JPH10149965A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH10149965A
JPH10149965A JP30956296A JP30956296A JPH10149965A JP H10149965 A JPH10149965 A JP H10149965A JP 30956296 A JP30956296 A JP 30956296A JP 30956296 A JP30956296 A JP 30956296A JP H10149965 A JPH10149965 A JP H10149965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
purge gas
chamber
flow rate
introduction
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30956296A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikio Taniguchi
幹男 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP30956296A priority Critical patent/JPH10149965A/ja
Publication of JPH10149965A publication Critical patent/JPH10149965A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パーティクルの浮遊を防止しつつパージでき
るような効果的な基板処理装置を提供する。 【解決手段】 エッチング装置のメインチャンバには、
パージガスを導入するパージガス管39が接続され、パ
ージガス管39には流量制御機器40が設けられてい
る。流量制御機器40内には、パージガス管39の途中
に設けられた流量調節弁46と、流量調節弁46の弁開
度を時間を追って制御して流量を制御するタイマー回路
52とが内蔵されている。導入ラインのパージガスの流
量値が、導入初期では所定の比較的小さい値に、導入中
期では比較的大きい値になるように、予めタイマー回路
52に設定し、パージガスを導入する。これにより、従
来に比べて導入ライン本数の少ない省スペース化された
エッチング装置で、短時間でパージを終了することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ基板の処理
に最適な基板処理装置に関し、更に詳しくは、パーティ
クルの浮遊を防止しつつパージできる効果的なパージ手
段を備えた基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の微細化及びウエハの大口径
化に伴い、半導体素子を製造する際、ウエハ等の基板へ
のパーティクルの付着防止対策は益々重要になってきい
る。この対策の一つとして、基板処理装置に備えられた
ウエハ等の基板を出し入れする室にパージガスを導入し
てパージする際、パーティクルが舞い上がって浮遊する
ことを防止するためにパージガスの導入流量を小さくし
ているが、導入に時間がかかりスループットが低下す
る。一方、パージガスを導入して室内ガス圧が比較的高
い状態では、低い状態に比べ、導入流量が比較的多くて
もパーティクルは舞い上がらない。このため、通常、流
量の大きいメインパージラインと小さいスローパージラ
インとを室に接続して設け、パージ過程では、導入初期
にはスローパージラインを、導入中期や終期にはメイン
パージラインを使用するライン切換を行っている。以
下、パージを必要とする基板処理装置としてエッチング
装置を例に挙げ、添付した図面を参照しながら説明す
る。
【0003】図3は、従来のエッチング装置の構成概念
図である。従来のエッチング装置10は、メインチャン
バ12と、ゲートバルブ13を介してメインチャンバ1
2へ基板を導入するロード室14と、ゲートバルブ15
を介してメインチャンバ12から基板を導出するアンロ
ード室16とを備え、メインチャンバ12、ロード室1
4及びアンロード室16には、それぞれ、パージガスを
導入する導入ライン18A、B、Cが接続されている。
導入ライン18Aは、メインチャンバ12に接続された
フィルタ20と、フィルタ20の上流に接続されたメイ
ンパージライン22と、メインパージライン22に並列
に接続されたスローパージライン24とから構成され
る。メインパージライン22及びスローパージライン2
4には、それぞれ、開閉弁26、28が設けられてい
る。導入ライン18B、Cの構成も同様である。また、
メインチャンバ12には、その下流にAPC(Auto Pre
ssure Control)30による弁開度の調節機構を有する
開閉弁32、ターボポンプ34を順次備えており、ロー
