JPH10144966A - 発光ダイオード - Google Patents
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- JPH10144966A JPH10144966A JP9249197A JP24919797A JPH10144966A JP H10144966 A JPH10144966 A JP H10144966A JP 9249197 A JP9249197 A JP 9249197A JP 24919797 A JP24919797 A JP 24919797A JP H10144966 A JPH10144966 A JP H10144966A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射面や放射面等の光学面の成形精度の向上
を図ることができる発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 凹面状反射面２２は発光素子１２の発光
面側に設けられ、略回転放物面形状としている。その焦
点には発光素子１２の発光面の中心を配置する。放射面
２４は発光素子１２の背面側に設けられる。放射面２４
の周囲部には放射面２４よりも突出して形成された突出
部２６を設けている。かかる発光ダイオードは、凹面状
反射面２２を下金型で、放射面２４を上金型で形成する
トランスファーモールド法により作製する。このとき、
上金型上面の残留空気は、突出部２６に対応する上金型
の部分に溜まるので、放射面２４に対応する上金型の部
分には空気層が残留しない。
を図ることができる発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 凹面状反射面２２は発光素子１２の発光
面側に設けられ、略回転放物面形状としている。その焦
点には発光素子１２の発光面の中心を配置する。放射面
２４は発光素子１２の背面側に設けられる。放射面２４
の周囲部には放射面２４よりも突出して形成された突出
部２６を設けている。かかる発光ダイオードは、凹面状
反射面２２を下金型で、放射面２４を上金型で形成する
トランスファーモールド法により作製する。このとき、
上金型上面の残留空気は、突出部２６に対応する上金型
の部分に溜まるので、放射面２４に対応する上金型の部
分には空気層が残留しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子が発する
光を凹面状反射面で反射した後に外部に放射する発光ダ
イオードに関するものである。
光を凹面状反射面で反射した後に外部に放射する発光ダ
イオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードには種々の構造のものが
案出されているが、その中でも反射型発光ダイオード
は、発光素子が発する光を有効に外部放射できる、薄型
とできる等の特徴がある。図４（ａ）はかかる従来の反
射型発光ダイオードの概略正面図、図４（ｂ）はその反
射型発光ダイオードのＥ−Ｅ矢視方向概略断面図であ
る。
案出されているが、その中でも反射型発光ダイオード
は、発光素子が発する光を有効に外部放射できる、薄型
とできる等の特徴がある。図４（ａ）はかかる従来の反
射型発光ダイオードの概略正面図、図４（ｂ）はその反
射型発光ダイオードのＥ−Ｅ矢視方向概略断面図であ
る。
【０００３】図４に示す発光ダイオードは、発光素子５
２と、リード５４ａ，５４ｂと、ボンディングワイヤ５
６と、光透過性材料５８と、凹面状反射面６２と、放射
面６４と、リード引き出し部６８とを有するものであ
る。発光素子５２は、リード５４ａ上にマウントされ、
また、ボンディングワイヤ５６によりリード５４ｂと電
気的に接続されている。発光素子５２、リード５４ａ，
５４ｂの先端部及びボンディングワイヤ５６は、光透過
性材料５８により一体的に封止されている。凹面状反射
面６２は、光透過性材料５８の一方の面をメッキや金属
蒸着等により鏡面加工したものであり、発光素子５２の
発光面に対向する側に形成される。一方、凹面状反射面
６２と反対側の光透過性材料５８の面には平面状の放射
面６４が形成されている。リード引き出し部６８は、凹
面状反射面６２の外側周辺に設けられたものであり、リ
ード５４ａ，５４ｂを外部に引き出すためのものであ
る。
２と、リード５４ａ，５４ｂと、ボンディングワイヤ５
６と、光透過性材料５８と、凹面状反射面６２と、放射
面６４と、リード引き出し部６８とを有するものであ
る。発光素子５２は、リード５４ａ上にマウントされ、
また、ボンディングワイヤ５６によりリード５４ｂと電
気的に接続されている。発光素子５２、リード５４ａ，
５４ｂの先端部及びボンディングワイヤ５６は、光透過
性材料５８により一体的に封止されている。凹面状反射
面６２は、光透過性材料５８の一方の面をメッキや金属
蒸着等により鏡面加工したものであり、発光素子５２の
発光面に対向する側に形成される。一方、凹面状反射面
６２と反対側の光透過性材料５８の面には平面状の放射
面６４が形成されている。リード引き出し部６８は、凹
面状反射面６２の外側周辺に設けられたものであり、リ
ード５４ａ，５４ｂを外部に引き出すためのものであ
る。
【０００４】ここで、光透過性材料５８は、リード５４
ａ，５４ｂに対する凹面状反射面６２側の肉厚はもちろ
ん、リード５４ａ，５４ｂに対する放射面６４側の肉厚
は、光透過性材料５８がリード５４ａ，５４ｂの上側に
完全に回り込む程度の厚さとする。リード５４ａ，５４
ｂと放射面６４との間の厚さが薄いと、光透過性材料５
８の製造ロットの特性ばらつきにより、リード５４ａ，
５４ｂ上側への光透過性材料５８の回り込みが不十分な
ものが生じる。そして、リード５４ａ，５４ｂが露出す
ると、リード５４ａ，５４ｂと光透過性材料５８との間
にクラックが生じやすくなる。このクラックが発光素子
５２に至ると、光の取り出し効率が低下し、発光素子５
２に対する防湿性を維持できなくなるからである。ま
た、発光素子５２を光透過性材料５８で封止する意味が
なくなるからである。
ａ，５４ｂに対する凹面状反射面６２側の肉厚はもちろ
ん、リード５４ａ，５４ｂに対する放射面６４側の肉厚
は、光透過性材料５８がリード５４ａ，５４ｂの上側に
完全に回り込む程度の厚さとする。リード５４ａ，５４
ｂと放射面６４との間の厚さが薄いと、光透過性材料５
８の製造ロットの特性ばらつきにより、リード５４ａ，
５４ｂ上側への光透過性材料５８の回り込みが不十分な
ものが生じる。そして、リード５４ａ，５４ｂが露出す
ると、リード５４ａ，５４ｂと光透過性材料５８との間
にクラックが生じやすくなる。このクラックが発光素子
５２に至ると、光の取り出し効率が低下し、発光素子５
２に対する防湿性を維持できなくなるからである。ま
た、発光素子５２を光透過性材料５８で封止する意味が
なくなるからである。
【０００５】また、放射面６４は、リード引き出し部６
８よりも突出して形成されている。これにより、発光ダ
イオードを治具等に容易に取り付けることができ、発光
ダイオードの十分な実装精度を出すことができる。とこ
ろで、発光ダイオードのモールド成形には、ポッティン
グモールド法とトランスファーモールド法という二つの
手法が一般に用いられている。ポッティングモールド法
やトランスファーモールド法では、熱可塑性の樹脂に用
いるインジェクションモールド法とは異なり、インジェ
クションモールド法ほど高圧とすることがなく、また、
樹脂注入時のワイヤ断線防止の点から粘性の低い樹脂を
使用するため、複雑な型とすることができない。
８よりも突出して形成されている。これにより、発光ダ
イオードを治具等に容易に取り付けることができ、発光
ダイオードの十分な実装精度を出すことができる。とこ
ろで、発光ダイオードのモールド成形には、ポッティン
グモールド法とトランスファーモールド法という二つの
手法が一般に用いられている。ポッティングモールド法
やトランスファーモールド法では、熱可塑性の樹脂に用
いるインジェクションモールド法とは異なり、インジェ
クションモールド法ほど高圧とすることがなく、また、
樹脂注入時のワイヤ断線防止の点から粘性の低い樹脂を
使用するため、複雑な型とすることができない。
【０００６】上記の反射型発光ダイオードの製法として
は、リードフレームを上金型と下金型とではさみ込んだ
ところへ熱硬化性樹脂を注入、硬化するトランスファー
モールド法が用いられる。これは、反射型発光ダイオー
ドでは、レンズ型発光ダイオードのように片側にレンズ
を形成するだけでなく、リードフレームの両側に反射面
と放射面を形成する必要があるからである。トランスフ
ァーモールド法は、金型でリードを保持して反射面や放
射面等の光学面を形成するので、発光素子と光学面との
位置精度がよいという特徴がある。
は、リードフレームを上金型と下金型とではさみ込んだ
ところへ熱硬化性樹脂を注入、硬化するトランスファー
モールド法が用いられる。これは、反射型発光ダイオー
ドでは、レンズ型発光ダイオードのように片側にレンズ
を形成するだけでなく、リードフレームの両側に反射面
と放射面を形成する必要があるからである。トランスフ
ァーモールド法は、金型でリードを保持して反射面や放
射面等の光学面を形成するので、発光素子と光学面との
位置精度がよいという特徴がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発光ダ
イオードを作製する際、上金型上面の残留空気が層を作
り、上金型の形状を再現できないという問題がある。す
なわち、凹面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形
