JPH10148584A - 温度検出装置 - Google Patents
温度検出装置Info
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- JPH10148584A JPH10148584A JP9264856A JP26485697A JPH10148584A JP H10148584 A JPH10148584 A JP H10148584A JP 9264856 A JP9264856 A JP 9264856A JP 26485697 A JP26485697 A JP 26485697A JP H10148584 A JPH10148584 A JP H10148584A
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- transfer block
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アノード等被温度検出体の正確で安定した温度
検出を可能にし、温度制御対象物の温度制御の精度を向
上させる。 【解決手段】熱電対１６の先端に伝熱ブロック２５を固
着し、該伝熱ブロックを被温度検出体３に穿設した穴２
６に圧入した構成であり、熱電対は伝熱ブロックを介し
て被温度検出体に機械的に接触し、熱電対と被温度検出
体間での熱抵抗が少なく、熱移動も安定するので正確な
温度測定が可能となる。
検出を可能にし、温度制御対象物の温度制御の精度を向
上させる。 【解決手段】熱電対１６の先端に伝熱ブロック２５を固
着し、該伝熱ブロックを被温度検出体３に穿設した穴２
６に圧入した構成であり、熱電対は伝熱ブロックを介し
て被温度検出体に機械的に接触し、熱電対と被温度検出
体間での熱抵抗が少なく、熱移動も安定するので正確な
温度測定が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
等真空容器を有する各種真空処理装置の処理室内部の温
度を検出する温度検出装置に関するものである。
等真空容器を有する各種真空処理装置の処理室内部の温
度を検出する温度検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つであるプラズマＣ
ＶＤ装置等の処理装置に於いては、真空容器での処理中
の温度を検出する必要がある。特に、前記プラズマＣＶ
Ｄ装置では処理基板を真空室内部に装入し、反応性ガス
を導入し更に加熱するか或はプラズマを発生させること
により反応ガスを分離させ前記基板上に薄膜の生成処理
等を行うものであるが、斯かる処理に於いて基板温度が
成膜速度等処理状態に大きく影響する為、処理基板が載
置される基板載置台にヒータを埋設し、該ヒータを利用
し基板載置台を介して前記処理基板を温度制御してい
る。
ＶＤ装置等の処理装置に於いては、真空容器での処理中
の温度を検出する必要がある。特に、前記プラズマＣＶ
Ｄ装置では処理基板を真空室内部に装入し、反応性ガス
を導入し更に加熱するか或はプラズマを発生させること
により反応ガスを分離させ前記基板上に薄膜の生成処理
等を行うものであるが、斯かる処理に於いて基板温度が
成膜速度等処理状態に大きく影響する為、処理基板が載
置される基板載置台にヒータを埋設し、該ヒータを利用
し基板載置台を介して前記処理基板を温度制御してい
る。
【０００３】先ず図５に於いてプラズマＣＶＤ装置の概
略を説明する。
略を説明する。
【０００４】真空容器本体１の底部にはヒータ２が埋設
された下部電極（アノード）３が設けられ、該アノード
３はウェーハ、ガラス基板等の被処理基板４を受載可能
であり、基板載置台を兼ねている。前記真空容器本体１
の上部には該真空容器本体１を気密に閉塞する蓋５が気
密に固着され、前記アノード３に対峙する上部電極（カ
ソード）６が絶縁体１１を介して前記蓋５に設けられて
いる。
された下部電極（アノード）３が設けられ、該アノード
