JPH10141925A - Appearance inspection device - Google Patents

Appearance inspection device

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JPH10141925A
JPH10141925A JP8294032A JP29403296A JPH10141925A JP H10141925 A JPH10141925 A JP H10141925A JP 8294032 A JP8294032 A JP 8294032A JP 29403296 A JP29403296 A JP 29403296A JP H10141925 A JPH10141925 A JP H10141925A
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JP
Japan
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image
sample
semiconductor device
appearance
inspection
Prior art date
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Application number
JP8294032A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiya Tamura
佳哉 田村
Shunichi Nojima
俊一 野島
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Toshiba Corp
Asia Electronics Co
Original Assignee
Toshiba Corp
Asia Electronics Co
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform accurately inspect a semiconductor device for appearance in a short time under a space- and cost-saving condition. SOLUTION: A mirror optical system 13 is arranged above, namely, around a semiconductor device 11. An image pickup device 12 simultaneously picks up the image of the upper surface of the device 11 and the images of the four side faces of the device 11 which are picked up through the optical system 13. An image processing device 14 inspects the device 11 for appearance by comparing video signals supplied from the image pickup device 12 with basic patterns stored in a second memory 19. Since the necessity of pluralities of cameras and image processing devices is eliminated at the time of picking up the images of the side faces for the inspection, the semiconductor device 11 can be inspected for appearance in a short time under a space- and cost- saving condition.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体装
置の外観を検査する場合に用いられる外観検査装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an appearance inspection apparatus used for inspecting the appearance of a semiconductor device, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置は、製造工程の各種
段階において、その外観が検査される。図4は、従来の
外観検査装置を示すものである。この装置は、半導体装
置40を撮像する例えばCCDカメラからなる撮像装置
41と、この撮像装置41から出力される映像信号が供
給され、画像を処理する画像処理装置42とから構成さ
れている。この画像処理装置42は撮像装置41から供
給された映像信号と半導体装置の外観を示す基本パター
ンとを比較し、半導体装置の外観を検査する。
2. Description of the Related Art Generally, the appearance of a semiconductor device is inspected at various stages of a manufacturing process. FIG. 4 shows a conventional visual inspection apparatus. This device includes an imaging device 41 composed of, for example, a CCD camera for imaging the semiconductor device 40, and an image processing device 42 to which a video signal output from the imaging device 41 is supplied and processes an image. The image processing device 42 compares the video signal supplied from the imaging device 41 with a basic pattern indicating the appearance of the semiconductor device, and inspects the appearance of the semiconductor device.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
外観検査装置において、撮像装置41は、半導体装置4
0の上方に設置される。このため、前記撮像装置41に
より撮像された画像は、図5に示すように、半導体装置
の上面のみである。したがって、検査対象項目はマー
ク、モールドに限られてしまい、半導体装置の側面に設
けられたリードのスキューやコプラナリティ等の検査に
この外観検査装置を使用することができなかった。この
ため、これらの検査は殆どを目視検査などの官能的検査
で対応しなければならなかった。この官能的検査は、検
査結果が人間系の不確実性に依存するため、検査基準が
均一化せず、しかも不良の見落とし等が発生する問題を
有している。
By the way, in the above-mentioned conventional visual inspection apparatus, the imaging device 41 is a semiconductor device 4.
0. Therefore, the image picked up by the image pickup device 41 is only the upper surface of the semiconductor device as shown in FIG. Therefore, the items to be inspected are limited to marks and molds, and this visual inspection apparatus cannot be used for inspecting the skew, coplanarity, and the like of the leads provided on the side surfaces of the semiconductor device. For this reason, most of these tests have to be performed by sensory tests such as visual inspection. This sensory test has a problem that the test result is dependent on the uncertainty of the human system, so that the test standard is not uniform and that a defect is overlooked.

【0004】また、リードのトリミングやフォーミング
工程の後に外観検査を行う場合、検査がリードの検査に
限定されており、他の検査は行っていない。このため、
全ての外観を検査するために複数回の外観検査工程を必
要とする問題も生ずる。
[0004] Further, when the appearance inspection is performed after the trimming and forming steps of the lead, the inspection is limited to the inspection of the lead, and other inspections are not performed. For this reason,
There is also a problem that a plurality of appearance inspection steps are required to inspect all appearances.