成する場合には、上金型が平面を形成する仕様の型で
も、残留空気層によって放射面の一部又は大部分に樹脂
硬化時のひけが生じたような凹みが生じる。これは、製
品の美観上の問題だけでなく、放射面において光が屈折
することに関連して発光ダイオードの放射特性にも影響
を与えるものである。また、逆に、放射面を下金型で、
凹面状反射面を上金型で形成する場合には、残留空気層
によって凹面状反射面の一部又は大部分に樹脂硬化時の
ひけが生じたような凹みが生じる。これでは、凹面状反
射面は発光素子からの光を正確に制御することができ
ず、発光ダイオードの放射特性が低下してしまう。尚、
かかる問題は、特に、光線制御、すなわち各方向に放射
される光線の光学的制御を高い精度で行うことが要求さ
れる用途で顕著である。例えば、平行光として遠方へ光
放射する場合や、高い光照射密度を得るために一点に光
を集光する場合などである。
イオードを作製する際、上金型上面の残留空気が層を作
り、上金型の形状を再現できないという問題がある。す
なわち、凹面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形
成する場合には、上金型が平面を形成する仕様の型で
も、残留空気層によって放射面の一部又は大部分に樹脂
硬化時のひけが生じたような凹みが生じる。これは、製
品の美観上の問題だけでなく、放射面において光が屈折
することに関連して発光ダイオードの放射特性にも影響
を与えるものである。また、逆に、放射面を下金型で、
凹面状反射面を上金型で形成する場合には、残留空気層
によって凹面状反射面の一部又は大部分に樹脂硬化時の
ひけが生じたような凹みが生じる。これでは、凹面状反
射面は発光素子からの光を正確に制御することができ
ず、発光ダイオードの放射特性が低下してしまう。尚、
かかる問題は、特に、光線制御、すなわち各方向に放射
される光線の光学的制御を高い精度で行うことが要求さ
れる用途で顕著である。例えば、平行光として遠方へ光
放射する場合や、高い光照射密度を得るために一点に光
を集光する場合などである。
【０００８】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、反射面や放射面等の光学面の成形精度の向上を
図ることができる発光ダイオードを提供することを目的
とするものである。
であり、反射面や放射面等の光学面の成形精度の向上を
図ることができる発光ダイオードを提供することを目的
とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明に係る発光ダイオードは、発光素子と、前記
発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子と
前記リード部とを封止する光透過性材料と、前記発光素
子の発光面に対向して設けられた凹面状反射面と、前記
凹面状反射面で反射した光を外部に放射する放射面とを
有し、前記放射面の周囲部に前記放射面よりも突出した
突出部を形成し、且つ、前記凹面状反射面を下金型で、
前記放射面を上金型で形成するモールド法により作製さ
れたものであることを特徴とするものである。
めの本発明に係る発光ダイオードは、発光素子と、前記
発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子と
前記リード部とを封止する光透過性材料と、前記発光素
子の発光面に対向して設けられた凹面状反射面と、前記
凹面状反射面で反射した光を外部に放射する放射面とを
有し、前記放射面の周囲部に前記放射面よりも突出した
突出部を形成し、且つ、前記凹面状反射面を下金型で、
前記放射面を上金型で形成するモールド法により作製さ
れたものであることを特徴とするものである。
【００１０】また、上記の目的を達成するための本発明
に係る発光ダイオードは、直線状に配列された複数の発
光素子と、前記複数の発光素子に電力を供給するリード
部と、前記複数の発光素子と前記リード部とを封止する
光透過性材料と、前記複数の発光素子の発光面に対向し
て設けられた凹柱面状反射面と、前記凹柱面状反射面で
反射した光を外部に放射する放射面とを有し、前記放射
面の周囲部に前記放射面よりも突出した突出部を形成
し、且つ、前記凹柱面状反射面を下金型で、前記放射面
を上金型で形成するモールド法により作製されたもので
あることを特徴とするものである。
に係る発光ダイオードは、直線状に配列された複数の発
光素子と、前記複数の発光素子に電力を供給するリード
部と、前記複数の発光素子と前記リード部とを封止する
光透過性材料と、前記複数の発光素子の発光面に対向し
て設けられた凹柱面状反射面と、前記凹柱面状反射面で
反射した光を外部に放射する放射面とを有し、前記放射
面の周囲部に前記放射面よりも突出した突出部を形成
し、且つ、前記凹柱面状反射面を下金型で、前記放射面
を上金型で形成するモールド法により作製されたもので
あることを特徴とするものである。
【００１１】本発明では、放射面の周囲部に放射面より
も突出して形成された突出部を設け、凹面状反射面又は
凹柱面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形成する
モールド法によって作製したことにより、かかるモール
ド法で作製する際に、上金型上面の残留空気は、突出部
に対応する上金型の部分に溜まるので、放射面に対応す
る上金型の部分には空気層が残留しない。このため、上
金型の形状を正確に再現でき、放射面の成形精度の向上
を図ることができる。尚、凹面状反射面又は凹柱面状反
射面については、残留空気層の問題は生じず、下金型の
形状を正確に再現できる。
も突出して形成された突出部を設け、凹面状反射面又は
凹柱面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形成する
モールド法によって作製したことにより、かかるモール
ド法で作製する際に、上金型上面の残留空気は、突出部
に対応する上金型の部分に溜まるので、放射面に対応す
る上金型の部分には空気層が残留しない。このため、上
金型の形状を正確に再現でき、放射面の成形精度の向上
を図ることができる。尚、凹面状反射面又は凹柱面状反
射面については、残留空気層の問題は生じず、下金型の
形状を正確に再現できる。
【００１２】また、平面形状の光学面は金型の作成が容
易であるが、残留空気層の問題は上金型が平面を形成す
るものである場合に顕著である。このため、放射面を平
面形状とする発光ダイオードに本発明を適用すると効果
的である。従来の発光ダイオードでは、リード部の放射
面側の表面と放射面との距離が約１．０ｍｍ以上になる
と、樹脂硬化時のひけが大きくなり、光線制御の問題だ
けでなく、美観上の問題も顕著となる。したがって、こ
のような場合に本発明を適用することは効果的である。
また、かかる距離が小さいほど、上金型上面に残る空気
の量が少ないので、放射面に対応する上金型の部分に空
気層が残っても、放射面の成形精度への影響は少なくな
るが、量産の都合上、リード部の放射面側の表面と放射
面との距離は０．３ｍｍ以上とすることが望ましい。
易であるが、残留空気層の問題は上金型が平面を形成す
るものである場合に顕著である。このため、放射面を平
面形状とする発光ダイオードに本発明を適用すると効果
的である。従来の発光ダイオードでは、リード部の放射
面側の表面と放射面との距離が約１．０ｍｍ以上になる
と、樹脂硬化時のひけが大きくなり、光線制御の問題だ
けでなく、美観上の問題も顕著となる。したがって、こ
のような場合に本発明を適用することは効果的である。
また、かかる距離が小さいほど、上金型上面に残る空気
の量が少ないので、放射面に対応する上金型の部分に空
気層が残っても、放射面の成形精度への影響は少なくな
るが、量産の都合上、リード部の放射面側の表面と放射
面との距離は０．３ｍｍ以上とすることが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第一実施形態につ
いて図面を参照して説明する。図１（ａ）は本発明の第
一実施形態である発光ダイオードの概略正面図、図１
（ｂ）はその発光ダイオードのＡ−Ａ矢視方向概略断面
図である。図１に示す発光ダイオードは、反射型のもの
であり、発光素子１２と、リード１４ａ，１４ｂと、ボ
ンディングワイヤ１６と、光透過性材料１８と、凹面状
反射面２２と、放射面２４と、突出部２６と、リード引
き出し部２８とを備える。尚、図１において、ｚ軸は凹
面状反射面２２の中心軸方向、ｘ軸及びｙ軸は発光ダイ
オードの発光面を含む平面における直交座標軸である。
いて図面を参照して説明する。図１（ａ）は本発明の第
一実施形態である発光ダイオードの概略正面図、図１
（ｂ）はその発光ダイオードのＡ−Ａ矢視方向概略断面
図である。図１に示す発光ダイオードは、反射型のもの
であり、発光素子１２と、リード１４ａ，１４ｂと、ボ
ンディングワイヤ１６と、光透過性材料１８と、凹面状
反射面２２と、放射面２４と、突出部２６と、リード引
き出し部２８とを備える。尚、図１において、ｚ軸は凹
面状反射面２２の中心軸方向、ｘ軸及びｙ軸は発光ダイ
オードの発光面を含む平面における直交座標軸である。
【００１４】リード１４ａ，１４ｂは、発光素子１２に
電力を供給するためのものである。発光素子１２はリー
ド１４ａ上にマウントされ、発光素子１２とリード１４
ｂとはボンディングワイヤ１６により電気的に接続され
ている。また、発光素子１２、リード１４ａ，１４ｂの
先端部及びボンディングワイヤ１６は、例えばトランス
ファーモールド法を用いて、光透過性材料１８により一
体的に封止されている。ここで、光透過性材料１８とし
ては、熱硬化性樹脂、例えば屈折率１．５の透明エポキ
