JP3516287B2 - 複合メッキ装置 - Google Patents
複合メッキ装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はワークの中空部内面
に複合メッキ皮膜を施す複合メッキ装置に関する。
に複合メッキ皮膜を施す複合メッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関用のシリンダブロックには、ピ
ストンの摺動面となるシリンダ内面をシリンダブロック
と一体にダイカスト成形し、このシリンダ内面にＮｉ／
ＳｉＣ複合メッキ皮膜を施したものがある。Ｎｉ／Ｓｉ
Ｃ複合メッキ皮膜は、金属相であるＮｉマトリクス中に
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子を共析したもので、シリンダ
内面の耐摩耗性を高めたものである。
ストンの摺動面となるシリンダ内面をシリンダブロック
と一体にダイカスト成形し、このシリンダ内面にＮｉ／
ＳｉＣ複合メッキ皮膜を施したものがある。Ｎｉ／Ｓｉ
Ｃ複合メッキ皮膜は、金属相であるＮｉマトリクス中に
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子を共析したもので、シリンダ
内面の耐摩耗性を高めたものである。
【０００３】一方、特開平７−１１８８９１号公報「表
面処理装置」に高速メッキ処理方法が開示されている。
この高速メッキ処理方法によれば、シリンダ内面に沿っ
て複合メッキ液を強制的に流動させて、シリンダ内面に
高速に複合メッキ皮膜を施すことができる。次図に同公
報の装置によるＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜処理を示
す。
面処理装置」に高速メッキ処理方法が開示されている。
この高速メッキ処理方法によれば、シリンダ内面に沿っ
て複合メッキ液を強制的に流動させて、シリンダ内面に
高速に複合メッキ皮膜を施すことができる。次図に同公
報の装置によるＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜処理を示
す。
【０００４】図１１は従来のＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ処
理の説明図である。シリンダブロック１００の開孔１０
１内に隙間Ｓを開けて筒形の電極１０２を配置すること
により、開孔１０１と電極１０２との間に環状通路１０
４を形成する。この環状通路１０４に複合メッキ液を矢
印方向に流し、次に電極１０２の頂部を廻って電極１
０２の内側へ折り返した流れとする。
理の説明図である。シリンダブロック１００の開孔１０
１内に隙間Ｓを開けて筒形の電極１０２を配置すること
により、開孔１０１と電極１０２との間に環状通路１０
４を形成する。この環状通路１０４に複合メッキ液を矢
印方向に流し、次に電極１０２の頂部を廻って電極１
０２の内側へ折り返した流れとする。
【０００５】この複合メッキ液の、の流れを継続し
ながら、電極１０２とシリンダブロック１００とに通電
して、複合メッキ皮膜１０７のＮｉマトリクス１０５中
にＳｉＣ粒子１０６…（…は複数（個）を示す。以下同
様。）を共析させる。
ながら、電極１０２とシリンダブロック１００とに通電
して、複合メッキ皮膜１０７のＮｉマトリクス１０５中
にＳｉＣ粒子１０６…（…は複数（個）を示す。以下同
様。）を共析させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１１に示し
た複合メッキ皮膜１０７には次図に示す不具合がある。
図１２は図１１の１２部拡大図である。複合メッキ液が
環状通路１０４に沿って矢印方向に流れるので、下流側
のＮｉマトリクス１０５中に多量のＳｉＣ粒子１０６…
が共析する。従って、複合メッキ液が上方向（下流側）
に流れるに従って複合メッキ液中のＳｉＣ粒子１０６…
が減少してしまい、ＳｉＣ粒子１０６…の共析量は下流
側に向って徐々に減少する。このため、複合メッキ皮膜
の耐摩耗性が下流側で低くなるという問題がある。
た複合メッキ皮膜１０７には次図に示す不具合がある。
図１２は図１１の１２部拡大図である。複合メッキ液が
環状通路１０４に沿って矢印方向に流れるので、下流側
のＮｉマトリクス１０５中に多量のＳｉＣ粒子１０６…
が共析する。従って、複合メッキ液が上方向（下流側）
に流れるに従って複合メッキ液中のＳｉＣ粒子１０６…
が減少してしまい、ＳｉＣ粒子１０６…の共析量は下流
側に向って徐々に減少する。このため、複合メッキ皮膜
