JPH1013294A

JPH1013294A - 受信減衰器制御装置

Info

Publication number: JPH1013294A
Application number: JP8157947A
Authority: JP
Inventors: Noriaki Taira; 則顕平; Kazumasa Sugawara; 和正菅原; Satoshi Hayashizaki; 智林崎; Masato Shirase; 昌人白勢
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-06-19
Filing date: 1996-06-19
Publication date: 1998-01-16

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は受信減衰器制御装置に関し、小型化
・低コスト化が可能な受信減衰器制御装置を提供するこ
とを目的としている。【解決手段】アンテナ，送信部及び受信部と接続さ
れ、信号の経路の切り替えと、受信信号の減衰量制御を
行なう半導体より構成された高周波スイッチと、該高周
波スイッチの受信経路と送信経路を制御し、その経路の
インピーダンスを内部半導体のオン／オフ制御電圧を可
変することにより調整し、所望の受信信号の減衰量を得
る減衰量調整手段とにより構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は受信減衰器制御装置
に関し、更に詳しくはＴＤＭＡ方式の移動体通信用無線
機において、高周波スイッチにより送受信切り替え及び
受信減衰量制御を行なう受信減衰器制御装置に関する。

【０００２】近年、ディジタル移動体通信の分野では、
携帯電話並びにＰＨＳ（パーソナル・ハンディホン・シ
ステム）の加入者数が増加の一途を辿っている。これに
伴い、装置には更なる小型化，低コスト化が求められて
いる。

【０００３】

【従来の技術】図８は従来のＴＤＭＡ方式（時分割で時
間を限って送信する方式）における受信減衰器制御装置
の構成例を示すブロック図である。図において、１はア
ンテナ，送信部及び受信部と接続され、信号の経路の切
り替えを行なう高周波スイッチである。該高周波スイッ
チ１のアンテナ端子ＡＮＴはアンテナと接続され、送信
端子ＴＸは送信部（図示せず）と接続され、受信端子Ｒ
Ｘは受信部（図示せず）と接続されている。この高周波
スイッチ１には、Ｖ１，Ｖ２端子が設けられており、こ
の端子の入力レベルを図８の表のように設定することに
より、経路の切り替え（高周波スイッチ切り替え）を行
なう。

【０００４】２は高周波スイッチ１からの受信信号を受
けて減衰させる可変減衰器（アッテネータ：ＡＴＴ）で
ある。該可変減衰器２は、減衰器オン／オフ信号により
その減衰率が制御されるようになっている。そして、該
可変減衰器２の出力が受信部に接続される。３は送受信
切り替え信号を受けるインバータで、該インバータ３の
出力は高周波スイッチ１のＶ２端子に入り、送受信切り
替え信号はＶ１端子に入っている。このように構成され
た装置の動作を説明すれば、以下の通りである。

【０００５】（１）送信モードこの時には、高周波スイッチ１のＶ１端子には“Ｈ”
が、Ｖ２端子には“Ｌ”が入力される。高周波スイッチ
１は、送信部の出力をアンテナと接続し、送信部からの
送信信号を、送信端子ＴＸに入力し、アンテナより送信
する。

【０００６】（２）受信モードこの時には、高周波スイッチ１のＶ１端子には“Ｌ”
が、Ｖ２端子には“Ｈ”が入力される。高周波スイッチ
１は、アンテナと受信端子ＲＸとを接続する。この結
果、アンテナで受信された受信信号は、受信端子ＲＸか
ら可変減衰器に入る。可変減衰器２は、例えば図９に示
すような構成をしている。受信端子ＲＸからの信号は、
抵抗Ｒ１〜Ｒ４よりなるアッテネータに入る。それぞれ
の抵抗の接続点からは分圧信号が取り出され、スイッチ
ＳＷに入っている。スイッチＳＷは、減衰器オン／オフ
信号により何れかの分圧信号を選択する。そして、スイ
ッチＳＷで得られた分圧信号は、受信部（図示せず）に
入力されるようになっている。ここで、受信モードの時
に、受信信号を可変減衰器２で減衰するのは、受信信号
の振幅が大きいために、そのまま受信部に接続すると、
受信部の内部回路が飽和してしまうためである。なお、
可変減衰器２の構成は図に示されるものに限るものでは
ない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
の装置では、受信減衰器制御機能を可変減衰器２で実現
している。このため、分圧抵抗Ｒ１〜Ｒ４で消費される
受信経路のパワー損失が大きいという問題がある。更
に、可変減衰器２として、抵抗より構成されるアッテネ
ータを用いることにより、受信感度の劣化が生じ、また
装置の小型化が困難であり、装置のコストアップにつな
がるという問題があった。