シ樹脂を用いる。尚、防湿性及び耐候性の向上を図るた
めに、リード１４ａ，１４ｂの上側を光透過性材料１８
で完全に被覆し、リード１４ａ，１４ｂの放射面２４側
の表面と放射面２４との間隔を少なくとも０．３ｍｍと
する必要がある。
電力を供給するためのものである。発光素子１２はリー
ド１４ａ上にマウントされ、発光素子１２とリード１４
ｂとはボンディングワイヤ１６により電気的に接続され
ている。また、発光素子１２、リード１４ａ，１４ｂの
先端部及びボンディングワイヤ１６は、例えばトランス
ファーモールド法を用いて、光透過性材料１８により一
体的に封止されている。ここで、光透過性材料１８とし
ては、熱硬化性樹脂、例えば屈折率１．５の透明エポキ
シ樹脂を用いる。尚、防湿性及び耐候性の向上を図るた
めに、リード１４ａ，１４ｂの上側を光透過性材料１８
で完全に被覆し、リード１４ａ，１４ｂの放射面２４側
の表面と放射面２４との間隔を少なくとも０．３ｍｍと
する必要がある。
【００１５】凹面状反射面２２は、光透過性材料１８の
一方の面上にメッキや金属蒸着等により鏡面加工したも
のであり、発光素子１２の発光面に対向する側に形成さ
れている。ここでは、凹面状反射面２２を略回転放物面
形状に形成し、その焦点に発光素子１２の発光面の中心
を配置する。尚、発光素子として電流狭窄型のように発
光素子の発光面の一点が発光するものを用いる場合に
は、凹面状反射面２２を正確に回転放物面形状とすれば
よい。しかし、発光素子の発光面の中央部に電極が形成
され、発光面の中央部以外から光を発する一般の発光素
子では、凹面状反射面２２を正確に回転放物面形状とし
たのでは、光を厳密に平行光とすることができず、問題
となる。このため、発光面の中央部以外から光を発する
一般の発光素子では、発光素子の発光パターンに応じた
微小な変形を上記の正確な回転放物面形状に施し、回転
放物面形状に近似した形状とすることが、問題の解決に
有効である。このため、上記の凹面状反射面２２の形状
の記述においては、「略」回転放物面と記載している。
一方の面上にメッキや金属蒸着等により鏡面加工したも
のであり、発光素子１２の発光面に対向する側に形成さ
れている。ここでは、凹面状反射面２２を略回転放物面
形状に形成し、その焦点に発光素子１２の発光面の中心
を配置する。尚、発光素子として電流狭窄型のように発
光素子の発光面の一点が発光するものを用いる場合に
は、凹面状反射面２２を正確に回転放物面形状とすれば
よい。しかし、発光素子の発光面の中央部に電極が形成
され、発光面の中央部以外から光を発する一般の発光素
子では、凹面状反射面２２を正確に回転放物面形状とし
たのでは、光を厳密に平行光とすることができず、問題
となる。このため、発光面の中央部以外から光を発する
一般の発光素子では、発光素子の発光パターンに応じた
微小な変形を上記の正確な回転放物面形状に施し、回転
放物面形状に近似した形状とすることが、問題の解決に
有効である。このため、上記の凹面状反射面２２の形状
の記述においては、「略」回転放物面と記載している。
【００１６】また、発光面の中央部以外から光を発する
一般の発光素子１２を用いた場合、かかる略回転放物面
の形状は、具体的には、次のようにして決定される。す
なわち、まず、図７に示すように、発光素子１２の発光
面上の点であって電極が形成されている部分以外にある
点をｆとする。そして、点ｆを焦点とする放物線Ｐを考
える。また、点ｆを通りｚ軸に平行な直線Ｌ1 と放物線
Ｐとの交点近傍の点をｋ1 とし、点ｆを通りｚ軸に垂直
な直線Ｌ2 と放物線Ｐとの二つの交点のうち、ｚ軸に対
し点ｆが位置する側の交点の近傍の点をｋ2 とする。こ
のとき、放物線Ｐのうち点ｋ1 と点ｋ2 との間の部分
を、ｚ軸の回りに回転することにより得られる曲面が、
求める略回転放物面の形状となる。
一般の発光素子１２を用いた場合、かかる略回転放物面
の形状は、具体的には、次のようにして決定される。す
なわち、まず、図７に示すように、発光素子１２の発光
面上の点であって電極が形成されている部分以外にある
点をｆとする。そして、点ｆを焦点とする放物線Ｐを考
える。また、点ｆを通りｚ軸に平行な直線Ｌ1 と放物線
Ｐとの交点近傍の点をｋ1 とし、点ｆを通りｚ軸に垂直
な直線Ｌ2 と放物線Ｐとの二つの交点のうち、ｚ軸に対
し点ｆが位置する側の交点の近傍の点をｋ2 とする。こ
のとき、放物線Ｐのうち点ｋ1 と点ｋ2 との間の部分
を、ｚ軸の回りに回転することにより得られる曲面が、
求める略回転放物面の形状となる。
【００１７】放射面２４は、光透過性材料１８の他方の
面を平面形状に形成したものであり、発光素子１２の背
面側に形成されている。より正確に言うと、凹面状反射
面２２で反射された光の光路径に相当する、発光素子１
２の背面側の光透過性材料１８の界面が、放射面２４と
なる。放射面２４の直径は約５ｍｍである。この放射面
２４と発光素子１２の発光面とは略平行とする。
面を平面形状に形成したものであり、発光素子１２の背
面側に形成されている。より正確に言うと、凹面状反射
面２２で反射された光の光路径に相当する、発光素子１
２の背面側の光透過性材料１８の界面が、放射面２４と
なる。放射面２４の直径は約５ｍｍである。この放射面
２４と発光素子１２の発光面とは略平行とする。
【００１８】突出部２６は、放射面２４の周囲部に放射
面２４よりも突出するように形成したものである。ここ
では、突出部２６を、放射面２４の周囲全体にわたって
環状に形成している。また、リード１４ａ，１４ｂの放
射面２４側の表面と放射面２４との距離ｄ1 は１ｍｍ、
リード１４ａ，１４ｂの放射面２４側の表面と突出部２
６の先端との距離ｄ2 は１．２ｍｍである。
面２４よりも突出するように形成したものである。ここ
では、突出部２６を、放射面２４の周囲全体にわたって
環状に形成している。また、リード１４ａ，１４ｂの放
射面２４側の表面と放射面２４との距離ｄ1 は１ｍｍ、
リード１４ａ，１４ｂの放射面２４側の表面と突出部２
６の先端との距離ｄ2 は１．２ｍｍである。
【００１９】リード引き出し部２８は、凹面状反射面２
２及び放射面２４の外側周辺に設けられたものであり、
リード１４ａ，１４ｂを引き出すためのものである。こ
のリード引き出し部２８としては、リード１４ａ，１４
ｂを曲げたり切断したりする際の強度を考慮して、リー
ド１４ａ，１４ｂの上下両側の光透過性材料１８を適当
な肉厚とする。例えば、リード１４ａ，１４ｂに対する
リード引き出し部２８の上下の肉厚をそれぞれ、約０．
４ｍｍ、約０．５ｍｍとする。
２及び放射面２４の外側周辺に設けられたものであり、
リード１４ａ，１４ｂを引き出すためのものである。こ
のリード引き出し部２８としては、リード１４ａ，１４
ｂを曲げたり切断したりする際の強度を考慮して、リー
ド１４ａ，１４ｂの上下両側の光透過性材料１８を適当
な肉厚とする。例えば、リード１４ａ，１４ｂに対する
リード引き出し部２８の上下の肉厚をそれぞれ、約０．
４ｍｍ、約０．５ｍｍとする。
【００２０】尚、放射面２４及び突出部２６は、リード
引き出し部２８よりも突出して形成されている。これ
は、発光ダイオードを前面板等の治具に取り付ける際
に、予め前面板の発光ダイオードを配置する位置に穴を
設け、その穴に、突出して形成された放射面２４及び突
出部２６をはめ込むことにより、発光ダイオードを所定
の位置に容易かつ正確に配置することができるようにす
るためである。
引き出し部２８よりも突出して形成されている。これ
は、発光ダイオードを前面板等の治具に取り付ける際
に、予め前面板の発光ダイオードを配置する位置に穴を
設け、その穴に、突出して形成された放射面２４及び突
出部２６をはめ込むことにより、発光ダイオードを所定
の位置に容易かつ正確に配置することができるようにす
るためである。
【００２１】かかる発光ダイオードを作製するには、ト
ランスファーモールド法が用いられる。トランスファー
モールド法を用いた金型では、特に形状を重視する側を
下金型とする。これは、下金型では残留空気層の問題が
生じず、下金型の形状を正確に再現できるからである。
反射型の発光ダイオードにおいては、凹面状反射面２２
が発光素子１２からの光を制御するため、凹面状反射面
２２の側を下金型に、放射面２４の側を上金型にする。
これら上金型と下金型は、上記発光ダイオードについて
設計された形状に基づいて作製される。また、一組のト
ランスファーモールド型を用いて、複数の発光ダイオー
ドを得ることができる。
ランスファーモールド法が用いられる。トランスファー
モールド法を用いた金型では、特に形状を重視する側を
下金型とする。これは、下金型では残留空気層の問題が
生じず、下金型の形状を正確に再現できるからである。
反射型の発光ダイオードにおいては、凹面状反射面２２
が発光素子１２からの光を制御するため、凹面状反射面
２２の側を下金型に、放射面２４の側を上金型にする。
これら上金型と下金型は、上記発光ダイオードについて
設計された形状に基づいて作製される。また、一組のト
ランスファーモールド型を用いて、複数の発光ダイオー
ドを得ることができる。
【００２２】まず、リードフレームに発光素子１２をマ
ウントしたものを上金型と下金型で挟み込む。ここで
は、例えば、上金型と下金型との合わせ面をリードフレ
ームの上面とするために、下金型にはリードフレームを
はめ込むための凹部が彫り込まれている。次に、透明エ
ポキシ樹脂を上金型と下金型で囲まれた空間に注入す
る。このとき、例えば、樹脂の射出速度を早めにして、
樹脂が硬化する前に上金型と下金型に充填するように成
形条件を設定する。また、第一実施形態では、放射面２
４の周囲部に環状の突出部２６を形成しているため、上
金型上面の残留空気は、上方に逃げて、環状の突出部２
