JPH10130209A - アミンの製法 - Google Patents
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Abstract
のアンモニア、1級アミン又は2級アミンとを、200
〜350℃及び100〜300バールで、不均一触媒の
存在下に反応させて下記式Iのアミン製造する場合に、
使用不均一触媒は担体上の第IVB族又は第VIB族の
酸化物又はそれらの混合物である。 [式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ
水素、C1〜C20−アルキル、C2〜C20−アルケニル、
C2〜C20、−アルキニル、C3〜C20−シクロアルキ
ル、C4〜C20−アルキルシクロアルキル、C4〜C20−
シクロアルキルアルキル、アリール、C7〜C20−アル
キルアリール、C7〜C20−アラルキルである。]
Description
で、大気圧より高い圧力で、第IVB族又は第VIB族
の酸化物又はその混合物の存在下でのアンモニア又は1
級もしくは2級アミンとオレフィンとの反応によるアミ
ンの製法に関する。
観は、"Functionalisation of Alkenes:Catalytic Amin
ation of Monoolefins " J.J.Brunet et al.J.Mol.Cata
l.49 (1989) 235-259 に記載されている。
在する。オレフィンは金属錯体を介して配位結合されて
いる。この活性化されたものが親核性アミンにより攻撃
され、より高度にアミノ化された生成物を形成すること
ができる。このアミンは酸中心又は金属中心のところで
(金属アミンを介して)化学吸着され得、この活性化さ
れた形でオレフィンと反応することができる。
は、大きな表面積と組み合わせて多くの触媒活性中心を
有する。ゼオライトは、タイプ及び後処理(例えば熱処
理、脱アルミニウム、酸処理、金属イオン交換など)で
異なることが記載されている。これらの例は、US−A
−4536602、EP−A−101921又はDE−
A−4206992に記載されている。
1451及びEP−A−132736には、オレフィン
からのアミンの製造のために、硼ケイ酸塩、ガロケイ酸
塩、アルミノケイ酸塩及びフェロケイ酸塩ゼオライトが
使用される方法が記載されており、これらゼオライトの
アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属のドーピ
ング可能性が指摘されている。
きい孔寸法を有する特定の組成の結晶アルミノシリケー
トとして定義されるBETA−ゼオライトが使用されて
いる方法でのオレフィンからのアミンの製法を記載して
いる。金属−又は酸−変性されたβ−ゼオライトが有利
に使用されている。
は、その複雑な製造法及び従ってその高価格である。熱
水合成によるモレキュラーシーブ(ゼオライトの例)の
選択的合成では、多くのパラメータ、例えば結晶化時
間、結晶化温度、圧力又はエージング工程を正確に保持
することが必要である。ゼオライト合成で通常使用され
ている構造−方向付け成分(テンプレート;template)
は、結晶化の後に除去しなければならない。原則とし
て、このテンプレートは、か焼により除去され、有機成
分は酸化的に分解される。環境及び経済的理由から、こ
れは非常に不利であると考えるべきである。
プロセスエンジニアリングにおける利点に基づき触媒と
して望ましい担持されたゼオライトの製造は、一般に、
非常に経費を要してのみ可能であり、場合によっては全
く不可能である。このゼオライトは非常に狭い孔寸法分
布を有する。この孔寸法は、ゼオライトのタイプに応じ
て、4〜約12Åまで変動する。
小さい分子のみがゼオライトの内部の触媒活性中心に達
する。より大きい寸法を有する反応成分は、この孔の内
部から排除される。
は、ゼオライトの内部中の触媒中心が孔直径よりも大き
いアミンの製造のためには利用できないことを意味す
