JPH10137957A - レーザ溶接方法 - Google Patents
レーザ溶接方法Info
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- JPH10137957A JPH10137957A JP8292714A JP29271496A JPH10137957A JP H10137957 A JPH10137957 A JP H10137957A JP 8292714 A JP8292714 A JP 8292714A JP 29271496 A JP29271496 A JP 29271496A JP H10137957 A JPH10137957 A JP H10137957A
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- welding
- laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被溶接部材が光の反射率の高い材料であって
も、溶接の溶け込み量を十分に確保することができ、効
率よく溶接を行なうこと。 【解決手段】 被溶接部材Ｗの溶接位置にレーザ光反射
率の低い材料からなる薄板１６を載置し、この薄板１６
に対してレーザ光を照射して前記被溶接部材Ｗの溶接を
行なうようにしたことを特徴とする。
も、溶接の溶け込み量を十分に確保することができ、効
率よく溶接を行なうこと。 【解決手段】 被溶接部材Ｗの溶接位置にレーザ光反射
率の低い材料からなる薄板１６を載置し、この薄板１６
に対してレーザ光を照射して前記被溶接部材Ｗの溶接を
行なうようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ溶接方法に係
り、特に、レーザ光反射率の高い材料を効率よく溶接す
るためのレーザ溶接方法に関する。
り、特に、レーザ光反射率の高い材料を効率よく溶接す
るためのレーザ溶接方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、被溶接部材にレーザ光を照射
してスポット溶接やシーム溶接等の溶接を行なうレーザ
溶接が行なわれている。
してスポット溶接やシーム溶接等の溶接を行なうレーザ
溶接が行なわれている。
【０００３】このような従来のレーザ溶接においては、
レーザ光をレンズで集束させて被溶接部材に照射し、こ
のレーザ光の有する高密度の熱エネルギーにより被溶接
部材を溶融接合することにより溶接を行なうものであ
る。
レーザ光をレンズで集束させて被溶接部材に照射し、こ
のレーザ光の有する高密度の熱エネルギーにより被溶接
部材を溶融接合することにより溶接を行なうものであ
る。
【０００４】このレーザ溶接は、レーザ光を極めて小さ
い範囲に照射して溶接を行なうことが可能であるため、
例えば、ビデオカメラ、カセットテープレコーダ等の電
気機器、電池、コンデンサ等の細かい部分における溶接
に適している。
い範囲に照射して溶接を行なうことが可能であるため、
例えば、ビデオカメラ、カセットテープレコーダ等の電
気機器、電池、コンデンサ等の細かい部分における溶接
に適している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のレ
ーザ溶接においては、被溶接部材がアルミニウム、銅、
金あるいは銀等のレーザ光の反射率の高い材料である場
合に、被溶接部材に照射されたレーザ光が被溶接部材に
より反射されてしまうため、レーザ光の有する熱エネル
ギーが吸収されにくく、溶接の溶け込み量を十分に確保
することができないという問題があり、そのため、適正
な溶接を行なうためには、レーザ光の出力を大きくする
必要があった。
ーザ溶接においては、被溶接部材がアルミニウム、銅、
金あるいは銀等のレーザ光の反射率の高い材料である場
合に、被溶接部材に照射されたレーザ光が被溶接部材に
より反射されてしまうため、レーザ光の有する熱エネル
ギーが吸収されにくく、溶接の溶け込み量を十分に確保
することができないという問題があり、そのため、適正
な溶接を行なうためには、レーザ光の出力を大きくする
必要があった。
【０００６】また、光の反射率の高い被溶接部材に対し
てレーザ光を垂直に照射すると、被溶接部材により反射
されたレーザ光によりレーザ出射ユニット等の光学系を
破損してしまうおそれがあるため、従来、図３に示すよ
