JPH10112514A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents

Semiconductor device and its manufacture

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JPH10112514A
JPH10112514A JP26419196A JP26419196A JPH10112514A JP H10112514 A JPH10112514 A JP H10112514A JP 26419196 A JP26419196 A JP 26419196A JP 26419196 A JP26419196 A JP 26419196A JP H10112514 A JPH10112514 A JP H10112514A
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JP
Japan
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solder ball
solder
mounting
semiconductor device
substrate
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JP26419196A
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Japanese (ja)
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Yukio Takashima
幸夫 高島
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the dislocation of solder balls and shorting between the solder balls at the time of mounting the solder balls of BGA(ball grid array) and the like. SOLUTION: Holes 7 for solder ball mounting and the hollow part of the metal pad are provided in the metal pad for solder ball mounting 4, and a solder paste film 5 is formed at the periphery. Then, solder balls 6 are mounted. Thus, the dislocation of the solder balls can be prevented, and the solder balls can be installed stably. Consequently, a BGA device which is mechanically shock-proof from the outside can be manufactured, by melting and solidifying (5A) the solder paste film 5 in such a state.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関するものであり、特に、ボールグリッド
アレイ(Ball Grid Array:以下BGAと略す)等の半田
ボールの複数の接続端子を有する半導体装置及びその製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor device having a plurality of solder ball connection terminals such as a ball grid array (BGA). And a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体装置は高集積化、高機能化
が進み、その寸法に比して多数の接続端子が必要とされ
るようになっている。一方、半導体装置を実装使用する
電子機器においては急速に機器の小型化が進み、使用す
る半導体装置の小型化が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have become highly integrated and highly functional, and a large number of connection terminals are required in comparison with their dimensions. On the other hand, in electronic devices mounted with a semiconductor device, miniaturization of the device is rapidly progressing, and miniaturization of a semiconductor device to be used is required.

【0003】これらの事情を背景にして、QFP(Quad
Flat Package )形式の半導体装置では、急速に端子間
隔の縮小が進んできた。しかしながら端子間隔の縮小に
伴い、例えば半導体装置の半田付けの時、隣接する端子
同士が接触して電気的に導通してしまい、不良となるな
どの不都合がおこり、組立不良が増加するなどの不都合
を招いている。
[0003] Against this background, QFP (Quad
In semiconductor devices of the Flat Package) type, the distance between terminals has been rapidly reduced. However, with the reduction in the terminal spacing, for example, when soldering a semiconductor device, adjacent terminals come into contact with each other and become electrically conductive, causing inconveniences such as failure, and inconvenience such as an increase in assembly failure. Has been invited.

【0004】この問題を解決するため、半導体装置の底
面に、一定以上の間隔を開けて多数の半田ボールを配設
し、それぞれの半田ボールを、実装基板内部の配線を介
して半導体装置内部の半導体ペレットと導通させる、例
えばBGA形式の半導体装置が開発されている。
In order to solve this problem, a large number of solder balls are arranged on the bottom surface of the semiconductor device at a predetermined interval or more, and each of the solder balls is connected to the inside of the semiconductor device via wiring inside the mounting board. For example, a BGA-type semiconductor device that conducts with a semiconductor pellet has been developed.

【0005】以下に図10を用いて、従来のBGA形式
の半導体装置の概要を説明する。
An outline of a conventional BGA type semiconductor device will be described below with reference to FIG.

【0006】図10(A)に、BGA形式の半導体装置
の底面図を、図10(B)に、図10(A)のXYの一
点鎖線で示した部分での断面図を示す。
FIG. 10A is a bottom view of a BGA type semiconductor device, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along a dashed-dotted line XY of FIG. 10A.

【0007】図10(A)、(B)では、積層セラミッ
ク基板1の上面(第一の表面)のほぼ中央部には半導体
ペレット11がその裏面を積層セラミック基板1上面と
密着して実装されている。また、半導体ペレット11表
面の周辺部には半導体ペレット電極21が配置されてい
る。一方、積層セラミック基板1の上面には、半導体ペ
レット11実装部と離間して、基板上面電極13が配置
されている。半導体ペレット電極21には、ボンディン
グワイヤ12の一端が接続され、その他端は積層セラミ
ック基板1上の基板上面電極13に接続されている。こ
のボンディングワイヤ12によって半導体ペレット電極
21と、基板上面電極13とが、電気的に接続されてい
る。また、積層セラミック基板1上面には、樹脂製キャ
ップ14が、その周縁部を積層セラミック基板1の周辺
部に固着され、気密封止されて形成され、半導体ペレッ
ト11、ボンディングワイヤ12、基板上面電極13を
覆って保護している。
In FIGS. 10 (A) and 10 (B), a semiconductor pellet 11 is mounted almost at the center of the upper surface (first surface) of the multilayer ceramic substrate 1 with its rear surface in close contact with the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1. ing. Further, a semiconductor pellet electrode 21 is arranged in a peripheral portion of the surface of the semiconductor pellet 11. On the other hand, a substrate upper surface electrode 13 is arranged on the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1 so as to be separated from the semiconductor pellet 11 mounting portion. One end of the bonding wire 12 is connected to the semiconductor pellet electrode 21, and the other end is connected to the substrate upper surface electrode 13 on the multilayer ceramic substrate 1. The semiconductor pellet electrode 21 and the substrate upper surface electrode 13 are electrically connected by the bonding wire 12. On the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1, a resin cap 14 is formed with the peripheral portion fixed to the peripheral portion of the multilayer ceramic substrate 1 and hermetically sealed. The semiconductor pellet 11, the bonding wires 12, and the substrate upper surface electrode 13 is covered and protected.