【0005】一方、半導体装置の側面を自動的に検査す
る方法として、複数台のカメラを用意し、半導体装置の
側面、平面を各カメラによって撮像する方法が考えられ
る。しかし、この場合、複数台のカメラを設置するため
に広いスペースを必要とする。しかも、これらカメラか
ら出力される映像信号を、1つの画像処理装置によって
処理する場合、多大な検査時間を必要とする。また、複
数台のカメラから出力される映像信号を、複数の画像処
理装置によって処理する場合、画像処理装置のコストが
増大する等の問題が発生する。
On the other hand, as a method of automatically inspecting the side surface of the semiconductor device, a method of preparing a plurality of cameras and taking an image of the side surface and the flat surface of the semiconductor device by each camera is considered. However, in this case, a large space is required for installing a plurality of cameras. In addition, when the video signals output from these cameras are processed by one image processing device, a large amount of inspection time is required. Further, in the case where video signals output from a plurality of cameras are processed by a plurality of image processing apparatuses, problems such as an increase in cost of the image processing apparatuses occur.

【0006】この発明は、上記課題を解決するものであ
り、その目的とするところは、検査対象物の平面部、側
面部の画像を一画面として撮像し、処理することによ
り、半導体装置の外観を省スペース、省コストで、短時
間のうちに正確に検査可能な外観検査装置を提供しよう
とするものである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problem, and an object of the present invention is to take an image of a plane portion and a side surface portion of an inspection object as one screen and process the image so that the external appearance of the semiconductor device is obtained. It is an object of the present invention to provide a visual inspection apparatus capable of accurately inspecting in a short time in a space-saving and cost-saving manner.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、試料の周囲に配置され、前記試料の側面
の画像を反射する複数のミラーと、前記試料の上方に配
置され、試料の上面の画像、及び前記複数のミラーによ
って反射された試料の側面の画像を撮像する撮像手段
と、前記撮像手段から供給される映像信号に濃淡画像処
理を施し、前記試料の外観を検査する検査手段とを有し
ている。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a plurality of mirrors arranged around a sample and reflecting an image of a side surface of the sample, and arranged above the sample, An imaging unit that captures an image of the upper surface of the sample and an image of a side surface of the sample reflected by the plurality of mirrors; and an inspection that performs grayscale image processing on a video signal supplied from the imaging unit to inspect the appearance of the sample. Means.

【0008】また、前記ミラーは、前記撮像手段の視線
に対して45°より小さい角度に設定され、前記ミラー
は、前記試料の上方に配置される。さらに、ミラーは、
前記撮像手段の視線に対して45°に設定してもよい。
[0008] The mirror is set at an angle smaller than 45 ° with respect to the line of sight of the imaging means, and the mirror is disposed above the sample. In addition, the mirror
The angle may be set to 45 ° with respect to the line of sight of the imaging unit.

【0009】また、撮像手段は、試料の上面の画像及び
前記複数のミラーによって反射された試料の側面の画像
を同時に取込み、検査手段は、前記撮像手段から供給さ
れる映像信号と、予め記憶された基本パターンとを比較
して、前記試料の外観を検査する。
The imaging means simultaneously captures an image of the upper surface of the sample and an image of the side surface of the sample reflected by the plurality of mirrors, and the inspection means stores a video signal supplied from the imaging means and a video signal stored in advance. The appearance of the sample is inspected by comparing it with the basic pattern.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図1は、この発明の第1
の実施の形態に係わる半導体装置の外観検査装置を示す
ものである。図1において、試料としての半導体装置1
1の上方には例えばCCDカメラからなる撮像装置12
が配置されている。前記半導体装置11と撮像装置12
の相互間には、ミラー光学系13が配置されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
1 shows a visual inspection apparatus for a semiconductor device according to an embodiment. In FIG. 1, a semiconductor device 1 as a sample is shown.
Above 1 is an imaging device 12 composed of, for example, a CCD camera.
Is arranged. The semiconductor device 11 and the imaging device 12
A mirror optical system 13 is arranged between the two.