【０００８】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、小型化・低コスト化が可能な受信減衰器
制御装置を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

（１）図１は本発明の原理ブロック図である。図８と同
一のものは、同一の符号を付して示す。図において、１
はアンテナ，送信部及び受信部と接続され、信号の経路
の切り替えと、受信信号の減衰量制御を行なう半導体よ
り構成された高周波スイッチ、１１は減衰量制御電圧を
発生する減衰量制御電圧発生部である。１０は送受信切
り替え信号と減衰量制御電圧発生部１１の出力を受けて
何れか一方を出力し、その出力を高周波スイッチ１のＶ
１端子に与えるアナログスイッチ、１２は送受信切り替
え信号と減衰器オン／オフ信号を受けて、その出力を高
周波スイッチ１のＶ２端子に与えるＮＯＲゲートであ
る。これら構成要素で、高周波スイッチ１の受信経路と
送信経路を制御し、その経路のインピーダンスを内部半
導体のオン／オフ制御電圧を可変することにより調整
し、所望の受信信号の減衰量を得る減衰量調整手段を構
成している。

【００１０】このように構成することにより、高周波ス
イッチ１の受信経路と送信経路を制御し、減衰量制御電
圧発生部１１の出力を高周波スイッチ１に与え、内部半
導体のオン／オフ制御電圧を可変することにより調整し
て内部半導体の抵抗値を決定し、この抵抗の抵抗値を所
定の値に設定することにより、所望の受信信号の減衰量
を得ることができる。この発明の構成によれば、経路を
切り換える高周波スイッチ１を受信信号減衰器としても
利用することができるので、場所をとる可変減衰器を用
いることなく、受信信号の減衰を得ることができるの
で、小型化・低コスト化が可能となる。

【００１１】（２）この場合において、前記高周波スイ
ッチ１により送受信切り替え及び受信減衰量の制御を行
なうことを特徴としている。この発明の構成によれば、
高周波スイッチを送受信信号の切り替え用としても、ま
た受信信号の減衰制御用としても用いることができる。

【００１２】（３）また、前記高周波スイッチ１を、ダ
イオード並びにストリップラインにより構成することを
特徴としている。この発明の構成によれば、ダイオード
とストリップラインを利用して経路のオープンとオンを
実現し、経路切り替えと、減衰量制御電圧による受信信
号の減衰量制御を行なうことができる。

【００１３】（４）また、前記高周波スイッチ１を、Ｆ
ＥＴにより構成することを特徴としている。この発明の
構成によれば、ＦＥＴをスイッチとして用いることによ
り、経路切り替えと減衰量制御電圧によりＦＥＴの抵抗
を所定の値に設定することにより、受信信号の減衰量制
御を行なうことができる。

【００１４】（５）また、前記減衰量調整手段として減
衰量制御電圧発生部の出力を前記高周波スイッチに与え
るものにおいて、該減衰量制御電圧発生部に減衰量の温
度補償回路を付加したことを特徴としている。

【００１５】この発明の構成によれば、温度変動が生じ
る場合にも、正確な受信信号の減衰量制御を行なうこと
ができる。（６）また、前記減衰量制御電圧発生器を制御部とＤ／
Ａ変換器で構成することを特徴としている。

【００１６】この発明の構成によれば、制御部から任意
のデータをＤ／Ａ変換器に与えて、減衰量制御電圧を任
意に設定することができる。（７）また、環境温度毎の制御電圧データをメモリに記
憶しておき、減衰量の温度変動を補償するようにしたこ
とを特徴としている。

【００１７】この発明の構成によれば、制御電圧の減衰
量の温度変動を補償することができる。（８）また、受信周波数毎の制御電圧データをメモリに
記憶しておき、減衰量の周波数変動を補償するようにし
たことを特徴としている。

【００１８】この発明の構成によれば、減衰量制御電圧
の周波数変動を補償することができる。（９）また、基準減衰量制御電圧データ，環境温度毎の
制御電圧データ及び受信周波数毎の制御電圧データをメ
モリに記憶しておき、それぞれの制御電圧を加減算した
ものを減衰量制御電圧とすることを特徴としている。

【００１９】この発明の構成によれば、減衰量の温度変
動及び周波数変動を補償することができる。（１０）更に、受信レベル検出電圧を基に、受信減衰器
オン／オフ信号を生成するようにしたことを特徴として
いる。

