JPH10140390A - 複合メッキ装置 - Google Patents
複合メッキ装置Info
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- JPH10140390A JPH10140390A JP29260396A JP29260396A JPH10140390A JP H10140390 A JPH10140390 A JP H10140390A JP 29260396 A JP29260396 A JP 29260396A JP 29260396 A JP29260396 A JP 29260396A JP H10140390 A JPH10140390 A JP H10140390A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックス粒子を複合メッキ皮膜の金属マ
トリックス中に均一に共析させて、複合メッキ皮膜の耐
摩耗性を均一に高める。 【解決手段】 中空部３内に隙間Ｓ1を開けて筒形電極
４を配置し、筒形電極４の基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って
内径を漸次小径又は大径とし且つ中空部３と対向する周
壁２５に貫通孔２６…を備えた。従って、筒形電極４の
内側に進入した複合メッキ液５は乱流状態となり、複合
メッキ液５中のＳｉＣ粒子３２…は均一に分散する。こ
の複合メッキ液５は貫通孔２６…を通じて中空部３内に
噴射するので、ＳｉＣ粒子３２…は中空部３の金属マト
リックス中に均一に共析する。
トリックス中に均一に共析させて、複合メッキ皮膜の耐
摩耗性を均一に高める。 【解決手段】 中空部３内に隙間Ｓ1を開けて筒形電極
４を配置し、筒形電極４の基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って
内径を漸次小径又は大径とし且つ中空部３と対向する周
壁２５に貫通孔２６…を備えた。従って、筒形電極４の
内側に進入した複合メッキ液５は乱流状態となり、複合
メッキ液５中のＳｉＣ粒子３２…は均一に分散する。こ
の複合メッキ液５は貫通孔２６…を通じて中空部３内に
噴射するので、ＳｉＣ粒子３２…は中空部３の金属マト
リックス中に均一に共析する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はワークの中空部内面
に複合メッキ皮膜を施す複合メッキ装置に関する。
に複合メッキ皮膜を施す複合メッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関用のシリンダブロックには、ピ
ストンの摺動面となるシリンダ内面をシリンダブロック
と一体にダイカスト成形し、このシリンダ内面にＮｉ／
ＳｉＣ複合メッキ皮膜を施したものがある。Ｎｉ／Ｓｉ
Ｃ複合メッキ皮膜は、金属相であるＮｉマトリクス中に
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子を共析したもので、シリンダ
内面の耐摩耗性を高めたものである。
ストンの摺動面となるシリンダ内面をシリンダブロック
と一体にダイカスト成形し、このシリンダ内面にＮｉ／
ＳｉＣ複合メッキ皮膜を施したものがある。Ｎｉ／Ｓｉ
Ｃ複合メッキ皮膜は、金属相であるＮｉマトリクス中に
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子を共析したもので、シリンダ
内面の耐摩耗性を高めたものである。
【０００３】一方、特開平７−１１８８９１号公報「表
面処理装置」に高速メッキ処理方法が開示されている。
この高速メッキ処理方法によれば、シリンダ内面に沿っ
て複合メッキ液を強制的に流動させて、シリンダ内面に
高速に複合メッキ皮膜を施すことができる。次図に同公
報の装置によるＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜処理を示
す。
面処理装置」に高速メッキ処理方法が開示されている。
この高速メッキ処理方法によれば、シリンダ内面に沿っ
て複合メッキ液を強制的に流動させて、シリンダ内面に
高速に複合メッキ皮膜を施すことができる。次図に同公
報の装置によるＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜処理を示
す。
【０００４】図１０は従来のＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ処
理の説明図である。シリンダブロック１００の開孔１０
１内に隙間Ｓを開けて筒形の電極１０２を配置すること
により、開孔１０１と電極１０２との間に環状通路１０
４を形成する。この環状通路１０４に複合メッキ液を矢
印方向に流し、次に電極１０２の頂部を廻って電極１
０２の内側へ折り返した流れとする。
理の説明図である。シリンダブロック１００の開孔１０
１内に隙間Ｓを開けて筒形の電極１０２を配置すること
により、開孔１０１と電極１０２との間に環状通路１０
４を形成する。この環状通路１０４に複合メッキ液を矢
印方向に流し、次に電極１０２の頂部を廻って電極１
０２の内側へ折り返した流れとする。
【０００５】この複合メッキ液の、の流れを継続し
