JPH10105659A - 非接触icカード - Google Patents

非接触icカード

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JPH10105659A
JPH10105659A JP8258275A JP25827596A JPH10105659A JP H10105659 A JPH10105659 A JP H10105659A JP 8258275 A JP8258275 A JP 8258275A JP 25827596 A JP25827596 A JP 25827596A JP H10105659 A JPH10105659 A JP H10105659A
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memory
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Kenta Morishima
憲太 森島
Nobuyuki Arasawa
伸幸 荒澤
Masaaki Ando
公明 安藤
Takehiro Okawa
武宏 大川
Yousuke Chiyoujiyamori
洋助 長者森
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 非接触ICカードは接触型と違い、端子の磨
耗や接触不良を気にしなくてよい。しかし、データ交信
途中でカードを動かされると作業が中断したりしやすい
ため、書き込みデータが壊れたりしやすいという問題が
あった。 【解決手段】 本発明では、カードを書き換える前に、
EEPROMに書き換えるデータを一時退避できるバッ
ファ領域を設けそこにデータを退避させることにより、
途中で作業が中断しもデータが失われないようにした 【効果】 データの損失の可能性がへり、安価で信頼性
のある非接触ICカードを実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】非接触ICカードのデータの
信頼性と保護の技術に関する。
【0002】
【従来の技術】ICカードには、磁気結合、又は容量結
合等により、接触端子を持たずに信号の送受信や電力の
供給を受ける非接触ICカードが知られている。しか
し、非接触ICカードでは、カードとリーダライタのコ
ンタクトの状態が一定に定まらないため、データの送受
や電力の供給が不安定になることがある。そのため、た
とえば、カードにデータを書き込んでいる途中に、カー
ドとリーダライタの距離が広がり、電力の供給が中断さ
れると、メモリに記憶されるデータが不完全なものにな
る。この対策として、データ書き換え中の中断に伴うデ
ータの破損に対応するために、メモリを二つないし複数
のブロックに分け、交互に書き込みを行う方法が特開平
4−344993に述べられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この方式では、同じ部
分のデータを複数持つために、本来のデータを格納する
ために必要なメモリ容量の倍以上のメモリが必要になり
コストがかかる。
【0004】
【課題を解決するための手段】EEPROMは、ブロッ
ク単位でメモリの書き換えを行うようになっている。そ
こで、本発明では、データ書き換え時のデータ退避用と
して複数のメモリブロックをバッファメモリブロックと
して設けるようにした。(データを記憶するメモリ領域
をデータメモリブロックと呼ぶ)、バッファメモリブロ
ックを指定する手段とメモリブロックをチェックする手
段と修正する手段を設けるようにした。
【0005】また、バッファメモリブロックには、デー
タメモリブロックのデータを退避するさいに、併せてデ
ータメモリブロックのアドレスも記憶するようにした。
これにより、書き換えるデータメモリブロックが破損し
た場合には、事前に代替ブロックに退避したデータによ
って復旧する事が出来るようにし、起動時にカードのデ
ータ領域の不良を修正する事が出来るようにした。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、図面に従い本発明の実施の
形態について説明する。
【0007】図1は、非接触カードの構成図である。本
カードは、データを記憶するため電源が切れてもデータ
を失わないEEPROM等のメモリ40を持ち、これ
は、内部でデータ領域41とバッファ領域45に分割さ
れる。EEPROMは、メモリをブロック単位でデータ
の書き換えを行うようになっており、バッファ領域45
はバッファ指定部50により指定されるメモリ40内の
複数のメモリブロックとして構成される。バッファ領域
45は、データ書き換え前に、書き換えるデータ領域4
1のメモリブロックのデータをバッファ領域45に書き
込むようにし、データ領域41にデータが書き込み途中
で処理が中断されデータメモリブロックの内容が破壊さ
れた場合には、バッファメモリブロックの内容をデータ
メモリブロックに戻すことにより、データの損失による
処理の停止を防ぐようにしている。
【0008】メモリ制御部30は、コイル10からのデ
ータを変復調部20を等して送られてきたリーダライタ
からのコマンドに従ってメモリ40に対して、データの
読み出し、書き込み等を行う。バッファ指定部50で
は、データのバッファを行うバッファメモリブロックを
指定し、これに基づきメモリ制御部30がバッファメモ
リブロックのリードライトを行う。電源回路60は外部
からの電磁誘導によるコイル70からの誘導起電力によ
り、ICカードの回路に電力を供給している。
【0009】図2はデータ領域41のメモリブロックの
データの構成図であり、図3は、バッファ領域45のメ
モリブロックの構成図である。
【0010】データ領域41は、メモリブロック単位で