うに、被溶接部材Ｗに対してレーザ光ＬＢを、例えば、
１０゜前後傾けて照射し、被溶接部材Ｗにより反射され
たレーザ光ＬＢによる破損が生じないようにしていた。
しかし、このようにレーザ光ＬＢを傾けて照射すると被
溶接部材Ｗに対してレーザ光ＬＢのパワー密度が低下し
てしまうため、効率のよい溶接を行なうことができない
という問題を有している。
てレーザ光を垂直に照射すると、被溶接部材により反射
されたレーザ光によりレーザ出射ユニット等の光学系を
破損してしまうおそれがあるため、従来、図３に示すよ
うに、被溶接部材Ｗに対してレーザ光ＬＢを、例えば、
１０゜前後傾けて照射し、被溶接部材Ｗにより反射され
たレーザ光ＬＢによる破損が生じないようにしていた。
しかし、このようにレーザ光ＬＢを傾けて照射すると被
溶接部材Ｗに対してレーザ光ＬＢのパワー密度が低下し
てしまうため、効率のよい溶接を行なうことができない
という問題を有している。
【０００７】本発明は前記した点に鑑みなされたもの
で、被溶接部材が光の反射率の高い材料であっても、溶
接の溶け込み量を十分に確保することができ、効率よく
溶接を行なうことのできるレーザ溶接方法を提供するこ
とを目的とするものである。
で、被溶接部材が光の反射率の高い材料であっても、溶
接の溶け込み量を十分に確保することができ、効率よく
溶接を行なうことのできるレーザ溶接方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係るレーザ溶接方法は、レ
ーザ発振ユニットから出力されるレーザ光を被溶接部材
の表面に照射して前記被溶接部材の溶接を行なうレーザ
溶接方法において、前記被溶接部材の溶接位置にレーザ
光反射率の低い材料からなる薄板を載置し、この薄板に
対して前記レーザ光を照射するようにしたことを特徴と
する。
め、請求項１に記載の発明に係るレーザ溶接方法は、レ
ーザ発振ユニットから出力されるレーザ光を被溶接部材
の表面に照射して前記被溶接部材の溶接を行なうレーザ
溶接方法において、前記被溶接部材の溶接位置にレーザ
光反射率の低い材料からなる薄板を載置し、この薄板に
対して前記レーザ光を照射するようにしたことを特徴と
する。
【０００９】この請求項１に記載の発明によれば、レー
ザ光反射率の低い材料から形成された薄板にレーザ光を
照射して溶接を行なうようにしているので、レーザ光が
薄板に効率よく吸収されることになり、被溶接部材がレ
ーザ光の反射率の高い材料の場合であっても、レーザ光
を反射させることがなく、レーザ光の有する熱エネルギ
ーを効率よく被溶接部材に付与することができ、溶接の
溶け込み量を十分に確保することができる。
ザ光反射率の低い材料から形成された薄板にレーザ光を
照射して溶接を行なうようにしているので、レーザ光が
薄板に効率よく吸収されることになり、被溶接部材がレ
ーザ光の反射率の高い材料の場合であっても、レーザ光
を反射させることがなく、レーザ光の有する熱エネルギ
ーを効率よく被溶接部材に付与することができ、溶接の
溶け込み量を十分に確保することができる。
【００１０】また、薄板によりレーザ光の反射を減少す
ることができるので、反射されたレーザ光により光ファ
イバ等の光学系を破損してしまうおそれがなく、被溶接
部材に対して垂直にレーザ光を照射することができ、こ
れにより、パワー密度を確保した状態でレーザ光を被溶
接部材の薄板に照射することができ、効率のよい溶接を
行なうことができる。
ることができるので、反射されたレーザ光により光ファ
イバ等の光学系を破損してしまうおそれがなく、被溶接
部材に対して垂直にレーザ光を照射することができ、こ
れにより、パワー密度を確保した状態でレーザ光を被溶
接部材の薄板に照射することができ、効率のよい溶接を
行なうことができる。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
において、前記薄板を鉄系合金材料あるいはリン青銅材
料により形成したことを特徴とする。
において、前記薄板を鉄系合金材料あるいはリン青銅材
料により形成したことを特徴とする。
【００１２】この請求項２に記載の発明によれば、薄板
を鉄系合金材料あるいはリン青銅材料により形成するこ
とにより、レーザ光の反射を減少することができる。
を鉄系合金材料あるいはリン青銅材料により形成するこ
とにより、レーザ光の反射を減少することができる。
