JPH10143448A - Memory system - Google Patents

Memory system

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JPH10143448A
JPH10143448A JP8316904A JP31690496A JPH10143448A JP H10143448 A JPH10143448 A JP H10143448A JP 8316904 A JP8316904 A JP 8316904A JP 31690496 A JP31690496 A JP 31690496A JP H10143448 A JPH10143448 A JP H10143448A
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JP
Japan
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memory
data
address
rewrite
error
Prior art date
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Pending
Application number
JP8316904A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Yoshikawa
隆 吉川
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10143448A publication Critical patent/JPH10143448A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid a rewrite operation from being turned to the waiting state of the access of an external input/output device by giving rewrite priority at all times in the case of read form a rewrite address at the time of reading memory. SOLUTION: In the case that an error is detected in data reading from a memory 101 and it is correctable, corrected data are outputted to the external input/output device as read data and stored in a rewritten data register 103 and an address which generates the error is simultaneously stored in a rewritten address register 106. To a memory access control circuit 105, a rewritten request signal for requesting the rewriting to the memory of the stored corrected data is outputted. A memory rewriting request/-memory writing request from the data input/output device and the rewriting request signal are inputted by the memory access control circuit 105, they are mediated and memory access from the input/output device is given with priority.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明はRAMを使用するメ
モリシステムに関し,より詳細には,RAMからデータ
を読み出し,そのデータの誤りを検出して訂正可能の場
合に訂正データを再書き込みするメモリシステムに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory system using a RAM, and more particularly, to a memory system which reads data from a RAM, detects an error in the data, and rewrites the corrected data when the data can be corrected. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は,従来におけるメモリ制御回路の
構成を示すブロック図であり,特開平6−52065号
公報に開示されているものである。この回路は,CPU
401と,動作モード指定回路402と,アクセス元か
ら指定されたアドレスを保持するアドレスレジスタ40
5と,該アドレスの読み出しを行った際に読み出したデ
ータを保持するデータレジスタ403と,読み出したデ
ータを検査して訂正可能な誤りを訂正する誤り検出訂正
回路404と,誤り検出訂正回路404で誤りを検出し
たとき訂正したデータを再書き込みする再書込制御回路
407と,メモリ406とから構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional memory control circuit, which is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-52065. This circuit is a CPU
401, an operation mode designating circuit 402, and an address register 40 holding an address designated by an access source.
5, a data register 403 for holding the data read when the address is read, an error detection and correction circuit 404 for checking the read data and correcting a correctable error, and an error detection and correction circuit 404. It comprises a rewrite control circuit 407 for rewriting the corrected data when an error is detected, and a memory 406.

【0003】以上の構成において,上記メモリ制御回路
は,メモリ406からデータの読み出しを行う場合,誤
り検出を行って,誤りがあれば誤り訂正を実行し,該訂
正したデータを読み出したときと同一のアドレスに再書
き込みを行うことにより,訂正可能であった誤りデータ
が訂正不可能な誤りデータへと進行していくのを阻止
し,メモリの信頼性を向上させている。また,このとき
の再書き込みをソフトウェアで行うと処理に時間がかか
るという理由から,ハードウェアで行うようにしてい
る。
In the above configuration, when reading data from the memory 406, the memory control circuit detects an error, executes error correction if there is an error, and performs the same operation as when the corrected data is read. By performing rewriting to the address, the error data that can be corrected is prevented from progressing to the uncorrectable error data, and the reliability of the memory is improved. Also, the rewriting at this time is performed by hardware because if it is performed by software, the processing takes time.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,上記に
示されるような従来のメモリ制御回路にあっては,デー
タ誤りが検出された場合に直ちに訂正したデータを書き
込むように制御しているため,そのタイミングでCPU
からメモリへのアクセスがあった場合,CPUがウェイ
ト状態となり,CPUからのアクセスに対してすぐに応
答できないという問題点があった。
However, in the conventional memory control circuit as described above, when a data error is detected, control is performed so that corrected data is immediately written, and therefore, such a memory control circuit is not used. CPU at timing
When there is an access from the CPU to the memory, the CPU enters a wait state, and there is a problem that the CPU cannot immediately respond to the access from the CPU.

