JPH10135399A - Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using it - Google Patents

Semiconductor device, manufacture thereof and lead frame using it

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JPH10135399A
JPH10135399A JP8305701A JP30570196A JPH10135399A JP H10135399 A JPH10135399 A JP H10135399A JP 8305701 A JP8305701 A JP 8305701A JP 30570196 A JP30570196 A JP 30570196A JP H10135399 A JPH10135399 A JP H10135399A
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JP
Japan
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wire
inner
inner lead
bonding
step
Prior art date
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Application number
JP8305701A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeki Tanaka
茂樹 田中
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
日立北海セミコンダクタ株式会社
株式会社日立製作所
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent mutual contact of wires in the case of a short pitch inner lead.
SOLUTION: In a QFP(quad flat package) IC 28, pads 23 (23a, 23b) are arranged in zigzag on a pellet 22 and every other inner lead 19 is provided with a level difference 19a by half etching. A lower stage wire 24a is bonded between the outer pad 23a and the level difference 19a of the inner lead 19 whereas an upper stage wire 24b is bonded between the inner pad 23b and the level difference 19b of the inner lead 19. Upper and lower stage wires 24b, 24a are arranged contiguously while alternating. Since the gap between adjacent upper and lower stage wires 24b, 24a can be widened, wire short can be prevented even if the wire is deflected at the time of forming a resin sealing body 26. The inner lead pitch can be set wider when the wire contact margin is set equal to a conventional value.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造技術、特に、リードフレームが使用される半導体装置の製造技術に関し、例えば、多ピンを備えている半導体集積回路装置に利用して有効なものに関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is a manufacturing technology of a semiconductor device, in particular, relates to a manufacturing technique of a semiconductor device lead frame is used, for example, effective to use the semiconductor integrated circuit device comprising a multi-pin on things.

【0002】 [0002]

【従来の技術】一般に、多ピンを備えている半導体集積回路装置(以下、ICという。)のパッケージの形態としては、クワッド・フラット・パッケージ(以下、QF In general, a semiconductor integrated circuit device comprising a multi-pin as the package form (hereinafter, referred to as IC.), Quad flat packages (hereinafter, QF
Pという。 That P. )が広く知られている。 ) It is widely known. すなわち、QFPを備えているIC(以下、QFP・ICという。)は、半導体集積回路が作り込まれている半導体ペレット(以下、ペレットという。)と、ペレットがボンディングされているタブと、タブの四方に放射状に配線されている複数本のインナリードと、各インナリードとペレットとの間にそれぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナリードにそれぞれ一体的に連設されているアウタリード群と、ペレット、インナリード群およびワイヤ群を樹脂封止する正方形平盤形状の樹脂封止体とを備えており、アウタリード群が樹脂封止体の4側面から突設されてガル・ウイング形状に屈曲されている。 That, IC that has a QFP (hereinafter. Referred QFP · IC), a semiconductor pellet semiconductor integrated circuit is fabricated (hereinafter, referred to. Pellets), and tabs pellets are bonded, tabs and a plurality of inner leads which are routed radially in all directions, and the wire group are respectively bridging between each of the inner leads and the pellet, and the outer lead groups respectively are integrally connected to each of the inner leads , pellets, bent inner lead groups and wire groups and a resin sealing body of a square flat plate shape resin sealing, the outer leads group is projected from four sides of the resin sealing body in gull-wing shape It is.

【0003】近年、このQFP・ICにおいても多ピン化やリードの狭ピッチ化が益々要求されて来ている。 [0003] In recent years, the narrow pitch of the number of pins or leads are coming are increasingly required in this QFP · IC. ところが、リードフレーム・パッケージの多ピン化の限界はリードフレームの加工限界によって制約されるため、 However, since the limit number of pins of the lead frame package is constrained by the processing limit of the lead frame,
QFP・ICのインナリードピッチは最小ピッチの限界に達している。 The inner lead pitch of QFP · IC has reached the limit of the minimum pitch.

【0004】なお、QFP・ICの多ピン化およびリードの狭ピッチ化を述べてある例としては、株式会社日経BP社1993年5月31日発行「VLSIパッケージング技術(下)」P165〜P170がある。 [0004] It should be noted, as an example that is mentioned a narrow pitch of the multi-pin and the lead of the QFP · IC, Ltd. Nikkei BP issued May 31, 1993 "VLSI Packaging Technology (below)" P165~P170 there is.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】隣合うインナリード間のピッチが狭いと、隣合うワイヤ同士のワイヤ流れに対する余裕が無くなるため、隣合うワイヤ同士の接触を充分に防止することができないという問題点がある。 When the pitch between THE INVENTION Problems to be Solved adjacent inner leads narrow, adjacent Since eliminates margin for wire sweep between wires, adjacent problem that it is impossible to sufficiently prevent contact between wires there is.

【0006】本発明の目的は、隣合うインナリード間のピッチが狭くても隣合うワイヤ同士の接触を防止することができる半導体装置の製造技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide technology for manufacturing a semiconductor device capable of preventing contact between wires adjacent even narrow pitch between adjacent inner leads.

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 [0007] The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。 If outlines of typical ones of the inventions disclosed in the present application Means for Solving the Problems], it is as follows.

【0009】すなわち、本発明に係る半導体装置は、インナリード群の少なくとも複数本に段差が形成されており、半導体ペレットとの間に橋絡されたワイヤ群のインナリード側ボンディング端部がインナリード群に交互に上段と下段との関係になるようにボンディングされていることを特徴とする。 [0009] That is, the semiconductor device according to the present invention, a step is formed on at least a plurality of inner lead group, bridged by wire group of the inner lead side bonding end inner lead between the semiconductor pellet characterized in that it is bonded to a relationship between the upper and lower alternately group.

【0010】前記した手段によれば、隣合うワイヤ同士が上段と下段との関係になることにより互いの間隔が広くなるため、同一のピッチであれば、隣合うワイヤ同士が上段と下段との関係に無い場合に比べて隣合うワイヤ同士の接触を防止することができる。 According to the above means, adjacent wires each other since the distance therebetween is widened by a relationship between the upper and lower, if the same pitch, adjacent wires to each other between the upper and lower it is possible to prevent contact between wires adjacent in comparison with the case without the relationship. また、隣合うワイヤ同士の接触に対する余裕(マージン)が同一になるように設定する場合には、隣合うインナリード間のピッチを広く設定することができる。 Further, when the margin (the margin) for contacting the adjacent wires together is set to be the same, it is possible to widely set the pitch between adjacent inner leads.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態であるQFP・ICを示しており、(a)は正面断面図、 Figure 1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION shows a QFP · IC according to an embodiment of the present invention, (a) is a front sectional view,
(b)は主要部の樹脂封止体を省略した拡大斜視図である。 (B) is an enlarged perspective view omitting the resin sealing body of the main unit. 図2以降は本発明の一実施形態であるQFP・IC Figure 2 and subsequent QFP · IC according to an embodiment of the present invention
の製造方法を示す各説明図である。 Which are the explanatory views showing a manufacturing method of.

