JPH1010841A - 電気的なバイアス帯電可能なシステム部材 - Google Patents
電気的なバイアス帯電可能なシステム部材Info
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Abstract
て、制御した所望の抵抗率をもつ材料からなるエラスト
マー層を作製する。 【解決手段】 静電複写装置用のバイアス可能転写シス
テム部材を提供する。バイアス可能転写部材は撮像基板
から該部材へ電気的に帯電した粒子を集める。該部材は
導電コア2とフッ素含有炭素化合物充填フルオロエラス
トマーからなる外層4とを備える。
Description
電可能なシステム部材に用いるエラストマー層として有
用な、フッ素を含む炭素化合物を充填したエラストマー
に関する。具体的には、バイアス可能なロール、ベル
ト、その他の部材といった、静電複写工程、特にゼログ
ラフィ工程で使用する部品に用いるエラストマー層とし
て有用なフッ素含有炭素化合物を充填したいくつかのエ
ラストマーを選択する。バイアス部品にはバイアス帯電
ベルト、フィルムおよびロール、バイアス転写ベルト、
フィルム、およびロール、バイアス現像ベルト、フィル
ム、およびロール、バイアス誘導ベルト、フィルム、お
よびロール等がある。本発明の実施により、優れた電気
的かつ機械的特性を有するバイアス可能部材を調製およ
び作製できる。これら特性には、所望の抵抗率の範囲内
で導電率が制御されることや、機械的強さ、デュロメー
タ、引っ張り強さ、伸び、およびじん性の向上が挙げら
れる。また、本発明に従って作製されるエラストマー層
は実に優れた特性を有し、例えば温度や湿度の変化、強
力な連続コロナ露光、腐食性の環境、溶剤処理、実行時
間、または高頻度の高電界印加等に統計上左右されない
安定した導電率を持つ。さらに本発明のエラストマー層
は、光導電層などの他のゼログラフィ部品の汚染を低減
できる。
素添加剤に関連した問題を発生させずに、所望の抵抗率
範囲内で安定した導電率を持つことのできるバイアスシ
ステム部材用のエラストマー外層が求められる。
スシステム部材およびその作製方法を提供することであ
る。本発明の利点の大半を本明細書に記載する。
性がより均一なバイアスシステム部材、およびその作製
方法を提供することである。
の抵抗率の範囲内で制御する等の電気的特性の制御が可
能なバイアスシステム部材、およびその作製方法を提供
することである。
達成することができる。本発明の一実施形態は、a)導
電コアと、b)前記導電コア上に配置されるフッ素含有
炭素化合物を充填したフルオロエラストマーを含む外層
と、を備える。
アスシステム部材の内部構造を明示するように切断した
断面図である。実施形態ではバイアスシステム部材はロ
ール形状であり、基本的には、導電金属製の剛性の固体
シリンダ2上に形成されるのが好ましい。導電性金属は
加えられるバイアス電位にすぐに応答できるもの、例え
ばアルミニウム、銅、ステンレス鋼等である。コア2は
本発明に従う導電性のフッ素含有炭素化合物充填フルオ
ロエラストマーのコーティング4で覆われる。コーティ
ング4は、バイアス転写部材と光電導体との接触領域中
および該領域の回りの空気のイオン化を最小限に抑え
る。弾性のあるフッ素含有炭素化合物フルオロエラスト
マーの好適な体積抵抗率は約104〜1013ohm−c
mである。本発明では、導電基板のコーティングはフッ
素含有炭素化合物充填フルオロエラストマーの最低1枚
の層から作製しなければならない。本発明に従いバイア
ス可能システム部材を導電エラストマーで被覆すること
により、該部材の抵抗率の制御が可能になる。さらに、
相対湿度、温度、コロナ露光、腐食性環境、溶剤処理、
高頻度の高電界印加、および実行時間の変化に対する該
部材の抵抗率の制御も可能になる。加えて本発明では、
被覆層表面の均一性および機械的特性が向上する。
を示す。この図では、導電層2とフッ素含有炭素化合物
充填フルオロエラストマーで被覆した導電層8との間に
中間層6が配置される。
フッ素含有炭素化合物充填フルオロエラストマーを含
む。フッ素含有炭素化合物は表面コーティングの硬化に
よってフルオロエラストマーと架橋結合すると考えられ
ている。フッ素含有炭素化合物の量、硬化剤の種類や
量、フッ素含有炭素化合物中のフッ素量、および硬化手
順などによって特定の抵抗率を選択して制御できる。硬
化手順には用いる硬化剤、硬化に要する時間および温度
などが含まれる。
硬化剤や硬化時間および温度を選択するだけではなく、
特定のフッ素含有炭素化合物の選択、またはタイプの異
なる複数のフッ素含有炭素化合物の混合物の選択を行う
必要がある。またフッ素含有炭素化合物中のフッ素含有
量もフルオロエラストマーと混合した場合の抵抗率に影
響する。エラストマーと架橋結合したフッ素含有炭素化
合物は非常に優れた性質を持ち、数多くの環境や機械的
変化にほとんど左右されない所望範囲内の抵抗率をもつ
バイアス転写部材の外表面を提供できる。
るフッ素含有炭素化合物は、炭素をフッ素元素でフッ化
して得られる固体材料である。炭素原子1個あたりのフ
ッ素原子数はフッ化条件によって大きく異なる。このよ
うにフッ素含有炭素化合物における化学量論的(stoichi
metry)な炭素原子に対するフッ素原子数の変化は、フッ
素含有炭素化合物の電気抵抗特性が系統的かつ均一に変
化することを保証する。特定の制御された抵抗率を持つ