３はウェーハ、ガラス基板等の被処理基板４を受載可能
であり、基板載置台を兼ねている。前記真空容器本体１
の上部には該真空容器本体１を気密に閉塞する蓋５が気
密に固着され、前記アノード３に対峙する上部電極（カ
ソード）６が絶縁体１１を介して前記蓋５に設けられて
いる。
【０００５】前記カソード６は高周波電源１２に接続さ
れ、又該カソード６は電極本体７と該電極本体７の下面
に設けられたシャワー板８から成り、該シャワー板８に
は反応ガスを真空容器本体１内に分散導入する多数のシ
ャワー孔１０が穿設されている。前記電極本体７と該シ
ャワー板８の間にはガス溜まり９が形成され、該ガス溜
まり９にはガス導通路を介して図示しない反応ガス供給
源が接続されている。
れ、又該カソード６は電極本体７と該電極本体７の下面
に設けられたシャワー板８から成り、該シャワー板８に
は反応ガスを真空容器本体１内に分散導入する多数のシ
ャワー孔１０が穿設されている。前記電極本体７と該シ
ャワー板８の間にはガス溜まり９が形成され、該ガス溜
まり９にはガス導通路を介して図示しない反応ガス供給
源が接続されている。
【０００６】而して、前記図示しない反応ガス供給源よ
り供給された反応ガスは前記ガス溜まり９を経て前記シ
ャワー孔１０より前記真空容器本体１内に分散導入さ
れ、排気管１３より排気される。反応ガスを導入した状
態で前記高周波電源１２により前記アノード３とカソー
ド６間に高周波電力を印加しプラズマを発生させる。被
処理基板４表面で反応ガスが反応して、被処理基板４表
面に反応生成物が堆積され薄膜の生成等所要のプラズマ
処理が行なわれる。
り供給された反応ガスは前記ガス溜まり９を経て前記シ
ャワー孔１０より前記真空容器本体１内に分散導入さ
れ、排気管１３より排気される。反応ガスを導入した状
態で前記高周波電源１２により前記アノード３とカソー
ド６間に高周波電力を印加しプラズマを発生させる。被
処理基板４表面で反応ガスが反応して、被処理基板４表
面に反応生成物が堆積され薄膜の生成等所要のプラズマ
処理が行なわれる。
【０００７】成膜された膜の特性は基板温度を初めとす
る複数の成膜条件によって決定されるが、基板温度は最
も重要な条件である。従って従来より、プラズマ処理装
置には基板温度を測定する温度検出装置１４が設けられ
ている。
る複数の成膜条件によって決定されるが、基板温度は最
も重要な条件である。従って従来より、プラズマ処理装
置には基板温度を測定する温度検出装置１４が設けられ
ている。
【０００８】前記真空容器本体１の下面に熱電対保持体
１５が気密に設けられ、該熱電対保持体１５には熱電対
１６が気密に挿通され、該熱電対１６の検出端はアノー
ド３に達し、該アノード３の温度を検出し、該アノード
３の温度検出を介して前記被処理基板４の温度を検出す
る様になっている。従来の温度検出装置を図６、図７に
より詳述する。
１５が気密に設けられ、該熱電対保持体１５には熱電対
１６が気密に挿通され、該熱電対１６の検出端はアノー
ド３に達し、該アノード３の温度を検出し、該アノード
３の温度検出を介して前記被処理基板４の温度を検出す
る様になっている。従来の温度検出装置を図６、図７に
より詳述する。
【０００９】前記熱電対１６には基幹部１７が設けら
れ、該基幹部１７は前記熱電対保持体１５下端に設けら
れた熱電対ホルダ１８によって気密に保持されている。
又、該熱電対ホルダ１８は前記熱電対保持体１５下端面
に気密に固着されたフランジ１９、該フランジ１９に内
嵌するＯリング押え２０、該Ｏリング押え２０の先端に
設けられたＯリング２１、前記フランジ１９に螺合する
ナット２２から成り、該ナット２２を締込むことで前記
Ｏリング２１が圧縮され、前記基幹部１７を気密に保持
する様になっている。而して、前記アノード３に嵌入し
た熱電対１６の検出端で前記アノード３の温度が検出さ
れ、更に該検出結果を基に前記被処理基板４の温度が測
定される様になっている。
れ、該基幹部１７は前記熱電対保持体１５下端に設けら