【0012】本実施形態の半導体装置であるQFP・I [0012] which is a semiconductor device of the present embodiment QFP · I
C28は、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれているペレット22と、ペレット22がボンディングされているタブと、タブの四方に放射状に配線されている複数本のインナリードと、各インナリードとペレットとの間にそれぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナリードにそれぞれ一体的に連設されているアウタリード群と、ペレット、インナリード群およびワイヤ群を樹脂封止する正方形平盤形状の樹脂封止体とを備えており、 C28 is a pellet 22 of a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element is fabricated, the tabs pellets 22 are bonded, and a plurality of inner leads which are routed radially in all directions of the tab, each of the inner leads each bridge wire group being contacted by the outer lead group are integrally connected respectively to each of the inner leads, pellets, square flat disc shape the inner lead groups and wire group resin sealing between the pellet and a resin sealing body,
アウタリード群が樹脂封止体の4側面から突設されてガル・ウイング形状に屈曲されている。 Outer leads group is projected from four sides of the resin sealing body are bent in gull-wing shape. 隣合うインナリードには段差がハーフエッチング加工によって交互に形成されており、ワイヤのインナリード側ボンディング端部が1個置きに段差の下段にボンディングされている。 The adjacent inner leads are alternately formed stepped by the half etching, the inner lead side bonding end portion of the wire is bonded to the lower step on every one.

【0013】そして、前記構成に係るQFP・ICは次の半導体装置の製造方法により製造されている。 [0013] Then, QFP · IC according to the configuration is produced by the production method of the following semiconductor device. 以下、 Less than,
本発明の一実施形態であるQFP・ICの製造方法を説明する。 The method of manufacturing QFP · IC according to an embodiment of the present invention will be described. この説明により、前記したQFP・ICの構成の詳細が明らかにされる。 This description, details are revealed in the structure of the QFP · IC described above.

【0014】本実施形態において、QFP・ICの製造方法には図2に示されている多連リードフレーム11が使用されている。 In the present embodiment, the manufacturing method of the QFP · IC multiple lead frame 11 shown in FIG. 2 is used. 多連リードフレーム11は鉄−ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的強度を有するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工またはエッチング加工等の適当な手段により一体成形されている。 Multiple lead frame 11 of iron - and thin is used consisting of a spring material having a relatively high mechanical strength, such as nickel alloy or phosphor bronze, and is integrally formed by punching press working or suitable means of etching or the like . 多連リードフレーム11には複数の単位リードフレーム12が横方向に1列に並設されている。 The multiple lead frame 11 a plurality of unit lead frame 12 are arranged in a row in the lateral direction. 但し、便宜上、一単位のみが図示および説明されている。 However, for convenience, only one unit is shown and described.
単位リードフレーム12は位置決め孔13aが開設されている外枠13を一対備えており、両外枠13、13は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ延設されている。 Unit lead frame 12 includes a pair of outer frame 13 in which the positioning holes 13a is opened, outer frames 13, 13 are extended respectively to the series arranged in parallel at predetermined intervals. 隣合う単位リードフレーム12、12 Unit lead frames 12 and 12 adjacent to each other
間には一対のセクション枠14が両外枠13、13間に互いに平行に配されて一体的に架設されており、これら外枠、セクション枠により形成される略正方形の枠体(フレーム)内に単位リードフレーム12が構成されている。 It is integrally bridged arranged in parallel with each other between the pair of sections frame 14 outer frames 13, 13 between these outer frame, the frame body of substantially square formed by the section frame (frame) in unit lead frame 12 is configured.

【0015】各単位リードフレーム12において、外枠13およびセクション枠14の接続部にはダム吊り部材15が一体的に突設されており、各ダム吊り部材15には4本のダム部材16が略正方形の枠形状になるように配されて一体的に吊持されている。 [0015] In each of the unit lead frame 12, the connecting portion of the outer frame 13 and section frame 14 dam hanging member 15 are protruded integrally, the four dam member 16 in the dam hanging member 15 It is integrally hung arranged so as to frame the shape of substantially square. また、各ダム部材1 In addition, each dam member 1
6にはタブ吊りリード17が略45度方向に突設されており、各タブ吊りリード17の先端には略正方形の平板形状に形成されたタブ18がダム部材16群の枠形状と同心的に配されて、これらタブ吊りリード17により吊持されるように連設されている。 The 6 are projected to the tab suspension leads 17 are substantially 45 ° direction, the frame shape concentric with a substantially tabs 18 dam member 16 group formed in a flat plate shape of a square at the tip of each tab suspension lead 17 the arranged, are continuously provided so as to be suspended by these tab suspension leads 17. 各タブ吊りリード17 Each tab suspension lead 17
は2回背向するようにそれぞれ屈曲されており、この屈曲によって、タブ18は後記するインナリード群を含む平面よりも、後記するペレットの厚さ分程度下げられている。 Are bent respectively to 2 KaiseMuko, this bending, the tab 18 than a plane including the inner lead group to be described later, it has been lowered corresponding to the thickness of about later pelletizing. 所謂タブ下げである。 So-called a tab lowering.

【0016】各ダム部材16の内側端辺には電気配線としてのインナリード19が複数本、長手方向に等間隔に配されて直角にそれぞれ突設されており、インナリード19群の先端部はタブ18を取り囲むように放射状に配線されている。 The inner leads 19 are a plurality of the electric wires to inner end edges of the dam member 16 are projected at right angles, respectively are arranged at equal intervals in the longitudinal direction, the leading end portion of the inner lead 19 group It is wired radially so as to surround the tab 18. インナリード19の先端部群のうち1個置きの各先端部には、各段差19aがハーフエッチング加工によってそれぞれ形成されている。 Each distal end portion of one every of the tip unit of the inner lead 19, the steps 19a are respectively formed by the half etching. 段差19aはインナリード19の厚みの半分程度だけ一定深さ切り欠かれており、段差19aにおける厚さはインナリード19 Steps 19a are all constant depth cutting only about half the thickness of the inner lead 19, the thickness of the level difference 19a is the inner lead 19
の厚さの半分程度になっている。 It has become the order of the thickness half. 段差19aの先端辺からの奥行き寸法は、約0.1mmに設定されている。 Depth from the tip side of the step 19a is set to approximately 0.1 mm.

【0017】他方、各ダム部材16の外側端辺には外部端子としてのアウタリード20が複数本、長手方向に等間隔に配されて直角にそれぞれ突設されており、各アウタリード20の内側端は各インナリード19の外側端に一直線になるように設定されている。 [0017] On the other hand, the outer lead 20 is a plurality of external terminals to the outer end side of each dam member 16 are projected at right angles, respectively are arranged at equal intervals in the longitudinal direction, the inner end of each outer lead 20 It is set to be aligned to the outer end of each of the inner leads 19. 各アウタリード2 Each outer leads 2
0の外側端は外枠13およびセクション枠14に連結されている。 The outer end of the 0 is connected to the outer frame 13 and section frame 14. ダム部材16における隣り合うアウタリード20、20間の部分は、後述する樹脂封止体成形時にレジンの流れをせき止めるダム16aを構成するようになっている。 Portion between the outer leads 20, 20 adjacent the dam member 16 is adapted to constitute a dam 16a which damming the flow of resin during resin sealing body molding to be described later.