【0011】図2は、ミラー光学系13を示している。
このミラー光学系13は前記半導体装置11の4辺近傍
に配置された例えば4つのミラー13a、13b、13
c、13dによって構成され、これらミラー13a〜1
3dによって、半導体装置11の4つの側面の画像が前
記撮像装置12に導かれる。これらミラー13a〜13
dは、各反射面を撮像装置12の視線に対して、45°
より小さい角度に設定することにより、ミラー光学系1
3を半導体装置11の上方に設置することができる。撮
像装置12は、半導体装置11の上面の画像と、ミラー
光学系13を介して導かれる4つの側面の画像を同時に
撮像することができる。
FIG. 2 shows the mirror optical system 13.
The mirror optical system 13 includes, for example, four mirrors 13a, 13b, 13 arranged near four sides of the semiconductor device 11.
c, 13d, and these mirrors 13a to 13d
By 3d, images of the four side surfaces of the semiconductor device 11 are guided to the imaging device 12. These mirrors 13a to 13
d is 45 ° with respect to the line of sight of the imaging device 12 for each reflection surface.
By setting a smaller angle, the mirror optical system 1
3 can be installed above the semiconductor device 11. The imaging device 12 can simultaneously capture an image of the upper surface of the semiconductor device 11 and images of four side surfaces guided via the mirror optical system 13.

【0012】前記撮像装置12には画像処理装置14が
接続されている。この画像処理装置14は、例えばイン
ターフェイス(I/F)回路15、バスライン16、マ
イクロプセッサ17、第1、第2のメモリ18、19、
表示装置20、通信装置21によって構成されている。
前記インターフェイス回路15は撮像装置12に接続さ
れている。このインターフェイス回路15にはバスライ
ン16が接続されている。このバスライン16にはマイ
クロプセッサ17、第1、第2のメモリ18、19、表
示装置20、通信装置21が接続されている。マイクロ
プセッサ17は後述するように、画像処理装置14の全
体的な制御を行う。前記第1のメモリ18は前記撮像装
置12から出力された映像信号を記憶する。前記第2の
メモリ19は、例えば前記マイクロプセッサ17を制御
するための基本プログラム、各種検査用のプログラム、
及び半導体装置11の上面及び各側面の基本パターン、
マークの基本パターン等を記憶する。前記表示装置20
は検査結果等を表示する。前記通信装置21は図示せぬ
他の装置とデータを授受する。
An image processing device 14 is connected to the image pickup device 12. The image processing apparatus 14 includes, for example, an interface (I / F) circuit 15, a bus line 16, a microprocessor 17, first and second memories 18, 19,
The display device 20 includes a communication device 21.
The interface circuit 15 is connected to the imaging device 12. A bus line 16 is connected to the interface circuit 15. The bus line 16 is connected to a microprocessor 17, first and second memories 18 and 19, a display device 20, and a communication device 21. The microprocessor 17 controls the entire image processing apparatus 14 as described later. The first memory 18 stores a video signal output from the imaging device 12. The second memory 19 includes, for example, a basic program for controlling the microprocessor 17, a program for various inspections,
And a basic pattern of the upper surface and each side surface of the semiconductor device 11,
The basic pattern of the mark and the like are stored. The display device 20
Displays the inspection result and the like. The communication device 21 exchanges data with another device (not shown).

【0013】上記構成において、前記撮像装置12から
出力された映像信号はインターフェイス回路15、バス
ライン16を介して第1のメモリ18に記憶される。こ
の第1のメモリ18に記憶された映像信号は濃淡画像処
理される。この濃淡画像処理は例えば二値化処理、多値
化処理、ヒストグラム処理に代表される。
In the above configuration, the video signal output from the imaging device 12 is stored in the first memory 18 via the interface circuit 15 and the bus line 16. The video signal stored in the first memory 18 is subjected to grayscale image processing. This shading image processing is represented by, for example, binarization processing, multi-level processing, and histogram processing.