れた熱電対ホルダ１８によって気密に保持されている。
又、該熱電対ホルダ１８は前記熱電対保持体１５下端面
に気密に固着されたフランジ１９、該フランジ１９に内
嵌するＯリング押え２０、該Ｏリング押え２０の先端に
設けられたＯリング２１、前記フランジ１９に螺合する
ナット２２から成り、該ナット２２を締込むことで前記
Ｏリング２１が圧縮され、前記基幹部１７を気密に保持
する様になっている。而して、前記アノード３に嵌入し
た熱電対１６の検出端で前記アノード３の温度が検出さ
れ、更に該検出結果を基に前記被処理基板４の温度が測
定される様になっている。
【００１０】図８はアノード３と熱電対１６の検出端と
を固定する他の例を示しており、熱電対１６をスリーブ
２４を介してアノード３に嵌入している。従って、熱電
対１６の検出端の周囲にはスリーブ２４の厚み分に相当
する隙間２３が形成される。
を固定する他の例を示しており、熱電対１６をスリーブ
２４を介してアノード３に嵌入している。従って、熱電
対１６の検出端の周囲にはスリーブ２４の厚み分に相当
する隙間２３が形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図５、図６に示した従
来の温度検出装置では真空容器本体１内部が加熱された
場合前記熱電対１６とアノード３支持部との間で熱膨張
差が生じ、図７に示される様に熱電対１６検出端とアノ
ード３間で隙間２３を生じてしまう。この為、熱電対１
６とアノード３間の熱抵抗が大きくなり、正確な温度が
検出できない。更に、上記した様に成膜時には反応ガス
を導入するが、該反応ガスが前記隙間２３内を充填し、
熱抵抗が一時的に減少する。被処理基板４の処理に伴い
反応ガスの導入排気が繰返される為、熱電対１６検出端
とアノード３間の熱抵抗が変動して温度検出が２０℃程
度ずれ不確定なものとなり、被処理基板４の安定した温
度制御が不可能となるという問題があった。又、図８に
示したものでは、検出端の周囲に隙間２３が形成される
構造であり、上記した従来のものと同様、真空容器本体
１内部で圧力変動により前記隙間２３も圧力変動を生
じ、アノード３と熱電対１６との間の熱抵抗が変動し
て、熱電対１６の測定温度に誤差が生じて測定温度が不
確定であるという問題があった。
来の温度検出装置では真空容器本体１内部が加熱された
場合前記熱電対１６とアノード３支持部との間で熱膨張
差が生じ、図７に示される様に熱電対１６検出端とアノ
ード３間で隙間２３を生じてしまう。この為、熱電対１
６とアノード３間の熱抵抗が大きくなり、正確な温度が
検出できない。更に、上記した様に成膜時には反応ガス
を導入するが、該反応ガスが前記隙間２３内を充填し、
熱抵抗が一時的に減少する。被処理基板４の処理に伴い
反応ガスの導入排気が繰返される為、熱電対１６検出端
とアノード３間の熱抵抗が変動して温度検出が２０℃程
度ずれ不確定なものとなり、被処理基板４の安定した温
度制御が不可能となるという問題があった。又、図８に
示したものでは、検出端の周囲に隙間２３が形成される
構造であり、上記した従来のものと同様、真空容器本体
１内部で圧力変動により前記隙間２３も圧力変動を生
じ、アノード３と熱電対１６との間の熱抵抗が変動し
て、熱電対１６の測定温度に誤差が生じて測定温度が不
確定であるという問題があった。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、アノード等被
温度検出体の正確で安定した温度検出を行える様にし、
ひいては被処理基板等温度制御対象物の温度制御の精度
を向上させようとするものである。
温度検出体の正確で安定した温度検出を行える様にし、
ひいては被処理基板等温度制御対象物の温度制御の精度
を向上させようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱電対の先端
に伝熱ブロックを固着し、該伝熱ブロックを被温度検出
体に穿設した穴に圧入した温度検出装置に係り、又熱電
