JPH10125828A - Semiconductor device and manufacturing thereof - Google Patents
Semiconductor device and manufacturing thereofInfo
- Publication number
- JPH10125828A JPH10125828A JP8299776A JP29977696A JPH10125828A JP H10125828 A JPH10125828 A JP H10125828A JP 8299776 A JP8299776 A JP 8299776A JP 29977696 A JP29977696 A JP 29977696A JP H10125828 A JPH10125828 A JP H10125828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- tab
- sealing body
- semiconductor device
- resin sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、樹脂封止体の成形時におけるタブの遊動を
防止する技術に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッ
ケージを備えている半導体集積回路装置(以下、ICと
いう。)に利用して有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a technology for preventing a tab from floating during molding of a resin sealing body. For example, the present invention relates to a semiconductor device having a surface mount type resin sealing package. The present invention relates to a technology effective for use in an integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC).
【0002】[0002]
【従来の技術】表面実装形樹脂封止パッケージを備えて
いるICは、半導体ペレット(以下、ペレットとい
う。)と、ペレットがボンディングされているタブと、
ペレットの各ボンディングパッドにボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている複数本のインナリード
と、各インナリードにそれぞれ連結されているアウタリ
ードと、ペレット、タブおよび各インナリードを樹脂封
止する樹脂封止体とを備えている。一般に、樹脂封止体
におけるペレットの上の樹脂厚とタブの下の樹脂厚との
比(以下、上下比という。)が「1」に近づけば、樹脂
封止体に反りは発生しないが、「1」から離れると、樹
脂封止体に反りが発生する。そこで、従来は所謂タブ下
げを行って樹脂厚の上下比が「1」に近づけられてい
る。2. Description of the Related Art An IC provided with a surface-mount type resin-sealed package includes a semiconductor pellet (hereinafter, referred to as a pellet), a tab to which the pellet is bonded, and
A plurality of inner leads electrically connected to each bonding pad of the pellet via a bonding wire, outer leads respectively connected to each inner lead, and a resin for sealing the pellet, tab and each inner lead. And a sealing body. In general, if the ratio of the resin thickness above the pellet to the resin thickness below the tab (hereinafter referred to as the up-down ratio) of the resin sealing body approaches “1”, the resin sealing body does not warp. When the distance from “1” is increased, the resin sealing body is warped. Therefore, conventionally, a so-called tab lowering is performed to make the vertical ratio of the resin thickness close to “1”.
【0003】なお、樹脂封止パッケージを述べてある例
としては、株式会社日経BP社1993年5月31日発
行「VLSIパッケージング技術(上)」P155〜P
164がある。[0003] As an example in which a resin-sealed package is described, see “VLSI Packaging Technology (above)” published on May 31, 1993 by Nikkei BP, Inc.
There are 164.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前記した表面実装形樹
脂封止パッケージにおいては、樹脂封止体の全体の厚さ
が薄くなったり、タブが大きくなったり、インナリード
が密になったりした場合には、樹脂封止体の成形に際し
て成形材料である液状樹脂(以下、レジンという。)の
流れによってタブが動かされ、タブに変位が発生した
り、ワイヤが樹脂封止体から露出したり、ワイヤがペレ
ットに触れて短絡不良を発生したりすることがある。In the above-described surface-mount type resin-sealed package, when the entire thickness of the resin-sealed body becomes thin, the tab becomes large, or the inner leads become dense. The tab is moved by the flow of a liquid resin (hereinafter, referred to as a resin) as a molding material during molding of the resin sealing body, displacement of the tab occurs, a wire is exposed from the resin sealing body, The wire may touch the pellet and cause a short circuit failure.
【0005】本発明の目的は、樹脂封止体の成形時にお
けるタブの遊動を防止することができる半導体装置の製
造技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing technique capable of preventing a tab from floating during molding of a resin sealing body.
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.
【0008】すなわち、樹脂封止体を成形する成形型の
キャビティーの内面における少なくとも一主面にタブを
位置規制する位置規制凸部を突設しておき、成形後の樹
脂封止体に位置規制凸部によって成形された位置規制凸
部痕に樹脂を充填し、この位置規制凸部痕を充填樹脂部
によって埋め戻すことを特徴とする。In other words, at least one main surface of the inner surface of the cavity of the molding die for molding the resin sealing body is provided with a projection for regulating the position of the tab. A resin is filled into the position control protrusion mark formed by the control protrusion, and the position control protrusion mark is back-filled with the filled resin portion.
【0009】前記した手段によれば、樹脂封止体の成形
に際して、タブは位置規制凸部によって位置規制される
ため、キャビティーに注入される成形材料によってタブ
が遊動することは防止される。したがって、タブの遊動
に伴って発生するタブの変位や、ワイヤの樹脂封止体か
らの露出およびワイヤのペレットとの短絡不良等を未然
に回避することができる。According to the above-described means, the position of the tab is regulated by the position regulating projection when molding the resin sealing body, so that the tab is prevented from floating due to the molding material injected into the cavity. Therefore, it is possible to prevent the displacement of the tab caused by the movement of the tab, the exposure of the wire from the resin sealing body, the short-circuit failure of the wire with the pellet, and the like.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
半導体装置を示す一部切断斜視図である。図2以降はそ
の製造方法における各工程を示す各説明図である。FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 et seq. Are explanatory views showing respective steps in the manufacturing method.
