JPH10149515A

JPH10149515A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH10149515A
Application number: JP8308088A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Sato; 清佐藤; Toshinori Watanabe; 利徳渡辺
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1996-11-19
Filing date: 1996-11-19
Publication date: 1998-06-02
Anticipated expiration: 2016-11-19
Also published as: KR19980042542A; JP3184465B2; US5959813A; KR100263869B1

Abstract

(57)【要約】【課題】下部コア層の幅寸法と上部コア層の幅寸法と
で差のある薄膜のインダクティブヘッドでは、両コア層
から記録媒体に与えられる記録磁界がトラック幅からは
み出し、ライトフリンジングが発生しやすくなってい
る。【解決手段】ギャップ層の幅寸法をトラック幅Ｔｗと
一致させ、前記ギャップ層の両側には軟磁性材料製のシ
ールド磁性層４が形成されているため、前記トラック幅
Ｔｗから滲み出る記録磁界は前記シールド磁性層４に吸
収され、ライトフリンジングを抑制できる。特に前記シ
ールド磁性層の飽和磁束密度と膜厚Ｌ1を適切に調節す
ることにより、ライトフリンジングを抑制できると同時
に再生出力を高く維持することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、浮上式磁気ヘッド
などに使用されるインダクティブ型の薄膜磁気ヘッドに
係り、特に記録用の磁気ギャップのトラック幅方向の両
側にシールド磁性層を設けることにより、ライトフリン
ジングの発生を抑制できるようにした薄膜磁気ヘッド及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１６はスライダ１０上に形成された従
来の薄膜磁気ヘッドの全体構造の概略を示す斜視図であ
り、図１７（ａ）は、従来の薄膜磁気ヘッドを記録媒体
の対向部側から示した部分正面図である。図１６及び図
１７（ａ）に示す薄膜磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構
成するスライダ１０のトレーリング側端部に形成された
ものであり、読み出しヘッドｈ1と記録用のインダクテ
ィブヘッドｈ2とが積層されたものとなっている。

【０００３】符号１１は、Ｎｉ―Ｆｅ系合金（パーマロ
イ）またはセンダストなどの高透磁率の磁性材料で形成
された下部コア層である。磁気抵抗効果素子を利用した
読み出しヘッドｈ1にインダクティブヘッドｈ2が連続し
て積層された複合型薄膜磁気ヘッドでは、前記下部コア
層１１が、インダクティブヘッドｈ2のコア層として機
能するだけでなく、読み出しヘッドｈ1の上部シールド
層としても機能する。下部コア層１１の上には、Ａｌ₂
Ｏ₃（アルミナ）などの非磁性材料で形成されたギャッ
プ層１２が設けられている。ギャップ層１２上には例え
ばポリイミドなどのレジスト材料やその他の有機材料で
形成された絶縁層（図示されない）が形成されている。
前記絶縁層上には、Ｃｕなどの電気抵抗の低い導電材料
により、コイル層５が螺旋状に形成されている。なお、
コイル層５は、上部コア層３の基端部３ｂの周囲を周回
するように形成されている。

【０００４】そして、コイル層５上には、有機樹脂材料
などの絶縁層（図示されない）が形成されている。絶縁
層の上には、パーマロイなどの磁性材料がメッキされて
上部コア層３が形成されている。上部コア層３の先端部
３ａは、記録媒体との対向部において、下部コア層１１
上に前記ギャップ層１２を介して接合され、ギャップ長
Ｇｌの磁気ギャップが形成されている。また上部コア層
３の基端部３ｂは、下部コア層１１に磁気的に接続され
ている。書き込み用のインダクティブヘッドｈ2では、
コイル層５に記録電流が与えられると、下部コア層１１
および上部コア層３に記録磁界が誘導され、下部コア層
１１と上部コア層３の先端部３ａとの磁気ギャップ部分
からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体
に磁気信号が記録される。

【０００５】このインダクティブヘッドｈ2の書き込み
用の磁気ギャップでは、ギャップ層１２を介して接合さ
れる下部コア層１１と上部コア層３の先端部３ａとの間
隔（すなわちギャップ層１２の膜厚）でギャップ長Ｇｌ
が決められる。また図１７に示すようにトラック幅Ｔｗ
は、上部コア層３の先端部３ａの幅寸法で決られる。図
１７（ａ）に示すように、下部コア層１１の幅寸法Ｔ2
は、上部コア層３の先端部３ａの幅寸法Ｔｗよりも十分
に大きく形成されている。下部コア層１１の幅寸法Ｔ2
が大きくなっている理由は、下部コア層１１の上面によ
る平坦面の面積を広くして、下部コア層１１上に絶縁層
を介して前記コイル層５を形成しやすくするためであ
る。また同時に下部コア層１１により、インダクティブ
ヘッドの下層に形成される磁気抵抗効果素子層１３に対
する磁気シールド効果を高めるためである。

【０００６】また、磁気抵抗効果を利用した読み出しヘ
ッドｈ1では、下部シールド層１４上に下部ギャップ層
１５ａを介して磁気抵抗効果素子層１３が設けられ、こ
の磁気抵抗効果素子層１３上に上部ギャップ層１５ｂを
介して前記下部コア層１１が形成され、この下部コア層
１１が、磁気抵抗効果素子層１３に対する上部シールド
層として兼用されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１７（ａ）に示すよ
うに、上部コア層３の先端部３ａの幅寸法Ｔｗに対し
て、下部コア層１１の幅寸法Ｔ2が大きいと、下部コア
層１１と上部コア層３に記録磁界が誘導され、先端部３
ａと下部コア層１１との間において記録用の洩れ磁界が
発生するときに、この洩れ磁界が、上部コア層３の先端
面３ａの幅寸法（トラック幅）Ｔｗの範囲内に収まら
ず、下部コア層１１の幅寸法に引きずられて幅Ｔｗの両
側に磁界の滲みが形成される。

【０００８】図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の磁気ヘッ
ドを用いて記録された記録データの記録パターンを示し
ているが、この記録パターンには本来のトラック幅Ｔｗ
からはみ出るライトフリンジング（書き込み滲み）が発
生していることがわかる。このライトフリンジングが発
生すると、書き込まれた記録媒体でのトラック位置検出
を高精度に行なうことができず、トラッキングサーボエ
ラーを引き起す。特に、高密度記録を行なう場合には、
隣接するトラックのピッチが狭くなるため、ライトフリ
ンジングによる影響が大きくなる。

【０００９】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、ギャップ層の両側に下部コア層と同じ軟磁
性材料かまたはそれ以外の軟磁性材料で形成されたシー
ルド磁性層を設けることにより、ライトフリンジングを
十分に抑制できるようにし、しかも記録時のオーバーラ
イト特性を低減させることのない磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材料の下
部コア層と、下部コア層よりも小さい幅寸法で前記下部
コア層上に対向する磁性材料の上部コア層と、前記下部
コア層と上部コア層の間に介在するギャップ層と、下部
コア層及び上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層と
が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、下部コア層上に
非磁性材料層が形成され、下部コア層と上部コア層の間
の前記非磁性材料層によって前記ギャップ層が形成され
ており、前記ギャップ層のトラック幅方向の両側が、軟
磁性材料のシールド磁性層で覆われていることを特徴と
するものである。

【００１１】上記において、前記上部コア層のトラック
幅方向の幅寸法Ｔｗと、前記上部コア層と接する前記ギ
ャップ層の上面の幅寸法と、前記下部コア層と接する前
記ギャップ層の下面の幅寸法Ｔ1とが一致しているもの
とすることができる。

【００１２】この発明は、図２、図５および図７に示す
ものであり、下部コア層側と上部コア層との間に挟まれ
た非磁性材料層を磁気ギャップ層として残してその両側
部分の非磁性材料層をプラズマエッチングにより除去す
ることにより、上部コア層の幅寸法Ｔｗと、前記上部コ
ア層と接する前記非磁性材料層の上面の幅寸法と、下部
コア層と接する前記非磁性材料層の下面の幅寸法Ｔ1と
を一致させることができる。

【００１３】また本発明では、前記ギャップ層は、上部
コア層に接する上面から、下部コア層に接する下面に向
かうにしたがって、トラック幅方向の幅寸法が徐々に大
きくなるように形成されている形状の薄膜磁気ヘッドを
提示できる。これは例えば図３、図４、図６に示す。

【００１４】このシールド磁性層では、例えば下部コア
層と上部コア層とが対向していない部分の非磁性材料層
がイオンミリングにより除去される場合に形成されるも
のであり、非磁性材料層がイオンミリングで除去される
場合に、ギャップ層のトラック幅方向の両側部が、下部
コア層に向かって広がる傾斜面となる。

