JPH10112601A - 集中定数型アイソレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ３本の中心導体の交差角度に着目し、その交
差角度を従来の１２０度から変更した適切な角度とする
ことで、挿入損失の低減を図る。 【解決手段】 電気的に絶縁状態で交差するように３本
の中心導体としてのストリップライン１２ａ，１２ｂ，
１２ｃを配置し、該３本のストリップライン１２ａ，１
２ｂ，１２ｃの交差部分にフェライトコア３を近接配置
し、該フェライトコア３に直流磁界を印加するととも
に、１つのストリップライン１２ｃを終端した集中定数
型アイソレータであり、前記３本のストリップライン１
２ａ，１２ｂ，１２ｃのうち終端したストリップライン
１２ｃ以外の２つのストリップライン１２ａ，１２ｂの
交差角度θを１２０度＜θ＜１８０度に設定した構成で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯の自
動車電話、携帯電話等の通信機器に用いる集中定数型ア
イソレータに係り、とくに移動体通信の携帯機に使用す
るのに適した小型、低挿入損失の集中定数型アイソレー
タに関する。

【０００２】

【従来の技術】移動体通信の携帯機に使用するアイソレ
ータは、その市場性から限りなく小型化及び低挿入損失
化を要求されている。現状では９００ＭＨｚ帯で大きさ
は縦７mm、横７mm、高さ３mm、挿入損失は実力値で０.
４〜０.４５ｄＢである。

【０００３】アイソレータの構造においては、小型化の
ために集中定数型で構成されており、３本の中心導体を
互いに１２０度づつずらしたサーキュレータの端子の一
つを終端抵抗（ダミー抵抗）で終端してアイソレータと
している。これは、アイソレータの性能を表す挿入損
失、逆方向損失、反射特性の全てを最良状態にするため
であり、３本の中心導体の交差角度は１２０度としてい
る。

【０００４】図１１及び図１２は従来の集中定数型アイ
ソレータの３本の中心導体の組立前及び組立後の構成を
示す。ここでは、３本の中心導体は図１１のようにシー
ルド板１から突出した３本のストリップライン２ａ，２
ｂ，２ｃであって、図１２の如くシールド板上に配置さ
れた円板状フェライトコア３上に折り重ねて構成されて
いる。図中、ストリップライン２ａ，２ｂの先端部は入
出力端となり、ストリップライン２ｃの先端部は終端抵
抗接続端となり、各ストリップライン相互の交差角度は
いずれも１２０度である。なお、図示は省略したが各ス
トリップライン２ａ，２ｂ，２ｃ相互間は絶縁シートで
電気的に絶縁されている。

【０００５】図１２に示した従来の３本のストリップラ
イン及び円板状フェライトコアの組立体に永久磁石によ
って円板状フェライトコアの厚み方向に直流磁界を印加
して集中定数型アイソレータを構成した場合の逆方向損
失（アイソレーション）、挿入損失及び入力側及び出力
側の反射特性としての電圧定在波比（Ｖ.Ｓ.Ｗ.Ｒ.）の
周波数特性を図１３に示す。但し、図１３の場合、円板
状フェライトコアの直径３.５mm、厚み０.４mmとし、ス
トリップライン２ｃを終端する終端抵抗を５０Ωとし
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】現在、移動体通信の携
帯機に使用するアイソレータに要求されている逆方向損
失は最低６ｄＢであり、現状アイソレータの実力値２０
ｄＢであれば十分その要求を満足できる（例えば図１３
でも２０ｄＢ以上を示している。）。

【０００７】ところで、移動体通信の携帯機では、送信
部の消費電力を削減し電池寿命の増大を図る上でアイソ
レータの挿入損失の低減が重要となってきている。しか
し、挿入損失を限りなく低くし、かつ小型化すること
は、フェライトコア、すなわちフェリ磁性体材料（以下
代表例としてＹＩＧとする）及びストリップラインの材
料定数の改善、又は全体構造を見直すだけでは難しい。