【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２において、前記薄板の厚さ寸法を約５μｍ以上
でかつ約５０μｍ以下としたことを特徴とする。
請求項２において、前記薄板の厚さ寸法を約５μｍ以上
でかつ約５０μｍ以下としたことを特徴とする。
【００１４】この請求項３に記載の発明によれば、薄板
の厚さ寸法を約５μｍ以上でかつ約５０μｍ以下として
いるので、溶接の際にこの薄板の材料が被溶接部材に溶
け込む量が少なくて済み、溶接部に悪影響を及ぼすこと
がない。
の厚さ寸法を約５μｍ以上でかつ約５０μｍ以下として
いるので、溶接の際にこの薄板の材料が被溶接部材に溶
け込む量が少なくて済み、溶接部に悪影響を及ぼすこと
がない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１お
よび図２を参照して説明する。
よび図２を参照して説明する。
【００１６】図１は本発明に係るレーザ溶接方法を適用
するレーザ溶接装置の実施の一形態を示したもので、レ
ーザ溶接装置１の内部には、活性媒質としてＮｄ：ＹＡ
Ｇ結晶からなるＹＡＧロッド２が収容されており、この
ＹＡＧロッド２の近傍には、ＹＡＧロッド２中の原子を
光励起させるための、例えば、Ｘｅフラッシュランプ等
の励起ランプ３がＹＡＧロッド２と平行に配設されてい
る。なお、励起ランプ３の代わりに半導体レーザを使用
するようにしてもよい。
するレーザ溶接装置の実施の一形態を示したもので、レ
ーザ溶接装置１の内部には、活性媒質としてＮｄ：ＹＡ
Ｇ結晶からなるＹＡＧロッド２が収容されており、この
ＹＡＧロッド２の近傍には、ＹＡＧロッド２中の原子を
光励起させるための、例えば、Ｘｅフラッシュランプ等
の励起ランプ３がＹＡＧロッド２と平行に配設されてい
る。なお、励起ランプ３の代わりに半導体レーザを使用
するようにしてもよい。
【００１７】ＹＡＧロッド２の一端側には、全反射ミラ
ー４がＹＡＧロッド２の端面に対して所定間隔を有する
ように配設されており、ＹＡＧロッド２の他端側には、
半透過性の出力ミラー５がＹＡＧロッド２の端面に対し
て所定間隔を有するように配設されている。ＹＡＧロッ
ド２の両側であって、ＹＡＧロッド２と全反射ミラー４
および出力ミラー５との間には、それぞれシャッタ６
ａ，６ｂが配設されている。このシャッタ６ａ，６ｂ
は、装置を稼働する場合に開かれるものであり、シャッ
タ６ａ，６ｂが開いた状態で、励起ランプ３を閃光点灯
させることによりレーザ活性媒質を励起して、反転分布
の光を放出させる。この反転分布の光は、出力ミラー５
と全反射ミラー４とからなる共振器の間で共振し、増幅
して、出力ミラー５からレーザ光ＬＢとして出力され
る。
ー４がＹＡＧロッド２の端面に対して所定間隔を有する
ように配設されており、ＹＡＧロッド２の他端側には、
半透過性の出力ミラー５がＹＡＧロッド２の端面に対し
て所定間隔を有するように配設されている。ＹＡＧロッ
ド２の両側であって、ＹＡＧロッド２と全反射ミラー４
および出力ミラー５との間には、それぞれシャッタ６
ａ，６ｂが配設されている。このシャッタ６ａ，６ｂ
は、装置を稼働する場合に開かれるものであり、シャッ
タ６ａ，６ｂが開いた状態で、励起ランプ３を閃光点灯
させることによりレーザ活性媒質を励起して、反転分布
の光を放出させる。この反転分布の光は、出力ミラー５
と全反射ミラー４とからなる共振器の間で共振し、増幅
して、出力ミラー５からレーザ光ＬＢとして出力され
る。
【００１８】また、出力ミラー５の出力側には、出力ミ
ラー５からのレーザ光ＬＢをレンズ系７に向けて反射す
るミラー８が配設されており、このレンズ系７の出力側
には、光ファイバ９の一端部が接続されている。この光
ファイバ９の他端部には、内部に集光レンズ１０が収容
された出射ユニット１１が接続されており、前記レンズ
系７から光ファイバ９を介して送られて出射ユニット１
１の集光レンズ１０により集光されて出力されるレーザ
光ＬＢを被溶接部材Ｗに照射して被溶接部材Ｗの溶接を
行なうようになっている。
ラー５からのレーザ光ＬＢをレンズ系７に向けて反射す
るミラー８が配設されており、このレンズ系７の出力側
には、光ファイバ９の一端部が接続されている。この光
ファイバ９の他端部には、内部に集光レンズ１０が収容
された出射ユニット１１が接続されており、前記レンズ
系７から光ファイバ９を介して送られて出射ユニット１
