JPH0997804A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
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- JPH0997804A JPH0997804A JP7252158A JP25215895A JPH0997804A JP H0997804 A JPH0997804 A JP H0997804A JP 7252158 A JP7252158 A JP 7252158A JP 25215895 A JP25215895 A JP 25215895A JP H0997804 A JPH0997804 A JP H0997804A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液相エピタキシャル成長方法に関し、成長基
板の下地結晶層をメルトバックさせることなく、且つ、
残留メルト及び結晶核の付着を生ずることなく、化合物
半導体層を成長させる。 【解決手段】 支持基板とその上に設けた下地エピタキ
シャル層からなる成長基板上に、下地結晶層がメルトバ
ックせず、且つ、過冷却条件の融液温度において結晶成
長を開始し、所定時間の結晶成長を終了したのち、液相
化温度近傍のメルトバック条件となる温度まで融液の温
度を上昇させ、液相エピタキシャル層表面を僅かにメル
トバックする。
板の下地結晶層をメルトバックさせることなく、且つ、
残留メルト及び結晶核の付着を生ずることなく、化合物
半導体層を成長させる。 【解決手段】 支持基板とその上に設けた下地エピタキ
シャル層からなる成長基板上に、下地結晶層がメルトバ
ックせず、且つ、過冷却条件の融液温度において結晶成
長を開始し、所定時間の結晶成長を終了したのち、液相
化温度近傍のメルトバック条件となる温度まで融液の温
度を上昇させ、液相エピタキシャル層表面を僅かにメル
トバックする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液相エピタキシャル
成長方法に関するもので、特に、赤外線検知器に用いる
ＨｇＣｄＴｅ結晶をシリコン基板等の非ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体基板上に成長させる液相エピタキシャル成長
方法に関するものである。
成長方法に関するもので、特に、赤外線検知器に用いる
ＨｇＣｄＴｅ結晶をシリコン基板等の非ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体基板上に成長させる液相エピタキシャル成長
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＨｇＣｄＴｅは赤外線検出素
子用結晶として用いられており、特に、Ｃｄ組成が０．
２のＨｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅを用いて１０μｍ帯の赤外線
固体撮像素子等の高性能赤外線検出素子が開発されてい
る。
子用結晶として用いられており、特に、Ｃｄ組成が０．
２のＨｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅを用いて１０μｍ帯の赤外線
固体撮像素子等の高性能赤外線検出素子が開発されてい
る。
【０００３】従来、このＨｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅ結晶は液
相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）によって、ＣｄＴ
ｅやＣｄＺｎＴｅ等のバルク基板上に成長させていた
が、これらの結晶はツイン（双晶）等の結晶欠陥が発生
しやすく、また、大きな結晶を得ることが困難であり、
且つ、機械的強度が非常に小さいという欠点があるた
め、近年の結晶の大面積化、或いは、低コスト化の要請
によりシリコンやサファイア等の異種基板上に薄いＣｄ
Ｔｅ結晶をＭＯＶＰＥ法によって成長させて成長基板と
し、この成長基板を用いてＨｇＣｄＴｅ結晶を液相エピ
タキシャル成長させることが提案されている。
相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）によって、ＣｄＴ
ｅやＣｄＺｎＴｅ等のバルク基板上に成長させていた
が、これらの結晶はツイン（双晶）等の結晶欠陥が発生
しやすく、また、大きな結晶を得ることが困難であり、
且つ、機械的強度が非常に小さいという欠点があるた
め、近年の結晶の大面積化、或いは、低コスト化の要請
によりシリコンやサファイア等の異種基板上に薄いＣｄ
Ｔｅ結晶をＭＯＶＰＥ法によって成長させて成長基板と
し、この成長基板を用いてＨｇＣｄＴｅ結晶を液相エピ
タキシャル成長させることが提案されている。
【０００４】この様な、従来における結晶成長方法を図
６及び図７を参照して説明する。なお、図６はＨｇＣｄ
Ｔｅ結晶の成長方法の説明図であり、また、図７は結晶
成長に用いる閉管チッピング（ｔｉｐｐｉｎｇ）式液相
成長装置の概念的構成の説明図である。
６及び図７を参照して説明する。なお、図６はＨｇＣｄ
Ｔｅ結晶の成長方法の説明図であり、また、図７は結晶
成長に用いる閉管チッピング（ｔｉｐｐｉｎｇ）式液相
成長装置の概念的構成の説明図である。
【０００５】図６（ａ）乃至（ｂ）参照 まず、シリコン基板１上に、厚さ５μｍのＣｄＴｅエピ
タキシャル層２を有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）