ながら、電極１０２とシリンダブロック１００とに通電
して、複合メッキ皮膜１０７のＮｉマトリクス１０５中
にＳｉＣ粒子１０６…（…は複数（個）を示す。以下同
様。）を共析させる。
ながら、電極１０２とシリンダブロック１００とに通電
して、複合メッキ皮膜１０７のＮｉマトリクス１０５中
にＳｉＣ粒子１０６…（…は複数（個）を示す。以下同
様。）を共析させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０に示し
た複合メッキ皮膜１０７には次図に示す不具合がある。
図１１は図１０の１１部拡大図である。複合メッキ液が
環状通路１０４に沿って矢印方向に流れるので、下流側
のＮｉマトリクス１０５中に多量のＳｉＣ粒子１０６…
が共析する。従って、複合メッキ液が上方向（下流側）
に流れるに従って複合メッキ液中のＳｉＣ粒子１０６…
が減少してしまい、ＳｉＣ粒子１０６…の共析量は下流
側に向って徐々に減少する。このため、複合メッキ皮膜
の耐摩耗性が下流側で低くなるという問題がある。
た複合メッキ皮膜１０７には次図に示す不具合がある。
図１１は図１０の１１部拡大図である。複合メッキ液が
環状通路１０４に沿って矢印方向に流れるので、下流側
のＮｉマトリクス１０５中に多量のＳｉＣ粒子１０６…
が共析する。従って、複合メッキ液が上方向（下流側）
に流れるに従って複合メッキ液中のＳｉＣ粒子１０６…
が減少してしまい、ＳｉＣ粒子１０６…の共析量は下流
側に向って徐々に減少する。このため、複合メッキ皮膜
の耐摩耗性が下流側で低くなるという問題がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、複合メッキ皮膜
にＳｉＣ粒子等のセラミックス粒子を均一に共析させて
複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均一に高める技術を提供す
ることにある。
にＳｉＣ粒子等のセラミックス粒子を均一に共析させて
複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均一に高める技術を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の請求項１は、中空部を有するワークの中空部
内に隙間を開けて配置し、一端を閉塞すると共に他端か
ら一端に向って内径を漸次小径又は大径とし且つ前記中
空部の内面と対向する周壁に複数の貫通孔を有する筒形
電極と、この筒形電極の他端側から内側にセラミックス
粒子を混合した複合メッキ液を供給し、前記周壁の貫通
孔を通じて噴射させ、筒形電極の外側から回収するメッ
キ液循環機構と、前記ワークと筒形電極とに通電する通
電機構とから複合メッキ装置を構成する。
に本発明の請求項１は、中空部を有するワークの中空部
内に隙間を開けて配置し、一端を閉塞すると共に他端か
ら一端に向って内径を漸次小径又は大径とし且つ前記中
空部の内面と対向する周壁に複数の貫通孔を有する筒形
電極と、この筒形電極の他端側から内側にセラミックス
粒子を混合した複合メッキ液を供給し、前記周壁の貫通
孔を通じて噴射させ、筒形電極の外側から回収するメッ
キ液循環機構と、前記ワークと筒形電極とに通電する通
電機構とから複合メッキ装置を構成する。
【０００９】複合メッキ液の通路となる筒形電極の内面
を漸次小径又は大径になるように変化させたので、筒形
電極の内側に進入した複合メッキ液は乱流状態となる。
従って、複合メッキ液中にセラミックス粒子は均一に分
散する。この複合メッキ液を複数の貫通孔を通じて中空
部内に噴射すれば、中空部３の内面に積層した金属マト
リックス中にセラミックス粒子を均一に共析させること
ができる。
を漸次小径又は大径になるように変化させたので、筒形
電極の内側に進入した複合メッキ液は乱流状態となる。
従って、複合メッキ液中にセラミックス粒子は均一に分
散する。この複合メッキ液を複数の貫通孔を通じて中空
部内に噴射すれば、中空部３の内面に積層した金属マト
リックス中にセラミックス粒子を均一に共析させること
ができる。
【００１０】請求項２は、複数の貫通孔が円筒孔であっ
て、これらの円筒孔の径が互に同一であることを特徴と
する。
て、これらの円筒孔の径が互に同一であることを特徴と
する。
【００１１】複数の貫通孔を円筒孔としたので、それぞ
れの貫通孔を筒形電極の周壁に等間隔に容易に加工する
ことができる。そして、複合メッキ液を周壁から等間隔
に噴射することができるので、セラミックス粒子をワー
クの中空部に均一に当てることができる。この結果、セ
ラミック粒子を金属相に均一に共析させることができ
る。
れの貫通孔を筒形電極の周壁に等間隔に容易に加工する
ことができる。そして、複合メッキ液を周壁から等間隔
に噴射することができるので、セラミックス粒子をワー
クの中空部に均一に当てることができる。この結果、セ
ラミック粒子を金属相に均一に共析させることができ
る。
【００１２】請求項３は、複数の貫通孔を、筒形電極の
内側を小径とし且つ外側を大径としたテーパ孔であるこ
とを特徴とする。
内側を小径とし且つ外側を大径としたテーパ孔であるこ
とを特徴とする。
【００１３】複合メッキ液を複数の貫通孔で拡散させな