【００１５】また、前記シールド磁性層の平均膜厚Ｌ1
は、０．００１から１．０（μm）の範囲であることが
好ましい。

【００１６】特に前記シールド磁性層の飽和磁束密度Ｂ
ｓが、０．９５（T）以下の場合、前記シールド磁性層
の膜厚Ｌ1が、０．０５から１．０（μm）の範囲である
ことがより好ましい。

【００１７】飽和磁束密度Ｂｓが、０．９５（T）以下
となる軟磁性材料にはＦｅ―Ｎｉ系合金（Ｂｓ＝０．９
５（T））やＣｏ―Ｚｒ―Ｎｂ系合金（Ｂｓ＝０．５
（T））などが例示できる。

【００１８】例えば前記シールド磁性層が、Ｎｉ―Ｆｅ
（ニッケル―鉄）合金で形成される場合、前記シールド
磁性層の膜厚Ｌ1は、０．０５から０．４８（μm）であ
ることが好ましく、０．０５から０．３８（μm）また
は０．０５から０．４（μm）の範囲であるとさらに好
ましい。

【００１９】また、前記シールド磁性層が、Ｃｏ―Ｚｒ
―Ｎｂ（コバルト―ジルコニウム―ニオブ）合金で形成
される場合、前記シールド磁性層の膜厚Ｌ1は、０．２
から０．７３（μm）の範囲であるとさらに好ましい。

【００２０】また、前記シールド磁性層の飽和磁束密度
Ｂｓが、０．９５（T）以上で１．８（T）以下の場合、
前記シールド磁性層の膜厚Ｌ1が、０．０１から０．４
（μm）の範囲であることが好ましい。また、前記シー
ルド磁性層の飽和磁束密度Ｂｓが、１．８（T）以上の
場合、前記シールド磁性層の膜厚Ｌ1が、０．００１か
ら０．４（μm）の範囲であることが好ましい。

【００２１】飽和磁束密度Ｂｓが０．９５（T）以上と
なる軟磁性材料には、前記Ｎｉ―Ｆｅ系合金およびＣｏ
―Ｆｅ―Ｎｉ系合金（Ｂｓ＝１．８（T））などが例示
できる。

【００２２】前記シールド磁性層が、Ｃｏ―Ｆｅ―Ｎｉ
（コバルト―鉄―ニッケル）合金で形成される場合、前
記シールド磁性層の膜厚Ｌ1は、０．０１から０．１９
（μm）または０．０１から０．２（μm）の範囲である
とさらに好ましい。

【００２３】次に、請求項１に記載する薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、前記下部コア層の上に非磁性材料層を形
成する工程と、非磁性材料層の上に前記上部コア層を形
成する工程と、下部コア層と上部コア層とが対向してい
ない部分の前記非磁性材料層を除去し、上部コア層と下
部コア層との間に前記非磁性材料層を残して前記ギャッ
プ層を形成する工程と、前記ギャップ層のトラック幅方
向の両側に軟磁性材料のシールド磁性層を形成する工程
と、を有することを特徴としている。

【００２４】上記において、ギャップ層となる非磁性材
料層がプラズマエッチングにより除去可能な材料で形成
された場合には、下部コア層と上部コア層とが対向して
いない部分の前記非磁性材料層がプラズマエッチングに
より除去される。この場合、前記のようにギャップ層
の、上部コア層に接する上面と、下部コア層に接する下
面とが、ほぼ同一の幅寸法になる。

【００２５】また、下部コア層と上部コア層とが対向し
ていない部分の前記非磁性材料層を、イオンミリングに
より除去することも可能である。この場合、ギャップ層
の両側部分は傾斜面になる。

【００２６】さらに、シールド磁性層は、成膜工程によ
り形成することもできるが、下部コア層にイオンミリン
グが施され、このイオンミリングにより下部コア層から
除去された磁性材料がギャップ層のトラック幅方向両側
に再付着してシールド磁性層が形成されるようにするこ
とも可能である。

【００２７】前記プラズマエッチングにより除去可能な
非磁性材料（ギャップ層を形成する非磁性材料）として
ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＯ、Ｔｉ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉ₃Ｏ₅、ＴｉＯ₂の単層膜、あるいは２種類以上の複合
膜または多層膜が例示できる。

【００２８】また前記プラズマエッチングには、ＣＦ₄
またはＣＦ₄＋Ｏ₂による方向性プラズマエッチングが用
いられ、前記方向性プラズマエッチングにより、下部コ
ア層と上部コア層との間に介在しているギャップ層以外
の非磁性材料が選択的に除去される。この方向性プラズ
マエッチングでは、上部コア層および下部コア層を形成
する磁性材料層はダメージを受けない。

【００２９】また、前記非磁性材料層を除去する工程
が、イオンミリングにより行われると、前記のようにギ
ャップ層の両側部に傾斜部が形成されるだけでなく、下
部コア層を形成するパーマロイなどの軟磁性材料も前記
イオンミリングの影響を受けやすく、前記下部コア層の
両側部の一部分が除去され、下部コア層にも傾斜面が形
成されやすい。このイオンミリングには、中性イオン化
されたアルゴンガスによるミリングが用いられる。

【００３０】次に、前記ギャップ層の両側に軟磁性材料
製のシールド磁性層を形成する工程は、スパッタや蒸着
により軟磁性材料をギャップ層の両側に成膜する方法
と、イオンミリングにより下部コア層を一部分削り取
り、削り取られた軟磁性材料を、ギャップ層の両側に再
付着させる方法の２通りを提示することができる。

【００３１】以下に、本発明でのシールド磁性層を形成
する軟磁性材料を列記する。（１．結晶材料）Ｎｉ―Ｆｅ系合金（組成）組成式は、ＮｉxＦｅyで示され、組成比x、yは
原子％で、８６≦x≦９２、８≦y≦１４、x＋y＝１００
となる関係を満足することを特徴とする軟磁性合金

【００３２】Ｎｉ―Ｆｅ―Ｎｂ系合金（組成）組成式は、ＮｉxＦｅyＮｂzで示され、組成比
x、y、zは原子％で、７６≦x≦８４、８≦y≦１５、５
≦z≦１２、x＋y＋z＝１００となる関係を満足すること
を特徴とする軟磁性合金（効果）比抵抗が大きくなり、高周波記録における渦電
流損失を低減できる。

【００３３】Ｃｏ―Ｆｅ系合金（組成）組成式は、ＣｏxＦｅyで示され、組成比x、yは
原子％で、８６≦x≦９２、８≦y≦１４、x＋y＝１００
となる関係を満足することを特徴とする軟磁性合金

【００３４】Ｃｏ―Ｆｅ―Ｎｉ系合金（組成）組成式は、ＣｏxＦｅyＮｉzで示され、組成比
x、y、zは原子％で、０．１≦x≦１５、３９≦y≦６
２、３９≦z≦６２、x＋y＋z＝１００となる関係を満足
することを特徴とする軟磁性合金

【００３５】Ｃｏ―Ｆｅ―Ｎｉ―Ｘ系合金（Ｘ＝Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｂ、Ｉｎ）（組成）組成式は、ＣｏxＦｅyＮｉzＸwで示され、Ｘは
Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｂ、Ｉｎの１種類か２種類以上の元
素であり、組成比x、y、z、wは原子％で、０．１≦x≦
１５、３９≦y≦６２、３９≦z≦６２、０．０５≦w≦
１５、x＋y＋z＋w＝１００となる関係を満足することを
特徴とする軟磁性合金（効果）比抵抗が大きく、高周波記録における渦電流損
失を低減できる。

【００３６】（２．非晶質材料）Ｃｏ―Ｚｒ―Ｎｂ系非晶質合金（組成）組成式は、ＣｏxＺｒyＮｂzで示され、組成比
x、y、zは原子％で、１．５≦y≦１３、６．５≦z≦１
５、１≦y／z≦２．５、x＋y＋z＝１００となる関係を
満足することを特徴とする非晶質軟磁性合金

【００３７】Ｃｏ―Ｈｆ―Ｔａ系非晶質合金（組成）組成式は、ＣｏxＨｆyＴａzで示され、組成非
x、y、zは原子％で、１．５≦y≦１３、６．５≦z≦１
５、１≦y／z≦２．５、x＋y＋z＝１００となる関係を
満足することを特徴とする非晶質軟磁性合金（効果）成膜後では一軸結晶磁気異方性がなく、且つ非
常に高い透磁率を有し、さらに耐熱性に優れている。