る。
記の欠点を除き、特にオレフィンのアミノ化用の、その
製造がゼオライト触媒のそれよりも著しく簡単で、比較
的粗大なアミン分子に対しても有利な孔寸法分布を有す
る触媒を提供することである。
−A−469719に記載されている。Si及びAlの
組み合わせを除く2種以上の金属酸化物と組み合わされ
た沈降触媒の使用がJP−04082864に記載され
ている。
法で製造される酸化物触媒を記載している。ゲルの形成
は準安定な方法であり、従ってスケール−アップ(scal
e-up)は非常に困難である。
ミンを合成するすべての方法は、低いアミン収率又は低
い空時収率を示すか又は触媒の迅速な失活をもたらす。
ある。
つ改良された一般式Iのアミンの製造法により達成され
ることを発見した:式I:
びR6は、それぞれ水素、C1〜C20−アルキル、C
2〜C20−アルケニル、C2〜C20−アルキニル、
C3〜C20−シクロアルキル、C4〜C20−アルキ
ルシクロアルキル、C4〜C20−シクロアルキルアル
キル、アリール、C7〜C20−アルキルアリール、C
7〜C20−アラルキルであり、R1及びR2は、一緒
になって飽和又は不飽和ののC3〜C9−アルキレン鎖
を形成しており、R3又はR5は、C21〜C200−
アルキル又はC21〜C200−アルケニルであるか、
又はR3とR5が一緒になってC2〜C12−アルキレ
ン鎖を形成している]のアミンを製造するために、式I
I:
記のものを表す]のオレフィンと式III:
す]のアンモニア、1級アミン又は2級アミンとを、2
00〜350℃及び100〜300バールで、不均一触
媒の存在下に反応させる場合に、使用不均一触媒は担体
上の第IVB族又は第VIB族の酸化物又はそれらの混
合物である。
オレフィンII及びアンモニア又は1級アミン又は2級
アミンIIIを200〜350℃、好ましくは220〜
330℃、特に好ましくは230〜320℃で、200
〜300バール、好ましくは120〜300バール、特
に好ましくは140〜290バールで、触媒としての担
体上の第IVB族又は第VIB族の酸化物又はそれらの
混合物の存在下に、例えば耐圧性の反応器中で反応さ
せ、かつ好ましくは、得られたアミンを分離し、未変換
の出発物質を再利用することができる。
一緒に非常に高い収率を示す。更に、この触媒の失活は
抑制された。この触媒の製造は、単純かつ容易に再生可
能な方法で実施される。
る高い選択率が、小過剰のアンモニア又はアミンを用い
て達成され、使用オレフィンのジマー化及び/又はオリ
ゴマー化は避けられる。
モニア及び/又はアミンIIIをオレフィンIIと1:
1〜5:1のモル比で混合し、固定床反応器に供給し、
100〜300バール及び200〜350℃で、気相で
又は過臨界状態で反応させる。
ば蒸留又は抽出により、取り出された反応混合物から得
ることができ、必要ならば、更なる分離操作を用いて所
望の純度にすることができる。未変換の出発物質は、通
常、反応器に再循環させるのが有利である。
に炭素原子数2〜10を有するもの又はこれらの混合物
及びポリオレフィンが出発物質として使用することがで
きる。低い重合傾向に基づき、モノオレフィンはジ−及
びポリオレフィンよりもより好適であるが、これは大過
剰のアンモニア又はアミンを用いて選択的に変換するこ
とができる。平衡の位置及び従って所望のアミンへの変
換率は、選択される反応圧に非常に依存する。高圧が付
加生成物に好適であるが、一般に300バールまでの範
囲の圧力が工業的及び経済的理由から最適である。この
反応の選択率は、アンモニア/アミン過剰及び触媒等の
パラメータに加えて温度により高度に影響される。付加
反応の反応速度は温度の増加に伴い多大に増加するが、
オレフィンの競合的分解及び再結合反応が同時に促進さ
れる。更に、温度の増加は、熱力学的観点から有利では
ない。変換率と選択率に関連する最適温度の位置は、使
用オレフィン、アミン及び触媒の構成に依存し、一般に
200〜350℃である。