がら外側に噴射することができる。従って、複数の貫通
孔から噴射した複合メッキ液中のセラミックス粒子をワ
ーク中空部に効率よく均一に当てることができる。この
結果、セラミック粒子を金属相に均一に共析させること
ができる。
がら外側に噴射することができる。従って、複数の貫通
孔から噴射した複合メッキ液中のセラミックス粒子をワ
ーク中空部に効率よく均一に当てることができる。この
結果、セラミック粒子を金属相に均一に共析させること
ができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を添付図に基
づいて以下に説明する。なお、図面は符号の向きに見る
ものとする。図１は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）を示す全体図である。複合メッキ装置１は、ワ
ークとしての内燃機関用のシリンダブロック２の中空部
３内に隙間Ｓ1を開けて配置した筒形電極４と、筒形電
極４の内側に後述する複合メッキ液５を供給するメッキ
液循環機構６と、シリンダブロック２と筒形電極４とに
通電する通電機構７とからなる。なお、筒形電極４につ
いては図２で説明する。
づいて以下に説明する。なお、図面は符号の向きに見る
ものとする。図１は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）を示す全体図である。複合メッキ装置１は、ワ
ークとしての内燃機関用のシリンダブロック２の中空部
３内に隙間Ｓ1を開けて配置した筒形電極４と、筒形電
極４の内側に後述する複合メッキ液５を供給するメッキ
液循環機構６と、シリンダブロック２と筒形電極４とに
通電する通電機構７とからなる。なお、筒形電極４につ
いては図２で説明する。
【００１５】８は中空部３と筒形電極４とで形成した環
状通路、９は冷却水の通路となるウォータジャケット、
１０はシリンダ内面、１１はクランク室、１２は遮蔽板
である。遮蔽板１２は、中空部３との隙間がＳ2となる
ように形成した中空部３より小径な弾性部材である。
状通路、９は冷却水の通路となるウォータジャケット、
１０はシリンダ内面、１１はクランク室、１２は遮蔽板
である。遮蔽板１２は、中空部３との隙間がＳ2となる
ように形成した中空部３より小径な弾性部材である。
【００１６】メッキ液循環機構６は、複合メッキ液を蓄
えるタンク１３と、タンク１３に吸込口を連通するポン
プ１４と、ポンプ１４の吐出口を筒形電極４の内側に連
通する供給管１５と、シリンダブロック２を載せるとと
もに環状通路８に連通する回収通路１６を備えた基台１
７と、基台１７の回収通路１６をタンク１３に連通する
ドレーン管１８とからなる。
えるタンク１３と、タンク１３に吸込口を連通するポン
プ１４と、ポンプ１４の吐出口を筒形電極４の内側に連
通する供給管１５と、シリンダブロック２を載せるとと
もに環状通路８に連通する回収通路１６を備えた基台１
７と、基台１７の回収通路１６をタンク１３に連通する
ドレーン管１８とからなる。
【００１７】１９はリリーフ回路、２０はリリーフ弁で
あり、リリーフ回路１９及びリリーフ弁２０は筒形電極
４の内側液圧を所定値に設定するものである。前記複合
メッキ液５は、水１リットル当たりに硫酸ニッケル（Ｎ
ｉＳＯ4）４００ｇ、ホウ酸３５ｇ、サッカリンナトリ
ウム２．５ｇを加えて硬度調整したＰＨ＝４のものを用
い、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子６０ｇを懸濁させたもの
である。
あり、リリーフ回路１９及びリリーフ弁２０は筒形電極
４の内側液圧を所定値に設定するものである。前記複合
メッキ液５は、水１リットル当たりに硫酸ニッケル（Ｎ
ｉＳＯ4）４００ｇ、ホウ酸３５ｇ、サッカリンナトリ
ウム２．５ｇを加えて硬度調整したＰＨ＝４のものを用
い、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子６０ｇを懸濁させたもの
である。
【００１８】図２は本発明に係る筒形電極（第１実施
例）の断面図である。筒形電極４は、例えばＣｕ系合金
電極やＴｉコーティング金属電極で、図１に示す中空部
３の内面に対向する大径の周壁２５と、周壁２５にピッ
チＰの碁盤目に配置した複数の貫通孔２６…と、周壁２
５の上端部に備えるとともに図１に示す遮蔽板１１を取
り付ける蓋部２７と、周壁２５の下端部から下方に延び
た小径のネック部２８とからなる。この筒形電極４は、
周壁２５の内面２９を基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って内径
を漸次小径としたことを特徴とする部材である。
例）の断面図である。筒形電極４は、例えばＣｕ系合金
電極やＴｉコーティング金属電極で、図１に示す中空部
３の内面に対向する大径の周壁２５と、周壁２５にピッ
チＰの碁盤目に配置した複数の貫通孔２６…と、周壁２
５の上端部に備えるとともに図１に示す遮蔽板１１を取
り付ける蓋部２７と、周壁２５の下端部から下方に延び
た小径のネック部２８とからなる。この筒形電極４は、
周壁２５の内面２９を基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って内径
を漸次小径としたことを特徴とする部材である。