【００３８】（３．微結晶合金）Ｆｅ―Ｍ―Ｃ系合金（Ｍ＝Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）（組成）Ｆｅを主成分とする結晶と、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの金属元素群から
選ばれる少なくとも１種類の元素の炭化物もしくは窒化
物の結晶とを有し、全体としては平均結晶粒径が４０ｎ
ｍ以下の微細結晶で構成され、前記炭化物もしくは窒化
物の平均結晶粒径をｄ、前記ＦｅもしくはＣｏを主成分
とする結晶の平均結晶粒径をＤとした場合に、その比率
ｄ／Ｄが０．０５以上０．４以下であり、組成式が次式
で表わされ、ＦｅxＭyＣz ただし、ＭはＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗのうち１種類か２種類以上の元素で構成さ
れ、以下の組成比（原子％）を満足することを特徴とす
る軟磁性合金。５０≦x≦９６、２≦y≦３０、０．５≦z≦２５、x＋y
＋z＝１００

【００３９】Ｆｅ―Ｘ―Ｍ―Ｃ系合金（組成）その組織が基本的に平均結晶粒径が０．０８μ
m以下の微細な結晶粒からなり、その一部には元素の炭
化物の結晶相を含み、組成比は次式で示され、ＦｅaＸcＭeＣf ただし、ＸはＡｌ、Ｓｉのうち１種類または２種類の元
素ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのう
ち１種類または２種類以上の元素で構成され、以下の組成比（原子％）を満足することを
特徴とする軟磁性合金。５０≦a≦９５、０．２≦c≦２５、２≦e≦２５、０．
５≦f≦２５、a＋c＋e＋f＝１００

【００４０】Ｔ―Ｘ―Ｍ―Ｚ―Ｑ系合金（組成）ＦｅもしくはＣｏを主成分とする結晶と、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの金属元素群から
選ばれる少なくとも１種類の元素の炭化物もしくは窒化
物の結晶とを有し、全体としては平均結晶粒径が４０ｎ
ｍ以下の微細結晶で構成され、前記炭化物もしくは窒化
物の平均結晶粒径をｄ、前記ＦｅもしくはＣｏを主成分
とする結晶の平均結晶粒径をＤとした場合に、その比率
ｄ／Ｄが０．０５以上０．４以下であり、組成式が次式
で示され、ＴaＸbＭcＺeＱf ただし、ＴはＦｅ、Ｃｏのうち１種類または２種類の元
素ＸはＳｉ、Ａｌのうち１種類または２種類の元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの金属元
素群から選ばれる少なくとも１種類か２種類以上の元素ＺはＣ、Ｎのうち１種類または２種類の元素Ｑは、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕの金属元素群から選ばれる１種類または２種類以上の
元素で構成され、以下の組成比（原子％）を満足することを
特徴とする軟磁性合金。４０≦a≦９８．５、０≦b≦２５、１c≦１０、０．５
≦e≦１５、０≦f≦１０、a＋b＋c＋e＋f＝１００

【００４１】Ｔ―Ｓｉ―Ａｌ―Ｍ―Ｚ―Ｑ系合金（組成）ＦｅもしくはＣｏを主成分とする体心立方構造
であって、平均結晶粒径が４０ｎｍ以下の微細結晶と前
記微細結晶の粒界に析出されたＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｔａのうち１種類または２種類以上の元素の炭化物また
は窒化物とを具備してなり、前記体心立方構造の微結晶
に、少なくとも、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｒｅ。Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕのうち１種類
または２種類以上の元素とを固溶してなり、組成式が次
式で示され、ＴaＳｉbＡｌcＭdＺeＱf ただし、ＴはＦｅ、Ｃｏのうち１種類または２種類の元
素Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種類または２種
類以上の元素ＺはＣ、Ｎのうち１種類または２種類の元素Ｑは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕのうち１種類または２種類以上
の元素で構成され、以下の組成比（原子％）を満足することを
特徴とする軟磁性合金。４０≦a≦９０、８≦b≦１５、０≦c≦１０、１≦d≦１
０、１≦e≦１０、０≦f≦１５、a＋b＋c＋d＋e＋f＝１
００（特徴）比抵抗は１２０μΩｃｍ以上、平均結晶粒径が
４０ｎｍ以下の微結晶材料（効果）熱的に安定であり、耐酸化性、耐蝕性に優れて
いる。また成膜後では一軸結晶磁気異方性がない。

【００４２】（４．高比抵抗材料）Ｆｅ―Ｍ―Ｏ（Ｍ＝Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）（組成）組成式は、ＦｅaＭbＯcで示され、ＭはＨｆ、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの１種類
または２種類以上の元素で構成され、組成比a、b、cは
原子％で、５０≦a≦７０、５≦b≦３０、１０≦c≦３０、a＋b＋c
＝１００なる関係を満足し、比抵抗が４００〜２×１０⁵μΩｃ
ｍであり、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下の体心立方構造
のＦｅの微結晶相と、前記ＭまたはＯを多量に含む非晶
質相とが混在され、前組織に占める体心立方構造のＦｅ
の微結晶相の比率が５０vol％以下であることを特徴と
する軟磁性合金（特徴）ＭとＯからなる非晶質相が５０vol％以上の中
に平均結晶粒径３０ｎｍ以下のｂｃｃのＦｅの微結晶相
を含んでいる。（効果）比抵抗（４００〜２×１０⁵μΩｃｍ）が大き
いため、数１０ＭＨｚの高周波領域においても渦電流損
失が少ない。

【００４３】Ｆｅ―Ｍ―Ｎ（Ｍ＝希土類金属元素また
はＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ）（組成）組成式は、ＦｅaＭbＮcで示され、Ｍは希土類
金属元素及びＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗの
うち１種類または２種類以上の元素で構成され、組成比
a、b、cは原子％で、６０≦a≦８０、１０≦b≦１５、５≦c≦３０、a＋b＋c
＝１００となる関係を満足し、体心立方構造のＦｅを主成分とす
る平均粒径３０ｎｍ以下の微細結晶相と希土類金属元素
及びＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗの群から選
択される１種類または２種類以上の元素ＭとＮの化合物
を主成分とする非晶質相からなり、前記非晶質相が組織
の５０vol％以上を占めていることを特徴とする軟磁性
合金（特徴）ＭとＮからなる非晶質相が５０vol％以上の中
に平均結晶粒径３０ｎｍ以下のｂｃｃの微結晶相を含ん
でいる。（効果）比抵抗（４００〜２×１０⁵μΩｃｍ）が大き
いため、数１０ＭＨｚの高周波領域においても渦電流損
失が少ない。

【００４４】Ｆｅ―Ｍ―Ｎ（Ｍ＝Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ）（組成）組成式は、ＦｅaＭbＮcで示され、ＭはＨｆ、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗのうち１種類または２
種類以上の元素で構成され、組成比a、b、cは原子％
で、６９≦a≦９３、２≦b≦１５、５≦c≦２２、a＋b＋c＝
１００となる関係を満足し、Ｆｅを主成分とする平均粒径３０
ｎｍ以下の微細結晶相とＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｗの群から選択される１種類または２種類以上の
元素ＭとＮの化合物を主成分とする非晶質相からなるこ
とを特徴とする軟磁性合金（特徴）ＭとＮからなる非晶質相と平均結晶粒径が３０
ｎｍ以下のＦｅの微結晶相が混在している。（効果）比抵抗（６０〜８６μΩｃｍ）が大きいため、
数１０ＭＨｚの高周波領域においても渦電流損失が少な
い。

【００４５】上述した軟磁性材料は、すべてスパッタに
より成膜できるが、（１．結晶材料）の欄に記載された
軟磁性材料はメッキ形成もできる。

【００４６】スパッタでシールド磁性層を成膜する場
合、前記シールド磁性層を形成する軟磁性材料と下部コ
ア層を形成する軟磁性材料が同一であっても異なってい
てもどちらでもよい。

【００４７】再付着でシールド磁性層を形成する場合、
下部コア層を形成する軟磁性材料の一部分をイオンミリ
ングにより削り取り、削り取られた軟磁性材料をギャッ
プ層の両側に再付着させるため、下部コア層とシールド
磁性層の材料は同じものになる。

【００４８】本発明では、ギャップ層が上部コア層と同
じ幅寸法に形成され、前記ギャップ層の両側には軟磁性
材料製のシールド磁性層が設けられているため、前記上
部コア層の幅寸法Ｔｗからはみ出る洩れ磁界は、前記シ
ールド磁性層に吸収される。これによりトラック幅Ｔｗ
からの書き込み滲みの量を小さくでき、ライトフリンジ
ングを抑制できる。