【００２０】この発明の構成によれば、受信減衰器オン
／オフ信号を受信レベル検出電圧を基に生成することに
より、受信レベル検出電圧に応じた高周波スイッチの経
路切り替えを行なうことができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態例を詳細に説明する。図２は本発明の第１の実
施の形態例を示すブロック図である。図１と同一のもの
は、同一の符号を付して示す。図中に示す表は、モード
切り替えの論理を示すものである。図に示す実施の形態
例では、高周波スイッチ１をダイオード，ストリップラ
イン，コンデンサ及び抵抗とで構成している。高周波ス
イッチ１において、送信端子ＴＸは送信部と接続され、
内部でコンデンサＣ５及びダイオードＤ１の直列回路と
接続されている。受信端子ＲＸは受信部と接続され、内
部でコンデンサＣ４とストリップラインＳ１の直列回路
と接続されている。

【００２２】ダイオードＤ１の一端（カソード側）と波
長λ／４のストリップラインＳ１の他端は互いに接続さ
れ、この接続点はコンデンサＣ１を介してアンテナ端子
ＡＮＴと接続されている。コンデンサＣ５とダイオード
Ｄ１との接続点には波長λ／４のストリップラインＳ２
が接続されている。該ストリップラインＳ２はＶ１端子
と接続されている。また、ストリップラインＳ２にはコ
ンデンサＣ３が接続され、該コンデンサＣ３の他端は接
地されている。コンデンサＣ４とストリップラインＳ１
の接続点にはダイオードＤ２のアノードが接続され、該
ダイオードＤ２のカソード側は抵抗Ｒを介してＶ２端子
に接続されている。そして、ダイオードＤ２のカソード
には、コンデンサＣ２が接続され、該コンデンサＣ２の
他端は接地されている。

【００２３】アナログスイッチ１０の２番端子には送受
信切り替え信号が入力され、３番端子には減衰量制御電
圧発生部１１の出力が入力されている。そして、該アナ
ログスイッチ１０の１番端子からは前記入力の何れか一
方が高周波スイッチ１のＶ１端子に接続されている。Ｎ
ＯＲゲート１２には、送受信切り替え信号と減衰器オン
／オフ信号が入力され、該ＮＯＲゲート１２の出力は高
周波スイッチ１のＶ２端子に接続されている。このよう
に構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りであ
る。

【００２４】（１）送信時の動作送信時には送受信切り替え信号を“Ｈ”に、減衰器オン
／オフ信号を“Ｌ”に設定する。減衰器オン／オフ信号
“Ｌ”をセレクト信号として受けるアナログスイッチ１
０は１番−２番間が導通となり、Ｖ１端子に送受信切り
替え信号の“Ｈ”を与える。この結果、高周波スイッチ
１のＶ１端子には“Ｈ”、Ｖ２端子には“Ｌ”が与えら
れ、高周波スイッチは送信モードとなる。

【００２５】送信モードでは、送信端子ＴＸからみたス
トリップラインＳ１，Ｓ２は高周波的にオープンであ
る。この結果、送信端子ＴＸとアンテナ端子ＡＮＴとが
導通となり、送信部からの送信信号はアンテナ端子ＡＮ
Ｔからアンテナに入り、無線送信される。

【００２６】ここで、送信端子ＴＸからみたストリップ
ラインＳ１とストリップラインＳ２とが高周波的にオー
プンとなる理由について説明する。図３はストリップラ
インの動作説明図、図４は高周波スイッチの構成例を示
すブロック図、図５は各地点での波形を示す図である。
ストリップラインＳ１，Ｓ２の両端を図３，図４に示す
ようにそれぞれ，とする。

【００２７】１．λ／４のストリップラインがオープン
時（図３の（ａ））図３の（ａ）のストリップライン入口点での波形が図
５の（ａ）の時、λ／４ストリップラインの出口点で
は、図５の（ａ）よりもλ／４進んだ波形（図５の
（ｂ））になる。また、λ／４のストリップライン出口
点から反射した波形は図５の（ｂ）よりもλ／４進ん
だ波形（図５の（ｃ））となる。この時、ストリップラ
イン入口点では、入力波形（図５の（ａ））と反射波
形（（５）の（ｃ））が存在し、お互いにλ／２ずれて
いるので相殺され、波形は（５）の（ｄ）に示すように
０となる。入口点での波形は０になるので、高周波的
にショート（短絡）となる。