により気相成長させることによって、ＨｇＣｄＴｅ結晶
成長用の成長基板３とする。
タキシャル層２を有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）
により気相成長させることによって、ＨｇＣｄＴｅ結晶
成長用の成長基板３とする。
【０００６】この場合、ＭＯＶＰＥ法においては、原料
として使用する有機金属の使用量はＣｄＴｅエピタキシ
ャル層２の膜厚に依存するが、バルクＣｄＴｅ基板結晶
よりコスト面で有利にするためには原料の使用量を最小
限におさえる必要があるので、その上に設けるＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル層の結晶性に影響を与えない範囲で
最小の膜厚にする必要があり、その通常の膜厚が５μｍ
であった。
として使用する有機金属の使用量はＣｄＴｅエピタキシ
ャル層２の膜厚に依存するが、バルクＣｄＴｅ基板結晶
よりコスト面で有利にするためには原料の使用量を最小
限におさえる必要があるので、その上に設けるＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル層の結晶性に影響を与えない範囲で
最小の膜厚にする必要があり、その通常の膜厚が５μｍ
であった。
【０００７】図７（ａ）参照 次いで、この成長基板３をＨｇＣｄＴｅ成長用の原料と
共にアンプル５に封入したのち、アンプル５を炉に入れ
てヒーター６によって加熱することによって、所定温度
まで昇温してＨｇＣｄＴｅ成長用の原料を均一な成長融
液（メルト）７にする。
共にアンプル５に封入したのち、アンプル５を炉に入れ
てヒーター６によって加熱することによって、所定温度
まで昇温してＨｇＣｄＴｅ成長用の原料を均一な成長融
液（メルト）７にする。
【０００８】図６（ｃ）及び図７（ｂ）参照 次いで、アンプル５を傾けて（チッピング：ｔｉｐｐｉ
ｎｇ）、成長基板３に成長融液７を被せて所定降温速度
で冷却することによって、成長基板３上にＨｇＣｄＴｅ
エピタキシャル層４を成長させる。
ｎｇ）、成長基板３に成長融液７を被せて所定降温速度
で冷却することによって、成長基板３上にＨｇＣｄＴｅ
エピタキシャル層４を成長させる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この場合、バ
ルク基板結晶を用いた液相エピタキシャル成長方法にお
ける成長開始温度である僅かにメルトバックするような
条件でも、成長基板３の表面のＣｄＴｅエピタキシャル
層２が溶融してしまう危険があるため、十分な過冷却条
件で成長を行う必要があった。
ルク基板結晶を用いた液相エピタキシャル成長方法にお
ける成長開始温度である僅かにメルトバックするような
条件でも、成長基板３の表面のＣｄＴｅエピタキシャル
層２が溶融してしまう危険があるため、十分な過冷却条
件で成長を行う必要があった。
【００１０】この場合、成長後の基板のＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル層４の表面に結晶核やメルトが残留しやす
く、使用できる結晶の面積が小さくなる等の問題が生ず
る欠点があった。
ピタキシャル層４の表面に結晶核やメルトが残留しやす
く、使用できる結晶の面積が小さくなる等の問題が生ず
る欠点があった。
【００１１】この様子を図８を参照して説明する。 図８参照 図８は従来の結晶成長方法における結晶成長後のエピタ
キシャル層表面の外観を示す説明図であり、図に示すよ
うに、成長後の基板８のＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層
４表面のメルトオフ方向９の周辺部、即ち、成長融液７
が最後まで接触する部分に残留メルト及び結晶核１０が
付着するものである。
キシャル層表面の外観を示す説明図であり、図に示すよ
うに、成長後の基板８のＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層
４表面のメルトオフ方向９の周辺部、即ち、成長融液７
が最後まで接触する部分に残留メルト及び結晶核１０が
付着するものである。
【００１２】この残留メルトは、メルトオフの際に、成
長後の基板８と基板ホルダエッジ部分の段差に成長融液
７が引っ掛かるか、或いは、成長後の基板８と基板ホル
ダとの間隙に毛細管現象によって成長融液７が染み込む
ことにより、成長後の基板８上に成長融液７の一部が残
ることによるものである。
長後の基板８と基板ホルダエッジ部分の段差に成長融液
７が引っ掛かるか、或いは、成長後の基板８と基板ホル
ダとの間隙に毛細管現象によって成長融液７が染み込む
ことにより、成長後の基板８上に成長融液７の一部が残
ることによるものである。
【００１３】この残留メルトの量は、温度に依存せず、
成長基板３と基板ホルダの寸法・形状に大きく依存する
ものであり、成長基板３と基板ホルダの寸法・形状を工
夫してもこの様な残留メルトを完全になくすことは困難
である。
成長基板３と基板ホルダの寸法・形状に大きく依存する
ものであり、成長基板３と基板ホルダの寸法・形状を工
夫してもこの様な残留メルトを完全になくすことは困難
である。
【００１４】また、結晶核の発生量は、過冷却の度合
い、即ち、成長開始温度に大きく依存するものであり、
過冷却度が大きくなると核の形成エネルギーが小さくな
り、成長基板３以外の部分、特に、治具表面等にも結晶
核が発生しやすくなり、この発生した結晶核は、メルト
オフの際に残留メルトに付着して成長後の基板８表面に
残りやすくなるためである。
い、即ち、成長開始温度に大きく依存するものであり、
過冷却度が大きくなると核の形成エネルギーが小さくな