【００４９】特に前記シールド磁性層の飽和磁束密度Ｂ
ｓと、前記シールド磁性層の膜厚Ｌ1を適切に調節して
前記シールド磁性層を形成すれば、ライトフリンジング
を抑制できると同時に高い記録時のオーバーライト特性
を維持することが可能となる。

【００５０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの
うちの書き込み用インダクティブヘッドを示す縦断面
図、図２は図１の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向部
を示すものであり、図１のＩＩ矢視の部分正面図であ
る。図１及び図２に示すように、この書き込み用のイン
ダクティブヘッドは、Ｎｉ―Ｆｅ系合金（パーマロイ）
などの高透磁率の軟磁性材料で形成された下部コア層１
および上部コア層３を有している。図１７に示したのと
同様に、下部コア層１の下には磁気抵抗効果素子層１３
と下部シールド層１４を有する磁気抵抗効果を利用した
読み出しヘッドが設けられており、下部コア層１は磁気
抵抗効果素子層１３に対する上部シールド層として兼用
されている。下部コア層１の上方にコイル層５を安定し
て形成できるようにするために、また磁気抵抗効果素子
層１３に対する上部シールド層としての機能を十分に発
揮できるようにするために、下部コア層１の幅寸法Ｔ2
は十分に大きく形成されている。

【００５１】前記磁気抵抗効果素子層１３は、例えば軟
磁性層（ＳＡＬ層）、非磁性層（ＳＨＵＮＴ層）、磁気
抵抗効果層（ＭＲ層）が積層されたものなどであり、こ
の磁気抵抗効果素子層１３の両側には縦バイアス磁界を
与えるためのハードバイアス層と、検出電流を与える主
電極層などが設けられている。符号２は非磁性材料層で
あり、この非磁性材料層２は、下部コア層１の上部表面
全体に形成されている。ただし、図１に示すギャップ深
さＬ4の部分では、前記非磁性材料層２が、下部コア層
１と上部コア層３の先端部３ａとの対向部においてギャ
ップ層２ａとして残され、下部コア層１と先端部３ａと
が対向していない部分では前記非磁性材料層２が除去さ
れている。上部コア層３の先端部３ａは、ギャップ層２
ａを介して下部コア層１に接合されている。

【００５２】図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部コア
層３の先端部３ａと接する前記ギャップ層２ａの上面２
ａ1の幅寸法と、前記下部コア層１と接する前記ギャッ
プ層２ａの下面２ａ2の幅寸法Ｔ1とが共に、前記先端部
３ａの幅寸法Ｔｗと一致している。非磁性材料層２はス
パッタなどにより形成されるが、図２では非磁性材料層
が、プラズマエッチングによる化学的作用で除去可能で
あり、且つプラズマエッチング工程で下部コア層１を形
成する軟磁性材料（例えばパーマロイ）にダメージを与
えない材料により形成されている。この非磁性材料は、
例えば、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＯ、Ｔｉ₂
Ｏ₃、Ｔｉ₃Ｏ₅、ＴｉＯ₂の単層膜、あるいは２種類以上
の複合膜または多層膜である。

【００５３】前記非磁性材料層２の上には、有機樹脂材
料例えばレジスト材料の絶縁層６が形成されている。さ
らに、絶縁層６の上に、Ｃｕなどの電気抵抗の小さい導
電性材料によりコイル層５が形成されている。このコイ
ル層５は、上部コア層３の基端部３ｂの周囲にて螺旋状
となるように平面的に形成されている。さらにコイル層
５の上に、有機樹脂層の絶縁層７が覆われるように形成
されている。そして、前記絶縁層７の上に上部コア層３
がメッキ工程などにより形成されている。上部コア層３
は、パーマロイなどの磁性材料で形成されており、先端
部３ａは前記下部コア層１の対向面上に、ギャップ層２
ａを介して接合され、ギャップ長Ｇｌの磁気ギャップが
形成されている。また前記磁気ギャップのトラック幅は
上部コア層３の先端部３ａの幅寸法Ｔｗで決められる。
さらに、上部コア層３の基端部３ｂは、下部コア層１と
磁気的に接続されている。

【００５４】符号４は軟磁性材料で形成されたシールド
磁性層であり、このシールド磁性層４は、ギャップ層２
ａのトラック幅方向の両側から上部コア層３の先端部３
ａの上面にかけてスパッタにより成膜されている。ただ
し前記シールド磁性層４の平均膜厚Ｌ1は、０．００１
から１．０（μm）の範囲であることが好ましい。特に
シールド磁性層の飽和磁束密度Ｂｓが、０．９５（T）
以下の場合、前記シールド磁性層の膜厚Ｌ1が、０．０
５から１．０（μm）の範囲であることがより好まし
く、前記シールド磁性層の飽和磁束密度Ｂｓが、０．９
５（T）以上１．８（T）以下の場合、前記シールド磁性
層の膜厚Ｌ1が、０．０１から０．４（μm）の範囲であ
ることがより好ましい。また、前記シールド磁性層の飽
和磁束密度Ｂｓが、１．８（T）以上である場合、前記
シールド磁性層の膜厚Ｌ1が、０．００１から０．４
（μm）の範囲であることがより好ましい。

【００５５】上部コア層３の上は、アルミナなどの非磁
性材料で形成された保護層（図示しない）で覆われてい
る。このインダクティブヘッドでは、コイル層５に記録
電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層３に
記録磁界が誘導され、ギャップ長Ｇｌの部分で、前記下
部コア層１と上部コア層３の先端部３ａとの間からの洩
れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信
号が記録される。

【００５６】またこのインダクティブヘッドでは、ギャ
ップ層２ａの幅寸法をトラック幅Ｔｗとほぼ一致させ、
前記ギャップ層２ａの両側には軟磁性材料製のシールド
磁性層４が形成されているため、トラック幅Ｔｗから滲
み出る記録用磁界は前記シールド磁性層４に吸収され、
ライトフリンジングを抑制できる。またライトフリンジ
ングがきわめて効果的に抑制できるため、記録媒体に、
トラックピッチがきわめて短くなるように記録すること
が可能となり、高密度記録を可能にできる。特にシール
ド磁性層４を上述した条件に当てはまる膜厚Ｌ1で形成
することにより、ライトフリンジングを抑制できると同
時に記録時のオーバーライト特性を高く維持することが
可能となる。

【００５７】次に、図２の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。まず、パーマロイなどの高透磁率の軟
磁性材料をメッキするなどして、図２に示すように正面
から見た形状が幅寸法Ｔ2の長方形（矩形）となる下部
コア層１が形成される。次に、前記下部コア層１の上面
全域に非磁性材料層２が形成される。この非磁性材料
は、ＣＦ₄またはＣＦ₄と酸素（Ｏ₂）によるプラズマエ
ッチング工程で下部コア層１の軟磁性材料にダメージを
与えない材料が選択される。これに適合する非磁性材料
は、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＯ、Ｔｉ
₂Ｏ₃、Ｔｉ₃Ｏ₅、ＴｉＯ₂の単層膜、あるいは２種類以
上の複合膜または多層膜などである。

【００５８】前記非磁性材料層２の上に、幅寸法Ｔｗの
磁性材料の上部コア層３の先端部３ａが接合される。こ
の上部コア層３は、図１に示す絶縁層７の上にメッキな
どで形成されるが、この工程では、上部コア層３の形成
領域以外の部分にレジストパターンが形成され、このレ
ジストパターンが形成されていない部分に軟磁性材料を
メッキなどし、さらにレジスト材料を除去することによ
り形成される。これにより、上部コア層３の先端部３ａ
は幅寸法がＴｗとなるように形成される。

【００５９】次に、上部コア層３の先端部３ａと下部コ
ア層１との間に介在する非磁性材料層２を、ギャップ層
２ａとして残し、その両側の非磁性材料層２をプラズマ
エッチングにより除去する。前記プラズマエッチング
は、矢印Ｒ方向のみから行われるように方向性を有する
エッチングにより行われる。よって先端部３ａと下部コ
ア層１との間に介在しているギャップ層２ａは前記プラ
ズマエッチングに影響されず、先端部３ａと下部コア層
１との間にて、幅寸法Ｔｗ（＝Ｔ1）にて残される。ま
た、前記プラズマエッチングは、化学的作用により非磁
性材料を除去するものであるため、このプラズマエッチ
ングにより、下部コア層１を形成する磁性材料にダメー
ジを与えることがない。