【0008】一方、積層セラミック基板1の裏面(第二
の表面)には、積層セラミック基板1の内部配線15を
介して基板上面電極13と電気的に接続された、裏面電
極をかねた半田ボール実装用金属パッド4が、互いにほ
ぼ一定の間隔で平面状に形成されている。半田ボール実
装用金属パッド4の表面には半田ボール6が、一つの半
田ボール実装用金属パッド4に対して一つの半田ボール
6の比率で実装されている。半田ボール6と半田ボール
実装用金属パッド4は、溶融固化した半田5Aによって
電気的、機械的に接続されている。
On the other hand, on the back surface (second surface) of the multilayer ceramic substrate 1, a solder ball which is electrically connected to the substrate upper surface electrode 13 via the internal wiring 15 of the multilayer ceramic substrate 1 and also serves as the back surface electrode. The mounting metal pads 4 are formed in a planar shape at substantially constant intervals from each other. Solder balls 6 are mounted on the surface of the solder ball mounting metal pad 4 at a ratio of one solder ball 6 to one solder ball mounting metal pad 4. The solder ball 6 and the solder ball mounting metal pad 4 are electrically and mechanically connected by the molten and solidified solder 5A.

【0009】次に、図11に半田ボールを積層セラミッ
ク基板1裏面の半田ボール実装用金属パッド4へ実装す
る、従来の製造方法の一例を示す。
Next, FIG. 11 shows an example of a conventional manufacturing method in which a solder ball is mounted on a solder ball mounting metal pad 4 on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1.

【0010】図11(1A)ないし図11(4A)は、
積層セラミック基板1裏面の半田ボール実装用金属パッ
ド4上に半田ボール6を実装する工程の上面図を示した
ものであり、図11(1B)ないし図11(4B)は、
上記図11(1A)ないし図11(4A)の、一点鎖線
部分の断面図をそれぞれ示したものである。
FIG. 11 (1A) to FIG. 11 (4A)
FIGS. 11 (1B) to 11 (4B) show top views of a process of mounting the solder balls 6 on the solder ball mounting metal pads 4 on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1. FIGS.
FIGS. 11 (1A) to 11 (4A) are cross-sectional views taken along a chain line.

【0011】図11(1A)、図11(1B)に示すよ
うに、積層セラミック基板1裏面に、裏面電極をかねた
円板状の半田ボール実装用金属パッド4を形成してあ
る。
As shown in FIGS. 11A and 11B, a disk-shaped solder ball mounting metal pad 4 serving as a back surface electrode is formed on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1.

【0012】次に、半田ボール実装用金属パッド4上に
スクリーン印刷により半田ペースト膜5を、金属パッド
4よりもやや小さい円板状に積層形成する。(図11
(2A)、図11(2B))。
Next, a solder paste film 5 is laminated on the solder ball mounting metal pad 4 by screen printing in a disk shape slightly smaller than the metal pad 4. (FIG. 11
(2A), FIG. 11 (2B)).

【0013】この後、図11(3A)、図11(3B)
に示すように、上記半田ペースト膜5と位置整合して、
半田ボール6を半田ペースト膜5上に実装する。ここ
で、半田ペースト膜5は粘性を有しているため、半田ボ
ール6は一部半田ペースト膜5内に埋め込まれて保持さ
れる。
Thereafter, FIGS. 11 (3A) and 11 (3B)
As shown in FIG.
The solder balls 6 are mounted on the solder paste film 5. Here, since the solder paste film 5 has viscosity, the solder balls 6 are partially embedded and held in the solder paste film 5.

【0014】引き続き、加熱処理により半田ペースト膜
5の溶剤を揮発除去し、半田ペースト膜5中の半田微粒
を溶融する。この後冷却する事により、図11(4
A)、図11(4B)に示すように、半田ペースト膜5
を溶融固化した半田5Aを形成する事により、半田ボー
ル6を半田ボール実装用金属パッド4に固定することが
できる。
Subsequently, the solvent of the solder paste film 5 is volatilized and removed by heat treatment, and the solder fine particles in the solder paste film 5 are melted. After that, by cooling, FIG.
A), as shown in FIG.
The solder balls 6 can be fixed to the solder ball mounting metal pads 4 by forming the solder 5A obtained by melting and solidifying the solder 5A.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
の場合、次のような問題があった。
The above-mentioned conventional semiconductor device has the following problems.

【0016】すなわち、図10に示したように半田ボー
ル6は平面状の半田ボール実装用金属パッド4上に溶融
固化した半田5Aによって固定されているだけの構造で
あり、外部からの機械的衝撃に対して弱いという問題が
あった。
That is, as shown in FIG. 10, the solder ball 6 is merely fixed on the flat solder ball mounting metal pad 4 by the melted and solidified solder 5A. There was a problem that was weak to.

【0017】また、上記に述べた従来の製造方法の場
合、次に述べるような問題があった。
In the case of the above-mentioned conventional manufacturing method, there are the following problems.

【0018】図11(3A)、図11(3B)に示した
ように、半田ボール6の、半田ペースト膜5上に実装さ
れてから加熱処理されるまでの間の保持状態は、単に半
田ペースト膜5の粘性で付着しているのみで不安定であ
る。このため、半田ボール6は、実装後、加熱炉に導入
されるまでの間に振動により容易に剥離し、または、位
置ずれを起こしてしまう。実際に、本発明者らの実験に
よれば、上記従来の製造方法では、半田ボール数200
ないし250程度のボールグリッドアレイの場合、工程
中の衝撃等により、10%程度のボールグリッドアレイ
で半田ボールの位置ずれ不良が発生していた。この位置
ずれ不良対策としては半田ペースト量の増量により保持
力を強化する事が考えられる。しかし、この場合、半田
ペースト膜5の加熱溶融工程で、溶融した半田ペースト
により、隣接する基板パッド間での半田の短絡が生じ易
くなりショート不良の発生率が高くなってしまう。
As shown in FIGS. 11 (3A) and 11 (3B), the holding state of the solder balls 6 from the time when they are mounted on the solder paste film 5 to the time when they are subjected to the heat treatment is simply the solder paste. The film 5 is unstable only due to its viscosity. For this reason, the solder ball 6 is easily peeled off or displaced by the vibration after being mounted and before being introduced into the heating furnace. In fact, according to experiments performed by the present inventors, in the conventional manufacturing method, the number of solder balls is 200.
In the case of a ball grid array of about 250 to about 250%, a ball grid array of about 10% has a solder ball misalignment defect due to an impact during a process or the like. As a countermeasure against this misalignment, it is conceivable to increase the holding force by increasing the amount of solder paste. However, in this case, in the heating and melting step of the solder paste film 5, the molten solder paste easily causes a short circuit of the solder between adjacent substrate pads, thereby increasing the short-circuit failure rate.