の耐摩耗性が下流側で低くなるという問題がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、複合メッキ皮膜
にＳｉＣ粒子等のセラミックス粒子を均一に共析させて
複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均一に高める技術を提供す
ることにある。
にＳｉＣ粒子等のセラミックス粒子を均一に共析させて
複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均一に高める技術を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の請求項１は、中空部を有するワークの中空部
内に隙間を開けて配置し、有底又は蓋付きで且つ前記中
空部の内面と対向する周壁に複数の貫通孔を有する筒形
電極と、この筒形電極の内側にメッキ液にセラミックス
粒子を混合した複合メッキ液を供給し、前記周壁の貫通
孔を通じて噴射させ、筒形電極の外側から回収するメッ
キ液循環機構と、前記ワークと筒形電極とに通電する通
電機構とから複合メッキ装置を構成する。
に本発明の請求項１は、中空部を有するワークの中空部
内に隙間を開けて配置し、有底又は蓋付きで且つ前記中
空部の内面と対向する周壁に複数の貫通孔を有する筒形
電極と、この筒形電極の内側にメッキ液にセラミックス
粒子を混合した複合メッキ液を供給し、前記周壁の貫通
孔を通じて噴射させ、筒形電極の外側から回収するメッ
キ液循環機構と、前記ワークと筒形電極とに通電する通
電機構とから複合メッキ装置を構成する。
【０００９】複合メッキ液を複数の貫通孔から筒形電極
の外側に噴射し、噴射した複合メッキ液を中空部の内面
に衝突させる。従って、複合メッキ液が乱流状態とな
り、複合メッキ液中のセラミックス粒子が均一に分散す
る。この結果、セラミックス粒子が複合メッキ皮膜の金
属マトリックス中に均一に共析する。
の外側に噴射し、噴射した複合メッキ液を中空部の内面
に衝突させる。従って、複合メッキ液が乱流状態とな
り、複合メッキ液中のセラミックス粒子が均一に分散す
る。この結果、セラミックス粒子が複合メッキ皮膜の金
属マトリックス中に均一に共析する。
【００１０】また、請求項１は、複数の貫通孔を、筒形
電極の内側の流れに沿って上流側で大径とし下流側に向
って漸次小径としたことを特徴とする。
電極の内側の流れに沿って上流側で大径とし下流側に向
って漸次小径としたことを特徴とする。
【００１１】有底又は蓋付きの筒形電極に複合メッキ液
を供給するので、底部又は蓋部で複合メッキ液の流れを
遮る。従って、底部又は蓋部側の複合メッキ液圧が高く
なるので、下流側の小径の貫通孔で複合メッキ液圧が高
くなり、上流側の大径の貫通孔で複合メッキ液圧が低く
なる。このため、全ての貫通孔から一定量の複合メッキ
液を噴射することができる。従って、セラミックス粒子
をワークの中空部に均一に当てることができるので、セ
ラミック粒子を金属相に均一に共析することができる。
を供給するので、底部又は蓋部で複合メッキ液の流れを
遮る。従って、底部又は蓋部側の複合メッキ液圧が高く
なるので、下流側の小径の貫通孔で複合メッキ液圧が高
くなり、上流側の大径の貫通孔で複合メッキ液圧が低く
なる。このため、全ての貫通孔から一定量の複合メッキ
液を噴射することができる。従って、セラミックス粒子
をワークの中空部に均一に当てることができるので、セ
ラミック粒子を金属相に均一に共析することができる。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】請求項２は、複数の貫通孔が筒形電極の内
側を小径とし且つ外側を大径としたテーパ孔であること
を特徴とする。
側を小径とし且つ外側を大径としたテーパ孔であること
を特徴とする。
【００１７】複合メッキ液を複数の貫通孔から外側に向
って拡散しながら噴射することができるので、ワークの
中空部に広く当てることができる。従って、複数の貫通
孔から噴射した複合メッキ液中のセラミックス粒子を効
率よく均一に分散し、分散した状態のセラミック粒子を
金属相に共析することができる。
って拡散しながら噴射することができるので、ワークの
中空部に広く当てることができる。従って、複数の貫通
孔から噴射した複合メッキ液中のセラミックス粒子を効
率よく均一に分散し、分散した状態のセラミック粒子を
金属相に共析することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を添付図に基
づいて以下に説明する。なお、図面は符号の向きに見る