【0014】この後、検査対象に応じた処理がなされ
る。例えばモールドに生じたボイド、傷、欠け等の凹凸
の検査の場合、マイクロプセッサ17は、前記検査用の
プログラムの指示に従って、例えばヒストグラム処理さ
れたデータを用いて、その有無を検出し、表示装置20
に表示する。
Thereafter, a process corresponding to the inspection object is performed. For example, in the case of inspection for irregularities such as voids, scratches, chips, etc. generated in the mold, the microprocessor 17 detects the presence or absence thereof using, for example, histogram-processed data according to instructions of the inspection program, and displays the display device. 20
To be displayed.

【0015】また、マークの検査は、例えば二値化処理
されたデータと第2のメモリ19に記憶されたマークの
基本パターンとが比較される。すなわち、マイクロプセ
ッサ17は、前記検査用のプログラムの指示に従って、
第1のメモリ18に記憶された映像信号と第2のメモリ
19に記憶された基本パターンとを比較し、この比較結
果を例えば表示装置20に表示する。
In the mark inspection, for example, the binarized data is compared with the basic pattern of the mark stored in the second memory 19. That is, the microprocessor 17 operates according to the instruction of the inspection program.
The video signal stored in the first memory 18 is compared with the basic pattern stored in the second memory 19, and the comparison result is displayed on, for example, the display device 20.

【0016】リードのスキュー、コプラナリティ等の検
査は、例えば二値化、又は、多値化処理されたデータと
基本パターンとが比較される。前記半導体装置11のモ
ールドに生じたボイド、傷、欠け等の検査は、試料上面
部、及び4つの側面部の画像を用いて行われる。また、
前記半導体装置11に設けられたマークの検査は、第1
のメモリ18に記憶された半導体装置11の上面の画像
を用いて検査される。さらに、リードのスキュー、コプ
ラナリティ等の検査は、試料上面部、及び4つの側面部
の画像を用いて行われる。
In the inspection for read skew, coplanarity, and the like, for example, binarized or multivalued data is compared with a basic pattern. Inspection for voids, scratches, chips, and the like generated in the mold of the semiconductor device 11 is performed using images of the upper surface of the sample and the four side surfaces. Also,
Inspection of the mark provided on the semiconductor device 11 is performed by the first
The inspection is performed using the image of the upper surface of the semiconductor device 11 stored in the memory 18 of FIG. Further, inspection of lead skew, coplanarity, and the like is performed using images of the sample upper surface and four side surfaces.

【0017】尚、試料上面部を撮像する光路と、試料側
面を撮像する光路とでは、後者の方がミラーを介在する
分だけ長くなる。したがって、この光路差よりも大きな
被写界深度を有するレンズ、及び絞りを用いる必要があ
る。
The optical path for imaging the upper surface of the sample and the optical path for imaging the side surface of the sample are longer by the amount of the mirror. Therefore, it is necessary to use a lens having a depth of field larger than the optical path difference and an aperture.

【0018】また、上述したように、ミラー光学系13
を構成するミラーは反射面を撮像装置12の視線に対し
て、45°より小さい角度に設定している。このため、
試料の側面を撮像した画像は歪むため、画像処理におい
ては、歪みを考慮して検査する必要がある。したがっ
て、例えば画像処理に用いる基本パターンを予め歪みを
考慮したパターンとしたり、歪みを補正した後、基本パ
ターンと比較する等の対策が必要である。
As described above, the mirror optical system 13
Has a reflection surface set at an angle smaller than 45 ° with respect to the line of sight of the imaging device 12. For this reason,
Since the image obtained by capturing the side surface of the sample is distorted, it is necessary to perform inspection in consideration of the distortion in the image processing. Therefore, for example, it is necessary to take a countermeasure such that a basic pattern used for image processing is a pattern in consideration of distortion in advance, or the distortion is corrected and then compared with the basic pattern.