【0019】本発明は上記の問題に鑑みなされたもの
で、半田ボールが安定して固定され、外部からの機械的
衝撃に対して強い半導体装置、及び、適量の半田ペース
トを用い、半田ボールを半田ペースト膜上に安定して実
装できる半導体装置の製造方法を提供する事を目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a semiconductor device in which a solder ball is stably fixed and which is resistant to external mechanical shock, and a solder ball formed by using an appropriate amount of solder paste. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can be stably mounted on a solder paste film.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置では、第一の表面、及び前
記第一の表面の反対側に第二の表面を有する実装基板
と、前記実装基板の第一の表面に実装された半導体ペレ
ットと、前記実装基板の第一の表面に形成され、前記半
導体ペレット上の半導体ペレット電極と電気的に接続さ
れた基板上面電極と、前記実装基板の第二の表面に形成
され、前記基板上面電極と電気的に接続された基板下面
電極と、前記基板下面電極に電気的に接続された半田ボ
ールとからなり、前記半田ボール周辺の前記実装基板の
第二の表面上に前記半田ボール側面部と接触しかつ半田
ボールを保持する半田ボール保持手段を有する事を特徴
とする。
In order to solve the above-mentioned problems, in a semiconductor device according to the present invention, a mounting substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface is provided. A semiconductor pellet mounted on a first surface of the mounting substrate, a substrate upper surface electrode formed on a first surface of the mounting substrate and electrically connected to a semiconductor pellet electrode on the semiconductor pellet; A lower substrate electrode formed on the second surface of the substrate and electrically connected to the upper substrate electrode; and a solder ball electrically connected to the lower substrate electrode. A solder ball holding means is provided on the second surface of the substrate, the solder ball holding means being in contact with the solder ball side surface and holding the solder ball.

【0021】また、前記半田ボール保持手段として、前
記実装基板の第二の表面上の前記半田ボール周辺にその
半田ボール側面部と接触する突起物を有する事を特徴と
する。
Further, as the solder ball holding means, a projection is provided around the solder ball on the second surface of the mounting board, the protrusion being in contact with the side surface of the solder ball.

【0022】また、前記半田ボール保持手段として、前
記実装基板の第二の表面上の前記半田ボール側面部に接
する部分が凹部をなす事を特徴とする。
Further, the solder ball holding means is characterized in that a portion of the second surface of the mounting board which contacts the side surface of the solder ball forms a recess.

【0023】また、前記半田ボール保持手段として、前
記実装基板の第二の表面上の前記半田ボール周辺に、半
田ボールを保持する中空部を持った金属被膜が形成され
ていることを特徴とする。
Further, as the solder ball holding means, a metal film having a hollow portion for holding the solder ball is formed around the solder ball on the second surface of the mounting board. .

【0024】また、上記の問題を解決するため、本発明
に係る半導体装置の製造方法では、実装基板の第一の表
面に半導体ペレットを実装する工程、前記実装基板の前
記第一の表面と反対側の第二の表面に半田ボール側面部
と接触しかつ半田ボールを保持する半田ボール保持手段
を形成する工程、前記半田ボール保持手段部周辺に、半
田ペースト膜を形成する工程、前記半田ボール保持手段
に一部を嵌合し、かつ前記半田ペースト膜に接して半田
ボールを設置する工程、前記半田ペースト膜を溶融固化
し、前記半田ボール保持手段に前記半田ボール側面部を
固着する工程、を含む事を特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting a semiconductor pellet on a first surface of a mounting substrate; Forming solder ball holding means for contacting the solder ball side surface and holding the solder ball on the second surface on the side; forming a solder paste film around the solder ball holding means; holding the solder ball A step of fitting a part to the means, and placing a solder ball in contact with the solder paste film, a step of melting and solidifying the solder paste film, and fixing the solder ball side portion to the solder ball holding means, It is characterized by including.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の第一の実施の形
態に係る半導体装置につき、BGA形式の半導体装置を
例にとって、図1を用いて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention will be described in detail using a BGA type semiconductor device as an example with reference to FIG.

【0026】図1は、半導体装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device.

【0027】図1では、積層セラミック基板1の上面
(第一の表面)のほぼ中央部には、半導体ペレット11
がその裏面を積層セラミック基板1上面と密着して実装
されている。また、半導体ペレット11表面の周辺部に
は半導体ペレット電極21が配置されている。一方、積
層セラミック基板1の上面には、半導体ペレット11実
装部と離間して、基板上面電極13が配置されている。
半導体ペレット電極21には、ボンディングワイヤ12
の一端が接続され、その他端は積層セラミック基板1上
の基板上面電極13に接続されている。このボンディン
グワイヤ12によって半導体ペレット電極21と、基板
上面電極13とが、電気的に接続されている。また、積
層セラミック基板1上面には、樹脂製キャップ14が、
その周縁部を積層セラミック基板1の周辺部に固着さ
れ、気密封止されて形成され、半導体ペレット11、ボ
ンディングワイヤ12、基板上面電極13を覆って保護
している。
In FIG. 1, a semiconductor pellet 11 is provided substantially at the center of the upper surface (first surface) of the multilayer ceramic substrate 1.
Is mounted with its back surface in close contact with the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1. Further, a semiconductor pellet electrode 21 is arranged in a peripheral portion of the surface of the semiconductor pellet 11. On the other hand, a substrate upper surface electrode 13 is arranged on the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1 so as to be separated from the semiconductor pellet 11 mounting portion.
The semiconductor pellet electrode 21 has a bonding wire 12
Is connected to the substrate upper surface electrode 13 on the multilayer ceramic substrate 1. The semiconductor pellet electrode 21 and the substrate upper surface electrode 13 are electrically connected by the bonding wire 12. A resin cap 14 is provided on the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1.
The peripheral portion is fixed to the peripheral portion of the multilayer ceramic substrate 1 and is hermetically sealed. The peripheral portion covers and protects the semiconductor pellet 11, the bonding wire 12, and the substrate upper surface electrode 13.