ド室14及びアンロード室16には、それぞれ、ドライ
ポンプ(図示せず)が接続されている。
【0004】メインチャンバ12に混入した空気等の不
純物ガスをパージするには、先ず、ターボポンプ34に
よりメインチャンバ12内を真空引きして開閉弁32を
閉じる。次いで、開閉バルブ28を開け、スローパージ
ライン24により窒素ガスをパージガスとして所定圧力
に到達するまで導入する。窒素ガスの流量は、パーティ
クルが舞い上がらない程度で比較的小さい。次いで、開
閉バルブ28を閉じ、開閉バルブ26を開け、メインパ
ージライン22により窒素ガスを所定圧力に到達するま
で導入する。窒素ガスの流量は、パーティクルが舞い上
がらない程度で、かつ、スローパージライン24での流
量に比べて大きい。以下、上述の弁操作過程を数回繰り
返し、パージを終了する。ロード室14又はアンロード
室16の場合でも、メインチャンバ12の場合と同様に
して不純物ガスをパージする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のウエ
ハ処理装置ではパージラインを並列に設けているので、
それだけスペースが必要になり、コストが嵩むという問
題があった。以上のような事情に照らして、本発明の目
的は、パーティクルの浮遊を防止しつつパージできる効
果的なパージ手段を備えた基板処理装置を提供すること
である。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、弁開度を自在に制御できる流量調節弁を有する一
本の導入ラインを従来の導入ラインに代えて備えること
を考えつき、本発明を完成するに至った。
【0007】上記目的を達成するために、本発明に係る
基板処理装置は、基板処理室、基板処理室に基板を搬入
するためのロード室、及び基板処理室から基板を搬出す
るためのアンロード室にそれぞれパージガスを導入する
パージガス管を設け、基板を受入れて基板に所定の処理
を施す前に、パージガスによりロード室、基板処理室及
びアンロード室をパージするようにした基板処理装置に
おいて、ロード室、基板処理室及びアンロード室にそれ
ぞれ接続された各パージガス管には、パージガスの流量
を計測する流量計と、弁開度を自在に調節してパージガ
スの流量を調整できる流量調節弁とが設けられ、かつ流
量計で計測したパージガス流量に基づいて流量調節弁の
弁開度を調節して、パージガスを所定の流量でそれぞれ
ロード室、基板処理室及びアンロード室に導入するよう
にした制御装置を備えていることを特徴としている。
【0008】基板処理装置が真空ポンプ等の減圧手段を
備え、パージする前に各室を真空引きしておくことが望
ましい。本発明により、従来に比べ、パージガス管の本
数が少なくて済み、それだけコストが低減された基板処
理装置が実現する。
【0009】本発明の好適な実施態様は、制御装置が、
各パージガス管毎にタイマーを備え、パージガス導入開
始後、タイマーに設定した第1の設定時間の間、低い流
量でパージガスを導入し、次いで第2の設定時間の間、
第1の設定時間のときの流量より大きい流量でパージガ
スを導入するようにしたことを特徴としている。これに
より、パージガスの導入流量を、室内のガス圧力が低い
とき、例えば導入初期では少なくし、室内のガス圧力が
高いとき、例えば導入中期や終期では多くすることによ
り、パーティクルが舞い上がらずに、かつ短時間で、パ
ージを終了することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例 本実施例は、本発明をエッチング装置に適用した例であ
る。図1は本実施例のエッチング装置の概念図である。
本実施例のエッチング装置36は、導入ライン18A、
B、Cに代えて、メインチャンバ12、ロード室14及
びアンロード室16にそれぞれ接続したパージガスを導
入する導入ライン38A、B、Cを備えている。これを
除いて従来のエッチング装置10と同じであり、図1で
は、図3と同じ部品には同じ符号を付してその説明を省
略する。
【0011】導入ライン38Aは、メインチャンバ12
に接続されたパージガス管39と、パージガス管39の
途中に設けられたフィルタ20と、フィルタ20の上流
に設けられ、パージガスの導入流量を制御する流量制御
機器40とを備えている。図2は、流量制御機器40の
構成概念を示す平面部分断面図である。パージガス管3
9の流量制御機器40内の部分には、流量調節弁46
と、流量調節弁46の上流でパージガス管39に並列に
接続された径の細い計測用配管部44とが設けられてい
る。計測用配管部44には開閉弁45とガスの流量を計
測するセンサ42とが、また、パージガス管39の流量
調節弁46に並列な部分には開閉弁47が、それぞれ設
けられている。流量制御機器40には、センサ42から
の信号により流量を算出する計算回路50と、算出され
た流量がフィードバックされ流量調節弁46の弁開度を