【００２８】２．λ／４のストリップラインがショート
時（図３の（ｂ））図３の（ｂ）のλ／４ストリップライン入口点での波
形が図５の（ａ）であるとき、λ／４ストリップライン
出口点では、図５の（ａ）よりもλ／４進んだ波形
（図５の（ｂ））となる筈であるが、ショートしている
ので図５の（ｄ）に示すようになる。０ということは、
図５の（ｂ）を打ち消す波形（図５の（ｅ））が存在す
ると考えられる。

【００２９】λ／４ストリップライン出口点での波形
が、図５の（ｅ）であった場合、λ／４ストリップライ
ン入口点での波形は、図５の（ｅ）よりもλ／４進ん
だ波形（図５の（ｆ））となる。これは、入口点での
波形（図５の（ａ））と同位相であるので、波形は変化
しない。これは、高周波的にオープンであることを意味
する。

【００３０】図４に示す回路において、送信時、Ｖ１＝
“Ｈ”、Ｖ２＝“Ｌ”であり、ダイオードＤ１とＤ２は
オン状態となる。この時、ストリップラインＳ１及びＳ
２のの点では、グランドに接続されており、ショート
状態にある。即ち、ストリップラインの出口側がショー
トされた図３の（ｂ）と同じ状態になる。よって、送信
端子ＴＸからみたストリップラインＳ１とＳ２はオープ
ンとなる。

【００３１】（２）受信時の動作受信時には送受信切り替え信号を“Ｌ”に、減衰器オン
／オフ信号を“Ｌ”に設定する場合と、送受信切り替え
信号を“Ｌ”に、減衰器オン／オフ信号を“Ｈ”に設定
する場合がある。

【００３２】１．送受信切り替え信号を“Ｌ”に、減衰
器オン／オフ信号を“Ｌ”（オフ）に設定する場合（通
常受信時）この場合には、減衰器オン／オフ信号“Ｌ”をセレクト
信号として受けるアナログスイッチ１０は１番−２番間
が導通となり、Ｖ１端子に送受信切り替え信号の“Ｌ”
を与える。この結果、高周波スイッチ１のＶ１端子には
“Ｌ”、Ｖ２端子には“Ｈ”が与えられ、高周波スイッ
チは送信モードとなる。この時、ダイオードＤ１，Ｄ２
はオフ状態であり、高周波スイッチ１のアンテナ端子Ａ
ＮＴからみたストリップラインＳ１は高周波的にショー
ト、ストリップラインＳ２は高周波的にオープンとな
る。このため、アンテナ端子ＡＮＴと受信端子ＲＸとが
導通となり、アンテナからの信号が受信部に入力される
ことになる。

【００３３】２．送受信切り替え信号を“Ｌ”に、減衰
器オン／オフ信号を“Ｈ”（オン）に設定する場合（受
信減衰量制御時）この場合には、減衰器オン／オフ信号“Ｈ”をセレクト
信号として受けるアナログスイッチ１０は、１番−３番
間が導通となり、高周波スイッチ１のＶ１端子には減衰
量制御電圧発生部１１の出力電圧が印加されることにな
る。一方、ＮＯＲゲート１２の出力は“Ｌ”になり、高
周波スイッチ１のＶ２端子に“Ｌ”を与える。この結
果、ダイオードＤ１，Ｄ２共にオンとなる。この場合に
おいて、減衰量制御電圧発生器１１の出力電圧を調整し
て、ダイオードＤ１，Ｄ２のオン状態を調整し、高周波
スイッチ１のアンテナ端子ＡＮＴから受信端子ＲＸをみ
たインピーダンスを変化させることができる。この結
果、アンテナから受信端子ＲＸに流れる受信信号の振幅
は、ダイオードＤ１を含む回路とダイオードＤ２を含む
回路の抵抗の合成インピーダンスと、アンテナ回路との
インピーダンスとの分圧比により規定される。即ち、ア
ンテナから入った受信信号は、受信部に入る前に所定の
減衰を受けることになる。

【００３４】このように、この実施の形態例によれば、
高周波スイッチ１を送受信信号の切り替え用としても、
また受信信号の減衰制御用としても用いることができ
る。また、高周波スイッチ１を、ダイオードＤ１，Ｄ２
並びにストリップラインＳ１，Ｓ２を利用して経路のオ
ープンとオンを実現し、経路切り替えと、減衰量制御電
圧による受信信号の減衰量制御を行なうことができる。