【0028】一方、積層セラミック基板基体1Aの裏面
(第二の表面)には、半田ボール保持手段として作用す
る貫通孔7の開孔された積層セラミック基板最外層1B
の裏面が貼付されており、積層セラミック基板基体1A
と合わせて積層セラミック基板1を形成している。積層
セラミック基板最外層1B表面の貫通孔7周辺には半田
ボール実装用金属パッド4が形成されている。また、貫
通孔7より露出した積層セラミック基板基体1Aの裏面
には、裏面電極としての電極膜3が形成されている。こ
の電極膜3は、積層セラミック基板基体1A内の内部配
線15を介して積層セラミック基板基体1A上面の基板
上面電極13と電気的に接続されている。更に、貫通孔
7内に一部を埋設され、電極膜3に接して半田ボール6
が載置されている。半田ボール6は、溶融固化した半田
5Aによって半田ボール実装用金属パッド4に接続固定
されている。ここで、半田ボール6は、直径700ミク
ロン、貫通孔7は、内径500ミクロン程度であり、積
層セラミック基板の最外層1Bは、厚さ100ミクロン
程度である。
On the other hand, on the back (second surface) of the multilayer ceramic substrate 1A, the outermost layer 1B of the multilayer ceramic substrate having a through hole 7 acting as a solder ball holding means is formed.
Of the multilayer ceramic substrate 1A
To form the multilayer ceramic substrate 1. A solder ball mounting metal pad 4 is formed around the through hole 7 on the surface of the outermost layer 1B of the multilayer ceramic substrate. Further, an electrode film 3 as a back surface electrode is formed on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1 </ b> A exposed from the through hole 7. The electrode film 3 is electrically connected to the substrate upper surface electrode 13 on the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1A via the internal wiring 15 in the multilayer ceramic substrate 1A. Further, a part of the solder ball 6 is buried in the through hole 7 and is in contact with the electrode film 3.
Is placed. The solder ball 6 is connected and fixed to the solder ball mounting metal pad 4 by the molten and solidified solder 5A. Here, the solder ball 6 has a diameter of 700 microns, the through hole 7 has an inner diameter of about 500 microns, and the outermost layer 1B of the multilayer ceramic substrate has a thickness of about 100 microns.

【0029】上述の本発明の第一の実施の形態に係る半
導体装置によれば、半田ボール6は底部を電極膜3で、
側面部を貫通孔7の側縁で支えられており、その上で溶
融固化した半田5Aで上部を固定されているため、外部
からの力に対して非常に安定である。
According to the above-described semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, the solder ball 6 has the electrode film 3 at the bottom.
Since the side portion is supported by the side edge of the through hole 7, and the upper portion is fixed thereon by the melted and solidified solder 5A, it is very stable against external force.

【0030】また、上述のように半田ボールの位置が安
定しているため、溶融固化した半田5Aの量は、従来の
平面金属パッド上に実装する場合と比較して小量で、半
田ボール6の充分な安定を確保する事ができる。また、
半田ペースト量が充分に少ない事から、隣接する半田ボ
ールないし半田ボール実装用金属パッドとの間でのショ
ートの発生はない。
Further, since the position of the solder ball is stable as described above, the amount of the melted and solidified solder 5A is smaller than that in the case where the solder ball 5A is mounted on the conventional flat metal pad, and the amount of the solder ball 6A is small. Sufficient stability can be ensured. Also,
Since the amount of solder paste is sufficiently small, there is no short circuit between adjacent solder balls or metal pads for mounting solder balls.

【0031】尚、上記では、電極膜3が基板上面電極1
3と電気的に接続されているが、これに代えて、実装用
金属パッド4と基板上面電極とを電気的に接続しても良
い。
In the above description, the electrode film 3 is the substrate upper electrode 1
3, the mounting metal pad 4 and the upper surface electrode of the substrate may be electrically connected instead.

【0032】次に上記の半導体装置の製造方法につき、
図2を用いて詳細に説明する。
Next, with respect to the above-described method for manufacturing a semiconductor device,
This will be described in detail with reference to FIG.

【0033】図2(1A)ないし図2(5A)は、積層
セラミック基板1裏面の貫通孔7に半田ボール6を実装
する工程の半田ボール実装部周辺を積層セラミック基板
1裏面側からみた工程断面図である。図2(1B)ない
し図2(5B)は、上記図2(1A)ないし(5A)に
一点鎖線で示した、XYでの断面図をそれぞれ示したも
のである。
FIGS. 2A to 2A are cross-sectional views of the periphery of the solder ball mounting portion in the step of mounting the solder balls 6 in the through holes 7 on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1 as viewed from the back surface side of the multilayer ceramic substrate 1. FIG. FIGS. 2 (1B) to 2 (5B) are cross-sectional views along XY indicated by dashed lines in FIGS. 2 (1A) to (5A).

【0034】まず、積層セラミック基板基体1Aの裏面
に、厚さ5ミクロン程度で直径500ミクロン程度の円
形の電極膜3を、焼結形成する(図2(1A)1、図2
(1B)1)。
First, a circular electrode film 3 having a thickness of about 5 μm and a diameter of about 500 μm is sintered and formed on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1A (FIG. 2 (1A) 1, FIG. 2).
(1B) 1).

【0035】一方、厚さ約100ミクロンの積層セラミ
ック基板最外層1Bの裏面に外形1mm程度の半田ボー
ル実装用金属パッド4を焼結形成し、前記半田ボール実
装用金属パッド4の中心部に貫通孔7を直径500ミク
ロン程度に形成する(図2(1A)2、図2(1B)
2)。
On the other hand, a metal pad 4 for mounting a solder ball having an outer diameter of about 1 mm is formed on the back surface of the outermost layer 1B of the multilayer ceramic substrate having a thickness of about 100 microns by sintering. The hole 7 is formed to have a diameter of about 500 microns (FIG. 2 (1A) 2, FIG. 2 (1B)
2).