【0018】多連リードフレーム成形工程において準備された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、 [0018] multiple lead frame 11 according to the prepared above configuration in multiple lead frame forming step,
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディング工程において、ペレット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。 In pellet bonding process and wire bonding process, the pellet-bonding work, followed by wire bonding work is performed. これらボンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次実施される。 These bonding work is by array type lead frame is laterally pitch feed, it is sequentially performed for each unit lead frame. このピッチ送りに際して、段差19aはハーフエッチング加工によって形成され、インナリード1 During this pitch feed, steps 19a are formed by half-etching process, the inner leads 1
9の下面には突出部がないため、引っ掛かることなく円滑なピッチ送りが確保される。 Since there is no protrusion on the lower surface of 9, smooth pitch feed without being caught is ensured.

【0019】まず、ペレット・ボンディング作業において、図3に示されているように、正方形の小平板形状に形成されたペレット22が各単位リードフレーム12におけるタブ18の上に配されて、タブ18とペレット2 Firstly, the pellet bonding operation, as shown in FIG. 3, the pellets 22 formed in the small plate-shaped square is disposed on the tab 18 in each unit lead frame 12, the tab 18 the pellet 2
2との間に形成されたボンディング層21によって機械的に固着される。 It is mechanically fixed by a bonding layer 21 formed between the two. ちなみに、ボンディング層21の形成手段としては、銀ペースト接着層によるペレットボンディング法が用いられている。 Incidentally, as the means for forming the bonding layer 21, the pellet bonding method is used with silver paste adhesive layer. 但し、必要に応じて、金− However, if necessary, gold -
シリコン共晶層およびはんだ付け層によるペレットボンディング法を用いることが可能である。 A silicon eutectic layer and the waveguide laser it is possible to use a pellet bonding method.

【0020】ペレット22はICの製造工程における所謂前工程において半導体ウエハの状態で半導体素子を含む半導体集積回路を作り込まれた後に、ICの製造工程における所謂後工程である組立工程のダイシング工程で半導体ウエハを分断されて製造される。 [0020] After the pellets 22 which is built of a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element in a state of a semiconductor wafer in the so-called pre-process in the manufacturing process of the IC, in the dicing step of the assembly process is a so-called post-process in the manufacturing process of the IC is produced is divided semiconductor wafer. 本実施形態において、図3に示されているように、ペレット22のボンディングパッド(以下、パッドという。)23は外側列と内側列との2列に配列されており、かつまた、外側列のパッド(以下、外側パッドという。)23aと、内側列のパッド(以下、内側パッドという。)23bとは千鳥状になるように配置されている。 In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the bonding pads of the pellet 22 (hereinafter. Referred pads) 23 are arranged in two rows between the outer column and the inner column, and also, the outer column pad (hereinafter, referred to as the outer pad.) 23a, the inner row pad (hereinafter, referred to inner pad.) are arranged so as to be staggered and 23b. ちなみに、パッド2 By the way, pad 2
3群は前工程においてウエハの状態で形成される。 Group 3 is formed in a state of the wafer in the previous step.

【0021】続いて、図3に示されているように、電気配線としてのワイヤ24がペレット22のパッド23と各インナリード19の先端部との間に、図4および図5 [0021] Subsequently, as shown in FIG. 3, between the wires 24 as an electric wiring and pads 23 of the pellet 22 and the tips of the inner leads 19, FIGS. 4 and 5
に示されている超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置が使用されて橋絡される。 And has ultrasonic thermocompression bonding type wire bonding apparatus shown in is used in bridging. これにより、ペレット22に作り込まれた集積回路はパッド23、ワイヤ24およびインナリード19を介してアウタリード20に電気的に外部に引き出された状態になる。 Thus, an integrated circuit which is built into a pellet 22 is pad 23, a state in which electrically drawn to the outside outer lead 20 through the wire 24 and the inner leads 19.

【0022】この際、一端がペレット22の外側パッド23aに第1ボンディングされたワイヤ(以下、下段ワイヤという。)24aの第2ボンディングは、第2ボンディング位置が下段になるインナリード19の段差19 [0022] At this time, one end first bonded wires outside the pad 23a of the pellets 22 second bonding (hereinafter, the lower wire called.) 24a is stepped 19 of inner lead 19 second bonding position is lower
aに実施され、一端がペレット22の内側パッド23b Conducted in a, inside pad 23b for one end of the pellet 22
に第1ボンディングされたワイヤ(以下、上段ワイヤという。)24bの第2ボンディングは、第2ボンディング位置が上段になる段差の無いインナリード19の先端部上面19bに実施される。 The first bonded wires (hereinafter, referred to as upper wires.) 24b second bonding is carried out to the tip upper face 19b of the step-free inner leads 19 in which the second bonding position is the upper.

【0023】ここで、ワイヤボンディング作業について説明する。 [0023] Here will be described the wire bonding operation. 図4および図5に示されているワイヤボンディング装置30はペレット22のパッド23と各インナリード19の先端部との間にワイヤ24を橋絡するように構成されている。 4 and the wire bonding apparatus 30 shown in FIG. 5 is composed of the wire 24 so as to bridge between the pad 23 of the pellet 22 and the tips of the inner leads 19. ワイヤボンディング装置30はフィーダ31を備えており、フィーダ31は多連リードフレーム11を長手方向について摺動自在に保持して、単位リードフレーム12のピッチをもって歩進送りし得るように構成されている。 Wire bonding apparatus 30 includes a feeder 31, the feeder 31 holds slidably the array type lead frame 11 in the longitudinal direction, and is configured so as to feed stepping with the pitch of the unit lead frames 12 . フィーダ31にはヒートブロック32が単位リードフレーム12毎に加熱し得るように設備されている。 Are facilities to heat block 32 can be heated in each unit lead frame 12 to the feeder 31. フィーダ31におけるボンディングステージの外部にはXYテーブル33がXY方向に移動し得るように設備されており、XYテーブル33の上にはボンディングヘッド34が搭載されている。 Outside the bonding stage in the feeder 31 are facilities to the XY table 33 can move in the XY direction, the bonding head 34 on the XY table 33 is mounted. ボンディングヘッド34にはボンディングアーム35が基端を回転自在に軸支されて支持されており、ボンディングアーム3 The bonding head 34 is supported bonding arm 35 is rotatably supported a proximal end, bonding arm 3
5はその先端に固設されたキャピラリー36を上下動させるように、カム機構(図示せず)により駆動されるように構成されている。 5 so as to move up and down the capillary 36 fixed to the tip, and is configured to be driven by a cam mechanism (not shown). また、ボンディングヘッド34にはボンディングアーム35を通じてキャピラリー36を超音波振動させる超音波発振装置(図示せず)が設備されている。 The ultrasonic oscillator for ultrasonically vibrating the capillary 36 through the bonding arm 35 to the bonding head 34 (not shown) are facilities.