対の先端に伝達ブロックを熱嵌めして一体化し、該伝達
ブロックを被温度検出体に穿設した穴に熱嵌めした温度
検出装置に係り、又伝熱ブロックに軸心方向に貫通する
縦通気孔を穿設した温度検出装置に係り、又伝熱ブロッ
クに内面、外面の少なくとも一方に連通する半径方向の
孔を穿設し、該孔を前記縦通気孔に連通した温度検出装
置に係り、又伝熱ブロックは熱伝導率の高い金属材料で
ある温度検出装置に係り、又熱電対の基部が熱電対ホル
ダに軸心方向に変位可能に保持された温度検出装置に係
り、又熱電対ホルダがスプリングにより熱電対先端方向
に付勢された遊動ブッシュを有し、該遊動ブッシュが熱
電対の基部に設けられた基幹部の基端側に係合する温度
検出装置に係り、又被温度検出体がプラズマＣＶＤ装置
のアノードである温度検出装置に係るものである。
に伝熱ブロックを固着し、該伝熱ブロックを被温度検出
体に穿設した穴に圧入した温度検出装置に係り、又熱電
対の先端に伝達ブロックを熱嵌めして一体化し、該伝達
ブロックを被温度検出体に穿設した穴に熱嵌めした温度
検出装置に係り、又伝熱ブロックに軸心方向に貫通する
縦通気孔を穿設した温度検出装置に係り、又伝熱ブロッ
クに内面、外面の少なくとも一方に連通する半径方向の
孔を穿設し、該孔を前記縦通気孔に連通した温度検出装
置に係り、又伝熱ブロックは熱伝導率の高い金属材料で
ある温度検出装置に係り、又熱電対の基部が熱電対ホル
ダに軸心方向に変位可能に保持された温度検出装置に係
り、又熱電対ホルダがスプリングにより熱電対先端方向
に付勢された遊動ブッシュを有し、該遊動ブッシュが熱
電対の基部に設けられた基幹部の基端側に係合する温度
検出装置に係り、又被温度検出体がプラズマＣＶＤ装置
のアノードである温度検出装置に係るものである。
【００１４】熱電対は伝熱ブロックを介して被温度検出
体に機械的に接触し、熱電対と被温度検出体間での熱抵
抗が少なく、熱移動も安定するので正確な温度測定が可
能となり、又伝熱ブロックには空気抜きの為の孔が穿設
されているので圧入時に空気が封入されることがなく、
更に熱電対ホルダにより熱電対の基端が摺動自在に支持
されているので加熱冷却時の温度差による伸縮が許容さ
れ、熱電対に熱応力の発生を防止し、熱電対の熱伸縮に
よる損傷を防止する。
体に機械的に接触し、熱電対と被温度検出体間での熱抵
抗が少なく、熱移動も安定するので正確な温度測定が可
能となり、又伝熱ブロックには空気抜きの為の孔が穿設
されているので圧入時に空気が封入されることがなく、
更に熱電対ホルダにより熱電対の基端が摺動自在に支持
されているので加熱冷却時の温度差による伸縮が許容さ
れ、熱電対に熱応力の発生を防止し、熱電対の熱伸縮に
よる損傷を防止する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１６】図１は本発明に係る実施の形態を示す要部
を示すものであり、図１中、図６中で示したものと同様
のものには同符号を付してある。
を示すものであり、図１中、図６中で示したものと同様
のものには同符号を付してある。
【００１７】前記熱電対１６には基幹部１７が設けら
れ、該基幹部１７が熱電対ホルダ１８によって気密に保
持されている。又、該熱電対ホルダ１８は前記熱電対保
持体１５下端面に気密に固着されたフランジ１９、該フ
ランジ１９に内嵌するＯリング押え２０、該Ｏリング押
え２０の先端に設けられたＯリング２１、前記フランジ
１９に螺合するナット２２から成り、該ナット２２を締
込むことで前記Ｏリング２１が圧縮され、前記基幹部１
７を気密に保持する様になっている。
れ、該基幹部１７が熱電対ホルダ１８によって気密に保
持されている。又、該熱電対ホルダ１８は前記熱電対保
持体１５下端面に気密に固着されたフランジ１９、該フ
ランジ１９に内嵌するＯリング押え２０、該Ｏリング押
え２０の先端に設けられたＯリング２１、前記フランジ
１９に螺合するナット２２から成り、該ナット２２を締