【0011】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、表面実装形樹脂封止パッケージを備えているI
Cの一例である樹脂封止形TSOP・IC(Thin
Small Outline Package・IC。
以下、TSOP・ICという。)として構成されてい
る。TSOP・IC29は、ペレット22と、ペレット
22がボンディングされているタブ16と、ペレット2
2の各ボンディングパッド22aにボンディングワイヤ
23を介して電気的に接続されている複数本のインナリ
ード18と、各インナリード18にそれぞれ連結されて
いるアウタリード19と、ペレット22、タブ16およ
び各インナリード18を樹脂封止する樹脂封止体25と
を備えている。In the present embodiment, the semiconductor device according to the present invention is provided with a surface-mount type resin-sealed package.
C is an example of a resin-sealed TSOP IC (Thin
Small Outline Package IC.
Hereinafter, it is called TSOP IC. ). The TSOP IC 29 includes a pellet 22, a tab 16 to which the pellet 22 is bonded, and a pellet 2.
2, a plurality of inner leads 18 electrically connected to the respective bonding pads 22a via bonding wires 23, outer leads 19 respectively connected to the respective inner leads 18, pellets 22, tabs 16, and respective inner leads 18. And a resin sealing body 25 for sealing the leads 18 with resin.
【0012】樹脂封止体25は平面視が長方形の平盤形
状に形成されており、互いに対向する一対の主面(以
下、上面および下面とする。)には、樹脂封止体25の
成形に際してタブ16を位置規制した位置規制凸部によ
って上側位置規制凸部痕26aおよび下側位置規制凸部
痕26bがそれぞれ成形されているとともに、この上側
位置規制凸部痕26aおよび下側位置規制凸部痕26b
が充填樹脂部28、28によって埋め戻されている。The resin sealing body 25 is formed in a rectangular flat plate shape in a plan view. A pair of main surfaces (hereinafter referred to as an upper surface and a lower surface) facing each other are formed with the resin sealing body 25. At this time, the upper position restricting convex trace 26a and the lower position restricting convex trace 26b are formed by the position restricting convex that restricts the position of the tab 16, and the upper position restricting convex trace 26a and the lower position restricting convex are formed. Imprint 26b
Are filled back by the filled resin portions 28, 28.
【0013】以下、本発明の一実施形態であるTSOP
・ICの製造方法を説明する。この説明により、TSO
P・ICについての前記した構成の詳細が共に明らかに
される。Hereinafter, a TSOP according to an embodiment of the present invention will be described.
-A method for manufacturing an IC will be described. By this explanation, TSO
The details of the above-described configuration for the P-IC will be made clear together.
【0014】TSOP・ICの製造方法には、図2に示
されている多連リードフレーム11が使用されており、
多連リードフレーム11は多連リードフレーム成形工程
によって製作されて準備される。多連リードフレーム1
1は鉄−ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的
強度を有するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち
抜きプレス加工またはエッチング加工により一体成形さ
れている。多連リードフレーム11の表面には銀(A
g)等を用いためっき被膜(図示せず)が、後述するワ
イヤボンディングが適正に実施されるように部分的また
は全体的に施されている。多連リードフレーム11は複
数の単位リードフレーム12が横方向に一列に並設され
ている。但し、便宜上、一単位のみが図示されている。In the method of manufacturing the TSOP IC, the multiple lead frame 11 shown in FIG. 2 is used.
The multiple lead frame 11 is manufactured and prepared by a multiple lead frame forming process. Multiple lead frame 1
Reference numeral 1 denotes a thin plate made of a spring material having relatively large mechanical strength, such as an iron-nickel alloy or phosphor bronze, and is integrally formed by punching press work or etching work. The surface of the multiple lead frame 11 has silver (A
A plating film (not shown) using g) or the like is partially or entirely applied so that wire bonding described later is appropriately performed. In the multiple lead frame 11, a plurality of unit lead frames 12 are arranged in a row in the horizontal direction. However, for convenience, only one unit is shown.
【0015】単位リードフレーム12は位置決め孔13
aが開設されている外枠13を一対備えており、両外枠
13、13は所定の間隔で平行になるように配されて一
連にそれぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレ
ーム12、12間には一対のセクション枠14が両外枠
13、13間に互いに平行に配されて一体的に架設され
ており、これら外枠とセクション枠により形成された長
方形の枠体(フレーム)内に単位リードフレーム12が
構成されている。The unit lead frame 12 has a positioning hole 13
a is provided with a pair of outer frames 13 in which the two outer frames 13 are provided. The two outer frames 13, 13 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. A pair of section frames 14 are disposed between the adjacent unit lead frames 12 and 12 in parallel with each other between the outer frames 13 and 13 to be integrally bridged, and a rectangle formed by these outer frames and the section frames is formed. A unit lead frame 12 is formed in a frame (frame).
【0016】単位リードフレーム12において、両外枠
13、13にはタブ吊りリード15が中央にそれぞれ配
置されて直角方向に突設されており、両タブ吊りリード
15、15の先端間には正方形に形成されたタブ16が
一体的に支持されている。両タブ吊りリード15、15
はタブ16の付近においてそれぞれ屈曲されており、各
タブ吊りリード15の屈曲によって、タブ16は後記す
るインナリード群の面よりも、後記するペレットの厚さ
分程度下げられている(所謂タブ下げである。)。両外
枠13、13間には一対のダム部材17、17が、タブ
吊りリード15の両脇において平行に配されてそれぞれ
架設されている。ダム部材17の内側端辺にはインナリ
ード18が複数本、長手方向に等間隔に配されてダム部
材17と直交するように一体的に突設されており、各イ
ンナリード18の内側端部は先端がタブ16を取り囲む
ように配置されている。他方、ダム部材17の外側端辺
にはインナリード18と同数本のアウタリード19が、
インナリード18と対向するように配されてインナリー
ド18と一連になるように一体的に突設されている。各
アウタリード19の外側端部はセクション枠14にそれ
ぞれ連結されている。ダム部材17における隣り合うア
ウタリード19、19間の部分は、後述する樹脂封止体
成形時にレジンの流れをせき止めるダム17aを実質的
に構成している。In the unit lead frame 12, tab suspension leads 15 are disposed at the center of each of the outer frames 13 and 13 so as to protrude at right angles, and a square is provided between the tips of the tab suspension leads 15 and 15. Are integrally supported. Both tab suspension leads 15, 15
Are bent in the vicinity of the tab 16, and the tab 16 is lowered about the thickness of the pellet described later from the surface of the inner lead group described later by the bending of each tab suspension lead 15 (so-called tab lowering). Is.). A pair of dam members 17, 17 are provided between the outer frames 13, 13 in parallel on both sides of the tab suspension lead 15, and are respectively erected. A plurality of inner leads 18 are arranged on the inner end side of the dam member 17 at equal intervals in the longitudinal direction and are integrally protruded perpendicularly to the dam member 17. Are arranged so that the tip surrounds the tab 16. On the other hand, the same number of outer leads 19 as the inner leads 18 are provided on the outer edge of the dam member 17.