【0036】次に、積層セラミック基板基体1Aの裏面
と、積層セラミック基板最外層1Bの表面を、貫通孔7
から電極膜3が露出するように貼り合わせる(図2(2
A)、図2(2B))。
Next, the back surface of the multilayer ceramic substrate 1A and the surface of the outermost layer 1B of the multilayer ceramic substrate are
(FIG. 2 (2)
A), FIG. 2 (2B)).

【0037】次に、半田ボール実装用金属パッド4上
に、半田スクリーン印刷により半田ペースト膜5を15
0ミクロン程度塗布形成する。
Next, a solder paste film 5 is formed on the solder ball mounting metal pad 4 by solder screen printing.
A coating is formed on the order of 0 microns.

【0038】この半田ペースト膜5の形成は半田ボール
実装用金属パッド4上のみに行われるよう、図示しない
印刷マスクを用いて行えば良い(図2(3A)、図2
(3B))。
The solder paste film 5 may be formed using a print mask (not shown) so that the solder paste film 5 is formed only on the solder ball mounting metal pad 4 (FIG. 2 (3A), FIG. 2).
(3B)).

【0039】引き続き、直径約700ミクロンの半田ボ
ール6を貫通孔7内に載置する。この際、半田ボール載
置部分には貫通孔7が予め形成されているため、半田ボ
ール6は、貫通孔7内に安定して載置する事ができる。
この半田ボール6の載置に際しては、貫通孔7が形成さ
れている積層セラミック基板1の裏面を上にして、上記
積層セラミック基板1裏面上に多量の半田ボール6を転
がすことにより貫通孔7に対応して一つづつ半田ボール
6を載置する事ができる。(図2(4A)、図2(4
B))。
Subsequently, a solder ball 6 having a diameter of about 700 μm is placed in the through hole 7. At this time, since the through holes 7 are formed in advance in the solder ball mounting portion, the solder balls 6 can be stably mounted in the through holes 7.
When the solder balls 6 are mounted, a large amount of the solder balls 6 are rolled on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1 with the back surface of the multilayer ceramic substrate 1 having the through holes 7 formed thereon. Correspondingly, the solder balls 6 can be placed one by one. (FIG. 2 (4A), FIG. 2 (4
B)).

【0040】引き続き、半田ペースト膜5を加熱溶融、
冷却固化することにより、半田ボール6と半田ボール実
装用金属パッド4を溶融固化した半田5Aによって接続
固定する。この際、半田ボール6の融点は半田ペースト
膜を形成する半田よりも融点が低く、半田5A形成時に
も溶融することがない(図2(5A)、図2(5
B))。
Subsequently, the solder paste film 5 is heated and melted,
By cooling and solidifying, the solder balls 6 and the solder ball mounting metal pads 4 are connected and fixed by the molten and solidified solder 5A. At this time, the melting point of the solder ball 6 is lower than the melting point of the solder forming the solder paste film, and does not melt even when the solder 5A is formed (FIG. 2 (5A), FIG. 2 (5)).
B)).

【0041】上述の製造方法によれば、半田ボール6
は、貫通孔7内に安定して実装する事が可能である。こ
のため、半田ボール実装工程の工程数をまったく増加さ
せる事なく、工程中の半田ボールの位置ずれを削減する
事ができ、製造歩留の向上をはかる事ができる。
According to the manufacturing method described above, the solder balls 6
Can be stably mounted in the through hole 7. For this reason, it is possible to reduce the displacement of the solder balls during the process without increasing the number of solder ball mounting processes at all, and to improve the production yield.

【0042】尚、上記の本発明の第一の実施の形態で
は、半田ボール6が直径700ミクロン程度の場合に付
いて説明したが、本発明の実施はこれに限るものではな
く、半田ボールの大きさが変わった場合でも、貫通孔7
の内径、実装用金属パッド4の外径を調整する事により
実施する事ができる。
In the first embodiment of the present invention, the case where the solder ball 6 has a diameter of about 700 microns has been described. However, the present invention is not limited to this. Even if the size changes, the through hole 7
And the outer diameter of the mounting metal pad 4 can be adjusted.

【0043】次に、本発明の第二の実施の形態に係るB
GA形式の半導体装置に付いて図3を用いて説明する。
Next, B according to the second embodiment of the present invention will be described.
A GA type semiconductor device will be described with reference to FIG.

【0044】図3は、BGA形式の半導体装置の断面図
である。
FIG. 3 is a sectional view of a BGA type semiconductor device.

【0045】図3において、図1と同一の部分には同一
の符号を付し説明を省略する。
In FIG. 3, the same portions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0046】図3で、積層セラミック基板上面の構造は
図1と同様である。
In FIG. 3, the structure of the upper surface of the multilayer ceramic substrate is the same as that of FIG.

【0047】一方、積層セラミック基板1の裏面には、
半田ボール6保持手段として作用する中空平板状の厚さ
15ミクロン程度の半田ボール実装金属パッド4が形成
されている。この半田ボール実装金属パッド4は、積層
セラミック基板1内の内部配線15を介して積層セラミ
ック基板1上面の基板上面電極13と電気的に接続され
ている。
On the other hand, on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1,
A solder ball mounting metal pad 4 having a thickness of about 15 μm is formed in a hollow flat plate and functions as a holding means for the solder ball 6. The solder ball mounting metal pad 4 is electrically connected to the substrate upper surface electrode 13 on the upper surface of the multilayer ceramic substrate 1 via the internal wiring 15 in the multilayer ceramic substrate 1.