は、周期律表第IVB族及び第VIB族の元素の酸化物
又はこれらの混合物、即ち、チタン、ジルコニウム、ハ
フニウム、クロム、モリブデン及びタングステンの酸化
物、好ましくはジルコニウム及びタングステンの酸化物
である。好適な担体は、例えばSiO2、Al2O3、
TiO2、ZrO2、MgO、Fe2O3、SnO2又
はCeO2のような酸化物、又はそれらの混合物、例え
ばSiO2−Al2O3又はSiO2−TiO2、好ま
しくはSiO2、Al2O3、TiO2、Fe2O3、
SnO2、CeO2又は混合物、例えばSiO2−Al
2O3、炭化物又は窒化物、例えばWC、SiC又はS
i3N4、シート状珪酸塩、例えばモンモリロナイト、
カオリン、サポナイト又はバーミキュライト又はこれら
の混合物である。特にSiO260〜100重量%を含
有し、第IVB族及び/又はVIB族の酸化物の適用後
に、通常100〜1000、有利に120〜600m2
g−1のBET表面積を有する酸化物担体が有利であ
る。
TiO2、ZrO2、HfO2、Cr2O3、Cr
O2、CrO3、MoO2、MoO3、WO2及びWO
3が有利であり、TiO2、ZrO2、MoO3及びW
O3が特に有利であり、殊にZrO2及びWO3が有利
である。酸化物は、個々の酸化物として又は2種以上の
酸化物の組合せ物として使用でき、2種の酸化物の組合
せが有利であり、第IVB族の酸化物と第VIB族の酸
化物との組合せが特に有利である。この組合せのうち、
次のものが特に有効である:TiO2−WO3、TiO
2−MoO3、ZrO2−WO3及びZrO2−MoO
3、特にZrO2−WO3。
条件下に存在する形の間で変動可能であり、容易に還元
可能な金属酸化物、例えばMoO3は、アンモニア、オ
レフィン及びアミンよりなる反応混合物により、部分的
に又は完全に低い酸化状態に、即ちMoO2に変換され
る。例えば、担持された酸化物がか焼の後に高い酸化状
態で存在し、低い酸化状態が望ましい場合には、反応を
進行させる還元も使用できる。例えば、有機化合物、例
えばホルムアルデヒド、蓚酸、ギ酸又はイソプロパノー
ル又は有機還元剤、例えばNaBH4又はNH4HCO
2(ギ酸アンモニウム)又は水素も還元剤として使用で
きる。水素単独で又は不活性ガス、例えば窒素又はアル
ゴンで希釈された水素が有利である。
量は、各場合における酸化物及び担体の選択に依存す
る。一般に、有利な効果は、製造された触媒中に第IV
B族及び/又は第VIB族の金属を1重量%の量で有す
る触媒で得られ、40重量%より多い場合には、一般に
僅かな改善が得られるだけである。金属当たり第IVB
族又は第VIB族の金属又はそれらの混合物1〜40重
量%の量は、有利であり、特に担体上に5〜15、有利
に5〜10重量%のタングステン及び8〜25、好まし
くは10〜20重量%のジルコニウムを含有する不均一
触媒5〜20重量%が有利である。
することができる。経済的な理由から、一般に、浸漬又
は含浸が選択されるが、他の製造法、例えば化学的蒸着
も可能である。有利な1変法では、酸化物前駆体の溶液
を、乾燥された従って無水の担体に添加して酸化物前駆
体を均一に担体の上に分散させる。スプレー含浸の手段
で適用するのも有利であり、ここでは、担体を撹拌し、
含浸により導入されるべき酸化物前駆体の溶液でスプレ
ーして、スプレーされた溶液の均一な分散を得させる。
アルコール溶液を使用することができるが、経済的理由
から、水溶液が一般に選択される。好適な酸化物前駆体
は、引き続き酸化物に変換できる第IVB族及び第VI
B族の化合物の全てが有利である。この変換は、か焼
(calcination)より行うのが有利である。例えば、種
々の水溶性塩、例えばTiOSO4、TiOCl2又は
TiCl4の塩酸含有溶液、ZrO(NO3)2、タン
グステン酸(H2WO4)の水溶性塩が、例えばアンモ
ニア水中の三酸化タングステンの溶解時に、即ちモノタ
ングステートの形で、かつこれから酸化時に、例えばパ
ラタングステート又はメタタングステート、ヘプタモリ