【0024】ボンディングアーム35の上側には一対のクランパアーム37、38が電磁プランジャ機構等の適当な手段(図示せず)によって作動されるように設備されており、両クランパアーム37、38の各先端はキャピラリー36の真上位置に配されてクランパ39を構成している。 [0024] are facilities to be actuated pair of clamper arm 37, 38 on the upper side of the bonding arm 35 by suitable means such as an electromagnetic plunger mechanism (not shown), each of the two damper arm 37, 38 tip constitutes the clamper 39 is disposed directly above the position of the capillary 36. クランパ39にはリール(図示せず)から繰り出されるワイヤ素材58がガイド40を介して挿通されており、ワイヤ素材58はさらにキャピラリー36に挿通されている。 The clamper 39 and the wire material 58 fed out from a reel (not shown) is inserted through the guide 40, the wire material 58 is further inserted into the capillary 36. キャピラリー36の近傍には放電電極41が独立して設備されており、放電電極41は上端部が回転自在に軸支されることにより、先端部がキャピラリー36の下方位置すなわちワイヤ素材58の先端の真下位置と、キャピラリー36の側方位置(退避位置)との間を移動されるように構成されている。 In the vicinity of the capillary 36 is facilities discharge electrodes 41 independently, the discharge electrode 41 by the upper end portion is rotatably supported, tip of the tip of the lower position, i.e. the wire material 58 of the capillary 36 and position directly below, and is configured to be moved between the lateral position of the optics 36 (retracted position). また、放電電極41と前記クランパ39との間には電源回路42が接続されており、放電電極41とワイヤ素材58の間で放電アークを生成させるようになっている。 Also, so as to produce a discharge arc between the power supply circuit 42 is connected to the discharge electrode 41 and the wire material 58 between the discharge electrode 41 and the clamper 39.

【0025】ワイヤボンディング装置30はワイヤ素材58の先端で生成されるボールの周囲にガスを供給することによってガス雰囲気を形成するためのチューブ43 The wire bonding apparatus 30 includes tubes 43 for forming a gas atmosphere by supplying the gas around the ball to be generated at the tip of the wire material 58
を備えており、このガス供給手段としてのチューブ43 It includes a tube 43 as the gas supply means
は放電電極41にチューブ開口部をキャピラリー36の下方位置に向けて取り付けられている。 Mounted towards the lower position of the capillary 36 tube opening to the discharge electrode 41. チューブ43には還元作用のある還元性ガス45、例えば、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス等を供給するためのガス供給源4 Reducing gas 45 with a reducing effect on the tube 43, for example, a gas supply source 4 for supplying a mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas
4が接続されており、チューブ43の内部にはガス加熱手段としてのヒータ46が挿入されている。 4 is connected, the interior of the tube 43 is inserted heater 46 as a gas heating means. ヒータ46 Heater 46
はガス供給源44から供給された還元性ガス45をチューブ43とヒータ46との隙間を通過する際に加熱することにより、所定の温度に制御し得るように構成されている。 It is configured to by heating the reducing gas 45 supplied from the gas supply source 44 when passing through the gap between the tube 43 and the heater 46 may be controlled to a predetermined temperature.

【0026】一方、フィーダ31の底部には多連リードフレームの酸化を防止するための還元性ガス(以下、リードフレーム酸化防止用ガスという。)50を供給する手段としての還元性ガス供給装置51が設備されており、還元性ガス供給装置51は吹出口52を備えている。 On the other hand, reducing gas to prevent oxidation of the array type lead frame at the bottom of the feeder 31 (hereinafter, referred to as the lead frame antioxidant gas.) Of 50 as a means for supplying a reducing gas supply unit 51 There are facilities, the reducing gas supply unit 51 is provided with a blow-out port 52. 吹出口52は多連リードフレーム11の周囲にリードフレーム酸化防止用ガス50を緩やかに吹き出し得るように、フィーダ31の上面に複数個開設されており、 As the air outlet 52 may balloon slowly leadframe antioxidant gas 50 around the array type lead frame 11, are a plurality opened in the upper surface of the feeder 31,
この吹出口52群にはガス供給路53が接続されている。 It is connected to a gas supply passage 53 to the outlet 52 group. ガス供給路53はガス供給ユニット54に接続されており、ガス供給ユニット54は還元性ガス、例えば、 Gas supply passage 53 is connected to a gas supply unit 54, the gas supply unit 54 is a reducing gas, for example,
窒素および水素から成る混合ガスを、予め設定された流量をもって供給し得るように構成されている。 A mixed gas consisting of nitrogen and hydrogen, is configured to be able to supply with a preset flow rate.

【0027】フィーダ31上にはカバー55がフィーダ31を送られる多連リードフレーム11を略全体にわたって被覆するように設備されており、カバー55は多連リードフレーム11の周囲に供給されたリードフレーム酸化防止用ガス50を多連リードフレーム11の周囲に可及的に停滞させるようになっている。 The lead frame cover 55 on the feeder 31 are facilities to cover throughout substantially the multiple lead frame 11 to be sent to the feeder 31, the cover 55 is supplied to the periphery of the array type lead frame 11 It has an anti-gas 50 oxidized so as to stagnate as possible around the array type lead frame 11. カバー55には窓孔56がキャピラリー36の真下におけるボンディングステージとなる位置に配されて、ワイヤボンディングを実施し得る大きさの略正方形形状に開設されている。 Window holes 56 in the cover 55 is disposed at a position where the bonding stage in beneath the capillary 36, and is opened in a substantially square shape of a size capable of carrying out wire bonding.
窓孔56には略正方形枠形状に形成されたリードフレーム押さえ具57が昇降自在に嵌合されており、リードフレーム押さえ具57はカム機構等の適当な駆動装置(図示せず)によりフィーダ31の間欠送り作動に連携して上下動するように構成されている。 Windows 56 and the lead frame retainer 57 which is formed in a substantially square frame shape is fitted vertically movably in the feeder 31 by a suitable driving device such as a lead frame retainer 57 is a cam mechanism (not shown) It is configured to move up and down in conjunction with the intermittent feed operation of the. すなわち、リードフレーム押さえ具57はワイヤボンディングが実施される時に単位リードフレーム12を上から押さえることにより、リードフレームの遊動を防止するように構成されている。 That is, the lead frame retainer 57 by pressing from above the unit lead frame 12 when the wire bonding is performed, and is configured to prevent floating of the lead frame.

【0028】次に、以上のように構成されたワイヤボンディング装置によるワイヤボンディング方法を説明する。 [0028] Next, a wire bonding method according to the configured wire bonding apparatus as described above. 単位リードフレーム12がフィーダ31におけるボンディングステージにピッチ送りされて間欠停止されると、窓孔56内においてリードフレーム押さえ具57が下降されることにより、単位リードフレーム12がリードフレーム押さえ具57により押さえ付けられる。 Pressing the unit lead frame 12 is intermittently stopped being pitch feeding the bonding stage in the feeder 31, by the lead frame retainer 57 is lowered in the window hole 56, the unit lead frame 12 by a lead frame retainer 57 attached. その後、XYテーブル33が適宜移動される。 Thereafter, XY table 33 is moved appropriately.