【0005】本発明は,上記に鑑みてなされたものであ
って,メモリからリードしたデータに誤りがあり,訂正
可能であれば訂正データをメモリに再書き込みすること
によりメモリデータのエラーの進行を阻止し,さらに再
書き込み動作が外部の入出力装置のアクセスのウェイト
状態となることを回避することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and if data read from a memory has an error, and if the data can be corrected, the corrected data is rewritten to the memory so that the progress of the error in the memory data can be prevented. It is another object of the present invention to prevent a rewrite operation from being in a wait state for access of an external input / output device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに,請求項1に係るメモリシステムにあっては,読み
書き可能なメモリからデータを読み出し,該データの誤
りを検出して訂正可能の場合に訂正データの再書き込み
を実行するメモリシステムにおいて,前記メモリから読
み出したデータの誤りを検出し,誤り検出時に訂正デー
タを出力する誤り検出訂正回路と,前記誤り検出訂正回
路で誤りが検出された場合,そのアドレスを保持する再
書き込みアドレスレジスタと,前記誤り検出訂正回路で
誤りが検出された場合に出力される訂正データを保持す
る再書き込みデータレジスタと,外部から出力されるア
ドレスと前記再書き込みアドレスレジスタからのアドレ
ス出力を選択・出力するアドレスセレクタと,外部から
出力されるデータと前記再書き込みデータレジスタから
のデータ出力を選択・出力するメモリ入力データセレク
タと,外部からの通常のメモリアクセス要求と前記訂正
データの再書き込み要求の調停を実行し,メモリアクセ
スのための制御信号を出力するメモリアクセス制御回路
と,前記再書き込みアドレスレジスタの出力と外部から
出力されるアドレスの値を比較し,その結果を前記メモ
リアクセス制御回路へ与えるアドレス比較回路と,を備
えたものである。
In order to achieve the above object, in a memory system according to the first aspect, data is read from a readable / writable memory, and an error in the data is detected and corrected. An error detection and correction circuit for detecting an error in data read from the memory and outputting correction data when an error is detected, and an error detection and correction circuit for detecting an error in the data read from the memory. A rewrite address register for holding the address, a rewrite data register for holding correction data output when an error is detected by the error detection and correction circuit, An address selector that selects and outputs the address output from the write address register, and data that is output externally A memory input data selector for selecting and outputting a data output from the rewrite data register, arbitrating a normal memory access request from the outside and a rewrite request for the correction data, and outputting a control signal for memory access. A memory access control circuit for outputting, and an address comparison circuit for comparing the output of the rewrite address register with the value of an address output from the outside and providing the result to the memory access control circuit.

【0007】すなわち,メモリから読み出したデータに
誤りが検出され訂正可能である場合,訂正したデータを
外部の入出力装置にリードデータとして出力すると共
に,再書き込みデータレジスタに記憶し,同時にエラー
を起こしたアドレスを再書き込みアドレスレジスタに記
憶しておき,メモリアクセス制御回路に対し,上記記憶
してある訂正データをメモリの再び書き込むことを要求
する再書き込み要求信号を出力し,メモリアクセス制御
回路によってCPUなどのデータ入出力を行うデータ入
出力装置からのメモリリード要求/メモリライト要求,
および再書き込み要求信号を入力し,これらを調停して
入出力装置からのメモリアクセスが優先されるように
し,データ入出力装置からのアクセスウェイトを最小限
にする。
That is, if an error is detected in the data read from the memory and the data can be corrected, the corrected data is output to an external input / output device as read data and stored in a rewrite data register. The rewritten address is stored in a rewrite address register, and a rewrite request signal for requesting the memory access control circuit to rewrite the stored correction data in the memory is output. Memory read request / memory write request from a data input / output device that performs data input / output
And a rewrite request signal are input and arbitrated so that the memory access from the input / output device is prioritized, and the access weight from the data input / output device is minimized.