ことは、バイアス可能システム部材の外表面にもっとも
望まれる性質である。
は、様々な形の固体炭素1個以上にフッ素を化学的に加
えて調製されるある特定のクラスの組成物である。加え
るフッ素量は所望する抵抗率によって異なる。フルオロ
カーボンは脂肪族または芳香族の有機化合物で、1個以
上のフッ素原子が1個以上の炭素原子に結合して1つの
光鋭な融点または沸点を持つ明確に定義された化合物で
ある。フルオロポリマーは一種類の同一分子が互いに結
合したもので、共有結合によってつながれた長鎖群を含
む。フルオロエラストマーは特定のタイプのフルオロポ
リマーである。当該技術分野ではこれらの用語を明らか
に混乱して使用している場合もあるが、フッ素含有炭素
化合物はフルオロカーボンでもフルオロポリマーでもな
い。本明細書ではフッ素含有炭素化合物をこの定義で用
いる。
に記載する任意のフッ素含有炭素化合物材料を用いるこ
とができる。フッ素含有炭素化合物の調製方法は周知で
あり以下の文献に記載されている。すなわち、米国特許
第2,786,874号、第3,925,492号、第
3,925,263号、第3,872,032号、およ
び第4,247,608号である。基本的にはフッ素含
有炭素化合物の生成には、炭素源とフッ素元素とを15
0℃〜600℃程度の高温で加熱する。炭素源にはアモ
ルファス炭素、コークス、木炭、カーボンブラック、黒
鉛等がある。好適には窒素などの希釈剤をフッ素と混合
する。できあがったフッ素含有炭素化合物の性質および
特性は、炭素源の種類、反応条件、および最終生成物の
フッ素化の程度によって異なる。最終生成物のフッ素化
の程度は、処理反応条件、主として温度と時間によって
異なる。一般に、温度が高く反応時間が長いほどフッ素
含有量は多くなる。
炭素化合物は複数の供給元から商業的に入手可能であ
る。炭素源にはカーボンブラック、結晶化黒鉛、および
石油コークスが好適である。本発明での使用に適したフ
ッ素含有炭素化合物の一形式はポリカーボンモノフルオ
ライドで、通常、CFx と表記される。一般にxは最
大約1.5であり、好適には約0.01〜1.5、より
好適には約0.04〜約1.4である。CFx はラメ
ラ(lamellar)構造を持つ。つまり、フッ素原子が炭素原
子に結合した6つの融合炭素環の層からなり、炭素原子
からなる面同士の間にフッ素が介挿配列されている構造
を持つ。CFx 型のフッ素含有炭素化合物の調製につ
いては上述の米国特許のうち第2,786,874号お
よび第3,925,492号に記載がある。一般にこの
タイプのフッ素含有炭素化合物の生成は炭素元素を触媒
を用いてF2 と反応させることを含む。このタイプのフ
ッ素含有炭素化合物は多数の小売業者から入手可能であ
る。小売業者の例を次に挙げる。Allied Sig
nal(Morristown, New Jerse
y),Central Glass Internati
onal, Inc.,(White Plains,
New York),Diakin Industrie
s, Inc., (New York, New Yor
k),Advanced Research Chemi
cals, Inc.,(Catoosa, Oklah
oma)。
素含有炭素化合物は、ワタナベ ノブアツ提唱のポリ
(ジカーボン モノフルオライド)であり、通常、(C
2F)nと表記される。このタイプのフッ素含有炭素化合
物の調製については、上述の米国特許第4,247,6
08号および次の文献に記載がある。すなわち”Pre
paration of Poly(dicarbon
monofluoride) from Petro
leum Coke”(ワタナベら、Bull.Che
m.Soc.Japan, 55,3197−3199
(1982))である。
米国特許第4,524,119号(発明者Lulyら)
に記載されている。さらに、商標名Accufluor
(Allied Signal(Morristow
n, New Jersey)の登録商標)をもつすべ
てのフッ素含有炭素化合物も好適である。これには、A
ccufluor 2028(フッ素含有率28%),
Accufluor 2065,Accufluor
1000,Accufluor 2010(フッ素含有
率11%)などがある。これらのフッ素含有炭素化合物
の化学式はCFxで、反応式C+F2=CFx から生成
される。
炭素化合物のフッ素含有率を変えて、バイアス可能部材
の抵抗率特性を系統的に均一に変化させられる点であ
る。好適なフッ素含有率は、使用する装置、装置の設置
方法、所望する抵抗率、および選択したフルオロエラス
トマーによって決定される。フッ素含有炭素化合物中の
フッ素含有率は、フッ素含有炭素化合物重量の約1〜約
70重量%(=炭素含有率約99〜約30重量%)であ
る。好適には約5〜約65重量%(=炭素含有率約95
〜約35重量%)、より好適には約10〜約30重量%
(=炭素含有率約90〜約70重量%)である。
最低1ミクロン未満から最大10ミクロンまで可能であ
る。好適なサイズは1ミクロン未満、より好適なサイズ
は約0.5〜0.9ミクロンである。表面積は好適には
約100〜約400m2/g、より好適には約110〜
約340m2/g 、さらに好適には約130〜約170
m2/g である。フッ素含有炭素化合物の濃度は好適に
は約1.5〜約3g/ccであり、より好適には約1.