The inner lead 18 is disposed so as to face the inner lead 18, and is integrally formed with the inner lead 18 so as to protrude integrally therewith. The outer end of each outer lead 19 is connected to the section frame 14, respectively. The portion between the adjacent outer leads 19 in the dam member 17 substantially constitutes a dam 17a for damping the flow of the resin at the time of molding the resin sealing body described later.
【0017】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。The multiple lead frame 11 according to the above configuration prepared in the multiple lead frame forming step includes:
In the pellet bonding step and the wire bonding step, a pellet bonding operation is performed, followed by a wire bonding operation. These bonding operations are sequentially performed for each unit lead frame by feeding the multiple lead frames at a pitch in the horizontal direction.
【0018】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット22が、図3に示されているように、各単位リ
ードフレーム12におけるタブ16上の略中央部に配さ
れて、タブ16とペレット22との間に形成されたボン
ディング層21によって機械的に固着されることにより
ボンディングされる。ボンディング層21の形成手段と
しては、金−シリコン共晶層、はんだ付け層および銀ペ
ースト接着層等々によるボンディング法を用いることが
可能である。First, a pellet 22 as a semiconductor integrated circuit structure in which an integrated circuit is formed in a so-called pre-process in a manufacturing process of a semiconductor device by a pellet bonding operation, as shown in FIG. It is arranged at a substantially central portion on the tab 16 of the unit lead frame 12, and is bonded by being mechanically fixed by a bonding layer 21 formed between the tab 16 and the pellet 22. As a means for forming the bonding layer 21, a bonding method using a gold-silicon eutectic layer, a soldering layer, a silver paste adhesive layer, or the like can be used.
【0019】続いて、ワイヤ・ボンディング作業によ
り、図3に示されているように、タブ16の上にボンデ
ィングされたペレット22の各ボンディングパッド22
aと各インナリード18との間にはボンディングワイヤ
23が、超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワ
イヤボンディング装置(図示せず)が使用されることに
より、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡さ
れる。これにより、ペレット22に作り込まれている集
積回路はボンディングパッド22a、ボンディングワイ
ヤ23、インナリード18およびアウタリード19を介
して電気的に外部に引き出されることになる。Subsequently, as shown in FIG. 3, each bonding pad 22 of the pellet 22 bonded on the tab 16 is formed by a wire bonding operation.
A bonding wire 23 is bonded between the inner lead 18 and each inner lead 18 by using a wire bonding device (not shown) such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device. Get entangled. As a result, the integrated circuit formed in the pellet 22 is electrically drawn out to the outside via the bonding pad 22a, the bonding wire 23, the inner lead 18 and the outer lead 19.
【0020】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた図3に示されている組立体24に
は、各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体
25群が、図4に示されているトランスファ成形装置3
0が使用されて単位リードフレーム12群について同時
に成形される。As described above, the pellet and the wire
In the bonded assembly 24 shown in FIG. 3, a group of resin sealing bodies 25 for performing resin sealing for each unit lead frame is provided with the transfer molding apparatus 3 shown in FIG.
0 is used to simultaneously mold the group of unit lead frames 12.
【0021】図4に示されているトランスファ成形装置
30は、シリンダ装置等(図示せず)によって互いに型
締めされる一対の上型31と下型32とを備えており、
上型31と下型32との合わせ面には上型キャビティー
凹部33aと下型キャビティー凹部33bとが互いに協
働してキャビティー33を形成するようにそれぞれ複数
組没設されている。本実施例において、このキャビティ
ー33の全高はTSOP・ICに対応するために、1m
m以下に設定されている。The transfer molding apparatus 30 shown in FIG. 4 includes a pair of upper mold 31 and lower mold 32 which are clamped to each other by a cylinder device or the like (not shown).
On the mating surface of the upper mold 31 and the lower mold 32, a plurality of sets of upper mold cavity recesses 33a and lower mold cavity recesses 33b are respectively provided so as to form the cavities 33 in cooperation with each other. In the present embodiment, the total height of the cavity 33 is 1 m so as to correspond to TSOP IC.
m or less.
