボードによって実現さ
れる。この設定手段２３５によって予熱／仮焼炉ＰＣを
最下段の流動層および分散板６４による圧力損失の設定
値ΔＰ１ａが入力されると、制御手段４８は設定値ΔＰ
１ａと圧力損失検出手段４６による圧力損失の検出値Δ
Ｐ１とを比較し、検出値ΔＰ１が設定値ΔＰ１ａ未満で
あれば停止信号を駆動手段２３６に出力して気密排出手
段４７による原料の排出を停止させ、また検出値ΔＰ１
が設定値ΔＰ１ａ以上であるときには駆動信号を駆動手
段２３６に出力して気密排出手段４７を排出動作させ
る。
ルコンピュータによって実現され、設定手段２３５はそ
のパーソナルコンピュータのキーボードによって実現さ
れる。この設定手段２３５によって予熱／仮焼炉ＰＣを
最下段の流動層および分散板６４による圧力損失の設定
値ΔＰ１ａが入力されると、制御手段４８は設定値ΔＰ
１ａと圧力損失検出手段４６による圧力損失の検出値Δ
Ｐ１とを比較し、検出値ΔＰ１が設定値ΔＰ１ａ未満で
あれば停止信号を駆動手段２３６に出力して気密排出手
段４７による原料の排出を停止させ、また検出値ΔＰ１
が設定値ΔＰ１ａ以上であるときには駆動信号を駆動手
段２３６に出力して気密排出手段４７を排出動作させ
る。
【００５０】さらに設定手段２３５によって、予熱／仮
焼炉ＰＣの最終段の流動層および分散板６２による圧力
損失の設定値ΔＰ３ａが入力されると、制御手段１０３
は圧力損失検出手段１０１によって検出された圧力損失
の検出値ΔＰ３と比較し、この検出値ΔＰ３が設定値Δ
Ｐ３ａ未満であれば停止信号または減速信号を駆動手段
２３８へ出力して気密排出手段８２による排出動作を停
止させまたは減速させ、検出値ΔＰ３が設定値ΔＰ３ａ
以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段２３
８に出力して気密排出手段８２による排出動作を開始さ
せまたは増速させる。
焼炉ＰＣの最終段の流動層および分散板６２による圧力
損失の設定値ΔＰ３ａが入力されると、制御手段１０３
は圧力損失検出手段１０１によって検出された圧力損失
の検出値ΔＰ３と比較し、この検出値ΔＰ３が設定値Δ
Ｐ３ａ未満であれば停止信号または減速信号を駆動手段
２３８へ出力して気密排出手段８２による排出動作を停
止させまたは減速させ、検出値ΔＰ３が設定値ΔＰ３ａ
以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段２３
８に出力して気密排出手段８２による排出動作を開始さ
せまたは増速させる。
【００５１】設定手段２３５によって、予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃの中段の流動層および分散板６３による圧力損失の設
定値ΔＰ４ａを入力すると、制御手段１０４は圧力損失
検出手段１０２によって検出された圧力損失の検出値Δ
Ｐ４とを比較し、この検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４ａ未
満であれば停止信号または減速信号を駆動手段２３９に
出力し、気密排出手段８５による排出動作を停止させ、
または減速させ、検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４ａ以上で
あれば、駆動信号または増速信号を駆動手段２３９に出
力し、気密排出手段８５による排出動作を開始させ、ま
たは増速させる。
Ｃの中段の流動層および分散板６３による圧力損失の設
定値ΔＰ４ａを入力すると、制御手段１０４は圧力損失
検出手段１０２によって検出された圧力損失の検出値Δ
Ｐ４とを比較し、この検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４ａ未
満であれば停止信号または減速信号を駆動手段２３９に
出力し、気密排出手段８５による排出動作を停止させ、
または減速させ、検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４ａ以上で
あれば、駆動信号または増速信号を駆動手段２３９に出
力し、気密排出手段８５による排出動作を開始させ、ま
たは増速させる。
【００５２】設定手段２３５によって、焼成炉ＫＦの流
動層より分散板４４による圧力損失の設定値ΔＰ５ａを
入力すると、制御手段１３２は圧力損失検出手段１３１
によって検出された圧力損失の検出値ΔＰ５と比較し、
この検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ未満であれば、停止
信号または減速信号を駆動手段２４０に出力して気密排
出手段１２９による排出動作を停止させまたは減速さ
せ、検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ以上であれば、駆動
信号または増速信号を駆動手段２３９に出力し、気密排
出手段１２９による排出動作を開始させまたは増速させ
る。
動層より分散板４４による圧力損失の設定値ΔＰ５ａを
入力すると、制御手段１３２は圧力損失検出手段１３１
によって検出された圧力損失の検出値ΔＰ５と比較し、
この検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ未満であれば、停止
信号または減速信号を駆動手段２４０に出力して気密排
出手段１２９による排出動作を停止させまたは減速さ
せ、検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ以上であれば、駆動
信号または増速信号を駆動手段２３９に出力し、気密排
出手段１２９による排出動作を開始させまたは増速させ
る。
【００５３】設定手段２３５によって冷却装置ＦＢＱの
冷却室１３８の流動層および分散板１４０による圧力損
失の設定値ΔＰ９ａが入力されると、制御手段１５９は
圧力損失検出手段５０２によって検出された圧力損失の
検出値ΔＰ９と比較して、この検出値ΔＰ９が設定値Δ
Ｐ９ａ未満であれば、停止信号または減速信号を駆動手
段２４４に出力して気密排出手段１５３による排出動作
を停止させまたは減速させ、検出値ΔＰ９が設定値ΔＰ
９ａ以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段
２４４に出力して気密排出手段１５３による排出動作を
開始させまたは増速させる。
冷却室１３８の流動層および分散板１４０による圧力損
失の設定値ΔＰ９ａが入力されると、制御手段１５９は
圧力損失検出手段５０２によって検出された圧力損失の
検出値ΔＰ９と比較して、この検出値ΔＰ９が設定値Δ
Ｐ９ａ未満であれば、停止信号または減速信号を駆動手
段２４４に出力して気密排出手段１５３による排出動作
を停止させまたは減速させ、検出値ΔＰ９が設定値ΔＰ
９ａ以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段
２４４に出力して気密排出手段１５３による排出動作を
開始させまたは増速させる。
【００５４】図５は、制御装置２３４の制御動作を説明
するためのフローチャートである。まず、制御動作が開
始され、ブロア１４３および誘引ファン９９が駆動され
て、バーナ４３が燃焼を開始し、予熱／仮焼炉ＰＣ、焼
成炉ＫＦ、熱交換器ＨＲおよび冷却装置ＦＢＱには流動
層が形成されずにガスだけが移動している状態で焼成装
置４１を立上げる。焼成炉ＫＦ内のガスは、ダクト１２
５から捕集サイクロンＣ０を経て、ダクト１２７から予
熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１内に導かれる。
するためのフローチャートである。まず、制御動作が開
始され、ブロア１４３および誘引ファン９９が駆動され
て、バーナ４３が燃焼を開始し、予熱／仮焼炉ＰＣ、焼
成炉ＫＦ、熱交換器ＨＲおよび冷却装置ＦＢＱには流動
層が形成されずにガスだけが移動している状態で焼成装
置４１を立上げる。焼成炉ＫＦ内のガスは、ダクト１２
５から捕集サイクロンＣ０を経て、ダクト１２７から予
熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１内に導かれる。
【００５５】このようにして予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６
１内に導かれたガスは、最下段の分散板６４の透孔６７
を通過して上昇し、次に中段の分散板６３の透孔６６を
通過して上昇し、さらに最上段の分散板６２の透孔６５
を通過して上昇する。こうして予熱／仮焼炉ＰＣの最上
段の予熱／仮焼室５８に導かれたガスは、ダクト８７を
経て最上段のサイクロンＣ１に導かれ、ダクト９８から
誘引ファン９９によって大気へ放散される。このような
状態では、気密排出手段４７は制御手段４８によって排
出状態とされ、気密排出手段８２は制御手段１０３によ
って排出状態とされ、気密排出手段８５は制御手段１０
４によって排出状態とされ、気密排出手段９２は一定速
度で排出状態とされ、気密排出手段１２９は制御手段１
３２によって排出停止状態とされ、気密排出手段１５２
は制御手段１５９によって排出停止状態とされる。
１内に導かれたガスは、最下段の分散板６４の透孔６７
を通過して上昇し、次に中段の分散板６３の透孔６６を
通過して上昇し、さらに最上段の分散板６２の透孔６５
を通過して上昇する。こうして予熱／仮焼炉ＰＣの最上
段の予熱／仮焼室５８に導かれたガスは、ダクト８７を
経て最上段のサイクロンＣ１に導かれ、ダクト９８から
誘引ファン９９によって大気へ放散される。このような
状態では、気密排出手段４７は制御手段４８によって排
出状態とされ、気密排出手段８２は制御手段１０３によ
って排出状態とされ、気密排出手段８５は制御手段１０
４によって排出状態とされ、気密排出手段９２は一定速
度で排出状態とされ、気密排出手段１２９は制御手段１
３２によって排出停止状態とされ、気密排出手段１５２
は制御手段１５９によって排出停止状態とされる。
【００５６】ブロア１４３から冷却装置ＦＢＱに供給さ
れた空気は、ダクト１４８，１４９，１５０を経て最下
段のサイクロンＣ２に導かれ、このサイクロンＣ２から
ダクト１２３によって焼成炉ＫＦの風箱１２２に導かれ
る。
れた空気は、ダクト１４８，１４９，１５０を経て最下
段のサイクロンＣ２に導かれ、このサイクロンＣ２から
ダクト１２３によって焼成炉ＫＦの風箱１２２に導かれ
る。
【００５７】このような状態で、ステップｂ１で、予熱
／仮焼炉ＰＣの原料投入シュート９０から原料の投入を
開始すると、その原料はダクト８７内を上昇するガスに
よって最上段のサイクロンＣ１に導かれ、この最上段の
サイクロンＣ１で捕集された原料は、シュート９１から
排出動作状態にある気密排出手段９２を経て、シュート
９３から予熱／仮焼炉ＰＣの最上段の予熱／仮焼室５８
内へ供給され、分散板６２上で流動化される。このよう
にして最上段の分散板６２上で流動層を形成する原料の
一部は、シュート８１から排出動作中である気密排出手
段８２を経てシュート８３から中段の予熱／仮焼室５９
内に導かれ、分散板６３上で流動化される。この分散板
６３上で一定量の流動層が形成されると、その一部の原
料がシュート８４から排出動作中の気密排出手段８５を
経てシュート８６から最下段の予熱／仮焼室６０に導か
れ、最下段の分散板６４上で流動層を形成する。最下段
の流動層を形成する原料は、シュート１１２に導かれ、
さらに排出状態にある気密排出手段４７を経てシュート
１１３から焼成炉ＫＦに導かれる。このようにして原料
投入シュート９０から原料を投入し続けながら、焼成炉
ＫＦの分散板４４上に所定量の原料が溜まって流動層が
形成される。
／仮焼炉ＰＣの原料投入シュート９０から原料の投入を
開始すると、その原料はダクト８７内を上昇するガスに
よって最上段のサイクロンＣ１に導かれ、この最上段の
サイクロンＣ１で捕集された原料は、シュート９１から
排出動作状態にある気密排出手段９２を経て、シュート
９３から予熱／仮焼炉ＰＣの最上段の予熱／仮焼室５８
内へ供給され、分散板６２上で流動化される。このよう
にして最上段の分散板６２上で流動層を形成する原料の
一部は、シュート８１から排出動作中である気密排出手
段８２を経てシュート８３から中段の予熱／仮焼室５９
内に導かれ、分散板６３上で流動化される。この分散板
６３上で一定量の流動層が形成されると、その一部の原
料がシュート８４から排出動作中の気密排出手段８５を
経てシュート８６から最下段の予熱／仮焼室６０に導か
れ、最下段の分散板６４上で流動層を形成する。最下段
の流動層を形成する原料は、シュート１１２に導かれ、
さらに排出状態にある気密排出手段４７を経てシュート
１１３から焼成炉ＫＦに導かれる。このようにして原料
投入シュート９０から原料を投入し続けながら、焼成炉
ＫＦの分散板４４上に所定量の原料が溜まって流動層が
形成される。
【００５８】ステップｂ２で、圧力損失検出手段４６，
１０１，１０２，１３１によって検出された検出値ΔＰ
１，ΔＰ３，ΔＰ４，ΔＰ５のうちいずれか、たとえば
圧力損失検出手段１３１によって検出された焼成炉ＫＦ
内の流動層および分散板４４による圧力損失の検出値Δ
Ｐ５が設定値ΔＰ５ａに達すると、ステップａ３で制御
手段１３２は気密排出手段１２９に排出動作を開始さ
せ、分散板４４上に所定の層厚の流動層を形成しながら
余剰の原料をシュート１２８、気密排出手段１２９およ
びシュート１３０を経て冷却装置ＦＢＱに供給する。こ
のようにして冷却装置ＦＢＱ内の各分散板１４６，１４
７上に流動層が形成され、ブロア１４３から各風箱１４
１，１４２内に供給された空気と熱交換した高温のガス
が、ダクト１４８，１４９，１５０から最下段のサイク
ロンＣ２およびダクト１２３を経て、焼成炉ＫＦに導か
れる。また、残余の圧力損失検出手段４６，１０１，１
０２による検出値ΔＰ１，ΔＰ３，ΔＰ４が対応する設
定値ΔＰ１ａ，ΔＰ３ａ，ΔＰ４ａに達すると、対応す
る気密排出手段４７，８２，８５の排出動作を開始す
る。
１０１，１０２，１３１によって検出された検出値ΔＰ
１，ΔＰ３，ΔＰ４，ΔＰ５のうちいずれか、たとえば
圧力損失検出手段１３１によって検出された焼成炉ＫＦ
内の流動層および分散板４４による圧力損失の検出値Δ
Ｐ５が設定値ΔＰ５ａに達すると、ステップａ３で制御
手段１３２は気密排出手段１２９に排出動作を開始さ
せ、分散板４４上に所定の層厚の流動層を形成しながら
余剰の原料をシュート１２８、気密排出手段１２９およ
びシュート１３０を経て冷却装置ＦＢＱに供給する。こ
のようにして冷却装置ＦＢＱ内の各分散板１４６，１４
７上に流動層が形成され、ブロア１４３から各風箱１４
１，１４２内に供給された空気と熱交換した高温のガス
が、ダクト１４８，１４９，１５０から最下段のサイク
ロンＣ２およびダクト１２３を経て、焼成炉ＫＦに導か
れる。また、残余の圧力損失検出手段４６，１０１，１
０２による検出値ΔＰ１，ΔＰ３，ΔＰ４が対応する設
定値ΔＰ１ａ，ΔＰ３ａ，ΔＰ４ａに達すると、対応す
る気密排出手段４７，８２，８５の排出動作を開始す
る。
【００５９】ステップｂ４で冷却装置ＦＢＱの差圧ΔＰ
９が設定値に達したら、ステップｂ５で気密排出手段１
５３の排出を開始し、冷却装置ＦＢＱの差圧が一定にな
るよう排出量を制御する。
９が設定値に達したら、ステップｂ５で気密排出手段１
５３の排出を開始し、冷却装置ＦＢＱの差圧が一定にな
るよう排出量を制御する。
【００６０】こうして焼成炉ＫＦに導かれるガスの温度
が上昇して、ダクト１２５、捕集サイクロンＣ０および
ダクト１２７から予熱／仮焼炉ＰＣに高温のガスが導か
れる。このようにして予熱／仮焼炉ＰＣおよび焼成炉Ｋ
Ｆ内の各流動層による圧力損失が設定値を下まわらない
ように原料の排出量が制御されながら、予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃへのガスの温度が上昇し、約７００〜８００℃に達す
る。
が上昇して、ダクト１２５、捕集サイクロンＣ０および
ダクト１２７から予熱／仮焼炉ＰＣに高温のガスが導か
れる。このようにして予熱／仮焼炉ＰＣおよび焼成炉Ｋ
Ｆ内の各流動層による圧力損失が設定値を下まわらない
ように原料の排出量が制御されながら、予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃへのガスの温度が上昇し、約７００〜８００℃に達す
る。
【００６１】このようにして冷却装置ＦＢＱから導かれ
るガスを焼成炉ＫＦへ供給し、この焼成炉ＫＦで発生し
た高温のガスを予熱／仮焼炉ＰＣに導いて投入された原
料を予熱および／または仮焼するようにしたので、無駄
な熱の消費を防ぐことができ、熱損失量を少なくするこ
とができる。しかも前記予熱／仮焼炉ＰＣは多段流動層
炉であるため、熱回収効率が高く、これによってもまた
熱効率を向上することができる。またこの予熱／仮焼炉
ＰＣによって投入された原料を予熱および／または仮焼
するので、原料にサイクロンを用いた場合のように遠心
力が作用せず、これによって予熱／仮焼炉ＰＣ内の原料
の温度が再炭酸化反応温度以上になってもコーチングの
発生を防ぐことできる。
るガスを焼成炉ＫＦへ供給し、この焼成炉ＫＦで発生し
た高温のガスを予熱／仮焼炉ＰＣに導いて投入された原
料を予熱および／または仮焼するようにしたので、無駄
な熱の消費を防ぐことができ、熱損失量を少なくするこ
とができる。しかも前記予熱／仮焼炉ＰＣは多段流動層
炉であるため、熱回収効率が高く、これによってもまた
熱効率を向上することができる。またこの予熱／仮焼炉
ＰＣによって投入された原料を予熱および／または仮焼
するので、原料にサイクロンを用いた場合のように遠心
力が作用せず、これによって予熱／仮焼炉ＰＣ内の原料
の温度が再炭酸化反応温度以上になってもコーチングの
発生を防ぐことできる。
【００６２】前記焼成炉ＫＦによって焼成された製品
は、シュート１２８、気密排出手段１２９およびシュー
ト１３０を介して冷却装置ＦＢＱに導かれるとともに、
焼成炉ＫＦのフリーボードに浮遊する微粉製品は、ダク
ト１２５から捕集サイクロンＣ０に導かれる。この捕集
サイクロンＣ０で捕集された微粉製品は、シュート１２
６によって前記シュート１３０に導かれ、冷却装置ＦＢ
Ｑに供給される。冷却装置ＦＢＱに供給された製品は、
前記ブロア１３０から管路１４４，１４５によって導か
れた空気と熱交換して冷却され、微粉製品はダクト１４
８，１４９，１５０を経て最下段のサイクロンＣ２で捕
集され、また流動層を形成する粉粒体はシュート１５２
に導かれ、前記最下段のサイクロンＣ２からシュート１
５１を介して導かれた微粉製品と合流し、制御手段１５
９による気密排出手段１５３の排出動作によって、シュ
ート１５４から系外のたとえば搬出コンベア上へ排出さ
れる。
は、シュート１２８、気密排出手段１２９およびシュー
ト１３０を介して冷却装置ＦＢＱに導かれるとともに、
焼成炉ＫＦのフリーボードに浮遊する微粉製品は、ダク
ト１２５から捕集サイクロンＣ０に導かれる。この捕集
サイクロンＣ０で捕集された微粉製品は、シュート１２
６によって前記シュート１３０に導かれ、冷却装置ＦＢ
Ｑに供給される。冷却装置ＦＢＱに供給された製品は、
前記ブロア１３０から管路１４４，１４５によって導か
れた空気と熱交換して冷却され、微粉製品はダクト１４
８，１４９，１５０を経て最下段のサイクロンＣ２で捕
集され、また流動層を形成する粉粒体はシュート１５２
に導かれ、前記最下段のサイクロンＣ２からシュート１
５１を介して導かれた微粉製品と合流し、制御手段１５
９による気密排出手段１５３の排出動作によって、シュ
ート１５４から系外のたとえば搬出コンベア上へ排出さ
れる。
【００６３】以上のように本実施の形態によれば、粉粒
状原料を予熱および／または仮焼するにあたって、予熱
／仮焼炉ＰＣの分散板の下方から１１００℃以上の高温
ガスが供給される。この高温ガスは、たとえば前記粉粒
状原料を焼成する焼成炉からのガスであって、その熱的
性質として、粉粒状原料は石灰石ＣａＣＯ3 である場合
には、８００℃以上の温度下で、 ＣａＣＯ3→ＣａＯ＋ＣＯ2−４２．９ｋｃａｌ のように脱炭酸反応し、炭酸ガスＣＯ2を発生する。