６に対応する上金型の部分に溜まる。次に、上金型と下
金型で囲まれた空間に注入された樹脂を硬化させた後、
上金型と下金型から、成形品を取り出す。その後、リー
ドフレームを切断し、リード１４ａ，１４ｂを凹面状反
射面２２側に折り曲げることにより、発光ダイオードが
得られる。
ウントしたものを上金型と下金型で挟み込む。ここで
は、例えば、上金型と下金型との合わせ面をリードフレ
ームの上面とするために、下金型にはリードフレームを
はめ込むための凹部が彫り込まれている。次に、透明エ
ポキシ樹脂を上金型と下金型で囲まれた空間に注入す
る。このとき、例えば、樹脂の射出速度を早めにして、
樹脂が硬化する前に上金型と下金型に充填するように成
形条件を設定する。また、第一実施形態では、放射面２
４の周囲部に環状の突出部２６を形成しているため、上
金型上面の残留空気は、上方に逃げて、環状の突出部２
６に対応する上金型の部分に溜まる。次に、上金型と下
金型で囲まれた空間に注入された樹脂を硬化させた後、
上金型と下金型から、成形品を取り出す。その後、リー
ドフレームを切断し、リード１４ａ，１４ｂを凹面状反
射面２２側に折り曲げることにより、発光ダイオードが
得られる。
【００２３】かかるトランスファーモールド法を用いる
と、凹面状反射面２２、放射面２４を精度よく成形でき
るだけでなく、金型でリード１４ａ，１４ｂを保持して
凹面状反射面２２及び放射面２４としての光学面を形成
するので、発光素子１２と光学面との位置精度も高いも
のとできる。上記構成の発光ダイオードでは、発光素子
１２に電力が供給されると、発光素子１２が発光し、発
光素子１２が発する光は凹面状反射面２２により反射さ
れ、放射面２４より外部に放射される。特に、凹面状反
射面２２が略回転放物面形状に形成され、その焦点に発
光素子１２の発光面の中心を配置しているので、放射面
２４を通過した光は、ｚ軸に対して平行な光として外部
放射される。このように発光素子１２が発する光を一
度、凹面状反射面２２で反射した後に外部に放射するこ
とにより、発光素子１２が発する光を有効に前方に放射
することができる。
と、凹面状反射面２２、放射面２４を精度よく成形でき
るだけでなく、金型でリード１４ａ，１４ｂを保持して
凹面状反射面２２及び放射面２４としての光学面を形成
するので、発光素子１２と光学面との位置精度も高いも
のとできる。上記構成の発光ダイオードでは、発光素子
１２に電力が供給されると、発光素子１２が発光し、発
光素子１２が発する光は凹面状反射面２２により反射さ
れ、放射面２４より外部に放射される。特に、凹面状反
射面２２が略回転放物面形状に形成され、その焦点に発
光素子１２の発光面の中心を配置しているので、放射面
２４を通過した光は、ｚ軸に対して平行な光として外部
放射される。このように発光素子１２が発する光を一
度、凹面状反射面２２で反射した後に外部に放射するこ
とにより、発光素子１２が発する光を有効に前方に放射
することができる。
【００２４】第一実施形態の発光ダイオードでは、放射
面の周囲部に放射面よりも突出して形成された環状の突
出部を設け、凹面状反射面を下金型で、放射面を上金型
で形成するトランスファーモールド法によって作製した
ことにより、かかるトランスファーモールド法で作製す
る際に、上金型上面の残留空気は、環状の突出部に対応
する上金型の部分に溜まるので、放射面に対応する上金
型の部分には空気層が残留しない。このため、上金型の
形状を正確に再現でき、放射面の成形精度の向上を図る
ことができるので、美観上問題がないだけでなく、放射
面における放射特性も設計通りのものとすることができ
る。
面の周囲部に放射面よりも突出して形成された環状の突
出部を設け、凹面状反射面を下金型で、放射面を上金型
で形成するトランスファーモールド法によって作製した
ことにより、かかるトランスファーモールド法で作製す
る際に、上金型上面の残留空気は、環状の突出部に対応
する上金型の部分に溜まるので、放射面に対応する上金
型の部分には空気層が残留しない。このため、上金型の
形状を正確に再現でき、放射面の成形精度の向上を図る
ことができるので、美観上問題がないだけでなく、放射
面における放射特性も設計通りのものとすることができ
る。
【００２５】尚、上金型上面の残留空気が突出部に残
り、突出部形状に影響を及ぼすが、一般に光学面以外は
ナシ地面とされるので、平坦面に凹みができた時のよう
な美観上の問題は生じない。また、突出部は放射特性に
影響を及ぼさないので、何ら問題はない。ところで、第
一実施形態の平行光導出型の発光ダイオードにおいて、
例えば、図５に示すように、片面が平坦面であるコンデ
ンサレンズ３１を併用することにより、集光タイプの発
光ダイオードとすることができる。第一実施形態の平行
光導出型の発光ダイオードでは、上述のように、発光素
子１２が発する光を有効に利用することができ、また、
発光素子１２と光学系との位置精度がよく、さらには光
学面の面精度を高めることができるので、光量が多く、
精度のよい平行光を放射することができる。このため、
かかる平行光導出型の発光ダイオードが放射する光をコ
ンデンサレンズ３１で集光することにより、集光精度が
高く、照射密度の高いものとすることができる。しか
も、突出部２６をコンデンサレンズ３１との嵌合部とす
ることができるので、平行光導出型の発光ダイオードと
コンデンサレンズ３１とを接合する際に、平行光導出型
の発光ダイオードの中心軸とコンデンサレンズ３１の中
心軸とを容易に高精度で一致させることができるという
利点もある。
り、突出部形状に影響を及ぼすが、一般に光学面以外は
ナシ地面とされるので、平坦面に凹みができた時のよう
な美観上の問題は生じない。また、突出部は放射特性に
影響を及ぼさないので、何ら問題はない。ところで、第
一実施形態の平行光導出型の発光ダイオードにおいて、
例えば、図５に示すように、片面が平坦面であるコンデ
ンサレンズ３１を併用することにより、集光タイプの発
光ダイオードとすることができる。第一実施形態の平行
光導出型の発光ダイオードでは、上述のように、発光素
子１２が発する光を有効に利用することができ、また、
発光素子１２と光学系との位置精度がよく、さらには光
学面の面精度を高めることができるので、光量が多く、
精度のよい平行光を放射することができる。このため、
かかる平行光導出型の発光ダイオードが放射する光をコ
ンデンサレンズ３１で集光することにより、集光精度が
高く、照射密度の高いものとすることができる。しか
も、突出部２６をコンデンサレンズ３１との嵌合部とす
ることができるので、平行光導出型の発光ダイオードと
コンデンサレンズ３１とを接合する際に、平行光導出型
の発光ダイオードの中心軸とコンデンサレンズ３１の中
心軸とを容易に高精度で一致させることができるという
利点もある。
【００２６】また、上記の第一実施形態では、凹面状反
射面を略回転放物面形状に形成した場合について説明し
たが、例えば、図６に示すように、放射面２４を第一実
施形態と同様に平面形状に形成し、且つ、凹面状反射面
２２ａを、発光素子１２から発せられ凹面状反射面２２
ａで反射された光が放射面２４で屈折した後、一点に集
光する形状に形成してもよい。これにより、レンズを併
用することなく、集光タイプの発光ダイオードとするこ
とができる。尚、この場合、凹面状反射面２２ａの形状
を決定するには、具体的には、コンピュータを用いてシ
ミュレーションを行う。すなわち、まず、凹面状反射面
２２ａの中心軸（ｚ軸）を含む平面（例えばｚ−ｘ平
面）において、発光素子１２から発せられ凹面状反射面
２２ａで反射された光が放射面２４で屈折して一点に集
光するように、凹面状反射面２２ａ上の複数個、例えば
８個の点を求める。そして、その求めた８個の点を通る
７次の方程式ｚ＝ａ0 ＋ａ1 ｘ＋ａ2 ｘ2 ＋・・・ ＋ａ7
ｘ7 の係数（ａ0 ，ａ1 ，・・・ ，ａ7 ）を定める。こう
して定めた方程式をｚ軸の回りに回転して得られる曲面
が、凹面状反射面２２ａの形状となる。
射面を略回転放物面形状に形成した場合について説明し
たが、例えば、図６に示すように、放射面２４を第一実
施形態と同様に平面形状に形成し、且つ、凹面状反射面
２２ａを、発光素子１２から発せられ凹面状反射面２２
ａで反射された光が放射面２４で屈折した後、一点に集
光する形状に形成してもよい。これにより、レンズを併
用することなく、集光タイプの発光ダイオードとするこ
とができる。尚、この場合、凹面状反射面２２ａの形状
を決定するには、具体的には、コンピュータを用いてシ
ミュレーションを行う。すなわち、まず、凹面状反射面
２２ａの中心軸（ｚ軸）を含む平面（例えばｚ−ｘ平
面）において、発光素子１２から発せられ凹面状反射面
２２ａで反射された光が放射面２４で屈折して一点に集
光するように、凹面状反射面２２ａ上の複数個、例えば
８個の点を求める。そして、その求めた８個の点を通る
７次の方程式ｚ＝ａ0 ＋ａ1 ｘ＋ａ2 ｘ2 ＋・・・ ＋ａ7
ｘ7 の係数（ａ0 ，ａ1 ，・・・ ，ａ7 ）を定める。こう
して定めた方程式をｚ軸の回りに回転して得られる曲面
が、凹面状反射面２２ａの形状となる。
【００２７】ここで、図５に示す集光タイプの発光ダイ
オードと図６に示す集光タイプの発光ダイオードとを比
較する。一般に、集光点には焦点距離に応じた倍率の発
光素子像が投影され、光の照射距離が短いほど発光素子
像の倍率は小さいものとなる。しかし、一般に使用され
る樹脂レンズでは、外部放射面となるレンズ曲面（例え
ば、図５に示す集光タイプの発光ダイオードではコンデ
ンサレンズ３１の上側表面Ｓ、図６に示す集光タイプの
発光ダイオードでは放射面２４）に入射する光の入射角
度が約３０°以上となると、界面反射が大きくなり、集