【0048】また、半田ボール実装金属パッド4内の平
板状中空部に一部を嵌合され、半田ボール6が載置され
ている。半田ボール6は、溶融固化した半田5Aによっ
て中空平板状の半田ボール実装金属パッド4中空部に接
続固定されている。ここで、半田ボール6は、直径70
0ミクロン、半田ボール実装金属パッド4の外径は直径
800ミクロン程度、平板状中空部は、内径200ミク
ロン程度である。
Further, a part is fitted into a flat hollow portion in the solder ball mounting metal pad 4, and a solder ball 6 is placed thereon. The solder balls 6 are connected and fixed to the hollow flat-plate-shaped solder ball mounting metal pads 4 by the molten and solidified solder 5A. Here, the solder ball 6 has a diameter of 70
0 μm, the outer diameter of the solder ball mounting metal pad 4 is about 800 μm in diameter, and the inner diameter of the flat hollow portion is about 200 μm.

【0049】上述の本発明の第二の実施の形態に係る半
導体装置によれば、半田ボール6は底部を積層セラミッ
ク基板1の裏面で、側面部を半田ボール実装金属パッド
4中空部の側縁で支えられており、その上で溶融固化し
た半田5Aで上部を固定されているため、外部からの力
に対して非常に安定である。
According to the above-described semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, the solder ball 6 has a bottom portion on the back surface of the multilayer ceramic substrate 1 and a side portion on the side edge of the solder ball mounting metal pad 4 hollow portion. , And the upper portion is fixed with the solder 5A melted and solidified thereon, so that it is very stable against external force.

【0050】また、上述のように半田ボールの位置が安
定しているため、溶融固化した半田5Aの量は、従来の
平面金属パッド上に実装する場合と比較して小量で、半
田ボール6の充分な安定を確保する事ができる。また、
半田ペースト量が充分に少ない事から、隣接する半田ボ
ールないし半田ボール実装用金属パッドとの間でのショ
ートの発生はない。
Further, since the position of the solder ball is stable as described above, the amount of the melted and solidified solder 5A is smaller than that in the case where the solder 5A is mounted on a conventional flat metal pad. Sufficient stability can be ensured. Also,
Since the amount of solder paste is sufficiently small, there is no short circuit between adjacent solder balls or metal pads for mounting solder balls.

【0051】次に上記の半導体装置の製造方法を、図4
を用いて詳細に説明する。
Next, the method of manufacturing the semiconductor device will be described with reference to FIG.
This will be described in detail with reference to FIG.

【0052】図4(1A)ないし図4(4A)は、積層
セラミック基板1実装部の中空円板状に形成された半田
ボール実装用金属パッド4上に半田ボール6を実装する
工程の上面図を示したものである。
FIGS. 4 (1A) to 4 (4A) are top views showing the steps of mounting the solder ball 6 on the solder ball mounting metal pad 4 formed in the hollow disk shape of the mounting portion of the multilayer ceramic substrate 1. It is shown.

【0053】図4(1B)ないし図4(4B)は、上記
図4(1A)ないし図4(4A)に一点鎖線で示したX
Y部分での断面図をそれぞれ示したものである。
FIGS. 4 (1B) to 4 (4B) show X in FIG. 4 (1A) to 4 (4A) indicated by a dashed line.
FIG. 4 shows cross-sectional views at a Y portion.

【0054】以下で、図2と同一部分に付いては同一番
号を付し、説明を省略する。
Hereinafter, the same portions as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0055】まず、積層セラミック基板1上に内径20
0ミクロン程度の中空部を有する、外形800ミクロン
程度の円板状の半田ボール実装用金属パッド4を焼結形
成する。ここで、半田ボール実装用金属パッド4は、半
田ボール6を載置するため厚めに形成する事が望まし
く、15ミクロン程度とする(図4(1A)、図4(1
B))。
First, the inner diameter 20 is formed on the multilayer ceramic substrate 1.
A disk-shaped solder ball mounting metal pad 4 having a hollow portion of about 0 μm and an outer shape of about 800 μm is formed by sintering. Here, the solder ball mounting metal pad 4 is desirably formed to be thick to place the solder ball 6 thereon, and has a thickness of about 15 μm (FIG. 4 (1A), FIG.
B)).

【0056】引き続き、前記半田ボール実装用金属パッ
ド4上にスクリーン印刷により中空円板状の半田ペース
ト膜5を150ミクロン程度の厚さに形成する(図4
(2A)、図4(2B))。
Subsequently, a hollow disk-shaped solder paste film 5 having a thickness of about 150 μm is formed on the solder ball mounting metal pad 4 by screen printing (FIG. 4).
(2A), FIG. 4 (2B)).

【0057】次に、直径700ミクロン程度の半田ボー
ル6を半田ボール実装用金属パッド4の中空部に載置す
る(図4(3A)、図4(3B))。
Next, a solder ball 6 having a diameter of about 700 μm is placed in the hollow portion of the solder ball mounting metal pad 4 (FIGS. 4A and 4B).

【0058】更に半田ペースト5を加熱溶融、冷却固化
する事によって半田ボール6を溶融固化した半田5Aに
よって中空円板状の半田ボール実装用金属パッド4内に
固定する(図4(4A)、図4(4B))。
Further, the solder ball 6 is heated and melted, and then solidified by cooling. The solder ball 6 is fixed in the hollow disk-shaped metal pad 4 for mounting the solder ball by the melted and solidified solder 5A (FIG. 4 (4A)). 4 (4B)).

【0059】上記の製造方法によれば、半田ボール6
は、半田ボール実装用金属パッド4の中空部に載置され
ているため、横方向にずれること無く、安定して実装す
る事が可能である。このため、半田ボール実装工程の工
程数をまったく増加させる事無く、工程中の半田ボール
の位置ずれを削減する事ができ、製造歩留の向上をはか
る事ができる。また、中空状の金属パッドの形成は、部
分的な厚膜銅メッキによって容易に実施でき、製造上何
等不都合はない。更に、従来使用していた半導体装置
に、単に外装メッキを変更して半田ボール実装用金属パ
ッド4部分に厚膜メッキを施す事により実施できるた
め、工程変更が容易である。
According to the above manufacturing method, the solder balls 6
Is mounted in the hollow portion of the solder ball mounting metal pad 4, so that it can be mounted stably without shifting laterally. For this reason, the position shift of the solder ball during the process can be reduced without increasing the number of solder ball mounting processes at all, and the manufacturing yield can be improved. Further, the formation of the hollow metal pad can be easily performed by partial thick-film copper plating, and there is no inconvenience in manufacturing. Further, the semiconductor device used in the related art can be implemented by simply changing the outer plating and applying a thick film plating to the portion of the metal pad 4 for solder ball mounting, so that the process can be easily changed.