制御するタイマー回路52とが内蔵されている。流量制
御機器40の外枠54には、計算回路50により算出さ
れた流量を表示する表示パネル56が設けられている。
また、外枠54には、流量と時間との関係を設定する操
作パネル58とが設けられており、導入過程での流量と
時間との関係をタイマー回路52に設定することが可能
である。
【0012】メインチャンバ12に混入した空気等の不
純物ガスを導入ライン38Aによりパージするには、導
入ライン38Aの窒素ガスの流量が、導入初期(以下、
第1導入過程と言う)ではパーティクの舞い上がらない
比較的小さい上限値に、導入を開始して第1導入過程経
過後の導入中期及び終期(以下、第2導入過程と言う)
ではパーティクの舞い上がらない比較的大きい上限値に
なるように、第1の設定時間及び第2の設定時間を予め
タイマー回路52に操作パネル58により設定する。次
いで、ターボポンプ34によりメインチャンバ12内を
真空引きして開閉弁32を閉じる。次いで、タイマー回
路52を作動させると、第1導入過程が行われて窒素ガ
スが所定の流量で導入され、その際、メインチャンバ1
2内のパーティクルは舞い上がらない。第1の設定時間
が経過すると、第2導入過程が開始され、タイマー回路
52により流量調節弁46の弁開度が大きくなり、窒素
ガスは、流量が第1導入過程に比べて大きい流量で導入
される。第2導入過程では、メインチャンバ12内の圧
力が第1導入過程に比べて高い圧力に到達しているの
で、パーティクルは舞い上がらない。第1導入過程、第
2導入過程を数回繰り返し、パージを終了する。
【0013】ロード室14、アンロード室16に混入し
た不純物ガスをパージする場合でも、メインチャンバ1
2と同様にして行う。
【0014】本実施例では、第2導入過程での流量は、
第1導入過程に比べて速い。よって、導入時間が短縮さ
れ、スループットが向上する。また、導入ライン38は
一本のラインであるので、従来の2本からなる導入ライ
ン18に比べ、それだけ省スペース化が実現される。
【0015】尚、メインチャンバ12のガス圧力が高い
と弁開度を小さくし、低いと弁開度を大きくする弁制御
回路をタイマー回路52に代えて備えていても、同様の
効果が得られる。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、基板処理装置は、ロー
ド室、基板処理室及びアンロード室にそれぞれ接続され
た各パージガス管に流量計及び弁開度を自在に調整でき
る流量調節弁と、パージガスを所定の流量でそれぞれ各
室に導入するように流量調節弁を制御する制御装置とを
備えている。これにより、省スペース化のされた基板処
理装置を用いて、パージガスの導入過程で流量を可変に
制御し、各室内のパーティクルが舞い上がらないように
パージガスを導入することにより短時間でパージを終了
することができ、スループットが向上する。好適には、
制御装置が、各パージガス管毎にタイマーを備えてい
る。これにより、パージガス導入開始後、タイマーに設
定した第1の設定時間の間、低い流量でパージガスを導
入し、次いで第2の設定時間の間、第1の設定時間のと
きの流量より大きい流量でパージガスを導入することが
でき、短時間でパーティクルが舞い上がらないように各
室内をパージすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例のエッチング装置の概念図である。
【図2】本実施例のエッチング装置の導入ラインの構成
概念を示す平面部分断面図である。
【図3】従来のエッチング装置の構成概念図である。
【符号の説明】
10……エッチング装置、12……メインチャンバ、1
3……ゲートバルブ、14……ロード室、15……ゲー
トバルブ、16……アンロード室、18A、B、C……
導入ライン、20……フィルタ、22……メインパージ
ライン、24……スローパージライン、26、28……
開閉弁、30……APC、32……開閉弁、34……タ
ーボポンプ、36……エッチング装置、38A、B、C
……導入ライン、39……パージガス管、40……流量
制御機器、42……センサ、44……計測用配管部、4
5……開閉弁、46……流量調節弁、47……開閉弁、
50……計算回路、52……タイマー回路、54……外
枠、56……表示パネル、58……操作パネル。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板処理室、基板処理室に基板を搬入す
    るためのロード室、及び基板処理室から基板を搬出する
    ためのアンロード室にそれぞれパージガスを導入するパ
    ージガス管を設け、基板を受入れて基板に所定の処理を
    施す前に、パージガスによりロード室、基板処理室及び
    アンロード室をパージするようにした基板処理装置にお
    いて、 ロード室、基板処理室及びアンロード室にそれぞれ接続