構成され、データの記憶されるデータ部と、データ書き
換え回数を記憶する回数記憶部と書き込みエラーをチェ
ックするチェックコード部から構成されている。本実施
例では、410、411、412、413、...nと
いうメモリブロックから構成される。
【0011】バッファ領域45は、メモリブロック単位
で構成され、データの記憶されるデータ部と、退避した
エリアのデータ書き換え回数を記憶する回数記憶部と退
避したデータエリアのアドレスを示すエリア番号部から
構成されている。本実施例では、バッファメモリブロッ
クは451、452、453、454の4つのメモリブ
ロックによりバッファ領域45を構成している。
【0012】このような構成によりバッファ45領域の
バッファメモリブロック毎に、バッファメモリブロック
のエリア番号領域の示す退避したデータメモリブロック
をチェックコードによってエラーチェックすることによ
り、書き込みエラーがあったかどうか分かる。エラーが
あった場合、バッファメモリブロックのデータを該当デ
ータブロックにコピーし、チェックコードを作成しチェ
ックコード領域に書き込み、書き込み回数を更新しデー
タメモリブロックに書き込む。データの損失を防ぐこと
が出来る。
【0013】例えば、バッファ451のエリア部を見る
ことにより、メモリブロック410のデータのバッファ
として451が使用使用されていることが分かる。続い
てメモリブロック410のデータ部のデータの良否をチ
ェックコード部のコードにより判定することが出来る。
このとき、データが正しいのならそのまま使用すればよ
く、データの不良の場合は、451のデータからエラー
コードを生成し、書き込み回数を更新し、451のデー
タを410に書き込むことにより、書き込み失敗前の正
常なデータを復帰できる。反対にバッファのデータが異
常な場合は、エリア番号が正常でない範囲の値をとるこ
とにより分かるのだが、この場合は、451へのデータ
書き込み中に何らかの異常が発生したためで、410の
書き込み中では無いため、410のデータは異常がない
はずであり、データ領域の読み出しは、問題なく処理で
きる。
【0014】図4、5、6、7、8は、ICカードの処
理の流れを示すフローチャートである。以下にフローチ
ャートにより処理の流れを説明する。
【0015】まず、起動後処理800で、バッファ指定
部50からアドレスが通知されるバッファメモリブロッ
ク451から、エリア番号領域を読み出し、データを退
避したデータメモリブロックのデータをチェックする。
エリア番号が設定した、データメモリエリアの範囲外の
場合、サブルーチン801に移る。サブルーチン801
では、処理811でバッファのデータを初期化し、処理
812でバッファが正しく初期化されたか判定する。正
しく初期化された場合サブルーチンから復帰する。初期
化が上手く行かない場合は、処理813でバッファメモ
リブロックの不良を送信し復帰する。
【0016】処理800でバッファのエリア番号が存在
するデータメモリブロックを示していた場合はサブルー
チン802に移る。
【0017】サブルーチン802では、処理821でバ
ッファのエリア番号が示すデータメモリブロックのデー
タ領域をエラーチェックコードにより調べ、正常な場合
はサブルーチンから復帰する。エラーチェックコードが
おかしい場合には、処理822でバッファメモリブロッ
クのデータ領域の内容とデータ領域のデータからチェッ
クコードを作成し、書き込み回数を更新してバッファメ
モリブロックのエリア領域が示すデータメモリブロック
に書き込む、処理823で、データメモリブロックに正
常に書き込まれたかチェックする。正常に書き込まれた
場合はサブルーチンから復帰する。正常に書き込むこと
が出来なかった場合には、処理824で該当データメモ
リブロックに書き込めなかった旨送信したのち、サブル
ーチンから復帰する。
【0018】以下、処理800でバッファメモリブロッ
ク451に対するチェックと同様に、処理803、80
4、805でそれぞれバッファメモリブロック452、
453、454に対してメモリのチェックと修復を行
う。
【0019】上述の処理の終了後、処理808でバッフ
ァのチェックが終了した旨リーダライタに送信し、処理
806に移る。処理806では、リーダライタ側からの
コマンドをまち、コマンドが来たら処理087に移る。
【0020】処理807では、コマンドに対応した、処
理へそれぞれ分岐する。読み出しの場合は、処理831
移り、コマンドにより指定されたデータメモリブロック
のデータを読み出し送信する。その後、処理806へ移
り次のコマンドを待つ。
【0021】書き込み命令の場合は、処理841でコマ
ンドに指定されたデータメモリブロックの内容をバッフ
ァ指定部50により指定されるバッファメモリブロック
にコピーする。このとき、エラーチェックコードのかわ
りに、データメモリブロックを指定するコードを書き込
む。このコードを見れば、どこのデータメモリブロック
のデータを退避したのかわかり、データメモリブロック
の内容が壊れていた場合復帰できるわけである。データ
メモリブロックの内容を退避するバッファエリアの指定
を本実施例では、書き込み回数とエリア番号の和をバッ
ファの数で割った余りの数で行うようにしている。これ
は、データメモリブロックに依存したバッファの指定を
行うと特定のバッファの書き込み回数が多くなり、メモ
リブロックの書き換え寿命が早く来るのを防ぐためであ
る。処理823でバッファメモリブロックにデータが正
しく退避できたか判定する。正しく退避できた場合は処
理843で、書き込み更新回数を更新し、受信したデー
タをデータメモリブロックに書き込み、エラーチェック
コードを書き込む。その後、処理806へ移り次のコマ
ンドを待つ。
【0022】処理809は今回は説明しないが、データ