【0022】上型キャビティー凹部33aおよび下型キ
ャビティー凹部33bは平面から見て略長方形の穴形状
にそれぞれ形成されている。上型キャビティー凹部33
aの天井面および下型キャビティー凹部33bの底面に
はタブを位置規制する上側位置規制凸部40aおよび下
側位置規制凸部40bが一対ずつ、互いに対向するよう
に突設されている。すなわち、両上側位置規制凸部40
a、40aおよび両下側位置規制凸部40b、40b
は、タブ16と両方のタブ吊りリード15、15との接
続部に対向する各位置にそれぞれ配置されており、小径
側端面の直径が各タブ吊りリード15の幅以下の截頭円
錐形状にそれぞれ形成されている。The upper mold cavity recessed portion 33a and the lower mold cavity recessed portion 33b are each formed in a substantially rectangular hole shape when viewed from a plane. Upper cavity recess 33
A pair of upper position restricting convex portions 40a and lower position restricting convex portions 40b for restricting the position of the tabs are provided on the ceiling surface of a and the bottom surface of the lower mold cavity concave portion 33b so as to face each other. That is, both upper position regulating convex portions 40
a, 40a and both lower side position regulating projections 40b, 40b
Are arranged at respective positions facing the connection portion between the tab 16 and both tab suspension leads 15, 15. Is formed.
【0023】上型31の合わせ面にはポット34が開設
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ35が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。下型32の合わせ面にはカル36がポット3
4との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ37がカル36にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ37の他端
部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート38がレジンをキャビティ
ー33内に注入し得るように形成されている。また、下
型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11の外形
よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法
の一定深さに没設されている。A pot 34 is opened on the mating surface of the upper die 31 and a cylinder device (not shown) is provided in the pot 34.
The plunger 35 which is moved forward and backward is inserted so that resin (hereinafter, referred to as resin) as a molding material can be fed. Cull 36 is pot 3 on the mating surface of lower mold 32
4 and a plurality of runners 37 are arranged radially so as to be connected to the cull 36, respectively. The other end of each runner 37 is connected to the lower cavity recess 33b, and a gate 38 is formed at the connection so that the resin can be injected into the cavity 33. Also, a rectangular shape slightly larger than the outer shape of the multiple lead frame 11 and a constant depth substantially equal to the thickness of the multiple lead frame 11 are provided on the mating surface of the lower mold 32 so that the escape recess 39 can escape the thickness of the lead frame. Has been submerged.
【0024】トランスファ成形に際して前記構成にかか
る組立体24は、多連リードフレーム11が下型32に
没設されている逃げ凹所39内に収容され、各単位リー
ドフレーム12におけるペレット22が各キャビティー
33内にそれぞれ収容されるように配されてセットされ
る。この状態において、下型キャビティー凹部23bに
おける両下側位置規制凸部40b、40bは組立体24
の両タブ吊りリード15、15とタブ16との各接続部
にそれぞれ下側から丁度当接することにより、タブ16
を下側から位置規制した状態になる。In the transfer molding, the assembly 24 having the above structure is accommodated in an escape recess 39 in which the multiple lead frames 11 are submerged in the lower mold 32, and the pellets 22 in each unit lead frame 12 are stored in each cavity. They are arranged and set to be accommodated in the tees 33, respectively. In this state, the two lower position regulating projections 40b, 40b in the lower mold cavity recess 23b are
The tabs 16 are respectively brought into contact with the respective connecting portions between the tab suspension leads 15, 15 and the tabs 16 from the lower side.
Is restricted from below.
【0025】続いて、上型31と下型32とが型締めさ
れる。この状態において、上型キャビティー凹部23a
における両上側位置規制凸部40a、40aは組立体2
4の両タブ吊りリード15、15とタブ16との各接続
部にそれぞれ上側から丁度当接することにより、タブ1
6を上側から位置規制した状態になる。したがって、タ
ブ16の両脇は両上側位置規制凸部40a、40aおよ
び両下側位置規制凸部40b、40bによって上下から
挟持された状態になり、タブ16はキャビティー23内
において位置規制された状態になる。Subsequently, the upper mold 31 and the lower mold 32 are clamped. In this state, the upper mold cavity concave portion 23a
The upper side position regulating projections 40a, 40a of the assembly 2
The tab 1 is brought into contact with each connection portion between the tab suspension leads 15 and 15 and the tab 16 from the upper side.
6 is restricted from above. Therefore, both sides of the tab 16 are sandwiched from above and below by the upper position regulating protrusions 40a, 40a and the lower position regulating protrusions 40b, 40b, and the position of the tab 16 is regulated in the cavity 23. State.
【0026】その後、ポット34からプランジャ35に
よってレジン41がランナ37およびゲート38を通じ
て各キャビティー33に送給されて注入される。キャビ
ティー33に注入されたレジン41によってタブ16は
上下方向への力を付勢される状態になるが、タブ16の
両脇は両上側位置規制凸部40a、40aおよび両下側
位置規制凸部40b、40bによって上下から挟持され
た状態になっているため、タブ16が遊動することはな
い。したがって、タブ16の遊動に伴って発生するタブ
16の変位や、ワイヤ23の樹脂封止体25からの露出
およびワイヤ23のペレット22との短絡不良等は未然
に回避されることになる。Thereafter, the resin 41 is fed from the pot 34 to the respective cavities 33 through the runner 37 and the gate 38 by the plunger 35 and injected. The resin 16 injected into the cavity 33 puts the tab 16 in a state in which the tab 16 is urged in the vertical direction. Since the tabs 16 are sandwiched from above and below by the portions 40b, 40b, the tab 16 does not move. Therefore, the displacement of the tab 16 caused by the movement of the tab 16, the exposure of the wire 23 from the resin sealing body 25, the short-circuit failure of the wire 23 with the pellet 22, and the like can be avoided.
【0027】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
25が成形されると、上型31および下型32は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)により
樹脂封止体25群が離型される。このようにして、図5
に示されているように、樹脂封止体25群が成形された
成形体27はトランスファ成形装置30から脱装され
る。このように樹脂成形された樹脂封止体25の内部に
は、タブ16、ペレット22、インナリード18および
ワイヤ23が樹脂封止された状態になる。After the injection, when the resin is thermally cured to form the resin sealing body 25, the upper mold 31 and the lower mold 32 are opened, and the resin sealing body is ejected by an ejector pin (not shown). 25 groups are released. Thus, FIG.