9〜約2.7g/ccである。
量の約1〜約40%、好適には約1.5〜約35%であ
る。この量で外層の表面抵抗率は、中間層の有無に関係
なく約104および1013ohm/sq. になる。中間
層がない場合、外側の抵抗層の好適な表面抵抗率は約1
08〜約1010ohm−cmである。基板と外側の抵抗
層との間に中間層がある場合は、抵抗層の好適な表面抵
抗率は約107〜約1012ohm−cmである。中間層
がない場合は約108〜約1010、中間層がある場合は
約107〜約1012の抵抗率を得るには、フッ素含有炭
素化合物使用量は1.5〜約35%が好ましい。
は、複数のタイプのフッ素含有炭素化合物を混合すると
よい。例えば、Accufluor 2010を重量比
約0%〜約40%、好適には約1%〜約35%と、Ac
cufluor 2028を重量比約0%〜約40%、
好適には約1%〜約35%、混合してもよい。これら以
外のタイプのフッ素含有炭素化合物を混合してもよい。
また他の例としては、Accufluor 1000を
重量比約0%〜約40%と、Accufluor 20
65を重量比約0%〜約40%、好適には約1%〜約3
5%、混合してもよい。以上の例以外にも様々なタイプ
のAccufluorをどのように組み合わせてもよ
い。
スループット速度が異なる転写システムごとに変化し、
ローラ表面速度とニップ領域の寸法とに対応するよう選
択される。これにより導電コアからバイアスシステム部
材の外表面へ電荷を伝えるのに要する時間は、バイアス
システム部材上の任意の点が転写ニップ領域中に滞留す
る時間をおおむね上回るようになる。バイアスシステム
部材の外部電圧プロファイルは、ニップ入口のエアギャ
ップ中での実質的な空気イオン化に必要な電界強度を下
回り、かつニップ出口を出たところのエアギャップ中で
の空気イオン化に要する電界強度を上回る電界強度を示
すのが理想的である。一般に、電界の大きさは前ニップ
入口から後ニップ出口へと大幅に増大し、一方、この電
解は緩和層で消滅する。この要件に合致する外層の抵抗
率は約104 〜約1013ohm−cm、好適には約1
04 〜約1011ohm−cm、より好適には約108
〜約1010ohm−cmである。ただしこれは外側の抵
抗層と基板との間に中間層がない場合である。中間層が
ある場合は、抵抗率の範囲は約105 〜約1012oh
m−cm、好適には107 〜約1011ohm−cmで
ある。
ラストマーの一例にはフルオロエラストマーがある。適
当なフルオロエラストマーの具体例は次の米国特許に記
載がある。すなわち、米国特許第5,166,031
号,第5,281,506号,第5,366,772
号,第5,370,931号,ならびに第4,257,
699号,第5,017,432号,第5,061,9
65号である。これら米国特許の記載にあるとおり、フ
ルオロエラストマー、特にフッ化ビニリデン、ヘキサフ
ルオロプロピレン、およびテトラフルオロエチレンのコ
ポリマーならびにテルポリマーに属するフルオロエラス
トマーは、商業上は多様な商標名で知られている。商標
名の例を次に示す。VITON A, VITON
E, VITON E60C, VITON E43
0, VITON 910, VITONGH, およ
びVITON GF(VITONはE.I.DuPon
t deNemours, Inc.の登録商標)。F
LUOREL 2170,FLUOREL 2174,
FLUOREL 2176,FLUOREL 217
7,およびFLUOREL LVS 76(FLUOR
ELは3M Companyの登録商標)。AFLAS
(商標)(ポリ(プロピレン−テトラフルオロエチレ
ン))、およびFLUOREL II(登録商標)(L
II900)(ポリ(プロピレン−テトラフルオロエチ
レンビニリデンフルオライド))(共に3MCompa
ny発売)。FOR−60KIR,FOR−LHF,N
M,FOR−THF, FOR−TFS, TH, T
N505(すべてMontedison Specia
lty Chemical Company発売のTe
cnoflonの登録商標)。またこれら以外にも本発
明で有用なエラストマーには、シリコンゴム、エチレン
−プロピレン−ジエンモノマ−(以下、「EPD
M」)、エピクロロヒドリン、スチレン−ブタジエン、
フルオロシリコン、およびポリウレタンエラストマー等
がある。これらエラストマーは公知の接着剤と結合させ
て中間層として使用することも可能である。