のリードライトの以外のコマンドの処理を行うサブルー
チン群の存在を意味していて例えば、カードの寿命を知
るために、書き換え回数を求めたりバッファとして指定
するメモリブロックを変更を行ったりする処理を示して
いる また、本実施例ではバッファを切り換えるデータの単位
として、メモリブロックを単位として行ったが、複数の
メモリブロックをまとめて一単位とデータ書き換え用の
バッファとするようにしてもよい。
【0023】また、本実施例では書き換えられるデータ
を事前にバッファ領域に記憶するようにしたが、書き込
むデータを事前にバッファ領域に書き込んだ後、データ
領域に書き込むようにしても、同様にデータの書き込み
エラーに対応できデータ信頼性をあげることが出来る。
【0024】
【発明の効果】本発明の非接触ICカードによれば、メ
モリがデータ領域とバッファ領域に分けられ、外部から
送られてきたデータがデータ領域に書き込まれる前に、
書き換えられるデータをメモリのバッファ領域に退避す
るために、書き込まれたデータが不良の場合でも、バッ
ファに退避したデータによりデータ領域のデータを復元
できるため、データの書き込みに以上があった場合でも
データの読み出しが不能になることがない。そのため、
不良データの書き込みや、データの欠落に対しても、デ
ータを読み出して所定の処理が出来るようになる。さら
に、データ領域をバッファの構成単位で書き換えるため
に、必要とするバッファ領域は、データ領域に比べ十分
に少ない領域を確保することで実施出来るためメモリ容
量が節約でき低コストで信頼性の高い非接触ICカード
装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】装置の構成図。
【図2】データ領域のメモリブロックのデータの構成を
示す図。
【図3】バッファ領域のメモリブロックのバッファの構
成を示す図。
【図4】非接触ICカードの動作を示すフローチャー
ト。
【図5】非接触ICカードの動作を示すフローチャー
ト。
【図6】非接触ICカードの動作を示すフローチャー
ト。
【図7】非接触ICカードの動作を示すフローチャー
ト。
【図8】非接触ICカードの動作を示すフローチャー
ト。
【図9】非接触ICカードの動作を示すフローチャー
ト。
【符号の説明】
10データ伝送用コイル 20データ変復調部 30メモリ制御部 40メモリ 41データ領域 45バッファ領域 411、412、413、414 データメモリブロッ
ク 451、452、453、454バッファメモリブロッ
ク。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G06F 12/16 310 G06F 12/16 310M G06K 19/07 G06K 19/00 N (72)発明者 大川 武宏 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 長者森 洋助 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】外部との信号の授受を非接触で行う送受信
    手段を持ち、内部装置の電力を外部から非接触で供給を
    受ける手段と外部からのデータを記憶するメモリとメモ
    リの制御を行う制御手段を持ち、データの書き換え時
    に、書き換えの失敗に対応するために、前記メモリにデ
    ータ領域とバッファ領域を設け、書き換えられるメモリ
    領域のデータを事前にバッファ領域に書き込む機能をも
    ち、起動時にメモリブロックをチェックし異常があった
    場合は、代替ブロックのデータによりデータを修復する
    機能を設けることを特徴とするICカード装置。
  2. 【請求項2】外部との信号の授受を非接触で行う送受信
    手段を持ち、内部装置の電力を外部から非接触で供給を
    受ける手段と外部からのデータを記憶するメモリとメモ
    リの制御を行う制御手段を持ち、データの書き換え時
    に、書き換えの失敗に対応するために、前記メモリにデ
    ータ領域とバッファ領域を設け、外部より送られたデー
    タをバッファ領域に書いてから、データ領域に書き込む
    機能を持ち、起動時にメモリブロックをチェックし異常
    があった場合は、代替ブロックのデータによりデータを
    修復する機能を設けることを特徴とするICカード装
    置。
  3. 【請求項3】請求項1ないし2記載のカードに於いて、
    記憶処理の書き換え回数を記憶する機能を設けたことを
    特徴とする非接触ICカード装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005322209A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 ▲萬▼國電腦股▲ふん▼有限公司 シリコン記憶媒体制御方法およびシリコン記憶媒体
US7055752B2 (en) 2000-05-22 2006-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. IC card
JP2008009521A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Toshiba Corp 携帯型電子装置

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JP2008009521A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Toshiba Corp 携帯型電子装置

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