ブデン酸アンモニウム又はCrCl3を形成するイソポ
リタングステートがこのタイプの酸化物前駆体として使
用できる。
の溶解性が低すぎる場合には、複数の工程で実施するこ
とができる。含浸が数回実施される場合には、この触媒
を中間的にも乾燥させ、か焼させる。複数の酸化物を担
体に適用すべき場合には、これは1以上の工程で行うこ
とができる。ここで決定的なことは、所望の量での双方
の酸化物の同時の適用を許容する見つけることができる
か否かである。その場合でないなら、2種の酸化物を連
続的に適用し、かつ乾燥及びか焼を中間的に実施するこ
とができる。適用の順序は、触媒に影響することがで
き、従って、酸化物の個々の組合せのために最適化すべ
きである。
する場合には、この場合のように例えば、シート状珪酸
塩又は非晶質アルミノ珪酸塩を用いて、酸化物前駆体の
適用は、イオン交換を用いて行うこともできる。この目
的のために、担体を連続的に又は回分的に過剰の酸化物
前駆体の溶液と接触させて、担体の交換可能なイオンを
第IVB族及び/又は第VIB族のそれと交換させる。
駆体のか焼は、酸化物前駆体を触媒活性酸化物へ変換さ
せる。か焼の時間及び選択された酸化物又は酸化物前駆
体に依存して、この温度は、250〜800℃、好まし
くは300〜600℃である。
浸漬又は含浸により製造される。しかしながら、粉末状
の担体に酸化物又はその前駆体を負荷させ、次いでこの
物質を慣用の1つの方法を用いて成形することもでき
る。この成形法のために結合剤を用いることができる
が、無機の結合剤は製造された成形体中の活性物質の含
有率を低める。
酸化物又はそれらの混合物は、種々の方法で変性して選
択率、時間−流(time-on-stream)及び可能な再生の数
を高めることができる。
族の成形されていない又は成形された酸化物又はその混
合物を担体上に施与し(他の)遷移金属、例えばSc、
Mn、Fe、Nb、Cu又はZn又は貴金属及び/又は
稀土類金属、例えばLa、Ce又はYでてイオン交換を
させるか又はドーピングさせることよりなる。
又は第VIB族の成形された新規酸化物又はそれらの混
合物を先ず流動管中に入れ、次いで、例えば溶解された
形の前記の金属のハロゲン化物、酢酸塩、蓚酸塩、クエ
ン酸塩又は硝酸塩を20〜100℃で流過させる。この
タイプのイオン交換は、例えば水素、アンモニウム及び
担体上の第IVB族又は第VIB族の新規酸化物又はそ
れらの混合物のアルカリ金属形上で実施することができ
る。
規酸化物又はそれらの混合物への金属の適用のもう一つ
の可能性は、この物質を、例えば水溶液又はアルコール
溶液の形の前記の金属のハロゲン化物、硝酸塩、酢酸
塩、蓚酸塩、クエン酸塩又は酸化物で含浸することであ
る。
燥し、所望によりか焼を繰り返すことができる。担体上
の第IVB族又は第VIB族の金属でドーピングされた
酸化物又はそれらの混合物の場合に、水素及び/又は蒸
気での後処理が有利であり得る。
(成形された又は成形されていない状態)上の第IVB
族又は第VIB族の新規酸化物又はそれらの混合物を
酸、例えば塩酸(HCl)、フッ化水素酸(HF)、硫
酸(H2SO4)、蓚酸(HO2C−CO2H)又は燐
酸(H3PO4)で処理することよりなる。
または第VIB族の新規酸化物又はこれらの混合物を、
その成形の前に前記の酸0.001〜2N、好ましくは
0.05〜0.5Nと共に1〜100時間還流させる。
濾過及び洗浄による分離に引き続き、通常100〜16
0℃での乾燥及び200〜600℃でのか焼を行う。も
う一つの特別な実施態様は、結合剤を有して成形された
後の担体上の第IVB族又は第VIB族の新規酸化物又
はそれらの混合物の酸処理よりなる。ここでは、担体上
の第IVB族又は第VIB族の新規酸化物を、通常、1
〜3時間、60〜80℃で、3〜25、好ましくは12
〜20%濃度の酸で処理し、次いで充分に洗浄し、10
0〜160℃で乾燥させ、200〜600℃でか焼させ
る。