光点に集光されない無効な光が増して、照射効率が低下
する。このため、平行光導出型発光ダイオードとコンデ
ンサレンズとを組み合わせた、図５に示す集光タイプの
発光ダイオードでは、効率よく照射できる最も短い焦点
距離ｆ1 （放射面２４を基準に測るものとする。）は、
凹面状反射面２２の略直径程度である。これに対し、凹
面状反射面２２ａを、発光素子１２から発せられ凹面状
反射面２２ａで反射された光が放射面２４で屈折した後
に一点に集光する形状とした、図６に示す発光ダイオー
ドでは、効率よく照射できる最も短い焦点距離ｆ2 （放
射面２４を基準に測るものとする。）は、凹面状反射面
２２ａの略半径程度となる。すなわち、図６に示す集光
タイプの発光ダイオードは、図５に示す集光タイプの発
光ダイオードに比べて、効率よく照射できる最短の焦点
距離を約１／２とすることができるので、発光素子像の
倍率を約１／２とできる。
オードと図６に示す集光タイプの発光ダイオードとを比
較する。一般に、集光点には焦点距離に応じた倍率の発
光素子像が投影され、光の照射距離が短いほど発光素子
像の倍率は小さいものとなる。しかし、一般に使用され
る樹脂レンズでは、外部放射面となるレンズ曲面（例え
ば、図５に示す集光タイプの発光ダイオードではコンデ
ンサレンズ３１の上側表面Ｓ、図６に示す集光タイプの
発光ダイオードでは放射面２４）に入射する光の入射角
度が約３０°以上となると、界面反射が大きくなり、集
光点に集光されない無効な光が増して、照射効率が低下
する。このため、平行光導出型発光ダイオードとコンデ
ンサレンズとを組み合わせた、図５に示す集光タイプの
発光ダイオードでは、効率よく照射できる最も短い焦点
距離ｆ1 （放射面２４を基準に測るものとする。）は、
凹面状反射面２２の略直径程度である。これに対し、凹
面状反射面２２ａを、発光素子１２から発せられ凹面状
反射面２２ａで反射された光が放射面２４で屈折した後
に一点に集光する形状とした、図６に示す発光ダイオー
ドでは、効率よく照射できる最も短い焦点距離ｆ2 （放
射面２４を基準に測るものとする。）は、凹面状反射面
２２ａの略半径程度となる。すなわち、図６に示す集光
タイプの発光ダイオードは、図５に示す集光タイプの発
光ダイオードに比べて、効率よく照射できる最短の焦点
距離を約１／２とすることができるので、発光素子像の
倍率を約１／２とできる。
【００２８】次に、本発明の第二実施形態について図面
を参照して説明する。図２（ａ）は本発明の第二実施形
態である発光ダイオードの概略正面図、図２（ｂ）はそ
の発光ダイオードのＢ−Ｂ矢視方向概略断面図である。
尚、第二実施形態において、第一実施形態のものと同一
の機能を有するものには、同一の符号を付すことにより
その詳細な説明を省略する。
を参照して説明する。図２（ａ）は本発明の第二実施形
態である発光ダイオードの概略正面図、図２（ｂ）はそ
の発光ダイオードのＢ−Ｂ矢視方向概略断面図である。
尚、第二実施形態において、第一実施形態のものと同一
の機能を有するものには、同一の符号を付すことにより
その詳細な説明を省略する。
【００２９】図２に示す発光ダイオードは、発光素子１
２と、リード１４ａ，１４ｂと、ボンディングワイヤ１
６と、光透過性材料１８と、凹面状反射面２２と、平面
形状の放射面２４ａと、リード引き出し部２８ａとを備
えるものである。第二実施形態の発光ダイオードが第一
実施形態のものと異なる点は、リード引き出し部２８ａ
のリード上側の肉厚に対して放射面２４ａの部分のリー
ド上側の肉厚を薄くすることによって、放射面２４ａを
リード引き出し部２８ａよりも凹ませて形成している点
である。すなわち、リード引き出し部２８ａを放射面２
４ａよりも突出させて形成しており、このリード引き出
し部２８ａが、第一実施形態の突出部２６の役割を果た
す。尚、この発光ダイオードは、前面板等の治具に取り
付ける必要がない場合に用いられる。
２と、リード１４ａ，１４ｂと、ボンディングワイヤ１
６と、光透過性材料１８と、凹面状反射面２２と、平面
形状の放射面２４ａと、リード引き出し部２８ａとを備
えるものである。第二実施形態の発光ダイオードが第一
実施形態のものと異なる点は、リード引き出し部２８ａ
のリード上側の肉厚に対して放射面２４ａの部分のリー
ド上側の肉厚を薄くすることによって、放射面２４ａを
リード引き出し部２８ａよりも凹ませて形成している点
である。すなわち、リード引き出し部２８ａを放射面２
４ａよりも突出させて形成しており、このリード引き出
し部２８ａが、第一実施形態の突出部２６の役割を果た
す。尚、この発光ダイオードは、前面板等の治具に取り
付ける必要がない場合に用いられる。
【００３０】かかる発光ダイオードは、第一実施形態の
ものと同様に、凹面状反射面２２を下金型で、放射面２
４ａを上金型で形成するトランスファーモールド法で作
製される。第二実施形態の発光ダイオードでも、放射面
の周囲部に放射面よりも突出して形成されたリード引き
出し部（突出部）を設け、凹面状反射面を下金型で、放
射面を上金型で形成するトランスファーモールド法によ
って作製したことにより、上記第一実施形態のものと同
様に、上金型の形状を正確に再現でき、放射面の成形精
度の向上を図ることができるので、美観上問題がないだ
けでなく、放射面における放射特性も設計通りのものと
することができる。特に、第二実施形態では、放射面を
リード引き出し部よりも凹ませて形成することにより、
第一実施形態のものに比べて、放射面とリードの上面と
の距離を短くすることができるので、上金型で作られる
モールド空間の容積を小さくすることができる。このた
め、上金型に溜まる残留空気の量が減り、残留空気層の
問題自体が軽減される。
ものと同様に、凹面状反射面２２を下金型で、放射面２
４ａを上金型で形成するトランスファーモールド法で作
製される。第二実施形態の発光ダイオードでも、放射面
の周囲部に放射面よりも突出して形成されたリード引き
出し部（突出部）を設け、凹面状反射面を下金型で、放
射面を上金型で形成するトランスファーモールド法によ
って作製したことにより、上記第一実施形態のものと同
様に、上金型の形状を正確に再現でき、放射面の成形精
度の向上を図ることができるので、美観上問題がないだ
けでなく、放射面における放射特性も設計通りのものと
することができる。特に、第二実施形態では、放射面を
リード引き出し部よりも凹ませて形成することにより、
第一実施形態のものに比べて、放射面とリードの上面と
の距離を短くすることができるので、上金型で作られる
モールド空間の容積を小さくすることができる。このた
め、上金型に溜まる残留空気の量が減り、残留空気層の
問題自体が軽減される。
【００３１】また、リード引き出し部の肉厚を、リード
を曲げたり切断したりする際の強度のあるものとし、リ
ード引き出し部のリード上側の肉厚に対して放射面の部
分のリード上側の肉厚を薄くすることにより、実用性が
あり、光学面形状の精度が高いものとして、最薄の反射
型発光ダイオードとすることができる。更に、第二実施
形態では、放射面をリード引き出し部よりも凹ませて形
成することにより、放射面と発光素子の発光面及びリー
ドの上面との距離を第一実施形態のものよりも短くする
ことができるので、放熱性の向上を図ることができると
いう利点がある。すなわち、発光素子から発される熱を
リードを通して外部に放熱するだけでなく、光透過性材
料を伝わり放射面からも多くの熱を外部に放熱すること
ができる。したがって、第二実施形態の発光ダイオード
は、熱的なダメージを受けやすい発光素子を用いる場
合、高出力が要求されている用途で消費電力が大きい場
合、及び、複数の発光ダイオードを基板に密に実装し
て、この装置から外部への放熱経路を必要とする場合な
どに好適である。
を曲げたり切断したりする際の強度のあるものとし、リ
ード引き出し部のリード上側の肉厚に対して放射面の部
分のリード上側の肉厚を薄くすることにより、実用性が
あり、光学面形状の精度が高いものとして、最薄の反射
型発光ダイオードとすることができる。更に、第二実施
形態では、放射面をリード引き出し部よりも凹ませて形
成することにより、放射面と発光素子の発光面及びリー
ドの上面との距離を第一実施形態のものよりも短くする
ことができるので、放熱性の向上を図ることができると
いう利点がある。すなわち、発光素子から発される熱を
リードを通して外部に放熱するだけでなく、光透過性材
料を伝わり放射面からも多くの熱を外部に放熱すること
ができる。したがって、第二実施形態の発光ダイオード
は、熱的なダメージを受けやすい発光素子を用いる場
合、高出力が要求されている用途で消費電力が大きい場
合、及び、複数の発光ダイオードを基板に密に実装し
て、この装置から外部への放熱経路を必要とする場合な
どに好適である。
【００３２】尚、第二実施形態の発光ダイオードにおい
ても、放射面を平面形状に形成し、且つ、凹面状反射面
を、発光素子から発せられ凹面状反射面で反射された光
が放射面で屈折した後、一点に集光する形状に形成して
もよい。これにより、集光タイプの発光ダイオードとす
ることができる。発光素子像の倍率は、発光素子から凹
面状反射面までの光学距離ｈ1 に対する凹面状反射面か
ら集光点までの光学距離ｈ2 （ｈ2 ／ｈ1 ）により決定
される。第二実施形態の発光ダイオードでは、発光素子
の発光面と放射面との距離を短くして、この分だけ、屈
折率の大きい光透過性材料の厚さを薄くすることができ
る。このため、第二実施形態の発光ダイオードを集光タ
イプとしたものは、図６において説明した第一実施形態
の発光ダイオードを集光タイプとしたものに比べて、凹
面状反射面から集光点までの光学距離が短くなる。した
がって、第二実施形態の集光タイプの発光ダイオード
は、発光素子像の倍率をより小さくすることができの