ものとする。図１は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）を示す全体図である。複合メッキ装置１は、ワ
ークとしての内燃機関用のシリンダブロック２の中空部
３内に隙間Ｓ1を開けて配置した筒形電極４と、筒形電
極４の内側流路に後述する複合メッキ液５を供給するメ
ッキ液循環機構６と、シリンダブロック２と筒形電極４
とに通電する通電機構７とからなる。なお、筒形電極４
については図２で説明する。
づいて以下に説明する。なお、図面は符号の向きに見る
ものとする。図１は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）を示す全体図である。複合メッキ装置１は、ワ
ークとしての内燃機関用のシリンダブロック２の中空部
３内に隙間Ｓ1を開けて配置した筒形電極４と、筒形電
極４の内側流路に後述する複合メッキ液５を供給するメ
ッキ液循環機構６と、シリンダブロック２と筒形電極４
とに通電する通電機構７とからなる。なお、筒形電極４
については図２で説明する。
【００１９】８は中空部３と筒形電極４とで形成した環
状通路、９は冷却水の通路となるウォータジャケット、
１０はシリンダ内面、１１はクランク室、１２は遮蔽板
である。遮蔽板１２は、中空部３との隙間がＳ2となる
ように形成した中空部３より小径な弾性部材である。
状通路、９は冷却水の通路となるウォータジャケット、
１０はシリンダ内面、１１はクランク室、１２は遮蔽板
である。遮蔽板１２は、中空部３との隙間がＳ2となる
ように形成した中空部３より小径な弾性部材である。
【００２０】メッキ液循環機構６は、複合メッキ液を蓄
えるタンク１３と、タンク１３に吸込口を連通するポン
プ１４と、ポンプ１４の吐出口を筒形電極４の入口に連
結する供給管１５と、シリンダブロック２を載せるとと
もに環状通路８に連通する回収通路１６を備えた基台１
７と、基台１７の回収通路１６をタンク１３に連通する
戻し管１８とからなる。
えるタンク１３と、タンク１３に吸込口を連通するポン
プ１４と、ポンプ１４の吐出口を筒形電極４の入口に連
結する供給管１５と、シリンダブロック２を載せるとと
もに環状通路８に連通する回収通路１６を備えた基台１
７と、基台１７の回収通路１６をタンク１３に連通する
戻し管１８とからなる。
【００２１】１９はリリーフ回路、２０はリリーフ弁で
あり、供給管１５の内圧が一定値を越えたときに、リリ
ーフ弁２０が開いて圧力を戻し管１８へ逃がすことによ
り筒形電極４の内圧が過大になることを防止する。前記
複合メッキ液５は、水１リットル当たりに硫酸ニッケル
（ＮｉＳＯ4）４００ｇ、ホウ酸３５ｇ、サッカリンナ
トリウム２．５ｇを加えて硬度調整したＰＨ＝４のもの
を用い、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子６０ｇを懸濁させた
ものである。
あり、供給管１５の内圧が一定値を越えたときに、リリ
ーフ弁２０が開いて圧力を戻し管１８へ逃がすことによ
り筒形電極４の内圧が過大になることを防止する。前記
複合メッキ液５は、水１リットル当たりに硫酸ニッケル
（ＮｉＳＯ4）４００ｇ、ホウ酸３５ｇ、サッカリンナ
トリウム２．５ｇを加えて硬度調整したＰＨ＝４のもの
を用い、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子６０ｇを懸濁させた
ものである。
【００２２】図２は本発明に係る筒形電極（第１実施
例）の断面図である。筒形電極４は、例えばＣｕ系合金
電極やＴｉコーティング金属電極で、図１に示す中空部
３の内面に対向する大径の周壁２５と、周壁２５にピッ
チＰの碁盤目に配置した複数の貫通孔２６…と、周壁２
５の上端部に備えるとともに図１に示す遮蔽板１１を載
せるための蓋部２７と、周壁２５の下端部から下方に延
びた小径のネック部２８とからなる。
例）の断面図である。筒形電極４は、例えばＣｕ系合金
電極やＴｉコーティング金属電極で、図１に示す中空部
３の内面に対向する大径の周壁２５と、周壁２５にピッ
チＰの碁盤目に配置した複数の貫通孔２６…と、周壁２
５の上端部に備えるとともに図１に示す遮蔽板１１を載
せるための蓋部２７と、周壁２５の下端部から下方に延
びた小径のネック部２８とからなる。
【００２３】図３は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）の第１作用説明図である。筒形電極４にシリン
ダブロック２を上方から被せて基台１７にセットし、基
台１７の回収通路１６と環状通路８とを連通する。この
とき、遮蔽板１２と中空部３との間の隙間をＳ2とした
ので、前記セットの際に中空部３が遮蔽板１２に干渉す
る心配はない。