【0008】また,請求項2に係るメモリシステムにあ
っては,前記再書き込みレジスタから出力される値をメ
モリからのリードデータとして出力するメモリ出力デー
タセレクタをさらに備えたものである。
Further, the memory system according to the present invention further comprises a memory output data selector for outputting a value output from the rewrite register as read data from the memory.

【0009】すなわち,請求項1ではメモリリード時で
それが再書き込みアドレスからのリードの場合,常に再
書き込みを優先させたが,この請求項2では,メモリア
クセス制御回路においてアドレス比較回路から出力され
る比較結果が一致である場合,メモリ出力データセレク
タに対して再書き込みデータレジスタの出力がリードデ
ータとなるように制御し,リード優先にする。
That is, in the first embodiment, when the memory is read and the read operation is performed from the rewrite address, the rewrite is always given priority. In the second embodiment, the memory access control circuit outputs the data from the address comparison circuit. If the comparison results match, the memory output data selector is controlled so that the output of the rewrite data register becomes read data, and read priority is given.

【0010】また,請求項3に係るメモリシステムにあ
っては,前記メモリアクセス制御回路は,メモリリード
要求を再度出力させるための再メモリリード要求信号を
出力するものである。
In the memory system according to a third aspect, the memory access control circuit outputs a memory read request signal for outputting a memory read request again.

【0011】すなわち,請求項1ではメモリリード時で
それが再書き込みアドレス以外のアドレスからのリード
の場合,常に再書き込みを優先させたが,この請求項3
ではメモリリード時にデータ誤りが検出された場合,再
書き込みを直ちに実行し,メモリリード要求を再び行わ
せるためのメモリアクセス制御回路が再メモリリード要
求信号を出力することでリード優先にする。
That is, in the first embodiment, when a memory read is performed from an address other than the rewrite address, the rewrite is always given priority.
When a data error is detected at the time of memory reading, rewriting is immediately executed, and the memory access control circuit for making a memory reading request again outputs a re-memory reading request signal to give priority to reading.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下,本発明のメモリシステムに
ついて添付図面を参照し,〔実施の形態1〕,〔実施の
形態2〕,〔実施の形態3〕の順に詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a memory system according to the present invention will be described in detail in the order of [Embodiment 1], [Embodiment 2], [Embodiment 3] with reference to the accompanying drawings.

【0013】〔実施の形態1〕 (実施の形態1の構成)図1は実施の形態1に係るメモ
リシステムの構成を示すブロック図である。図におい
て,101は訂正可能な誤り検出のための冗長ビットを
含むデータを記憶する読み書き可能なメモリ,102は
ライトデータと後述する再書き込みデータレジスタから
のデータを選択・出力し,メモリ101へのライトデー
タとするメモリ入力データセレクタ,103は後述する
誤り検出訂正回路から出力されたデータが訂正されたデ
ータである場合,そのデータを記憶する再書き込みデー
タレジスタである。
First Embodiment (Configuration of First Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a memory system according to a first embodiment. In the figure, reference numeral 101 denotes a readable / writable memory for storing data including a redundant bit for detecting a correctable error, and 102, a selector for selecting and outputting write data and data from a rewrite data register described later, A memory input data selector 103 for writing data is a rewrite data register for storing data output from an error detection and correction circuit described later when the data is corrected data.

【0014】また,104はメモリ101からのデータ
に誤りがあるか否かを調べ,誤りがある場合に訂正した
データを出力し,誤りがない場合にデータをそのまま出
力する誤り検出訂正回路である。
Reference numeral 104 denotes an error detection and correction circuit for checking whether or not the data from the memory 101 has an error, outputting corrected data when there is an error, and outputting the data as it is when there is no error. .