部材表面用に特に適したエラストマーの一つである。フ
ルオロエラストマーには、例えばフッ化ビニリデンベー
スのフルオロエラストマーからなり、ヘキサフルオロプ
ロピレンおよびテトラフルオロエチレンをコモノマーと
して含むものなどがある。公知のフルオロエラストマー
のうち本発明で好適なものは次の2つである。(1)フ
ッ化ビニリデンおよびヘキサフルオロプロピレンのコポ
リマーのクラス。商業的には登録商標VITON Aと
して知られる。(2)フッ化ビニリデン、ヘキサフルオ
ロプロピレン、およびテトラフルオロエチレンのテルポ
リマーのクラス。商業的には登録商標VITON Bと
して知られる。(VITON A,VITON B,お
よびその他のVITON商標は、E.I.DuPont
de Nemours andCompanyの登録
商標。)これら以外の商業的に入手可能な材料には、F
LUOREL TM(3M Company)、および
VITON GH,VITON E60C,VITON
B910, VITON E430等がある。
ンの含有量が比較的少ないVITON GF(登録商
標、E.I.DuPont de Nemours,
Inc.発売)等のフルオロエラストマーが使用され
る。VITON GFは、フッ化ビニリデン35モル
%、ヘキサフルオロプロピレン34モル%、テトラフル
オロエチレン29モル%、およびキュアサイトモノマー
2%からなる。
には、上述タイプのエラストマー以外に、体積グラフト
されたエラストマーがある。体積グラフトエラストマー
の具体例は、次の米国特許に記載されている。すなわ
ち、米国特許第5,166,031号,第5,281,
506号,第5,366,772号,第5,370,9
31号である。体積グラフトエラストマーはハイドロフ
ルオロエラストマーの特殊な形であり、フルオロエラス
トマーとポリ有機シロキサンとのハイブリッド組成物か
らなるほぼ均一なインテグラル相互浸透網群である。体
積グラフトは求核性の脱フッ化水素剤でフルオロエラス
トマーを脱フッ化水素化した後、付加重合を行って形成
される。付加重合はアルケンまたはアルキン官能基で終
端したポリ有機シロキサンと、重合イニシエータとを加
えて行われる。
イブリッド組成物のほぼ均一なインテグラル相互浸透網
を指す。従ってバイアス部材の異なる部分を切りとって
も、フルオロエラストマーとポリ有機シロキサンとの構
造および組成はほぼ均一である。体積グラフトエラスト
マーは、フルオロエラストマーとポリ有機シロキサンと
のハイブリッド組成物である。これを形成するには、求
核性の脱フッ化水素剤でフルオロエラストマーを脱フッ
化水素化した後、付加重合を行う。付加重合はアルケン
またはアルキン官能基で終端したポリ有機シロキサンを
加えて行われる。
オロエラストマーとポリ有機シロキサンポリマーの鎖が
互いに絡み合った付加重合マトリクスを指す。
ラストマーとポリ有機シロキサンブロックとがランダム
に配置された体積グラフト組成物を指す。
は2工程で行われる。まず最初の工程では、フルオロエ
ラストマーを脱フッ化水素化する。このとき好ましくは
アミンを用いる。同工程中に、フルオロエラストマー上
で不飽和、炭素−炭素の二重結合を生じるフッ化水素酸
が排除される。第二の工程では、フリーラジカル過酸化
物に誘起される、アルケンまたはアルキンで終端するポ
リ有機シロキサンとフルオロエラストマーの炭素−炭素
二重結合との付加重合が行われる。実施例では、酸化銅
がグラフトコポリマーを含む溶液に加えられる。これに
よりバイアス部材上に分散体(ディスパーション)が得
られる。
ポリ有機シロキサン化学式は次のようになる。
4のアルキニル、または炭素数約4〜約18の置換もし
くは未置換のアリールである。Aは炭素数約6〜約24
のアリール、炭素数約2〜約8の置換もしくは未置換ア
ルケン、または炭素数約2〜約8の置換もしくは未置換
アルキンである。nは約2〜約400で、好適には約1
0〜約200である。
キニル、またはアリールである。アルキルの持つ炭素数
は約1〜約24、好ましくは約1〜約12である。アル
キニルの持つ炭素数は約2〜約24、好ましくは約2〜
約12である。アリールの持つ炭素数は約6〜約24、
好ましくは約6〜約18である。Rは置換されたアリー
ル基でもよい。この場合、アリールはアミノ、ヒドロキ
シ、メルカプトで置換されるか、例えば炭素数約1〜約
24、好ましくは約1〜約12のアルキルで置換される
か、または例えば炭素数約2〜約24、好ましくは約2
〜約12のアルキニルで置換される。一実施形態では、