り、成長基板３以外の部分、特に、治具表面等にも結晶
核が発生しやすくなり、この発生した結晶核は、メルト
オフの際に残留メルトに付着して成長後の基板８表面に
残りやすくなるためである。
【００１５】なお、シリコン基板やサファイア基板等の
異種基板上にＭＯＶＰＥ法によってＨｇＣｄＴｅ結晶を
成長させることも一応可能であるが、Ｈｇの様な蒸気圧
の高い元素を含むため、ＭＯＶＰＥ法の様な開管系の結
晶成長方法では組成の制御が難しいという問題がある。
異種基板上にＭＯＶＰＥ法によってＨｇＣｄＴｅ結晶を
成長させることも一応可能であるが、Ｈｇの様な蒸気圧
の高い元素を含むため、ＭＯＶＰＥ法の様な開管系の結
晶成長方法では組成の制御が難しいという問題がある。
【００１６】したがって、本発明は、成長基板３のＣｄ
Ｔｅエピタキシャル層２をメルトバックさせることな
く、且つ、残留メルト及び結晶核１０の付着を生ずるこ
となく、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層４を成長させる
ことを目的とする。
Ｔｅエピタキシャル層２をメルトバックさせることな
く、且つ、残留メルト及び結晶核１０の付着を生ずるこ
となく、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層４を成長させる
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 （１）本発明は、支持基板と、その上にエピタキシャル
成長させた支持基板とは異種結晶からなる少なくとも一
種類以上の結晶層とからなる成長基板上への化合物半導
体結晶の液相エピタキシャル成長方法において、成長基
板表面の結晶層がメルトバックせず、且つ、過冷却条件
の融液温度において成長基板と融液とを接触させて液相
エピタキシャル層の結晶成長を開始し、次いで、成長基
板と融液とを分離して液相エピタキシャル層の結晶成長
を終了したのち、液相化温度近傍のメルトバック条件と
なる温度まで融液の温度を上昇させ、次いで、融液と成
長基板とを再び接触させて液相エピタキシャル層表面を
僅かにメルトバックすることを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 （１）本発明は、支持基板と、その上にエピタキシャル
成長させた支持基板とは異種結晶からなる少なくとも一
種類以上の結晶層とからなる成長基板上への化合物半導
体結晶の液相エピタキシャル成長方法において、成長基
板表面の結晶層がメルトバックせず、且つ、過冷却条件
の融液温度において成長基板と融液とを接触させて液相
エピタキシャル層の結晶成長を開始し、次いで、成長基
板と融液とを分離して液相エピタキシャル層の結晶成長
を終了したのち、液相化温度近傍のメルトバック条件と
なる温度まで融液の温度を上昇させ、次いで、融液と成
長基板とを再び接触させて液相エピタキシャル層表面を
僅かにメルトバックすることを特徴とする。
【００１８】この様に、所期の厚さの液相エピタキシャ
ル層を得たのち、成長基板と融液とを分離してメルトオ
フし、融液を若干メルトバックとなる条件まで、即ち、
液相化温度近傍まで融液の温度を上昇させて、再びメル
トオンすることによって、液相エピタキシャル層表面に
付着していた残留メルト及び結晶核がメルトバックによ
って除去されるので、平坦な表面の液相エピタキシャル
層を得ることができ、無駄となる面積が少なくなる。
ル層を得たのち、成長基板と融液とを分離してメルトオ
フし、融液を若干メルトバックとなる条件まで、即ち、
液相化温度近傍まで融液の温度を上昇させて、再びメル
トオンすることによって、液相エピタキシャル層表面に
付着していた残留メルト及び結晶核がメルトバックによ
って除去されるので、平坦な表面の液相エピタキシャル
層を得ることができ、無駄となる面積が少なくなる。
【００１９】（２）また、本発明は、支持基板と、その
上にエピタキシャル成長させた支持基板とは異種結晶か
らなる少なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基
板上への化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方
法において、成長基板表面の結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において成長基板と融
液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長を開
始し、次いで、成長基板と融液とを分離して液相エピタ
キシャル層の結晶成長を中断したのち、液相化温度近傍
のメルトバック条件となる温度まで融液の温度を上昇さ
せ、次いで、融液と成長基板とを再び接触させて液相エ
ピタキシャル層の結晶成長を行うことを特徴とする。
上にエピタキシャル成長させた支持基板とは異種結晶か
らなる少なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基
板上への化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方
法において、成長基板表面の結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において成長基板と融
液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長を開
始し、次いで、成長基板と融液とを分離して液相エピタ
キシャル層の結晶成長を中断したのち、液相化温度近傍