【0015】また,105は外部の入出力装置(図示せ
ず)からのリード要求信号あるいはライト要求信号と再
書き込み要求信号を入力し,調停を行った後,メモリ1
01へのリードあるいはライトへの制御信号を出力する
メモリアクセス制御回路,106は再書き込みを行うア
ドレスの値を保持する再書き込みアドレスレジスタ,1
07は外部の入出力装置(図示せず)から出力されるア
ドレス値と再書き込みアドレスレジスタ106の値を選
択・出力し,メモリ101へのアドレスデータとするア
ドレスセレクタ,108は外部の入出力装置(図示せ
ず)から出力されるアドレス値と再書き込みアドレスレ
ジスタ106の値が一致しているか否かを調べ,その結
果を出力するアドレス比較回路である。
A read request signal 105 or a write request signal from an external input / output device (not shown) and a rewrite request signal 105 are input to the memory 105 for arbitration.
A memory access control circuit for outputting a control signal to read or write to 01, a rewrite address register 106 for holding a value of an address to be rewritten, 106
An address selector 07 selects and outputs an address value output from an external input / output device (not shown) and a value of the rewrite address register 106 and uses it as address data to the memory 101. 108 denotes an external input / output device. This is an address comparison circuit that checks whether or not the address value output from a not-shown address matches the value of the rewrite address register 106 and outputs the result.

【0016】なお,図示しないが,メモリ101に対し
てアドレスを与え,データの入出力を行う入出力装置が
外部に接続されている。
Although not shown, an input / output device for giving an address to the memory 101 and inputting / outputting data is externally connected.

【0017】(実施の形態1の動作)次に,以上のよう
に構成されたメモリシステムの動作について説明する。
(Operation of Embodiment 1) Next, the operation of the memory system configured as described above will be described.

【0018】まず,メモリ101からのリード動作につ
いて説明する。入出力装置側の要求に基づいてメモリリ
ードを開始する。メモリアクセス制御回路105は,C
PUからのリードアクセス要求を受けたとき,誤り検出
訂正回路104から再書き込みのための要求が来ていな
いことを確認し,メモリ101へリードのための制御を
実行する。
First, a read operation from the memory 101 will be described. A memory read is started based on a request from the input / output device. The memory access control circuit 105
When a read access request is received from the PU, it is confirmed that a request for rewriting has not been received from the error detection and correction circuit 104, and control for reading to the memory 101 is executed.

【0019】次いで,誤り検出訂正回路104は,メモ
リ101からリードしたデータを入力し,誤りがないか
を検査する。ここで誤りが検出され,それが訂正可能で
あれば訂正したデータを出力する。一方,誤りが検出さ
れなかった場合にはメモリ101からリードしたデータ
を直接出力する。また,誤りが検出された場合は,誤り
検出訂正回路104は,再書き込みデータレジスタ10
3に訂正データを保持させるための制御信号を出力す
る。
Next, the error detection and correction circuit 104 inputs the data read from the memory 101 and checks whether there is any error. Here, an error is detected, and if it can be corrected, the corrected data is output. On the other hand, if no error is detected, the data read from the memory 101 is directly output. If an error is detected, the error detection and correction circuit 104
3 outputs a control signal for holding the correction data.

【0020】その後,誤り検出訂正回路104は,メモ
リアクセス制御回路105に再書き込み要求信号を出力
する。メモリアクセス制御回路105は再書き込みを実
行し,誤り検出訂正回路104に対して再書き込み終了
を通知する。その後,誤り検出訂正回路104は再書き
込み要求信号の出力を終了する。
Thereafter, the error detection and correction circuit 104 outputs a rewrite request signal to the memory access control circuit 105. The memory access control circuit 105 executes rewriting and notifies the error detection and correction circuit 104 of the end of rewriting. After that, the error detection and correction circuit 104 ends the output of the rewrite request signal.