１の集光レンズ１０により集光されて出力されるレーザ
光ＬＢを被溶接部材Ｗに照射して被溶接部材Ｗの溶接を
行なうようになっている。
【００１９】さらに、出力ミラー５の出力側近傍には、
パワーモニタ１２が配設されており、このパワーモニタ
１２により出力されるレーザ光ＬＢのパワーを監視して
いる。
パワーモニタ１２が配設されており、このパワーモニタ
１２により出力されるレーザ光ＬＢのパワーを監視して
いる。
【００２０】また、ＹＡＧロッド２から出力されるレー
ザ光ＬＢは、波長が１．０６４μｍであり、肉眼により
視認することができないので、可視光をガイド光として
使用し、ＹＡＧロッド２から出力されるレーザ光ＬＢと
同軸となるように出力させる。本実施形態においては、
可視光を出力するＨｅ−Ｎｅレーザ１３を配設し、この
Ｈｅ−Ｎｅレーザ１３からの赤色の可視光をガイド光と
して使用するようになっている。なお、その他のガイド
光としては、ＧａＡｌＰＡｓ系半導体レーザからの赤色
光等が用いられる。
ザ光ＬＢは、波長が１．０６４μｍであり、肉眼により
視認することができないので、可視光をガイド光として
使用し、ＹＡＧロッド２から出力されるレーザ光ＬＢと
同軸となるように出力させる。本実施形態においては、
可視光を出力するＨｅ−Ｎｅレーザ１３を配設し、この
Ｈｅ−Ｎｅレーザ１３からの赤色の可視光をガイド光と
して使用するようになっている。なお、その他のガイド
光としては、ＧａＡｌＰＡｓ系半導体レーザからの赤色
光等が用いられる。
【００２１】また、ＹＡＧロッド２は、高出力レーザを
得たい時に使用されるものであるから、励起ランプ３に
電源１４から高電力が入力され、これに伴い、励起ラン
プ３およびＹＡＧロッド２が高温に昇温する。この昇温
を防ぐためにＹＡＧロッド２と励起ランプ３とを冷却す
るためのクーラ１５が配設されている。なお、励起ラン
プ３の代わりに半導体レーザを使用する場合は半導体レ
ーザを冷却する。
得たい時に使用されるものであるから、励起ランプ３に
電源１４から高電力が入力され、これに伴い、励起ラン
プ３およびＹＡＧロッド２が高温に昇温する。この昇温
を防ぐためにＹＡＧロッド２と励起ランプ３とを冷却す
るためのクーラ１５が配設されている。なお、励起ラン
プ３の代わりに半導体レーザを使用する場合は半導体レ
ーザを冷却する。
【００２２】なお、前述のレーザ溶接装置１は、出射ユ
ニット１１からレーザ光ＬＢを照射して被溶接部材Ｗの
溶接を行なうものであるが、加工方法によってはレンズ
系７から被溶接部材Ｗに直接レーザ光ＬＢを照射して被
溶接部材Ｗの溶接を行なうようにしてもよい。
ニット１１からレーザ光ＬＢを照射して被溶接部材Ｗの
溶接を行なうものであるが、加工方法によってはレンズ
系７から被溶接部材Ｗに直接レーザ光ＬＢを照射して被
溶接部材Ｗの溶接を行なうようにしてもよい。
【００２３】次に、前記構成のレーザ溶接装置１を用い
た本発明のレーザ溶接方法について説明する。
た本発明のレーザ溶接方法について説明する。
【００２４】まず、図２に示すように、被溶接部材Ｗの
所定の溶接位置に、レーザ光反射率の低い材料からなる
薄板１６を載置する。この薄板１６は、例えば、ステン
レス鋼ＳＵＳ３０４等の鉄系合金材料あるいはリン青銅
材料等の光反射率の低い材料から形成されており、その
厚さ寸法は、約５０μｍ以下となるように形成されてい
る。ここで、薄板１６の厚さ寸法を約５０μｍ以下とし
たのは、薄板１６の厚さ寸法をあまり厚く形成すると、
溶接後にこの薄板１６の材料が被溶接部材Ｗに溶け込む
量が増大して溶接部に悪影響を及ぼすためである。ま
た、薄板１６の厚さ寸法を約５μｍ以上としたのは、薄
板１６の厚さ寸法をあまり薄く形成すると、溶接時のレ
ーザ光のエネルギーが被溶接部材Ｗに達して昇温する前
に薄板１６が溶融蒸発してしまい、被溶接部材Ｗの表面
が露出してレーザ光エネルギーの吸収が再び悪化してし
まうためである。
所定の溶接位置に、レーザ光反射率の低い材料からなる
薄板１６を載置する。この薄板１６は、例えば、ステン
レス鋼ＳＵＳ３０４等の鉄系合金材料あるいはリン青銅
材料等の光反射率の低い材料から形成されており、その
厚さ寸法は、約５０μｍ以下となるように形成されてい
る。ここで、薄板１６の厚さ寸法を約５０μｍ以下とし
たのは、薄板１６の厚さ寸法をあまり厚く形成すると、
溶接後にこの薄板１６の材料が被溶接部材Ｗに溶け込む