込むことで前記Ｏリング２１が圧縮され、前記基幹部１
７を気密に保持する様になっている。
【００１８】前記熱電対１６は、白金等の熱電対素線を
インコネル等から成るケースの中に入れ、絶縁材である
マグネシアを装填した状態で固定された構造である。該
熱電対１６の先端に円柱形の伝熱ブロック２５を圧着す
る。該伝熱ブロック２５は熱伝導率の高い金属、例えば
アルミニウム、銅等の材料が用いられ、或はアノード３
との電蝕を考慮し、アノード３と同材質の材料が用いら
れる。前記アノード３の下面には前記伝熱ブロック２５
が嵌入する熱電対保持穴２６が穿設され、前記伝熱ブロ
ック２５が圧入される。ここで、熱電対保持穴２６は前
記伝熱ブロック２５と同一形状とし、前記熱電対保持穴
２６は前記伝熱ブロック２５によって完全に充填される
様にする。
インコネル等から成るケースの中に入れ、絶縁材である
マグネシアを装填した状態で固定された構造である。該
熱電対１６の先端に円柱形の伝熱ブロック２５を圧着す
る。該伝熱ブロック２５は熱伝導率の高い金属、例えば
アルミニウム、銅等の材料が用いられ、或はアノード３
との電蝕を考慮し、アノード３と同材質の材料が用いら
れる。前記アノード３の下面には前記伝熱ブロック２５
が嵌入する熱電対保持穴２６が穿設され、前記伝熱ブロ
ック２５が圧入される。ここで、熱電対保持穴２６は前
記伝熱ブロック２５と同一形状とし、前記熱電対保持穴
２６は前記伝熱ブロック２５によって完全に充填される
様にする。
【００１９】前記伝熱ブロック２５の軸心と平行に縦通
気孔２７が上下に貫通し、又半径方向に前記縦通気孔２
７を貫通して伝熱ブロック２５表面と熱電対１６に達す
る横通気孔２８を穿設する。
気孔２７が上下に貫通し、又半径方向に前記縦通気孔２
７を貫通して伝熱ブロック２５表面と熱電対１６に達す
る横通気孔２８を穿設する。
【００２０】図２により前記熱電対１６、前記伝熱ブロ
ック２５、前記アノード３との組立を説明する。
ック２５、前記アノード３との組立を説明する。
【００２１】前記熱電対１６よりも伝熱ブロック２５の
方が温度が高くなる様に温度差を設ける。例えば熱電対
１６を０℃程度に冷やし、伝熱ブロック２５を３００〜
３５０℃程度に加熱し、前記熱電対１６を伝熱ブロック
２５に熱嵌めし、更に該伝熱ブロック２５を中心方向に
圧縮して該伝熱ブロック２５を前記熱電対１６にカシメ
る。次に、前記熱電対１６が嵌入された状態の伝熱ブロ
ック２５を冷やし、例えば０℃程度にし、前記アノード
を加熱し、例えば３００〜３５０℃にし、前記伝熱ブロ
ック２５を前記アノード３の前記熱電対保持穴２６に熱
嵌し、該保持穴２６の周囲を叩き、より一層圧着させ
る。前記縦通気孔２７、横通気孔２８は前記伝熱ブロッ
ク２５を熱電対保持穴２６に圧入する場合の空気抜きの
為にあり、圧入による空気が封入されるのを防止する。
方が温度が高くなる様に温度差を設ける。例えば熱電対
１６を０℃程度に冷やし、伝熱ブロック２５を３００〜
３５０℃程度に加熱し、前記熱電対１６を伝熱ブロック
２５に熱嵌めし、更に該伝熱ブロック２５を中心方向に
圧縮して該伝熱ブロック２５を前記熱電対１６にカシメ
る。次に、前記熱電対１６が嵌入された状態の伝熱ブロ
ック２５を冷やし、例えば０℃程度にし、前記アノード
を加熱し、例えば３００〜３５０℃にし、前記伝熱ブロ
ック２５を前記アノード３の前記熱電対保持穴２６に熱
嵌し、該保持穴２６の周囲を叩き、より一層圧着させ
る。前記縦通気孔２７、横通気孔２８は前記伝熱ブロッ
ク２５を熱電対保持穴２６に圧入する場合の空気抜きの
為にあり、圧入による空気が封入されるのを防止する。
【００２２】前記熱電対１６に前記伝熱ブロック２５を
熱嵌めし、カシメることで、該伝熱ブロック２５と前記
熱電対１６間で確実に機械的接触が得られ、同様に伝熱
ブロック２５を熱電対保持穴２６に熱嵌めし、更にカシ
メることで前記伝熱ブロック２５と熱電対保持穴２６間
で確実に機械的接触が得られる。又前記伝熱ブロック２
５と熱電対保持穴２６間に空気が封入されることもない