【００６０】次に、軟磁性材料製のシールド磁性層４
が、ギャップ層２ａのトラック幅方向の両側部から上部
コア層３の先端部３ａの上面にかけてスパッタにより成
膜される。シールド磁性層４を形成する軟磁性材料は、
下部コア層１を形成する軟磁性材料と同じ材料でも違っ
ていてもどちらでもよいが、前記シールド磁性層４の膜
厚Ｌ1が上述した条件を満たすように形成される必要が
ある。

【００６１】図３から図５は、シールド磁性層４がスパ
ッタにより成膜される場合の変形例が示されている。図
３に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部コア層３の先端部３
ａと下部コア層１との間に介在するギャップ層２ｂ以外
の非磁性材料層２の除去はイオンミリングによって行わ
れる。プラズマエッチングに代えて前記イオンミリング
を用いると、図３に示すように、ギャップ層２ｂの両側
に傾斜部２’、２’が形成され、下部コア層１と接する
ギャップ層２ｂの下面２ｂ2の幅寸法Ｔ1が、トラック幅
Ｔｗすなわちギャップ層２ｂの上部コア層３の先端部３
ａに接する上面２ｂ1の幅寸法よりもやや長く形成され
る。

【００６２】前記イオンミリングは、中性イオン化され
たＡｒ（アルゴン）ガスが使用され、斜めの矢印Ｓ方向
及びＴ方向から下部コア層１の上に形成された非磁性材
料層２にイオンが照射され、物理的作用により、先端部
３ａと下部コア層１との間に介在するギャップ層２ｂ以
外の非磁性材料層２が除去される。このとき、ギャップ
層２ｂのトラック幅方向の両側部には傾斜部２’，２’
が形成され、ギャップ層２ｂの正面から見た形状は台形
となる。また、イオンミリングの強度を強くすると、軟
磁性材料製の下部コア層１も前記イオンミリングの影響
を受ける。その結果、図４に示す薄膜磁気ヘッドのよう
に、前記下部コア層１が厚さ寸法Ｌ2にて削り取られ、
前記下部コア層１にも、ギャップ層２ｂの傾斜部２’，
２’に連続する傾斜面１’、１’が形成される。

【００６３】図３及び図４に示すようにイオンミリング
によりギャップ層２ｂが形成されると、下部コア層１と
接するギャップ層２ｂの下面２ｂ2の幅寸法Ｔ1は、トラ
ック幅Ｔｗよりもやや長く形成されるため、記録磁界が
トラック幅Ｔｗからやや滲み出やすくはなるが、シール
ド磁性層４を形成することによるフリンジングの防止効
果を得ることができ、特にシールド磁性層４を上述した
条件にあった膜厚Ｌ1で形成することにより、ライトフ
リンジング量を小さくすることができ、同時に高い記録
時のオーバーライト特性を維持できる。また、イオンミ
リングによりギャップ層２ｂが形成される場合、非磁性
材料は従来から使用されるアルミナなどを使用すること
が可能となる。すなわち、図２に示したプラズマエッチ
ングの場合のように、非磁性材料層２をプラズマエッチ
ングに適した材料で形成する必要はなく、材料の選択性
が広くなる。

【００６４】図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部コア
層３の先端部３ａと下部コア層１との間に介在するギャ
ップ層２ａ以外の非磁性材料層２がプラズマエッチング
により除去され、さらにイオンミリングにより前記下部
コア層１が厚さ寸法Ｌ2だけ除去された場合を示してい
る。またシールド磁性層４はスパッタなどの成膜工程で
形成される。したがって、ギャップ層２ａは上面２ａ1
と下面２ａ2が同一寸法であり、下部コア層１にのみ、
両側に傾斜面１’，１’を有する台形状が形成される。

【００６５】図６と図７は、イオンミリングにより下部
コア層１を厚さ寸法Ｌ3だけ削り取り、この削り取られ
た磁性材料をギャップ層の両側に再付着させてシールド
磁性層４ａを形成する方法を示している。図６に示す薄
膜磁気ヘッドは、非磁性材料層２が矢印Ｓ及びＴ方向か
らイオンミリングにより削り取られ、上部コア層３の先
端部３ａと下部コア層１との間にギャップ層２ｂが形成
される。このとき前記ギャップ層２ｂの両側部には傾斜
部２’、２’が形成され、幅寸法Ｔ1は、トラック幅Ｔ
ｗよりもやや長く形成される。このとき、ギャップ層２
ｂ以外の除去された部分の非磁性材料が上部コア層３の
先端部３ａの両側面に再付着して、薄い再付着層２”，
２”が形成されている。

【００６６】さらに、非磁性材料層２を除去したときと
連続するイオンミリング工程、または別個のイオンミリ
ング工程により、下部コア層１が厚さ寸法Ｌ3だけ削り
取られ、下部コア層１に傾斜面１’、１’が形成され
る。そして削り取られた厚さ寸法Ｌ3の軟磁性材料はギ
ャップ層２ａの両側付近および前記再付着層２”，２”
の表面に再付着し、シールド磁性層４ａが形成される。
図７に示す薄膜磁気ヘッドでは、非磁性材料層２がプラ
ズマエッチングにより削り取られ、幅寸法Ｔ1がトラッ
ク幅Ｔｗと同じ寸法のギャップ層２ａが形成される。次
にイオンミリングにより下部コア層１が厚さ寸法Ｌ3だ
け削り取られ、前記厚さ寸法Ｌ3の軟磁性材料がギャッ
プ層２の両側付近に再付着し、シールド磁性層４ａが形
成される。

【００６７】再付着でシールド磁性層４ａが形成される
場合は、前記シールド磁性層４ａと下部コア層１の材質
は同一となる。また、図６及び図７における前記シール
ド磁性層４ａは図２の薄膜磁気ヘッドを説明したときに
記載したシールド磁性層の膜厚Ｌ1条件を最低限満たし
ていることが必要である。

【００６８】再付着でシールド磁性層４ａが形成される
場合、イオンミリングにより削り取られた厚さ寸法Ｌ3
の軟磁性材料の量がシールド磁性層４ａの膜厚Ｌ1を決
定するため、前記シールド磁性層４ａの膜厚Ｌ1が上述
した条件に当てはまるように、厚さ寸法Ｌ3の軟磁性材
料を削り取る必要性がある。これはミリング時間や真空
度などにより決定される。再付着によりシールド磁性層
４ａが形成されたインダクティブヘッドの場合も、成膜
によりシールド磁性層４が形成されたインダクティブヘ
ッドと同様に、トラック幅Ｔｗから滲み出る記録磁界が
シールド磁性層４ａに吸収されるため、ライトフリンジ
ングを抑制でき、同時に記録時のオーバーライト特性を
高く維持することが可能である。

【００６９】

【実施例】以下にギャップ層の両側にシールド磁性層を
形成した薄膜磁気ヘッドの実施例について説明する。図
４に示す薄膜磁気ヘッドを用いて、シールド磁性層４の
膜厚Ｌ1とフリンジング量との関係及び前記シールド磁
性層４の膜厚Ｌ1と記録時のオーバーライト特性との関
係について調べた。

【００７０】図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法及び
形状は以下の特徴を有している。（１）シールド磁性層４はスパッタにより成膜されてい
る。（２）下部コア層１はイオンミリングにより厚さ寸法Ｌ
2の軟磁性材料が削り取られ、下部コア層１には傾斜部
１’、１’が形成されている。（３）ギャップ層２ａには傾斜部２’、２’が形成され
ており、前記下部コア層１と接する前記ギャップ層２ｂ
の下面２ｂ2の幅寸法Ｔ1は、トラック幅Ｔｗに比べてや
や長く形成されている。

【００７１】図８は、前記シールド磁性層４にＣｏ―Ｆ
ｅ―Ｎｉ（コバルト―鉄―ニッケル）系合金を使用した
実験結果であり、前記Ｃｏ―Ｆｅ―Ｎｉ系合金の飽和磁
束密度Ｂｓは１．８Ｔ（テスラ）であった。図９は、前
記シールド磁性層４にＮｉ―Ｆｅ（ニッケル―鉄）系合
金を使用した実験結果であり、前記Ｎｉ―Ｆｅ系合金の
飽和磁束密度Ｂｓは０．９５Ｔ（テスラ）であった。図
１０は、前記シールド磁性層４にＣｏ―Ｚｒ―Ｎｂ（コ
バルト―ジルコニウム―ニオブ）系合金を使用した実験
結果であり、前記Ｃｏ―Ｚｒ―Ｎｂ系合金の飽和磁束密
度Ｂｓは、０．５Ｔ（テスラ）であった。