【００１９】図３は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）の第１作用説明図である。筒形電極４にシリン
ダブロック２を上方から被せて基台１７にセットし、基
台１７の回収通路１６と環状通路８とを連通する。この
とき、遮蔽板１２と中空部３との間の隙間をＳ2とした
ので、前記セットの際に中空部３と遮蔽板１２との干渉
を阻止できる。
実施例）の第１作用説明図である。筒形電極４にシリン
ダブロック２を上方から被せて基台１７にセットし、基
台１７の回収通路１６と環状通路８とを連通する。この
とき、遮蔽板１２と中空部３との間の隙間をＳ2とした
ので、前記セットの際に中空部３と遮蔽板１２との干渉
を阻止できる。
【００２０】この状態で、図１に示すポンプ１４を駆動
し、タンク１３内の複合メッキ液５を供給管１５を介し
て筒形電極４の内側に供給する。従って、複合メッキ液
５は矢印方向に流れる。ここで、筒形電極４は下流側
に蓋部２７を備えているので、蓋部２７で複合メッキ液
５は矢印方向の流れが遮られて貫通孔２６…に向って
矢印方向に流れる。次に、複合メッキ液５は貫通孔２
６…から環状通路８内（すなわち、矢印方向）に噴射
して中空部３の内面に衝突する。中空部３に衝突した複
合メッキ液５は環状通路８に沿って下方向（矢印方
向）に流れ、回収通路１６→図１に示すドレーン管１８
→タンク１３の順に流れる。なお、遮蔽板１２は複合メ
ッキ液５のクランク室１１内への侵入を防止する。
し、タンク１３内の複合メッキ液５を供給管１５を介し
て筒形電極４の内側に供給する。従って、複合メッキ液
５は矢印方向に流れる。ここで、筒形電極４は下流側
に蓋部２７を備えているので、蓋部２７で複合メッキ液
５は矢印方向の流れが遮られて貫通孔２６…に向って
矢印方向に流れる。次に、複合メッキ液５は貫通孔２
６…から環状通路８内（すなわち、矢印方向）に噴射
して中空部３の内面に衝突する。中空部３に衝突した複
合メッキ液５は環状通路８に沿って下方向（矢印方
向）に流れ、回収通路１６→図１に示すドレーン管１８
→タンク１３の順に流れる。なお、遮蔽板１２は複合メ
ッキ液５のクランク室１１内への侵入を防止する。
【００２１】図４は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）の第２作用説明図である。筒形電極４の内面２
９を漸次小径になるように変化させたので、複合メッキ
液５を矢印方向に流すことにより、筒形電極４内の複
合メッキ液５がループ状の矢印で示すように乱流状態と
なる。従って、筒形電極４内に進入した複合メッキ液５
中のセラミックス粒子であるＳｉＣ粒子３２…が均一に
分散する。
実施例）の第２作用説明図である。筒形電極４の内面２
９を漸次小径になるように変化させたので、複合メッキ
液５を矢印方向に流すことにより、筒形電極４内の複
合メッキ液５がループ状の矢印で示すように乱流状態と
なる。従って、筒形電極４内に進入した複合メッキ液５
中のセラミックス粒子であるＳｉＣ粒子３２…が均一に
分散する。
【００２２】ＳｉＣ粒子３２…が均一に分散した複合メ
ッキ液５は、貫通孔２６…に向って矢印方向に流れ、
貫通孔２６…から環状通路８内に向けて矢印方向に噴
き出す。噴射した複合メッキ液５は中空部３の内面に衝
突するので、環状通路８の複合メッキ液５はループ状の
矢印で示すように乱流となる。従って、環状通路８の複
合メッキ液５中にＳｉＣ粒子３２…が効率よく均一に分
散する。
ッキ液５は、貫通孔２６…に向って矢印方向に流れ、
貫通孔２６…から環状通路８内に向けて矢印方向に噴
き出す。噴射した複合メッキ液５は中空部３の内面に衝
突するので、環状通路８の複合メッキ液５はループ状の
矢印で示すように乱流となる。従って、環状通路８の複
合メッキ液５中にＳｉＣ粒子３２…が効率よく均一に分
散する。
【００２３】この状態で、図１に示す通電機構７を操作
して筒形電極４とシリンダブロック２とに通電する。複
合メッキ液５中のＮｉイオンを中空部３の内面に析出す
るとともに、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３中
に共析する。このとき、ＳｉＣ粒子３２…が複合メッキ
液５中に均一に分散しているので、ＳｉＣ粒子３２…は
Ｎｉマトリクス３３中に均一に共析する。
して筒形電極４とシリンダブロック２とに通電する。複
合メッキ液５中のＮｉイオンを中空部３の内面に析出す
るとともに、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３中
に共析する。このとき、ＳｉＣ粒子３２…が複合メッキ
液５中に均一に分散しているので、ＳｉＣ粒子３２…は
Ｎｉマトリクス３３中に均一に共析する。
【００２４】図５は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）のデータと比較例のデータを示したグラスであ
る。横軸は中空部３のシリンダヘッド側端部Ｐ3〜クラ
ンク室側端部Ｐ4間のメッキ処理位置を示し、縦軸はＮ
ｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜３４中のＳｉＣ粒子３２…