【0029】他方、キャピラリー36においては、放電電極41が金線等からなるワイヤ素材58の下端に接近されるとともに、電源回路42が閉じられることによりワイヤ素材58の先端にボール59が溶融形成される。 [0029] On the other hand, in the capillary 36, with the discharge electrode 41 is close to the lower end of the wire material 58 made of gold or the like, a ball 59 is formed melted at the tip of the wire material 58 by the power supply circuit 42 is closed that.
このとき、チューブ43から還元性ガス45が供給され、ワイヤ素材58と放電電極41との間が還元性ガス雰囲気に保持される。 At this time, the reducing gas 45 is supplied from the tube 43, between the wire material 58 and the discharge electrode 41 is held in a reducing gas atmosphere. 続いて、キャピラリー36がボンディングアーム35を介してボンディングヘッド34により下降され、ワイヤ素材58の先端部に形成されたボール59が、ペレット22のパッド23に押着される。 Then, the capillary 36 is lowered by the bonding head 34 through the bonding arm 35, ball 59 formed at the tip portion of the wire material 58 is being-assembled to the pad 23 of the pellet 22.
このとき、キャピラリー36に超音波振動が付勢されるとともに、ペレット22がヒートブロック32によって加熱されているため、ボール59はペレット22のパッド23上に超音波熱圧着される。 At this time, the ultrasonic vibration is urged into the capillary 36, since the pellet 22 is heated by the heat block 32, the ball 59 is ultrasonically thermocompression bonding on the pad 23 of the pellet 22.

【0030】第1ボンディング部が形成された後、キャピラリー36がXYテーブル33およびボンディングヘッド34により3次元的に相対移動され、インナリード19の先端部にワイヤ素材58の中間部が押着される。 [0030] After the first bonding portion is formed, the capillary 36 is three-dimensionally relative movement by the XY table 33 and the bonding head 34, an intermediate portion of the wire material 58 to the distal end of the inner lead 19 is being-assembled .
このとき、キャピラリー36に超音波振動が付勢されるとともに、インナリード19がヒートブロック32により加熱されているため、ワイヤ素材58の中間部がインナリード19の先端部に超音波熱圧着され、第2ボンディング部が形成される。 At this time, the ultrasonic vibration is urged into capillary 36, the inner lead 19 is for being heated by the heat block 32, an intermediate portion of the wire material 58 is ultrasonically thermocompression bonding to the tip of the inner lead 19, the second bonding portion.

【0031】第2ボンディング部が形成されると、クランパ39によりワイヤ素材58が把持され、クランパ3 [0031] When the second bonding portion is formed, the wire material 58 is grasped by the clamper 39, the clamper 3
9がキャピラリー36と共に第2ボンディング部から相対的に離反移動される。 9 is relatively away movement from the second bonding portion with the capillary 36. この離反移動により、ワイヤ素材58は第2ボンディング部から引き千切られる。 This separating movement, the wire material 58 is torn off from the second bonding portion. これによって、ペレット22のパッド23とインナリード1 Thus, the pellet 22 pads 23 and the inner leads 1
9との間には、ワイヤ24が橋絡されたことになる。 Between the 9, so that the wire 24 has been bridged.

【0032】その後、第2ボンディング作業を終えたワイヤ素材58とキャピラリー36とが若干相対移動されることにより、ワイヤ素材58の先端部がボール59の成形に必要な長さだけ相対的に突き出される。 [0032] Thereafter, the wire material 58 and the capillary 36 having been subjected to the second bonding operation is relatively moved slightly, the distal end portion of the wire material 58 protruding upward by a length necessary for forming the ball 59 that. 所謂、テール出し動作である。 So-called, it is a tail-out action. 以降、前記作動が繰り返し実施されることにより、残りのパッド23と各インナリード1 Later, by the operation is repeated, the remaining pad 23 and each of the inner leads 1
9との間にワイヤ24が順次橋絡されて行く。 Wire 24 between 9 is successively bridged. 一つの単位リードフレーム12についてのワイヤボンディング作業が終了すると、リードフレーム押さえ具57が上昇され、次の単位リードフレーム12がボンディングステージの所へ位置するように多連リードフレーム11が1ピッチ送られる。 When the wire bonding operation for one unit lead frame 12 is completed, the increased lead frame retainer 57, array type lead frame 11 is sent by one pitch so that the next unit lead frame 12 is positioned to the place of the bonding stage . 以後、各単位リードフレーム12について前記ワイヤボンディング作業が順次実施されて行く。 Thereafter, the wire bonding operation for each unit lead frame 12 is successively carried out.

【0033】ここで、以上のワイヤボンディング作業に際して、本実施形態においては下段ワイヤ24aと上段ワイヤ24bとが交互に橋絡されるため、ワイヤボンディング作業の条件が変更されることになる。 [0033] Here, when more than the wire bonding work, since in this embodiment the lower wire 24a and upper wire 24b is bridged alternately, so that the condition of the wire bonding work is changed. すなわち、 That is,
第1ボンディング部の位置は外側パッド23aと内側パッド23bとで相違し、第2ボンディング部の位置はインナリード19の段差19aとインナリード19の先端部上面19bとで相違するため、下段ワイヤ24aに対するボンディング作業実施時におけるXYテーブル33 Because the position of the first bonding portion is different between the outer pad 23a and the inner pad 23b, the position of the second bonding portion is different between the front end portion upper surface 19b of the step 19a and the inner leads 19 of the inner lead 19, and the lower wire 24a XY table 33 at the time of bonding work performed for
およびボンディングヘッド34の操作条件と、上段ワイヤ24bのボンディング作業実施時におけるXYテーブル33およびボンディングヘッド34の操作条件とは異なることになる。 And it becomes different from the operating conditions of the bonding head 34, the operating conditions of the XY table 33 and the bonding head 34 at the time of bonding work performed in the upper wire 24b.

【0034】本実施形態においては、図5に示されているように、まず、下段ワイヤ24aの全てがワイヤボンディングされた後に、上段ワイヤ24bの全てがワイヤボンディングされる。 [0034] In this embodiment, as shown in FIG. 5, after all of the lower wire 24a is wire bonding, all of the upper wire 24b is wire bonding. このように下段ワイヤ24a群および上段ワイヤ24b群毎にワイヤボンディング作業を実施した方が作業能率がよい。 Thus those who conducted the wire bonding operation to the lower wire 24a group and upper wire 24b each group is good work efficiency. なぜならば、ワイヤボンディング作業を上下2段を交互に実施して行くと、XY This is because, when the wire bonding work up and down the two-stage go conducted alternately, XY
テーブル33およびボンディングヘッド34の操作条件が各ワイヤボンディング毎に1回ずつ変更設定されて行くことになり、作業能率が大幅に低下してしまうためである。 Will be operating conditions of the table 33 and the bonding head 34 is gradually set changes once for each wire bonding, because the work efficiency is greatly reduced.