【0019】上記第1の実施の形態によれば、試料とし
ての半導体装置11の上方、且つ、周囲にミラー光学系
13を配置し、撮像装置12によって、半導体装置11
の上面の画像、及びミラー光学系13を介した4つの側
面の画像を同時に撮像処理可能としている。したがっ
て、側面の画像を撮像し、検査するために、複数台のカ
メラを必要としないため、これらカメラを設置するため
の広いスペースを必要としない。
According to the first embodiment, the mirror optical system 13 is disposed above and around the semiconductor device 11 as a sample, and the semiconductor device 11 is
The image of the upper surface and the image of the four side surfaces via the mirror optical system 13 can be simultaneously image-processed. Therefore, since a plurality of cameras are not required for capturing and inspecting the image of the side surface, a large space for installing these cameras is not required.

【0020】しかも、1台の撮像装置によって5つの面
の画像を同時に撮像し、画像処理装置に取り込むことが
できる。このため、複数台のカメラによって撮像し、1
つの画像処理装置を使用する場合に比べて画像の処理時
間を短縮することができ、さらに、複数台のカメラ、複
数の画像処理装置を使用する場合に比べて装置構成を簡
単化でき、コストの高騰を防止できる。
Moreover, images of five surfaces can be simultaneously captured by one image capturing device and taken into the image processing device. Therefore, images are taken by a plurality of cameras and
The image processing time can be reduced as compared with the case where one image processing device is used, and further, the device configuration can be simplified as compared with the case where a plurality of cameras and a plurality of image processing devices are used. Soaring can be prevented.

【0021】また、ミラー光学系13を構成するミラー
は反射面を撮像装置12の視線に対して、45°より小
さい角度に設定している。このため、ミラー光学系13
を半導体装置11の上方に設置した状態で、半導体装置
の側面の画像を撮像することができる。したがって、ミ
ラー光学系13の設置場所が限定されないため、製造途
中において、リードフレームに一体化された半導体装置
の側面等を撮像することも可能である。
The mirror constituting the mirror optical system 13 has its reflection surface set at an angle smaller than 45 ° with respect to the line of sight of the image pickup device 12. Therefore, the mirror optical system 13
In a state where is installed above the semiconductor device 11, an image of the side surface of the semiconductor device can be taken. Therefore, since the installation location of the mirror optical system 13 is not limited, it is also possible to image the side surface and the like of the semiconductor device integrated with the lead frame during manufacturing.

【0022】図3は、この発明の第2の実施の形態を示
している。図3において、図1と同一部分には同一符号
を付す。前記第1の実施の形態では、ミラー光学系13
を構成するミラーの反射面を撮像装置12の視線に対し
て、45°より小さい角度に設定した。これに対して、
この実施の形態では、ミラーの反射面を撮像装置12の
視線に対して45°に設定している。すなわち、試料と
しての半導体装置11はステージ31上に載置されてい
る。この半導体装置11の周囲には、ミラー光学系13
を構成するミラー32が配置される。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. 3, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the first embodiment, the mirror optical system 13
Is set at an angle smaller than 45 ° with respect to the line of sight of the imaging device 12. On the contrary,
In this embodiment, the reflection surface of the mirror is set at 45 ° with respect to the line of sight of the imaging device 12. That is, the semiconductor device 11 as a sample is mounted on the stage 31. A mirror optical system 13 is provided around the semiconductor device 11.
Are arranged.

【0023】このような構成とした場合、ミラー光学系
13を半導体装置11の周囲に配置できるため、撮像し
た半導体装置の側面の画像は歪まない。したがって、画
像処理を簡略化できるとともに、検査精度を向上でき
る。
In such a configuration, since the mirror optical system 13 can be arranged around the semiconductor device 11, the image of the side surface of the semiconductor device taken is not distorted. Therefore, image processing can be simplified and inspection accuracy can be improved.