（図４参照）の共析量を示す。実線は本発明に係るの複
合メッキ装置１（図１に示す）でＮｉ／ＳｉＣ複合メッ
キ皮膜３４を施した第１実施例のグラフで、破線は図１
１に示す従来の方法でＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜を施
した比較例のグラフである。
実施例）のデータと比較例のデータを示したグラスであ
る。横軸は中空部３のシリンダヘッド側端部Ｐ3〜クラ
ンク室側端部Ｐ4間のメッキ処理位置を示し、縦軸はＮ
ｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜３４中のＳｉＣ粒子３２…
（図４参照）の共析量を示す。実線は本発明に係るの複
合メッキ装置１（図１に示す）でＮｉ／ＳｉＣ複合メッ
キ皮膜３４を施した第１実施例のグラフで、破線は図１
１に示す従来の方法でＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜を施
した比較例のグラフである。
【００２５】第１実施例の場合、中空部３のシリンダヘ
ッド側端部Ｐ3からクランク室側端部Ｐ4まで、ＳｉＣ粒
子３２…の共析量が一定に保たれていることがわかる。
一方、比較例の場合、中空部３のシリンダヘッド側端部
Ｐ3からクランク室側端部Ｐ4に近づくに従って、ＳｉＣ
粒子３２…の共析量が漸次減少することがわかる。従っ
て、第１実施例によれば、Ｎｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜
３４にＳｉＣ粒子３２…を均一に共析することができる
ので、中空部３の耐摩耗性を均一に高めることができ
る。
ッド側端部Ｐ3からクランク室側端部Ｐ4まで、ＳｉＣ粒
子３２…の共析量が一定に保たれていることがわかる。
一方、比較例の場合、中空部３のシリンダヘッド側端部
Ｐ3からクランク室側端部Ｐ4に近づくに従って、ＳｉＣ
粒子３２…の共析量が漸次減少することがわかる。従っ
て、第１実施例によれば、Ｎｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜
３４にＳｉＣ粒子３２…を均一に共析することができる
ので、中空部３の耐摩耗性を均一に高めることができ
る。
【００２６】図６は本発明に係る筒形電極（第２実施
例）を示す断面図である。筒形電極４０は、図１に示す
中空部３の内面に対向する大径の周壁４１と、周壁４１
にピッチＰの碁盤目に配置した複数の貫通孔４２…と、
周壁４１の上端部に備えるとともに図１に示す遮蔽板１
１を取り付ける蓋部４３と、周壁４１の下端部から下方
に延びた小径のネック部４４とからなる。この筒形電極
４０は、周壁４１の内面４５を基端Ｐ1から先端Ｐ2に向
って内径を漸次大径としたことを特徴とする部材であ
る。
例）を示す断面図である。筒形電極４０は、図１に示す
中空部３の内面に対向する大径の周壁４１と、周壁４１
にピッチＰの碁盤目に配置した複数の貫通孔４２…と、
周壁４１の上端部に備えるとともに図１に示す遮蔽板１
１を取り付ける蓋部４３と、周壁４１の下端部から下方
に延びた小径のネック部４４とからなる。この筒形電極
４０は、周壁４１の内面４５を基端Ｐ1から先端Ｐ2に向
って内径を漸次大径としたことを特徴とする部材であ
る。
【００２７】図７は本発明に係る筒形電極（第２実施
例）の作用説明図である。筒形電極４０の内面４５を漸
次大径になるように変化させたので、複合メッキ液５を
矢印方向に流すことにより、筒形電極４０内の複合メ
ッキ液５がループ状の矢印で示すように乱流状態とな
る。従って、筒形電極４０内に進入した複合メッキ液５
中にＳｉＣ粒子３２…が均一に分散する。
例）の作用説明図である。筒形電極４０の内面４５を漸
次大径になるように変化させたので、複合メッキ液５を
矢印方向に流すことにより、筒形電極４０内の複合メ
ッキ液５がループ状の矢印で示すように乱流状態とな
る。従って、筒形電極４０内に進入した複合メッキ液５
中にＳｉＣ粒子３２…が均一に分散する。
【００２８】ＳｉＣ粒子３２…が均一に分散した複合メ
ッキ液５は、貫通孔４２…に向って矢印方向に流れ、
貫通孔４２…から環状通路８内に向けて矢印方向に噴
射する。噴射した複合メッキ液５は中空部３に衝突する
ので、環状通路８を流れる複合メッキ液５はループ状の
矢印で示すように乱流となる。従って、環状通路８の複
合メッキ液５中にＳｉＣ粒子３２…が効率よく均一に分
散する。
ッキ液５は、貫通孔４２…に向って矢印方向に流れ、
貫通孔４２…から環状通路８内に向けて矢印方向に噴
射する。噴射した複合メッキ液５は中空部３に衝突する
ので、環状通路８を流れる複合メッキ液５はループ状の
矢印で示すように乱流となる。従って、環状通路８の複
合メッキ液５中にＳｉＣ粒子３２…が効率よく均一に分
散する。
【００２９】この状態で、図１に示す通電機構７を操作
して筒形電極４０とシリンダブロック２とに通電する。
複合メッキ液５中のＮｉイオンを中空部３の内面に析出
するとともに、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３
中に共析する。このとき、ＳｉＣ粒子３２…が複合メッ
キ液５中に均一に分散しているので、ＳｉＣ粒子３２…
はＮｉマトリクス３３中に均一に共析する。