【0021】また,再書き込み要求信号が出力されてい
るときで入出力装置からのメモリアクセス要求がない場
合は,再書き込みを実行する。
When a memory access request is not issued from the input / output device when the rewrite request signal is output, rewrite is executed.

【0022】まず,メモリアクセス制御回路105は,
メモリ入力データセレクタ102に対して再書き込みデ
ータレジスタ103からの値がメモリ101に入力され
るよう制御する。さらに,アドレスセレクタ107に対
して再書き込みアドレスレジスタ106の値がメモリ1
01に入力されるように制御する。そして,メモリ10
1に対してメモリ制御信号を必要なタイミングで出力
し,メモリ101に訂正データを書き込む。
First, the memory access control circuit 105
The memory input data selector 102 is controlled so that the value from the rewrite data register 103 is input to the memory 101. Further, the value of the rewrite address register 106 is stored in the memory 1 for the address selector 107.
01 is input. And the memory 10
1 and outputs a memory control signal at a necessary timing, and writes correction data into the memory 101.

【0023】なお,図1においては,メモリライトデー
タのためのポート,メモリリードのためのポート,メモ
リアドレスのためのポートが別々となっているが,これ
らは共通のポートであっても構わない。
In FIG. 1, the port for memory write data, the port for memory read, and the port for memory address are separate, but these may be common ports. .

【0024】次に,入出力装置からのメモリアクセス要
求と再書き込み要求が競合する場合について説明する。
なお,以下では再書き込み要求が発生している場合につ
いて述べる。この場合,入出力装置からアクセスしたい
アドレスが再書き込みを行うアドレスと一致している場
合と一致していない場合とで動作が異なるので,それぞ
れ分けて説明する。
Next, a case where a memory access request and a rewrite request from the input / output device conflict will be described.
The case where a rewrite request has occurred will be described below. In this case, the operation differs depending on whether the address desired to be accessed from the input / output device matches the address to be rewritten or not, and will be described separately.

【0025】メモリライトするアドレスが再書き込み
するアドレスと一致した場合メモリ101の該当アドレ
スの値は新規のデータが書き込まれることになるので,
訂正データの書き込みは行わず,入出力装置からのデー
タの書き込みのみとなる。
When the address to be written to the memory coincides with the address to be rewritten, the value of the corresponding address in the memory 101 is such that new data is written.
No correction data is written, and only data is written from the input / output device.

【0026】このとき,メモリアクセス制御回路105
は,誤り検出訂正回路104に再書き込み終了を通知す
ることにより,再書き込み要求信号の出力を終了させ
る。
At this time, the memory access control circuit 105
Notifies the error detection and correction circuit 104 of the end of the rewriting, thereby terminating the output of the rewriting request signal.

【0027】メモリライトするアドレスが再書き込み
するアドレスと一致しない場合入出力装置に対する処理
速度の向上のため,入出力装置からのライト動作を優先
させる。そのライト動作終了後,再書き込み動作に入
る。
When the address to be written to the memory does not match the address to be rewritten, the write operation from the input / output device is prioritized to improve the processing speed for the input / output device. After the end of the write operation, a rewrite operation is started.

【0028】メモリリードするアドレスが再書き込み
するアドレスと一致した場合誤ったデータがメモリ10
1に記憶されているため,再書き込みを優先させて訂正
データを書き込み,入出力装置へはウェイト信号を出力
する。その後,ウェイト信号を終了し,リード動作に入
る。
If the memory read address matches the rewrite address, erroneous data is
1, the correction data is written with priority given to rewriting, and a wait signal is output to the input / output device. After that, the wait signal ends and the read operation starts.

【0029】メモリリードするアドレスが再書き込み
するアドレスと一致しない場合リードするデータに再び
誤りが検出された場合,再書き込みデータレジスタ10
3には前回の訂正データが記憶されているため,新たな
訂正データを再書き込みデータレジスタ103へ書き込
むことができないので,再書き込みを優先させ,入出力
装置へはウェイト信号を出力する。その後,ウェイト信
号を終了し,リード動作に入る。
When the address to be read from the memory does not match the address to be rewritten. When an error is detected again in the data to be read, the rewrite data register 10
3 stores the previous correction data, so that new correction data cannot be written to the rewrite data register 103. Therefore, the rewrite is prioritized and a wait signal is output to the input / output device. After that, the wait signal ends and the read operation starts.