【００７２】なお、図中の○点で形成された曲線は、シ
ールド磁性層４の膜厚Ｌ1とフリンジング量（μm）との
関係を、●点で形成された曲線はシールド磁性層４の膜
厚Ｌ1と、記録時のオーバーライト特性（ｄＢ）との関
係を示している。また、フリンジング量（μm）とは、
記録媒体に記録された磁気データの記録パターンの長さ
ＴFからトラック幅Ｔｗを引いた長さのことである。ま
た、オーバーライト特性とは、磁気データを記録媒体に
記録した後の再生出力値のことである。

【００７３】図８から図１０に示すようにシールド磁性
層４の膜厚Ｌ1（μｍ）が厚くなるにつれて、フリンジ
ング量（μｍ）は小さくなるが、同時にオーバーライト
特性（ｄＢ）は低下する。これは前記シールド磁性層４
の膜厚（μｍ）を厚くしていくと、トラック幅Ｔｗから
滲み出る記録磁界はシールド磁性層４に吸収されやすく
なるため、フリンジング量（μｍ）は小さくなるが、同
時にトラック幅内に発生する有効な記録磁界もシールド
磁性層４に吸収されやすくなり、オーバーライト特性
（ｄＢ）が低下してしまうと考えられる。また、飽和磁
束密度Ｂｓが大きくなるほど、膜厚Ｌ1が薄くてもフリ
ンジング量を小さくでき、また膜厚Ｌ1が薄い方がオー
バーライト特性を高く維持できることがわかる。

【００７４】好ましくは、オーバーライト特性（ｄＢ）
の絶対値が３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量（μ
ｍ）が０.２８（μｍ）以下となる時であり、この範囲
に当てはまる膜厚Ｌ1をそれぞれ図から求めてみると、
Ｂｓが最も大きいＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金を使用した場
合、前記Ｌ1は０．０１（μｍ）から０．１９（μｍ）
または０．０１（μｍ）から０．２（μｍ）であり、Ｎ
ｉ−Ｆｅ系合金を使用した場合、前記Ｌ1は０．０５
（μｍ）から０．３８（μｍ）または０．０５（μｍ）
から０．４（μｍ）であり、Ｂｓが最も小さいＣｏ−Ｚ
ｒ−Ｎｂ系合金の場合、前記Ｌ1は０．２から０．７３
（μｍ）である。

【００７５】より好ましくはオーバーライト特性（ｄ
Ｂ）の絶対値が３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量
（μｍ）が０．２５（μｍ）以下となる時であり、この
範囲に当てはまる膜厚Ｌ1をそれぞれ図から求めてみる
と、Ｂｓが最も大きいＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金を使用した
場合、前記Ｌ1は０．０５（μｍ）から０．１９（μ
ｍ）または０．０５（μｍ）から０．２（μｍ）であ
り、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を使用した場合、前記Ｌ1は０．
１（μｍ）から０．３８（μｍ）または０．１（μｍ）
から０．４（μｍ）であり、Ｂｓが最も小さいＣｏ−Ｚ
ｒ−Ｎｂ系合金の場合、前記Ｌ1は０．３から０．７３
（μｍ）である。

【００７６】さらに好ましくはオーバーライト特性（ｄ
Ｂ）の絶対値が３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量
（μｍ）が０．２（μｍ）以下となる時であり、この範
囲に当てはまる膜厚Ｌ1をそれぞれ図から求めてみる
と、Ｂｓが最も大きいＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金を使用した
場合、前記Ｌ1は０．１（μｍ）から０．１９（μｍ）
または０．１（μｍ）から０．２（μｍ）であり、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金を使用した場合、前記Ｌ1は０．２（μ
ｍ）から０．３８（μｍ）または０．２（μｍ）から
０．４（μｍ）であり、Ｂｓが最も小さいＣｏ−Ｚｒ−
Ｎｂ系合金の場合、前記Ｌ1は０．４から０．７３（μ
ｍ）である。

【００７７】さらに好ましくはオーバーライト特性（ｄ
Ｂ）の絶対値が３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量
（μｍ）が０．１５（μｍ）以下となる時であり、この
範囲に当てはまる膜厚Ｌ1をそれぞれ図から求めてみる
と、Ｂｓが最も大きいＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金を使用した
場合、前記Ｌ1は０．１３（μｍ）から０．１９（μ
ｍ）または０．１３（μｍ）から０．２（μｍ）であ
り、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を使用した場合、前記Ｌ1は０．
２５（μｍ）から０．３８（μｍ）または０．２５（μ
ｍ）から０．４（μｍ）であり、Ｂｓが最も小さいＣｏ
−Ｚｒ−Ｎｂ系合金の場合、前記Ｌ1は０．４７から
０．７３（μｍ）である。

【００７８】最も好ましいのは、オーバーライト特性
（ｄＢ）の絶対値が３２（ｄＢ）以上で、且つフリンジ
ング量（μｍ）が０．１（μｍ）以下となる時であり、
この範囲に当てはまる膜厚Ｌ1をそれぞれの図から求め
てみると、Ｂｓが最も大きいＣｏ―Ｆｅ―Ｎｉ系合金を
使用した場合、前記Ｌ1は０．１５（μｍ）から０．１
９（μｍ）または０．１５（μｍ）から０．２（μｍ）
であり、Ｎｉ―Ｆｅ系合金を使用した場合、前記Ｌ1は
０．３（μｍ）から０．３８（μｍ）または０．３（μ
ｍ）から０．４（μｍ）であり、Ｂｓが最も小さいＣｏ
―Ｚｒ―Ｎｂ系合金を使用した場合、前記Ｌ1は０．５
３（μｍ）から０．７３（μｍ）である。ここでＮｉ―
Ｆｅ系合金のＢｓ０．９５（T）を中間値として考える
と、Ｂｓが０．９５（T）以下である場合、オーバー
ライト特性（ｄＢ）の絶対値を３２ｄＢ以上で、且つフ
リンジング量（μｍ）を０．２８（μｍ）以下とするた
めにはシールド磁性層の膜厚Ｌ1が０．０５から１．０
（μｍ）の範囲内の膜厚を適切に選択すればよいことが
図９および図１０から推測できる。

【００７９】またオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値
を３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量（μｍ）を０．
２５（μｍ）以下とするためにはシールド磁性層の膜厚
Ｌ1が０．１から１．０（μｍ）の範囲内の膜厚を適切
に選択すればよいことが図９および図１０から推測でき
る。さらにオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値を３２
ｄＢ以上で、且つフリンジング量（μｍ）を０．２（μ
ｍ）以下とするためにはシールド磁性層の膜厚Ｌ1が
０．２から１．０（μｍ）の範囲内の膜厚を適切に選択
すればよいことが図９および図１０から推測できる。

【００８０】さらにオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対
値を３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量（μｍ）を
０．１５（μｍ）以下とするためにはシールド磁性層の
膜厚Ｌ1が０．２５から１．０（μｍ）の範囲内の膜厚
を適切に選択すればよいことが図９および図１０から推
測できる。そしてオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値
を３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量（μｍ）を０．
１（μｍ）以下とするためにはシールド磁性層の膜厚Ｌ
1が０．３（μm）から１．０（μm）の範囲内の膜厚を
適切に選択すればよいことが図９及び図１０から推測で
きる。

【００８１】また、Ｂｓが０．９５（T）以上である場
合、、オーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値を３２ｄＢ
以上で、且つフリンジング量（μｍ）を０．２８（μ
ｍ）以下とするためにはシールド磁性層の膜厚Ｌ1が
０．０１から０．４（μｍ）の範囲内の膜厚を適切に選
択すればよいことが図８および図９から推測できる。ま
たオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値を３２ｄＢ以上
で、且つフリンジング量（μｍ）を０．２５（μｍ）以
下とするためにはシールド磁性層の膜厚Ｌ1が０．０５
から０．４（μｍ）の範囲内の膜厚を適切に選択すれば
よいことが図８および図９から推測できる。

【００８２】さらにオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対
値を３２ｄＢ以上で、且つフリンジング量（μｍ）を
０．２（μｍ）以下とするためにはシールド磁性層の膜
厚Ｌ1が０．１から０．４（μｍ）の範囲内の膜厚を適
切に選択すればよいことが図８および図９から推測でき
る。さらにオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値を３２
ｄＢ以上で、且つフリンジング量（μｍ）を０．１５
（μｍ）以下とするためにはシールド磁性層の膜厚Ｌ1
が０．１３から０．４（μｍ）の範囲内の膜厚を適切に
選択すればよいことが図８および図９から推測できる。
そしてオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値を３２ｄＢ
以上で、且つフリンジング量（μｍ）を０．１（μｍ）
以下とするためにはＬ1が０．１５（μm）から０．４
（μm）の範囲内の膜厚を適切に選択すればよいことが
図８及び図９から推測できる。