のメルトバック条件となる温度まで融液の温度を上昇さ
せ、次いで、融液と成長基板とを再び接触させて液相エ
ピタキシャル層の結晶成長を行うことを特徴とする。
【００２０】この様に、一度結晶成長を中断させ、融液
の温度を若干メルトバックが生ずる温度まで上昇させた
のち、再びメルトオンさせて液相エピタキシャル成長を
行うことにより、第２回目の結晶成長の条件は過冷却の
条件ではないため、液相エピタキシャル層表面は残留メ
ルトや結晶核の少ない良好なモホロジーとなり、また、
第１回目の結晶成長によって結晶層を含むエピタキシャ
ル層の厚さが厚くなっているので、第２回目の結晶成長
時にエピタキシャル層がメルトバックによって消失する
ことがない。
の温度を若干メルトバックが生ずる温度まで上昇させた
のち、再びメルトオンさせて液相エピタキシャル成長を
行うことにより、第２回目の結晶成長の条件は過冷却の
条件ではないため、液相エピタキシャル層表面は残留メ
ルトや結晶核の少ない良好なモホロジーとなり、また、
第１回目の結晶成長によって結晶層を含むエピタキシャ
ル層の厚さが厚くなっているので、第２回目の結晶成長
時にエピタキシャル層がメルトバックによって消失する
ことがない。
【００２１】（３）また、本発明は、上記（２）におい
て、最初に成長させた液相エピタキシャル成長層の厚さ
が、再び成長させた液相エピタキシャル層の厚さよりも
薄いことを特徴とする。
て、最初に成長させた液相エピタキシャル成長層の厚さ
が、再び成長させた液相エピタキシャル層の厚さよりも
薄いことを特徴とする。
【００２２】（４）また、本発明は、支持基板と、その
上にエピタキシャル成長させた支持基板とは異種結晶か
らなる少なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基
板上への化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方
法において、成長基板表面の結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において成長基板と融
液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長を開
始し、次いで、液相エピタキシャル層の結晶成長を終了
したのち、成長基板と融液とを接触させた状態で液相化
温度近傍のメルトバック条件となる温度まで融液の温度
を上昇させて液相エピタキシャル層表面を僅かにメルト
バックすることを特徴とする。
上にエピタキシャル成長させた支持基板とは異種結晶か
らなる少なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基
板上への化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方
法において、成長基板表面の結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において成長基板と融
液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長を開
始し、次いで、液相エピタキシャル層の結晶成長を終了
したのち、成長基板と融液とを接触させた状態で液相化
温度近傍のメルトバック条件となる温度まで融液の温度
を上昇させて液相エピタキシャル層表面を僅かにメルト
バックすることを特徴とする。
【００２３】この様に、結晶成長後、メルトオンの状態
で融液を若干メルトバックする温度まで上昇させて液相
エピタキシャル層の表面をメルトバックしても、上記
（１）と同様に良好なモホロジーの液相エピタキシャル
層を得ることができる。
で融液を若干メルトバックする温度まで上昇させて液相
エピタキシャル層の表面をメルトバックしても、上記
（１）と同様に良好なモホロジーの液相エピタキシャル
層を得ることができる。
【００２４】（５）また、本発明は、支持基板と、その
上にエピタキシャル成長させた支持基板とは異種結晶か
らなる少なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基
板上への化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方
法において、成長基板表面の結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において成長基板と融
液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長を開
始し、次いで、液相エピタキシャル層の結晶成長を中断
したのち、成長基板と融液とを接触させた状態で液相化
温度近傍のメルトバック条件となる温度まで融液の温度
を上昇させ、次いで、融液を降温して再び液相エピタキ
シャル層の結晶成長を行うことを特徴とする。
上にエピタキシャル成長させた支持基板とは異種結晶か
らなる少なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基
板上への化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方
法において、成長基板表面の結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において成長基板と融
液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長を開
始し、次いで、液相エピタキシャル層の結晶成長を中断
したのち、成長基板と融液とを接触させた状態で液相化