【0030】〔実施の形態2〕 (実施の形態2の構成)図2は,実施の形態2に係るメ
モリシステムの構成を示すブロック図である。このメモ
リシステムは前述した図1の構成に対し,メモリ出力デ
ータセレクタ201を付加した構成となっている。した
がって,他の構成要素およびその機能は図1と同じであ
るので,同一符号を付し,ここでの説明は省略する。
[Second Embodiment] (Configuration of Second Embodiment) FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a memory system according to a second embodiment. This memory system has a configuration in which a memory output data selector 201 is added to the configuration of FIG. Therefore, the other components and their functions are the same as those in FIG. 1, and therefore are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0031】(実施の形態2の動作)次に,以上のよう
に構成されたメモリシステムの動作について説明する。
前述した実施の形態1において,メモリリード時でそれ
が再書き込みアドレスからのリードの場合,常に再書き
込みを優先させたが,この実施の形態2ではリード優先
にする。
(Operation of Second Embodiment) Next, the operation of the memory system configured as described above will be described.
In the above-described first embodiment, when a memory read is a read from a rewrite address, the rewrite is always given priority, but in the second embodiment, the read is given priority.

【0032】すなわち,メモリアクセス制御回路105
においてアドレス比較回路108から出力される比較結
果が一致である場合,メモリ出力データセレクタ201
に対して再書き込みデータレジスタ103の出力がリー
ドデータとなるように制御する。そして,入出力装置に
は訂正データが出力されることになる。その後,再書き
込み動作を実行する。
That is, the memory access control circuit 105
When the comparison result output from the address comparison circuit 108 is the same, the memory output data selector 201
Is controlled so that the output of the rewrite data register 103 becomes read data. Then, the corrected data is output to the input / output device. After that, a rewrite operation is performed.

【0033】なお,ここで再書き込み動作は,入出力装
置へのリード動作と同時に実行してもよい。また,メモ
リ出力データセレクタ201は,通常は誤り検出訂正回
路104からの出力が選択される。
Here, the rewrite operation may be executed simultaneously with the read operation to the input / output device. The output from the error detection and correction circuit 104 is normally selected as the memory output data selector 201.

【0034】〔実施の形態3〕 (実施の形態3の構成)図3は,実施の形態3に係るメ
モリシステムの構成を示すブロック図である。このメモ
リシステムは前述した図1の構成に対し,メモリアクセ
ス制御回路105が再メモリリード要求信号を出力する
構成となっている。したがって,他の構成要素およびそ
の機能は図1と同じであるので,同一符号を付し,ここ
での説明は省略する。
Third Embodiment (Configuration of Third Embodiment) FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a memory system according to a third embodiment. This memory system has a configuration in which the memory access control circuit 105 outputs a memory read request signal again as compared with the configuration of FIG. 1 described above. Therefore, the other components and their functions are the same as those in FIG. 1, and therefore are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0035】(実施の形態3の動作)次に,以上のよう
に構成されたメモリシステムの動作について説明する。
前述した実施の形態1において,メモリリード時でそれ
が再書き込みアドレス以外のアドレスからのリードの場
合,常に再書き込みを優先させたが,この実施の形態3
ではリード優先にする。
(Operation of Embodiment 3) Next, the operation of the memory system configured as described above will be described.
In the first embodiment described above, when a memory read is performed from an address other than the rewrite address, the rewrite is always prioritized.
Let's put the lead first.