【０００８】本発明は、上記の点に鑑み、３本の中心導
体の交差角度に着目し、その交差角度を従来の１２０度
から変更した適切な角度とすることで、挿入損失の低減
を図った集中定数型アイソレータを提供することを目的
とする。

【０００９】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、電気的に絶縁状態で交差するように３本
の中心導体を配置し、該３本の中心導体の交差部分にフ
ェライトコアを近接配置し、該フェライトコアに直流磁
界を印加するとともに、前記３本の中心導体の一つを終
端した集中定数型アイソレータにおいて、前記３本の中
心導体のうち終端した中心導体以外の２つの中心導体の
交差角度θを １２０度＜θ＜１８０度 に設定したことを特徴としている。

【００１１】また、前記３本の中心導体のうち終端した
中心導体以外の２つの中心導体の交差角度θを １２５度≦θ≦１７０度 に設定した構造としてもよい。

【００１２】また、前記３本の中心導体がシールド板か
ら突出した３本のストリップラインであって、該シール
ド板上に配置された前記フェライトコア上に折り重ねて
構成されている場合において、前記３本のストリップラ
インのうち終端したストリップライン以外の２つのスト
リップラインの交差角度θを １２５度≦θ≦１３８度 に設定するとよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る集中定数型ア
イソレータの実施の形態を図面に従って説明する。

【００１４】図１は本発明の第１の実施の形態で用いる
３本の中心導体としてのストリップライン及び円板状フ
ェライトコアの組立体であり、図２及び図３は第１の実
施の形態の全体構成、図４は３本のストリップラインの
折り重ね前の状態をそれぞれ示す。

【００１５】まず、３本のストリップラインの構成につ
いて説明する。図４のように、折り重ね前の状態におい
て銅等の良導体金属シートの打ち抜き加工等によりシー
ルド板１１から３本のストリップライン１２ａ，１２
ｂ，１２ｃを突出させて形成し、先端部がそれぞれ入出
力端となるストリップライン１２ａ，１２ｂ間の角度を
θ度（但し１２５度≦θ≦１３８度）、先端部が終端抵
抗接続端となるストリップライン１２ｃとストリップラ
イン１２ａ，１２ｂ間の角度をそれぞれ（３６０−θ）
／２度に設定する。なお、シールド板１１は図１及び図
２の如くこの上に載置するＹＩＧの円板状フェライトコ
ア３とほぼ同じ寸法の円形状である。

【００１６】そして、シールド板１１上に円板状フェラ
イトコア３を載置後、円板状フェライトコア３の外周縁
に沿って入出力端を持つストリップライン１２ａ，１２
ｂの一方を折り曲げ、次に他方を折り曲げ、最後に終端
抵抗接続端を持つストリップライン１２ｃを折り曲げ、
図１及び図２のように円板状フェライトコア３の上端面
に３本のストリップライン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを折
り重ねて交差させ、３本の中心導体としてのストリップ
ライン及び円板状フェライトコアの組立体１５を作製す
る。

【００１７】各ストリップライン１２ａ，１２ｂ，１２
ｃを折り重ねたときの各ストリップライン間の交差角度
は図１の通りとなり、入出力端を持つストリップライン
１２ａ，１２ｂ間の交差角度θは１２５度≦θ≦１３８
度、先端部が終端抵抗接続端となるストリップライン１
２ｃとストリップライン１２ａ，１２ｂ間の角度はそれ
ぞれ（３６０−θ）／２度となる。ここで、交差角度θ
を１２５度≦θ≦１３８度としたのは、交差角度θが１
２５度未満の場合、従来一般的な１２０度のときと比較
して挿入損失改善効果が少なくなるからであり、また１
３８度より大きくすることはストリップライン１２ａの
直線ライン部Ｐとストリップライン１２ｂの直線ライン
部Ｑとが当たり、折り重ね困難乃至折り重ね不能となる
からである。