温度近傍のメルトバック条件となる温度まで融液の温度
を上昇させ、次いで、融液を降温して再び液相エピタキ
シャル層の結晶成長を行うことを特徴とする。
【００２５】この様に、一度結晶成長を中断させ、メル
トオンの状態で融液を若干メルトバックする温度まで上
昇させて再び結晶成長を行っても、上記（２）と同様に
結晶層が消失することなく良好なモホロジーの液相エピ
タキシャル層を得ることができる。
トオンの状態で融液を若干メルトバックする温度まで上
昇させて再び結晶成長を行っても、上記（２）と同様に
結晶層が消失することなく良好なモホロジーの液相エピ
タキシャル層を得ることができる。
【００２６】（６）また、本発明は、上記（５）におい
て、最初に成長させた液相エピタキシャル成長層の厚さ
が、再び成長させた液相エピタキシャル層の厚さよりも
薄いことを特徴とする。
て、最初に成長させた液相エピタキシャル成長層の厚さ
が、再び成長させた液相エピタキシャル層の厚さよりも
薄いことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図２
を参照して説明するが、この第１の実施の形態における
結晶成長工程及びそれに用いる液相成長装置は図７及び
図８に示した結晶成長工程及び液相成長装置と同様であ
る。
を参照して説明するが、この第１の実施の形態における
結晶成長工程及びそれに用いる液相成長装置は図７及び
図８に示した結晶成長工程及び液相成長装置と同様であ
る。
【００２８】図２参照 まず、結晶主面が（１００）面で厚さが３５０μｍのシ
リコン基板上にＭＯＶＰＥ法によって厚さ３〜８μｍ、
好適には５μｍのＣｄＴｅエピタキシャル層を成長させ
てＨｇＣｄＴｅ成長用の成長基板として用意する。
リコン基板上にＭＯＶＰＥ法によって厚さ３〜８μｍ、
好適には５μｍのＣｄＴｅエピタキシャル層を成長させ
てＨｇＣｄＴｅ成長用の成長基板として用意する。
【００２９】次いで、石英製のアンプル中に治具で固定
したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び成長融液を封
入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加熱することに
よって４８５℃まで昇温させ、所定時間４８５℃に保っ
て成長融液を均質化したのち、０．０５℃／分〜０．１
５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温度で成長融液
の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より２〜５℃、好
適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、アンプルを傾
けて成長基板に成長融液を被せることによって、即ち、
メルトオンすることによって、ＨｇＣｄＴｅ結晶の液相
エピタキシャル成長を開始する。
したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び成長融液を封
入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加熱することに
よって４８５℃まで昇温させ、所定時間４８５℃に保っ
て成長融液を均質化したのち、０．０５℃／分〜０．１
５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温度で成長融液
の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より２〜５℃、好
適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、アンプルを傾
けて成長基板に成長融液を被せることによって、即ち、
メルトオンすることによって、ＨｇＣｄＴｅ結晶の液相
エピタキシャル成長を開始する。
【００３０】なお、液相化温度とは、メルトバック成長
と過冷却成長の境目になる温度であり、その温度は融液
の組成に依存し、得ようとするＨｇＣｄＴｅ結晶のＣｄ
組成比によって変化するが、本発明の実施の形態におい
てはＣｄ組成比が０．２０のＨｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅを成
長させるので、液相化温度は４８０℃である。
と過冷却成長の境目になる温度であり、その温度は融液
の組成に依存し、得ようとするＨｇＣｄＴｅ結晶のＣｄ
組成比によって変化するが、本発明の実施の形態におい
てはＣｄ組成比が０．２０のＨｇ0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅを成
長させるので、液相化温度は４８０℃である。
【００３１】次いで、所期の膜厚のＨｇＣｄＴｅエピタ
キシャル層を成長させたのち、即ち、第１の実施の形態
においては１時間の結晶成長後、アンプルの傾きを元に
戻してメルトオフして結晶成長を終了する。
キシャル層を成長させたのち、即ち、第１の実施の形態
においては１時間の結晶成長後、アンプルの傾きを元に
戻してメルトオフして結晶成長を終了する。
【００３２】次いで、成長融液を４８５℃に再び昇温
し、所定時間４８５℃に保って融液温度を安定にしたの
ち再び上記と同じ降温速度、即ち、０．１℃／分の降温
温度で成長融液の温度を下げ、成長融液の温度が液相化
温度より２〜５℃、好適には３℃高いメルトバック成長
温度となる４８３℃でメルトオンし、５〜１５分、好適
には、１０分の短時間後にメルトオフする。
し、所定時間４８５℃に保って融液温度を安定にしたの
ち再び上記と同じ降温速度、即ち、０．１℃／分の降温