して筒形電極４０とシリンダブロック２とに通電する。
複合メッキ液５中のＮｉイオンを中空部３の内面に析出
するとともに、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３
中に共析する。このとき、ＳｉＣ粒子３２…が複合メッ
キ液５中に均一に分散しているので、ＳｉＣ粒子３２…
はＮｉマトリクス３３中に均一に共析する。
【００３０】図８は本発明に係る筒形電極（第３実施
例）を示す断面図である。筒形電極５０は、図２に示す
筒形電極４と同様に周壁５１の内面５２を基端Ｐ1から
先端Ｐ2に向って内径を漸次小径としたもので、周壁５
１に貫通孔５３…をピッチＰの碁盤目に配置した部材で
ある。この貫通孔５３…は、周壁５１の内側を小径とし
且つ外側を大径としたテーパ孔であり、小径部の径ｄ1
〜ｄnを筒形電極の基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って漸次小
さくし且つ大径部の径をＤ1〜Ｄnを同一径としたもので
ある。５４は蓋部、５５はネック部である。
例）を示す断面図である。筒形電極５０は、図２に示す
筒形電極４と同様に周壁５１の内面５２を基端Ｐ1から
先端Ｐ2に向って内径を漸次小径としたもので、周壁５
１に貫通孔５３…をピッチＰの碁盤目に配置した部材で
ある。この貫通孔５３…は、周壁５１の内側を小径とし
且つ外側を大径としたテーパ孔であり、小径部の径ｄ1
〜ｄnを筒形電極の基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って漸次小
さくし且つ大径部の径をＤ1〜Ｄnを同一径としたもので
ある。５４は蓋部、５５はネック部である。
【００３１】図９は本発明に係る筒形電極（第３実施
例）の作用説明図である。筒形電極５０に供給した内側
の複合メッキ液５は、下流側（矢印方向）に流れて筒
形電極５０の蓋部５４に当たり矢印方向の流れが止ま
る。従って、蓋部５４側（Ｐ2側）の液圧が高くなる。
ここで、貫通孔５３…は、図８に示すように小径部の径
ｄ1〜ｄnが筒形電極５０の基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って
（すなわち、下流側に向って）漸次小さくしたので貫通
孔５３…から一定量の複合メッキ液５を噴射できる。ま
た、貫通孔５３…は、図８に示すように大径部の径をＤ
1〜Ｄnを同一径としたので、複合メッキ液５は貫通孔５
３…から等間隔に噴射する。さらに、貫通孔５３…から
噴射する複合メッキ液５は拡散しながら環状通路８（矢
印方向）に噴射する。従って、複合メッキ液５中のＳ
ｉＣ粒子３２…は中空部３の内面に効率よく均一に当た
るので、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３中に均
一に共析することができる。
例）の作用説明図である。筒形電極５０に供給した内側
の複合メッキ液５は、下流側（矢印方向）に流れて筒
形電極５０の蓋部５４に当たり矢印方向の流れが止ま
る。従って、蓋部５４側（Ｐ2側）の液圧が高くなる。
ここで、貫通孔５３…は、図８に示すように小径部の径
ｄ1〜ｄnが筒形電極５０の基端Ｐ1から先端Ｐ2に向って
（すなわち、下流側に向って）漸次小さくしたので貫通
孔５３…から一定量の複合メッキ液５を噴射できる。ま
た、貫通孔５３…は、図８に示すように大径部の径をＤ
1〜Ｄnを同一径としたので、複合メッキ液５は貫通孔５
３…から等間隔に噴射する。さらに、貫通孔５３…から
噴射する複合メッキ液５は拡散しながら環状通路８（矢
印方向）に噴射する。従って、複合メッキ液５中のＳ
ｉＣ粒子３２…は中空部３の内面に効率よく均一に当た
るので、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３中に均
一に共析することができる。
【００３２】前記第１実施例では筒形電極４の上端部に
中空部３の内径より小径の遮蔽板１２を取付けた場合を
説明したが、遮蔽板１２を中空部３の内径より大径とし
てもよい。遮蔽板１２を大径とすることにより、複合メ
ッキ液５のクランク室１１側への侵入を確実に防止する
ことができる。また、筒形電極４の上端部に遮蔽板１２
を配置しなくてもよい。
中空部３の内径より小径の遮蔽板１２を取付けた場合を
説明したが、遮蔽板１２を中空部３の内径より大径とし
てもよい。遮蔽板１２を大径とすることにより、複合メ
ッキ液５のクランク室１１側への侵入を確実に防止する
ことができる。また、筒形電極４の上端部に遮蔽板１２
を配置しなくてもよい。
【００３３】前記第１実施例〜第４実施例ではワークと
して内燃機関用のシリンダブロック２に複合メッキ皮膜
３４を施す場合を説明したが、本発明に係る複合メッキ
装置１を、シリンダブロック２以外の中空部を有するワ
ークに適用しても同様の効果を得ることができる。ま
た、前記第１実施例〜第４実施例ではセラミックス粒子
としてＳｉＣ粒子３２…を含んだＮｉ／ＳｉＣ複合メッ
キ５を使用した場合を説明したが、ＳｉＣ粒子３２…以
外のセラミックス粒子を含んだ複合メッキ液を使用して
もよい。前記第１実施例〜第４実施例では筒形電極を蓋
部で塞いだ場合を説明したが、有底の筒形電極として筒
形電極の底部を塞いでもよい。このとき、複合メッキ液