【００１８】なお、図示は省略したが、図１及び図２の
如く各ストリップライン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを円板
状フェライトコア３上に折り重ねる際に、ストリップラ
イン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ相互間の電気的な絶縁をと
るために、ポリイミド系若しくはテフロン系の絶縁シー
トを挟み込んでいる。

【００１９】図２及び図３の全体構成に示すように、集
中定数型アイソレータは、上述したフェライトコア３及
びこの上面に折り重ねられたストリップライン１２ａ，
１２ｂ，１２ｃの組立体１５の他に、方形枠状の樹脂ケ
ース２０、終端抵抗や所要の静電容量を形成する内部基
板３０、前記フェライトコア３の厚み方向に直流磁界を
印加する永久磁石３５、樹脂ケース２０の上下に一体化
される軟磁性体ヨークとしての上カバー４１と下カバー
４２、及び面装着用の端子基板５０とを備えている。

【００２０】前記内部基板３０は、円板状フェライトコ
ア３を配置するための抜き穴３２を誘電体基板３１の中
央部に形成し、ストリップライン１２ａ，１２ｂ，１２
ｃの先端部が載置接続される所定形状の容量電極３３
ａ，３３ｂ，３３ｃを誘電体基板３１の上面に形成し、
さらに終端すべきストリップライン１２ｃの先端部が接
続される容量電極３３ｃとグランド接続電極３３ｄ間に
終端抵抗３４を酸化ルテニウム厚膜印刷等で当該誘電体
基板３１上面に形成したものである。なお、図示は省略
したが、誘電体基板３１の下面に各容量電極３３ａ，３
３ｂ，３３ｃとの間で所要の静電容量を形成する全面ア
ース電極が形成されている。そして、上面に各ストリッ
プライン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを折り重ねた円板状フ
ェライトコア３は、内部基板３０の抜き穴３２に嵌め込
まれて、内部基板３０上の容量電極３３ａ，３３ｂ，３
３ｃにストリップライン１２ａ，１２ｂ，１２ｃの先端
部がはんだ付けでそれぞれ接続される。

【００２１】鉄等の軟磁性金属の下カバー４２上にスト
リップライン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを折り重ねた円板
状フェライトコア３及び内部基板３０は載置され、円板
状フェライトコア３の下面の円形シールド板１１及び内
部基板３０の下面のアース電極はそれぞれ下カバー４２
にはんだ付けで接続、固定される。

【００２２】前記方形枠状の樹脂ケース２０は、先端部
が入出力端となる２本のストリップライン１２ａ，１２
ｂの先端部に対応する２個の接続端子片２１を有すると
ともに、終端抵抗３４の一端をグランドにおとすために
グランド接続電極３３ｄに対応するグランド接続端子片
２２を有している。この樹脂ケース２０の下側には、フ
ェライトコア３と内部基板３０を固着した下カバー４２
が組み付けられ、前記接続端子片２１のケース内側端部
にストリップライン１２ａ，１２ｂの先端部及び容量電
極３３ａ，３３ｂがはんだ付けで接続され、グランド接
続端子片２２のケース内側端部に終端抵抗３４の一端が
接続されたグランド接続電極３３ｄがはんだ付けで接続
される。なお、このときストリップライン１２ｃと終端
抵抗３４の他端が接続された容量電極３３ｃとがはんだ
付けで接続される。

【００２３】鉄等の軟磁性金属の上カバー４１の内側に
は永久磁石３５が固定的に配置され、永久磁石３５を内
蔵した上カバー４１は前記樹脂ケース２０の上側に組み
付けられ、さらに上カバー４１及び下カバー４２は図３
のように相互にかしめて一体化される。従って、上下の
カバー４１，４２で構成された磁気ヨークの内側に、ス
トリップライン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを上面に設けた
円板状フェライトコア３及び永久磁石３５が配置される
こととなり、これらは磁気ヨークで囲まれている。