で、第一実施形態の集光タイプの発光ダイオード（図６
のもの）に比べて、光照射密度を高めることができると
いう効果がある。
ても、放射面を平面形状に形成し、且つ、凹面状反射面
を、発光素子から発せられ凹面状反射面で反射された光
が放射面で屈折した後、一点に集光する形状に形成して
もよい。これにより、集光タイプの発光ダイオードとす
ることができる。発光素子像の倍率は、発光素子から凹
面状反射面までの光学距離ｈ1 に対する凹面状反射面か
ら集光点までの光学距離ｈ2 （ｈ2 ／ｈ1 ）により決定
される。第二実施形態の発光ダイオードでは、発光素子
の発光面と放射面との距離を短くして、この分だけ、屈
折率の大きい光透過性材料の厚さを薄くすることができ
る。このため、第二実施形態の発光ダイオードを集光タ
イプとしたものは、図６において説明した第一実施形態
の発光ダイオードを集光タイプとしたものに比べて、凹
面状反射面から集光点までの光学距離が短くなる。した
がって、第二実施形態の集光タイプの発光ダイオード
は、発光素子像の倍率をより小さくすることができの
で、第一実施形態の集光タイプの発光ダイオード（図６
のもの）に比べて、光照射密度を高めることができると
いう効果がある。
【００３３】尚、上記の第二実施形態において、例え
ば、リード１４ａ，１４ｂとリード引き出し部２８ａと
の間の厚さを０．４ｍｍ、リード１４ａ，１４ｂと放射
面２４ａとの間の厚さを０．３ｍｍとしてもよい。ま
た、リード１４ａ，１４ｂと放射面２４ａとの間の厚さ
を０．３ｍｍ以下としてもよい。但し、このときは、使
用する光透過性材料１８の製造ロットの特性ばらつきに
より、歩留りが悪くなるおそれがある。このため、リー
ド１４ａ，１４ｂと放射面２４ａとの間の厚さが薄くて
もリード１４ａ，１４ｂの上側に回り込みやすいという
ような、特定の特性を有する光透過性材料１８を選んで
使用する等の配慮を行うのが望ましい。また、リード１
４ａ，１４ｂを曲げたり切断したりする際の強度の観点
から、リード１４ａ，１４ｂに対するリード引き出し部
２８ａの上の肉厚を０．４ｍｍ程度とすることが実用上
必要であるから、これらの場合には、結果的に放射面２
４ａの周囲部に放射面２４ａよりも突出した突出部を形
成したものとなる。
ば、リード１４ａ，１４ｂとリード引き出し部２８ａと
の間の厚さを０．４ｍｍ、リード１４ａ，１４ｂと放射
面２４ａとの間の厚さを０．３ｍｍとしてもよい。ま
た、リード１４ａ，１４ｂと放射面２４ａとの間の厚さ
を０．３ｍｍ以下としてもよい。但し、このときは、使
用する光透過性材料１８の製造ロットの特性ばらつきに
より、歩留りが悪くなるおそれがある。このため、リー
ド１４ａ，１４ｂと放射面２４ａとの間の厚さが薄くて
もリード１４ａ，１４ｂの上側に回り込みやすいという
ような、特定の特性を有する光透過性材料１８を選んで
使用する等の配慮を行うのが望ましい。また、リード１
４ａ，１４ｂを曲げたり切断したりする際の強度の観点
から、リード１４ａ，１４ｂに対するリード引き出し部
２８ａの上の肉厚を０．４ｍｍ程度とすることが実用上
必要であるから、これらの場合には、結果的に放射面２
４ａの周囲部に放射面２４ａよりも突出した突出部を形
成したものとなる。
【００３４】次に、本発明の第三実施形態について図面
を参照して説明する。図３（ａ）は本発明の第三実施形
態である発光ダイオードの概略正面図、図３（ｂ）はそ
の発光ダイオードのＣ−Ｃ矢視方向概略断面図、図３
（ｃ）はその発光ダイオードのＤ−Ｄ矢視方向概略断面
図である。尚、第三実施形態において、第一実施形態の
ものと同一の機能を有するものには、同一の符号を付す
ことによりその詳細な説明を省略する。
を参照して説明する。図３（ａ）は本発明の第三実施形
態である発光ダイオードの概略正面図、図３（ｂ）はそ
の発光ダイオードのＣ−Ｃ矢視方向概略断面図、図３
（ｃ）はその発光ダイオードのＤ−Ｄ矢視方向概略断面
図である。尚、第三実施形態において、第一実施形態の
ものと同一の機能を有するものには、同一の符号を付す
ことによりその詳細な説明を省略する。
【００３５】第三実施形態の発光ダイオードは、線状に
光を照射する用途に用いられるものであり、複数の発光
素子１２と、複数のリード１４ａ，１４ｂと、複数のボ
ンディングワイヤ１６と、光透過性材料１８と、凹柱面
状反射面２３と、放射面２５と、突出部２７とを備え
る。尚、図３において、ｘ軸は発光素子１２の配列方
向、ｙ軸は発光素子１２の発光面を含む平面においてｘ
軸に直交する方向、ｚ軸はｘ軸及びｙ軸に直交する方向
である。
光を照射する用途に用いられるものであり、複数の発光
素子１２と、複数のリード１４ａ，１４ｂと、複数のボ
ンディングワイヤ１６と、光透過性材料１８と、凹柱面
状反射面２３と、放射面２５と、突出部２７とを備え
る。尚、図３において、ｘ軸は発光素子１２の配列方
向、ｙ軸は発光素子１２の発光面を含む平面においてｘ
軸に直交する方向、ｚ軸はｘ軸及びｙ軸に直交する方向
である。
【００３６】複数の発光素子１２は、図３（ｃ）におい
て、発光面を下側に向けて一定間隔で直線状に配列され
る。リード１４ａ，１４ｂは、各発光素子１２毎に設け
られている。発光素子１２は一方のリード１４ａ上にマ
ウントされ、発光素子１２と他方のリード１４ｂとはボ
ンディングワイヤ１６により電気的に接続されている。
また、発光素子１２、リード１４ａ，１４ｂの先端部及
びボンディングワイヤ１６は、光透過性材料１８により
一体的に封止されている。
て、発光面を下側に向けて一定間隔で直線状に配列され
る。リード１４ａ，１４ｂは、各発光素子１２毎に設け
られている。発光素子１２は一方のリード１４ａ上にマ
ウントされ、発光素子１２と他方のリード１４ｂとはボ
ンディングワイヤ１６により電気的に接続されている。
また、発光素子１２、リード１４ａ，１４ｂの先端部及
びボンディングワイヤ１６は、光透過性材料１８により
一体的に封止されている。
【００３７】凹柱面状反射面２３は、光透過性材料１８
の一方の面上にメッキや金属蒸着等により鏡面加工した
ものであり、発光素子１２の発光面側に形成されてい
る。ここでは、凹柱面状反射面２３の中心軸を、発光素
子１２の配列方向（ｘ軸方向）に平行としている。ま
た、凹柱面状反射面２３のｙ−ｚ平面での切断面を、発
光素子１２から発し、凹柱面状反射面２３で反射された
光が放射面２５で屈折した後、一点に集光する形状に形
成している。そして、凹柱面状反射面２３に近い方の焦
点には発光素子１２の発光面の中心を配置している。
の一方の面上にメッキや金属蒸着等により鏡面加工した
ものであり、発光素子１２の発光面側に形成されてい
る。ここでは、凹柱面状反射面２３の中心軸を、発光素
子１２の配列方向（ｘ軸方向）に平行としている。ま
た、凹柱面状反射面２３のｙ−ｚ平面での切断面を、発
光素子１２から発し、凹柱面状反射面２３で反射された
光が放射面２５で屈折した後、一点に集光する形状に形
成している。そして、凹柱面状反射面２３に近い方の焦
点には発光素子１２の発光面の中心を配置している。
【００３８】放射面２５は、光透過性材料１８の他方の
面を平面形状に形成したものであり、発光素子１２の背
面側に設けられている。この放射面２５と発光素子１２
の発光面とは略平行とする。放射面２５の周囲部には、
放射面２５よりも突出して形成された長方形状の突出部
２７を設けている。かかる発光ダイオードは、第一実施
形態の発光ダイオードと同様に、凹柱面状反射面２３を
下金型で、放射面２５を上金型で形成するトランスファ
ーモールド法で作製される。
面を平面形状に形成したものであり、発光素子１２の背
面側に設けられている。この放射面２５と発光素子１２
の発光面とは略平行とする。放射面２５の周囲部には、
放射面２５よりも突出して形成された長方形状の突出部
２７を設けている。かかる発光ダイオードは、第一実施
形態の発光ダイオードと同様に、凹柱面状反射面２３を
下金型で、放射面２５を上金型で形成するトランスファ
ーモールド法で作製される。
【００３９】複数の発光素子１２に電力が供給される
と、発光素子１２が発光し、発光素子１２が発する光は
凹柱面状反射面２３によって反射され、放射面２５から
外部に放射される。特に、ｙ−ｚ平面による凹柱面状反
射面２３の切断面が、発光素子１２から発せられ凹柱面
状反射面２３で反射された光が放射面２５で屈折した
後、一点に集光する形状に形成されているので、放射面
２５を通過した光は所定領域へ集光される。
と、発光素子１２が発光し、発光素子１２が発する光は
凹柱面状反射面２３によって反射され、放射面２５から
外部に放射される。特に、ｙ−ｚ平面による凹柱面状反
射面２３の切断面が、発光素子１２から発せられ凹柱面
状反射面２３で反射された光が放射面２５で屈折した
後、一点に集光する形状に形成されているので、放射面
２５を通過した光は所定領域へ集光される。
【００４０】第三実施形態の発光ダイオードでは、放射
面の周囲部に放射面よりも突出して形成された突出部を
設け、凹柱面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形
成するトランスファーモールド法によって作製したこと
により、上記第一実施形態のものと同様に、上金型の形
状を正確に再現でき、放射面の成形精度の向上を図るこ
とができるので、美観上問題がないだけでなく、放射面
における放射特性も設計通りのものとすることができ
る。例えば、集光性が弱まることなく、照射密度を高い
ものとすることができる。また、放射面の残留空気層に
よって生じる凹みによる光路の重複により均斉度が悪く
なるのを防ぐことができる。したがって、第三実施形態
の発光ダイオードは、照射特性に関する要求が厳しい、