実施例）の第１作用説明図である。筒形電極４にシリン
ダブロック２を上方から被せて基台１７にセットし、基
台１７の回収通路１６と環状通路８とを連通する。この
とき、遮蔽板１２と中空部３との間の隙間をＳ2とした
ので、前記セットの際に中空部３が遮蔽板１２に干渉す
る心配はない。
【００２４】この状態で、図１に示すポンプ１４を駆動
し、タンク１３内の複合メッキ液５を供給管１５を介し
て筒形電極４の内側に供給する。従って、複合メッキ液
５は矢印方向に流れる。ここで、筒形電極４は下流側
に蓋部２７を備えているので、蓋部２７で複合メッキ液
５は矢印方向の流れが遮られて貫通孔２６…に向って
矢印方向に流れる。次に、複合メッキ液５は貫通孔２
６…から環状通路８内（すなわち、矢印方向）に噴射
して中空部３の内面に衝突する。中空部３に衝突した複
合メッキ液５は環状通路８に沿って下方向（矢印方
向）に流れ、回収通路１６→図１に示す戻し管１８→タ
ンク１３の順に流れる。なお、遮蔽板１２は複合メッキ
液５がクランク室１１内への侵入することをも防止する
作用をなす。
し、タンク１３内の複合メッキ液５を供給管１５を介し
て筒形電極４の内側に供給する。従って、複合メッキ液
５は矢印方向に流れる。ここで、筒形電極４は下流側
に蓋部２７を備えているので、蓋部２７で複合メッキ液
５は矢印方向の流れが遮られて貫通孔２６…に向って
矢印方向に流れる。次に、複合メッキ液５は貫通孔２
６…から環状通路８内（すなわち、矢印方向）に噴射
して中空部３の内面に衝突する。中空部３に衝突した複
合メッキ液５は環状通路８に沿って下方向（矢印方
向）に流れ、回収通路１６→図１に示す戻し管１８→タ
ンク１３の順に流れる。なお、遮蔽板１２は複合メッキ
液５がクランク室１１内への侵入することをも防止する
作用をなす。
【００２５】図４は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）の第２作用説明図である。貫通孔２６…から環
状通路８内に向けて矢印の如く噴射した複合メッキ液
５は、中空部３の内面に衝突するので、環状通路８を流
れる複合メッキ液５が、ループ状の矢印で示すように乱
流となる。従って、環状通路８の複合メッキ液５中に均
一にセラミックス粒子であるＳｉＣ粒子３２…が分散す
る。
実施例）の第２作用説明図である。貫通孔２６…から環
状通路８内に向けて矢印の如く噴射した複合メッキ液
５は、中空部３の内面に衝突するので、環状通路８を流
れる複合メッキ液５が、ループ状の矢印で示すように乱
流となる。従って、環状通路８の複合メッキ液５中に均
一にセラミックス粒子であるＳｉＣ粒子３２…が分散す
る。
【００２６】この状態で、図１に示す通電機構７を操作
して筒形電極４とシリンダブロック２とに通電する。複
合メッキ液５中のＮｉイオンを中空部３の内面に析出す
るとともに、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３中
に共析する。このとき、ＳｉＣ粒子３２…が複合メッキ
液５中に均一に分散しているので、ＳｉＣ粒子３２…は
Ｎｉマトリクス３３中に均一に共析する。
して筒形電極４とシリンダブロック２とに通電する。複
合メッキ液５中のＮｉイオンを中空部３の内面に析出す
るとともに、ＳｉＣ粒子３２…をＮｉマトリクス３３中
に共析する。このとき、ＳｉＣ粒子３２…が複合メッキ
液５中に均一に分散しているので、ＳｉＣ粒子３２…は
Ｎｉマトリクス３３中に均一に共析する。
【００２７】図５は本発明に係る複合メッキ装置（第１
実施例）と従来の複合メッキ装置とを対比したグラスで
ある。横軸は中空部３のシリンダヘッド側端部Ｐ1〜ク
ランク室側端部Ｐ2間のメッキ処理位置を示し、縦軸は
Ｎｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜３４中のＳｉＣ粒子３２…
（図４参照）の共析量を示す。太い実線は本発明に係る
の複合メッキ装置１（図１に示す）でＮｉ／ＳｉＣ複合
メッキ皮膜３４を施した第１実施例のグラフで、細い実
線は図１１に示す従来の装置でＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ
皮膜を施した比較例のグラフである。
実施例）と従来の複合メッキ装置とを対比したグラスで
ある。横軸は中空部３のシリンダヘッド側端部Ｐ1〜ク
ランク室側端部Ｐ2間のメッキ処理位置を示し、縦軸は
Ｎｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜３４中のＳｉＣ粒子３２…
（図４参照）の共析量を示す。太い実線は本発明に係る