５を底部と反対側から供給する。
して内燃機関用のシリンダブロック２に複合メッキ皮膜
３４を施す場合を説明したが、本発明に係る複合メッキ
装置１を、シリンダブロック２以外の中空部を有するワ
ークに適用しても同様の効果を得ることができる。ま
た、前記第１実施例〜第４実施例ではセラミックス粒子
としてＳｉＣ粒子３２…を含んだＮｉ／ＳｉＣ複合メッ
キ５を使用した場合を説明したが、ＳｉＣ粒子３２…以
外のセラミックス粒子を含んだ複合メッキ液を使用して
もよい。前記第１実施例〜第４実施例では筒形電極を蓋
部で塞いだ場合を説明したが、有底の筒形電極として筒
形電極の底部を塞いでもよい。このとき、複合メッキ液
５を底部と反対側から供給する。
【００３４】
【発明の効果】本発明は上記構成により次の効果を発揮
する。請求項１は、筒形電極の一端を閉塞すると共に他
端から一端に向って内径を漸次小径又は大径とし且つ中
空部の内面と対向する周壁に複数の貫通孔を備えた。従
って、筒形電極の内側に進入した複合メッキ液は乱流状
態となり、複合メッキ液中にセラミックス粒子は均一に
分散する。この複合メッキ液を複数の貫通孔を通じて中
空部内に噴射すれば、中空部３の内面に積層した金属マ
トリックス中にセラミックス粒子を均一に共析させるこ
とができる。この結果、複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均
一に高めることができる。
する。請求項１は、筒形電極の一端を閉塞すると共に他
端から一端に向って内径を漸次小径又は大径とし且つ中
空部の内面と対向する周壁に複数の貫通孔を備えた。従
って、筒形電極の内側に進入した複合メッキ液は乱流状
態となり、複合メッキ液中にセラミックス粒子は均一に
分散する。この複合メッキ液を複数の貫通孔を通じて中
空部内に噴射すれば、中空部３の内面に積層した金属マ
トリックス中にセラミックス粒子を均一に共析させるこ
とができる。この結果、複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均
一に高めることができる。
【００３５】請求項２は、複数の貫通孔を円筒孔とする
とともに円筒孔の径を同一としたので、それぞれの貫通
孔を筒形電極の周壁に等間隔に容易に加工することがで
きるそして、複合メッキ液を周壁から等間隔に噴射する
ことができるので、セラミックス粒子をワークの中空部
に均一に当てることができる。この結果、セラミック粒
子を金属相に均一に共析させて、複合メッキ皮膜の耐摩
耗性を均一に高めることができる。
とともに円筒孔の径を同一としたので、それぞれの貫通
孔を筒形電極の周壁に等間隔に容易に加工することがで
きるそして、複合メッキ液を周壁から等間隔に噴射する
ことができるので、セラミックス粒子をワークの中空部
に均一に当てることができる。この結果、セラミック粒
子を金属相に均一に共析させて、複合メッキ皮膜の耐摩
耗性を均一に高めることができる。
【００３６】請求項３は、複数の貫通孔を、筒形電極の
内側を小径とし且つ外側を大径とした。従って、複合メ
ッキ液を複数の貫通孔で拡散させながら外側に噴射する
ことができる。これにより、複数の貫通孔から噴射した
複合メッキ液中のセラミックス粒子をワーク中空部に効
率よく均一に当てることができる。この結果、セラミッ
ク粒子を金属相に均一に共析させて、複合メッキ皮膜の
耐摩耗性を均一に高めることができる。
内側を小径とし且つ外側を大径とした。従って、複合メ
ッキ液を複数の貫通孔で拡散させながら外側に噴射する
ことができる。これにより、複数の貫通孔から噴射した
複合メッキ液中のセラミックス粒子をワーク中空部に効
率よく均一に当てることができる。この結果、セラミッ
ク粒子を金属相に均一に共析させて、複合メッキ皮膜の
耐摩耗性を均一に高めることができる。
【図１】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）を
示す全体図
示す全体図
【図２】本発明に係る筒形電極（第１実施例）の断面図
【図３】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）の
第１作用説明図
第１作用説明図
【図４】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）の
第２作用説明図
第２作用説明図
【図５】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）の
データと比較例のデータを示したグラス
データと比較例のデータを示したグラス
【図６】本発明に係る筒形電極（第２実施例）を示す断
面図
面図
【図７】本発明に係る筒形電極（第２実施例）の作用説
明図
明図
【図８】本発明に係る筒形電極（第３実施例）を示す断
面図
面図
【図９】本発明に係る筒形電極（第３実施例）の作用説
明図
明図
【図１０】従来のＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ処理の説明図
【図１１】図１０の１１部拡大図
１…複合メッキ装置、２…ワーク（シリンダブロッ
ク）、３…中空部、４，４０，５０…筒形電極、５…複
合メッキ液、６…メッキ液循環機構、７…通電機構、８