例えばリニアセンサによる画像読み取り用の光源として
用いるのに好適である。
面の周囲部に放射面よりも突出して形成された突出部を
設け、凹柱面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形
成するトランスファーモールド法によって作製したこと
により、上記第一実施形態のものと同様に、上金型の形
状を正確に再現でき、放射面の成形精度の向上を図るこ
とができるので、美観上問題がないだけでなく、放射面
における放射特性も設計通りのものとすることができ
る。例えば、集光性が弱まることなく、照射密度を高い
ものとすることができる。また、放射面の残留空気層に
よって生じる凹みによる光路の重複により均斉度が悪く
なるのを防ぐことができる。したがって、第三実施形態
の発光ダイオードは、照射特性に関する要求が厳しい、
例えばリニアセンサによる画像読み取り用の光源として
用いるのに好適である。
【００４１】尚、本発明は上記の各実施形態に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形
が可能である。上記の第一実施形態では、突出部を、放
射面の周囲全体にわたって環状に形成した場合について
説明したが、突出部は必ずしも放射面の周囲全体に形成
する必要はなく、例えば、放射面の周囲部に断続的に複
数の突出部を設けるようにしてもよい。同様に、第三実
施形態においても、突出部は必ずしも放射面の周囲全体
に形成する必要はない。
るものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形
が可能である。上記の第一実施形態では、突出部を、放
射面の周囲全体にわたって環状に形成した場合について
説明したが、突出部は必ずしも放射面の周囲全体に形成
する必要はなく、例えば、放射面の周囲部に断続的に複
数の突出部を設けるようにしてもよい。同様に、第三実
施形態においても、突出部は必ずしも放射面の周囲全体
に形成する必要はない。
【００４２】また、上記の各実施形態では、発光素子が
発する光を平行光として放射する場合、発光素子が発す
る光を一点に又は線状に集光させる場合について説明し
たが、例えば、第一実施形態において、凹面状反射面を
略回転楕円面形状に形成し、その一方の焦点に発光素子
を配置するようにしてもよい。これにより、放射面を通
過した光を一定の領域に集光することができる。また、
第三実施形態において、ｙ−ｚ平面による凹柱面状反射
面の切断面を略放物線形状に形成することにより、平行
光を放射するようにしてもよい。一般には、発光ダイオ
ードの用途に応じて、所定の放射特性の光、例えば、集
光した光、平行光、拡散光等を放射することができるよ
うに、光学面の形状を設計すればよい。しかし、残留空
気層による放射角度の影響は数度以内であり、例えばデ
ィスプレイ用の光源のように、光の放射角度が大きい場
合には、放射角度が数度違ってもそれ程問題にならな
い。したがって、本発明の発光ダイオードは、特に高い
光線制御が要求される用途、例えば、平行光として遠方
へ光放射する用途のものや、光を一点又は線状に集光さ
せる用途のものに適する。
発する光を平行光として放射する場合、発光素子が発す
る光を一点に又は線状に集光させる場合について説明し
たが、例えば、第一実施形態において、凹面状反射面を
略回転楕円面形状に形成し、その一方の焦点に発光素子
を配置するようにしてもよい。これにより、放射面を通
過した光を一定の領域に集光することができる。また、
第三実施形態において、ｙ−ｚ平面による凹柱面状反射
面の切断面を略放物線形状に形成することにより、平行
光を放射するようにしてもよい。一般には、発光ダイオ
ードの用途に応じて、所定の放射特性の光、例えば、集
光した光、平行光、拡散光等を放射することができるよ
うに、光学面の形状を設計すればよい。しかし、残留空
気層による放射角度の影響は数度以内であり、例えばデ
ィスプレイ用の光源のように、光の放射角度が大きい場
合には、放射角度が数度違ってもそれ程問題にならな
い。したがって、本発明の発光ダイオードは、特に高い
光線制御が要求される用途、例えば、平行光として遠方
へ光放射する用途のものや、光を一点又は線状に集光さ
せる用途のものに適する。
【００４３】また、平面形状の光学面は金型の作成が容
易であるが、残留空気層の問題は上金型が平面を形成す
るものである場合に顕著であるので、本発明を放射面を
平面形状とする発光ダイオードに適用すると特に効果的
である。特に、リードの放射面側の表面と放射面との距
離が約１．０ｍｍ以上になると、光線制御の問題だけで
なく、美観上の問題も顕著となる。したがって、このよ
うな場合に本発明を適用することは効果的である。ま
た、かかる距離が小さいほど、上金型上面に残る空気の
量が少ないので、放射面に対応する上金型の部分に空気
層が残っても、放射面の成形精度への影響は少なくなる
が、量産の都合上、リードの放射面側の表面と放射面と
の距離は０．３ｍｍ以上とすることが望ましい。
易であるが、残留空気層の問題は上金型が平面を形成す
るものである場合に顕著であるので、本発明を放射面を
平面形状とする発光ダイオードに適用すると特に効果的
である。特に、リードの放射面側の表面と放射面との距
離が約１．０ｍｍ以上になると、光線制御の問題だけで
なく、美観上の問題も顕著となる。したがって、このよ
うな場合に本発明を適用することは効果的である。ま
た、かかる距離が小さいほど、上金型上面に残る空気の
量が少ないので、放射面に対応する上金型の部分に空気
層が残っても、放射面の成形精度への影響は少なくなる
が、量産の都合上、リードの放射面側の表面と放射面と
の距離は０．３ｍｍ以上とすることが望ましい。
【００４４】更に、上記の各実施形態では、発光ダイオ
ードをトランスファーモールド法で作製する場合につい
て説明したが、例えば複数のプランジャを使用するマル
チプランジャモールド法で作製するようにしてもよい。
ードをトランスファーモールド法で作製する場合につい
て説明したが、例えば複数のプランジャを使用するマル
チプランジャモールド法で作製するようにしてもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、放
射面の周囲部に放射面よりも突出して形成された突出部
を設け、凹面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形
成するモールド法によって作製したことにより、かかる
モールド法で作製する際に、上金型上面の残留空気は、
突出部に対応する上金型の部分に溜まるので、放射面に
対応する上金型の部分に空気層が残留せず、したがっ
て、放射面の成形精度の向上を図り、放射面における放
射特性を設計通りのものとすることができる発光ダイオ
ードを提供することができる。
射面の周囲部に放射面よりも突出して形成された突出部
を設け、凹面状反射面を下金型で、放射面を上金型で形
成するモールド法によって作製したことにより、かかる
モールド法で作製する際に、上金型上面の残留空気は、
突出部に対応する上金型の部分に溜まるので、放射面に
対応する上金型の部分に空気層が残留せず、したがっ
て、放射面の成形精度の向上を図り、放射面における放
射特性を設計通りのものとすることができる発光ダイオ
ードを提供することができる。
【００４６】また、以上説明したように本発明によれ
ば、放射面の周囲部に放射面よりも突出して形成された
突出部を設け、凹柱面状反射面を下金型で、放射面を上
金型で形成するモールド法によって作製したことによ
り、かかるモールド法で作製する際に、上金型上面の残
留空気は、突出部に対応する上金型の部分に溜まるた
め、放射面に対応する上金型の部分に空気層が残留しな
いので、放射面の成形精度の向上を図り、放射面におけ
る放射特性を設計通りのものとすることができ、したが
って、例えば画像読み取り用の光源として用いるのに好
適な発光ダイオードを提供することができる。
ば、放射面の周囲部に放射面よりも突出して形成された
突出部を設け、凹柱面状反射面を下金型で、放射面を上
金型で形成するモールド法によって作製したことによ
り、かかるモールド法で作製する際に、上金型上面の残
留空気は、突出部に対応する上金型の部分に溜まるた
め、放射面に対応する上金型の部分に空気層が残留しな
いので、放射面の成形精度の向上を図り、放射面におけ
る放射特性を設計通りのものとすることができ、したが
って、例えば画像読み取り用の光源として用いるのに好
適な発光ダイオードを提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明の第一実施形態である発光ダイ
オードの概略正面図、（ｂ）はその発光ダイオードのＡ
−Ａ矢視方向概略断面図である。
オードの概略正面図、（ｂ）はその発光ダイオードのＡ
−Ａ矢視方向概略断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第二実施形態である発光ダイ
オードの概略正面図、（ｂ）はその発光ダイオードのＢ
−Ｂ矢視方向概略断面図である。
オードの概略正面図、（ｂ）はその発光ダイオードのＢ
−Ｂ矢視方向概略断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の第三実施形態である発光ダイ
オードの概略正面図、（ｂ）はその発光ダイオードのＣ
−Ｃ矢視方向概略断面図、（ｃ）はその発光ダイオード
のＤ−Ｄ矢視方向概略断面図である。
オードの概略正面図、（ｂ）はその発光ダイオードのＣ
−Ｃ矢視方向概略断面図、（ｃ）はその発光ダイオード
のＤ−Ｄ矢視方向概略断面図である。
【図４】（ａ）は従来の発光ダイオードの概略正面図、