の複合メッキ装置１（図１に示す）でＮｉ／ＳｉＣ複合
メッキ皮膜３４を施した第１実施例のグラフで、細い実
線は図１１に示す従来の装置でＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ
皮膜を施した比較例のグラフである。
【００２８】第１実施例の場合、中空部３のシリンダヘ
ッド側端部Ｐ1からクランク室側端部Ｐ2まで、ＳｉＣ粒
子３２…の共析量が一定に保たれていることがわかる。
一方、比較例の場合、中空部３のシリンダヘッド側端部
Ｐ1からクランク室側端部Ｐ2に近づくに従って、ＳｉＣ
粒子３２…の共析量が漸次減少することがわかる。従っ
て、第１実施例によれば、Ｎｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜
３４にＳｉＣ粒子３２…を均一に共析することができる
ので、中空部３の耐摩耗性を均一に高めることができ
る。
ッド側端部Ｐ1からクランク室側端部Ｐ2まで、ＳｉＣ粒
子３２…の共析量が一定に保たれていることがわかる。
一方、比較例の場合、中空部３のシリンダヘッド側端部
Ｐ1からクランク室側端部Ｐ2に近づくに従って、ＳｉＣ
粒子３２…の共析量が漸次減少することがわかる。従っ
て、第１実施例によれば、Ｎｉ／ＳｉＣ複合メッキ皮膜
３４にＳｉＣ粒子３２…を均一に共析することができる
ので、中空部３の耐摩耗性を均一に高めることができ
る。
【００２９】図６は本発明に係る筒形電極（第２実施
例）を示す断面図である。筒形電極４０は、貫通孔４１
…を筒形電極４０の内側の流れに沿って、上流側を大径
とし下流側に向って漸次小径としたことを特徴とする。
例）を示す断面図である。筒形電極４０は、貫通孔４１
…を筒形電極４０の内側の流れに沿って、上流側を大径
とし下流側に向って漸次小径としたことを特徴とする。
【００３０】図７は本発明に係る筒形電極（第２実施
例）の作用説明図である。筒形電極４０に供給した内側
の複合メッキ液５は、下流側（矢印方向）に流れて筒
形電極４０の蓋部４２に当たり流れが遮られて、蓋部４
２側の液圧が高圧になる。従って、蓋部４２側（液圧が
高い側）の貫通孔４１…を小径とし、上流側（液圧が低
い側）に向って漸次大径とすることにより、全ての貫通
孔４１…から一定量の複合メッキ液５を噴射できる。
例）の作用説明図である。筒形電極４０に供給した内側
の複合メッキ液５は、下流側（矢印方向）に流れて筒
形電極４０の蓋部４２に当たり流れが遮られて、蓋部４
２側の液圧が高圧になる。従って、蓋部４２側（液圧が
高い側）の貫通孔４１…を小径とし、上流側（液圧が低
い側）に向って漸次大径とすることにより、全ての貫通
孔４１…から一定量の複合メッキ液５を噴射できる。
【００３１】図８は本発明に係る筒形電極（第３実施
例）を示す断面図である。筒形電極４５は、周壁４６に
貫通孔４７…を碁盤目配置と同一ピッチＰで千鳥に配置
したことを特徴とする。碁盤目配置と比較して貫通孔４
７と貫通孔４７との間隔Ｓ3が小さくなるので、貫通孔
４７…を円周方向に密に配置することができる。従っ
て、ＳｉＣ粒子３２…をシリンダブロック２の中空部３
に密の状態で当てることができるので、ＳｉＣ粒子３２
…をＮｉマトリクス３３に密の状態で共析することがで
きる。
例）を示す断面図である。筒形電極４５は、周壁４６に
貫通孔４７…を碁盤目配置と同一ピッチＰで千鳥に配置
したことを特徴とする。碁盤目配置と比較して貫通孔４
７と貫通孔４７との間隔Ｓ3が小さくなるので、貫通孔
４７…を円周方向に密に配置することができる。従っ
て、ＳｉＣ粒子３２…をシリンダブロック２の中空部３
に密の状態で当てることができるので、ＳｉＣ粒子３２
…をＮｉマトリクス３３に密の状態で共析することがで
きる。
【００３２】図９は本発明に係る筒形電極（第４実施
例）を示す断面図である。筒形電極５０は、周壁５１の
貫通孔５２…を筒形電極５０の内側で小径とし且つ外側
で大径としたテーパ孔であることを特徴とする。
例）を示す断面図である。筒形電極５０は、周壁５１の
貫通孔５２…を筒形電極５０の内側で小径とし且つ外側
で大径としたテーパ孔であることを特徴とする。
【００３３】図１０は本発明に係る筒形電極（第４実施
例）の作用説明図である。貫通孔５２…を筒形電極５０
の内側で小径とし外側で大径としたので、複合メッキ液
５は貫通孔５２…から矢印方向に拡散しながら環状通
路４に噴射する。従って、貫通孔５２…から噴射噴射し
た複合メッキ液５をシリンダブロック２の中空部３に広
く当てることができるので、複合メッキ液中のセラミッ
クス粒子を効率よく均一に分散した状態でＮｉマトリク
ス３３に共析することができる。
例）の作用説明図である。貫通孔５２…を筒形電極５０