Rはメチル、エチル、およびフェニルから独立して選択
される。官能基Aは炭素数約2〜約8、好ましくは約2
〜約4のアルケン基またはアルキン基でもよい。これは
任意で、例えば炭素数約1〜約12、好ましくは約1〜
約12のアルキルで置換される。官能基Aはまた、炭素
数約6〜約24、好ましくは約6〜約18のアリール基
でもよい。官能基Aはまた、アルコキシ基、ヒドロキシ
基、またはハロゲンの各々に炭素約1〜約10、好まし
くは約1〜約6個持つモノ、ジ、またはトリアルコキシ
レンでもよい。好適なアルコキシ基は、メトキシ基、エ
トキシ基などである。好適なハロゲンは、塩素、臭素、
フッ素などである。官能基Aはまた、炭素数約2〜約8
のアルキンでもよく、任意で炭素数約1〜約24のアル
キル、または炭素数約6〜約24のアリールで置換でき
る。n基は約2〜約400で、実施形態では約2〜約3
50、好ましくは約5〜約100である。さらに、好適
な実施形態では、nは約60〜約80であり、フルオロ
エラストマーにグラフトするのに十分な数の反応基を提
供できるようになっている。上記の科学式では、典型的
なR基はメチル、エチル、プロピル、オクチル、ビニ
ル、アリリッククロトニル、フェニル、ナフチル、およ
びフェナントリル基である。置換されたアリール基は、
通常、オルト、メタ、およびパラ位置で、炭素原子数約
1〜約15のアルキル基と置換される。典型的なアルキ
ンおよびアルキニル官能基は、ビニル、アクリル、クロ
トン、アセチニル基を含む。これらは通常、メチル、プ
ロピル、ブチル、ベンゾル、トリル基などと置換でき
る。
ラストマー量は、表面材料からなる一層または複数の層
を所望の厚さにするのに必要な量によって異なる。具体
的には、加えるフルオロエラストマーの量は重量比約6
0〜99%、好ましくは約70〜約99%である。
は公知の溶剤のうち任意の適当なものを用いる。かかる
溶剤の例には、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、n−ブチ
ルアセテート、アミルアセテート等がある。溶剤を用い
る目的は、フッ素含有炭素化合物を湿潤させることであ
る。具体的には、加える溶剤の量は約25〜約99%、
好ましくは約70〜約95%である。
撃する脱フッ化水素剤は、MgO,CaO,Ca(O
H)2 等の基本的な金属酸化物、ならびに一次、二次、
三次の脂肪族および芳香族アミン等の強力な求核剤から
選択される。脂肪族または芳香族アミンの炭素数は約2
〜約15である。また炭素原子数約2〜約15の脂肪族
ならびに芳香族ジアミンおよびトリアミンも含まれる。
この場合、芳香族はベンゼン、トルエン、ナフタレン、
アントラセン等である。一般に、芳香族ジアミンおよび
トリアミンでは芳香基をオルト、メタ、パラ位置で置換
するのが好ましい。代表的な置換基はエチルアミノ、プ
ロピルアミノ、ブチルアミノ等の低級アルキルアミノ基
であるが、プロピルアミノが好適である。特に好適な硬
化剤は、VITON CURATIVE VC−50
(登録商標)、およびDIAK 1(ヘキサメチレンジ
アミンカルバメイト)、DIAK 3(N,N’−ジシ
ナミリデン−1,6ヘキサンジアミン)などの求核性の
硬化剤である。VC−50は、促進剤(第四級ホスホニ
ウム塩またはVC−20等の塩)と架橋剤(ビスフェノ
ルAFまたはVC−30)を組み入れたものである。V
C−50は熱的により安定な生成物を産成するため好ま
しい。加える脱フッ化水素剤の重量比は、約1〜約20
重量%、好ましくは約2〜約10重量%である。
ス帯電ロールとを含むバイアスシステム部材用の基板
は、適当な材料から任意に選んで作製できる。バイアス
部材は一般に円筒形の管または円筒形の固体シャフト形
状をしており、材質はアルミニウム、銅、ステンレス
鋼、またはある種のプラスチック材である。このプラス
チック材は部材の剛性と構造の完全さを維持し、かつ部
材にかかるバイアス電位に容易に対応可能なものであ
る。好適にはステンレス鋼製の円筒形の固体シャフトを
使用する。好適な実施形態では、円筒形の管の直径は約
1〜約15mm、長さは約10〜約500mm、好まし
くは約150〜約400mmである。
ム部材は、それぞれロール、フィルム、ベルト等を備え
るバイアス転写部材、バイアス誘電部材、およびバイア
ス現像部材を含む。
にバイアスは直流電位を用いて制御され、交流電位は通
常、直流制御電位とともに用いて帯電制御を助ける。直
流電流を用いる利点は表面を汚染しにくくすることであ