状原料を予熱および／または仮焼するにあたって、予熱
／仮焼炉ＰＣの分散板の下方から１１００℃以上の高温
ガスが供給される。この高温ガスは、たとえば前記粉粒
状原料を焼成する焼成炉からのガスであって、その熱的
性質として、粉粒状原料は石灰石ＣａＣＯ3 である場合
には、８００℃以上の温度下で、 ＣａＣＯ3→ＣａＯ＋ＣＯ2−４２．９ｋｃａｌ のように脱炭酸反応し、炭酸ガスＣＯ2を発生する。
【００６４】また粉粒状原料がドロマイトである場合に
は、６００℃以上の温度下では、 ＣａＣＯ3・ＭｇＣＯ3→ＣａＣＯ3＋ＭｇＯ＋ＣＯ2 のように反応して炭酸ガスＣＯ2 を発生する。
は、６００℃以上の温度下では、 ＣａＣＯ3・ＭｇＣＯ3→ＣａＣＯ3＋ＭｇＯ＋ＣＯ2 のように反応して炭酸ガスＣＯ2 を発生する。
【００６５】したがって粉粒状原料として石灰石および
ドロマイトのいずれを用いた場合にも、焼成炉からのガ
スには炭酸ガスが含まれ、このようなガスを予熱に用い
ると、粉粒状原料は約６００℃以上で再炭酸化反応を生
じ、再炭酸化したＣａＣＯ3（石灰石）の付着性が高く
なり、前述した従来技術ではサスペンションプレヒータ
などのサイクロン内で遠心力を受けて壁内面に付着し、
成長してコーチングを発生するが、本発明では、分散板
上に流動層を形成するので、付着性が高くなった石灰石
またはドロマイトの微粉が付着してコーチングを発生す
ることが防がれる。このような流動層を形成するため
に、分散板を備える流動層炉が用いられ、この流動層炉
には、１１００℃の高温ガスが前記分散板の下方から供
給され、分散板上で粉粒状原料を流動化して充分に熱交
換し、高い熱回収効率で予熱／仮焼することができる。
ドロマイトのいずれを用いた場合にも、焼成炉からのガ
スには炭酸ガスが含まれ、このようなガスを予熱に用い
ると、粉粒状原料は約６００℃以上で再炭酸化反応を生
じ、再炭酸化したＣａＣＯ3（石灰石）の付着性が高く
なり、前述した従来技術ではサスペンションプレヒータ
などのサイクロン内で遠心力を受けて壁内面に付着し、
成長してコーチングを発生するが、本発明では、分散板
上に流動層を形成するので、付着性が高くなった石灰石
またはドロマイトの微粉が付着してコーチングを発生す
ることが防がれる。このような流動層を形成するため
に、分散板を備える流動層炉が用いられ、この流動層炉
には、１１００℃の高温ガスが前記分散板の下方から供
給され、分散板上で粉粒状原料を流動化して充分に熱交
換し、高い熱回収効率で予熱／仮焼することができる。
【００６６】また本実施の形態によれば、前記予熱／仮
焼炉ＰＣには、前記焼成炉ＫＦからガスが導かれ、各分
散板６５〜６７上に投入された原料を流動化して予熱し
またはさらに仮焼する。このような焼成炉ＫＦ内のＣａ
Ｏが飛散して仮焼炉ＰＣに行き６００℃以上のガスによ
って再炭酸化されて付着力が高くなっても、各分散板６
５〜６７上で流動化されているため、炉壁などに付着す
るおそれはなく、コーチングを生じない。このようにし
てコーチングの発生を防ぎ、熱交換効率を向上して、粉
粒状原料を焼成することができる。
焼炉ＰＣには、前記焼成炉ＫＦからガスが導かれ、各分
散板６５〜６７上に投入された原料を流動化して予熱し
またはさらに仮焼する。このような焼成炉ＫＦ内のＣａ
Ｏが飛散して仮焼炉ＰＣに行き６００℃以上のガスによ
って再炭酸化されて付着力が高くなっても、各分散板６
５〜６７上で流動化されているため、炉壁などに付着す
るおそれはなく、コーチングを生じない。このようにし
てコーチングの発生を防ぎ、熱交換効率を向上して、粉
粒状原料を焼成することができる。
【００６７】さらに本実施の形態によれば、予熱／仮焼
炉ＰＣにおける少なくとも最下段の流動層による圧力損
失ΔＰ１を圧力損失検出手段４６によって検出される。
制御手段４８は、圧力損失検出手段４６による圧力損失
ΔＰ１が予め定める値になるように、気密排出手段４７
による原料の流量を制御する。気密排出手段４７による
原料の流量は、たとえば投入量Ｒに等しくなるように選
ばれ、このような投入量Ｒに等しい気密排出手段４７か
らの原料の流量となるように、制御手段４８による流量
が設定される。
炉ＰＣにおける少なくとも最下段の流動層による圧力損
失ΔＰ１を圧力損失検出手段４６によって検出される。
制御手段４８は、圧力損失検出手段４６による圧力損失
ΔＰ１が予め定める値になるように、気密排出手段４７
による原料の流量を制御する。気密排出手段４７による
原料の流量は、たとえば投入量Ｒに等しくなるように選
ばれ、このような投入量Ｒに等しい気密排出手段４７か
らの原料の流量となるように、制御手段４８による流量
が設定される。
【００６８】図６は、本発明の実施の他の形態の粉粒状
原料の焼成装置４１を示す系統図である。本形態の焼成
装置４１は、上述の形態の焼成装置４０と類似の構成を
有しており、対応する部分には同一の参照符号を付す。
また請求項３の記載に対応する構成には、第１、第２、
…を付して説明する。焼成装置４１は、石灰石ＣａＣＯ
3またはドロマイトＣａＭｇ（ＣＯ3）2から成る、たと
えば５〜６ｍｍ以下の粉粒状原料を複数（本実施形態で
は３）の分散板６２，６３，６４上に投入して予熱およ
び／または仮焼する流動層形予熱／仮焼炉ＰＣと、バー
ナ４３を備え、予熱および／または仮焼、すなわち予熱
され、または仮焼され、もしくは予熱された後に仮焼さ
れた原料を分散板４４上に投入して焼成する流動層形焼
成炉ＫＦと、焼成炉ＫＦからの製品を空気によって冷却
するいわゆる流動層クーラと呼ばれる冷却装置ＦＢＱ
と、予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱され、またはさらに仮
焼された原料を分岐して、その原料の分岐した一部分を
焼成炉ＫＦに導く分岐手段４５と、予熱／仮焼炉ＰＣか
らの予熱され、またはさらに仮焼された原料の前記分岐
手段４５によって分岐された残余が投入され、この投入
された原料によって、冷却装置ＦＢＱからの導かれるガ
スが加熱され、この加熱されたガスを焼成炉ＫＦに導
き、原料を予熱／仮焼炉ＰＣに戻す流動層形熱交換器Ｈ
Ｒとを含む。
原料の焼成装置４１を示す系統図である。本形態の焼成
装置４１は、上述の形態の焼成装置４０と類似の構成を
有しており、対応する部分には同一の参照符号を付す。
また請求項３の記載に対応する構成には、第１、第２、
…を付して説明する。焼成装置４１は、石灰石ＣａＣＯ
3またはドロマイトＣａＭｇ（ＣＯ3）2から成る、たと
えば５〜６ｍｍ以下の粉粒状原料を複数（本実施形態で
は３）の分散板６２，６３，６４上に投入して予熱およ
び／または仮焼する流動層形予熱／仮焼炉ＰＣと、バー
ナ４３を備え、予熱および／または仮焼、すなわち予熱
され、または仮焼され、もしくは予熱された後に仮焼さ
れた原料を分散板４４上に投入して焼成する流動層形焼
成炉ＫＦと、焼成炉ＫＦからの製品を空気によって冷却
するいわゆる流動層クーラと呼ばれる冷却装置ＦＢＱ
と、予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱され、またはさらに仮
焼された原料を分岐して、その原料の分岐した一部分を
焼成炉ＫＦに導く分岐手段４５と、予熱／仮焼炉ＰＣか
らの予熱され、またはさらに仮焼された原料の前記分岐
手段４５によって分岐された残余が投入され、この投入
された原料によって、冷却装置ＦＢＱからの導かれるガ
スが加熱され、この加熱されたガスを焼成炉ＫＦに導
き、原料を予熱／仮焼炉ＰＣに戻す流動層形熱交換器Ｈ
Ｒとを含む。
【００６９】上記焼成装置４１はさらに、予熱／仮焼炉
ＰＣにおける最下段の流動層の圧力損失ΔＰ１を検出す
る第１圧力損失検出手段４６と、分岐手段４５から原料
を焼成炉ＫＦに気密に排出する第１気密排出手段４７
と、第１圧力損失検出手段４６の出力に応答し、第１圧
力損失検出手段４６によって検出される圧力損失ΔＰ１
が予め定める値になるように、第１気密排出手段４７に
よる原料の流量を制御する第１制御手段４８と、熱交換
器ＨＲにおける最下段の流動層の圧力損失ΔＰ２を検出
する第２圧力損失検出手段４９と、熱交換器ＨＲから原
料を予熱／仮焼炉ＰＣに気密に排出する第２気密排出手
段５０と、第２圧力損失検出手段４９の出力に応答し、
第２圧力損失検出手段４９によって検出される圧力損失
ΔＰ２が予め定める値になるように、第２気密排出手段
５０による原料の流量を制御する第２制御手段５１とを
含む。第１気密手段４７は、図２を参照して、前述した
ような構成を有し、第２気密排出手段５０は、ロータリ
フィーダ２１４と、ロータリフィーダ２１４を回転駆動
するモータ２１５とを有する。モータ２１５は、第２制
御手段５１によって動作が制御され、前述の流量が制御
される。
ＰＣにおける最下段の流動層の圧力損失ΔＰ１を検出す
る第１圧力損失検出手段４６と、分岐手段４５から原料
を焼成炉ＫＦに気密に排出する第１気密排出手段４７
と、第１圧力損失検出手段４６の出力に応答し、第１圧
力損失検出手段４６によって検出される圧力損失ΔＰ１
が予め定める値になるように、第１気密排出手段４７に
よる原料の流量を制御する第１制御手段４８と、熱交換
器ＨＲにおける最下段の流動層の圧力損失ΔＰ２を検出
する第２圧力損失検出手段４９と、熱交換器ＨＲから原
料を予熱／仮焼炉ＰＣに気密に排出する第２気密排出手
段５０と、第２圧力損失検出手段４９の出力に応答し、
第２圧力損失検出手段４９によって検出される圧力損失
ΔＰ２が予め定める値になるように、第２気密排出手段
５０による原料の流量を制御する第２制御手段５１とを
含む。第１気密手段４７は、図２を参照して、前述した
ような構成を有し、第２気密排出手段５０は、ロータリ
フィーダ２１４と、ロータリフィーダ２１４を回転駆動
するモータ２１５とを有する。モータ２１５は、第２制
御手段５１によって動作が制御され、前述の流量が制御
される。
【００７０】前記予熱／仮焼炉ＰＣは、直円筒状（角形
でもよい）の円筒部５４と、円筒部５４の下端部に連な
る逆円錐台状の円錐台部５５と、円筒部５４の上端開口
部を塞ぐ上蓋部５６とを有する炉体５７と、炉体５７内
の空間を３つの予熱／仮焼室５８，５９，６０と風箱６
１とに仕切る３つの分散板６２，６３，６４とを有す
る。各分散板６２〜６４には、その厚み方向に挿通する
複数の透孔６５〜６７がそれぞれ形成され、これらの透
孔６５〜６７を下から上へ通過して噴射するガスによっ
て、各分散板６２〜６４上の原料が流動化されながらガ
スと熱交換して顕熱を回収し、約８００℃に予熱され
て、前記焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲにそれぞれ導か
れる。
でもよい）の円筒部５４と、円筒部５４の下端部に連な
る逆円錐台状の円錐台部５５と、円筒部５４の上端開口
部を塞ぐ上蓋部５６とを有する炉体５７と、炉体５７内
の空間を３つの予熱／仮焼室５８，５９，６０と風箱６
１とに仕切る３つの分散板６２，６３，６４とを有す
る。各分散板６２〜６４には、その厚み方向に挿通する
複数の透孔６５〜６７がそれぞれ形成され、これらの透
孔６５〜６７を下から上へ通過して噴射するガスによっ
て、各分散板６２〜６４上の原料が流動化されながらガ
スと熱交換して顕熱を回収し、約８００℃に予熱され
て、前記焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲにそれぞれ導か
れる。
【００７１】最下段の分散板６４上で流動層を形成する
原料は、シュート６８、前記分岐手段４５、シュート６
９、第３気密排出手段７０およびシュート７１を介して
前記熱交換器ＨＲの上段の分散板７２上に投入され、こ
の分散板７２に形成される透孔７３を介して下から上へ
噴出するガスによって流動化される。このような流動層
へのシュート７１からの原料の投入位置は、流動層の界
面よりも上方近傍に設けられる。第３気密排出手段５０
は、ロータリフィーダ５５０と、ロータリフィーダ５５
０を回転駆動するモータ５５１とを有する。モータ５５
１は、温度検出手段５５２による予熱／仮焼炉ＰＣの最
下段の予熱／仮焼室６０の検出温度に基づいて、第８制
御手段１３４によって動作が制御され、原料の流量が制
御される。
原料は、シュート６８、前記分岐手段４５、シュート６
９、第３気密排出手段７０およびシュート７１を介して
前記熱交換器ＨＲの上段の分散板７２上に投入され、こ
の分散板７２に形成される透孔７３を介して下から上へ
噴出するガスによって流動化される。このような流動層
へのシュート７１からの原料の投入位置は、流動層の界
面よりも上方近傍に設けられる。第３気密排出手段５０
は、ロータリフィーダ５５０と、ロータリフィーダ５５
０を回転駆動するモータ５５１とを有する。モータ５５
１は、温度検出手段５５２による予熱／仮焼炉ＰＣの最
下段の予熱／仮焼室６０の検出温度に基づいて、第８制
御手段１３４によって動作が制御され、原料の流量が制
御される。
【００７２】このような上段の分散板７２上で流動層を
形成する原料は、シュート７４、第４気密排出手段７５
およびシュート７６を介して下段の分散板７７上にその
流動層の界面よりも上方から投入される。この分散板７
７にもまた、複数の透孔７８が形成され、この透孔７８
を下から上へ噴出するガスによって前記原料が流動化さ
れる。
形成する原料は、シュート７４、第４気密排出手段７５
およびシュート７６を介して下段の分散板７７上にその
流動層の界面よりも上方から投入される。この分散板７
７にもまた、複数の透孔７８が形成され、この透孔７８
を下から上へ噴出するガスによって前記原料が流動化さ
れる。
【００７３】前記予熱／仮焼炉ＰＣにおいて、最上段の
分散板６２上で流動層を形成する原料は、シュート８
１、第５気密排出手段８２およびシュート８３によって
上下方向中段の流動層にその界面よりも上方から投入さ
れる。この中段の分散板６３上で流動層を形成する原料
は、シュート８４、第６気密排出手段８５およびシュー
ト８６によって最下段の分散板６４上にその流動層の界
面よりも上方から投入される。上蓋部５６には、その中
央に大略的に逆Ｌ字状に屈曲したダクト８７が設けられ
る。このダクト８７は、前記上蓋部５６の上面に垂直な
鉛直方向に立上る立上り部分８８と、立上り部分８８の
上端からほぼ直角に屈曲して水平に延びる水平部分８９
とを有し、立上り部分８８には前記粉粒状原料が投入さ
れる原料投入シュート９０が設けられる。水平部分８９
は、最上段のサイクロンＣ１に接続され、このサイクロ
ンＣ１によって捕集された原料は、シュート９１、第７
気密排出手段９２およびシュート９３を経て、最上段の
分散板６２上にその流動層の界面よりも上方から投入さ
れる。
分散板６２上で流動層を形成する原料は、シュート８
１、第５気密排出手段８２およびシュート８３によって
上下方向中段の流動層にその界面よりも上方から投入さ
れる。この中段の分散板６３上で流動層を形成する原料
は、シュート８４、第６気密排出手段８５およびシュー
ト８６によって最下段の分散板６４上にその流動層の界
面よりも上方から投入される。上蓋部５６には、その中
央に大略的に逆Ｌ字状に屈曲したダクト８７が設けられ
る。このダクト８７は、前記上蓋部５６の上面に垂直な
鉛直方向に立上る立上り部分８８と、立上り部分８８の
上端からほぼ直角に屈曲して水平に延びる水平部分８９
とを有し、立上り部分８８には前記粉粒状原料が投入さ
れる原料投入シュート９０が設けられる。水平部分８９
は、最上段のサイクロンＣ１に接続され、このサイクロ
ンＣ１によって捕集された原料は、シュート９１、第７
気密排出手段９２およびシュート９３を経て、最上段の
分散板６２上にその流動層の界面よりも上方から投入さ
れる。
【００７４】熱交換器ＨＲの下段の分散板７７上に流動
層を形成する原料は、シュート９４、前記第２気密排出
手段５０およびシュート９５を介して輸送手段９６によ
って上方に搬送され、シュート９７から予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃの最下段の分散板上にその流動層の界面よりも上方か
ら投入される。前記輸送手段９６は、バケットコンベア
によって実現される。
層を形成する原料は、シュート９４、前記第２気密排出
手段５０およびシュート９５を介して輸送手段９６によ
って上方に搬送され、シュート９７から予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃの最下段の分散板上にその流動層の界面よりも上方か
ら投入される。前記輸送手段９６は、バケットコンベア
によって実現される。
【００７５】このような予熱／仮焼炉ＰＣには、各分散
板およびその上方の流動層を挟む上下方向両側のフリー
ボードの空間で分散板を含む流動層の圧力損失を検出す
るために、第３および第４圧力損失検出手段１０１，１
０２と前述の第１圧力損失検出手段４６とが設けられ
る。第３および第４圧力損失検出手段１０１，１０２の
出力は第３，第４制御手段１０３，１０４にそれぞれ入
力され、また前記第１圧力損失検出手段４６の出力は前
記第１制御手段４８に入力される。
板およびその上方の流動層を挟む上下方向両側のフリー
ボードの空間で分散板を含む流動層の圧力損失を検出す
るために、第３および第４圧力損失検出手段１０１，１
０２と前述の第１圧力損失検出手段４６とが設けられ
る。第３および第４圧力損失検出手段１０１，１０２の
出力は第３，第４制御手段１０３，１０４にそれぞれ入
力され、また前記第１圧力損失検出手段４６の出力は前
記第１制御手段４８に入力される。
【００７６】前記第５および第６気密排出手段８２，８
５は、ロータリフィーダ１０５，１０６と、各ロータリ
フィーダ１０５，１０６をそれぞれ駆動するモータ１０
７，１０８とを有する。各モータ１０７，１０８は、第
３および第４制御手段１０３，１０４からの制御信号に
よって制御され、各ロータリフィーダ１０５，１０６に
よって原料の流量を調整することができる。また第７気
密排出手段９２は、ロータリフィーダ１０９と、このロ
ータリフィーダ１０９を操業中に一定の回転速度で駆動
するモータ１１０とを有する。前記第１制御手段４８
は、第１圧力損失検出手段４６によって検出された圧力
損失が一定となるように前記第１気密排出手段４７によ
る流量を制御する。この第１気密排出手段４７は、前記
分岐手段４５によって焼成炉ＫＦ側に分岐した一部の原
料が供給されるシュート１１２と、第１気密排出手段４
７によって前記一定の流量で排出される原料を焼成炉Ｋ
Ｆの流動層４４上に形成される流動層の界面の上方に導
くシュート１１３との間に介在される。
５は、ロータリフィーダ１０５，１０６と、各ロータリ
フィーダ１０５，１０６をそれぞれ駆動するモータ１０
７，１０８とを有する。各モータ１０７，１０８は、第
３および第４制御手段１０３，１０４からの制御信号に
よって制御され、各ロータリフィーダ１０５，１０６に
よって原料の流量を調整することができる。また第７気
密排出手段９２は、ロータリフィーダ１０９と、このロ
ータリフィーダ１０９を操業中に一定の回転速度で駆動
するモータ１１０とを有する。前記第１制御手段４８
は、第１圧力損失検出手段４６によって検出された圧力
損失が一定となるように前記第１気密排出手段４７によ
る流量を制御する。この第１気密排出手段４７は、前記
分岐手段４５によって焼成炉ＫＦ側に分岐した一部の原
料が供給されるシュート１１２と、第１気密排出手段４
７によって前記一定の流量で排出される原料を焼成炉Ｋ
Ｆの流動層４４上に形成される流動層の界面の上方に導
くシュート１１３との間に介在される。
【００７７】焼成炉ＫＦは、直円筒状（角形でもよい）
の円筒部１１７と、円筒部１１７の下端部に連なる逆円
錐台状の円錐台部１１８と、円筒部１１７の上端部を塞
ぐ上蓋部１１９とを有する。これらの円筒部１１７、円
錐台部１１８および上蓋部１１９によって、前記予熱／
仮焼炉ＰＣの炉体５７と同様なキャスタブル耐火物から
成る炉体１２０が構成される。このような炉体１２０内
の空間は、前記分散板４４によって円筒部１１７内の焼
成室１２１と、前記円錐台部１１８内の風箱１２２とに
仕切られ、この風箱１２２には熱交換器ＨＲからダクト