の内側で小径とし外側で大径としたので、複合メッキ液
５は貫通孔５２…から矢印方向に拡散しながら環状通
路４に噴射する。従って、貫通孔５２…から噴射噴射し
た複合メッキ液５をシリンダブロック２の中空部３に広
く当てることができるので、複合メッキ液中のセラミッ
クス粒子を効率よく均一に分散した状態でＮｉマトリク
ス３３に共析することができる。
【００３４】前記第１実施例では筒形電極４の上端部に
中空部３の内径より小径の遮蔽板１２を取付けた場合を
説明したが、遮蔽板１２を中空部３の内径より大径とし
てもよい。遮蔽板１２を大径とすることにより、遮蔽板
１２で環状通路８の上端を完全に閉じることも可能であ
る。また、筒形電極４の上端部に遮蔽板１２を配置しな
くてもよい。
中空部３の内径より小径の遮蔽板１２を取付けた場合を
説明したが、遮蔽板１２を中空部３の内径より大径とし
てもよい。遮蔽板１２を大径とすることにより、遮蔽板
１２で環状通路８の上端を完全に閉じることも可能であ
る。また、筒形電極４の上端部に遮蔽板１２を配置しな
くてもよい。
【００３５】前記第１実施例〜第４実施例ではワークと
して内燃機関用のシリンダブロック２に複合メッキ皮膜
３４を施す場合を説明したが、本発明に係る複合メッキ
装置１を、シリンダブロック２以外の中空部を有するワ
ークに適用しても同様の効果を得ることができる。ま
た、前記第１実施例〜第４実施例ではセラミックス粒子
としてＳｉＣ粒子３２…を含んだＮｉ／ＳｉＣ複合メッ
キ５を使用した場合を説明したが、ＳｉＣ粒子３２…以
外のセラミックス粒子を含んだ複合メッキ液を使用して
もよい。前記第１実施例〜第４実施例では筒形電極を蓋
部で塞いだ場合を説明したが、有底の筒形電極として筒
形電極の底部を塞いでもよい。このとき、複合メッキ液
を底部と反対側から供給する。
して内燃機関用のシリンダブロック２に複合メッキ皮膜
３４を施す場合を説明したが、本発明に係る複合メッキ
装置１を、シリンダブロック２以外の中空部を有するワ
ークに適用しても同様の効果を得ることができる。ま
た、前記第１実施例〜第４実施例ではセラミックス粒子
としてＳｉＣ粒子３２…を含んだＮｉ／ＳｉＣ複合メッ
キ５を使用した場合を説明したが、ＳｉＣ粒子３２…以
外のセラミックス粒子を含んだ複合メッキ液を使用して
もよい。前記第１実施例〜第４実施例では筒形電極を蓋
部で塞いだ場合を説明したが、有底の筒形電極として筒
形電極の底部を塞いでもよい。このとき、複合メッキ液
を底部と反対側から供給する。
【００３６】
【発明の効果】本発明は上記構成により次の効果を発揮
する。請求項１は、ワークの中空部内に隙間を開けて筒
形電極を配置し、この筒形電極の周壁に複数の貫通孔を
備えた。従って、複合メッキ液を複数の貫通孔から筒形
電極の外側に噴射し、噴射した複合メッキ液を中空部の
内面に衝突させることができる。この結果、複合メッキ
液が乱流状態となり、複合メッキ液中のセラミックス粒
子が均一に分散するので、セラミックス粒子が複合メッ
キ皮膜の金属マトリックス中に均一に共析する。従っ
て、複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均一に高めることがで
きる。
する。請求項１は、ワークの中空部内に隙間を開けて筒
形電極を配置し、この筒形電極の周壁に複数の貫通孔を
備えた。従って、複合メッキ液を複数の貫通孔から筒形
電極の外側に噴射し、噴射した複合メッキ液を中空部の
内面に衝突させることができる。この結果、複合メッキ
液が乱流状態となり、複合メッキ液中のセラミックス粒
子が均一に分散するので、セラミックス粒子が複合メッ
キ皮膜の金属マトリックス中に均一に共析する。従っ
て、複合メッキ皮膜の耐摩耗性を均一に高めることがで
きる。
【００３７】また、請求項１は、有底又は蓋付きの筒形
電極に複合メッキ液を供給するので、底部又は蓋部で複
合メッキ液の流れを遮る。従って、底部又は蓋部側の複
合メッキ液圧が高くなるので、下流側の小径の貫通孔で
複合メッキ液圧が高くなり、上流側の大径の貫通孔で複
合メッキ液圧が低くなる。このため、全ての貫通孔から
一定量の複合メッキ液を噴射することができる。従っ
て、セラミックス粒子をワークの中空部に均一に当てる
ことができるので、セラミック粒子を金属相に均一に共
析することができる。
電極に複合メッキ液を供給するので、底部又は蓋部で複
合メッキ液の流れを遮る。従って、底部又は蓋部側の複
合メッキ液圧が高くなるので、下流側の小径の貫通孔で
複合メッキ液圧が高くなり、上流側の大径の貫通孔で複
合メッキ液圧が低くなる。このため、全ての貫通孔から
一定量の複合メッキ液を噴射することができる。従っ