【0060】上記の本発明の第二の実施の形態の変形例
を図5、図6に示す。図5(1)、図6(1)は金属パ
ッド4の上面図を示しており、図5(2)、図6(2)
は、それぞれに半田ボールを実装したときの上面図を示
している。図5(1)は、金属パッド4の上面形状を図
4(1A)の中空円板状とせずに、矩形平板状の金属パ
ッド4を4つ並べたものであり、図6(1)は、矩形平
板状の金属パッド4を3つ並べたものである。この場合
でも図5(2)、図6(2)に示すように、4個ないし
3個の金属パッド4で囲まれた部分が半田ボール保持手
段として作用し、半田ボール6を安定して載置する事が
できる。
FIGS. 5 and 6 show a modification of the second embodiment of the present invention. 5 (1) and 6 (1) show top views of the metal pad 4, and FIGS. 5 (2) and 6 (2)
Shows a top view when solder balls are mounted on each of them. FIG. 5A shows an arrangement in which four rectangular flat metal pads 4 are arranged instead of the upper surface of the metal pad 4 having the hollow disk shape shown in FIG. 4A, and FIG. , Three rectangular flat metal pads 4 are arranged. Even in this case, as shown in FIGS. 5 (2) and 6 (2), a portion surrounded by four or three metal pads 4 functions as a solder ball holding means, and the solder ball 6 is stably mounted. Can be placed.

【0061】また、金属パッド4の形状は、図7に示し
たように中空矩形状としても良い。このような金属パッ
ド4を半導体装置裏面に並べた場合、図9(A)(図4
に示した実施の形態)、図9(B)(図7に示した実施
の形態)に金属パッド4の配置図を比較して示したよう
に、同一間隔dで、同一径Dの金属パッド4を配置した
とき、同一面積で同一の数の金属パッドを配置する事が
出来る。しかも、金属パッド4の一つあたりの面積は増
加できるため、半田ペースト5の塗布領域を広く取る事
ができる。これにより、同一の半田ペースト膜厚で、金
属パッド4相互のショートを発生する事なく、比較的多
量の半田を用いる事ができ、半田ボールの安定性を向上
できる。
The shape of the metal pad 4 may be a hollow rectangular shape as shown in FIG. When such metal pads 4 are arranged on the back surface of the semiconductor device, FIG.
As shown in FIG. 9B and FIG. 9B (embodiment shown in FIG. 7), the arrangement of the metal pads 4 is compared with each other. When 4 are arranged, the same number of metal pads can be arranged in the same area. In addition, since the area per one of the metal pads 4 can be increased, the application area of the solder paste 5 can be widened. Accordingly, a relatively large amount of solder can be used without causing a short circuit between the metal pads 4 with the same solder paste film thickness, and the stability of the solder ball can be improved.

【0062】更に、図8に示したように中空部分が円状
で、外形が矩形のパッドとしても良い。このような金属
パッド4を半導体装置裏面に並べた場合、図9(A)
(図4に示した実施の形態)、図9(C)(図8に示し
た実施の形態)に金属パッドの配置図を比較して示した
ように、同一間隔dで、同一径Dの金属パッド4を配置
した場合、図7に示した例と同様に、同一面積で同一の
数の金属パッドを配置する事が出来、同様の効果が得ら
れる。更に金属パッドの面積は図7に示した形状より更
に増加できるため、半田ペースト5の塗布領域を更に広
く取る事ができる。
Further, as shown in FIG. 8, a pad having a circular hollow portion and a rectangular outer shape may be used. When such metal pads 4 are arranged on the back surface of the semiconductor device, FIG.
(Embodiment shown in FIG. 4) and FIG. 9 (C) (Embodiment shown in FIG. 8) by comparing the arrangement diagrams of the metal pads, as shown in FIG. When the metal pads 4 are arranged, the same number of metal pads can be arranged in the same area and the same effect as in the example shown in FIG. Further, since the area of the metal pad can be further increased than the shape shown in FIG. 7, the application area of the solder paste 5 can be made wider.

【0063】尚、上記の本発明の第二の実施の形態で
は、半田ボール6が直径700ミクロン程度の場合に付
いて説明したが、本発明の実施はこれに限るものではな
く、半田ボールの大きさが変わった場合でも、半田ボー
ル実装用金属パッド4の内径、外径、厚さを調整する事
により実施する事ができる。
In the above-described second embodiment of the present invention, the case where the solder ball 6 has a diameter of about 700 microns has been described. However, the present invention is not limited to this. Even when the size is changed, it can be implemented by adjusting the inner diameter, outer diameter, and thickness of the solder ball mounting metal pad 4.