温度で成長融液の温度を下げ、成長融液の温度が液相化
温度より２〜５℃、好適には３℃高いメルトバック成長
温度となる４８３℃でメルトオンし、５〜１５分、好適
には、１０分の短時間後にメルトオフする。
【００３３】この第２回目のメルトオンにおいて、Ｈｇ
ＣｄＴｅエピタキシャル層表面に残っていた結晶核や残
留メルトはメルトバックによって除去され、良好なモホ
ロジーのＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層を得ることがで
きる。なお、この第２回目のメルトオンにおいても若干
の結晶成長が生ずるものであるが、主たる目的はメルト
バックにある。
ＣｄＴｅエピタキシャル層表面に残っていた結晶核や残
留メルトはメルトバックによって除去され、良好なモホ
ロジーのＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層を得ることがで
きる。なお、この第２回目のメルトオンにおいても若干
の結晶成長が生ずるものであるが、主たる目的はメルト
バックにある。
【００３４】また、第１回目のメルトオンによる結晶成
長は過冷却成長であるので、ＣｄＴｅエピタキシャル層
が消失することはなく、安価で機械的強度の大きなシリ
コン基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の
優れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得るこ
とができる。
長は過冷却成長であるので、ＣｄＴｅエピタキシャル層
が消失することはなく、安価で機械的強度の大きなシリ
コン基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の
優れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得るこ
とができる。
【００３５】次に、図３を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。 図３参照 まず、第１の実施の形態と同様に、石英製のアンプル中
に治具で固定したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び
成長融液を封入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加
熱することによって４８５℃まで昇温させ、所定時間４
８５℃に保って成長融液を均質化したのち、０．０５℃
／分〜０．１５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温
度で成長融液の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より
２〜５℃、好適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、
アンプルを傾けてメルトオンすることによって、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の液相エピタキシャル成長を開始する。
の形態を説明する。 図３参照 まず、第１の実施の形態と同様に、石英製のアンプル中
に治具で固定したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び
成長融液を封入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加
熱することによって４８５℃まで昇温させ、所定時間４
８５℃に保って成長融液を均質化したのち、０．０５℃
／分〜０．１５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温
度で成長融液の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より
２〜５℃、好適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、
アンプルを傾けてメルトオンすることによって、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の液相エピタキシャル成長を開始する。
【００３６】次いで、８〜１５分、好適には、１０分の
短時間、結晶成長を行ったのち、アンプルの傾きを元に
戻してメルトオフして結晶成長を中断させ、次いで、成
長融液を４８５℃に再び昇温し、所定時間４８５℃に保
って融液温度を安定にしたのち再び上記と同じ降温速
度、即ち、０．１℃／分の降温温度で成長融液の温度を
下げ、成長融液の温度が液相化温度より２〜５℃、好適
には３℃高いメルトバック成長温度となる４８３℃でメ
ルトオンし、所期の膜厚の得られる時間、即ち、ここで
は１時間結晶成長を行ったのちメルトオフする。
短時間、結晶成長を行ったのち、アンプルの傾きを元に
戻してメルトオフして結晶成長を中断させ、次いで、成
長融液を４８５℃に再び昇温し、所定時間４８５℃に保
って融液温度を安定にしたのち再び上記と同じ降温速
度、即ち、０．１℃／分の降温温度で成長融液の温度を
下げ、成長融液の温度が液相化温度より２〜５℃、好適
には３℃高いメルトバック成長温度となる４８３℃でメ
ルトオンし、所期の膜厚の得られる時間、即ち、ここで
は１時間結晶成長を行ったのちメルトオフする。
【００３７】この場合、主要な結晶成長工程はメルトバ
ック成長温度の第２回目の結晶成長工程において行われ