【００３５】また、この実施の形態例によれば、高周波
スイッチ１の受信経路と送信経路を制御し、減衰量制御
電圧発生部１１の出力を高周波スイッチ１に与え、内部
半導体のオン／オフ制御電圧を可変することにより調整
して内部半導体の抵抗値を決定し、この抵抗の抵抗値を
所定の値に設定することにより、所望の受信信号の減衰
量を得ることができる。この発明の構成によれば、高周
波スイッチ１を受信信号減衰器としても利用することが
できるので、場所をとる可変減衰器を用いることなく、
受信信号の減衰を得ることができるので、小型化・低コ
スト化が可能となる。

【００３６】図６は本発明の第２の実施の形態例を示す
ブロック図である。図２と同一のものは、同一の符号を
付して示す。図中に示す表は、モード切り替えを示す論
理である。この実施の形態例は、高周波スイッチ１をＦ
ＥＴと抵抗とで構成したものである。Ｑ１とＱ２は、信
号経路に接続されるＦＥＴである。Ｑ１はアンテナ端子
ＡＮＴと受信端子ＲＸ間に接続され、Ｑ２はアンテナ端
子ＡＮＴと送信端子ＴＸ間に接続されている。Ｑ３はＲ
Ｘラインとグランド間に接続されたＦＥＴ、Ｑ４はＴＸ
ラインとグランド間に接続されたＦＥＴである。

【００３７】アナログスイッチ１０の出力は、高周波ス
イッチ１のＶ１端子に入力されるが、このＶ１端子は抵
抗Ｒ１とＲ２を介してＦＥＴＱ１，Ｑ４のゲートに接続
されている。また、ＮＯＲゲート１２の出力は、高周波
スイッチ１のＶ２端子に入力されるが、このＶ２端子は
抵抗Ｒ３とＲ４を介してＦＥＴＱ２，Ｑ３のゲートに接
続されている。この実施の形態例では、送受信切り替え
信号は、インバータ１３を介してアナログスイッチ１０
とＮＯＲゲート１２にそれぞれ与えられている。このよ
うに構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りで
ある。

【００３８】（１）送信時の動作送信時には送受信切り替え信号を“Ｈ”に、減衰器オン
／オフ信号を“Ｌ”に設定する。減衰器オン／オフ信号
“Ｌ”をセレクト信号として受けるアナログスイッチ１
０は１番−２番間が導通となり、Ｖ１端子に送受信切り
替え信号の“Ｈ”をインバータ１３で反転した“Ｌ”を
与える。この結果、高周波スイッチ１のＶ１端子には
“Ｌ”、Ｖ２端子には“Ｈ”が与えられる。この結果、
ＦＥＴＱ１はオフ、Ｑ２はオンとなり、送信部からの送
信信号は送信端子ＴＸからアンテナ端子ＡＮＴを経てア
ンテナに供給され、送信モードとなる。なお、この時、
ＦＥＴＱ３はオンになり、受信端子ＲＸをグランドに接
地し、ふらつかないようにしている。

【００３９】（２）受信時の動作１．通常受信時通常受信時は、送受信切り替え信号が“Ｌ”、減衰器オ
ン／オフ信号が“Ｌ”となる。アナログスイッチ１０は
１番−２番間が接続されるので、高周波スイッチ１のＶ
１端子にはインバータ１３の出力“Ｈ”が与えられ、高
周波スイッチ１のＶ２端子には、ＮＯＲゲート１２の出
力“Ｌ”が与えられる。この結果、ＦＥＴＱ１がオン、
ＦＥＴＱ２がオフとなり、アンテナからの信号は、アン
テナ端子ＡＮＴを経て受信端子ＲＸから受信部に与えら
れる。この時、Ｑ４がオンになり、送信端子ＴＸをグラ
ンドに接地し、ふらつかないようにしている。

【００４０】２．減衰器オン受信時この時には、減衰器オン／オフ制御信号が“Ｈ”にな
る。この結果、アナログスイッチ１０は、１番−３番間
が導通し、高周波スイッチ１のＶ１端子には減衰量制御
電圧発生部１１の出力が与えられる。これにより、ＦＥ
ＴＱ１は基本的にオフとなる。この時のＦＥＴＱ１のオ
フ状態を、減衰量制御電圧により調整することにより、
ＦＥＴＱ１のオフ抵抗をある値に設定し、受信端子ＲＸ
に与えられる受信信号を分圧し、アンテナ端子ＡＮＴと
受信端子ＲＸ間で所望の減衰量を得ている。

【００４１】このように、この実施の形態例によれば、
ＦＥＴをスイッチとして用いることにより、経路切り替
えと減衰量制御電圧によりＦＥＴの抵抗を所定の値に設
定することにより、受信信号の減衰量制御を行なうこと
ができる。