１２３を介して約４５０〜６００℃のガスが導かれ、分
散板４４に形成される複数の透孔１２４を介して噴出
し、原料を流動化する。この分散板４４の透孔１２４か
ら噴出したガスはまた、バーナ４３の燃料を燃焼するた
めの燃焼用空気として用いられ、これによってバーナ４
３の燃焼負荷が軽減されて、燃料を節約することができ
る。
の円筒部１１７と、円筒部１１７の下端部に連なる逆円
錐台状の円錐台部１１８と、円筒部１１７の上端部を塞
ぐ上蓋部１１９とを有する。これらの円筒部１１７、円
錐台部１１８および上蓋部１１９によって、前記予熱／
仮焼炉ＰＣの炉体５７と同様なキャスタブル耐火物から
成る炉体１２０が構成される。このような炉体１２０内
の空間は、前記分散板４４によって円筒部１１７内の焼
成室１２１と、前記円錐台部１１８内の風箱１２２とに
仕切られ、この風箱１２２には熱交換器ＨＲからダクト
１２３を介して約４５０〜６００℃のガスが導かれ、分
散板４４に形成される複数の透孔１２４を介して噴出
し、原料を流動化する。この分散板４４の透孔１２４か
ら噴出したガスはまた、バーナ４３の燃料を燃焼するた
めの燃焼用空気として用いられ、これによってバーナ４
３の燃焼負荷が軽減されて、燃料を節約することができ
る。
【００７８】焼成炉ＫＦの炉体１２０の上部には、ダク
ト１２５を介して捕集サイクロンＣ０が接続され、この
捕集サイクロンＣ０によって捕集された原料はシュート
１２６に導かれ、ガスはダクト１２７によって予熱／仮
焼炉ＰＣの風箱６１内へ導かれる。このようにして焼成
炉ＫＦからダクト１２５、捕集サイクロンＣ０およびダ
クト１２７を介して予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１に導か
れるガスの温度は、約１１００℃である。
ト１２５を介して捕集サイクロンＣ０が接続され、この
捕集サイクロンＣ０によって捕集された原料はシュート
１２６に導かれ、ガスはダクト１２７によって予熱／仮
焼炉ＰＣの風箱６１内へ導かれる。このようにして焼成
炉ＫＦからダクト１２５、捕集サイクロンＣ０およびダ
クト１２７を介して予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１に導か
れるガスの温度は、約１１００℃である。
【００７９】焼成炉ＫＦの分散板４４上で流動層を形成
する原料は、ダクト１２８、第８気密排出手段１２９お
よびダクト１３０を経て冷却装置ＦＢＱに導かれる。前
記焼成炉ＫＦ内では、原料と石灰石ＣａＣＯ3の粉粒体
は、 ＣａＣＯ3 →ＣａＯ＋ＣＯ2 のように脱炭酸反応して、生石灰ＣａＯと炭酸ガスＣＯ
2とが生成される。また予熱／仮焼炉ＰＣ内では、焼成
後の粉粒状原料が約６００〜８００℃のガスと接触し
て、そのガス中の炭酸ガスＣＯ2と再炭酸化反応、 Ｃ2Ｏ＋ＣＯ2 →ＣａＣＯ3 を生じて付着性が強くなるけれども、予熱／仮焼炉ＰＣ
内ではサイクロンのように原料の粉粒体に遠心力が作用
しないため、原料が炉壁の内面に付着して成長するコー
チングが発生しない。そのため予熱／仮焼炉ＰＣによっ
て原料を高温のガスと接触させて連続して安定に予熱お
よび／または仮焼することができる。
する原料は、ダクト１２８、第８気密排出手段１２９お
よびダクト１３０を経て冷却装置ＦＢＱに導かれる。前
記焼成炉ＫＦ内では、原料と石灰石ＣａＣＯ3の粉粒体
は、 ＣａＣＯ3 →ＣａＯ＋ＣＯ2 のように脱炭酸反応して、生石灰ＣａＯと炭酸ガスＣＯ
2とが生成される。また予熱／仮焼炉ＰＣ内では、焼成
後の粉粒状原料が約６００〜８００℃のガスと接触し
て、そのガス中の炭酸ガスＣＯ2と再炭酸化反応、 Ｃ2Ｏ＋ＣＯ2 →ＣａＣＯ3 を生じて付着性が強くなるけれども、予熱／仮焼炉ＰＣ
内ではサイクロンのように原料の粉粒体に遠心力が作用
しないため、原料が炉壁の内面に付着して成長するコー
チングが発生しない。そのため予熱／仮焼炉ＰＣによっ
て原料を高温のガスと接触させて連続して安定に予熱お
よび／または仮焼することができる。
【００８０】前記焼成炉ＫＦにおいて、風箱１２２から
分散板４４の透孔１２４を介して焼成室１２１側へ噴出
するガスの圧力損失は、風箱１２２と焼成室１２１の流
動層の界面よりも上方のフリーボードの空間との間の差
圧によって圧力損失を求める第５圧力損失検出手段１３
１によって検出され、この第５圧力損失検出手段１３１
によって検出された分散板４４を含む流動層による圧力
損失に基づいて、第５制御手段１３２は第８気密排出手
段１２９による排出量が、前記圧力損失が一定となるよ
うに、すなわち分散板４４上に一定の層厚の流動層が形
成されるように排出量を制御する。第８気密排出手段１
２９からシュート１３０に排出された原料は、前記捕集
サイクロンＣ０からシュート１２６を介して排出される
原料と合流し、冷却装置ＦＢＱに導かれる。
分散板４４の透孔１２４を介して焼成室１２１側へ噴出
するガスの圧力損失は、風箱１２２と焼成室１２１の流
動層の界面よりも上方のフリーボードの空間との間の差
圧によって圧力損失を求める第５圧力損失検出手段１３
１によって検出され、この第５圧力損失検出手段１３１
によって検出された分散板４４を含む流動層による圧力
損失に基づいて、第５制御手段１３２は第８気密排出手
段１２９による排出量が、前記圧力損失が一定となるよ
うに、すなわち分散板４４上に一定の層厚の流動層が形
成されるように排出量を制御する。第８気密排出手段１
２９からシュート１３０に排出された原料は、前記捕集
サイクロンＣ０からシュート１２６を介して排出される
原料と合流し、冷却装置ＦＢＱに導かれる。
【００８１】冷却装置ＦＢＱは、キャスタブル耐火物か
ら成る炉体１３５内に、隔壁１３６によって仕切られた
２つの冷却室１３７，１３８を有し、各冷却室１３７，
１３８は分散板１３９，１４０によって風箱１４１，１
４２と仕切られる。各冷却室１３７，１３８は、隔壁１
３６の各分散板１３９，１４０付近に形成される連絡通
路１３６ａによって連通され、製品が通過できるように
構成されている。各風箱１４１，１４２には、ブロア１
４３から管路１４４，１４５によって冷却用ガスとして
空気が導かれ、この空気は各分散板１３９，１４０にそ
れぞれ形成される複数の透孔１４６，１４７を経て上方
の空間に噴出し、原料を流動化して冷却する。各冷却室
１３７，１３８内で原料との接触によって熱回収して温
度が上昇した空気は、ダクト１４８，１４９およびダク
ト１５０を介して最下段のサイクロンＣ２に導かれ、こ
のガス中の微粉末の原料が捕集されてシュート５００に
排出され、第１０気密排出手段５０１を介してシュート
１５１に導かれる。この第１０気密排出手段５０１は、
ロータリフィーダ５３０と、このロータリフィーダ５３
０を操業中に一定の回転速度で回転駆動するモータ５３
１とを有する。また一方の冷却室１３７から他方の冷却
室１３８に移動して分散板１４０上で流動層を形成する
原料は、シュート１５２から前記シュート１５１に合流
して第９気密排出手段１５３によって排出シュート１５
４に排出され、図示しない搬送コンベアによって次工程
へ搬出される。
ら成る炉体１３５内に、隔壁１３６によって仕切られた
２つの冷却室１３７，１３８を有し、各冷却室１３７，
１３８は分散板１３９，１４０によって風箱１４１，１
４２と仕切られる。各冷却室１３７，１３８は、隔壁１
３６の各分散板１３９，１４０付近に形成される連絡通
路１３６ａによって連通され、製品が通過できるように
構成されている。各風箱１４１，１４２には、ブロア１
４３から管路１４４，１４５によって冷却用ガスとして
空気が導かれ、この空気は各分散板１３９，１４０にそ
れぞれ形成される複数の透孔１４６，１４７を経て上方
の空間に噴出し、原料を流動化して冷却する。各冷却室
１３７，１３８内で原料との接触によって熱回収して温
度が上昇した空気は、ダクト１４８，１４９およびダク
ト１５０を介して最下段のサイクロンＣ２に導かれ、こ
のガス中の微粉末の原料が捕集されてシュート５００に
排出され、第１０気密排出手段５０１を介してシュート
１５１に導かれる。この第１０気密排出手段５０１は、
ロータリフィーダ５３０と、このロータリフィーダ５３
０を操業中に一定の回転速度で回転駆動するモータ５３
１とを有する。また一方の冷却室１３７から他方の冷却
室１３８に移動して分散板１４０上で流動層を形成する
原料は、シュート１５２から前記シュート１５１に合流
して第９気密排出手段１５３によって排出シュート１５
４に排出され、図示しない搬送コンベアによって次工程
へ搬出される。
【００８２】第９気密排出手段１５３は、冷却装置ＦＢ
Ｑ内の冷却室１３７，１３８と大気との差圧が大きいた
め、２つのロータリフィーダ１５５，１５６と、各ロー
タリフィーダ１５５，１５６を駆動する２つのモータ１
５７，１５８とを備える。また冷却装置ＦＢＱには、風
箱１４２から分散板１４０の透孔１４７を介して冷却室
１３８へ噴出するガスの圧力損失を、風箱１４２と冷却
室１３８の流動層の界面よりも上方のフリーボードの空
間との間の差圧によって圧力損失を求める第７圧力損失
検出手段５０２が設けられる。各モータ１５７，１５８
は、第７制御手段１５９によって、第７圧力損失検出手
段５０２によって検出される圧力損失に基づいて、予め
定める流量で製品を排出することができるように制御さ
れる。このように２つのロータリフィーダ５５，５６を
連接することによって、シール性を高め、冷却装置ＦＢ
Ｑから大気へのガスの放散が防がれる。
Ｑ内の冷却室１３７，１３８と大気との差圧が大きいた
め、２つのロータリフィーダ１５５，１５６と、各ロー
タリフィーダ１５５，１５６を駆動する２つのモータ１
５７，１５８とを備える。また冷却装置ＦＢＱには、風
箱１４２から分散板１４０の透孔１４７を介して冷却室
１３８へ噴出するガスの圧力損失を、風箱１４２と冷却
室１３８の流動層の界面よりも上方のフリーボードの空
間との間の差圧によって圧力損失を求める第７圧力損失
検出手段５０２が設けられる。各モータ１５７，１５８
は、第７制御手段１５９によって、第７圧力損失検出手
段５０２によって検出される圧力損失に基づいて、予め
定める流量で製品を排出することができるように制御さ
れる。このように２つのロータリフィーダ５５，５６を
連接することによって、シール性を高め、冷却装置ＦＢ
Ｑから大気へのガスの放散が防がれる。
【００８３】前記最下段のサイクロンＣ２のガスは、ダ
クト１６３によって熱交換器ＨＲに導かれる。この熱交
換器ＨＲは、直円筒状（角形でもよい）の円筒部１６４
と、円筒部１６４の下端部に連なる逆円錐台状の円錐台
部１６５と、円筒部１６４の上端部を塞ぐ上蓋部１６６
とを有するキャスタブル耐火物から成る炉体１６２を備
える。円筒部１６４内には、前述の上下２段の分散板７
２，７７がそれぞれ設けられ、これらの分散板７２，７
７によって２つの熱交換室１６７，１６８と風箱１６９
とが形成される。上段の分散板７２とその上方に形成さ
れる流動層とによる圧力損失は、第６圧力損失検出手段
１７０によって検出され、その出力は第６制御手段１７
１に入力される。第６制御手段１７１は、前記第４気密
排出手段７５のモータ１７２を前記圧力損失が一定とな
るように制御し、このモータ１７２によって駆動される
ロータリフィーダ１７３の流量を制御する。
クト１６３によって熱交換器ＨＲに導かれる。この熱交
換器ＨＲは、直円筒状（角形でもよい）の円筒部１６４
と、円筒部１６４の下端部に連なる逆円錐台状の円錐台
部１６５と、円筒部１６４の上端部を塞ぐ上蓋部１６６
とを有するキャスタブル耐火物から成る炉体１６２を備
える。円筒部１６４内には、前述の上下２段の分散板７
２，７７がそれぞれ設けられ、これらの分散板７２，７
７によって２つの熱交換室１６７，１６８と風箱１６９
とが形成される。上段の分散板７２とその上方に形成さ
れる流動層とによる圧力損失は、第６圧力損失検出手段
１７０によって検出され、その出力は第６制御手段１７
１に入力される。第６制御手段１７１は、前記第４気密
排出手段７５のモータ１７２を前記圧力損失が一定とな
るように制御し、このモータ１７２によって駆動される
ロータリフィーダ１７３の流量を制御する。
【００８４】図７は、分岐手段４５の具体的構成を示す
拡大断面図である。前記分岐手段４５は、本実施の形態
では、バタフライ弁によって実現され、たとえば耐熱性
金属製または耐火物で内張りされた逆Ｙ字状のケーシン
グ１８１と、水平軸線１８２まわりに矢符Ａ１，Ａ２方
向に回動する駆動軸１８３と、駆動軸１８３に固定さ
れ、偏平な板状の金属板から成る切換部材１８４と、前
記駆動軸１８３に連結されるブレーキ付モータ（図示せ
ず）および２つのリミットスイッチ（図示せず）を内蔵
し、切換部材１８４が仮想線１８４ａ，１８４ｂで示さ
れる切換位置で停止するように駆動軸１８３を回動する
駆動手段１８５とを有する。
拡大断面図である。前記分岐手段４５は、本実施の形態
では、バタフライ弁によって実現され、たとえば耐熱性
金属製または耐火物で内張りされた逆Ｙ字状のケーシン
グ１８１と、水平軸線１８２まわりに矢符Ａ１，Ａ２方
向に回動する駆動軸１８３と、駆動軸１８３に固定さ
れ、偏平な板状の金属板から成る切換部材１８４と、前
記駆動軸１８３に連結されるブレーキ付モータ（図示せ
ず）および２つのリミットスイッチ（図示せず）を内蔵
し、切換部材１８４が仮想線１８４ａ，１８４ｂで示さ
れる切換位置で停止するように駆動軸１８３を回動する
駆動手段１８５とを有する。
【００８５】前記ケーシング１８１は、予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃ側のシュート６８にフランジ接合によって接続される
流入部１８６と、焼成炉ＫＦ側のシュート１１２にフラ
ンジ接合によって接続される第１排出部１８７と、熱交
換器ＨＲ側のシュート６９にフランジ接合によって接続
される第２排出部１８８とを有する。第１および第２排
出部１８７，１８８の相互に近接する周壁部分１８９，
１９０が鋭角に交差する出隅部１９１には、前記駆動軸
１８３が水平軸線１８２まわりに回動自在に支持されて
おり、この駆動軸１８３には前記切換部材１８４の基端
部が固定される。切換部材１８４の遊端部は、駆動軸１
８３が駆動手段１８５によって矢符Ａ１方向に回動し、
前記一方のリミットスイッチによって停止したとき、流
入部１８５の第１排出部１８７に連なる内壁面１９２に
押付けられた状態で支持され、また駆動軸１８３が駆動
手段１８５によって矢符Ａ２方向に回動して前記他方の
リミットスイッチによって停止したときには、流入部１
８６の第２排出部１８８に連なる内壁面１９３に押付け
られた状態で支持される。
Ｃ側のシュート６８にフランジ接合によって接続される
流入部１８６と、焼成炉ＫＦ側のシュート１１２にフラ
ンジ接合によって接続される第１排出部１８７と、熱交
換器ＨＲ側のシュート６９にフランジ接合によって接続
される第２排出部１８８とを有する。第１および第２排
出部１８７，１８８の相互に近接する周壁部分１８９，
１９０が鋭角に交差する出隅部１９１には、前記駆動軸
１８３が水平軸線１８２まわりに回動自在に支持されて
おり、この駆動軸１８３には前記切換部材１８４の基端
部が固定される。切換部材１８４の遊端部は、駆動軸１
８３が駆動手段１８５によって矢符Ａ１方向に回動し、
前記一方のリミットスイッチによって停止したとき、流
入部１８５の第１排出部１８７に連なる内壁面１９２に
押付けられた状態で支持され、また駆動軸１８３が駆動
手段１８５によって矢符Ａ２方向に回動して前記他方の
リミットスイッチによって停止したときには、流入部１
８６の第２排出部１８８に連なる内壁面１９３に押付け
られた状態で支持される。
【００８６】このようにして切換動作する切換部材１８
４が矢符Ａ１方向に回動して仮想線１８４ａで示される
第１閉鎖位置に配置された状態では、予熱／仮焼炉ＰＣ
からシュート６８を介して流入部１８６に導かれた原料
が、第２排出部１８８を経て熱交換器ＨＲ側のシュート
６９に導かれる。また切換部材１８４が矢符Ａ２方向に
回動して仮想線１８４ｂで示される第２閉鎖位置に配置
された状態では、前記流入部１８６に導かれた原料は、
第１排出部１８７を経て焼成炉ＫＦ側のシュート１１２
に導かれる。
４が矢符Ａ１方向に回動して仮想線１８４ａで示される
第１閉鎖位置に配置された状態では、予熱／仮焼炉ＰＣ
からシュート６８を介して流入部１８６に導かれた原料
が、第２排出部１８８を経て熱交換器ＨＲ側のシュート
６９に導かれる。また切換部材１８４が矢符Ａ２方向に
回動して仮想線１８４ｂで示される第２閉鎖位置に配置
された状態では、前記流入部１８６に導かれた原料は、
第１排出部１８７を経て焼成炉ＫＦ側のシュート１１２
に導かれる。
【００８７】このように構成される分岐手段４５によっ
て、前述したように、焼成炉ＫＦ側のシュート１１２に
導かれる原料の流量をＱ１とし、熱交換器ＨＲ側のシュ
ート６９に導かれる原料の流量をＱ２としたとき、その
流量比η＝Ｑ１／Ｑ２を調整するには、前記駆動手段１
８５による切換部材１８４の第１および第２閉鎖位置１
８４ａ，１８４ｂに配置されている時間配分、すなわち
作動タイミングを制御することによって、調整すること
ができる。このような流量比ηは、前述したように、焼
成炉ＫＦに導かれる予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の流量
をＱ１が、原料投入シュート９０から投入される原料の
投入量Ｒと等しくなり、かつ予熱／仮焼炉ＰＣおよび熱
交換器ＨＲ間の循環量ＲCが一定となるように、設定す
ることができる。
て、前述したように、焼成炉ＫＦ側のシュート１１２に
導かれる原料の流量をＱ１とし、熱交換器ＨＲ側のシュ
ート６９に導かれる原料の流量をＱ２としたとき、その
流量比η＝Ｑ１／Ｑ２を調整するには、前記駆動手段１
８５による切換部材１８４の第１および第２閉鎖位置１
８４ａ，１８４ｂに配置されている時間配分、すなわち
作動タイミングを制御することによって、調整すること
ができる。このような流量比ηは、前述したように、焼
成炉ＫＦに導かれる予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の流量
をＱ１が、原料投入シュート９０から投入される原料の
投入量Ｒと等しくなり、かつ予熱／仮焼炉ＰＣおよび熱
交換器ＨＲ間の循環量ＲCが一定となるように、設定す
ることができる。
【００８８】第１および第８気密排出手段４７，１２９
は、図２を参照して前述した気密排出手段４７と同様に
構成され、それぞれ同様に動作され、同様の効果を得る
ことができる。
は、図２を参照して前述した気密排出手段４７と同様に
構成され、それぞれ同様に動作され、同様の効果を得る
ことができる。
【００８９】前記第２〜第７気密排出手段５０，７０，
７５，８２，８５，９２ならびに第９および第１０気密
排出手段１５３，５０１は、図３を参照して前述した気
密排出手段５０と同様に構成され、それぞれ同様に動作
し、同様の効果を得ることができる。
７５，８２，８５，９２ならびに第９および第１０気密
排出手段１５３，５０１は、図３を参照して前述した気
密排出手段５０と同様に構成され、それぞれ同様に動作
し、同様の効果を得ることができる。
【００９０】図８は、焼成装置４１に備えられる第１〜
第６、第８および第９気密排出手段４７，５０，７０，
７５，８２，８５，１２９，１５２を制御するための制
御装置２３４ａの電気的構成を示すブロック図である。
制御装置２３４ａは、設定手段２３５と、第１〜第７圧
力損失検出手段４６，４９，１０１，１０２，１３１，
１７０，５０２と、第１〜第８制御手段４８，５１，１
０３，１０４，１３２，１７１，１３４，１５９と、駆
動手段２３６〜２４１，２４３，２４４とを含む。
第６、第８および第９気密排出手段４７，５０，７０，
７５，８２，８５，１２９，１５２を制御するための制
御装置２３４ａの電気的構成を示すブロック図である。
制御装置２３４ａは、設定手段２３５と、第１〜第７圧
力損失検出手段４６，４９，１０１，１０２，１３１，
１７０，５０２と、第１〜第８制御手段４８，５１，１