るので、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層表面は結晶核や
残留メルトの少ない良好なモホロジーとなる。
ック成長温度の第２回目の結晶成長工程において行われ
るので、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層表面は結晶核や
残留メルトの少ない良好なモホロジーとなる。
【００３８】また、第１回目のメルトオンにより５〜１
０μｍのＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層がＣｄＴｅエピ
タキシャル層の上に既に成長しているので、第２回目の
結晶成長工程において、ＣｄＴｅエピタキシャル層が消
失することがなく、安価で機械的強度の大きなシリコン
基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の優
れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得ること
ができる。
０μｍのＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層がＣｄＴｅエピ
タキシャル層の上に既に成長しているので、第２回目の
結晶成長工程において、ＣｄＴｅエピタキシャル層が消
失することがなく、安価で機械的強度の大きなシリコン
基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の優
れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得ること
ができる。
【００３９】次に、図４を参照して本発明の第３の実施
の形態を説明する。 図４参照 まず、第１の実施の形態と同様に、石英製のアンプル中
に治具で固定したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び
成長融液を封入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加
熱することによって４８５℃まで昇温させ、所定時間４
８５℃に保って成長融液を均質化したのち、０．０５℃
／分〜０．１５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温
度で成長融液の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より
２〜５℃、好適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、
アンプルを傾けてメルトオンすることによって、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の液相エピタキシャル成長を開始する。
の形態を説明する。 図４参照 まず、第１の実施の形態と同様に、石英製のアンプル中
に治具で固定したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び
成長融液を封入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加
熱することによって４８５℃まで昇温させ、所定時間４
８５℃に保って成長融液を均質化したのち、０．０５℃
／分〜０．１５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温
度で成長融液の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より
２〜５℃、好適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、
アンプルを傾けてメルトオンすることによって、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の液相エピタキシャル成長を開始する。
【００４０】次いで、所期の膜厚のＨｇＣｄＴｅエピタ
キシャル層を成長させたのち、即ち、第３の実施の形態
においては１時間の結晶成長後、成長融液を４８３℃に
再び昇温し、所定時間、８〜１５分、好適には、１０
分、４８３℃に保ってＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層表
面をメルトバックしたのち、アンプルの傾きを元に戻し
てメルトオフする。
キシャル層を成長させたのち、即ち、第３の実施の形態
においては１時間の結晶成長後、成長融液を４８３℃に
再び昇温し、所定時間、８〜１５分、好適には、１０
分、４８３℃に保ってＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層表
面をメルトバックしたのち、アンプルの傾きを元に戻し
てメルトオフする。
【００４１】このメルトバック工程において、ＨｇＣｄ
Ｔｅエピタキシャル層表面に残っていた結晶核や残留メ
ルトは除去され、良好なモホロジーのＨｇＣｄＴｅエピ
タキシャル層を得ることができる。
Ｔｅエピタキシャル層表面に残っていた結晶核や残留メ
ルトは除去され、良好なモホロジーのＨｇＣｄＴｅエピ
タキシャル層を得ることができる。
【００４２】また、第１の実施の形態と同様に結晶成長
は過冷却成長であるので、ＣｄＴｅエピタキシャル層が
消失することはなく、安価で機械的強度の大きなシリコ
ン基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の優
れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得ること