【００４２】図７は本発明をディジタルコードレス電話
機に適用した例を示すブロック図である。図１と同一の
ものは、同一の符号を付して示す。図において、１は高
周波スイッチ、１４は該高周波スイッチ１と接続される
アンテナ、１０はアナログスイッチ、１２はＮＯＲゲー
トである。

【００４３】２０は送信信号を発生する送信部で、その
出力は高周波スイッチ１の送信端子ＴＸに与えられる。
２１はシンセサイザ、２２は高周波スイッチ１の受信端
子ＲＸからの受信信号を受けるローノイズアンプ（ＬＮ
Ａ）、２３は該ローノイズアンプ２２の出力を受けるト
ップバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）、２４は該バンドパ
スフィルタ２３の出力及びシンセサイザ２１の出力信号
ＲＸ−Ｌ０１を受ける第１周波数変換器としてのミキ
サ、２５は該第１のミキサ２４の出力を受ける段間バン
ドパスフィルタ、２６は該バンドパスフィルタ２５の出
力及びシンセサイザ２１の出力信号ＲＸ−Ｌ０２を受け
る第２周波数変換器としてのミキサ、２７は該第２のミ
キサ２６の出力を受けるトップバンドパスフィルタであ
る。

【００４４】２８はバンドパスフィルタ２７の出力を受
け、受信電界強度を直流電圧として検出するＩＦ−Ｉ
Ｃ、２９は該ＩＦ−ＩＣ２８の出力を受けて受信信号の
復調を行なう復調器、３０は全体の動作を制御する制御
部である。復調器２９から受信データと受信クロックが
出力され、制御部３０に与えられている。３１は該制御
部３０から送信データと送信クロックを受けて、送信デ
ータを変調する変調器で、その出力は前記送信部２０に
与えられている。

【００４５】３２はオペレータからの操作信号を受ける
マンマシンインタフェース、３３は使用環境温度を検出
する温度センサ、３４は基準減衰量制御データ，環境温
度偏差データ，受信周波数偏差データ等が記憶されるＲ
ＯＭである。マンマシンインタフェース３２は制御部３
０と接続され、温度センサ３３の出力は制御部３０に与
えられる。３５は＋入力にＩＦ−ＩＣ２８のＲＳＳＩ
を、−入力に減衰器オンのしきい値電圧をそれぞれ受け
る第１の比較器、３６は＋入力にＩＦ−ＩＣ２８のＲＳ
ＳＩを、−入力に減衰器オフのしきい値電圧をそれぞれ
受ける第２の比較器である。

【００４６】３７はこれら比較器３５，３６の出力を受
けるオアゲートで、その出力は減衰器オン／オフ信号と
して前記アナログスイッチ１０及びＮＯＲゲート１２に
与えられている。３８は減衰器オン時加算電圧と減衰器
オフ時加算電圧を受けて、減衰器オン／オフ信号により
切り替えるアナログスイッチ、３９はＩＦ−ＩＣ２８の
ＲＳＳＩとアナログスイッチ３８の出力を受ける加算
器、４０は該加算器３９の出力をディジタルデータに変
換するＡ／Ｄ変換器である。該Ａ／Ｄ変換器４０の出力
は制御部３０に与えられている。４１は、制御部３０か
らのデータを受けてアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換
器である。制御部３０とＤ／Ａ変換器４１とで前述の減
衰量制御電圧発生部１１を構成している。このように構
成された回路の動作を説明すれば、以下の通りである。

【００４７】制御部３０は、マンマシンインタフェース
３２でオペレータとのインタフェースを行ない、ＴＤＭ
Ａ処理を行なう。制御部３０より出力された送信データ
は変調器３１により変調され、送信部２０により規定の
周波数・送信電力に周波数変換・増幅された後、アンテ
ナ１４より送信される。

【００４８】受信波は、ＬＮＡ２２〜ＩＦ−ＩＣ２８に
より低雑音増幅、帯域制限、周波数変換、振幅制限さ
れ、復調器２９により受信データが再生される。また、
ＩＦ−ＩＣ２８では受信電界強度を直流電圧として検出
する。比較器３５，３６及びオアゲート３７では、ＲＳ
ＳＩと減衰器オンしきい値電圧及び減衰器オフしきい値
電圧を比較し、減衰器オン／オフ制御信号を生成してい
る。ＲＳＳＩはＡ／Ｄ変換器４０でディジタルデータに
変換され、制御部３０に出力される。この時、制御部３
０には、アンテナ１４での受信レベルデータを出力する
必要があるため、減衰器オン時には減衰量に対応した直
流電圧分を加算器３９で加算し、最終のＲＳＳＩとする
構成となっている。