０３，１０４，１３２，１７１，１３４，１５９と、駆
動手段２３６〜２４１，２４３，２４４とを含む。
【００９１】この制御装置２３４ａは、たとえばパーソ
ナルコンピュータによって実現され、設定手段２３５は
そのパーソナルコンピュータのキーボードによって実現
される。この設定手段２３５によって予熱／仮焼炉ＰＣ
を最下段の流動層および分散板６４による圧力損失の設
定値ΔＰ１ａが入力されると、第１制御手段４８は設定
値ΔＰ１ａと第１圧力損失検出手段４６による圧力損失
の検出値ΔＰ１とを比較し、検出値ΔＰ１が設定値ΔＰ
１ａ未満であれば停止信号を駆動手段２３６に出力して
気密排出手段４７による原料の排出を停止させ、また検
出値ΔＰ１が設定値ΔＰ１ａ以上であるときには駆動信
号を駆動手段２３６に出力して第１気密排出手段４７を
排出動作させる。
ナルコンピュータによって実現され、設定手段２３５は
そのパーソナルコンピュータのキーボードによって実現
される。この設定手段２３５によって予熱／仮焼炉ＰＣ
を最下段の流動層および分散板６４による圧力損失の設
定値ΔＰ１ａが入力されると、第１制御手段４８は設定
値ΔＰ１ａと第１圧力損失検出手段４６による圧力損失
の検出値ΔＰ１とを比較し、検出値ΔＰ１が設定値ΔＰ
１ａ未満であれば停止信号を駆動手段２３６に出力して
気密排出手段４７による原料の排出を停止させ、また検
出値ΔＰ１が設定値ΔＰ１ａ以上であるときには駆動信
号を駆動手段２３６に出力して第１気密排出手段４７を
排出動作させる。
【００９２】設定手段２３５によって、熱交換器ＨＲの
下段の流動層および分散板７７による圧力損失の設定値
ΔＰ２ａを入力すると、第２制御手段５１は第２圧力損
失検出手段４９によって検出された圧力損失の検出値Δ
Ｐ２とを比較し、この検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２ａ未
満であれば、停止または減速信号を駆動手段２３７に出
力して、第２気密排出手段５０による原料の排出量を減
少または停止させ、検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２ａ以上
であれば増速信号または駆動信号を出力して、第２気密
排出手段５０による排出動作を開始させまたは増速させ
る。
下段の流動層および分散板７７による圧力損失の設定値
ΔＰ２ａを入力すると、第２制御手段５１は第２圧力損
失検出手段４９によって検出された圧力損失の検出値Δ
Ｐ２とを比較し、この検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２ａ未
満であれば、停止または減速信号を駆動手段２３７に出
力して、第２気密排出手段５０による原料の排出量を減
少または停止させ、検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２ａ以上
であれば増速信号または駆動信号を出力して、第２気密
排出手段５０による排出動作を開始させまたは増速させ
る。
【００９３】さらに設定手段２３５によって、予熱／仮
焼炉ＰＣの最終段の流動層および分散板６２による圧力
損失の設定値ΔＰ３ａが入力されると、第３制御手段１
０３は第３圧力損失検出手段１０１によって検出された
圧力損失の検出値ΔＰ３と比較し、この検出値ΔＰ３が
設定値ΔＰ３ａ未満であれば停止信号または減速信号を
駆動手段２３８へ出力して第５気密排出手段８２による
排出動作を停止させまたは減速させ、検出値ΔＰ３が設
定値ΔＰ３ａ以上であれば、駆動信号または増速信号を
駆動手段２３８に出力して第５気密排出手段８２による
排出動作を開始させまたは増速させる。
焼炉ＰＣの最終段の流動層および分散板６２による圧力
損失の設定値ΔＰ３ａが入力されると、第３制御手段１
０３は第３圧力損失検出手段１０１によって検出された
圧力損失の検出値ΔＰ３と比較し、この検出値ΔＰ３が
設定値ΔＰ３ａ未満であれば停止信号または減速信号を
駆動手段２３８へ出力して第５気密排出手段８２による
排出動作を停止させまたは減速させ、検出値ΔＰ３が設
定値ΔＰ３ａ以上であれば、駆動信号または増速信号を
駆動手段２３８に出力して第５気密排出手段８２による
排出動作を開始させまたは増速させる。
【００９４】設定手段２３５によって、予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃの中段の流動層および分散板６３による圧力損失の設
定値ΔＰ４ａを入力すると、制御手段１０４は第４圧力
損失検出手段１０２によって検出された圧力損失の検出
値ΔＰ４とを比較し、この検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４
ａ未満であれば停止信号または減速信号を駆動手段２３
９に出力し、第６気密排出手段８５による排出動作を停
止させ、または減速させ、検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４
ａ以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段２
３９に出力し、第６気密排出手段８５による排出動作を
開始させまたは増速させる。
Ｃの中段の流動層および分散板６３による圧力損失の設
定値ΔＰ４ａを入力すると、制御手段１０４は第４圧力
損失検出手段１０２によって検出された圧力損失の検出
値ΔＰ４とを比較し、この検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４
ａ未満であれば停止信号または減速信号を駆動手段２３
９に出力し、第６気密排出手段８５による排出動作を停
止させ、または減速させ、検出値ΔＰ４が設定値ΔＰ４
ａ以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段２
３９に出力し、第６気密排出手段８５による排出動作を
開始させまたは増速させる。
【００９５】設定手段２３５によって、焼成炉ＫＦの流
動層より分散板４４による圧力損失の設定値ΔＰ５ａを
入力すると、第５制御手段１３２は第５圧力損失検出手
段１３１によって検出された圧力損失の検出値ΔＰ５と
比較し、この検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ未満であれ
ば、停止信号または減速信号を駆動手段２４０に出力し
て第８気密排出手段１２９による排出動作を停止させま
たは減速させ、検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ以上であ
れば、駆動信号または増速信号を駆動手段２３９に出力
し、第８気密排出手段１２９による排出動作を開始また
は増速させる。
動層より分散板４４による圧力損失の設定値ΔＰ５ａを
入力すると、第５制御手段１３２は第５圧力損失検出手
段１３１によって検出された圧力損失の検出値ΔＰ５と
比較し、この検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ未満であれ
ば、停止信号または減速信号を駆動手段２４０に出力し
て第８気密排出手段１２９による排出動作を停止させま
たは減速させ、検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａ以上であ
れば、駆動信号または増速信号を駆動手段２３９に出力
し、第８気密排出手段１２９による排出動作を開始また
は増速させる。
【００９６】設定手段２３５によって熱交換器ＨＲの上
段の流動層および分散板７２による圧力損失の設定値Δ
Ｐ６ａが入力されると、第６制御手段１７１は第６圧力
損失検出手段１７０によって検出された圧力損失の検出
値ΔＰ６と比較して、この検出値ΔＰ６が設定値ΔＰ６
ａ未満であれば、停止信号または減速信号を駆動手段１
４に出力して第４気密排出手段７５による排出動作を停
止させまたは減速させ、検出値ΔＰ６が設定値ΔＰ６ａ
以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段１４
１に出力して第４気密排出手段７５による排出動作を開
始させまたは増速させる。
段の流動層および分散板７２による圧力損失の設定値Δ
Ｐ６ａが入力されると、第６制御手段１７１は第６圧力
損失検出手段１７０によって検出された圧力損失の検出
値ΔＰ６と比較して、この検出値ΔＰ６が設定値ΔＰ６
ａ未満であれば、停止信号または減速信号を駆動手段１
４に出力して第４気密排出手段７５による排出動作を停
止させまたは減速させ、検出値ΔＰ６が設定値ΔＰ６ａ
以上であれば、駆動信号または増速信号を駆動手段１４
１に出力して第４気密排出手段７５による排出動作を開
始させまたは増速させる。
【００９７】設定手段２３５によって、冷却装置ＦＢＱ
の冷却室１３８の流動層および分散板４０による圧力損
失の設定値ΔＰ９ａを入力すると、第７制御手段１５９
は第７圧力損失検出手段５０２によって検出された圧力
損失の検出値ΔＰ９とを比較し、この検出値ΔＰ９が設
定値ΔＰ９ａ未満であれば、停止または減速信号を駆動
手段２４４に出力して、第９気密排出手段１５３による
原料の排出量を減少または停止させ、検出値ΔＰ９が設
定値ΔＰ９ａ以上であれば増速信号または駆動信号を出
力して、第９気密排出手段１５３による排出動作を開始
させまたは増速させる。
の冷却室１３８の流動層および分散板４０による圧力損
失の設定値ΔＰ９ａを入力すると、第７制御手段１５９
は第７圧力損失検出手段５０２によって検出された圧力
損失の検出値ΔＰ９とを比較し、この検出値ΔＰ９が設
定値ΔＰ９ａ未満であれば、停止または減速信号を駆動
手段２４４に出力して、第９気密排出手段１５３による
原料の排出量を減少または停止させ、検出値ΔＰ９が設
定値ΔＰ９ａ以上であれば増速信号または駆動信号を出
力して、第９気密排出手段１５３による排出動作を開始
させまたは増速させる。
【００９８】さらに設定手段２３５によって、予熱／仮
焼炉ＰＣの最終段の予熱／仮焼室６０の温度の設定値Ｔ
ａが入力されると、第８制御手段１３８は温度検出手段
５５２によって検出された温度の検出値Ｔと比較し、こ
の検出値Ｔが設定値Ｔａ未満であれば停止信号または減
速信号を駆動手段２４３へ出力して第３気密排出手段７
０による排出動作を停止させまたは減速させ、検出値Ｔ
が設定値Ｔａ以上であれば、駆動信号または増速信号を
駆動手段２４３に出力して第３気密排出手段７０による
排出動作を開始させまたは増速させる。
焼炉ＰＣの最終段の予熱／仮焼室６０の温度の設定値Ｔ
ａが入力されると、第８制御手段１３８は温度検出手段
５５２によって検出された温度の検出値Ｔと比較し、こ
の検出値Ｔが設定値Ｔａ未満であれば停止信号または減
速信号を駆動手段２４３へ出力して第３気密排出手段７
０による排出動作を停止させまたは減速させ、検出値Ｔ
が設定値Ｔａ以上であれば、駆動信号または増速信号を
駆動手段２４３に出力して第３気密排出手段７０による
排出動作を開始させまたは増速させる。
【００９９】また、予熱／仮焼炉ＰＣの温度に代えて、
熱交換器ＨＲの温度を温度検出手段５５２によって検出
し、この検出値に基づいて、同様に第３気密排出手段７
０を動作するように制御してもよい。
熱交換器ＨＲの温度を温度検出手段５５２によって検出
し、この検出値に基づいて、同様に第３気密排出手段７
０を動作するように制御してもよい。
【０１００】図９は、制御装置２３４の制御動作を説明
するためのフローチャートである。まず、制御動作が開
始され、ブロア１４３および誘引ファン９９が駆動され
て、バーナ４３が燃焼を開始し、予熱／仮焼炉ＰＣ、焼
成炉ＫＦ、熱交換器ＨＲおよび冷却装置ＦＢＱには流動
層が形成されずにガスだけが移動している状態で焼成装
置４１を立上げる。このとき、分岐手段４７の切換部材
１８４は、図７の仮想線１８４ｂで示されるように、熱
交換器ＨＲ側の第２排出部１８８を閉じ、この焼成炉Ｋ
Ｆ内のガスは、ダクト１２５から捕集サイクロンＣ０を
経て、ダクト１２７から予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１内
に導かれる。
するためのフローチャートである。まず、制御動作が開
始され、ブロア１４３および誘引ファン９９が駆動され
て、バーナ４３が燃焼を開始し、予熱／仮焼炉ＰＣ、焼
成炉ＫＦ、熱交換器ＨＲおよび冷却装置ＦＢＱには流動
層が形成されずにガスだけが移動している状態で焼成装
置４１を立上げる。このとき、分岐手段４７の切換部材
１８４は、図７の仮想線１８４ｂで示されるように、熱
交換器ＨＲ側の第２排出部１８８を閉じ、この焼成炉Ｋ
Ｆ内のガスは、ダクト１２５から捕集サイクロンＣ０を
経て、ダクト１２７から予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６１内
に導かれる。
【０１０１】このようにして予熱／仮焼炉ＰＣの風箱６
１内に導かれたガスは、最下段の分散板６４の透孔６７
を通過して上昇し、次に中段の分散板６３の透孔６６を
通過して上昇し、さらに最上段の分散板６２の透孔６５
を通過して上昇する。こうして予熱／仮焼炉ＰＣの最上
段の予熱／仮焼室５８に導かれたガスは、ダクト８７を
経て最上段のサイクロンＣ１に導かれ、ダクト９８から
誘引ファン９９によって大気へ放散される。このような
状態では、第１気密排出手段４７は第１制御手段４８に
よって排出状態とされ、第２気密排出手段５０は第２制
御手段５１によって排出停止状態とされ、第３気密排出
手段７０は第８制御手段１３４によって排出停止状態と
され、第４気密排出手段７５は第６制御手段１７１によ
って排出状態とされ、第５気密排出手段８２は第３制御
手段１０３によって排出状態とされ、第６気密排出手段
８５は第４制御手段１０４によって排出状態とされ、第
７気密排出手段９２は排出状態とされ、第８気密排出手
段１２９は第５制御手段１３２によって排出停止状態と
され、第９気密排出手段１５２は第９制御手段１５９に
よって排出停止状態とされる。
１内に導かれたガスは、最下段の分散板６４の透孔６７
を通過して上昇し、次に中段の分散板６３の透孔６６を
通過して上昇し、さらに最上段の分散板６２の透孔６５
を通過して上昇する。こうして予熱／仮焼炉ＰＣの最上
段の予熱／仮焼室５８に導かれたガスは、ダクト８７を
経て最上段のサイクロンＣ１に導かれ、ダクト９８から
誘引ファン９９によって大気へ放散される。このような
状態では、第１気密排出手段４７は第１制御手段４８に
よって排出状態とされ、第２気密排出手段５０は第２制
御手段５１によって排出停止状態とされ、第３気密排出
手段７０は第８制御手段１３４によって排出停止状態と
され、第４気密排出手段７５は第６制御手段１７１によ
って排出状態とされ、第５気密排出手段８２は第３制御
手段１０３によって排出状態とされ、第６気密排出手段
８５は第４制御手段１０４によって排出状態とされ、第
７気密排出手段９２は排出状態とされ、第８気密排出手
段１２９は第５制御手段１３２によって排出停止状態と
され、第９気密排出手段１５２は第９制御手段１５９に
よって排出停止状態とされる。
【０１０２】ブロア１４３から冷却装置ＦＢＱに供給さ
れた空気は、ダクト１４８，１４９，１５０を経て最下
段のサイクロンＣ２に導かれ、このサイクロンＣ２から
ダクト１６３を経て熱交換器ＨＲの風箱１６９に供給さ
れる。風箱１６９に供給された空気は下段の分散板７７
の透孔７８を通過して上昇し、さらに上段の分散板７２
の透孔７３を通過して上昇し、ダクト１２３によって焼
成炉ＫＦの風箱１２２に導かれる。
れた空気は、ダクト１４８，１４９，１５０を経て最下
段のサイクロンＣ２に導かれ、このサイクロンＣ２から
ダクト１６３を経て熱交換器ＨＲの風箱１６９に供給さ
れる。風箱１６９に供給された空気は下段の分散板７７
の透孔７８を通過して上昇し、さらに上段の分散板７２
の透孔７３を通過して上昇し、ダクト１２３によって焼
成炉ＫＦの風箱１２２に導かれる。
【０１０３】このような状態で、ステップａ１で、予熱
／仮焼炉ＰＣの原料投入シュート９０から原料の投入を
開始すると、その原料はダクト８７内を上昇するガスに
よって最上段のサイクロンＣ１に導かれ、この最上段の
サイクロンＣ１で捕集された原料は、シュート９１から
排出動作状態にある第７気密排出手段９２を経て、シュ
ート９３から予熱／仮焼炉ＰＣの最上段の予熱／仮焼室
５８内へ供給され、分散板６２上で流動化される。この
ようにして最上段の分散板６２上で流動層を形成する原
料の一部は、シュート８１から排出動作中である第５気
密排出手段８２を経てシュート８３から中段の予熱／仮
焼室５９内に導かれ、分散板６３上で流動化される。こ
の分散板６３上で一定量の流動層が形成されると、その
一部の原料がシュート８４から排出動作中の第６気密排
出手段８５を経てシュート８６から最下段の予熱／仮焼
室６０に導かれ、最下段の分散板６４上で流動層を形成
する。最下段の流動層を形成する原料の一部は、シュー
ト６８から分岐手段４５によって焼成炉ＫＦ側のシュー
ト１１２に導かれ、さらに排出状態にある第１気密排出
手段４７を経てシュート１１３から焼成炉ＫＦに導かれ
る。このようにして原料投入シュート９０から原料を投
入し続けながら、焼成炉ＫＦの分散板４４上に所定量の
原料が溜まって流動層が形成される。
／仮焼炉ＰＣの原料投入シュート９０から原料の投入を
開始すると、その原料はダクト８７内を上昇するガスに
よって最上段のサイクロンＣ１に導かれ、この最上段の
サイクロンＣ１で捕集された原料は、シュート９１から
排出動作状態にある第７気密排出手段９２を経て、シュ
ート９３から予熱／仮焼炉ＰＣの最上段の予熱／仮焼室
５８内へ供給され、分散板６２上で流動化される。この
ようにして最上段の分散板６２上で流動層を形成する原
料の一部は、シュート８１から排出動作中である第５気
密排出手段８２を経てシュート８３から中段の予熱／仮
焼室５９内に導かれ、分散板６３上で流動化される。こ
の分散板６３上で一定量の流動層が形成されると、その
一部の原料がシュート８４から排出動作中の第６気密排
出手段８５を経てシュート８６から最下段の予熱／仮焼
室６０に導かれ、最下段の分散板６４上で流動層を形成
する。最下段の流動層を形成する原料の一部は、シュー
ト６８から分岐手段４５によって焼成炉ＫＦ側のシュー
ト１１２に導かれ、さらに排出状態にある第１気密排出
手段４７を経てシュート１１３から焼成炉ＫＦに導かれ
る。このようにして原料投入シュート９０から原料を投
入し続けながら、焼成炉ＫＦの分散板４４上に所定量の
原料が溜まって流動層が形成される。
【０１０４】ステップａ２で、第１、第３、第４および
第５圧力損失検出手段４６，１０１，１０２，１３１に
よって検出された検出値ΔＰ１，ΔＰ３，ΔＰ４，ΔＰ
５のうちいずれか、たとえば圧力損失検出手段１３１に
よって検出された焼成炉ＫＦ内の流動層および分散板４
４による圧力損失の検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａに達
すると、ステップａ３で第５制御手段１３２は第８気密
排出手段１２９に排出動作を開始させ、分散板４４上に
所定の層厚の流動層を形成しながら余剰の原料をシュー
ト１２８、第８気密排出手段１２９およびシュート１３
０を経て冷却装置ＦＢＱに供給する。このようにして冷
却装置ＦＢＱ内の各分散板１４６，１４７上に流動層が
形成され、ブロア１４３から各風箱１４１，１４２内に
供給された空気と熱交換した高温のガスが、ダクト１４
８，１４９，１５０から最下段のサイクロンＣ２および
ダクト１６３を経て、熱交換器ＨＲに導かれる。また、
残余の圧力損失検出手段４６，１０１，１０２による検
出値ΔＰ１，ΔＰ３，ΔＰ４が対応する設定値ΔＰ１
ａ，ΔＰ３ａ，ΔＰ４ａに達すると、対応する気密排出
手段４７，８２，８５の排出動作を開始する。
第５圧力損失検出手段４６，１０１，１０２，１３１に
よって検出された検出値ΔＰ１，ΔＰ３，ΔＰ４，ΔＰ
５のうちいずれか、たとえば圧力損失検出手段１３１に
よって検出された焼成炉ＫＦ内の流動層および分散板４
４による圧力損失の検出値ΔＰ５が設定値ΔＰ５ａに達