【００２４】前記端子基板５０は、入出力端を持つ２本
のストリップライン１２ａ，１２ｂに対応した２個の外
部回路接続用面装着端子電極５１及びグランド電極５２
を底面に有し、上面にスルーホールを介し前記面装着端
子電極５１に接続する電極５１ａ及びグランド電極５２
に接続する電極５２ａが形成されている。該端子基板５
０は下カバー４２の底面に装着され、樹脂ケース２０の
接続端子片２１のケース外側端部２１ａが面装着端子電
極５１に対応した前記電極５１ａにはんだ付けで接続さ
れ、グランド接続端子片２２のケース外側端部２２ａが
前記グランド電極５２に対応した電極５２ａにはんだ付
けで接続され、下カバー４２の下面がグランド電極５２
に対応した前記電極５２ａにはんだ付けで接続される。

【００２５】このようにして、入出力端となる２本のス
トリップライン１２ａ，１２ｂの先端部が端子基板５０
の面装着端子電極５１に引き出され、かつ残りの１本の
ストリップライン１２ｃの先端部が終端抵抗３４を介し
てグランド電極５２に接続（終端）された集中定数型ア
イソレータが得られる。

【００２６】ここで、入出力端を持つストリップライン
１２ａ，１２ｂ間の交差角度θを従来一般的であった１
２０度より大きくし、１２５度≦θ≦１３８度に設定し
た意義について図５を用いて説明する。

【００２７】集中定数型アイソレータの動作原理は、図
５に示すように円板状ＹＩＧ（円板状フェライトコア）
に垂直に永久磁石により直流磁界を印加したとき発生す
る正と負の円偏波透磁率の実数部μ'+とμ'-の差を用い
ているが、外部磁界Ｈoが磁気共鳴Ｈrの近くではμ'+と
μ'-との差が大きく、大きなインダクタンスの差が得ら
れる反面、損失成分を表す円偏波透磁率の虚数項μ"+も
磁気共鳴Ｈr付近で大きくなる。従って、挿入損失を少
なくするためには直流磁界の動作点を外部磁界Ｈoが高
く磁気共鳴Ｈrより離れた所に設定する必要がある。し
かし、そうするとμ'+とμ'-との差が小さくなり、しか
も小型化のために円板状フェライトコアの直径も小さく
抑えられているので、図１２の３本のストリップライン
２ａ，２ｂ，２ｃの交差角度を１２０度とした従来のス
トリップライン構造では正常な信号の伝達ができない。
本発明の第１の実施の形態によるストリップライン構造
とすることにより、他端子間を犠牲にして主要端子間の
み、すなわち入出力端子間のみに注視することでμ'+と
μ'-との差が小さい領域に動作点を設定した場合でも小
径の円板状フェライトコアで挿入損失を最小にすること
ができる。

【００２８】図６は本発明の第１の実施の形態におい
て、先端部が入出力端となったストリップライン１２
ａ，１２ｂ間の交差角度θを１３２度としたときの逆方
向損失（アイソレーション）、挿入損失及び入力側及び
出力側の反射特性としての電圧定在波比（Ｖ.Ｓ.Ｗ.
Ｒ.）の周波数特性を示す。但し、図６の場合、円板状
フェライトコアの直径３.５mm、厚み０.４mmとし、終端
抵抗３４を５０Ωとした。

【００２９】本発明の第１の実施の形態の場合を示す図
６と従来の図１３とを比較すると、図６の方が挿入損失
を０.１ｄＢ改善できていることが判る（換言すれば、
数％の電力損失低減効果があることを示している。）。
なお、逆方向損失は図６の方がやや低下しているが、要
求されている６ｄＢに対して十分であり、さらに終端抵
抗３４を接続するストリップライン１２ｃ先端部の実際
の特性インピーダンスに終端抵抗３４の抵抗値を合わせ
ることで逆方向損失を２０ｄＢ以上とすることも可能で
ある。