【0064】[0064]

【発明の効果】上記のように、本発明によれば、外部か
らの衝撃に対して強い半導体装置、及び、半田ボールの
位置ずれがなく、隣接半田ボール同士のショート不良の
発生のない半導体装置の製造方法を得る事ができる。
As described above, according to the present invention, a semiconductor device which is resistant to external impacts and a semiconductor device which does not cause displacement of solder balls and short-circuit between adjacent solder balls does not occur. Can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施の形態に係る半導体装置の
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第一の実施の形態に係る半導体装置の
製造工程の工程上面図及び工程断面図である。
FIG. 2 is a process top view and a process cross-sectional view of a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第二の実施の形態に係る半導体装置の
断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第二の実施の形態に係る半導体装置の
製造工程の工程上面図及び工程断面図である。
FIG. 4 is a process top view and a process cross-sectional view of a manufacturing process of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第二の実施の形態の変形例に係る半田
ボール実装用金属パッド及び半田ボール実装状態を示す
上面図の一部である。
FIG. 5 is a part of a top view showing a solder ball mounting metal pad and a solder ball mounting state according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第二の実施の形態の変形例に係る半田
ボール実装用金属パッド及び半田ボール実装状態を示す
上面図の一部である。
FIG. 6 is a part of a top view showing a solder ball mounting metal pad and a solder ball mounting state according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第二の実施の形態に係る半田ボール実
装用金属パッドの変形例の上面図である。
FIG. 7 is a top view of a modified example of the solder ball mounting metal pad according to the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第二の実施の形態に係る半田ボール実
装用金属パッドの変形例の上面図である。
FIG. 8 is a top view of a modification of the solder ball mounting metal pad according to the second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第二の実施の形態に係る半田ボール実
装用金属パッドの半導体装置裏面の面内配置図である。
FIG. 9 is an in-plane arrangement diagram of a semiconductor device rear surface of a solder ball mounting metal pad according to a second embodiment of the present invention.

【図10】従来のBGAの断面図及び上面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view and a top view of a conventional BGA.

【図11】従来のBGAの製造方法の工程上面図及び工
程断面図である。
FIG. 11 is a process top view and a process cross-sectional view of a conventional BGA manufacturing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・積層セラミック基板(実装基板) 1A・・・・積層セラミック基板基体 1B・・・・積層セラミック基板最外層 3・・・・・電極膜 4・・・・・半田ボール実装用金属パッド 5・・・・・半田ペースト膜 5A・・・・溶融固化した半田 6・・・・・半田ボール 7・・・・・貫通孔(凹部) 11・・・・半導体ペレット 12・・・・ボンディングワイヤ 13・・・・基板上面電極 14・・・・キャップ 15・・・・内部配線 21・・・・半導体ペレット電極 1 multilayer ceramic substrate (mounting substrate) 1A multilayer ceramic substrate base 1B multilayer ceramic substrate outermost layer 3 electrode film 4 solder ball mounting Metal pad 5 Solder paste film 5A Solder melted and solidified 6 Solder ball 7 Through hole (recess) 11 Semiconductor pellet 12 · Bonding wire 13 ··· Board top electrode 14 ··· Cap 15 ··· Internal wiring 21 ··· Semiconductor pellet electrode

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第一の表面及び前記第一の表面の反対側
に第二の表面を有する実装基板と、 前記実装基板の第一の表面に実装された半導体ペレット
と、 前記実装基板の第一の表面に形成され、前記半導体ペレ
ット上の半導体ペレット電極と電気的に接続された基板
上面電極と、 前記実装基板の第二の表面に形成され、前記基板上面電
極と電気的に接続された基板下面電極と、 前記基板下面電極に電気的に接続された半田ボールとか
らなり、 前記半田ボール周辺の前記実装基板の第二の表面上に前
記半田ボール側面部と接触しかつ半田ボールを保持する
半田ボール保持手段を有する事を特徴とする半導体装
置。
A mounting substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface; a semiconductor pellet mounted on the first surface of the mounting substrate; A substrate upper surface electrode formed on one surface and electrically connected to the semiconductor pellet electrode on the semiconductor pellet; and a substrate upper surface electrode formed on the second surface of the mounting substrate and electrically connected to the substrate upper surface electrode. A lower surface electrode of the substrate; and a solder ball electrically connected to the lower surface electrode of the substrate. The solder ball is in contact with the side surface of the solder ball on the second surface of the mounting substrate around the solder ball and holds the solder ball. A semiconductor device having a solder ball holding means.
【請求項2】 前記半田ボール保持手段として、前記実
装基板の第二の表面上の前記半田ボール周辺にその半田
ボール側面部と接触する突起物を有する事を特徴とする
請求項1に記載の半導体装置。
2. The solder ball holding means according to claim 1, wherein the solder ball holding means includes a protrusion around the solder ball on the second surface of the mounting substrate, the protrusion being in contact with the side surface of the solder ball. Semiconductor device.
【請求項3】 前記半田ボール保持手段として、前記実
装基板の第二の表面上の前記半田ボール側面部に接する
部分が凹部をなす事を特徴とする請求項1に記載の半導
体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a portion of the second surface of the mounting board, which is in contact with the side surface of the solder ball, forms a recess as the solder ball holding means.
【請求項4】 前記半田ボール保持手段として、前記実
装基板の第二の表面上の前記半田ボール周辺に、半田ボ
ールを保持する中空部を持った金属被膜が形成されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
4. A metal film having a hollow portion for holding a solder ball is formed around the solder ball on a second surface of the mounting board as the solder ball holding means. The semiconductor device according to claim 1.
【請求項5】 実装基板の第一の表面に半導体ペレット
を実装する工程、 前記実装基板の前記第一の表面と反対側の第二の表面に
半田ボール側面部と接触しかつ半田ボールを保持する半
田ボール保持手段を形成する工程、 前記半田ボール保持手段部周辺に、半田ペースト膜を形
成する工程、 前記半田ボール保持手段に一部を嵌合し、かつ前記半田
ペースト膜に接して半田ボールを設置する工程、 前記半田ペースト膜を溶融固化し、前記半田ボール保持
手段に前記半田ボール側面部を固着する工程、を含む事
を特徴とする半導体装置の製造方法。
5. A step of mounting a semiconductor pellet on a first surface of a mounting substrate, wherein the second surface of the mounting substrate opposite to the first surface is in contact with a side surface of a solder ball and holds the solder ball. Forming a solder paste film around the solder ball holding means, solder balls in which a part is fitted to the solder ball holding means and is in contact with the solder paste film And a step of melting and solidifying the solder paste film and fixing the side surface portion of the solder ball to the solder ball holding means.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6998336B1 (en) 2004-11-17 2006-02-14 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board and method of producing the same
CN100409429C (en) * 2002-06-07 2008-08-06 Lg电子株式会社 Semiconductor packaging element and method for packaging semiconductor
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