【0036】すなわち,メモリリード時にデータ誤りが
検出された場合,再書き込みを直ちに実行し,メモリリ
ード要求を再び行わせるためのメモリアクセス制御回路
105が再メモリリード要求信号を出力する。なお,こ
の再メモリリード要求信号は,入出力装置で一般に再実
行を要求する信号を用いる。
That is, if a data error is detected during memory reading, rewriting is immediately executed, and the memory access control circuit 105 for making a memory read request again outputs a memory read request signal. The re-memory read request signal generally uses a signal requesting re-execution in the input / output device.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように,本発明に係るメモ
リシステム(請求項1)によれば,メモリから読み出し
たデータに誤りが検出され訂正可能である場合,訂正し
たデータを外部の入出力装置にリードデータとして出力
すると共に,再書き込みデータレジスタに記憶し,同時
にエラーを起こしたアドレスを再書き込みアドレスレジ
スタに記憶しておき,メモリアクセス制御回路に対し,
上記記憶してある訂正データをメモリの再び書き込むこ
とを要求する再書き込み要求信号を出力し,メモリアク
セス制御回路によってCPUなどのデータ入出力を行う
データ入出力装置からのメモリリード要求/メモリライ
ト要求,および再書き込み要求信号を入力し,これらを
調停して入出力装置からのメモリアクセスが優先される
ようにし,データ入出力装置からのアクセスウェイトを
最小限にする。これにより,メモリからリードしたデー
タに誤りがあり,訂正可能であれば訂正データをメモリ
に再書き込みすることによるメモリデータのエラーの進
行を阻止することができると共に,さらに再書き込み動
作が外部の入出力装置のアクセスのウェイト状態となる
ことを回避することができる。
As described above, according to the memory system of the present invention, when an error is detected in the data read from the memory and the error can be corrected, the corrected data is sent to the external input / output. The data is output to the device as read data and stored in the rewrite data register. At the same time, the address where the error has occurred is stored in the rewrite address register.
It outputs a rewrite request signal requesting that the stored corrected data be rewritten in the memory, and a memory read request / memory write request from a data input / output device such as a CPU for inputting / outputting data by a memory access control circuit. , And a rewrite request signal, and arbitrates these so that the memory access from the input / output device is prioritized, and minimizes the access weight from the data input / output device. As a result, if there is an error in the data read from the memory and the data can be corrected, the progress of the error in the memory data by rewriting the corrected data to the memory can be prevented. It is possible to prevent the output device from being in the access wait state.

【0038】また,本発明に係るメモリシステム(請求
項2)によれば,請求項1ではメモリリード時でそれが
再書き込みアドレスからのリードの場合,常に再書き込
みを優先させたが,この請求項2では,メモリアクセス
制御回路においてアドレス比較回路から出力される比較
結果が一致である場合,メモリ出力データセレクタに対
して再書き込みデータレジスタの出力がリードデータと
なるように制御するため,リード優先にすることができ
る。
According to the memory system according to the present invention (claim 2), in the case of the memory read in the case of reading from a rewrite address at the time of memory read, priority is always given to rewrite. In item 2, when the comparison result output from the address comparison circuit in the memory access control circuit is the same, the memory output data selector is controlled so that the output of the rewrite data register becomes read data. Can be

【0039】また,本発明に係るメモリシステム(請求
項3)によれば,請求項1ではメモリリード時でそれが
再書き込みアドレス以外のアドレスからのリードの場
合,常に再書き込みを優先させたが,この請求項3では
メモリリード時にデータ誤りが検出された場合,再書き
込みを直ちに実行し,メモリリード要求を再び行わせる
ためのメモリアクセス制御回路が再メモリリード要求信
号を出力するため,リード優先にすることができる。
According to the memory system of the present invention (claim 3), in the case of the memory read, when the memory is read from an address other than the rewrite address, the rewrite is always given priority. According to the third aspect, when a data error is detected at the time of memory reading, rewriting is immediately executed, and the memory access control circuit for re-executing the memory read request outputs a re-memory read request signal. Can be

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態1に係るメモリシステムの構成を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a memory system according to a first embodiment.