る。交流電流は装置のニップ領域の前後にコロナを発生
させるため、ニップ領域中の電荷注入に関係した帯電部
品があまり重要でなくなる。交流バイアスシステムは処
理速度に比例するため、速度の遅い機械にはバイアス装
置を応用できないことがある。また交流と直流を同時に
使用すると経費がかさむ。従って直流だけの使用が望ま
れるが、直流バイアスだけを用いる場合は最適な安定し
た抵抗率を持つ材料を使用しなければならない。このよ
うな材料を用いずに単一の直流バイアスを使用すると、
不均一な帯電と前ニップ破壊を生じてしまう。本発明の
実施形態の表面を用いると先に述べたような最適で安定
した抵抗率が得られるから、本発明のバイアスシステム
部材は交流バイアスなしの直流バイアス帯電システムを
備えられる。また、本発明は電圧が印加された基板を伴
って有電極電界、または電圧が印加されることなしに形
成した二重バイアス電界に用いることができる。これら
2種類の電界を用いる方法は、固定フィルム帯電システ
ムまたはバイアス転写ロールに有用である。また本発明
は電極型または非電極型の少なくとも一方のロールまた
はフィルムチャージャ等の二重バイアスシステムでも用
いることが可能である。
成するために、中間接着層またはエラストマー層の少な
くとも一方を任意で設けてもよい。バイアスシステム部
材の基板上にエラストマー層を配置し、その上にフッ素
含有炭素化合物充填フッ素エラストマー層を配置しても
よい。中間層には、ショア硬さ90A以下、好ましくは
ショア硬さ約5〜約60Aのエラストマーで、厚さ約5
mm、好ましくは1〜約4mmのものを用いることがで
きる。中間層の弾性は、移動中にロールが光電導体表面
に接触するときにロールが十分変形できる程度、また転
写ロールの場合はトナー粒子が接触体間で転写される接
触領域を広げられる程度のものである。中間層はバイア
ス電位に迅速に対応して、コアの電位を外表面に伝えな
ければならない。中間層の好適な抵抗率は約104 〜
1011ohm−cm、より好適には107 〜約1010
ohm−cmである。
間層との間には接着層を設けてもよい。また中間層と外
層との間にも接着層を設けてもよい。中間層がない場合
は、フッ素含有炭素化合物を充填したフルオロエラスト
マー層を基板上に直付けするか、接着層を介して基板に
貼りつけてもよい。一枚または複数枚の中間層は、カー
ボンブラック、またはカーボンブラックフッ化物、酸化
錫、酸化チタン等の導電性の充填剤を含んでもよい。
ン、浸せき、およびロールコーティング、薄膜用の数多
くの応用に用いられるスプレーコーティング、鋳造、な
らびにプラズマ蒸着等がある。またこれら以外にも適当
な公知の方法を用いてもよい。これらのうちロールコー
ティング、浸せきコーティング、およびスプレーコーテ
ィング等が好適である。
は、応用によって約0.5〜約5mm、好適には約1〜
約4mmまでばらつきがある。ただし外表面と基板との
間に中間層を配置する場合は、厚さの範囲は5mm、好
適には約1〜約4mmである。抵抗面の層の厚さは約1
〜約500マイクロメータで、好適な範囲は約20〜約
100マイクロメータである。本発明のバイアスシステ
ム部材の外層の好適なショア硬さは約90Aデュロメー
タ以下で、より好ましくは約5〜約60Aである。本発
明のフッ素エラストマー層は、移動中に例えば光受容体
などの対向部材と接触したときにわずかに変形できるだ
けの弾性をもたなければならない。
素含有炭素化合物を充填したフッ素エラストマーを含む
外層を備え、優れた電気的かつ機械的特性を持つ。各部
材は導電率を所望の抵抗率範囲内で制御できるように設
計される。さらに、かかるバイアス可能部材は、温度、
相対湿度、コロナ露光、腐食性環境、溶剤処理、高頻度
の高電界印加、および実行時間などの変化に左右されに
くい。また、光受容体等の他のゼログラフィ部品の汚染
を減じることができる。
28を30重量%含む抵抗層を次のような手順で調製し
た。まず、溶剤(200gメチルエチルケトン)と、ス
チール小球(スチールショット)(2300g)と、1
9.5gのAccufluor 2028とを小さなベ
ンチトップアトリター(モデル01A)によって混合し
て、コーティング・ディスパーションを調製する。その
後、フッ素含有炭素化合物が湿潤するまで混合物を約1
分間撹はんする。そこへポリマーバインダーであるVi
ton GF(45g)を加え、30分間磨滅微細化す
る。硬化剤パッケージ(2.25g VC−50,0.