As shown in (2), the molded body 27 in which the resin sealing bodies 25 are molded is detached from the transfer molding apparatus 30. The tab 16, the pellet 22, the inner lead 18, and the wire 23 are in a resin-sealed state inside the resin-sealed body 25 formed as described above.
【0028】本実施形態においては、上型キャビティー
凹部33aの天井面および下型キャビティー凹部33b
の底面には截頭円錐形状の上側位置規制凸部40aおよ
び下側位置規制凸部40bが一対ずつ、互いに対向する
ように突設されているので、樹脂封止体25の上面およ
び下面には各上側位置規制凸部40aによる各上側位置
規制凸部痕(以下、上側痕という。)26aおよび各下
側位置規制凸部40bによる各下側位置規制凸部痕(以
下、下側痕という。)26bがそれぞれ一対ずつ形成さ
れている。各上側痕26aおよび各下側痕26bは截頭
円錐形状の穴にそれぞれ形成されているとともに、タブ
吊りリード15を挟んで上下で互いに対向した状態にな
っている。したがって、両タブ吊りリード15、15は
両上側痕26a、26aおよび両下側痕26b、26b
の穴底でそれぞれ露出した状態になっている。In this embodiment, the ceiling surface of the upper mold cavity recess 33a and the lower mold cavity recess 33b
A pair of truncated cone-shaped upper position regulating protrusions 40a and lower position regulating protrusions 40b are formed on the bottom surface of the resin sealing body 25 so as to face each other. Each upper position regulating protrusion mark (hereinafter referred to as an upper mark) 26a by each upper position regulating protrusion 40a and each lower position regulating protrusion mark (hereinafter referred to as a lower mark) by each lower position regulating protrusion 40b. ) 26b are formed in pairs. The upper traces 26a and the lower traces 26b are formed in frusto-conical holes, respectively, and are vertically opposed to each other with the tab suspension lead 15 interposed therebetween. Therefore, both tab suspension leads 15, 15 are provided with both upper marks 26a, 26a and both lower marks 26b, 26b.
Each hole is exposed at the bottom of the hole.
【0029】その後、図6に示されているように、各上
側痕26aおよび下側痕26bにはゲル状の熱効果レジ
ンが充填され、各充填樹脂部28によってそれぞれ埋め
戻される。各充填樹脂部28によって各タブ吊りリード
15は完全に被覆された状態なるため、樹脂封止体25
は全体にわたって閉塞された状態になる。After that, as shown in FIG. 6, the upper traces 26a and the lower traces 26b are filled with a gel-like heat effect resin, and are buried by the filled resin portions 28, respectively. Since each tab suspension lead 15 is completely covered by each filling resin portion 28, the resin sealing body 25
Is totally closed.
【0030】その後、リード切断成形工程(図示せず)
において、各単位リードフレーム毎に外枠13、セクシ
ョン枠14およびダム17aが切り落とされるととも
に、各アウタリード19がガル・ウイング形状に屈曲形
成される。これにより、図1に示されている前記構成に
係るTSOP・IC29が製造されたことになる。Thereafter, a lead cutting and forming step (not shown)
In the above, the outer frame 13, the section frame 14, and the dam 17a are cut off for each unit lead frame, and the outer leads 19 are bent and formed in a gull-wing shape. Thus, the TSOP IC 29 according to the configuration shown in FIG. 1 is manufactured.
【0031】以上説明した前記実施形態によれば、次の
効果が得られる。 TSOP・ICの樹脂封止体の成形に際して、タブ
を位置規制凸部によって位置規制することにより、キャ
ビティーに注入されたレジンによってタブが遊動される
のを防止することができるため、タブの遊動に伴って発
生するタブの変位や、ワイヤの樹脂封止体からの露出お
よびワイヤのペレットとの短絡不良等を未然に回避する
ことができる。According to the above-described embodiment, the following effects can be obtained. In molding the resin-sealed body of the TSOP IC, by regulating the position of the tab with the position regulating convex portion, it is possible to prevent the resin injected into the cavity from floating the tab, so that the tab moves freely. The displacement of the tab, the exposure of the wire from the resin sealing body, and the short-circuit failure of the wire with the pellet can be avoided beforehand.
【0032】 前記により、TSOP・ICをさら
に薄形化させることができ、TSOP・ICの品質をさ
らに一層高めることができる。As described above, the thickness of the TSOP IC can be further reduced, and the quality of the TSOP IC can be further improved.
【0033】 タブの遊動を防止する位置規制凸部は
樹脂封止体を成形する成形型のキャビティーに凸部を突
設することにより形成することができるため、トランス
ファ成形装置の改造を最小限度に抑制することができ
る。The position restricting convex portion for preventing the tab from floating can be formed by projecting the convex portion into the cavity of the molding die for molding the resin sealing body, so that the modification of the transfer molding device can be minimized. Can be suppressed.
【0034】図7は本発明の実施形態2であるTSOP
・ICの製造方法における埋め戻し工程を示しており、
(a)は側面断面図、(b)は正面断面図である。FIG. 7 shows a TSOP according to the second embodiment of the present invention.
-Indicates a backfilling step in an IC manufacturing method,
(A) is a side sectional view, and (b) is a front sectional view.