【0035】また、ワイヤボンディング作業の順序としては、下段ワイヤ24a群についてのワイヤボンディング作業を先に実施した方が、作業能率がよい。 Further, as the order of the wire bonding operation, better to implement wire bonding operation for the lower wire 24a group earlier, good working efficiency. なぜならば、インナリード19の段差19aの方がインナリード19の先端部上面19bよりも早く所定のボンディング可能温度に達することにより、ワイヤボンディング作業を早く開始することができるためである。 This is because, by the direction of the step 19a of the inner lead 19 reaches a predetermined bondable temperature faster than tip top 19b of the inner lead 19, because that can be started earlier wire bonding operation. そして、下段ワイヤ24aについてワイヤボンディング作業が実施されている間に、インナリード19の先端部上面19bの温度がボンディング可能温度に達することになる。 Then, while the wire bonding operation for the lower wire 24a is being carried out, the temperature of the tip top 19b of the inner lead 19 is to reach bondable temperature.

【0036】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・ [0036] The above manner, the pellet and wire
ボンディングされた組立体25には、各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体26が、図6に示されているようなトランスファ成形装置60が使用されて、 The bonded assembly 25, the resin sealing body 26 of the resin sealing for each unit lead frame, and transfer molding apparatus 60 as shown in FIG. 6 is used,
単位リードフレーム群について同時成形される。 They are simultaneously molded in the unit lead frame group.

【0037】図6に示されているトランスファ成形装置60は、シリンダ装置等(図示せず)によって互いに型締めされる一対の上型61と下型62とを備えており、 The transfer molding apparatus 60 shown in FIG. 6, and a pair of upper mold 61 and lower mold 62 are mold clamped together by a cylinder device or the like (not shown),
上型61と下型62との合わせ面には上型キャビティー凹部63aと下型キャビティー凹部63bとが互いに協働してキャビティー63を形成するようにそれぞれ複数組没設されている。 The mating surfaces of the upper mold 61 and lower mold 62 are a plurality of sets deaths set to form a upper mold cavity recess 63a and the lower mold cavity recess 63b and the cavity 63 in cooperation with each other. 上型61の合わせ面にはポット64 Pot on the mating surfaces of the upper mold 61 64
が開設されており、ポット64にはシリンダ装置(図示せず)により進退されるプランジャ65が成形材料としての樹脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入されている。 There are opened, the cylinder apparatus resin plunger 65 as a molding material to be forward and backward (not shown) in the pot 64 are inserted so as to deliver (hereinafter, referred to. Resin). 下型62の合わせ面にはカル66がポット64との対向位置に配されて没設されているとともに、複数条のランナ67がポット64にそれぞれ接続するように放射状に配されて没設されている。 With the mating surface of the lower mold 62 are Botsu設 arranged cull 66 is a position facing the pot 64, is disposed radially as runners 67 plural rows are respectively connected to the pot 64 is Botsu設ing. 各ランナ6 Each runner 6
7の他端部は下型キャビティー凹部63bにそれぞれ接続されており、その接続部にはゲート68がレジンをキャビティー63内に注入し得るように形成されている。 The other end of the 7 are formed so as to inject are respectively connected to the lower mold cavity recess 63 b, the gate 68 is resin in the connecting portion into the cavity 63.
また、下型62の合わせ面にはリードフレーム逃げ凹所69がリードフレームの厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11の外形よりも若干大きめの長方形で、 Moreover, as the lead frame escape recess 69 on the mating surface of the lower mold 62 can escape the thickness of the lead frame, slightly larger rectangle than the outer shape of the multiple lead frames 11,
その厚さと略等しい寸法の一定深さに没設されている。 It is Botsu設 constant depth of its thickness substantially equal to dimension.

【0038】前記構成にかかる組立体25が用いられて樹脂封止体26がトランスファ成形される場合、上型6 In the case where the structure according assembly 25 is used in the resin sealing body 26 is transfer molding, the upper die 6
1および下型62における各キャビティー63は各単位リードフレーム12における一対のダム16a、16a A pair of dams 16a of each cavity 63 Each unit lead frame 12 in 1 and the lower mold 62, 16a
間の空間にそれぞれ対応される。 They are respectively in the space between. トランスファ成形時において、組立体25は多連リードフレーム11が下型6 During transfer molding, the assembly 25 array type lead frame 11 and the lower mold 6
2に没設されているリードフレーム逃げ凹所69内に収容され、各単位リードフレーム12におけるペレット2 2 to be accommodated in the lead frame relief recess within 69 being Botsu設, pellet 2 in each unit lead frame 12
2が各キャビティー63内にそれぞれ収容されるように配されてセットされる。 2 is arranged that in a set to be housed respectively in each cavity 63.

【0039】続いて、上型61と下型62とが型締めされ、ポット64からプランジャ65によりレジン70がランナ67およびゲート68を通じて各キャビティー6 [0039] Subsequently, the upper mold 61 and lower mold 62 transgressions clamping, the cavity resin 70 by the plunger 65 from the pot 64 through the runner 67 and gate 68 6
3に送給されて圧入される。 3 is fed to the press.

【0040】ここで、レジン70はキャビティー63に勢いよく注入されるため、橋絡されたワイヤが注入されたレジン70の流れによって押し流されることがある。 [0040] Here, the resin 70 is to be vigorously injected into the cavity 63, it may be swept away by the flow of resin 70 bridged by wire is injected.
ワイヤが設計された位置に対して大きく押し流されると、ワイヤショート不良が発生してしまう。 When the wire is swept large relative position designed, the wire short-circuit defect occurs. しかし、本実施形態においては、外側パッド23aとインナリード19の段差19aとの間に橋絡された下段ワイヤ24a However, in the present embodiment, the lower wire 24a which is bridged between the step 19a of the outer pad 23a and the inner leads 19
と、内側パッド23bとインナリード19の先端部上面19bとの間に橋絡された上段ワイヤ24bとが交互に隣合わせに配置されることにより、隣合う下段ワイヤ2 When, by the upper stage wire 24b which is bridged between the front end portion upper face 19b of the inner pad 23b and the inner leads 19 are arranged side by side alternately, adjacent the lower wire 2
4aと上段ワイヤ24bとの間隔が広くなっているため、万一、ワイヤ流れが発生したとしても、ワイヤショート不良の発生は引き起こされない。 The interval between 4a and upper wire 24b is wide, event, even wire flow occurs, the occurrence of wire short-circuit failure is not caused.

【0041】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体26が成形されると、上型61および下型62は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)により樹脂封止体26が離型される。 [0041] After injection, the resin sealing body 26 resin is thermally cured is molded, together with the upper mold 61 and lower mold 62 are opened mold, the resin sealing body by the ejector pins (not shown) 26 is demolded. 樹脂封止体26群が成形されて離型された成形体はトランスファ成形装置60から脱装される。 Molded resin sealing member 26 group is releasing been molded is DatsuSo from transfer molding apparatus 60. そして、図7に示されているように、成形体27における樹脂封止体26の内部には、タブ1 Then, as shown in Figure 7, inside of the resin sealing body 26 in the molding member 27, the tab 1
8、ペレット22、インナリード19群およびワイヤ2 8, the pellets 22, the inner lead 19 group and the wire 2
4群が樹脂封止された状態になっている。 4 groups is in the resin sealed state.