量が増大して溶接部に悪影響を及ぼすためである。ま
た、薄板１６の厚さ寸法を約５μｍ以上としたのは、薄
板１６の厚さ寸法をあまり薄く形成すると、溶接時のレ
ーザ光のエネルギーが被溶接部材Ｗに達して昇温する前
に薄板１６が溶融蒸発してしまい、被溶接部材Ｗの表面
が露出してレーザ光エネルギーの吸収が再び悪化してし
まうためである。
【００２５】この状態で、励起ランプ３を発光させ、Ｙ
ＡＧロッド２内の原子を励起させ、全反射ミラー４と出
力ミラー５との間で共振させて固体レーザ光ＬＢを発振
させる。そして、ＹＡＧロッド２から出力されるレーザ
光ＬＢがシャッタ６ａ，６ｂを通過して出力ミラー５を
透過し、ミラー８により反射されてレンズ系７に送られ
る。このレンズ系７からのレーザ光ＬＢは、光ファイバ
９を介して出射ユニット１１に送られ、集光レンズ１０
により集光されて被溶接部材Ｗに載置された薄板１６に
照射されて被溶接部材Ｗの溶接を行なう。このように溶
接を行なうと、薄板１６は蒸発して飛んでしまい被溶接
部材Ｗに影響を及ぼすことはなく、溶接作業自体も容易
である。
ＡＧロッド２内の原子を励起させ、全反射ミラー４と出
力ミラー５との間で共振させて固体レーザ光ＬＢを発振
させる。そして、ＹＡＧロッド２から出力されるレーザ
光ＬＢがシャッタ６ａ，６ｂを通過して出力ミラー５を
透過し、ミラー８により反射されてレンズ系７に送られ
る。このレンズ系７からのレーザ光ＬＢは、光ファイバ
９を介して出射ユニット１１に送られ、集光レンズ１０
により集光されて被溶接部材Ｗに載置された薄板１６に
照射されて被溶接部材Ｗの溶接を行なう。このように溶
接を行なうと、薄板１６は蒸発して飛んでしまい被溶接
部材Ｗに影響を及ぼすことはなく、溶接作業自体も容易
である。
【００２６】この場合に、本実施形態においては、レー
ザ光反射率の低い材料から形成された薄板１６にレーザ
光ＬＢが照射された場合に、レーザ光ＬＢが薄板１６に
効率よく吸収されることになるため、被溶接部材Ｗがア
ルミニウム、銅、金あるいは銀等のレーザ光反射率の高
い材料の場合であっても、レーザ光ＬＢを反射させるこ
とがなく、レーザ光ＬＢの有するエネルギーを効率よく
被溶接部材Ｗに付与することができ、溶接の溶け込み量
を十分に確保することができる。
ザ光反射率の低い材料から形成された薄板１６にレーザ
光ＬＢが照射された場合に、レーザ光ＬＢが薄板１６に
効率よく吸収されることになるため、被溶接部材Ｗがア
ルミニウム、銅、金あるいは銀等のレーザ光反射率の高
い材料の場合であっても、レーザ光ＬＢを反射させるこ
とがなく、レーザ光ＬＢの有するエネルギーを効率よく
被溶接部材Ｗに付与することができ、溶接の溶け込み量
を十分に確保することができる。
【００２７】しかも、本実施形態においては、レーザ光
ＬＢをレーザ光反射率の低い材料から形成された薄板１
６に照射して溶接を行なうものであるため、被溶接部材
Ｗにより反射されたレーザ光ＬＢにより光ファイバ９等
の光学系を破損してしまうおそれがなく、図２に示すよ
うに、被溶接部材Ｗに対して垂直にレーザ光ＬＢを照射
することができるものである。これにより、パワー密度
を確保した状態でレーザ光ＬＢを被溶接部材Ｗの薄板１
６に照射することができ、効率のよい溶接を行なうこと
ができる。
ＬＢをレーザ光反射率の低い材料から形成された薄板１
６に照射して溶接を行なうものであるため、被溶接部材
Ｗにより反射されたレーザ光ＬＢにより光ファイバ９等
の光学系を破損してしまうおそれがなく、図２に示すよ
うに、被溶接部材Ｗに対して垂直にレーザ光ＬＢを照射
することができるものである。これにより、パワー密度
を確保した状態でレーザ光ＬＢを被溶接部材Ｗの薄板１
６に照射することができ、効率のよい溶接を行なうこと
ができる。
【００２８】例えば、同一のレーザ光出力において、従
来のように被溶接部材Ｗに直接レーザ光ＬＢを照射する
場合と、本実施形態のように被溶接部材Ｗに載置された
薄板１６にレーザ光ＬＢを照射する場合とを比較する
と、例えば、２８Ｊのレーザ光ＬＢをアルミニウム材か
らなる被溶接部材Ｗに照射した場合、従来のものでは、
被溶接部材Ｗの溶け込み深さが０．１〜０．２ｍｍ程度
であったのに対して、本実施形態のものでは、０．５ｍ
ｍ程度の溶け込みを確保することができるようになり、
本実施形態では従来のものより約３倍程度の溶け込み量
を確保することができることがわかった。