すると、ステップａ３で第５制御手段１３２は第８気密
排出手段１２９に排出動作を開始させ、分散板４４上に
所定の層厚の流動層を形成しながら余剰の原料をシュー
ト１２８、第８気密排出手段１２９およびシュート１３
０を経て冷却装置ＦＢＱに供給する。このようにして冷
却装置ＦＢＱ内の各分散板１４６，１４７上に流動層が
形成され、ブロア１４３から各風箱１４１，１４２内に
供給された空気と熱交換した高温のガスが、ダクト１４
８，１４９，１５０から最下段のサイクロンＣ２および
ダクト１６３を経て、熱交換器ＨＲに導かれる。また、
残余の圧力損失検出手段４６，１０１，１０２による検
出値ΔＰ１，ΔＰ３，ΔＰ４が対応する設定値ΔＰ１
ａ，ΔＰ３ａ，ΔＰ４ａに達すると、対応する気密排出
手段４７，８２，８５の排出動作を開始する。
【０１０５】ステップａ４で冷却装置ＦＢＱの圧力損失
の検出値ΔＰ９が設定値ΔＰ９ａに達したら、ステップ
ａ５で第９気密排出手段１５３の排出を開始し、冷却装
置ＦＢＱの圧力損失が一定になるよう排出量を制御す
る。
の検出値ΔＰ９が設定値ΔＰ９ａに達したら、ステップ
ａ５で第９気密排出手段１５３の排出を開始し、冷却装
置ＦＢＱの圧力損失が一定になるよう排出量を制御す
る。
【０１０６】こうして熱交換器ＨＲ内のガスは徐々に昇
温し、この熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガス
の温度が上昇して、ダクト１２５、捕集サイクロンＣ０
およびダクト１２７から予熱／仮焼炉ＰＣに高温のガス
が導かれる。このようにして予熱／仮焼炉ＰＣおよび焼
成炉ＫＦ内の各流動層による圧力損失が設定値を下まわ
らないように原料の排出量が制御されながら、予熱／仮
焼炉ＰＣへのガスの温度が上昇し、約７００〜８００℃
に達する。ステップａ６で分岐手段４５の切換部材１８
４は、図３の仮想線１８４ｂから矢符Ａ１方向に傾動さ
せて仮想線１８４ａに示される位置へ配置し、焼成炉Ｋ
Ｆ側の第１排出部１８７を閉じ、予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料を熱交換器ＨＲに導く。このとき第３気密排出手
段７０はすでに排出動作しているため、所定の流量で原
料を熱交換器ＨＲの上段の熱交換室１６７に供給するこ
とができる。
温し、この熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガス
の温度が上昇して、ダクト１２５、捕集サイクロンＣ０
およびダクト１２７から予熱／仮焼炉ＰＣに高温のガス
が導かれる。このようにして予熱／仮焼炉ＰＣおよび焼
成炉ＫＦ内の各流動層による圧力損失が設定値を下まわ
らないように原料の排出量が制御されながら、予熱／仮
焼炉ＰＣへのガスの温度が上昇し、約７００〜８００℃
に達する。ステップａ６で分岐手段４５の切換部材１８
４は、図３の仮想線１８４ｂから矢符Ａ１方向に傾動さ
せて仮想線１８４ａに示される位置へ配置し、焼成炉Ｋ
Ｆ側の第１排出部１８７を閉じ、予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料を熱交換器ＨＲに導く。このとき第３気密排出手
段７０はすでに排出動作しているため、所定の流量で原
料を熱交換器ＨＲの上段の熱交換室１６７に供給するこ
とができる。
【０１０７】こうして上段の分散板７２上には流動層が
形成され、ステップａ７でこの流動層と分散板７２とに
よる圧力損失は第６圧力損失検出手段１７０によって検
出される。この第６圧力損失検出手段１７０によって検
出された圧力損失の検出値ΔＰ６がその設定値ΔＰ６ａ
以上にならない限り、第４気密排出手段７５は第６制御
手段１７１からの駆動信号によって排出動作しており、
上段の流動層を形成する原料の一部がシュート７４、第
４気密排出手段７５およびシュート７６を経て下段の熱
交換室１６８内に導かれる。この下段の分散板７７上に
形成される流動層および前記分散板７７による圧力損失
は、第２圧力損失検出手段４９によって検出される。そ
の検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２未満であれば、第２制御
手段５１は第２気密排出手段５０を停止させたままに維
持し、検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２ａ以上になったと
き、ステップａ８で第２気密排出手段５０が排出動作を
開始し、下段の流動層を形成する原料の一部がシュート
９４、第２気密排出手段５０およびシュート９５に導か
れ、このシュート９５に導かれた原料は輸送手段９６に
よって上方へ輸送され、シュート９７から予熱／仮焼炉
ＰＣの最下段の予熱／仮焼室６０内へ供給される。
形成され、ステップａ７でこの流動層と分散板７２とに
よる圧力損失は第６圧力損失検出手段１７０によって検
出される。この第６圧力損失検出手段１７０によって検
出された圧力損失の検出値ΔＰ６がその設定値ΔＰ６ａ
以上にならない限り、第４気密排出手段７５は第６制御
手段１７１からの駆動信号によって排出動作しており、
上段の流動層を形成する原料の一部がシュート７４、第
４気密排出手段７５およびシュート７６を経て下段の熱
交換室１６８内に導かれる。この下段の分散板７７上に
形成される流動層および前記分散板７７による圧力損失
は、第２圧力損失検出手段４９によって検出される。そ
の検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２未満であれば、第２制御
手段５１は第２気密排出手段５０を停止させたままに維
持し、検出値ΔＰ２が設定値ΔＰ２ａ以上になったと
き、ステップａ８で第２気密排出手段５０が排出動作を
開始し、下段の流動層を形成する原料の一部がシュート
９４、第２気密排出手段５０およびシュート９５に導か
れ、このシュート９５に導かれた原料は輸送手段９６に
よって上方へ輸送され、シュート９７から予熱／仮焼炉
ＰＣの最下段の予熱／仮焼室６０内へ供給される。
【０１０８】このようにして予熱／仮焼炉ＰＣと熱交換
器ＨＲとの間を原料を循環させ、冷却装置ＦＢＱから導
かれるガスと熱交換させて高温のガスを焼成炉ＫＦの風
箱へ燃焼用空気として供給する。したがって前述したよ
うにバーナ４３の燃焼負荷が軽減され、燃料を節約する
ことができる。
器ＨＲとの間を原料を循環させ、冷却装置ＦＢＱから導
かれるガスと熱交換させて高温のガスを焼成炉ＫＦの風
箱へ燃焼用空気として供給する。したがって前述したよ
うにバーナ４３の燃焼負荷が軽減され、燃料を節約する
ことができる。
【０１０９】このようにして予熱／仮焼炉ＰＣおよび熱
交換器ＨＲ間で原料を循環させながら冷却装置ＦＢＱか
ら導かれるガスを加熱して焼成炉ＫＦへ供給し、この焼
成炉ＫＦで発生した高温のガスを予熱／仮焼炉ＰＣに導
いて投入された原料を予熱しまたは仮焼するようにした
ので、無駄な熱の消費を防ぐことができ、熱損失量を少
なくすることができる。しかも前記予熱／仮焼炉ＰＣは
多段流動層炉であるため、熱回収効率が高く、これによ
ってもまた熱効率を向上することができる。またこの予
熱／仮焼炉ＰＣによって投入された原料を予熱しまたは
仮焼するので、原料にサイクロンを用いた場合のように
遠心力が作用せず、これによって予熱／仮焼炉ＰＣ内の
原料の温度が再炭酸化反応温度以上になってもコーチン
グの発生を防ぐことできる。
交換器ＨＲ間で原料を循環させながら冷却装置ＦＢＱか
ら導かれるガスを加熱して焼成炉ＫＦへ供給し、この焼
成炉ＫＦで発生した高温のガスを予熱／仮焼炉ＰＣに導
いて投入された原料を予熱しまたは仮焼するようにした
ので、無駄な熱の消費を防ぐことができ、熱損失量を少
なくすることができる。しかも前記予熱／仮焼炉ＰＣは
多段流動層炉であるため、熱回収効率が高く、これによ
ってもまた熱効率を向上することができる。またこの予
熱／仮焼炉ＰＣによって投入された原料を予熱しまたは
仮焼するので、原料にサイクロンを用いた場合のように
遠心力が作用せず、これによって予熱／仮焼炉ＰＣ内の
原料の温度が再炭酸化反応温度以上になってもコーチン
グの発生を防ぐことできる。
【０１１０】前記焼成炉ＫＦによって焼成された原料す
なわち製品は、シュート１２８、第８気密排出手段１２
９およびシュート１３０を介して冷却装置ＦＢＱに導か
れるとともに、焼成炉ＫＦのフリーボードに浮遊する微
粉製品は、ダクト１２５から捕集サイクロンＣ０に導か
れる。この捕集サイクロンＣ０で捕集された微粉製品
は、シュート１２６によって前記シュート１３０に導か
れ、冷却装置ＦＢＱに供給される。冷却装置ＦＢＱに供
給された製品は、前記ブロア１３０から管路１４４，１
４５によって導かれた空気と熱交換して冷却され、微粉
はダクト１４８，１４９，１５０を経て最下段のサイク
ロンＣ２で捕集され、また流動層を形成する粉粒体はシ
ュート１５２に導かれ、前記最下段のサイクロンＣ２か
らシュート１５１を介して導かれた微粉製品と合流し、
第７制御手段１５９による第９気密排出手段１５３の排
出動作によって、シュート１５４から系外のたとえば搬
出コンベア上へ排出される。
なわち製品は、シュート１２８、第８気密排出手段１２
９およびシュート１３０を介して冷却装置ＦＢＱに導か
れるとともに、焼成炉ＫＦのフリーボードに浮遊する微
粉製品は、ダクト１２５から捕集サイクロンＣ０に導か
れる。この捕集サイクロンＣ０で捕集された微粉製品
は、シュート１２６によって前記シュート１３０に導か
れ、冷却装置ＦＢＱに供給される。冷却装置ＦＢＱに供
給された製品は、前記ブロア１３０から管路１４４，１
４５によって導かれた空気と熱交換して冷却され、微粉
はダクト１４８，１４９，１５０を経て最下段のサイク
ロンＣ２で捕集され、また流動層を形成する粉粒体はシ
ュート１５２に導かれ、前記最下段のサイクロンＣ２か
らシュート１５１を介して導かれた微粉製品と合流し、
第７制御手段１５９による第９気密排出手段１５３の排
出動作によって、シュート１５４から系外のたとえば搬
出コンベア上へ排出される。
【０１１１】以上のように本実施の形態によれば、粉粒
状原料を予熱および／または仮焼するにあたって、予熱
／仮焼炉ＰＣの分散板の下方から１１００℃以上の高温
ガスが供給される。この高温ガスは、たとえば前記粉粒
状原料を焼成する焼成炉からのガスであって、その熱的
性質として、粉粒状原料は石灰石ＣａＣＯ3 である場合
には、８００℃以上の温度下で、 ＣａＣＯ3→ＣａＯ＋ＣＯ2−４２．９ｋｃａｌ のように脱炭酸反応し、炭酸ガスＣＯ2を発生する。
状原料を予熱および／または仮焼するにあたって、予熱
／仮焼炉ＰＣの分散板の下方から１１００℃以上の高温
ガスが供給される。この高温ガスは、たとえば前記粉粒
状原料を焼成する焼成炉からのガスであって、その熱的
性質として、粉粒状原料は石灰石ＣａＣＯ3 である場合
には、８００℃以上の温度下で、 ＣａＣＯ3→ＣａＯ＋ＣＯ2−４２．９ｋｃａｌ のように脱炭酸反応し、炭酸ガスＣＯ2を発生する。
【０１１２】また粉粒状原料がドロマイトである場合に
は、６００℃以上の温度下では、 ＣａＣＯ3・ＭｇＣＯ3→ＣａＣＯ3＋ＭｇＯ＋ＣＯ2 のように反応して炭酸ガスＣＯ2 を発生する。
は、６００℃以上の温度下では、 ＣａＣＯ3・ＭｇＣＯ3→ＣａＣＯ3＋ＭｇＯ＋ＣＯ2 のように反応して炭酸ガスＣＯ2 を発生する。
【０１１３】したがって粉粒状原料として石灰石および
ドロマイトのいずれを用いた場合にも、焼成炉からのガ
スには炭酸ガスが含まれ、このようなガスを予熱に用い
ると、粉粒状原料は約６００℃以上で再炭酸化反応を生
じ、再炭酸化したＣａＣＯ3（石灰石）の付着性が高く
なり、前述した従来技術ではサスペンションプレヒータ
などのサイクロン内で遠心力を受けて壁内面に付着し、
成長してコーチングを発生するが、本発明では、分散板
上に流動層を形成するので、付着性が高くなった石灰石
またはドロマイトの微粉が付着してコーチングを発生す
ることが防がれる。このような流動層を形成するため
に、分散板を備える流動層炉が用いられ、この流動層炉
には、１１００℃の高温ガスが前記分散板の下方から供
給され、分散板上で粉粒状原料を流動化して充分に熱交
換し、高い熱回収効率で予熱／仮焼することができる。
ドロマイトのいずれを用いた場合にも、焼成炉からのガ
スには炭酸ガスが含まれ、このようなガスを予熱に用い
ると、粉粒状原料は約６００℃以上で再炭酸化反応を生
じ、再炭酸化したＣａＣＯ3（石灰石）の付着性が高く
なり、前述した従来技術ではサスペンションプレヒータ
などのサイクロン内で遠心力を受けて壁内面に付着し、
成長してコーチングを発生するが、本発明では、分散板
上に流動層を形成するので、付着性が高くなった石灰石
またはドロマイトの微粉が付着してコーチングを発生す
ることが防がれる。このような流動層を形成するため
に、分散板を備える流動層炉が用いられ、この流動層炉
には、１１００℃の高温ガスが前記分散板の下方から供
給され、分散板上で粉粒状原料を流動化して充分に熱交
換し、高い熱回収効率で予熱／仮焼することができる。
【０１１４】また本実施の形態によれば、焼成炉ＫＦに
は、熱交換器ＨＲからのガスが導かれ、このガスによっ
て前記焼成炉ＫＦに備えられるバーナが燃焼し、分岐手
段によって予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の一部分が導か
れ、この原料は流動化されながら焼成される。熱交換器
ＨＲには、前記分岐手段４５によって予熱／仮焼炉ＰＣ
からの原料の残余の部分が投入されるとともに、冷却装
置ＦＢＱからガスが導かれ、このガスと原料とが熱交換
し、この熱交換によって原料から熱回収して昇温したガ
スは、上記のように焼成炉ＫＦに導かれる。このように
して焼成炉ＫＦには熱交換器ＨＲからの温度の高いガス
が供給されるので、バーナの熱負荷が低減され、燃焼量
を節約することができる。前記予熱／仮焼炉ＰＣには、
前記焼成炉ＫＦからガスが導かれ、各分散板６５〜６７
上に投入された原料を流動化して予熱しまたはさらに仮
焼する。このような焼成炉ＫＦ内のＣａＯが飛散して仮
焼炉ＰＣに行き６００℃以上のガスによって再炭酸化さ
れて付着力が高くなっても、各分散板６５〜６７上で流
動化されているため、炉壁などに付着するおそれはな
く、コーチングを生じない。このようにしてコーチング
の発生を防ぎ、熱交換効率を向上して、粉粒状原料を焼
成することができる。
は、熱交換器ＨＲからのガスが導かれ、このガスによっ
て前記焼成炉ＫＦに備えられるバーナが燃焼し、分岐手
段によって予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の一部分が導か
れ、この原料は流動化されながら焼成される。熱交換器
ＨＲには、前記分岐手段４５によって予熱／仮焼炉ＰＣ
からの原料の残余の部分が投入されるとともに、冷却装
置ＦＢＱからガスが導かれ、このガスと原料とが熱交換
し、この熱交換によって原料から熱回収して昇温したガ
スは、上記のように焼成炉ＫＦに導かれる。このように
して焼成炉ＫＦには熱交換器ＨＲからの温度の高いガス
が供給されるので、バーナの熱負荷が低減され、燃焼量
を節約することができる。前記予熱／仮焼炉ＰＣには、
前記焼成炉ＫＦからガスが導かれ、各分散板６５〜６７
上に投入された原料を流動化して予熱しまたはさらに仮
焼する。このような焼成炉ＫＦ内のＣａＯが飛散して仮
焼炉ＰＣに行き６００℃以上のガスによって再炭酸化さ
れて付着力が高くなっても、各分散板６５〜６７上で流
動化されているため、炉壁などに付着するおそれはな
く、コーチングを生じない。このようにしてコーチング
の発生を防ぎ、熱交換効率を向上して、粉粒状原料を焼
成することができる。
【０１１５】さらに本実施の形態によれば、予熱／仮焼
炉ＰＣにおける少なくとも最下段の流動層による圧力損
失ΔＰ１を第１圧力損失検出手段４６によって検出し、
また熱交換器ＨＲにおける少なくとも下段の流動層によ
る圧力損失ΔＰ２が第２圧力損失検出手段４９によって
検出される。第１制御手段４８は、第１圧力損失検出手
段４６による圧力損失ΔＰ１が予め定める値になるよう
に、第１気密排出手段４７による原料の流量を制御し、
また第２制御手段５１は、第２圧力損失検出手段４９に
よる圧力損失ΔＰ２が予め定める値になるように、第２
気密排出手段５０による原料の流量を制御する。前記第
１気密排出手段４７による原料の流量は、たとえば投入
量Ｒに等しくなるように選ばれ、このような投入量Ｒに
等しい第１気密排出手段４７からの原料の流量となるよ
うに、第１制御手段４８による流量が設定される。また
第２気密排出手段５０による原料の流量は、熱交換器Ｈ
Ｒおよび予熱／仮焼炉ＰＣ間の原料の循環量Ｒｃが一定
となるように定められ、これによって熱交換器ＨＲから
焼成炉ＫＦに導かれるガスの温度が一定に保たれ、焼成
炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの温度を安
定させ、原料の投入量Ｒの変化に追従して、予熱／仮焼
炉ＰＣにおける原料の予熱温度または仮焼温度を一定に
保つことができる。また、投入量Ｒと無関係に循環量Ｒ
Ｃを第３気密排出装置７０で制御でき、循環量ＲＣを増
加すれば、熱交換器ＨＲでの回収熱が増加し、予熱／仮
焼炉ＰＣの温度が低下するので熱消費が低減できる。し
たがって熱交換器ＨＲまたは予熱／仮焼炉ＰＣの温度を
設定値になるように循環量ＲＣを制御することが好まし
い。
炉ＰＣにおける少なくとも最下段の流動層による圧力損
失ΔＰ１を第１圧力損失検出手段４６によって検出し、
また熱交換器ＨＲにおける少なくとも下段の流動層によ
る圧力損失ΔＰ２が第２圧力損失検出手段４９によって
検出される。第１制御手段４８は、第１圧力損失検出手
段４６による圧力損失ΔＰ１が予め定める値になるよう
に、第１気密排出手段４７による原料の流量を制御し、
また第２制御手段５１は、第２圧力損失検出手段４９に
よる圧力損失ΔＰ２が予め定める値になるように、第２
気密排出手段５０による原料の流量を制御する。前記第
１気密排出手段４７による原料の流量は、たとえば投入
量Ｒに等しくなるように選ばれ、このような投入量Ｒに
等しい第１気密排出手段４７からの原料の流量となるよ
うに、第１制御手段４８による流量が設定される。また
第２気密排出手段５０による原料の流量は、熱交換器Ｈ
Ｒおよび予熱／仮焼炉ＰＣ間の原料の循環量Ｒｃが一定
となるように定められ、これによって熱交換器ＨＲから
焼成炉ＫＦに導かれるガスの温度が一定に保たれ、焼成
炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの温度を安
定させ、原料の投入量Ｒの変化に追従して、予熱／仮焼
炉ＰＣにおける原料の予熱温度または仮焼温度を一定に
保つことができる。また、投入量Ｒと無関係に循環量Ｒ
Ｃを第３気密排出装置７０で制御でき、循環量ＲＣを増
加すれば、熱交換器ＨＲでの回収熱が増加し、予熱／仮
焼炉ＰＣの温度が低下するので熱消費が低減できる。し
たがって熱交換器ＨＲまたは予熱／仮焼炉ＰＣの温度を
設定値になるように循環量ＲＣを制御することが好まし
い。
【０１１６】図１０は、本発明の実施の他の形態の粉粒
状原料の焼成装置４１ａを示す系統図である。なお、図
１〜図９に示される各焼成装置４０，４４と対応する部
分には同一の参照符を付す。本実施の形態の焼成装置４
１ａは、予熱／仮焼炉ＰＣの最上段の予熱／仮焼室のガ
スをダクト２４６によってサイクロンＣ３に導き、この
サイクロンＣ３によって捕集されたガス中の微粉はシュ
ート２４７によって焼成炉ＫＦに導き、微粉が除去され
たガスだけをダクト２４８によって最上段のサイクロン
Ｃ１に導き、このダクト１４８に原料投入シュート９０
を設けて粉粒状原料を投入するように構成される。
状原料の焼成装置４１ａを示す系統図である。なお、図
１〜図９に示される各焼成装置４０，４４と対応する部
分には同一の参照符を付す。本実施の形態の焼成装置４
１ａは、予熱／仮焼炉ＰＣの最上段の予熱／仮焼室のガ
スをダクト２４６によってサイクロンＣ３に導き、この
サイクロンＣ３によって捕集されたガス中の微粉はシュ
ート２４７によって焼成炉ＫＦに導き、微粉が除去され