【0042】樹脂封止体26を成形された成形体27はリード切断成形工程(図示せず)において各単位リードフレーム毎に順次、外枠13、セクション枠14およびダム16aを切り落とされるとともに、各アウタリード20をガル・ウイング形状に屈曲形成される。 The resin sealing body 26 molded bodies 27 that are molded lead cutting and forming step (not shown) in order for each unit lead frame, the outer frame 13, with the cut off section frame 14 and dam 16a, each the outer leads 20 are bent to the gull wing shape. 以上のようにして、図1に示されている前記構成に係るQFP・ As described above, QFP · according to the configuration shown in FIG. 1
IC28が製造されたことになる。 IC28 would have been produced.

【0043】前記実施形態によれば次の効果が得られる。 The following advantages are provided according to the embodiment. 外側パッド23aとインナリード19の段差19a Step 19a of the outer pad 23a and the inner leads 19
との間に下段ワイヤ24aを、内側パッド23bとインナリード19の先端部上面19bとの間に上段ワイヤ2 Upper wire 2 between the lower wire 24a, the front end portion upper face 19b of the inner pad 23b and the inner leads 19 between the
4bをそれぞれボンディングするとともに、下段ワイヤ24aと上段ワイヤ24bとを交互に隣合わせに配置することにより、隣合う下段ワイヤ24aと上段ワイヤ2 4b together with bonding respectively, by arranging side by side a lower wire 24a and upper wire 24b alternately, the lower wire 24a adjacent the upper wire 2
4bとの間隔を広く設定することができるため、万一、 It is possible to set a wide distance between 4b, event,
樹脂封止体26の成形に際してワイヤ流れが発生したとしても、ワイヤショート不良の発生は防止することができる。 Even wire sweep is generated during molding of the resin sealing body 26, the occurrence of wire short-circuit failure can be prevented.

【0044】 下段ワイヤ24aと上段ワイヤ24b The lower wire 24a and upper wire 24b
との間隔を従来の隣合うワイヤ同士の接触に対する余裕(マージン)と同一に設定した場合には、下段ワイヤ2 If set to same as the margin (margin) for spacing the contact between the conventional next fit wires with, lower wire 2
4aが橋絡される段差19aのインナリード19と、上段ワイヤ24bが橋絡される先端部上面19bのインナリード19との間のピッチを広く設定することができるため、リードフレームの加工限界に対処することができる。 4a is an inner lead 19 of the step 19a to be bridged, it is possible to the upper wire 24b is set wider pitch between the inner leads 19 of the distal end portion upper face 19b to be bridged, the processing limit of the lead frame it can be addressed.

【0045】 下段ワイヤ24aの全てをワイヤボンディングした後に、上段ワイヤ24bの全てをワイヤボンディングすることにより、ワイヤボンディング作業の能率を高めることができる。 [0045] All of the lower wire 24a after wire bonding, all of the upper wire 24b by wire bonding, it is possible to increase the efficiency of the wire bonding operation.

【0046】 下段ワイヤ24a群についてのワイヤボンディング作業を上段ワイヤ24bについてのワイヤボンディング作業よりも先に実施することにより、ワイヤボンディング作業の能率を高めることができる。 [0046] By performing the wire bonding work on the lower wire 24a group before the wire bonding operation for upper wires 24b, it is possible to increase the efficiency of the wire bonding operation.

【0047】以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 [0047] Although the present invention made by the inventor has been concretely described based on the embodiments, that the present invention is not limited to the above embodiment, various modifications are possible without departing from the scope of the invention it is needless to say.

【0048】例えば、段差はインナリードに1個置きに形成するに限らず、全てのインナリードに形成してもよい。 [0048] For example, the step is not limited to be formed in every one the inner leads may be formed in all the inner leads. この場合、上段ワイヤの第2ボンディング位置はインナリードにおける段差の外寄りに配置されることになる。 In this case, the second bonding position of the upper wire would be located outboard of the step in the inner leads.

【0049】段差はインナリードの先端部にエッチング加工によって形成するに限らず、段差に対応する領域に凹部が形成された異形のリードフレーム素板を使用して、リードフレームと共にプレス加工によって成形してもよい。 The step is not limited to be formed by etching the tip of the inner lead, using a lead frame material plates of profiled recesses in the region corresponding to the level difference is formed, molded by pressing with lead frame it may be.

【0050】以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である樹脂封止形QFP・ICに適用した場合について説明したが、 The above is a description has been described as applied to resin sealed QFP · IC predominantly FIELD which the invention made by the inventors has been as the background,
それに限定されるものではなく、その他の樹脂封止形パッケージを備えているIC等の半導体装置全般に適用することができる。 It is not limited thereto and can be applied to a general semiconductor devices such as an IC that include other resin sealed package. 特に、本発明は多ピンを備えている半導体装置に適用して優れた効果が奏される。 In particular, the present invention is excellent effects when applied to a semiconductor device comprising a multi-pin are obtained.

【0051】 [0051]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。 To briefly explain advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application, according to the invention is as follows.

【0052】インナリード群の少なくとも複数本に段差を形成し半導体ペレットとの間に橋絡されるワイヤ群のインナリード側ボンディング端部をインナリード群に交互に上段と下段との関係になるようにボンディングすることにより、隣合うワイヤ同士が上段と下段との関係になって互いの間隔が広くなるため、同一のピッチであれば、隣合うワイヤ同士が上段と下段との関係に無い場合に比べて隣合うワイヤ同士の接触を防止することができる。 [0052] so that the relationship between the upper and lower inner leads side bonding end portion of the wire group to be bridged alternately to the inner lead group between the semiconductor pellet forming at least a step in the plurality of inner lead groups the by bonding, because adjacent wire each other that their spacing becomes wider becomes the relationship between the upper and lower, if the same pitch, when adjacent wires to each other is not in the relationship between the upper and lower compared contact between wires adjacent to can be prevented. また、隣合うワイヤ同士の接触に対する余裕(マージン)を同一になるように設定した場合には、隣合うインナリード間のピッチを広く設定することができる。 Further, in the case of setting so that the same margin (margin) for contacting adjacent wires to each other can be set wider pitch between adjacent inner leads.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施形態であるQFP・ICを示しており、(a)は正面断面図、(b)は主要部の樹脂封止体を省略した拡大斜視図である。 [1] shows a QFP · IC according to an embodiment of the present invention is (a) is a front sectional view, (b) is an enlarged perspective view omitting the resin sealing body of the main unit.

【図2】本発明の一実施形態であるQFP・ICの製造方法に使用される多連リードフレームを示す一部省略平面図である。 2 is a partial plan view showing the multiple lead frame used in the production method of the QFP · IC according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態であQFP・ICの製造方法におけるペレットボンディングおよびワイヤボンディング工程後を示しており、(a)は一部省略平面図、 [Figure 3] shows the post pellet bonding and wire bonding step in one embodiment der QFP · IC production method of the present invention, (a) is a partially omitted plan view,
(b)は正面断面図である。 (B) is a front sectional view.

【図4】同じくワイヤボンディング工程を示す一部切断正面図である。 [4] which is also a part sectional front view showing a wire bonding process.

【図5】同じく主要部の斜視図である。 5 is a likewise perspective view of a main part.

【図6】樹脂封止体成形工程を示す側面断面図である。 6 is a side sectional view showing the resin sealed body molding step.