て、セラミックス粒子をワークの中空部に均一に当てる
ことができるので、セラミック粒子を金属相に均一に共
析することができる。
【００３８】
【００３９】
【００４０】請求項２は、複合メッキ液を複数の貫通孔
から外側に向って拡散しながら噴射することができるの
で、ワークの中空部に広く当てることができる。従っ
て、複数の貫通孔から噴射した複合メッキ液中のセラミ
ックス粒子を効率よく均一に分散し、分散した状態のセ
ラミック粒子を金属相に共析することができる。
から外側に向って拡散しながら噴射することができるの
で、ワークの中空部に広く当てることができる。従っ
て、複数の貫通孔から噴射した複合メッキ液中のセラミ
ックス粒子を効率よく均一に分散し、分散した状態のセ
ラミック粒子を金属相に共析することができる。
【図１】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）を
示す全体図
示す全体図
【図２】本発明に係る筒形電極（第１実施例）の断面図
【図３】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）の
第１作用説明図
第１作用説明図
【図４】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）の
第１作用説明図
第１作用説明図
【図５】本発明に係る複合メッキ装置（第１実施例）の
データと比較例のデータを示したグラス
データと比較例のデータを示したグラス
【図６】本発明に係る筒形電極（第２実施例）を示す断
面図
面図
【図７】本発明に係る筒形電極（第２実施例）の作用説
明図
明図
【図８】本発明に係る筒形電極（第３実施例）を示す断
面図
面図
【図９】本発明に係る筒形電極（第４実施例）を示す断
面図
面図
【図１０】本発明に係る筒形電極（第４実施例）の作用
説明図
説明図
【図１１】従来のＮｉ／ＳｉＣ複合メッキ処理の説明図
【図１２】図１１の１２部拡大図
１…複合メッキ装置、２…ワーク（シリンダブロッ
ク）、３…中空部、４，４０，４５，５０…筒形電極、
５…複合メッキ液、６…メッキ液循環機構、７…通電機
構、８…環状通路、１０…シリンダ内面、２５，４６，
５１…周壁、２６，４１，４７，５２…貫通孔、２７，
４２…蓋部、３２…セラミックス粒子（ＳｉＣ粒子）、
Ｓ1…隙間。
ク）、３…中空部、４，４０，４５，５０…筒形電極、
５…複合メッキ液、６…メッキ液循環機構、７…通電機
構、８…環状通路、１０…シリンダ内面、２５，４６，
５１…周壁、２６，４１，４７，５２…貫通孔、２７，
４２…蓋部、３２…セラミックス粒子（ＳｉＣ粒子）、
Ｓ1…隙間。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−283986（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−277491（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−118891（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−222589（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−333594（ＪＰ，Ａ)
特公 昭48−33131（ＪＰ，Ｂ２)
実公 昭50−10418（ＪＰ，Ｙ２)
実公 昭29−16122（ＪＰ，Ｙ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C25D 7/00
C25D 7/04
C25D 15/00
C25D 15/02
Claims (2)
- 【請求項１】 中空部を有するワークの中空部内に隙間
を開けて配置し、有底又は蓋付きで且つ前記中空部の内
面と対向する周壁に複数の貫通孔を有する筒形電極と、
この筒形電極の内側にメッキ液にセラミックス粒子を混
合した複合メッキ液を供給し、前記周壁の貫通孔を通じ
て噴射させ、筒形電極の外側から回収するメッキ液循環
機構と、前記ワークと筒形電極とに通電する通電機構と
からなり、 前記複数の貫通孔は、筒形電極の内側の流れに沿って上
流側を大径とし下流側に向って漸次小径としたことを特
徴とす る複合メッキ装置。 - 【請求項２】 中空部を有するワークの中空部内に隙間
を開けて配置し、有底又は蓋付きで且つ前記中空部の内
面と対向する周壁に複数の貫通孔を有する筒形電極と、
この筒形電極の内側にメッキ液にセラミックス粒子を混
合した複合メッキ液を供給し、前記周壁の貫通孔を通じ
て噴射させ、筒形電極の外側から回収するメッキ液循環