たガスだけをダクト２４８によって最上段のサイクロン
Ｃ１に導き、このダクト１４８に原料投入シュート９０
を設けて粉粒状原料を投入するように構成される。
【０１１７】このような構成によって、最上段のサイク
ロンＣ１からダクト９８および誘引ファン９９によって
排出されるガス中の微粉を少なくすることができるの
で、誘引ファン９９から排出されるガス中の微粉を除去
するための除塵器の構成を簡略化することができる。
ロンＣ１からダクト９８および誘引ファン９９によって
排出されるガス中の微粉を少なくすることができるの
で、誘引ファン９９から排出されるガス中の微粉を除去
するための除塵器の構成を簡略化することができる。
【０１１８】図１１は、本発明の実施のさらに他の形態
の粉粒状原料の焼成装置４１ｂを示す系統図である。な
お、図１〜図１０に示される各焼成装置４０，４１，４
１ａと対応する部分には同一の参照符を付す。本実施の
形態の焼成装置４１ｂは、輸送手段９６によって熱交換
器ＨＲからの原料を予熱／仮焼炉ＰＣに導くための構成
において、輸送手段９６をさらに上方に延長して、シュ
ート２４９から予熱／仮焼炉ＰＣの中段の予熱／仮焼室
５９に投入している。これによって熱交換器ＨＲにおい
て冷却装置ＦＢＱからのガスと熱交換して顕熱を回収さ
れた温度の低下した原料を中段の流動層と最下段の流動
層とに滞留させて充分に加熱することができ、熱回収効
率を向上することができる。
の粉粒状原料の焼成装置４１ｂを示す系統図である。な
お、図１〜図１０に示される各焼成装置４０，４１，４
１ａと対応する部分には同一の参照符を付す。本実施の
形態の焼成装置４１ｂは、輸送手段９６によって熱交換
器ＨＲからの原料を予熱／仮焼炉ＰＣに導くための構成
において、輸送手段９６をさらに上方に延長して、シュ
ート２４９から予熱／仮焼炉ＰＣの中段の予熱／仮焼室
５９に投入している。これによって熱交換器ＨＲにおい
て冷却装置ＦＢＱからのガスと熱交換して顕熱を回収さ
れた温度の低下した原料を中段の流動層と最下段の流動
層とに滞留させて充分に加熱することができ、熱回収効
率を向上することができる。
【０１１９】図１２は、本発明の実施のさらに他の形態
の粉粒状原料の焼成装置４１ｃを示す系統図である。な
お、図１〜図１１に示される各焼成装置４０，４１，４
１ａ，４１ｂと対応する部分には同一の参照符を付す。
本実施の形態の焼成装置４１ｃでは、捕集サイクロンか
ら予熱／仮焼炉ＰＣにガスを導くダクト１２７から分岐
する分岐ダクト２５０を設けて、前記ダクト２２７内の
ガスの一部を輸送手段９６に供給する。この輸送手段９
６は気流輸送手段によって実現され、この気流輸送手段
中で原料を浮遊して輸送するように構成される。具体的
には、前記輸送手段９６は、空気輸送管によって実現さ
れ、輸送中における原料の放熱による温度低下を防ぐこ
とができる。分岐ダクト２５０には、輸送手段９６に供
給するガスの流量を調整するために、流量調整弁２５８
が介在される。このような流量調整弁２５８の開閉制御
は、たとえば第２気密排出手段５０と連動させ、この第
２気密排出手段５０が排出動作を開始したときには流量
調整弁２５８を開放して輸送手段９６に高温のガスを供
給し、第２供給排出手段５０の排出動作が停止されたと
きには、流量調整弁２５８を閉鎖して輸送手段９６への
ガスの供給を開始するようにしてもよく、あるいは第３
気密排出手段７０の動作に連動して開閉動作させるよう
にしてもよい。
の粉粒状原料の焼成装置４１ｃを示す系統図である。な
お、図１〜図１１に示される各焼成装置４０，４１，４
１ａ，４１ｂと対応する部分には同一の参照符を付す。
本実施の形態の焼成装置４１ｃでは、捕集サイクロンか
ら予熱／仮焼炉ＰＣにガスを導くダクト１２７から分岐
する分岐ダクト２５０を設けて、前記ダクト２２７内の
ガスの一部を輸送手段９６に供給する。この輸送手段９
６は気流輸送手段によって実現され、この気流輸送手段
中で原料を浮遊して輸送するように構成される。具体的
には、前記輸送手段９６は、空気輸送管によって実現さ
れ、輸送中における原料の放熱による温度低下を防ぐこ
とができる。分岐ダクト２５０には、輸送手段９６に供
給するガスの流量を調整するために、流量調整弁２５８
が介在される。このような流量調整弁２５８の開閉制御
は、たとえば第２気密排出手段５０と連動させ、この第
２気密排出手段５０が排出動作を開始したときには流量
調整弁２５８を開放して輸送手段９６に高温のガスを供
給し、第２供給排出手段５０の排出動作が停止されたと
きには、流量調整弁２５８を閉鎖して輸送手段９６への
ガスの供給を開始するようにしてもよく、あるいは第３
気密排出手段７０の動作に連動して開閉動作させるよう
にしてもよい。
【０１２０】図１３は、本発明の実施のさらに他の形態
の粉粒状原料の焼成装置４１ｄを示す系統図である。な
お、図１〜図１２に示される各焼成装置４０，４１，４
１ａ〜４１ｃと対応する部分には同一の参照符を付す。
本実施の形態の焼成装置４１ｄでは、最下段のサイクロ
ンＣ２からのガスを輸送手段９６にダクト２５２によっ
て導き、このダクト２５２には流量調整弁２５３が介在
される。本実施の形態においても、前記輸送手段９６は
気流輸送手段によって実現され、さらに具体的には空気
輸送管によって実現される。ダクト２５２は、最下段の
サイクロンＣ２から熱交換器ＨＲの風箱１６９にガスを
導くダクト１６３から分岐して設けられ、このダクト１
６３内のガスの一部を輸送手段９６に導くことができ
る。このような構成によってもまた、輸送手段９６によ
る原料の輸送中の温度低下を防ぎ、熱消費を低減するこ
とができる。
の粉粒状原料の焼成装置４１ｄを示す系統図である。な
お、図１〜図１２に示される各焼成装置４０，４１，４
１ａ〜４１ｃと対応する部分には同一の参照符を付す。
本実施の形態の焼成装置４１ｄでは、最下段のサイクロ
ンＣ２からのガスを輸送手段９６にダクト２５２によっ
て導き、このダクト２５２には流量調整弁２５３が介在
される。本実施の形態においても、前記輸送手段９６は
気流輸送手段によって実現され、さらに具体的には空気
輸送管によって実現される。ダクト２５２は、最下段の
サイクロンＣ２から熱交換器ＨＲの風箱１６９にガスを
導くダクト１６３から分岐して設けられ、このダクト１
６３内のガスの一部を輸送手段９６に導くことができ
る。このような構成によってもまた、輸送手段９６によ
る原料の輸送中の温度低下を防ぎ、熱消費を低減するこ
とができる。
【０１２１】以上のように図２〜図１３の本実施の形態
によれば、熱交換器ＨＲにおいて、予熱／仮焼炉ＰＣか
らの原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加
熱され、この加熱によって温度が低下した原料は、第２
気密排出手段５０および気流輸送手段９６を介して前記
予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記気密排出手段５０に
よって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけ
が導かれ、ガスを遮断することができる。こうして熱交
換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環さ
せ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いることがで
きる。前記気流輸送手段９６は気密排出手段５０によっ
て導かれた原料をガスによって浮遊して輸送し、前記予
熱／仮焼炉ＰＣに供給する。このガスは、焼成炉ＫＦか
ら予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの一部分を分岐して
用いられ、これによって気流輸送中に原料が加熱され、
予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度低下が防がれる。
によれば、熱交換器ＨＲにおいて、予熱／仮焼炉ＰＣか
らの原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加
熱され、この加熱によって温度が低下した原料は、第２
気密排出手段５０および気流輸送手段９６を介して前記
予熱／仮焼炉ＰＣに戻される。前記気密排出手段５０に
よって、熱交換器ＨＲから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけ
が導かれ、ガスを遮断することができる。こうして熱交
換器ＨＲと予熱／仮焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環さ
せ、熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いることがで
きる。前記気流輸送手段９６は気密排出手段５０によっ
て導かれた原料をガスによって浮遊して輸送し、前記予
熱／仮焼炉ＰＣに供給する。このガスは、焼成炉ＫＦか
ら予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの一部分を分岐して
用いられ、これによって気流輸送中に原料が加熱され、
予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温度低下が防がれる。
【０１２２】また図１３の本実施の形態によれば、熱交
換器ＨＲにおいて、予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によっ
て冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加
熱によって温度が低下した原料は、気密排出手段５０お
よび気流輸送手段９６を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに
戻される。前記気密排出手段９６によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段９６は気密排出手段５０によって導かれた原料をガ
スによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供
給する。このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲ
に導かれるガスの一部分を分岐して用いられ、これによ
って気流輸送中に原料が冷却され、予熱／仮焼炉ＰＣの
炉内の温度低下し、それに伴って排ガス温度も低下する
ので、熱消費が低減できる。
換器ＨＲにおいて、予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によっ
て冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加
熱によって温度が低下した原料は、気密排出手段５０お
よび気流輸送手段９６を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに
戻される。前記気密排出手段９６によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段９６は気密排出手段５０によって導かれた原料をガ
スによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供
給する。このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲ
に導かれるガスの一部分を分岐して用いられ、これによ
って気流輸送中に原料が冷却され、予熱／仮焼炉ＰＣの
炉内の温度低下し、それに伴って排ガス温度も低下する
ので、熱消費が低減できる。
【０１２３】また図１２の本実施の形態によれば、熱交
換器ＨＲにおいて、予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によっ
て冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加
熱によって温度が低下した原料は、気密排出手段５０お
よび気流輸送手段９６を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに
戻される。前記気密排出手段５０によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段９６は気密排出手段５０によって導かれた原料をガ
スによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供
給する。このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣ
に導かれるガスの一部分を分岐して用いられ、これによ
って気流輸送中に原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの
炉内の温度低下が防がれるので、熱交換器ＨＲの温度が
上昇し、熱消費が低減する。
換器ＨＲにおいて、予熱／仮焼炉ＰＣからの原料によっ
て冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱され、この加
熱によって温度が低下した原料は、気密排出手段５０お
よび気流輸送手段９６を介して前記予熱／仮焼炉ＰＣに
戻される。前記気密排出手段５０によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段９６は気密排出手段５０によって導かれた原料をガ
スによって浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供
給する。このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣ
に導かれるガスの一部分を分岐して用いられ、これによ
って気流輸送中に原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの
炉内の温度低下が防がれるので、熱交換器ＨＲの温度が
上昇し、熱消費が低減する。
【０１２４】さらに以上の本実施の各形態によれば、分
岐手段４５によって予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉ＫＦに
導かれる原料の流量と、前記予熱／仮焼炉ＰＣから熱交
換器ＨＲに導かれる原料の流量との比が可変であるの
で、予熱／仮焼炉ＰＣおよび熱交換器ＨＲ間の原料の循
環量を一定に維持して熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導
かれるガスの温度を一定に保ち、かつ予熱／仮焼炉ＰＣ
から焼成炉ＫＦに導かれる原料の流量を投入量と等しく
して、コーチングを発生させずに連続運転が可能となり
焼成物の生産量を安定させることができる。
岐手段４５によって予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉ＫＦに
導かれる原料の流量と、前記予熱／仮焼炉ＰＣから熱交
換器ＨＲに導かれる原料の流量との比が可変であるの
で、予熱／仮焼炉ＰＣおよび熱交換器ＨＲ間の原料の循
環量を一定に維持して熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導
かれるガスの温度を一定に保ち、かつ予熱／仮焼炉ＰＣ
から焼成炉ＫＦに導かれる原料の流量を投入量と等しく
して、コーチングを発生させずに連続運転が可能となり
焼成物の生産量を安定させることができる。
【０１２５】さらに以上の本実施の各形態によれば、分
岐手段４５と熱交換器ＨＲとの間にロータリフィーダに
よって実現される第３気密排出手段７０が介在されるの
で、予熱／仮焼炉ＰＣから原料だけを熱交換器ＨＲに導
き、ガスの流入を遮断することができ、これによって前
記分岐手段４５が予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を熱交換
器ＨＲに導くたびに予熱／仮焼炉ＰＣ内で原料を流動化
するための圧力が低減してしまうという不具合が防が
れ、予熱／仮焼炉ＰＣ内で希望する層厚または圧力損失
で原料を流動化して、投入された原料を安定して予熱
し、あるいはさらに仮焼することができる。
岐手段４５と熱交換器ＨＲとの間にロータリフィーダに
よって実現される第３気密排出手段７０が介在されるの
で、予熱／仮焼炉ＰＣから原料だけを熱交換器ＨＲに導
き、ガスの流入を遮断することができ、これによって前
記分岐手段４５が予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を熱交換
器ＨＲに導くたびに予熱／仮焼炉ＰＣ内で原料を流動化
するための圧力が低減してしまうという不具合が防が
れ、予熱／仮焼炉ＰＣ内で希望する層厚または圧力損失
で原料を流動化して、投入された原料を安定して予熱
し、あるいはさらに仮焼することができる。
【０１２６】さらに以上の本実施の各形態によれば、冷
却装置ＦＢＱでは、前記焼成炉ＫＦから導かれた原料を
空気によって冷却し、この原料から熱回収した高温の空
気は熱交換器ＨＲに導かれる。このような熱交換器ＨＲ
には、前記予熱／仮焼炉ＰＣから予熱され、またはさら
に仮焼された原料が導かれ、前記冷却装置ＦＢＱから導
かれたガスと熱交換して前記ガスが昇温され、この昇温
されたガスは焼成炉ＫＦに導かれて前記バーナ４３の燃
焼用空気として用いられるとともに、原料を流動化する
ためのガスとして用いられる。このようにして焼成炉Ｋ
Ｆには熱交換器ＨＲから高温ガスが供給されるので、前
記バーナ４３の熱負荷が軽減され、バーナの燃焼量を節
約して、熱効率を向上することができる。
却装置ＦＢＱでは、前記焼成炉ＫＦから導かれた原料を
空気によって冷却し、この原料から熱回収した高温の空
気は熱交換器ＨＲに導かれる。このような熱交換器ＨＲ
には、前記予熱／仮焼炉ＰＣから予熱され、またはさら
に仮焼された原料が導かれ、前記冷却装置ＦＢＱから導
かれたガスと熱交換して前記ガスが昇温され、この昇温
されたガスは焼成炉ＫＦに導かれて前記バーナ４３の燃
焼用空気として用いられるとともに、原料を流動化する
ためのガスとして用いられる。このようにして焼成炉Ｋ
Ｆには熱交換器ＨＲから高温ガスが供給されるので、前
記バーナ４３の熱負荷が軽減され、バーナの燃焼量を節
約して、熱効率を向上することができる。
【０１２７】以上の図２〜図１３に示される各実施の形
態の焼成装置４１，４１ａ〜４１ｄでは、第１〜第６圧
力損失検出手段４６，４９，１０１，１０２，１３１，
１７０は流動層および分散板による圧力損失を検出する
ように構成されたけれども、本発明の実施のさらに他の
形態として、図１４に示されるように、分散板の上面近
傍と流動層の界面よりも上方のフリーボード部における
圧力損失をそれぞれ検出するようにしてもよい。このよ
うに流動層だけによる圧力損失を検出する場合には、分
散板による圧力損失量が除外されるので、長期の使用に
よって分散板の透孔に付着物が付着して通気量が変化し
ても、流動層だけによる圧力損失に基づいて各排出手段
による排出量を制御することができ、各排出手段の排出
量に分散板の影響が及ばず、誤動作を防ぐことができ
る。
態の焼成装置４１，４１ａ〜４１ｄでは、第１〜第６圧
力損失検出手段４６，４９，１０１，１０２，１３１，
１７０は流動層および分散板による圧力損失を検出する
ように構成されたけれども、本発明の実施のさらに他の
形態として、図１４に示されるように、分散板の上面近
傍と流動層の界面よりも上方のフリーボード部における
圧力損失をそれぞれ検出するようにしてもよい。このよ
うに流動層だけによる圧力損失を検出する場合には、分
散板による圧力損失量が除外されるので、長期の使用に
よって分散板の透孔に付着物が付着して通気量が変化し
ても、流動層だけによる圧力損失に基づいて各排出手段
による排出量を制御することができ、各排出手段の排出
量に分散板の影響が及ばず、誤動作を防ぐことができ