【0024】尚、上記実施の形態は、この発明を半導体
装置の外観を検査する場合について説明したが、この発
明は、半導体装置に限定されるものではなく、各種装置
の外観検査に適用できることは言うまでもない。その
他、この発明の要旨を変えない範囲において種々変形実
施可能なことは勿論である。
Although the above embodiment has been described with reference to the case where the present invention is used to inspect the appearance of a semiconductor device, the present invention is not limited to the semiconductor device, but can be applied to the appearance inspection of various devices. Needless to say. Of course, various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、検査対象物の平面部、側面部の画像を一画面として
撮像し、処理することにより、半導体装置の外観を省ス
ペース、省コストで、短時間のうちに正確に検査可能な
外観検査装置を提供できる。
As described above in detail, according to the present invention, the image of the flat portion and the side portion of the object to be inspected is captured as one screen and processed, so that the appearance of the semiconductor device can be reduced in space and space. It is possible to provide a visual inspection device capable of accurately and accurately inspecting in a short time at a low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図2は図1の一部を示す上面図。FIG. 2 is a top view showing a part of FIG. 1;

【図3】この発明の第2の実施の形態を示す構成図。FIG. 3 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の半導体装置の外観検査装置を示す構成
図。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a conventional semiconductor device appearance inspection apparatus.

【図5】従来の撮像画像を説明するために示す図。FIG. 5 is a diagram illustrating a conventional captured image.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…半導体装置、 12…撮像装置、 13…ミラー光学系、 13a〜13d…ミラー、 14…画像処理装置、 17…マイクロプセッサ、 18、19…第1、第2のメモリ、 20…表示装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Semiconductor device, 12 ... Imaging device, 13 ... Mirror optical system, 13a-13d ... Mirror, 14 ... Image processing device, 17 ... Microprocessor, 18, 19 ... 1st, 2nd memory, 20 ... Display device.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料の周囲に配置され、前記試料の側面
の画像を反射する複数のミラーと、 前記試料の上方に配置され、試料の上面の画像、及び前
記複数のミラーによって反射された試料の側面の画像を
撮像する撮像手段と、 前記撮像手段から供給される映像信号に濃淡画像処理を
施し、前記試料の外観を検査する検査手段とを具備する
ことを特徴とする外観検査装置。
1. A plurality of mirrors disposed around a sample and reflecting an image of a side surface of the sample, and an image of a top surface of the sample disposed above the sample and reflected by the plurality of mirrors An appearance inspection apparatus comprising: an imaging unit that captures an image of a side surface of the image forming apparatus; and an inspection unit that performs grayscale image processing on a video signal supplied from the imaging unit and inspects an appearance of the sample.
【請求項2】 前記ミラーは、前記撮像手段の視線に対
して45°より小さい角度に設定されることを特徴とす
る請求項1記載の外観検査装置。
2. An appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein said mirror is set at an angle smaller than 45 ° with respect to the line of sight of said imaging means.
【請求項3】 前記ミラーは、前記試料の上方に配置さ
れることを特徴とする請求項2記載の外観検査装置。
3. The visual inspection device according to claim 2, wherein the mirror is disposed above the sample.
【請求項4】 前記ミラーは、前記撮像手段の視線に対
して45°に設定されることを特徴とする請求項1記載
の外観検査装置。
4. The visual inspection apparatus according to claim 1, wherein the mirror is set at 45 ° with respect to a line of sight of the imaging unit.
【請求項5】 前記検査手段は、前記撮像手段から供給
される映像信号と、予め記憶された基本パターンとを比
較し、前記試料の外観を検査することを特徴とする請求
項1記載の外観検査装置。
5. The external appearance according to claim 1, wherein said inspection means inspects the external appearance of said sample by comparing a video signal supplied from said imaging means with a basic pattern stored in advance. Inspection equipment.
【請求項6】 前記撮像手段は、前記試料の上面の画像
及び前記複数のミラーによって反射された試料の側面の
画像を同時に取込むことを特徴とする請求項1記載の外
観検査装置。
6. The visual inspection apparatus according to claim 1, wherein said imaging means simultaneously captures an image of the upper surface of the sample and an image of a side surface of the sample reflected by the plurality of mirrors.
JP8294032A 1996-11-06 1996-11-06 Appearance inspection device Pending JPH10141925A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8294032A JPH10141925A (en) 1996-11-06 1996-11-06 Appearance inspection device

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JP8294032A JPH10141925A (en) 1996-11-06 1996-11-06 Appearance inspection device

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