機構と、前記ワークと筒形電極とに通電する通電機構と
からなり、 前記複数の貫通孔は、筒形電極の内側を小径とし且つ外
側を大径としたテーパ孔であることを特徴とする複合メ
ッキ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28263996A JP3516287B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 複合メッキ装置 |
| US08/953,131 US6086731A (en) | 1996-10-24 | 1997-10-17 | Composite plating apparatus |
| CA002218784A CA2218784C (en) | 1996-10-24 | 1997-10-20 | Composite plating apparatus |
| DE19746703A DE19746703B4 (de) | 1996-10-24 | 1997-10-22 | Galvanisiervorrichtung |
| FR9713340A FR2755153B1 (fr) | 1996-10-24 | 1997-10-24 | Appareil de placage composite de la surface interne d'une piece |
| GB9722557A GB2318588B (en) | 1996-10-24 | 1997-10-24 | Composite plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28263996A JP3516287B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 複合メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10130880A JPH10130880A (ja) | 1998-05-19 |
| JP3516287B2 true JP3516287B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=17655141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28263996A Expired - Fee Related JP3516287B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 複合メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3516287B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220134083A (ko) * | 2021-03-26 | 2022-10-05 | 새한솔루텍 주식회사 | 도금용 바렐 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10140934A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-02-20 | Gramm Gmbh & Co Kg | Vorrichtung und Verfahren zur galvanischen Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
| JP5375596B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-12-25 | 株式会社デンソー | 噴流式めっき方法および装置 |
-
1996
- 1996-10-24 JP JP28263996A patent/JP3516287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220134083A (ko) * | 2021-03-26 | 2022-10-05 | 새한솔루텍 주식회사 | 도금용 바렐 |
| KR102454081B1 (ko) | 2021-03-26 | 2022-10-14 | 새한솔루텍 주식회사 | 도금용 바렐 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10130880A (ja) | 1998-05-19 |
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