来のように被溶接部材Ｗに直接レーザ光ＬＢを照射する
場合と、本実施形態のように被溶接部材Ｗに載置された
薄板１６にレーザ光ＬＢを照射する場合とを比較する
と、例えば、２８Ｊのレーザ光ＬＢをアルミニウム材か
らなる被溶接部材Ｗに照射した場合、従来のものでは、
被溶接部材Ｗの溶け込み深さが０．１〜０．２ｍｍ程度
であったのに対して、本実施形態のものでは、０．５ｍ
ｍ程度の溶け込みを確保することができるようになり、
本実施形態では従来のものより約３倍程度の溶け込み量
を確保することができることがわかった。
【００２９】したがって、本実施形態においては、レー
ザ光反射率の低い材料から形成された薄板１６にレーザ
光ＬＢを照射することにより、被溶接部材Ｗの溶接を行
なうようにしており、被溶接部材Ｗがレーザ光の反射率
の高い材料の場合であっても、レーザ光ＬＢを薄板１６
に効率よく吸収させることができるので、レーザ光ＬＢ
の有する熱エネルギーを効率よく被溶接部材Ｗに付与す
ることができ、溶接の溶け込み量を十分に確保すること
ができる。
ザ光反射率の低い材料から形成された薄板１６にレーザ
光ＬＢを照射することにより、被溶接部材Ｗの溶接を行
なうようにしており、被溶接部材Ｗがレーザ光の反射率
の高い材料の場合であっても、レーザ光ＬＢを薄板１６
に効率よく吸収させることができるので、レーザ光ＬＢ
の有する熱エネルギーを効率よく被溶接部材Ｗに付与す
ることができ、溶接の溶け込み量を十分に確保すること
ができる。
【００３０】また、薄板１６によりレーザ光ＬＢの反射
を低減することができ、そのため、被溶接部材Ｗに対し
て垂直にレーザ光ＬＢを照射することができるので、パ
ワー密度を確保した状態でレーザ光ＬＢを被溶接部材Ｗ
の薄板１６に照射することができ、効率のよい溶接を行
なうことができる。その結果、少ない出力でレーザ光Ｌ
Ｂを照射した場合でも、十分な溶け込み量を確保した適
正な溶接を行なうことができる。
を低減することができ、そのため、被溶接部材Ｗに対し
て垂直にレーザ光ＬＢを照射することができるので、パ
ワー密度を確保した状態でレーザ光ＬＢを被溶接部材Ｗ
の薄板１６に照射することができ、効率のよい溶接を行
なうことができる。その結果、少ない出力でレーザ光Ｌ
Ｂを照射した場合でも、十分な溶け込み量を確保した適
正な溶接を行なうことができる。
【００３１】なお、前記実施形態においては、ＹＡＧレ
ーザを用いた溶接の場合について説明したが、本発明
は、ＣＯ2 レーザ等の各種レーザを用いた溶接に対して
適用することができる。
ーザを用いた溶接の場合について説明したが、本発明
は、ＣＯ2 レーザ等の各種レーザを用いた溶接に対して
適用することができる。
【００３２】また、本発明は前記実施形態のものに限定
されるものではなく、必要に応じて種々変更することが
可能である。
されるものではなく、必要に応じて種々変更することが
可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係るレーザ
溶接方法は、レーザ光反射率の低い材料から形成された
薄板にレーザ光を照射することにより、被溶接部材の溶
接を行なうようにしており、被溶接部材がレーザ光の反
射率の高い材料の場合であっても、レーザ光を薄板に効
率よく吸収させることができるので、レーザ光の有する
熱エネルギーを効率よく被溶接部材に付与することがで
き、溶接の溶け込み量を十分に確保することができる。
溶接方法は、レーザ光反射率の低い材料から形成された
薄板にレーザ光を照射することにより、被溶接部材の溶
接を行なうようにしており、被溶接部材がレーザ光の反
射率の高い材料の場合であっても、レーザ光を薄板に効
率よく吸収させることができるので、レーザ光の有する
熱エネルギーを効率よく被溶接部材に付与することがで
き、溶接の溶け込み量を十分に確保することができる。
【００３４】また、薄板によりレーザ光の反射を低減す
ることができ、そのため、被溶接部材に対して垂直にレ
ーザ光を照射することができるので、パワー密度を確保
した状態でレーザ光を被溶接部材の薄板に照射すること
ができ、効率のよい溶接を行なうことができる。その結
果、少ない出力でレーザ光を照射した場合でも、十分な
溶け込み量を確保した適正な溶接を行なうことができる
等の効果を奏する。
ることができ、そのため、被溶接部材に対して垂直にレ
ーザ光を照射することができるので、パワー密度を確保