【００８３】次に、下部コア層１及びシールド磁性層４
（または４ａ）にＮｉ―Ｆｅ系合金を使用し、膜厚Ｌ1
を変化させて前記膜厚Ｌ1が、フリンジング量（μm）及
びオーバーライト特性（ｄＢ）にどのように影響してい
るかについて調べた。なお前記Ｎｉ―Ｆｅ系合金の飽和
磁束密度Ｂｓは、０．９５Ｔ（テスラ）であった。薄膜
磁気ヘッドには以下の５種類の薄膜磁気ヘッドを用いる
こととして、それぞれの薄膜磁気ヘッドについて膜厚Ｌ
1の異なる数個の薄膜磁気ヘッドを製作し、実験を行っ
た。

【００８４】以下に５種類の薄膜磁気ヘッドの特徴点に
ついて説明する。（１）図２に示す薄膜磁気ヘッド（以下、タイプＡとす
る）（特徴点）シールド磁性層４は成膜されている。ギャッ
プ層２ａはプラズマエッチングにより形成されている。

【００８５】（２）図３に示す薄膜磁気ヘッド（以下、
タイプＢとする）（特徴点）シールド磁性層４は成膜されている。ギャッ
プ層２ｂはイオンミリングにより形成されている。

【００８６】（３）図４に示す薄膜磁気ヘッド（以下、
タイプＣとする）（特徴点）シールド磁性層４は成膜されている。ギャッ
プ層２ｂはイオンミリングにより形成されている。下部
コア層１にはイオンミリングにより傾斜面１’、１’が
形成されている。

【００８７】（４）図６に示す薄膜磁気ヘッド（以下、
タイプＤとする）（特徴点）シールド磁性層４ａは再付着により形成され
ている。ギャップ層２ｂはイオンミリングにより形成さ
れている。下部コア層１にはイオンミリングにより傾斜
面１’、１’が形成されている。

【００８８】（５）図７に示す薄膜磁気ヘッド（以下、
タイプＥとする）（特徴点）シールド磁性層４ａは再付着により形成され
ている。ギャップ層２ａはプラズマエッチングにより形
成されている。下部コア層１にはイオンミリングにより
傾斜面１’、１’が形成されている。

【００８９】図１１はタイプＡ、図１２はタイプＢ、図
１３はタイプＣ、図１４はタイプＤ、図１５はタイプＥ
における実験結果のグラフであり、図１１から図１５に
示す○点で形成された曲線は、Ｌ1とフリンジング量
（μm）との関係を、●点で形成された曲線はＬ1とオー
バーライト特性（ｄＢ）との関係を示している。どの図
においても、Ｌ1が０．０５から０．４８（μm）の範囲
内であれば、フリンジング量（μm）をある程度小さく
抑えることができ、同時にオーバーライト特性（ｄＢ）
をある程度高く維持することが可能であることがわか
る。

【００９０】好ましくはオーバーライト特性（ｄＢ）の
絶対値が３２（ｄＢ）以上で、フリンジング量が０．２
８（μｍ）以下となる場合であり、それぞれの図からこ
の範囲に当てはまるＬ1を求めてみると、図１１（タイ
プＡ）の場合、Ｌ1は０．２（μｍ）から０．３８（μ
ｍ）であり、図１２（タイプＢ）の場合、Ｌ1は０．１
７（μｍ）から０．３７（μｍ）であり、図１３（タイ
プＣ）の場合、Ｌ1は０．０５（μｍ）から０．３８
（μｍ）であり、図１４（タイプＤ）の場合、Ｌ1は
０．２８（μｍ）から０．４８（μｍ）であり、図１５
（タイプＥ）の場合、Ｌ1は０．１（μｍ）から０．３
７（μｍ）である。

【００９１】より好ましくはオーバーライト特性（ｄ
Ｂ）の絶対値が３２（ｄＢ）以上で、フリンジング量が
０．２５（μｍ）以下となる場合であり、それぞれの図
からこの範囲に当てはまるＬ1を求めてみると、図１１
（タイプＡ）の場合、Ｌ1は０．２１（μｍ）から０．
３８（μｍ）であり、図１２（タイプＢ）の場合、Ｌ1
は０．２（μｍ）から０．３７（μｍ）であり、図１３
（タイプＣ）の場合、Ｌ1は０．１（μｍ）から０．３
８（μｍ）であり、図１４（タイプＤ）の場合、Ｌ1は
０．３（μｍ）から０．４８（μｍ）であり、図１５
（タイプＥ）の場合、Ｌ1は０．１５（μｍ）から０．
３７（μｍ）である。

【００９２】さらに好ましくはオーバーライト特性（ｄ
Ｂ）の絶対値が３２（ｄＢ）以上で、フリンジング量が
０．２（μｍ）以下となる場合であり、それぞれの図か
らこの範囲に当てはまるＬ1を求めてみると、図１１
（タイプＡ）の場合、Ｌ1は０．２４（μｍ）から０．
３８（μｍ）であり、図１２（タイプＢ）の場合、Ｌ1
は０．２４（μｍ）から０．３７（μｍ）であり、図１
３（タイプＣ）の場合、Ｌ1は０．２（μｍ）から０．
３８（μｍ）であり、図１４（タイプＤ）の場合、Ｌ1
は０．３４（μｍ）から０．４８（μｍ）であり、図１
５（タイプＥ）の場合、Ｌ1は０．２１（μｍ）から
０．３７（μｍ）である。

【００９３】さらに好ましくはオーバーライト特性（ｄ
Ｂ）の絶対値が３２（ｄＢ）以上で、フリンジング量が
０．１５（μｍ）以下となる場合であり、それぞれの図
からこの範囲に当てはまるＬ1を求めてみると、図１１
（タイプＡ）の場合、Ｌ1は０．２５（μｍ）から０．
３８（μｍ）であり、図１２（タイプＢ）の場合、Ｌ1
は０．２７（μｍ）から０．３７（μｍ）であり、図１
３（タイプＣ）の場合、Ｌ1は０．２５（μｍ）から
０．３８（μｍ）であり、図１４（タイプＤ）の場合、
Ｌ1は０．３９（μｍ）から０．４８（μｍ）であり、
図１５（タイプＥ）の場合、Ｌ1は０．２５（μｍ）か
ら０．３７（μｍ）である。

【００９４】そして最も好ましくはオーバーライト特性
（ｄＢ）の絶対値が３２（ｄＢ）以上で、フリンジング
量が０．１（μｍ）以下となる場合であり、それぞれの
図からこの範囲に当てはまるＬ1を求めてみると、図１
１（タイプＡ）の場合、Ｌ1は０．２６（μｍ）から
０．３８（μｍ）であり、図１２（タイプＢ）の場合、
Ｌ1は０．３（μｍ）から０．３７（μｍ）であり、図
１３（タイプＣ）の場合、Ｌ1は０．３（μｍ）から
０．３８（μｍ）であり、図１４（タイプＤ）の場合、
Ｌ1は０．４５（μｍ）から０．４８（μｍ）であり、
図１５（タイプＥ）の場合、Ｌ1は０．３（μｍ）から
０．３７（μｍ）である。

【００９５】以上からシールド磁性層にＮｉ−Ｆｅ系合
金を使用した場合、オーバーライト特性（ｄＢ）の絶対
値を３２（ｄＢ）以上で、フリンジング量を０．２８
（μｍ）以下とするには、シールド磁性層の膜厚Ｌ1が
０．０５から０．４８（μｍ）の範囲内の膜厚を適切に
選択すればよいと推測される。また、オーバーライト特
性（ｄＢ）の絶対値を３２（ｄＢ）以上で、フリンジン
グ量を０．２５（μｍ）以下とするには、シールド磁性
層の膜厚Ｌ1が０．１から０．４８（μｍ）の範囲内の
膜厚を適切に選択すればよいと推測される。

【００９６】またオーバーライト特性（ｄＢ）の絶対値
を３２（ｄＢ）以上で、フリンジング量を０．２（μ
ｍ）以下とするには、シールド磁性層の膜厚Ｌ1が０．
２から０．４８（μｍ）の範囲内の膜厚を適切に選択す
ればよいと推測される。またオーバーライト特性（ｄ
Ｂ）の絶対値を３２（ｄＢ）以上で、フリンジング量を
０．１５（μｍ）以下とするには、シールド磁性層の膜
厚Ｌ1が０．２５から０．４８（μｍ）の範囲内の膜厚
を適切に選択すればよいと推測される。またオーバーラ
イト特性（ｄＢ）の絶対値を３２（ｄＢ）以上で、フリ
ンジング量を０．１（μｍ）以下とすることができるシ
ールド磁性層の膜厚Ｌ1は０．２６から０．４８（μ
ｍ）の範囲内の膜厚を適切に選択すればよいと推測され
る。