    された各パージガス管には、パージガスの流量を計測す
    る流量計と、弁開度を自在に調節してパージガスの流量
    を調整できる流量調節弁とが設けられ、かつ流量計で計
    測したパージガス流量に基づいて流量調節弁の弁開度を
    調節して、パージガスを所定の流量でそれぞれロード
    室、基板処理室及びアンロード室に導入するようにした
    制御装置を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 制御装置が、各パージガス管毎にタイマ
    ーを備え、パージガス導入開始後、タイマーに設定した
    第1の設定時間の間、低い流量でパージガスを導入し、
    次いで第2の設定時間の間、第1の設定時間のときの流
    量より大きい流量でパージガスを導入するようにしたこ
    とを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
JP30956296A 1996-11-20 1996-11-20 基板処理装置 Pending JPH10149965A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30956296A JPH10149965A (ja) 1996-11-20 1996-11-20 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30956296A JPH10149965A (ja) 1996-11-20 1996-11-20 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10149965A true JPH10149965A (ja) 1998-06-02

Family

ID=17994521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30956296A Pending JPH10149965A (ja) 1996-11-20 1996-11-20 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10149965A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2825172B2 (ja) 減圧処理装置および減圧処理方法
JP3318241B2 (ja) アッシング方法
US6197123B1 (en) Method for cleaning a process chamber used for manufacturing substrates during nonproduction intervals
JPH07211761A (ja) 処理装置内の被処理体の搬送方法
JP2001060578A (ja) 真空処理装置
TW201926402A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
JP4417434B2 (ja) 真空プロセッサの圧力を制御する方法及び装置
US6287984B1 (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US20100163181A1 (en) Vacuum processing apparatus
JPH10149965A (ja) 基板処理装置
US5980684A (en) Processing apparatus for substrates
KR100442580B1 (ko) 반도체 제조용 챔버의 배기시스템
JPS62106627A (ja) 半導体製造装置
JP2715134B2 (ja) 処理方法
JPH0982594A (ja) 半導体製造装置における室内減圧方法
JP2001070781A (ja) 真空処理装置
JPS6191375A (ja) プラズマエツチング装置の排気ベント機構
JPH08321446A (ja) 多連式半導体製造装置の処理室排気制御システム
KR960006957B1 (ko) 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템 및 그 운용 방법
KR20080077722A (ko) 압력 역류 방지기능을 갖는 반도체 제조설비
KR20080083386A (ko) 반도체 제조설비 및 그의 제어방법
JP3027778B2 (ja) 減圧装置昇圧用パージガス導入装置
KR100481271B1 (ko) 밸브가 장착된 반도체 및 티에프티 엘시디 제조용 챔버의배기시스템
JPH03164581A (ja) 真空排気装置
JPS5881975A (ja) プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系