塩、例えばNH4Cl又はモノ−、ジ−又はポリアミド
での交換を包含する。ここでは、担体上の第IVB族又
は第VIB族の成形された酸化物又はそれらの混合物
を、通常、酸化物対塩化アンモニウムの重量比1:15
を有する溶液中で、60〜80℃で、10〜25、好ま
しくは20%濃度のNH4Cl溶液で連続的な2時間の
交換を行い、次いで100〜120℃で乾燥させる。
例えば直径1〜4mmを有する押出成形体の形で、ビー
ズの形で又は例えば3〜5mmの粒径を有するペレット
の形で使用することができる。
れた物質がこの、触媒から得ることができ、例えばミリ
ング及び篩別により成形して押出し成形体を生じるさせ
ることができる。
R2、R3、R4、R5及びR6は次のものを意味す
る:R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞ
れ − 水素、 − C1〜C20−アルキル、好ましくはC1〜C12
−アルキル、特に好ましくはC1〜C8−アルキル、例
えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、イソブチイソブチル、s−ブチル、t−ブチ
ル、n−ペンチル、イソペンチル、n−ヘキシル、イソ
ヘキシル、n−ヘプチル、イソヘプチル、n−オクチル
又はイソオクチル、 − C2〜C20−アルケニル、好ましくはC2〜C
12−アルケニル、特に好ましくはC2〜C8−アルケ
ニル、例えばビニル又はアリル、 − C2〜C20−アルキニル、好ましくはC2〜C8
−アルキニル、特にC2H又はプロパルギル、 − C3〜C20−シクロアルキル、好ましくはC3〜
C12−シクロアルキル、特に好ましくはC5〜C8−
シクロアルキル、例えばシクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチル、又はシクロオクチル、 − C4〜C20−アルキルシクロアルキル、好ましく
はC4〜C12−アルキルシクロアルキル、特に好まし
くはC5〜C10−アルキルシクロアルキル、 − C4〜C20−シクロアルキルアルキル、好ましく
はC4〜C12−シクロアルキルアルキル、特に好まし
くはC5〜C10−シクロアルキルアルキル、 − アリール、例えばフェニル、1−ナフチル又は2−
ナフチル、好ましくはフェニル、 − C7〜C20−アルキルアリール、好ましくはC7
〜C16−アルキルアリール、特に好ましくはC7〜C
12−アルキルフェニル、例えば2−メチルフェニル、
3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2−エチル
フェニル、3−エチルフェニル又は4−エチルフェニ
ル、 − C7〜C20−アラルキル、好ましくはC7〜C
16−アラルキル、特に好ましくはC7〜C12−フェ
ニルアルキル、例えばフェニルメチル、1−フェニルエ
チル又は2−フェニルエチル、R1及びR2は、 − 一緒になって飽和又は不飽和のC3〜C9−アルキ
レン連鎖、好ましくは−(CH2)4−、−(CH2)
5−、−(CH2)7−又は−CH=CH−CH=CH
−を形成し、R3又はR5は、 − C21〜C200−アルキル、好ましくはC40〜
C200−アルキル、例えばポリブチル、ポリイソブチ
ル、ポリプロピル、ポリイソプロピル又はポリエチル、
特に好ましくはポリブチル又はポリイソブチル、 − C21〜C200−アルケニル、好ましくはC40
〜C200−アルケニル、特に好ましくはC70〜C
170−アルケニル、R3及びR5は、 − 一緒になってC2〜C12−アルキレン鎖、好まし
くはC3〜C8−アルキレン鎖、特に好ましくは−(C
H2)3−、−(CH2)4−、−(CH2)5−、−
(CH2)6−又は−(CH2)7−、特に−(C
H2)3−又は−(CH2)4−を形成している。
mm)よりなる(D11−10(R))。BET表面積
は 173m2g−1であった。
(R)) 触媒Bは、Engelhardtからの純粋SiO2ビーズ(1.