（ｂ）はその発光ダイオードのＥ−Ｅ矢視方向概略断面
図である。
（ｂ）はその発光ダイオードのＥ−Ｅ矢視方向概略断面
図である。
【図５】第一実施形態の発光ダイオードとコンデンサレ
ンズとを組み合わせて形成された集光タイプの発光ダイ
オードの概略断面図である。
ンズとを組み合わせて形成された集光タイプの発光ダイ
オードの概略断面図である。
【図６】第一実施形態の発光ダイオードの変形例である
集光タイプの発光ダイオードの概略断面図である。
集光タイプの発光ダイオードの概略断面図である。
【図７】第一実施形態の発光ダイオードにおいて凹面状
反射面形状の設計の仕方を説明するための図である。
反射面形状の設計の仕方を説明するための図である。
１２ 発光素子 １４ａ，１４ｂ リード １６ ボンディングワイヤ １８ 光透過性材料 ２２，２２ａ 凹面状反射面 ２３ 凹柱面状反射面 ２４，２４ａ，２５ 放射面 ２６，２７ 突出部 ２８，２８ａ リード引き出し部 ３１ コンデンサレンズ
Claims (4)
- 【請求項１】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
するリード部と、前記発光素子と前記リード部とを封止
する光透過性材料と、前記発光素子の発光面に対向して
設けられた凹面状反射面と、前記凹面状反射面で反射し
た光を外部に放射する放射面とを有し、前記放射面の周
囲部に前記放射面よりも突出した突出部を形成し、且
つ、前記凹面状反射面を下金型で、前記放射面を上金型
で形成するモールド法により作製されたものであること
を特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記放射面は平面形状であり、前記凹面
状反射面は、前記発光素子の発光面の中心位置を焦点と
する略回転放物面形状であることを特徴とする請求項１
記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記放射面は平面形状であり、且つ、前
記凹面状反射面は、前記発光素子から発せられ前記凹面
状反射面で反射された光が前記放射面で屈折した後、一
点に集光する形状であることを特徴とする請求項１記載
の発光ダイオード。 - 【請求項４】 直線状に配列された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子に電力を供給するリード部と、前記
複数の発光素子と前記リード部とを封止する光透過性材
料と、前記複数の発光素子の発光面に対向して設けられ
た凹柱面状反射面と、前記凹柱面状反射面で反射した光
を外部に放射する放射面とを有し、前記放射面の周囲部
に前記放射面よりも突出した突出部を形成し、且つ、前
記凹柱面状反射面を下金型で、前記放射面を上金型で形
成するモールド法により作製されたものであることを特
徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9249197A JPH10144966A (ja) | 1996-09-13 | 1997-09-12 | 発光ダイオード |
| PCT/JP1998/000826 WO1999000852A1 (fr) | 1997-06-27 | 1998-02-27 | Diode electroluminescente de type reflechissante |
| EP98905698A EP0936683A4 (en) | 1997-06-27 | 1998-02-27 | REFLECTIVE LIGHT-EMITTING DIODE |
| TW87104703A TW385557B (en) | 1997-06-27 | 1998-03-30 | Reflective light emitting diode |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-243040 | 1996-09-13 | ||
| JP24304096 | 1996-09-13 | ||
| JP9249197A JPH10144966A (ja) | 1996-09-13 | 1997-09-12 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144966A true JPH10144966A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=26536053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9249197A Pending JPH10144966A (ja) | 1996-09-13 | 1997-09-12 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144966A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1244152A2 (en) * | 2001-01-26 | 2002-09-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method |
| WO2005043637A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | 発光装置 |
| US6906459B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-06-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
| US7230280B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-06-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Collimating light from an LED device |
| CN100438093C (zh) * | 2003-10-31 | 2008-11-26 | 丰田合成株式会社 | 发光器件 |
| JP2011139109A (ja) * | 2007-04-23 | 2011-07-14 | Samsung Led Co Ltd | 発光装置 |
| US8735935B2 (en) | 2007-04-23 | 2014-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd | Small size light emitting device and manufacturing method of the same |
-
1997
- 1997-09-12 JP JP9249197A patent/JPH10144966A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6906459B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-06-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
| EP1244152A2 (en) * | 2001-01-26 | 2002-09-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method |
| US6727643B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-04-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method |
| EP1244152A3 (en) * | 2001-01-26 | 2008-12-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method |
| WO2005043637A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | 発光装置 |
| CN100438093C (zh) * | 2003-10-31 | 2008-11-26 | 丰田合成株式会社 | 发光器件 |
| US7607801B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-10-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US7230280B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-06-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Collimating light from an LED device |
| JP2011139109A (ja) * | 2007-04-23 | 2011-07-14 | Samsung Led Co Ltd | 発光装置 |
| US8735935B2 (en) | 2007-04-23 | 2014-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd | Small size light emitting device and manufacturing method of the same |
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