【００４９】減衰器制御電圧は、Ｄ／Ａ変換器４１によ
り生成されるが、制御データはＲＯＭ３４に格納された
基準減衰量制御データ，環境温度偏差データ，受信周波
数偏差データを制御部３０で加減算した結果となってい
る。

【００５０】従って、この実施の形態例によれば、温度
センサ３３で検出した温度に基づいて減衰量制御電圧発
生部に減衰量の温度補償を行なうことにより、温度変動
が生じる場合にも、正確な受信信号の減衰量制御を行な
うことができる。

【００５１】また、制御部３０から任意のデータをＤ／
Ａ変換器４１に与えることにより、減衰量制御電圧を任
意に設定することができる。また、環境温度毎の制御電
圧データをＲＯＭ３４に記憶しておき、減衰量の温度変
動を補償することにより、制御電圧の減衰量の温度変動
を補償することができる。

【００５２】また、受信周波数毎の制御電圧データをＲ
ＯＭ３４に記憶しておき、減衰量の周波数変動を補償す
ることにより、減衰量制御電圧の周波数変動を補償する
ことができる。

【００５３】また、基準減衰量制御電圧データ，環境温
度毎の制御電圧データ及び受信周波数毎の制御電圧デー
タをＲＯＭ３４に記憶しておき、それぞれの制御電圧を
加減算したものを減衰量制御電圧とすることにより、減
衰量の温度変動及び周波数変動を補償することができ
る。

【００５４】更に、受信レベル検出電圧（ＲＳＳＩ）を
基に、受信減衰器オン／オフ信号を生成することによ
り、受信減衰器オン／オフ信号を受信レベル検出電圧を
基に生成し、受信レベル検出電圧に応じた高周波スイッ
チの経路切り替えを行なうことができる。

【００５５】上述の実施の形態例では、本発明をディジ
タルコードレス電話機に適用した場合を例にとったが、
本発明はこれに限るものではない。ディジタル信号を無
線で送受する装置に適用することができる。

【００５６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、（１）アンテナ，送信部及び受信部と接続され、信号の
経路の切り替えと、受信信号の減衰量制御を行なう半導
体より構成された高周波スイッチと、該高周波スイッチ
の受信経路と送信経路を制御し、その経路のインピーダ
ンスを内部半導体のオン／オフ制御電圧を可変すること
により調整し、所望の受信信号の減衰量を得る減衰量調
整手段とにより構成されることにより、高周波スイッチ
１の受信経路と送信経路を制御し、減衰量制御電圧発生
部の出力を高周波スイッチに与え、内部半導体のオン／
オフ制御電圧を可変することにより調整して内部半導体
の抵抗値を決定し、この抵抗の抵抗値を所定の値に設定
することにより、所望の受信信号の減衰量を得ることが
できる。この発明の構成によれば、経路を切り換える高
周波スイッチ１を受信信号減衰器としても利用すること
ができるので、場所をとる可変減衰器を用いることな
く、受信信号の減衰を得ることができるので、小型化・
低コスト化が可能となる。

【００５７】（２）この場合において、前記高周波スイ
ッチにより送受信切り替え及び受信減衰量の制御を行な
うことにより、高周波スイッチを送受信信号の切り替え
用としても、また受信信号の減衰制御用としても用いる
ことができる。

【００５８】（３）また、前記高周波スイッチを、ダイ
オード並びにストリップラインにより構成することによ
り、ダイオードとストリップラインを利用して経路のオ
ープンとオンを実現し、経路切り替えと、減衰量制御電
圧による受信信号の減衰量制御を行なうことができる。

【００５９】（４）また、前記高周波スイッチを、ＦＥ
Ｔにより構成することにより、ＦＥＴをスイッチとして
用いることにより、経路切り替えと減衰量制御電圧によ
りＦＥＴの抵抗を所定の値に設定することにより、受信
信号の減衰量制御を行なうことができる。

【００６０】（５）また、前記減衰量調整手段として減
衰量制御電圧発生部の出力を前記高周波スイッチに与え
るものにおいて、該減衰量制御電圧発生部に減衰量の温
度補償回路を付加したことにより、温度変動が生じる場
合にも、正確な受信信号の減衰量制御を行なうことがで
きる。