5〜3.5mm)よりなる(Siliperl(R) AF12
5)。BET表面積は300m2g−1であった。
3g中に溶かし、この溶液を触媒B820g上にノズル
を用いて40分かかってスプレーした。このような方法
で含浸された触媒を乾燥させ、450℃で2時間か焼さ
せた。次いで、NH3水(25%濃度)666g中に溶
かされたH2WO4116gを20分かかって適用し
た。このような方法で含浸された触媒を乾燥させ、35
0℃で2時間か焼させた。触媒Cは、ジルコニウム1
5.5重量%及びタングステン8.4重量%を含有し
た。
ジルコニウム12.1重量%及びタングステン7.8重
量%を含有し、BET表面積228m2g−1を有し
た。
0g中に溶かし、この溶液を触媒A600g上にノズル
を用いて25分かかってスプレーした。このような方法
で含浸された触媒を乾燥させ、450℃で2時間か焼さ
せた。次いで、H2WO4120gをNH3水(25%
濃度)690g中に溶かし、30分かかって適用した。
このような方法で含浸された触媒を乾燥させ、350℃
で2時間か焼させた。触媒Eはジルコニウム15.5重
量%及びタングステン8.4重量%を含有した。
(NO3)2・H2O2.7gの溶液を添加した。水を
減圧下に徐々に除去し、次いで、350℃で5時間か焼
させた。触媒Fは、ジルコニウム1重量%を含有し、B
ET表面積190m2g−1を有した。
00g中のH2WO412.5gの溶液を添加した。減
圧下に水を徐々に除去し、次いで、350℃で5時間か
焼させた。触媒Gは、タングステン7.6%を含有し、
BET表面積132m2g−1を有した。
O3)3・9H2O38gの溶液を添加した。減圧下に
水をゆっくり除去し、次いで500℃で2時間か焼させ
た。触媒Hは、鉄4.7重量%を含有し、BET表面積
181m2g −1を有した。
(NO3)2・H2O5.6gの溶液を添加した。減圧
下に水をゆっくり除去し、次いで500℃で2時間か焼
させた。触媒Iはジルコニウム1.9重量%を含有し、
BET表面積180m2g−1を有した。
(NO3)2・H2O2.7gの溶液を添加した。減圧
下に水をゆっくり除去し、次いで、120℃で3時間乾
燥させた。次いで、NH3水(25%濃度)100g中
のH2WO41.4gの溶液を添加した。減圧下に水を
ゆっくり除去し、次いで500℃で2時間か焼させた。
触媒Jは、ジルコニウム0.9重量%及びタングステン
1重量%を含有し、BET表面積138m2g−1を有
した。
00g中のH2WO425gの溶液を添加した。減圧下
に水をゆっくり除去し、次いで500℃で2時間か焼さ
せた。触媒Kは、タングステン14.5重量%を含有
し、BET表面積107m2g−1を有した。
O3)2・H2O 20.5gの溶液を添加した。減圧
下に水をゆっくり除去し、350℃で5時間か焼させ
た。触媒Lは ジルコニウム8.6重量%を含有した。
下に、かつ260〜300℃及び280バールで、イソ
ブテンとアンモニアとの1:1.5モル比の混合物を用
いて実施した。反応生成物をガスクロマトグラフィによ
り分析した。
体よりも著しく高い収率を有することを示す。他の酸化
物は低い活性を示している。
H8=1.5)
Claims (11)
- 【請求項1】 式I: 【化1】 [式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、そ