ので、結局前記アノード３と前記熱電対１６間で確実に
機械的な接触が得られ、熱移動は熱伝導となり熱抵抗が
少なく、更に前記伝熱ブロック２５と熱電対保持穴２６
との間には隙間が存在しないので反応ガスが流入するこ
ともなく、圧力変動に伴う熱抵抗の変動もなく熱移動は
安定し、温度検出のずれも５℃以内に収まり、正確な温
度検出が可能となる。
熱嵌めし、カシメることで、該伝熱ブロック２５と前記
熱電対１６間で確実に機械的接触が得られ、同様に伝熱
ブロック２５を熱電対保持穴２６に熱嵌めし、更にカシ
メることで前記伝熱ブロック２５と熱電対保持穴２６間
で確実に機械的接触が得られる。又前記伝熱ブロック２
５と熱電対保持穴２６間に空気が封入されることもない
ので、結局前記アノード３と前記熱電対１６間で確実に
機械的な接触が得られ、熱移動は熱伝導となり熱抵抗が
少なく、更に前記伝熱ブロック２５と熱電対保持穴２６
との間には隙間が存在しないので反応ガスが流入するこ
ともなく、圧力変動に伴う熱抵抗の変動もなく熱移動は
安定し、温度検出のずれも５℃以内に収まり、正確な温
度検出が可能となる。
【００２３】尚、図３に示す様に、前記伝熱ブロック２
５に穿設する前記縦通気孔２７の数は複数でもよく、又
前記横通気孔２８の数も軸心方向に所要の間隔で複数穿
設してもよい。或は、前記縦通気孔２７、横通気孔２８
の代わりに伝熱ブロック２５の円周面に全長に亘る通気
溝を刻設してもよい。
５に穿設する前記縦通気孔２７の数は複数でもよく、又
前記横通気孔２８の数も軸心方向に所要の間隔で複数穿
設してもよい。或は、前記縦通気孔２７、横通気孔２８
の代わりに伝熱ブロック２５の円周面に全長に亘る通気
溝を刻設してもよい。
【００２４】図４により更に他の実施の形態を説明す
る。
る。
【００２５】該他の実施の形態は熱電対ホルダ１８を更
に改良したものである。
に改良したものである。
【００２６】フランジ１９にＯリング押え２０を摺動自
在に内嵌し、該Ｏリング押え２０の先端にはフランジ１
９との間でＯリング２１を挾設する。前記フランジ１９
にパイプ状のジョイントナット３０を外嵌螺合し、該ジ
ョイントナット３０の内部に中心に向け突出する内フラ
ンジ３１を形成し、該内フランジ３１を前記Ｏリング押
え２０の下端面に当接させる。前記熱電対１６のリード
部１６ａが挿通し、基幹部１７の下端に嵌合する様遊動
ブッシュ３２を配設する。該遊動ブッシュ３２の上端に
はフランジ３３が形成され、該フランジ３３が前記ジョ
イントナット３０の下部に摺動自在に内嵌する。前記遊
動ブッシュ３２が遊貫するナット３４の上部を前記ジョ
イントナット３０の下端部に外嵌螺合する。前記遊動ブ
ッシュ３２に嵌装した圧縮スプリング３５を前記フラン
ジ３３とナット３４の下部間に挾設する。而して前記熱
電対ホルダ１８は前記基幹部１７を軸心方向に摺動自在
に保持する。
在に内嵌し、該Ｏリング押え２０の先端にはフランジ１
９との間でＯリング２１を挾設する。前記フランジ１９
にパイプ状のジョイントナット３０を外嵌螺合し、該ジ
ョイントナット３０の内部に中心に向け突出する内フラ
ンジ３１を形成し、該内フランジ３１を前記Ｏリング押
え２０の下端面に当接させる。前記熱電対１６のリード
部１６ａが挿通し、基幹部１７の下端に嵌合する様遊動
ブッシュ３２を配設する。該遊動ブッシュ３２の上端に
はフランジ３３が形成され、該フランジ３３が前記ジョ
イントナット３０の下部に摺動自在に内嵌する。前記遊
動ブッシュ３２が遊貫するナット３４の上部を前記ジョ
イントナット３０の下端部に外嵌螺合する。前記遊動ブ
ッシュ３２に嵌装した圧縮スプリング３５を前記フラン
ジ３３とナット３４の下部間に挾設する。而して前記熱
電対ホルダ１８は前記基幹部１７を軸心方向に摺動自在
に保持する。
【００２７】真空容器本体１内が加熱され、或は冷却さ
れた場合、熱電対１６は温度の変化に追従して熱膨張に
より伸縮する。前記熱電対１６は伝熱ブロック２５を介