した状態でレーザ光を被溶接部材の薄板に照射すること
ができ、効率のよい溶接を行なうことができる。その結
果、少ない出力でレーザ光を照射した場合でも、十分な
溶け込み量を確保した適正な溶接を行なうことができる
等の効果を奏する。
【図１】 本発明に係るレーザ溶接方法を適用するレー
ザ溶接装置の実施の一形態を示す概略構成図
ザ溶接装置の実施の一形態を示す概略構成図
【図２】 本発明のレーザ溶接方法を示す概略説明図
【図３】 従来のレーザ溶接方法を示す概略説明図
Ｗ 被溶接部材 ＬＢ レーザ光 １ レーザ溶接装置 ２ ＹＡＧロッド ３ 励起ランプ １６ 薄板
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ発振ユニットから出力されるレー
ザ光を被溶接部材の表面に照射して前記被溶接部材の溶
接を行なうレーザ溶接方法において、前記被溶接部材の
溶接位置に前記レーザ光反射率の低い材料からなる薄板
を載置し、この薄板に対して前記レーザ光を照射するよ
うにしたことを特徴とするレーザ溶接方法。 - 【請求項２】 前記薄板を鉄系合金材料あるいはリン青
銅材料により形成したことを特徴とする請求項１に記載
のレーザ溶接方法。 - 【請求項３】 前記薄板の厚さ寸法を約５μｍ以上でか
つ約５０μｍ以下としたことを特徴とする請求項１また
は請求項２に記載のレーザ溶接方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292714A JPH10137957A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | レーザ溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292714A JPH10137957A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | レーザ溶接方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10137957A true JPH10137957A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=17785369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8292714A Pending JPH10137957A (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | レーザ溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10137957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7323665B2 (en) | 2006-04-06 | 2008-01-29 | Sealed Air Corporation (Us) | Heating element for high-speed film-sealing apparatus, and method for making same |
| JP2010000523A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Sharp Corp | 接合装置 |
-
1996
- 1996-11-05 JP JP8292714A patent/JPH10137957A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7323665B2 (en) | 2006-04-06 | 2008-01-29 | Sealed Air Corporation (Us) | Heating element for high-speed film-sealing apparatus, and method for making same |
| JP2010000523A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Sharp Corp | 接合装置 |
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