9g Maglite−D,および0.2g Ca(O
H)2)と、安定化溶剤(10gメタノール)とを加
え、できあがった混合物をさらに15分間、混ぜ合わせ
る。スチールショットをワイヤスクリーンでろ過したの
ち、そのディスパーションをポリプロピレン製の瓶に集
める。こうしてできあがったディスパーションをGar
dner Laboratory製のコータを用いて2
〜4時間でKapton基板上にコーティングする。コ
ーティングされた層は、約2時間空気乾燥した後、プロ
グラマブル・オーブンで段階的に温度を上げて硬化す
る。加熱工程は次のとおり。(1)65℃で4時間、
(2)93℃で2時間、(3)144℃で2時間、
(4)177℃で2時間、(5)204℃で2時間、
(6)232℃で16時間。この工程により、Accu
fluor 2028を30重量%含むViton層が
得られる。層の乾燥時の厚さは〜3mil(〜75μ
m)であった。硬化後のViton層の表面抵抗率をX
erox Corporation製の装置で測定し
た。この装置は電源(Trek 601C Corat
rol)と、Keithyエレクトロメータ(モデル6
10B)と、2点整合可能保護電極プローブ(2つの電
極間の間隔は15mm)とからなる。測定用に1500
V/cmの電界をかけ、測定した電流をプローブのジオ
メトリに基づいて表面抵抗率に変換する。層の表面抵抗
率は〜1x109 ohm/sq.であった。
導電技術を用いる。中間層なしの場合、Viton層を
ステンレス鋼の基板に直付け被覆する。カウンタ電極に
は蒸着アルミニウム薄膜(300Å)を使用する。体積
抵抗率は電界1500V/cmで〜1x109 ohm−
cmと測定された。抵抗率は意外にも温度、相対湿度、
および加圧電界(最大2000V/cm)の変化に左右
されないことがわかった。さらに、層をより高い電界
(>104V/cm)に対してサイクリックにさらして
もヒステリシス(メモリ)効果はまったく見られなかっ
た。
fluor 2028とAccufluor 2010
の重量比をさまざまに変えて多数の抵抗層を調製した。
できあがった層を例1と同じ手順で測定した結果、例1
で作製した層とほぼ同じ電気的特性を示すことがわかっ
た。表1にデータをまとめた。
の抵抗層を調製した。ただしタイプの異なるAccuf
luorをそれぞれ異なる重量比で混合した混合物はV
iton GFと架橋結合した。Accufluor/
Viton GF層の組成と、表面抵抗率の結果とを表
2にまとめた。
中のAccufluor 2028の重量比25%の抵
抗層を調製した。ただしポストキュアは232℃で16
時間ではなく、各層ごとにそれぞれ9時間、26時間、
50時間、150時間行った。表3に表面抵抗率の結果
を示す。
n GF中のAccufluor 2010濃度の異な
るコーティング・ディスパーションを調製した。できあ
がったディスパーションはKapton基板上に吹き付
け、これにより得られた層(〜2.5mm)を空気乾燥
し、例1で概要を説明した手順を用いてポストキュアを
行った。表4に表面抵抗率の結果を示す。表中の%は重
量比を示す。
製した。まず、溶剤(200gメチルエチルケトン)
と、スチールショット(2300g)と、2.4gAc
cufluor 2028とを、小さなベンチトップア
トリター(モデル01A)によって混合する。この混合
物をフッ素含有炭素化合物が溶剤で湿潤した状態になる
まで約1分間撹はんする。これにポリマーバインダーV
iton GF(45g)を加え、できあがった混合物
を30分間摩耗する。硬化剤パッケージ(0.68gD
IAK 1,および0.29g Maglite Y)
と、安定化溶剤(10gメタノール)とを加え、さらに
約15分間混ぜ合わせる。スチールショットをワイヤス
クリーンでろ過した後、フッ素含有炭素化合物/Vit
onGFディスパーションをポリプロピレン製の瓶に集
める。このディスパーションをGardner Lab
oratory製のコータを用いて2〜4時間、Kap
ton基板上にコーティングする。コーティングした層
はまず約2時間、空気乾燥した後、プログラマブル・オ
ーブンで熱硬化する。加熱工程は次のとおり。(1)6
5℃で4時間、(2)93℃で2時間、(3)144℃
で2時間、(4)177℃で2時間、(5)204℃で
2時間、(6)232℃で16時間。この工程により、
Viton GF中のAccufluor 2028の
重量比5%の抵抗層(〜3mil)が作製された。層の
表面抵抗率を例1の手順に従って測定した結果、〜1x