してアノード３に固着されており、熱電対１６の温度に
対応した伸縮は前記遊動ブッシュ３２と共に前記基幹部
１７が摺動し、前記熱電対１６の熱膨張を吸収する。従
って、前記熱電対１６に熱応力が発生するのが抑制さ
れ、熱膨張、熱収縮により破断することがない。
れた場合、熱電対１６は温度の変化に追従して熱膨張に
より伸縮する。前記熱電対１６は伝熱ブロック２５を介
してアノード３に固着されており、熱電対１６の温度に
対応した伸縮は前記遊動ブッシュ３２と共に前記基幹部
１７が摺動し、前記熱電対１６の熱膨張を吸収する。従
って、前記熱電対１６に熱応力が発生するのが抑制さ
れ、熱膨張、熱収縮により破断することがない。
【００２８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、熱電対
は伝熱ブロックを介して被温度検出体に機械的に接触
し、熱電対と被温度検出体間での熱抵抗が少なく、熱移
動も安定するので正確な温度測定が可能となり、又伝熱
ブロックには空気抜きの為の孔が穿設されているので圧
入時に空気が封入されることがなく、熱移動が封入され
た空気等により影響を受けることがなく、斯かる温度検
出装置を半導体製造装置等に用いることで被処理基板の
温度制御の精度を向上し得、更に熱電対ホルダにより熱
電対の基端が摺動自在に支持されているので加熱時、冷
却時の温度差による熱電対の伸縮が許容され、熱電対の
熱伸縮による損傷が防止される等の優れた効果を発揮す
る。
は伝熱ブロックを介して被温度検出体に機械的に接触
し、熱電対と被温度検出体間での熱抵抗が少なく、熱移
動も安定するので正確な温度測定が可能となり、又伝熱
ブロックには空気抜きの為の孔が穿設されているので圧
入時に空気が封入されることがなく、熱移動が封入され
た空気等により影響を受けることがなく、斯かる温度検
出装置を半導体製造装置等に用いることで被処理基板の
温度制御の精度を向上し得、更に熱電対ホルダにより熱
電対の基端が摺動自在に支持されているので加熱時、冷
却時の温度差による熱電対の伸縮が許容され、熱電対の
熱伸縮による損傷が防止される等の優れた効果を発揮す
る。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】本実施の形態での組立手順を示す説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施の形態の要部を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の更に他の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明が実施されるプラズマＣＶＤ装置の概略
図である。
図である。
【図６】従来例を示す断面図である。
【図７】従来例の一部を示す断面図である。
【図８】他の従来例の一部を示す断面図である。
３ アノード １６ 熱電対 １７ 基幹部 １８ 熱電対ホルダ ２５ 伝熱ブロック ２７ 縦通気孔 ２８ 横通気孔 ３２ 遊動ブッシュ ３４ ナット ３５ 圧縮スプリング
Claims (8)
- 【請求項１】 熱電対の先端に伝熱ブロックを固着し、
該伝熱ブロックを被温度検出体に穿設した穴に圧入した
ことを特徴とする温度検出装置。 - 【請求項２】 熱電対の先端に伝達ブロックを熱嵌めし
て一体化し、該伝達ブロックを被温度検出体に穿設した
穴に熱嵌めしたことを特徴とする温度検出装置。 - 【請求項３】 伝熱ブロックに軸心方向に貫通する縦通
気孔を穿設した請求項１、請求項２の温度検出装置。 - 【請求項４】 伝熱ブロックに内面、外面の少なくとも
一方に連通する半径方向の孔を穿設し、該孔を前記縦通
気孔に連通した請求項３の温度検出装置。 - 【請求項５】 伝熱ブロックは熱伝導率の高い金属材料
である請求項１〜請求項４の温度検出装置。 - 【請求項６】 熱電対の基部が熱電対ホルダに軸心方向
に変位可能に保持された請求項１、請求項２の温度検出