【００６１】（６）また、前記減衰量制御電圧発生器を
制御部とＤ／Ａ変換器で構成することにより、制御部か
ら任意のデータをＤ／Ａ変換器に与えて、減衰量制御電
圧を任意に設定することができる。

【００６２】（７）また、環境温度毎の制御電圧データ
をメモリに記憶しておき、減衰量の温度変動を補償する
ことにより、制御電圧の減衰量の温度変動を補償するこ
とができる。

【００６３】（８）また、受信周波数毎の制御電圧デー
タをメモリに記憶しておき、減衰量の周波数変動を補償
することにより、減衰量制御電圧の周波数変動を補償す
ることができる。

【００６４】（９）また、基準減衰量制御電圧データ，
環境温度毎の制御電圧データ及び受信周波数毎の制御電
圧データをメモリに記憶しておき、それぞれの制御電圧
を加減算したものを減衰量制御電圧とすることにより、
減衰量の温度変動及び周波数変動を補償することができ
る。

【００６５】（１０）更に、受信レベル検出電圧を基
に、受信減衰器オン／オフ信号を生成することにより、
受信減衰器オン／オフ信号を受信レベル検出電圧を基に
生成することにより、受信レベル検出電圧に応じた高周
波スイッチの経路切り替えを行なうことができる。

【００６６】このように、本発明によれば、小型化・低
コスト化が可能な受信減衰器制御装置を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理ブロック図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態例を示すブロック図
である。

【図３】ストリップラインの動作説明図である。

【図４】高周波スイッチの構成例を示すブロック図であ
る。

【図５】各地点での波形を示す図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態例を示すブロック図
である。

【図７】本発明をディジタルコードレス電話機に適用し
た例を示すブロック図である。

【図８】従来装置の構成例を示すブロック図である。

【図９】従来の可変減衰器の構成例を示す図である。

【符号の説明】

１高周波スイッチ１０アナログスイッチ１１減衰量制御電圧発生部１２ＮＯＲゲート

フロントページの続き (72)発明者林崎智宮城県仙台市青葉区一番町１丁目２番25号富士通東北ディジタル・テクノロジ株式会社内 (72)発明者白勢昌人東京都立川市曙町１丁目21番１号富士通エーシーエス株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アンテナ，送信部及び受信部と接続さ
れ、信号の経路の切り替えと、受信信号の減衰量制御を
行なう半導体より構成された高周波スイッチと、該高周波スイッチの受信経路と送信経路を制御し、その
経路のインピーダンスを内部半導体のオン／オフ制御電
圧を可変することにより調整し、所望の受信信号の減衰
量を得る減衰量調整手段とにより構成されてなる受信減
衰器制御装置。
【請求項２】前記高周波スイッチにより送受信切り替
え及び受信減衰量の制御を行なうことを特徴とする請求
項１記載の受信減衰器制御装置。
【請求項３】前記高周波スイッチを、ダイオード並び
にストリップラインにより構成することを特徴とする請
求項１乃至２の何れかに記載の受信減衰器制御装置。
【請求項４】前記高周波スイッチを、ＦＥＴにより構
成することを特徴とする請求項１乃至２の何れかに記載
の受信減衰器制御装置。
【請求項５】前記減衰量調整手段として減衰量制御電
圧発生部の出力を前記高周波スイッチに与えるものにお
いて、該減衰量制御電圧発生部に減衰量の温度補償回路
を付加したことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに
記載の受信減衰器制御装置。
【請求項６】前記減衰量制御電圧発生器を制御部とＤ
／Ａ変換器で構成することを特徴とする請求項５記載の
受信減衰器制御装置。
【請求項７】環境温度毎の制御電圧データをメモリに
記憶しておき、減衰量の温度変動を補償するようにした
ことを特徴とする請求項６記載の受信減衰器制御装置。
【請求項８】受信周波数毎の制御電圧データをメモリ
に記憶しておき、減衰量の周波数変動を補償するように
したことを特徴とする請求項６記載の受信減衰器制御装
置。
【請求項９】基準減衰量制御電圧データ，環境温度毎
の制御電圧データ及び受信周波数毎の制御電圧データを
メモリに記憶しておき、それぞれの制御電圧を加減算し
たものを減衰量制御電圧とすることを特徴とする請求項
６記載の受信減衰器制御装置。
【請求項１０】受信レベル検出電圧を基に、受信減衰
器オン／オフ信号を生成するようにしたことを特徴とす
る請求項１記載の受信減衰器制御装置。