【0035】本実施形態2が前記実施形態1と異なる点
は、タブ吊りリード15の上側位置規制凸部および下側
位置規制凸部に対向する部位に貫通孔15aが予め開設
されており、上側痕26aと下側痕26bとが貫通孔1
5aによって連通されている点にある。本実施形態2に
よれば、上側痕26aと下側痕26bとが貫通孔15a
によって連通されていることにより、充填樹脂部28の
成形に際して、上側痕26aおよび下側痕26bの内部
の空気が自動的に押し出されるため、上側痕26aおよ
び下側痕26b内に充填樹脂部28を適正に成形するこ
とができる。The second embodiment is different from the first embodiment in that a through hole 15a is previously formed in a portion of the tab suspension lead 15 facing the upper position regulating protrusion and the lower position regulating protrusion. The trace 26a and the lower trace 26b form the through hole 1
5a. According to the second embodiment, the upper trace 26a and the lower trace 26b are formed by the through holes 15a.
Is formed, the air inside the upper trace 26a and the lower trace 26b is automatically extruded during the molding of the filled resin portion 28, so that the filled resin portion 28 is inserted into the upper trace 26a and the lower trace 26b. Can be appropriately molded.
【0036】図8は本発明の実施形態3であるTSOP
・ICの製造方法における埋め戻し工程を示しており、
(a)は側面断面図、(b)は正面断面図である。FIG. 8 shows a TSOP according to the third embodiment of the present invention.
-Indicates a backfilling step in an IC manufacturing method,
(A) is a side sectional view, and (b) is a front sectional view.
【0037】本実施形態3が前記実施形態1と異なる点
は、上側痕26aの内径および下側痕26bの内径がタ
ブ吊りリード15の幅よりも大きく設定されることによ
り、上側痕26aと下側痕26bとが相互に連通されて
いる点にある。本実施形態3によれば、上側痕26aと
下側痕26bとが相互に連通されていることにより、充
填樹脂部28の成形に際して、上側痕26aおよび下側
痕26bの内部の空気が自動的に押し出されるため、上
側痕26aおよび下側痕26b内に充填樹脂部28を適
正に成形することができる。The third embodiment differs from the first embodiment in that the inner diameter of the upper mark 26a and the inner diameter of the lower mark 26b are set to be larger than the width of the tab suspension lead 15, so that the upper mark 26a and the lower mark 26a are different from each other. The point is that the side marks 26b are communicated with each other. According to the third embodiment, since the upper trace 26a and the lower trace 26b are communicated with each other, the air inside the upper trace 26a and the lower trace 26b is automatically formed when the filled resin portion 28 is molded. Therefore, the filled resin portion 28 can be appropriately molded in the upper trace 26a and the lower trace 26b.
【0038】図9は本発明の他の実施の形態であるTS
OP・ICを示しており、(a)は側面断面図、(b)
は正面断面図である。FIG. 9 shows a TS according to another embodiment of the present invention.
4A and 4B show OP · IC, (a) is a side sectional view, and (b)
Is a front sectional view.
【0039】本実施の形態に係るTSOP・IC29A
が前記実施の形態1に係るTSOP・ICと異なる点
は、上側痕26aの内径および下側痕26bの内径がタ
ブ吊りリード15の幅よりも大きく設定されているとと
もに、タブ吊りリード15における樹脂封止体25の成
形に際してタブ16の位置規制に使用された被位置規制
部が上側痕26aおよび下側痕26bの内部において打
抜き加工によって除去されており、上側痕26aおよび
下側痕26bは樹脂充填部によって埋め戻されていない
点にある。TSOP IC 29A according to the present embodiment
However, the difference from the TSOP IC according to the first embodiment is that the inner diameter of the upper trace 26a and the inner diameter of the lower trace 26b are set to be larger than the width of the tab suspension lead 15 and the resin in the tab suspension lead 15 The position-regulated portion used to regulate the position of the tab 16 during the molding of the sealing body 25 is removed by punching inside the upper trace 26a and the lower trace 26b, and the upper trace 26a and the lower trace 26b are made of resin. The point is that it is not backfilled by the filling section.
【0040】本実施の形態によれば、タブ16は上側位
置規制凸部および下側位置規制凸部によって位置規制さ
れることにより遊動を防止されるため、タブの遊動に伴
って発生するタブの変位や、ワイヤの樹脂封止体からの
露出およびワイヤのペレットとの短絡不良等を未然に回
避することができる。According to the present embodiment, the tab 16 is restricted in position by the upper position restricting convex portion and the lower position restricting convex portion, thereby preventing the tab 16 from floating. Displacement, exposure of the wire from the resin sealing body, short-circuit failure of the wire with the pellet, and the like can be avoided beforehand.
【0041】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
【0042】例えば、位置規制凸部はキャビティーの天
井面および底面の両方に突設するに限らず、天井面また
は底面の一方に突設してもよい。また、位置規制凸部は
一対配設するに限らず、1または3以上形成してもよ
い。For example, the position restricting projections are not limited to projecting from both the ceiling surface and the bottom surface of the cavity, but may be projecting from either the ceiling surface or the bottom surface. Further, the position regulating protrusions are not limited to being provided in a pair, but may be formed in one or three or more.
【0043】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるTSO
P・ICに適用した場合について主に説明したが、それ
に限定されるものではなく、その他の表面実装形樹脂封
止パッケージICや、挿入形樹脂封止パッケージIC等
の樹脂封止パッケージを備えている半導体装置全般に適
用することができる。特に、本発明は薄形の樹脂封止パ
ッケージを備えている半導体装置に適用して優れた効果
を得ることができる。In the above description, the invention made mainly by the present inventor is described in the field of application of TSO
Although the description has been given mainly of the case where the present invention is applied to a P-IC, the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to general semiconductor devices. In particular, the present invention can be applied to a semiconductor device having a thin resin-sealed package to obtain excellent effects.