【００３０】図７は本発明の第１の実施の形態におい
て、先端部が入出力端となったストリップライン１２
ａ，１２ｂ間の交差角度θを１３２度とし、かつ終端抵
抗３４の抵抗値をストリップライン１２ｃの特性インピ
ーダンスに合わせて９２Ωとしたときの逆方向損失（ア
イソレーション）、挿入損失及び入力側及び出力側の反
射特性としての電圧定在波比（Ｖ.Ｓ.Ｗ.Ｒ.）の周波数
特性を示す。なお、その他の測定条件は図６と同じとし
た。この図７では、図６と同様に挿入損失を改善してい
るとともに、逆方向損失２０ｄＢ以上を得ている。

【００３１】図８は本発明の第１の実施の形態におい
て、先端部が入出力端となったストリップライン１２
ａ，１２ｂ間の交差角度θを１３８度とし、かつ終端抵
抗３４の抵抗値をストリップライン１２ｃの特性インピ
ーダンスに合わせて１２０Ωとしたときの逆方向損失
（アイソレーション）、挿入損失及び入力側及び出力側
の反射特性としての電圧定在波比（Ｖ.Ｓ.Ｗ.Ｒ.）の周
波数特性を示す。なお、その他の測定条件は図６と同じ
とした。この図８においても、図６と同様に挿入損失を
改善しているとともに、逆方向損失２０ｄＢ以上を得て
いる。

【００３２】この第１の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。

【００３３】(1) ３本の中心導体としてのストリップ
ライン１２ａ，１２ｂ，１２ｃのうち終端したストリッ
プライン１２ｃ以外の２つのストリップライン１２ａ，
１２ｂの交差角度θを１２５度≦θ≦１３８度に設定し
たことにより、図５において円板状フェライトコア３に
印加する直流磁界の動作点を磁気共鳴Ｈrよりも高い外
部磁界Ｈoで損失成分を表す円偏波透磁率の虚数項μ"+
が小さい領域に設定できる。この結果、従来一般的な交
差角度θが１２０度の場合に比較して挿入損失を０.１
ｄＢ程度少なくすることができる。

【００３４】(2) 交差角度を変更した点を除き、従来
技術と実質的に同じ部品構成で、材料定数を改善するこ
となく、且つ形状も大きくすることなく挿入損失を低く
することができ、従来技術に比してコストアップとなる
こともない。従って、第１の実施の形態に係る集中定数
型アイソレータを移動通信の携帯機、例えば携帯電話等
に適用すれば、挿入損失が少なくなった分だけ送信部の
出力を小さくして消費電力を減らし、電池の寿命を延ば
すことができる。

【００３５】図９及び図１０は本発明の第２の実施の形
態に係るストリップライン構造を示し、図９は３本のス
トリップライン６２ａ，６２ｂ，６２ｃが形成された中
心導体基板６０を上から見た平面図、図１０は中心導体
基板６０の裏面を上から透視した透視図である。これら
の図から判る通り、３本のストリップライン６２ａ，６
２ｂ，６２ｃを表裏半分に分割した形状のストリップ導
体パターン６３ａ，６３ｂ，６３ｃが中心導体基板６０
の表面に、残りの半分の形状のストリップ導体パターン
６４ａ，６４ｂ，６４ｃが中心導体基板６０の裏面にそ
れぞれ銅等の良導体の厚膜印刷又はプリント配線基板等
で形成され、ストリップライン６２ａを構成するストリ
ップ導体パターン６３ａ，６４ａ同士、ストリップライ
ン６２ｂを構成するストリップ導体パターン６３ｂ，６
４ｂ同士、ストリップライン６２ｃを構成するストリッ
プ導体パターン６３ｃ，６４ｃ同士がそれぞれスルーホ
ール６５で接続されている。中心導体基板６０の上面に
はストリップライン６２ａ，６２ｂの先端部にスルーホ
ール６５を介して接続された入出力電極６６ａ，６６ｂ
及びストリップライン６２ｃの先端部にスルーホール６
５を介して接続された終端電極６６ｃが同様に形成され
ている。また、中心導体基板６０の裏面にはストリップ
ライン６２ａ，６２ｂ，６２ｃの先端部（アース端部）
にスルーホール６５を介して接続されたグランド電極６
７ａ，６７ｂ，６７ｃが同様に形成されている。これら
のグランド電極６７ａ，６７ｂ，６７ｃは円板状フェラ
イトコアをシールドするシールド板（グランド導体板）
に接続される。