【図2】実施の形態2に係るメモリシステムの構成を示
すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a memory system according to a second embodiment.

【図3】実施の形態3に係るメモリシステムの構成を示
すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a memory system according to a third embodiment;

【図4】従来におけるメモリ制御回路の構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional memory control circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 メモリ 102 メモリ入力データセレクタ 103 再書き込みデータレジスタ 104 誤り検出訂正回路 105 メモリアクセス制御回路 106 再書き込みアドレスレジスタ 107 アドレスセレクタ 108 アドレス比較回路 201 メモリ出力データセレクタ Reference Signs List 101 memory 102 memory input data selector 103 rewrite data register 104 error detection and correction circuit 105 memory access control circuit 106 rewrite address register 107 address selector 108 address comparison circuit 201 memory output data selector

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 読み書き可能なメモリからデータを読み
出し,該データの誤りを検出して訂正可能の場合に訂正
データの再書き込みを実行するメモリシステムにおい
て,前記メモリから読み出したデータの誤りを検出し,
誤り検出時に訂正データを出力する誤り検出訂正回路
と,前記誤り検出訂正回路で誤りが検出された場合,そ
のアドレスを保持する再書き込みアドレスレジスタと,
前記誤り検出訂正回路で誤りが検出された場合に出力さ
れる訂正データを保持する再書き込みデータレジスタ
と,外部から出力されるアドレスと前記再書き込みアド
レスレジスタからのアドレス出力を選択・出力するアド
レスセレクタと,外部から出力されるデータと前記再書
き込みデータレジスタからのデータ出力を選択・出力す
るメモリ入力データセレクタと,外部からの通常のメモ
リアクセス要求と前記訂正データの再書き込み要求の調
停を実行し,メモリアクセスのための制御信号を出力す
るメモリアクセス制御回路と,前記再書き込みアドレス
レジスタの出力と外部から出力されるアドレスの値を比
較し,その結果を前記メモリアクセス制御回路へ与える
アドレス比較回路と,を備えたことを特徴とするメモリ
システム。
1. A memory system for reading data from a readable / writable memory, detecting an error in the data, and rewriting the corrected data when the data is correctable, detects an error in the data read from the memory. ,
An error detection / correction circuit for outputting correction data when an error is detected, a rewrite address register for holding an address when an error is detected by the error detection / correction circuit;
A rewrite data register for holding correction data output when an error is detected by the error detection and correction circuit; and an address selector for selecting and outputting an externally output address and an address output from the rewrite address register. A memory input data selector for selecting and outputting externally output data and data output from the rewrite data register; and arbitrating a normal external memory access request and an external corrective data rewrite request. , A memory access control circuit for outputting a control signal for memory access, and an address comparison circuit for comparing the output of the rewrite address register with the value of an externally output address and providing the result to the memory access control circuit And a memory system comprising:
【請求項2】 前記再書き込みレジスタから出力される
値をメモリからのリードデータとして出力するメモリ出
力データセレクタをさらに備えたことを特徴とする請求
項1に記載のメモリシステム。
2. The memory system according to claim 1, further comprising a memory output data selector for outputting a value output from said rewrite register as read data from a memory.
【請求項3】 前記メモリアクセス制御回路は,メモリ
リード要求を再度出力させるための再メモリリード要求
信号を出力することを特徴とする請求項1に記載のメモ
リシステム。
3. The memory system according to claim 1, wherein said memory access control circuit outputs a memory read request signal for outputting a memory read request again.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006260289A (en) * 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd Software error correction method, memory control device and memory system
US7702860B2 (en) 2006-09-21 2010-04-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Memory access apparatus
JP2015122132A (en) * 2013-12-20 2015-07-02 富士通セミコンダクター株式会社 Memory device and control device of memory device
CN108806745A (en) * 2017-05-02 2018-11-13 爱思开海力士有限公司 Storage system and its operating method

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