【0044】[0044]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【0045】樹脂封止体の成形に際して、タブを位置規
制凸部によって位置規制することにより、キャビティー
に注入されたレジンによってタブが遊動するのを防止す
ることができるため、タブの遊動に伴って発生するタブ
の変位や、ワイヤの樹脂封止体からの露出およびワイヤ
のペレットとの短絡不良等を未然に回避することがで
き、半導体装置の品質および信頼性を高めることができ
る。When molding the resin sealing body, the position of the tab is regulated by the position regulating projection, so that the tab can be prevented from floating due to the resin injected into the cavity. As a result, the displacement of the tab, the exposure of the wire from the resin sealing body and the short-circuit failure of the wire with the pellet can be avoided beforehand, and the quality and reliability of the semiconductor device can be improved.
【図1】本発明の一実施形態であるTSOP・ICを示
す一部切断斜視図である。FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a TSOP IC according to an embodiment of the present invention.
【図2】そのTSOP・ICの製造方法に使用される多
連リードフレームを示しており、(a)は一部省略平面
図、(b)は正面図である。FIGS. 2A and 2B show a multiple lead frame used in the method of manufacturing the TSOP IC, where FIG. 2A is a partially omitted plan view and FIG. 2B is a front view.
【図3】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示しており、(a)は拡大した一部省略平面図、(b)
は(a)のb−b線に沿う断面図である。3A and 3B show a state after a pellet and a wire bonding step, and FIG. 3A is an enlarged partially omitted plan view, and FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view along the line bb in FIG.
【図4】樹脂封止体の成形工程を示しており、(a)は
一部省略側面断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う
断面図である。4A and 4B show a molding process of a resin sealing body, in which FIG. 4A is a partially omitted side sectional view, and FIG. 4B is a sectional view taken along line bb of FIG.
【図5】樹脂封止体成形後の組立体を示しており、
(a)は一部省略平面図、(b)は(a)の側面断面
図、(c)は(a)のc−c線に沿う断面図である。FIG. 5 shows the assembly after molding the resin sealing body;
(A) is a partially omitted plan view, (b) is a side cross-sectional view of (a), and (c) is a cross-sectional view along line cc of (a).
【図6】位置規制凸部痕の埋め戻し工程を示す一部切断
斜視図である。FIG. 6 is a partially cutaway perspective view showing a process of backfilling the position regulating protrusion mark.
【図7】本発明の実施形態2であるTSOP・ICの製
造方法における埋め戻し工程を示しており、(a)は側
面断面図、(b)は正面断面図である。FIGS. 7A and 7B show a backfilling step in a TSOP IC manufacturing method according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 7A is a side sectional view, and FIG.
【図8】本発明の実施形態3であるTSOP・ICの製
造方法における埋め戻し工程を示しており、(a)は側
面断面図、(b)は正面断面図である。8A and 8B show a backfilling step in the method of manufacturing a TSOP IC according to the third embodiment of the present invention, wherein FIG. 8A is a side sectional view, and FIG. 8B is a front sectional view.
【図9】本発明の他の実施の形態であるTSOP・IC
を示しており、(a)は側面断面図、(b)は正面断面
図である。FIG. 9 is a TSOP IC according to another embodiment of the present invention.
(A) is a side sectional view, and (b) is a front sectional view.
11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠、14…セクション枠、15…タブ吊り
リード、15a…貫通孔、16…タブ、17…ダム部
材、17a…ダム、18…インナリード、19…アウタ
リード、21…ボンディング層、22…ペレット、22
a…ボンディングパッド、23…ワイヤ、24…組立
体、25…樹脂封止体、26a…上側位置規制凸部痕
(上側痕)、26b…下側位置規制凸部痕(下側痕)、
27…樹脂封止体成形後の成形体、28…充填樹脂部、
29…TSOP・IC(半導体装置)、29A…TSO
P・IC(半導体装置)、30…トランスファ成形装
置、31…上型、32…下型、33…キャビティー、3
3a…上型キャビティー凹部、33b…下型キャビティ
ー凹部、34…ポット、35…プランジャ、36…カ
ル、37…ランナ、38…ゲート、39…逃げ凹所、4
0a…上側位置規制凸部、40b…下側位置規制凸部、
41…レジン。11: Multiple lead frame, 12: Unit lead frame, 13: Outer frame, 14: Section frame, 15: Tab suspension lead, 15a: Through hole, 16: Tab, 17: Dam member, 17a: Dam, 18: Inner Lead, 19: outer lead, 21: bonding layer, 22: pellet, 22
a ... bonding pad, 23 ... wire, 24 ... assembly, 25 ... resin sealing body, 26a ... upper position regulation protrusion mark (upper mark), 26b ... lower position regulation protrusion mark (lower mark),
27: molded body after resin molding, 28: filled resin part,
29: TSOP IC (semiconductor device), 29A: TSO
P · IC (semiconductor device), 30: transfer molding device, 31: upper die, 32: lower die, 33: cavity, 3
3a: upper mold cavity concave part, 33b: lower mold cavity concave part, 34: pot, 35 ... plunger, 36 ... cul, 37 ... runner, 38 ... gate, 39 ... escape concave part, 4
0a: Upper position regulating protrusion, 40b: Lower position regulating protrusion,
41 ... resin.
Claims (7)
ンディングされているタブと、各アウタリードにそれぞ
れ連結されて半導体ペレットに電気的に接続されている
複数本のインナリードと、半導体ペレット、タブおよび
各インナリードを樹脂封止する樹脂封止体とを備えてい
る半導体装置において、 前記樹脂封止体の成形に際して前記タブを位置規制した
位置規制凸部によって位置規制凸部痕が前記樹脂封止体
の少なくとも一主面に成形されているとともに、この位
置規制凸部痕が充填樹脂部によって埋め戻されているこ
とを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded, a plurality of inner leads connected to each outer lead and electrically connected to the semiconductor pellet, a semiconductor pellet, a tab and each inner lead. In a semiconductor device comprising: a resin sealing body for sealing a lead with a resin; A semiconductor device characterized by being formed on at least one main surface and having the position control protrusion mark back filled with a filling resin portion.