【００３６】ここで、先端部が入出力端となるストリッ
プライン６２ａ，６２ｂの交差角度θは、１２５度≦θ
≦１７０度に設定されている。交差角度θを１２５度≦
θ≦１７０度とする理由は、交差角度θが１２５度未満
の場合、従来一般的な１２０度のときと比較して挿入損
失改善効果が少なくなるからであり、また１７０度より
大きくすることはストリップライン６２ａ，６２ｂ相互
の重なる領域が多くなり、スルーホールの配置等が実際
上困難となるからである。

【００３７】なお、中心導体基板６０を円板状フェライ
トコアの上面に近接配置し、さらに第１の実施の形態の
全体構成を示す図２と同様に円板状フェライトコアに直
流磁界を印加する永久磁石やストリップライン６２ｃの
先端部の終端電極６６ｃをグランドにおとす終端抵抗を
設け、全体を軟磁性体のカバーで覆うことで集中定数型
アイソレータを構成する。

【００３８】この第２の実施の形態によれば、集中定数
型アイソレータの挿入損失低減のために交差角度θを１
２０度より大きく１８０度未満とする場合に、第１の実
施の形態のように円板状フェライトコア上に３本のスト
リップラインを折り重ねる場合に比較して交差角度の設
定の自由度が大きい利点がある。

【００３９】なお、第１の実施の形態では、３本の中心
導体のうち終端した中心導体以外の２つの中心導体の交
差角度θを１２５度≦θ≦１３８度に設定し、第２の実
施の形態では１２５度≦θ≦１７０度に設定したが、原
理上は１２０度＜θ＜１８０度の範囲の適切な値に設定
することで、集中定数型アイソレータの挿入損失の低減
が可能である。

【００４０】以下の表１は、終端したストリップライン
以外の２つのストリップライン１２ａ，１２ｂの交差角
度θを変えて実験を行ったときの挿入損失の最小値の測
定結果を示す。尚、フェライトコアは直径３.５mm、厚
み０.４mm、各ストリップラインのライン幅は０.１５mm
としたものを使用した。

【００４１】 表１ θ［°］ 120 126 132 138 150 170 挿入損失 最小値 0.40 0.36 0.32 0.28 0.23 0.22 （ｄＢ）

【００４２】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の集中定数
型アイソレータによれば、電気的に絶縁状態で交差する
ように３本の中心導体を配置し、該３本の中心導体の交
差部分にフェライトコアを近接配置し、該フェライトコ
アに直流磁界を印加するとともに、前記３本の中心導体
の一つを終端した構成において、前記３本の中心導体の
うち終端した中心導体以外の２つの中心導体の交差角度
θを１２０度＜θ＜１８０度に設定したので、従来技術
と実質的に同じ部品構成で、材料定数を改善することな
く、且つ形状も大きくすることなく挿入損失を低くする
ことができる。従って、本発明に係る集中定数型アイソ
レータを移動通信の携帯機、例えば携帯電話等に適用す
れば、挿入損失が少なくなった分だけ送信部の出力を小
さくして消費電力を減らし、電池の寿命を延ばすことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る集中定数型アイソレータの第１の
実施の形態における円板状フェライトコア及びこの上に
折り重ねたストリップラインの組立体を示す平面図であ
る。