108 ohm/sq.であった。
GF中のAccufluor 2028の重量比5%の
抵抗層を調製した。ただし硬化剤として1.36gDI
AK 1を使用した。得られた層の表面抵抗率は1x1
05 ohm/sq.と測定された。
次のように調製した。まず、溶剤(200gメチルエチ
ルケトン)と、スチールショット(2300g)と、
1.4gAccufluor 2028とを、小さなベ
ンチトップアトリター(モデル01A)によって混合す
る。できあがった混合物をフッ素含有炭素化合物が湿潤
するまで約1分間撹はんする。これにポリマーバインダ
ーViton GF(45g)を加え、30分間摩耗す
る。硬化剤パッケージ(1.36gDIAK 3,およ
び0.2g Maglite Y)と、安定化溶剤(1
0gメタノール)とを加え、さらに15分間混ぜ合わせ
る。スチールショットをワイヤスクリーンでろ過した
後、フッ素含有炭素化合物/Viton GFディスパ
ーションをポリプロピレン製の瓶に集める。ディスパー
ションをGardner Laboratory製のコ
ータを用て2〜4時間でKapton上にコーティング
する。コーティングした層はまず約2時間、空気乾燥し
た後、プログラマブル・オーブンで熱硬化する。熱硬化
工程は次のとおり。(1)65℃で4時間、(2)93
℃で2時間、(3)144℃で2時間、(4)177℃
で2時間、(5)204℃で2時間、(6)232℃で
16時間。この工程により、Viton GF中のAc
cufluor 2028濃度3%の抵抗層(〜3mi
l)が作製される。得られた層の表面抵抗率は、〜8x
106 ohm/sq.と測定された。
覆手順を用いて、Viton GF中のAccuflu
or 2028濃度5%の抵抗層を調製した。ただし、
キュア時間および温度は変更した。得られた抵抗層の表
面抵抗率を表5に示す。
iton GF中のAccufluor 2028濃度
3%の抵抗層を調製した。ただし、キュア時間および温
度は変更した。得られた抵抗層の表面抵抗率を表6に示
す。
Viton GF(90.5%)と、Accufluo
r 2010(2.81%)と、硬化剤VC−50
(4.52%)と、MgO(1.81%)と、Ca(O
H)2 (0.40%)とからなる混合物をスチールシャ
フト(例1で説明した手順を用いて直径8mm、長さ3
31mmに形成したもの)上に成形して行う。Accu
fluor/Viton層の厚さは約3mmであった。
例1で説明した技術を用いて測定した体積抵抗率は約1
09 ohm−cmであった。
層に用いてバイアス転写ロールを作製した。基板と抵抗
層との間には中間層を配置した。抵抗層を導電性のカー
ボンブラックを含むEPDM中間層(厚さ3mm)上に
スプレーする。炭素/EPDMコアの体積抵抗率は10
6ohm/cm、Accufluor/Viton外層
の体積抵抗率は106〜1012ohm/cmであった。
アス転写ロールを作製した。ただし中間層にはエピクロ
ロヒドリンゴムを用いた。ゴム層の体積抵抗率を測定す
ると108ohm−cm であった。Accufluor
/Viton GF外層の体積抵抗率は、例1に従って
測定した結果、106〜1012ohm−cmであった。
発明を説明したが、当業者には変更や修正が明らかであ
る。当業者が容易に理解可能なかかる変更や修正は本発
明の特許請求の範囲内とする。
態の構成を示す部分断面斜視図であり、バイアス転写ロ
ールは、本発明に従って導電性のフッ素含有炭素化合物
を充填したフルオロエラストマー層を導電性の基板上に
被覆したものである。
施形態の構成を示す部分断面斜視図であり、バイアス転
写ロールは、本発明に従って導電性基板とその上の導電
性のフッ素含有炭素化合物を充填したフルオロエラスト
マー被覆層との間に中間層を有する。
Claims (3)
- 【請求項1】 a)導電コアと、 b)前記導電コア上に設けられるフッ素含有炭素化合物
を充填したフルオロエラストマーを含む外層とを備え
る、電気的なバイアス帯電可能なシステム部材。 - 【請求項2】 請求項1に記載の部材であって、フッ素
含有炭素化合物の含有量は固体総重量比約1〜約40%
であることを特徴とする電気的なバイアス帯電可能なシ
ステム部材。 - 【請求項3】 請求項1に記載の部材であって、フッ素
含有炭素化合物の化学式はCFxであり、xはフッ素原
子数を表し、 約0.01〜約1.5の範囲であること
を特徴とするシステム部材。
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