る。
【０１２８】上述の形態において、流動層差圧は原料の 滞留時間＝滞留量（ｋｇ）／原料投入量（ｋｇ／ｈ） 滞留量＝流動層面積（ｍ2）×流動層差圧（ｋｇ／ｍ2） の関係で、粒径に対応した必要滞留時間に応じて設定す
る。これを一定に保てば、投入量Ｒと排出量はバランス
している。なお、流動層への投入位置を界面より少し上
にするのはシュート詰まりなくスムーズに投入するため
である。また予熱／仮焼炉ＰＣから熱交換器ＨＲへの媒
体供給量、すなわち原料の循環量は、他の流動差圧がす
べて一定で任意に調整できる。循環量が多くなれば熱交
換器ＨＲでの熱回収が増加し、予熱／仮焼炉ＰＣの温度
ひいては排ガス温度が低下する。循環量は熱交換器ＨＲ
から焼成炉ＫＦに回収する温度または予熱／仮焼炉ＰＣ
の温度が設定値になるよう制御する。
る。これを一定に保てば、投入量Ｒと排出量はバランス
している。なお、流動層への投入位置を界面より少し上
にするのはシュート詰まりなくスムーズに投入するため
である。また予熱／仮焼炉ＰＣから熱交換器ＨＲへの媒
体供給量、すなわち原料の循環量は、他の流動差圧がす
べて一定で任意に調整できる。循環量が多くなれば熱交
換器ＨＲでの熱回収が増加し、予熱／仮焼炉ＰＣの温度
ひいては排ガス温度が低下する。循環量は熱交換器ＨＲ
から焼成炉ＫＦに回収する温度または予熱／仮焼炉ＰＣ
の温度が設定値になるよう制御する。
【０１２９】サイクロンＣ１，Ｃ２下の気密排出手段９
２，５０１は、流量制御不要で、気密のために設置して
いるので一定回転でよい。その他の気密排出手段は、す
べて流量制御が必要で、Ｌバルブ、ロータリフィーダど
ちらでもよく、Ｌバルブはロータリフィーダより高温に
耐え得る。したがって、たとえば予熱／仮焼炉ＰＣから
熱交換器ＨＲへの気密排出手段７０はロータリフィーダ
に代えてＬバルブでもよい。また、分岐手段４３の切換
え部材１８４がなくても、各気密排出手段４７，７０は
それぞれ独立して流量制御できるので、流動比η＝Ｑ１
／Ｑ２（またはＲ／ＲＣ）は任意に調整できる。
２，５０１は、流量制御不要で、気密のために設置して
いるので一定回転でよい。その他の気密排出手段は、す
べて流量制御が必要で、Ｌバルブ、ロータリフィーダど
ちらでもよく、Ｌバルブはロータリフィーダより高温に
耐え得る。したがって、たとえば予熱／仮焼炉ＰＣから
熱交換器ＨＲへの気密排出手段７０はロータリフィーダ
に代えてＬバルブでもよい。また、分岐手段４３の切換
え部材１８４がなくても、各気密排出手段４７，７０は
それぞれ独立して流量制御できるので、流動比η＝Ｑ１
／Ｑ２（またはＲ／ＲＣ）は任意に調整できる。
【０１３０】以上の本発明の実施の各形態では、３段の
多段流動層炉を構成する予熱／仮焼炉ＰＣを用いるよう
にしたけれども、本発明の実施のさらに他の形態として
単一段の流動層炉によって実現される予熱／仮焼炉ＰＣ
を用いるようにしてもよく、あるいは４段以上の流動層
炉によって実現される予熱／仮焼炉ＰＣを用いるように
してもよい。
多段流動層炉を構成する予熱／仮焼炉ＰＣを用いるよう
にしたけれども、本発明の実施のさらに他の形態として
単一段の流動層炉によって実現される予熱／仮焼炉ＰＣ
を用いるようにしてもよく、あるいは４段以上の流動層
炉によって実現される予熱／仮焼炉ＰＣを用いるように
してもよい。
【０１３１】また以上の実施の各形態では、２段の流動
層炉によって実現される熱交換器ＨＲを用いるようにし
たけれども、本発明の実施のさらに他の形態として、単
一段の流動層炉によって実現される熱交換器ＨＲであっ
てもよく、あるいは３段以上の流動層炉によって実現さ
れる熱交換器ＨＲを用いるようにしてもよい。
層炉によって実現される熱交換器ＨＲを用いるようにし
たけれども、本発明の実施のさらに他の形態として、単
一段の流動層炉によって実現される熱交換器ＨＲであっ
てもよく、あるいは３段以上の流動層炉によって実現さ
れる熱交換器ＨＲを用いるようにしてもよい。
【０１３２】
【発明の効果】請求項１記載の本発明によれば、粉粒状
原料を予熱および／または仮焼するにあたって、焼成炉
ＫＦからサイクロンＣ０によって微粉焼成物を除去した
排ガスが流動層予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるので、コー
チングを発生することが防がれ、粉粒状原料を流動化し
て充分に熱交換し、高い熱回収効率で予熱／仮焼するこ
とができる。また、予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧力損
失が予め定める値となるように制御されるので予熱／仮
焼炉ＰＣ内の温度の上昇を防ぎ、コーチングの発生を防
止することができる。
原料を予熱および／または仮焼するにあたって、焼成炉
ＫＦからサイクロンＣ０によって微粉焼成物を除去した
排ガスが流動層予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるので、コー
チングを発生することが防がれ、粉粒状原料を流動化し
て充分に熱交換し、高い熱回収効率で予熱／仮焼するこ
とができる。また、予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧力損
失が予め定める値となるように制御されるので予熱／仮
焼炉ＰＣ内の温度の上昇を防ぎ、コーチングの発生を防
止することができる。
【０１３３】請求項２記載の本発明によれば、焼成炉Ｋ
Ｆには、流動層形熱交換器ＨＲからのガスが導かれ、こ
のガスによって前記焼成炉ＫＦに備えられるバーナが燃
焼し、分岐手段によって流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料の一部分が導かれ、この原料は流動化されながら
焼成される。熱交換器ＨＲには、前記分岐手段によって
予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の残余の部分が投入される
とともに、冷却装置ＦＢＱからガスが導かれ、このガス
と原料とが熱交換し、この熱交換によって原料から熱回
収して昇温したガスは、上記のように焼成炉ＫＦに導か
れる。
Ｆには、流動層形熱交換器ＨＲからのガスが導かれ、こ
のガスによって前記焼成炉ＫＦに備えられるバーナが燃
焼し、分岐手段によって流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料の一部分が導かれ、この原料は流動化されながら
焼成される。熱交換器ＨＲには、前記分岐手段によって
予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の残余の部分が投入される
とともに、冷却装置ＦＢＱからガスが導かれ、このガス
と原料とが熱交換し、この熱交換によって原料から熱回
収して昇温したガスは、上記のように焼成炉ＫＦに導か
れる。
【０１３４】このようにして焼成炉ＫＦには熱交換器Ｈ
Ｒからの温度の高いガスが供給されるので、バーナの熱
負荷が低減され、燃焼量を節約することができる。前記
予熱／仮焼炉ＰＣには、前記焼成炉ＫＦからガスが導か
れ、分散板上に投入された原料を流動化して予熱しまた
は仮焼する。焼成炉ＫＦ内の微粉が予熱／仮焼炉ＰＣに
行き、仮焼炉ＰＣからのガスによって再炭酸化されて付
着力が高くなっても、分散板上で流動化されているた
め、炉壁などに付着するおそれはなく、コーチングを生
じない。このようにしてコーチングの発生を防ぎ、熱回
収効率を向上して、粉粒状原料を焼成することができ
る。
Ｒからの温度の高いガスが供給されるので、バーナの熱
負荷が低減され、燃焼量を節約することができる。前記
予熱／仮焼炉ＰＣには、前記焼成炉ＫＦからガスが導か
れ、分散板上に投入された原料を流動化して予熱しまた
は仮焼する。焼成炉ＫＦ内の微粉が予熱／仮焼炉ＰＣに
行き、仮焼炉ＰＣからのガスによって再炭酸化されて付
着力が高くなっても、分散板上で流動化されているた
め、炉壁などに付着するおそれはなく、コーチングを生
じない。このようにしてコーチングの発生を防ぎ、熱回
収効率を向上して、粉粒状原料を焼成することができ
る。
【０１３５】請求項３記載の本発明によれば、予熱／仮
焼炉ＰＣにおける流動層による圧力損失は第１圧力損失
検出手段によって検出し、また熱交換器ＨＲにおける流
動層による圧力損失が第２圧力損失検出手段によって検
出される。第１制御手段は、第１圧力損失検出手段によ
る圧力損失が予め定める値になるように、第１気密排出
手段による原料の流量を制御し、また第２制御手段は、
第２圧力損失検出手段による圧力損失が予め定める値に
なるように、第２気密排出手段による原料の流量を制御
する。前記第１気密排出手段による原料の流量は、たと
えば投入量に等しくなるように選ばれ、このような投入
量に等しい第１気密排出手段からの原料の流量となるよ
うに、第１制御手段による制御量が設定される。
焼炉ＰＣにおける流動層による圧力損失は第１圧力損失
検出手段によって検出し、また熱交換器ＨＲにおける流
動層による圧力損失が第２圧力損失検出手段によって検
出される。第１制御手段は、第１圧力損失検出手段によ
る圧力損失が予め定める値になるように、第１気密排出
手段による原料の流量を制御し、また第２制御手段は、
第２圧力損失検出手段による圧力損失が予め定める値に
なるように、第２気密排出手段による原料の流量を制御
する。前記第１気密排出手段による原料の流量は、たと
えば投入量に等しくなるように選ばれ、このような投入
量に等しい第１気密排出手段からの原料の流量となるよ
うに、第１制御手段による制御量が設定される。
【０１３６】また第２気密排出手段による原料の流量
は、予熱／仮焼炉ＰＣまたは熱交換器ＨＲの温度を設定
し、熱交換器および予熱／仮焼炉ＰＣ間の原料の循環量
が一定となるように調整される。これによって熱交換器
ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガスの温度が一定に保た
れ、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの
温度を安定させ、原料の投入量の変化に追従して、予熱
／仮焼炉ＰＣにおける原料の予熱温度または仮焼温度を
一定に保つことができる。
は、予熱／仮焼炉ＰＣまたは熱交換器ＨＲの温度を設定
し、熱交換器および予熱／仮焼炉ＰＣ間の原料の循環量
が一定となるように調整される。これによって熱交換器
ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガスの温度が一定に保た
れ、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスの
温度を安定させ、原料の投入量の変化に追従して、予熱
／仮焼炉ＰＣにおける原料の予熱温度または仮焼温度を
一定に保つことができる。
【０１３７】請求項４記載の本発明によれば、流動層形
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度低下が防がれるとともに、原料による熱回収効率が向
上される。
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度低下が防がれるとともに、原料による熱回収効率が向
上される。
【０１３８】請求項５記載の本発明によれば、流動層形
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が冷却され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度が低下し、それに伴って排ガス温度が低下する。
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が冷却され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度が低下し、それに伴って排ガス温度が低下する。
【０１３９】請求項６記載の本発明によれば、流動層形
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度低下が防がれるとともに、原料による熱回収効率が向
上する。
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が加熱され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度低下が防がれるとともに、原料による熱回収効率が向
上する。
【０１４０】請求項７記載の本発明によれば、流動層形
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が冷却され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度が低下し、排ガス温度も低下する。
熱交換器ＨＲにおいて、流動層形予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料によって冷却装置ＦＢＱから導かれるガスが加熱
され、この加熱によって温度が低下した原料は、気密排
出手段および気流輸送手段を介して前記予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに戻される。前記気密排出手段によって、熱交換器Ｈ
Ｒから予熱／仮焼炉ＰＣに原料だけが導かれ、ガスを遮
断することができる。こうして熱交換器ＨＲと予熱／仮
焼炉ＰＣとの間で原料だけを循環させ、熱交換器ＨＲに
おいて熱媒体として用いることができる。前記気流輸送
手段は気密排出手段によって導かれた原料をガスによっ
て浮遊して輸送し、前記予熱／仮焼炉ＰＣに供給する。
このガスは、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導かれ
るガスの一部分を分岐して用いられ、これによって気流
輸送中に原料が冷却され、予熱／仮焼炉ＰＣの炉内の温
度が低下し、排ガス温度も低下する。
【０１４１】請求項８記載の本発明によれば、焼成炉Ｋ
Ｆから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスを捕集装置Ｃ０
に導いてそのガス中に含まれる微粉が捕集されるので、
予熱／仮焼炉ＰＣ内の炉壁および分散板などにコーチン
グが発生することをより確実に防ぐことができる。また
この捕集装置Ｃ０で捕集した微粉は冷却装置ＦＢＱに供
給されるので、原料が無駄にならず、経済的である。ま
た、微粉の顕熱も回収するので、より熱消費を低減でき
る。
Ｆから予熱／仮焼炉ＰＣに導かれるガスを捕集装置Ｃ０
に導いてそのガス中に含まれる微粉が捕集されるので、
予熱／仮焼炉ＰＣ内の炉壁および分散板などにコーチン
グが発生することをより確実に防ぐことができる。また
この捕集装置Ｃ０で捕集した微粉は冷却装置ＦＢＱに供
給されるので、原料が無駄にならず、経済的である。ま
た、微粉の顕熱も回収するので、より熱消費を低減でき
る。
【０１４２】請求項９記載の本発明によれば、分岐手段
によって予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉ＫＦに導かれる原
料の流量と、前記予熱／仮焼炉ＰＣから熱交換器ＨＲに
導かれる原料の流量との比が可変であるので、予熱／仮
焼炉ＰＣおよび熱交換器ＨＲ間の原料の循環量を一定に
維持して、熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガス
の温度を一定に保ち、かつ予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉
ＫＦに導かれる原料の流量を投入量と等しくして、コー
チングを発生させずに連続運転が可能となり、焼成物を
安定して生成することができる。
によって予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉ＫＦに導かれる原
料の流量と、前記予熱／仮焼炉ＰＣから熱交換器ＨＲに
導かれる原料の流量との比が可変であるので、予熱／仮
焼炉ＰＣおよび熱交換器ＨＲ間の原料の循環量を一定に
維持して、熱交換器ＨＲから焼成炉ＫＦに導かれるガス
の温度を一定に保ち、かつ予熱／仮焼炉ＰＣから焼成炉
ＫＦに導かれる原料の流量を投入量と等しくして、コー
チングを発生させずに連続運転が可能となり、焼成物を
安定して生成することができる。
【０１４３】請求項１０記載の本発明によれば、分岐手
段と熱交換器ＨＲとの間にロータリフィーダによって実
現される第３気密排出手段が介在されるので、予熱／仮
焼炉ＰＣから原料だけを熱交換器ＨＲに導き、ガスの流
入を遮断することができる。これによって前記分岐手段
が予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を熱交換器ＨＲに導くた
びに予熱／仮焼炉ＰＣ内で原料を流動化するためのガス
圧力が低減してしまうという不具合が防がれ、予熱／仮
焼炉ＰＣ内で希望する層厚または圧力損失で原料を流動
化して、投入された原料を安定して予熱し、あるいは仮
焼することができる。
段と熱交換器ＨＲとの間にロータリフィーダによって実
現される第３気密排出手段が介在されるので、予熱／仮
焼炉ＰＣから原料だけを熱交換器ＨＲに導き、ガスの流
入を遮断することができる。これによって前記分岐手段
が予熱／仮焼炉ＰＣからの原料を熱交換器ＨＲに導くた
びに予熱／仮焼炉ＰＣ内で原料を流動化するためのガス
圧力が低減してしまうという不具合が防がれ、予熱／仮
焼炉ＰＣ内で希望する層厚または圧力損失で原料を流動
化して、投入された原料を安定して予熱し、あるいは仮
焼することができる。
【０１４４】請求項１１記載の本発明によれば、予熱／
仮焼炉ＰＣには焼成炉ＫＦから高温のガスが導かれ、こ
のガスによって分散板上に投入された粉粒状原料が流動
化されながら予熱され、あるいはさらに仮焼される。予
熱／仮焼炉ＰＣで予熱されまたは仮焼された原料は焼成
炉ＫＦに導かれ、バーナの燃焼による高温ガスによって
焼成されて、冷却装置ＦＢＱに導かれる。この冷却装置
ＦＢＱでは、前記焼成炉ＫＦから導かれた原料を空気に
よって冷却し、この原料から熱回収した高温の空気は熱
交換器ＨＲに導かれる。このような熱交換器ＨＲには、
前記予熱／仮焼炉ＰＣから予熱され、またはさらに仮焼
された原料が導かれ、前記冷却装置ＦＢＱから導かれた
ガスと熱交換して前記ガスが昇温され、この昇温された
ガスは焼成炉ＫＦに導かれて前記バーナの燃焼用空気と
して用いられるとともに、原料を流動化するためのガス
として用いられる。このようにして焼成炉ＫＦには熱交
換器ＨＲから高温ガスが供給されるので、前記バーナの
熱負荷が軽減され、バーナの燃焼量を節約して、熱効率
を向上することができる。
仮焼炉ＰＣには焼成炉ＫＦから高温のガスが導かれ、こ
のガスによって分散板上に投入された粉粒状原料が流動
化されながら予熱され、あるいはさらに仮焼される。予
熱／仮焼炉ＰＣで予熱されまたは仮焼された原料は焼成
炉ＫＦに導かれ、バーナの燃焼による高温ガスによって
焼成されて、冷却装置ＦＢＱに導かれる。この冷却装置
ＦＢＱでは、前記焼成炉ＫＦから導かれた原料を空気に
よって冷却し、この原料から熱回収した高温の空気は熱
交換器ＨＲに導かれる。このような熱交換器ＨＲには、
前記予熱／仮焼炉ＰＣから予熱され、またはさらに仮焼
された原料が導かれ、前記冷却装置ＦＢＱから導かれた
ガスと熱交換して前記ガスが昇温され、この昇温された
ガスは焼成炉ＫＦに導かれて前記バーナの燃焼用空気と
して用いられるとともに、原料を流動化するためのガス
として用いられる。このようにして焼成炉ＫＦには熱交
換器ＨＲから高温ガスが供給されるので、前記バーナの
熱負荷が軽減され、バーナの燃焼量を節約して、熱効率
を向上することができる。
【０１４５】前記予熱／仮焼炉ＰＣと熱交換器ＨＲとの
間には、分岐手段が設けられる。この分岐手段は、予熱
／仮焼炉ＰＣからの原料の一部分を分岐して焼成炉ＫＦ
に導き、前記予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の残部を前記