装置。 - 【請求項７】 熱電対ホルダがスプリングにより熱電対
先端方向に付勢された遊動ブッシュを有し、該遊動ブッ
シュが熱電対の基部に設けられた基幹部の基端側に係合
する請求項６の温度検出装置。 - 【請求項８】 被温度検出体がプラズマＣＶＤ装置のア
ノードである請求項１〜請求項７の温度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26485697A JP3202666B2 (ja) | 1996-09-19 | 1997-09-11 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-269393 | 1996-09-19 | ||
| JP26939396 | 1996-09-19 | ||
| JP26485697A JP3202666B2 (ja) | 1996-09-19 | 1997-09-11 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10148584A true JPH10148584A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3202666B2 JP3202666B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=26546715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26485697A Expired - Fee Related JP3202666B2 (ja) | 1996-09-19 | 1997-09-11 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202666B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113176003A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-27 | 佛山市南海区德佰尼卫浴有限公司 | 一种高温陶瓷生产温度检测设备 |
| CN113237564A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-10 | 北京理工大学 | 一种烧蚀考核用的高温热电偶多点测温夹具 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102488650B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2023-01-12 | 도레이첨단소재 주식회사 | 흑색도가 향상된 중공섬유, 이의 제조용 복합섬유, 이를 포함하는 원단 및 이의 제조방법 |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP26485697A patent/JP3202666B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113176003A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-27 | 佛山市南海区德佰尼卫浴有限公司 | 一种高温陶瓷生产温度检测设备 |
| CN113237564A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-10 | 北京理工大学 | 一种烧蚀考核用的高温热电偶多点测温夹具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3202666B2 (ja) | 2001-08-27 |
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