れぞれ水素、C1〜C20−アルキル、C2〜C20−
アルケニル、C2〜C20−アルキニル、C3〜C20
−シクロアルキル、C4〜C20−アルキルシクロアル
キル、C4〜C20−シクロアルキルアルキル、アリー
ル、C7〜C20−アルキルアリール、C7〜C20−
アラルキルであり、R1及びR2は、一緒になって置換
又は非置換のC3〜C9−アルキレン鎖を形成してお
り、R3又はR5は、C21〜C200−アルキル又は
C21〜C200−アルケニルであるか、又はR3とR
5が一緒になって、C2〜C12−アルキレン鎖を形成
している]のアミンを製造するために、式II: 【化2】 [式中、R3、R4、R5及びR6は、前記のものを表
す]のオレフィンと式III: 【化3】 [式中、R1及びR2は前記のものを表す]のアンモニ
ア、1級アミン又は2級アミンとを、200〜350℃
及び100〜300バールで、不均一触媒の存在下に反
応させる場合に、使用不均一触媒は担体上の第IVB族
又は第VIB族の酸化物又はそれらの混合物であること
を特徴とする、アミンの製法。 - 【請求項2】 形成されたアミンIを分離し、変換され
なかった出発物質II及びIIIを再使用する、請求項
1に記載のアミンの製法。 - 【請求項3】 使用オレフィンIIは、イソブテン、ジ
イソブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン又はポリ
イソブテンである、請求項1又は2に記載のアミンの製
法。 - 【請求項4】 第IVB族及び第VIB族の酸化物とし
て、TiO2、ZrO2、HfO2、Cr2O3、Cr
O2、CrO3、MoO2、MoO3、WO2、WO3
又はこれらの混合物を使用する、請求項1から3のいず
れか1項に記載のアミンの製法。 - 【請求項5】 担体上のWO3、ZrO2又はこれらの
混合物を使用する、請求項1から4のいずれか1項に記
載のアミンの製法。 - 【請求項6】 担体上にタングステン5〜15重量%及
びジルコニウム8〜25重量%を含有する不均一触媒を
使用する、請求項1から5のいずれか1項に記載のアミ
ンの製法。 - 【請求項7】 実質的にアルカリ金属イオン又はアルカ
リ土類金属イオンを含有しない不均一触媒として、第I
VB族又は第VIB族の酸化物又はこれらの混合物を使
用する、請求項1から6のいずれか1項に記載のアミン
の製法。 - 【請求項8】 担体上の第IVB族又は第VIB族の酸
化物又はこれらの混合物を、付加的に1種以上の遷移金
属又は1種以上の希土類元素でドーピングされた不均一
触媒として使用する、請求項1から7のいずれか1項に
記載のアミンの製法。 - 【請求項9】 担体はシリカ60〜100重量%を含有
する、請求項1から8のいずれか1項に記載のアミンの
製法。 - 【請求項10】 BET表面積100〜1000m2g
−1を有する不均一触媒を使用する、請求項1から9の
いずれか1項に記載のアミンの製法。 - 【請求項11】 BET表面積120〜600m2g
−1を有する不均一触媒を使用する、請求項1〜10の
いずれか1項に記載のアミンの製法。
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