熱交換器ＨＲに導き、この原料の残部は前述したように
熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いられ、冷却装置
ＦＢＱからのガスを加熱する。前記分岐手段によって焼
成炉ＫＦに導かれる原料の一部分は、たとえば原料の投
入量に等しくなるようにその流量が設定され、前記予熱
／仮焼炉ＰＣ、焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲのいずれ
か１箇所であるいは複数箇所で原料が滞留してしまうこ
とを防ぎ、焼成物の生成量の変動、および熱回収効率の
低下が防がれる。
間には、分岐手段が設けられる。この分岐手段は、予熱
／仮焼炉ＰＣからの原料の一部分を分岐して焼成炉ＫＦ
に導き、前記予熱／仮焼炉ＰＣからの原料の残部を前記
熱交換器ＨＲに導き、この原料の残部は前述したように
熱交換器ＨＲにおいて熱媒体として用いられ、冷却装置
ＦＢＱからのガスを加熱する。前記分岐手段によって焼
成炉ＫＦに導かれる原料の一部分は、たとえば原料の投
入量に等しくなるようにその流量が設定され、前記予熱
／仮焼炉ＰＣ、焼成炉ＫＦおよび熱交換器ＨＲのいずれ
か１箇所であるいは複数箇所で原料が滞留してしまうこ
とを防ぎ、焼成物の生成量の変動、および熱回収効率の
低下が防がれる。
【０１４６】前記予熱／仮焼炉炉ＰＣの流動層の圧力損
失は、第１圧力損失検出手段によって検出され、熱交換
器ＨＲにおける流動層の圧力損失は第２圧力損失検出手
段によって検出される。また分岐手段によって分岐され
た原料の一部分は、第１気密排出手段によって焼成炉Ｋ
Ｆに気密に排出され、この第１気密排出手段は前記第１
圧力損失検出手段による圧力損失が予め定める値になる
ように第１気密排出手段による原料の流量が第１制御手
段によって制御される。さらに熱交換器ＨＲからの原料
は、第２気密排出手段によって予熱／仮焼炉ＰＣに気密
に排出される。この第２気密排出手段は、前記第２圧力
損失検出手段による圧力損失が予め定める値となるよう
に第２気密排出手段による原料の流量が第２制御手段に
よって制御される。前記分岐手段と熱交換器ＨＲとの間
には第３気密排出手段が介在される。
失は、第１圧力損失検出手段によって検出され、熱交換
器ＨＲにおける流動層の圧力損失は第２圧力損失検出手
段によって検出される。また分岐手段によって分岐され
た原料の一部分は、第１気密排出手段によって焼成炉Ｋ
Ｆに気密に排出され、この第１気密排出手段は前記第１
圧力損失検出手段による圧力損失が予め定める値になる
ように第１気密排出手段による原料の流量が第１制御手
段によって制御される。さらに熱交換器ＨＲからの原料
は、第２気密排出手段によって予熱／仮焼炉ＰＣに気密
に排出される。この第２気密排出手段は、前記第２圧力
損失検出手段による圧力損失が予め定める値となるよう
に第２気密排出手段による原料の流量が第２制御手段に
よって制御される。前記分岐手段と熱交換器ＨＲとの間
には第３気密排出手段が介在される。
【０１４７】運転を開始するにあたっては、まず前記予
熱／仮焼炉ＰＣに原料を投入し、この予熱／仮焼炉ＰＣ
からの原料を分岐手段によって焼成炉ＫＦに導く。この
とき、焼成炉ＫＦに導かれる原料の流量は、熱交換器Ｈ
Ｒ側に比べて大きくなるように設定され、第１制御手段
によって第１気密排出手段による原料の流量が、第１圧
力損失検出手段によって検出される圧力損失が前記予め
定める値になるように制御する。このようにして第１圧
力損失検出手段による予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧力
損失が予め定める値に達したときには、前記分岐手段に
よって熱交換器ＨＲ側に供給する原料の流量の割合を前
記焼成炉ＫＦ側に供給する原料の流量よりも大きくし
て、予め定める分岐比率に達する。熱交換器ＨＲ側への
割合を大きくし、第１および第２圧力損失検出手段によ
る圧力損失がともに予め定める値になった後、前記第３
気密排出手段による原料の流量の制御を開始し、この第
３気密排出手段による原料の流量が予め定める値になる
ように排出量を調整し、このようにしてコーチングを生
じることなしに焼成物の生成量を一定に保ち、原料とガ
スとの熱回収率を向上して、安定した操業を行うことが
可能となる。
熱／仮焼炉ＰＣに原料を投入し、この予熱／仮焼炉ＰＣ
からの原料を分岐手段によって焼成炉ＫＦに導く。この
とき、焼成炉ＫＦに導かれる原料の流量は、熱交換器Ｈ
Ｒ側に比べて大きくなるように設定され、第１制御手段
によって第１気密排出手段による原料の流量が、第１圧
力損失検出手段によって検出される圧力損失が前記予め
定める値になるように制御する。このようにして第１圧
力損失検出手段による予熱／仮焼炉ＰＣの流動層の圧力
損失が予め定める値に達したときには、前記分岐手段に
よって熱交換器ＨＲ側に供給する原料の流量の割合を前
記焼成炉ＫＦ側に供給する原料の流量よりも大きくし
て、予め定める分岐比率に達する。熱交換器ＨＲ側への
割合を大きくし、第１および第２圧力損失検出手段によ
る圧力損失がともに予め定める値になった後、前記第３
気密排出手段による原料の流量の制御を開始し、この第
３気密排出手段による原料の流量が予め定める値になる
ように排出量を調整し、このようにしてコーチングを生
じることなしに焼成物の生成量を一定に保ち、原料とガ
スとの熱回収率を向上して、安定した操業を行うことが
可能となる。
【図１】本発明の実施の一形態の微粒状原料の焼成装置
４０を示す系統図である。
４０を示す系統図である。
【図２】気密排出手段４７の具体的構成を示す拡大断面
図であり、図２（１）はＬバルブ１９６にノズル部材１
９７を設けた気密排出手段４７ａを示し、図２（２）は
Ｌバルブ１９６に前記ノズル部材１９６に代えて押圧棒
１９７を設けた気密排出手段４７ｂを示す。
図であり、図２（１）はＬバルブ１９６にノズル部材１
９７を設けた気密排出手段４７ａを示し、図２（２）は
Ｌバルブ１９６に前記ノズル部材１９６に代えて押圧棒
１９７を設けた気密排出手段４７ｂを示す。
【図３】気密排出手段５０の具体的構成を示す拡大断面
図である。
図である。
【図４】焼成装置４０に備えられる気密排出手段４７，
８２，８５，１２９，１５３を制御するための制御装置
２３４の電気的構成を示すブロック図である。
８２，８５，１２９，１５３を制御するための制御装置
２３４の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】制御装置２３４の制御動作を説明するためのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図６】本発明の実施の他の形態の粉粒状原料の焼成装
置４１を示す系統図である。
置４１を示す系統図である。
【図７】分岐手段４５の具体的構成を示す拡大断面図で
ある。
ある。
【図８】焼成装置４１に備えられる第１〜第６、第８お
よび第９気密排出手段４７，５０，７０，７５，８２，
８５，１２９，１５２を制御するための制御装置２３４
ａの電気的構成を示すブロック図である。
よび第９気密排出手段４７，５０，７０，７５，８２，
８５，１２９，１５２を制御するための制御装置２３４
ａの電気的構成を示すブロック図である。
【図９】制御装置２３４ａの制御動作を説明するための
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１０】本発明の実施の他の形態の粉粒状原料の焼成
装置４１ａを示す系統図である。
装置４１ａを示す系統図である。
【図１１】本発明の実施のさらに他の形態の粉粒状原料
の焼成装置４１ｂを示す系統図である。
の焼成装置４１ｂを示す系統図である。
【図１２】本発明の実施のさらに他の形態の粉粒状原料
の焼成装置４１ｃを示す系統図である。
の焼成装置４１ｃを示す系統図である。
【図１３】本発明の実施のさらに他の形態の粉粒状原料
の焼成装置４１ｄを示す系統図である。
の焼成装置４１ｄを示す系統図である。
【図１４】本発明の実施のさらに他の形態の粉粒状原料
の焼成装置４１ｅを示す系統図である。
の焼成装置４１ｅを示す系統図である。
【図１５】典型的な従来技術の粉粒状原料の焼成装置１
を示す系統図である。
を示す系統図である。
４０，４１，４１ａ〜４１ｅ 焼成装置 ４４，６２〜６４，７２，７７，１３９，１４０ 分散
板 ４５ 分岐手段 ４６，４９，１０１，１０２，１３１，１７０，５０２
圧力損失検出手段 ４７，５０，７０，７５，８２，８５，９２，１２９，
１５３，５０１ 気密排出手段 ４８，５１，１０３，１０４，１３２，１３４，１５
９，１７１ 制御手段 ９６ 輸送手段
板 ４５ 分岐手段 ４６，４９，１０１，１０２，１３１，１７０，５０２
圧力損失検出手段 ４７，５０，７０，７５，８２，８５，９２，１２９，
１５３，５０１ 気密排出手段 ４８，５１，１０３，１０４，１３２，１３４，１５
９，１７１ 制御手段 ９６ 輸送手段
Claims (11)
- 【請求項１】 単独または複数段の流動層の分散板上に
粉粒状原料を投入して予熱および／または仮焼する流動
層形予熱／仮焼炉ＰＣと、バーナを備え、予熱および／
または仮焼された原料を焼成する流動層形焼成炉ＫＦ
と、焼成炉ＫＦで焼成された焼成物を空気によって冷却
する冷却装置ＦＢＱとを備える粉粒状原料の焼成装置に
おいて、 焼成炉ＫＦの排ガスは微粉焼成物を捕集するサイクロン
Ｃ０を経て、前記流動層形予熱／仮焼炉ＰＣに導入さ
れ、 予熱／仮焼炉ＰＣにおける流動層の圧力損失を検出する
圧力損失検出手段と、 予熱／仮焼炉ＰＣから予熱および／または仮焼された原
料を排出し、前記焼成炉ＫＦに気密に排出する気密排出
手段と、 圧力損失検出手段の出力に応答し、圧力損失検出手段に
よって検出される圧力損失が予め定める値になるよう
に、気密排出手段による原料の流量を制御する制御手段
とを含むことを特徴とする粉粒状原料の焼成装置。 - 【請求項２】 粉粒状原料を分散板上に投入して予熱お
よび／または仮焼する流動層形予熱および／または仮焼
炉ＰＣと、 バーナを備え、予熱および／または仮焼された原料を焼
成する流動層形焼成炉ＫＦと、 焼成炉ＫＦからの焼成物を空気によって冷却する冷却装
置ＦＢＱと、 予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された
原料を分岐して、その原料の分岐した一部分を焼成炉Ｋ
Ｆに導く分岐手段と、 予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された
原料の分岐手段によって分岐された残余が投入され、こ
の投入された原料によって、冷却装置ＦＢＱから導かれ
るガスが加熱され、この加熱されたガスを焼成炉ＫＦに
導き、原料を予熱／仮焼炉ＰＣに戻す流動層形熱交換器
ＨＲとを含むことを特徴とする粉粒状原料の焼成装置。 - 【請求項３】 予熱／仮焼炉ＰＣにおける流動層の圧力
損失を検出する第１圧力損失検出手段と、 分岐手段から原料を焼成炉ＫＦに気密に排出する第１気
密排出手段と、 第１圧力損失検出手段の出力に応答し、第１圧力損失検
出手段によって検出される圧力損失が予め定める値にな
るように、第１気密排出手段による原料の流量を制御す
る第１制御手段と、 熱交換器ＨＲにおける流動層の圧力損失を検出する第２
圧力損失検出手段と、熱交換器ＨＲから原料を予熱／仮
焼炉ＰＣに気密に排出する第２気密排出手段と、 第２圧力損失検出手段の出力に応答し、第２圧力損失検
出手段によって検出される圧力損失が予め定める値にな
るように、第２気密排出手段による原料の流量を制御す
る第２制御手段とを含むことを特徴とする請求項２記載
の粉粒状原料の焼成装置。 - 【請求項４】 熱交換器ＨＲからの原料を、気密排出手
段および気流輸送手段をこの順序で介して予熱／仮焼炉
ＰＣに戻し、 気流輸送手段は、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導
かれるガスの一部分を分岐して用い、原料を浮遊して輸
送することを特徴とする請求項２記載の粉粒状原料の焼
成装置。 - 【請求項５】 熱交換器ＨＲからの原料を、気密排出手
段および気流輸送手段をこの順序で介して予熱／仮焼炉
ＰＣに戻し、 気流輸送手段は、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導
かれるガスの一部分を分岐して用い、原料を浮遊して輸
送することを特徴とする請求項２記載の粉粒状原料の焼
成装置。 - 【請求項６】 第２気密排出手段と予熱／仮焼炉ＰＣと
の間に原料の気流輸送手段を介在し、 気流輸送手段は、焼成炉ＫＦから予熱／仮焼炉ＰＣに導
かれるガスの一部分を分岐して用い、原料を浮遊して輸
送することを特徴とする請求項３記載の粉粒状原料の焼
成装置。 - 【請求項７】 第２気密排出手段と予熱／仮焼炉ＰＣと
の間に原料の気流輸送手段を介在し、 気流輸送手段は、冷却装置ＦＢＱから熱交換器ＨＲに導
かれるガスの一部分を分岐して用い、原料を浮遊して輸
送することを特徴とする請求項３記載の粉粒状原料の焼
成装置。 - 【請求項８】 焼成炉ＫＦからのガスを予熱／仮焼炉Ｐ
Ｃに導くガス経路に、微粉を捕集する捕集装置Ｃ０を介
在し、その捕集した微粉を冷却装置ＦＢＱに供給するこ
とを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の粉粒状
原料の焼成装置。 - 【請求項９】 分岐手段は、 焼成炉ＫＦと熱交換器ＨＲとに、予熱／仮焼炉ＰＣから
の原料を分岐する各流路の流量比を可変とすることを特
徴とする請求項２〜８のいずれかに記載の粉粒状原料の
焼成装置。 - 【請求項１０】 分岐手段から原料を熱交換器ＨＲに気
密に排出する第３気密排出手段が設けられ、 この第３気密排出手段は、ハウジング内で羽根車を駆動
手段によって回転し、分岐手段と流動層形熱交換器ＨＲ
とを気密にするロータリフィーダであることを特徴とす
る請求項３記載の粉粒状原料の焼成装置。 - 【請求項１１】 粉粒状原料の焼成装置を準備し、 この焼成装置は、 原料を分散板上に投入して予熱および／または仮焼する
流動層形予熱／仮焼炉ＰＣと、 バーナを備え、予熱および／または仮焼された原料を焼
成する流動層形焼成炉ＫＦと、 焼成炉ＫＦからの原料を空気によって冷却する冷却装置
ＦＢＱと、 予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された
原料を分岐して、その原料の分岐した一部分を焼成炉Ｋ
Ｆに導く分岐手段と、 予熱／仮焼炉ＰＣからの予熱および／または仮焼された
原料の分岐手段によって分岐された残余が投入され、こ
の投入された原料によって、冷却装置ＦＢＱから導かれ
るガスが加熱され、この加熱されたガスを焼成炉ＫＦに
導き、原料を予熱／仮焼炉ＰＣに戻す流動層形熱交換器
ＨＲと、 予熱／仮焼炉ＰＣにおける流動層の圧力損失を検出する
第１圧力損失検出手段と、 分岐手段から原料を焼成炉ＫＦに気密に排出する第１気
密排出手段と、 第１圧力損失検出手段の出力に応答し、第１圧力損失検
出手段によって検出される圧力損失が予め定める値にな
るように、第１気密排出手段による原料の流量を制御す
る第１制御手段と、 熱交換器ＨＲにおける流動層の圧力損失を検出する第２
圧力損失検出手段と、 熱交換器ＨＲから原料を予熱／仮焼炉ＰＣに気密に排出
する第２気密排出手段と、 第２圧力損失検出手段の出力に応答し、第２圧力損失検
出手段によって検出される圧力損失が予め定める値にな
るように、第２気密排出手段による原料の流量を制御す
る第２制御手段と、 分岐手段と熱交換器ＨＲとの間に介在される第３気密排
出手段とを含み、 先ず、予熱／仮焼炉ＰＣから原料を投入してゆき、予熱
／仮焼炉ＰＣからの原料を、分岐手段によって、熱交換
器側ＨＲに比べて焼成炉ＫＦに大きい流量で供給し、第
１圧力損失検出手段によって検出される圧力損失が予め
定める値になるように、第１気密排出手段による原料の
流量を制御し、 次に、分岐手段によって熱交換器ＨＲ側に供給する原料
の流量の割合を大きくして予め定める分岐比率にまでも
たらし、 第１および第２圧力損失検出手段によって検出される圧
力損失が、予め定める値になった後、第３気密排出手段
による原料の流量を予め定める値に制御することを特徴
とする粉粒状原料の焼成装置の運転方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30687796A JP2880463B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 粉粒状原料の焼成装置およびその運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30687796A JP2880463B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 粉粒状原料の焼成装置およびその運転方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10152353A true JPH10152353A (ja) | 1998-06-09 |
| JP2880463B2 JP2880463B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=17962330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30687796A Expired - Lifetime JP2880463B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 粉粒状原料の焼成装置およびその運転方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2880463B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI484125B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-05-11 | Ind Tech Res Inst | 迴流懸浮式煅燒爐系統及其使用方法 |
| CN105330179A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-02-17 | 中冶焦耐工程技术有限公司 | 箱式烧嘴竖窑 |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP30687796A patent/JP2880463B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI484125B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-05-11 | Ind Tech Res Inst | 迴流懸浮式煅燒爐系統及其使用方法 |
| US9610536B2 (en) | 2011-12-23 | 2017-04-04 | Industrial Technology Research Institute | Recirculated-suspension pre-calciner system |
| CN105330179A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-02-17 | 中冶焦耐工程技术有限公司 | 箱式烧嘴竖窑 |
| CN105330179B (zh) * | 2015-12-02 | 2017-09-19 | 中冶焦耐工程技术有限公司 | 箱式烧嘴竖窑 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2880463B2 (ja) | 1999-04-12 |
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