一方の主面だけに成形されていることを特徴とする請求
項1に記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the position regulating protrusion mark is formed only on one main surface of the resin sealing body.
ンディングされているタブと、各アウタリードにそれぞ
れ連結されて半導体ペレットに電気的に接続されている
複数本のインナリードと、半導体ペレット、タブおよび
各インナリードを樹脂封止する樹脂封止体とを備えてい
る半導体装置において、 前記樹脂封止体の成形に際して前記タブを位置規制した
位置規制凸部によって位置規制凸部痕が前記樹脂封止体
に成形されており、位置規制凸部痕の底に残存した被位
置規制部が除去されて前記位置規制凸部痕が貫通した状
態になっていることを特徴とする半導体装置。3. A semiconductor pellet, a tab to which the semiconductor pellet is bonded, a plurality of inner leads connected to the respective outer leads and electrically connected to the semiconductor pellet, a semiconductor pellet, a tab and each inner lead. In a semiconductor device comprising: a resin sealing body for sealing a lead with a resin; wherein a position regulating protrusion mark is formed on the resin sealing body by a position regulating protrusion that regulates the position of the tab during molding of the resin sealing body. A semiconductor device, which is formed and has a position-regulated portion remaining at the bottom of a position-regulating convex mark removed to remove the position-regulating convex mark.
互いに対向する一対の主面における対向する位置にそれ
ぞれ成形されていることを特徴とする請求項1または3
に記載の半導体装置。4. The resin sealing body according to claim 1, wherein the position regulating protrusion mark is formed at an opposing position on a pair of opposing main surfaces of the resin sealing body.
3. The semiconductor device according to claim 1.
方法であって、前記樹脂封止体が成形型のキャビティー
に成形用樹脂を充填されて成形される樹脂封止体成形工
程を備えている半導体装置の製造方法において、 前記キャビティーの内面における少なくとも一主面に前
記タブを位置規制する位置規制凸部が突設されており、 前記キャビティーによって成形された前記樹脂封止体に
前記位置規制凸部によって成形された位置規制凸部痕に
樹脂が充填され、この位置規制凸部痕が充填樹脂部によ
って埋め戻されることを特徴とする半導体装置の製造方
法。5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of molding the resin sealing body by filling a molding resin into a cavity of a molding die. In the method of manufacturing a semiconductor device provided, at least one main surface of the inner surface of the cavity is provided with a position restricting convex portion for restricting the position of the tab, and the resin sealing body molded by the cavity is provided. Wherein the resin is filled into the position-regulating protrusion mark formed by the position-controlling protrusion, and the position-controlling protrusion mark is back-filled by the filled resin portion.
貫通しており、前記位置規制凸部痕への樹脂の充填に際
して前記位置規制凸部痕内の空気が自動的に押し出され
ることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造
方法。6. The position control protrusion mark penetrates the resin sealing body, and when the resin is filled into the position control protrusion mark, air in the position control protrusion mark is automatically extruded. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein:
方法であって、前記樹脂封止体が成形型のキャビティー
に成形用樹脂を充填されて成形される樹脂封止体成形工
程を備えている半導体装置の製造方法において、 前記キャビティーの内面に前記タブを位置規制する位置
規制凸部が突設されており、 前記キャビティーによって成形された前記樹脂封止体に
前記位置規制凸部によって成形された位置規制凸部痕の
底に残存した被位置規制部が除去されることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。7. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the resin sealing body is molded by filling a molding resin into a cavity of a molding die. In the method for manufacturing a semiconductor device, a position regulating protrusion for regulating the position of the tab is projected from an inner surface of the cavity, and the position regulating protrusion is formed on the resin sealing body molded by the cavity. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: removing a position-regulated portion remaining at a bottom of a position-regulating convex mark formed by a portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8299776A JPH10125828A (en) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | Semiconductor device and manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8299776A JPH10125828A (en) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | Semiconductor device and manufacturing thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10125828A true JPH10125828A (en) | 1998-05-15 |
Family
ID=17876825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8299776A Pending JPH10125828A (en) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | Semiconductor device and manufacturing thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10125828A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278138A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Elpida Memory Inc | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-10-24 JP JP8299776A patent/JPH10125828A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278138A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Elpida Memory Inc | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2875139B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US5200366A (en) | Semiconductor device, its fabrication method and molding apparatus used therefor | |
US6224360B1 (en) | Resin sealing device for chip-size packages | |
JP3129660B2 (en) | Resin sealing method and resin sealing device for SON package | |
JPH0637130A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH10125828A (en) | Semiconductor device and manufacturing thereof | |
JPH10135399A (en) | Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using it | |
JPH088375A (en) | Semiconductor device, lead frame and mold for manufacturing semiconductor device | |
JP2002100722A (en) | Semiconductor device | |
JP2631520B2 (en) | Molding method for resin-sealed package | |
JP2724491B2 (en) | Molding equipment | |
JP2886250B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH1154685A (en) | Semiconductor device and lead frame used in the same | |
JP3747991B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH1027870A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JP3501935B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP3570400B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP3617574B2 (en) | Multiple-multi-row lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
JP4049782B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH05102217A (en) | Semiconductor device, manufacture thereof and molding apparatus used therefor | |
JPH09129661A (en) | Molding device and molding | |
JPH077120A (en) | Mounting structure for semiconductor device, mounting board and semiconductor device | |
JP4620710B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2005081695A (en) | Resin molding mold | |
JP2001145924A (en) | Mold device for molding resin using release film |