【００９７】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、ギャップ
層の両側に軟磁性材料製のシールド磁性層を設けること
により、トラック幅から滲み出る記録磁界を前記シール
ド磁性層に吸収させることができ、ライトフリンジング
を防止できる。特に前記シールド磁性層の飽和磁束密度
と膜厚を適切に調節して前記シールド磁性層を形成する
ことにより、ライトフリンジングを抑制すると同時に再
生出力を高く維持することが可能となる。

【００９８】また、本発明の製造方法では、下部コア層
を削り取り、削り取られた軟磁性材料をギャップ層の両
側に再付着させることによりシールド磁性層を形成する
ことも可能であり、製造が簡単である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの構造を示す断面図、

【図２】図１のＩＩ矢視の部分拡大正面図、

【図３】本発明の第２の実施の形態による薄膜磁気ヘッ
ドの部分拡大正面図、

【図４】本発明の第３の実施の形態による薄膜磁気ヘッ
ドの部分拡大正面図、

【図５】本発明の第４の実施の形態による薄膜磁気ヘッ
ドの部分拡大正面図、

【図６】本発明の第５の実施の形態による薄膜磁気ヘッ
ドの部分拡大正面図、

【図７】本発明の第６の実施の形態による薄膜磁気ヘッ
ドの部分拡大正面図、

【図８】図４の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性層
４をＣｏ―Ｆｅ―Ｎｉ系合金で形成した場合の、前記シ
ールド磁性層４の膜厚Ｌ1とライトフリンジング量との
関係、及び前記Ｌ1とオーバーライト特性との関係を示
す線図、

【図９】図４の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性層
４をＮｉ―Ｆｅ系合金で形成した場合の、前記シールド
磁性層４の膜厚Ｌ1とライトフリンジング量との関係、
及び前記Ｌ1とオーバーライト特性との関係を示す線
図、

【図１０】図４の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性
層４をＣｏ―Ｚｒ―Ｎｂ系合金で形成した場合の、前記
シールド磁性層４の膜厚Ｌ1とライトフリンジング量と
の関係、及び前記Ｌ1とオーバーライト特性との関係を
示す線図、

【図１１】図２の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性
層４をＮｉ―Ｆｅ系合金で形成した場合の、飽和磁束密
度Ｂｓ・Ｌ1とライトフリンジング量との関係、及び前
記Ｂｓ・Ｌ1とオーバーライト特性との関係を示す線
図、

【図１２】図３の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性
層４をＮｉ―Ｆｅ系合金で形成した場合の、飽和磁束密
度Ｂｓ・Ｌ1とライトフリンジング量との関係、及び前
記Ｂｓ・Ｌ1とオーバーライト特性との関係を示す線
図、

【図１３】図４の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性
層４をＮｉ―Ｆｅ系合金で形成した場合の、飽和磁束密
度Ｂｓ・Ｌ1とライトフリンジング量との関係、及び前
記Ｂｓ・Ｌ1とオーバーライト特性との関係を示す線
図、

【図１４】図６の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性
層４をＮｉ―Ｆｅ系合金で形成した場合の、飽和磁束密
度Ｂｓ・Ｌ1とライトフリンジング量との関係、及び前
記Ｂｓ・Ｌ1とオーバーライト特性との関係を示す線
図、

【図１５】図７の薄膜磁気ヘッドを用いてシールド磁性
層４をＮｉ―Ｆｅ系合金で形成した場合の、飽和磁束密
度Ｂｓ・Ｌ1とライトフリンジング量との関係、及び前
記Ｂｓ・Ｌ1とオーバーライト特性との関係を示す線
図、

【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドでの下部コア層及び上
部コア層の形状を示す半断面斜視図、

【図１７】（ａ）は従来の薄膜磁気ヘッドを正面から見
た場合の部分拡大正面図、（ｂ）は図７（ａ）の磁気ヘ
ッドを用いて、記録媒体に記録した記録パターンのイメ
ージ図、

【符号の説明】

１下部コア層２ａ、２ｂギャップ層３上部コア層３ａ先端部４、４ａシールド磁性層５コイル層Ｌ1 膜厚Ｔｗトラック幅

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性材料の下部コア層と、下部コア層よ
りも小さい幅寸法で前記下部コア層上に対向する磁性材
料の上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層の間に
介在するギャップ層と、下部コア層及び上部コア層に記
録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、下部コア層上に非磁性材料層が形成され、
下部コア層と上部コア層の間の前記非磁性材料層によっ
て前記ギャップ層が形成されており、前記ギャップ層の
トラック幅方向の両側が、軟磁性材料のシールド磁性層
で覆われていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸
法Ｔｗと、前記上部コア層と接する前記ギャップ層の上
面の幅寸法と、前記下部コア層と接する前記ギャップ層
の下面の幅寸法Ｔ1とが一致している請求項１記載の薄
膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記ギャップ層は、上部コア層に接する
上面から、下部コア層に接する下面に向かうにしたがっ
て、トラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなるように
形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記シールド磁性層の平均膜厚Ｌ1は、
０．００１から１．０（μm）の範囲である請求項１な
いし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記シールド磁性層の飽和磁束密度Ｂｓ
が、０．９５（T）以下の場合、前記シールド磁性層の
膜厚Ｌ1が、０．０５から１．０（μm）の範囲である請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項６】前記シールド磁性層の飽和磁束密度Ｂｓ
が、０．９５（T）以上で１．８（T）以下の場合、前記
シールド磁性層の膜厚Ｌ1が、０．０１から０．４（μ
m）の範囲である請求項１ないし請求項３のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記シールド磁性層の飽和磁束密度Ｂｓ
が、１．８（T）以上の場合、前記シールド磁性層の膜
厚Ｌ1が、０．００１から０．４（μm）の範囲である請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項８】前記シールド磁性層が、Ｎｉ―Ｆｅ（ニ
ッケル―鉄）合金で形成される場合、前記シールド磁性
層の膜厚Ｌ1は、０．０５から０．４８（μm）の範囲で
ある請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド。
【請求項９】前記シールド磁性層が、Ｎｉ―Ｆｅ（ニ
ッケル―鉄）合金で形成される場合、前記シールド磁性
層の膜厚Ｌ1は、０．０５から０．４（μm）の範囲であ
る請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気
ヘッド。
【請求項１０】前記シールド磁性層が、Ｃｏ―Ｚｒ―
Ｎｂ（コバルト―ジルコニウム―ニオブ）合金で形成さ
れる場合、前記シールド磁性層の膜厚Ｌ1は、０．２か
ら０．７３（μm）の範囲である請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記シールド磁性層が、Ｃｏ―Ｆｅ―
Ｎｉ（コバルト―鉄―ニッケル）合金で形成される場
合、前記シールド磁性層の膜厚Ｌ1は、０．０１から
０．２（μm）の範囲である請求項１ないし請求項３の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】磁性材料の下部コア層と、下部コア層
よりも小さい幅寸法で前記下部コア層上に対向する磁性
材料の上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層の間
に介在するギャップ層と、下部コア層及び上部コア層に
記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記下部コア層の上に非磁性
材料層を形成する工程と、非磁性材料層の上に前記上部
コア層を形成する工程と、下部コア層と上部コア層とが
対向していない部分の前記非磁性材料層を除去し、上部
コア層と下部コア層との間に前記非磁性材料層を残して
前記ギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ層のト
ラック幅方向の両側に軟磁性材料のシールド磁性層を形
成する工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項１３】ギャップ層となる非磁性材料層がプラ
ズマエッチングにより除去可能な材料で形成され、下部
コア層と上部コア層とが対向していない部分の前記非磁
性材料層がプラズマエッチングにより除去される請求項
１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】下部コア層と上部コア層とが対向して
いない部分の前記非磁性材料層がイオンミリングにより
除去される請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１５】シールド磁性層は、成膜工程により形
成される請求項１２ないし１４のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】下部コア層にイオンミリングが施さ
れ、このイオンミリングにより下部コア層から除去され
た磁性材料がギャップ層のトラック幅方向両側に再付着
してシールド磁性層が形成される請求項１２ないし１４
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。