…環状通路、１０…シリンダ内面、２５，４１，５１…
周壁、２６，４２，５３…貫通孔、２７，４３，５４…
蓋部、２９，４５，５２…内面、３２…セラミックス粒
子（ＳｉＣ粒子）、Ｓ1…隙間。
ク）、３…中空部、４，４０，５０…筒形電極、５…複
合メッキ液、６…メッキ液循環機構、７…通電機構、８
…環状通路、１０…シリンダ内面、２５，４１，５１…
周壁、２６，４２，５３…貫通孔、２７，４３，５４…
蓋部、２９，４５，５２…内面、３２…セラミックス粒
子（ＳｉＣ粒子）、Ｓ1…隙間。
Claims (3)
- 【請求項１】 中空部を有するワークの中空部内に隙間
を開けて配置し、一端を閉塞すると共に他端から一端に
向って内径を漸次小径又は大径とし且つ前記中空部の内
面と対向する周壁に複数の貫通孔を有する筒形電極と、
この筒形電極の他端側から内側にセラミックス粒子を混
合した複合メッキ液を供給し、前記周壁の貫通孔を通じ
て噴射させ、筒形電極の外側から回収するメッキ液循環
機構と、前記ワークと筒形電極とに通電する通電機構と
からなる複合メッキ装置。 - 【請求項２】 前記複数の貫通孔は円筒孔であって、こ
れらの円筒孔の径が互に同一であることを特徴とする請
求項１記載の複合メッキ装置。 - 【請求項３】 前記複数の貫通孔は、筒形電極の内側を
小径とし且つ外側を大径としたテーパ孔であることを特
徴とする請求項１記載の複合メッキ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29260396A JP3516288B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 複合メッキ装置 |
| US08/953,131 US6086731A (en) | 1996-10-24 | 1997-10-17 | Composite plating apparatus |
| CA002218784A CA2218784C (en) | 1996-10-24 | 1997-10-20 | Composite plating apparatus |
| DE19746703A DE19746703B4 (de) | 1996-10-24 | 1997-10-22 | Galvanisiervorrichtung |
| FR9713340A FR2755153B1 (fr) | 1996-10-24 | 1997-10-24 | Appareil de placage composite de la surface interne d'une piece |
| GB9722557A GB2318588B (en) | 1996-10-24 | 1997-10-24 | Composite plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29260396A JP3516288B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 複合メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10140390A true JPH10140390A (ja) | 1998-05-26 |
| JP3516288B2 JP3516288B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=17783936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29260396A Expired - Fee Related JP3516288B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-11-05 | 複合メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3516288B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110475912A (zh) * | 2017-03-31 | 2019-11-19 | 本田技研工业株式会社 | 表面处理装置 |
-
1996
- 1996-11-05 JP JP29260396A patent/JP3516288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110475912A (zh) * | 2017-03-31 | 2019-11-19 | 本田技研工业株式会社 | 表面处理装置 |
| CN110475912B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-10-19 | 本田技研工业株式会社 | 表面处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3516288B2 (ja) | 2004-04-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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