【図２】第１の実施の形態の全体構成を示す分解斜視図
である。

【図３】同じく外観を示す斜視図である。

【図４】折り重ねる前の状態の３本のストリップライン
を示す平面図である。

【図５】正負円偏波の比透磁率と外部磁界との関係を示
すグラフである。

【図６】第１の実施の形態において、交差角度θを１３
２度、終端抵抗を５０Ωとしたときの逆方向損失（アイ
ソレーション）、挿入損失及び入力側及び出力側の反射
特性としての電圧定在波比（Ｖ.Ｓ.Ｗ.Ｒ.）の周波数特
性を示すグラフである。

【図７】第１の実施の形態において、交差角度θを１３
２度、終端抵抗を９２Ωとしたときの逆方向損失（アイ
ソレーション）、挿入損失及び入力側及び出力側の反射
特性としての電圧定在波比（Ｖ.Ｓ.Ｗ.Ｒ.）の周波数特
性を示すグラフである。

【図８】第１の実施の形態において、交差角度θを１３
８度、終端抵抗を１２０Ωとしたときの逆方向損失（ア
イソレーション）、挿入損失及び入力側及び出力側の反
射特性としての電圧定在波比（Ｖ.Ｓ.Ｗ.Ｒ.）の周波数
特性を示すグラフである。

【図９】本発明の第２の実施の形態における中心導体基
板の平面図である。

【図１０】同じく中心導体基板を上から見た中心導体基
板裏面の透視図である。

【図１１】従来の集中定数型アイソレータにおいて、折
り重ねる前の状態の３本のストリップラインを示す平面
図である。

【図１２】従来の集中定数型アイソレータにおける円板
状フェライトコア及びこの上に折り重ねたストリップラ
インの組立体を示す平面図である。

【図１３】従来の集中定数型アイソレータ（交差角度１
２０度）の逆方向損失（アイソレーション）、挿入損失
及び入力側及び出力側の反射特性としての電圧定在波比
（Ｖ.Ｓ.Ｗ.Ｒ.）の周波数特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１，１１ シールド板 ２ａ，２ｂ，２ｃ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，６２ａ，
６２ｂ，６２ｃ ストリップライン ３ 円板状フェライトコア １５ ストリップライン及び円板状フェライトコアの組
立体 ２０ 樹脂ケース ２１ 接続端子片 ２２ グランド接続端子片 ３０ 内部基板 ３１ 誘電体基板 ３３ａ，３３ｂ，３３ｃ 容量電極 ３３ｄ グランド接続電極 ３４ 終端抵抗 ３５ 永久磁石 ４１ 上カバー ４２ 下カバー ５０ 端子基板 ５１ 面装着端子電極 ５２，６７ａ，６７ｂ，６７ｃ グランド電極 ６０ 中心導体基板 ６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６４ａ，６４ｂ，６４ｃ ス
トリップ導体パターン ６５ スルーホール ６６ａ，６６ｂ 入出力電極

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的に絶縁状態で交差するように３本
   の中心導体を配置し、該３本の中心導体の交差部分にフ
   ェライトコアを近接配置し、該フェライトコアに直流磁
   界を印加するとともに、前記３本の中心導体の一つを終
   端した集中定数型アイソレータにおいて、前記３本の中
   心導体のうち終端した中心導体以外の２つの中心導体の
   交差角度θを １２０度＜θ＜１８０度 に設定したことを特徴とする集中定数型アイソレータ。
2. 【請求項２】 前記３本の中心導体のうち終端した中心
   導体以外の２つの中心導体の交差角度θを １２５度≦θ≦１７０度 に設定してなる請求項１記載の集中定数型アイソレー
   タ。
3. 【請求項３】 前記３本の中心導体がシールド板から突
   出した３本のストリップラインであって、該シールド板
   上に配置された前記フェライトコア上に折り重ねて構成
   されており、前記３本のストリップラインのうち終端し
   たストリップライン以外の２つのストリップラインの交
   差角度θを １２５度≦θ≦１３８度 に設定してなる請求項１記載の集中定数型アイソレー
   タ。