【図7】樹脂封止体成形工程後を示しており、(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は一部切断正面図である。 7 shows the after resin sealing body forming step, a (a) is partially omitted partially cut plan view, (b) partially sectional front view.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11…多連リードフレーム、12…単位リードフレーム、13…外枠、14…セクション枠、15…ダム吊り部材、16…ダム部材、16a…ダム、17…タブ吊りリード、18…タブ、19…インナリード、19a…段差、19b…先端部上面、20…アウタリード、21… 11 ... multiple lead frame, 12 ... unit lead frame, 13 ... outer frame, 14 ... Section frame, 15 ... dam hanging member, 16 ... dam member, 16a ... Dam, 17 ... tab suspending lead, 18 ... tab 19 ... inner leads, 19a ... step, 19b ... tip top, 20 ... outer leads, 21 ...
ボンディング層、22…ペレット、23…パッド、23 Bonding layer, 22 ... pellets, 23 ... pad, 23
a…外側パッド、23b…内側パッド、24…ワイヤ、 a ... outer pad 23b ... inner pad, 24 ... wire,
24a…下段ワイヤ、24b…上段ワイヤ、25…組立体、26…樹脂封止体、27…成形体、28…QFP・ 24a ... lower wire, 24b ... upper wire, 25 ... assemblies, 26 ... resin sealing body, 27 ... molded body, 28 ... QFP ·
IC(半導体装置)、30…ワイヤボンディング装置、 IC (semiconductor device), 30 ... wire bonding apparatus,
31…フィーダ、32…ヒートブロック、33…XYテーブル、34…ボンディングヘッド、35…ボンディングアーム、36…キャピラリー、37、38…クランパアーム、39…クランパ、40…ガイド、41…放電電極、42…電源回路、43…チューブ、44…ガス供給源、45…還元性ガス、46…ヒータ、50…リードフレーム酸化防止用ガス、51…還元性ガス供給装置、5 31 ... feeder, 32 ... heat block, 33 ... XY table 34 ... bonding head, 35 ... bonding arm, 36 ... capillary, 37 ... clamper arm, 39 ... clamper, 40 ... guide, 41 ... discharge electrode, 42 ... power supply circuit, 43 ... tube, 44 ... gas supply source, 45 ... reducing gas, 46 ... heater, 50 ... lead frames antioxidant gas, 51 ... reducing gas supply unit, 5
2…吹出口、53…ガス供給路、54…ガス供給ユニット、55…カバー、56…窓孔、57…リードフレーム押さえ具、58…ワイヤ素材、59…ボール、60…トランスファ成形装置、61…上型、62…下型、63… 2 ... outlet, 53 ... gas supply passage, 54 ... gas supply unit, 55 ... cover, 56 ... window hole, 57 ... lead frame retainer, 58 ... wire material, 59 ... ball, 60 ... transfer molding apparatus, 61 ... the upper mold, 62 ... lower mold, 63 ...
キャビティー、64…ポット、65…プランジャ、66 Cavity, 64 ... pot, 65 ... plunger, 66
…カル、67…ランナ、68…ゲート、69…リードフレーム逃げ凹所、70…レジン。 ... Cal, 67 ... runner, 68 ... gate, 69 ... lead frame escape recess, 70 ... resin.

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 電子回路が作り込まれている半導体ペレットと、半導体ペレットがボンディングされているタブと、タブの周囲に放射状に配線されている複数本のインナリードと、各インナリードと半導体ペレットとの間にそれぞれ橋絡されているワイヤ群と、各インナリードにそれぞれ一体的に連設されているアウタリード群と、前記半導体ペレット、インナリード群およびワイヤ群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えている半導体装置において、 前記インナリード群の少なくとも複数本に段差が形成されており、前記ワイヤ群のインナリード側ボンディング端部がインナリード群に交互に上段と下段との関係になるようにボンディングされていることを特徴とする半導体装置。 1. A semiconductor pellet electronic circuits are fabricated, and the tab on which the semiconductor pellet is bonded, and a plurality of inner leads are wired radially around the tabs, each of the inner leads and the semiconductor pellet resin sealing body of a resin sealing the wire group are respectively bridging the outer lead group are integrally connected respectively to each of the inner leads, said semiconductor pellet, the inner lead groups and wire groups between the a semiconductor device comprising bets, said has a step is formed on at least a plurality of inner lead groups, the inner lead side bonding end of the wire group is the relationship between the upper and lower alternately the inner lead groups wherein a being bonded to.
  2. 【請求項2】 前記段差が隣合うインナリードに交互に形成されており、前記ワイヤ群のインナリード側ボンディング端部が1個置きに段差の下段にボンディングされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 2. A method according to claim, characterized in that the step is formed alternately on the inner leads adjacent, inner lead side bonding end of the wire group is bonded to the lower step on every one the semiconductor device according to 1.
  3. 【請求項3】 前記段差が全てのインナリード群に形成されており、前記ワイヤ群のインナリード側ボンディング端部が交互に段差の上段と下段とにボンディングされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 3. The method of claim wherein said step is formed on all the inner lead groups, the inner lead side bonding end of the wire group is characterized in that it is bonded to the upper and lower stages of the step alternately the semiconductor device according to 1.
  4. 【請求項4】 前記段差がインナリードの先端部にエッチング加工によって形成されていることを特徴とする請求項1、2または3に記載の半導体装置。 4. A semiconductor device according to claim 1, 2 or 3, wherein the step is formed by etching the tip of the inner lead.
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、 前記インナリード群の少なくとも複数本に段差が形成されているリードフレームが準備されるリードフレーム製造工程と、 前記リードフレームのタブに前記半導体ペレットがボンディングされるペレットボンディング工程と、 前記ワイヤ群のインナリード側ボンディング端部が前記インナリード群に交互に上段と下段との関係になるようにボンディングされるワイヤボンディング工程と、 前記半導体ペレット、インナリード群およびワイヤ群を樹脂封止する樹脂封止体が成形される樹脂封止体成形工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 5. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, the lead frame manufacturing process, wherein the lead frame at least step a plurality of inner lead group is formed is prepared, the lead frame pellets bonding process tabs in the semiconductor pellet is bonded in a wire bonding step of the inner leads side bonding end of the wire group is bonded to a relationship between the upper and lower alternately to the inner lead groups the semiconductor pellet, a method of manufacturing a semiconductor device wherein a resin sealing body the inner lead groups and wire group to the resin sealing is provided with a resin sealing body molding step to be molded.
  6. 【請求項6】 前記ワイヤボンディング工程において、 6. The wire bonding process,
    上側または下側となるワイヤ群についてワイヤボンディングが実施された後に、他の側となるワイヤ群についてワイヤボンディングが実施されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 After the wire bonding is performed on the wire group to be upper or lower, a method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, characterized in that the wire bonding is performed for the wire group to be the other side.
  7. 【請求項7】 請求項5に使用されるリードフレームであって、前記インナリード群の少なくとも複数本に段差が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 7. A lead frame used in claim 5, the lead frame, characterized in that at least step a plurality of the inner lead groups are formed.
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