ができる。
は過冷却成長であるので、ＣｄＴｅエピタキシャル層が
消失することはなく、安価で機械的強度の大きなシリコ
ン基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の優
れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得ること
ができる。
【００４３】次に、図５を参照して本発明の第４の実施
の形態を説明する。 図５参照 まず、第１の実施の形態と同様に、石英製のアンプル中
に治具で固定したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び
成長融液を封入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加
熱することによって４８５℃まで昇温させ、所定時間４
８５℃に保って成長融液を均質化したのち、０．０５℃
／分〜０．１５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温
度で成長融液の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より
２〜５℃、好適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、
アンプルを傾けてメルトオンすることによって、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の液相エピタキシャル成長を開始する。
の形態を説明する。 図５参照 まず、第１の実施の形態と同様に、石英製のアンプル中
に治具で固定したＣｄＴｅ／Ｓｉからなる成長基板及び
成長融液を封入し、アンプルを炉に入れてヒーターで加
熱することによって４８５℃まで昇温させ、所定時間４
８５℃に保って成長融液を均質化したのち、０．０５℃
／分〜０．１５℃／分、好適には０．１℃／分の降温温
度で成長融液の温度を下げ、４８０℃の液相化温度より
２〜５℃、好適には３℃低い４７７℃の過冷却条件で、
アンプルを傾けてメルトオンすることによって、ＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の液相エピタキシャル成長を開始する。
【００４４】次いで、８〜１５分、好適には、１０分の
短時間、結晶成長を行ったのち、成長融液を４８３℃に
再び昇温し、所定時間４８３℃に保って融液温度を安定
にしたのち再び上記と同じ降温速度、即ち、０．１℃／
分の降温温度で成長融液の温度を下げて再び結晶成長を
開始し、所期の膜厚の得られる時間、即ち、ここでは１
時間結晶成長を行ったのちメルトオフする。
短時間、結晶成長を行ったのち、成長融液を４８３℃に
再び昇温し、所定時間４８３℃に保って融液温度を安定
にしたのち再び上記と同じ降温速度、即ち、０．１℃／
分の降温温度で成長融液の温度を下げて再び結晶成長を
開始し、所期の膜厚の得られる時間、即ち、ここでは１
時間結晶成長を行ったのちメルトオフする。
【００４５】この場合、第２の実施の形態と同様に、主
要な結晶成長工程はメルトバック成長温度の第２回目の
結晶成長工程において行われるので、ＨｇＣｄＴｅエピ
タキシャル層表面は結晶核や残留メルトの少ない良好な
モホロジーとなる。
要な結晶成長工程はメルトバック成長温度の第２回目の
結晶成長工程において行われるので、ＨｇＣｄＴｅエピ
タキシャル層表面は結晶核や残留メルトの少ない良好な
モホロジーとなる。
【００４６】また、第１回目の結晶成長工程において５
〜１０μｍのＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層がＣｄＴｅ
エピタキシャル層の上に既に成長しているので、第２回
目の結晶成長工程において、ＣｄＴｅエピタキシャル層
が消失することがなく、安価で機械的強度の大きなシリ
コン基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の
優れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得るこ
とができる。
〜１０μｍのＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層がＣｄＴｅ
エピタキシャル層の上に既に成長しているので、第２回
目の結晶成長工程において、ＣｄＴｅエピタキシャル層
が消失することがなく、安価で機械的強度の大きなシリ
コン基板を支持基板として用いても、組成比の制御性の
優れ、且つ、結晶性の良好なＨｇＣｄＴｅ結晶を得るこ
とができる。
【００４７】なお、上記各実施の形態においては、Ｈｇ
0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅを成長させているが、Ｃｄの組成比は
０．２０に限られるものではなく、その組成比に応じて
成長開始温度及び再成長開始温度は変化することにな
り、また、主たる成長時間は必要とするＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル層の膜厚に応じて決定することになる。
0.8 Ｃｄ0.2 Ｔｅを成長させているが、Ｃｄの組成比は
０．２０に限られるものではなく、その組成比に応じて
成長開始温度及び再成長開始温度は変化することにな
り、また、主たる成長時間は必要とするＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル層の膜厚に応じて決定することになる。
【００４８】また、上記各実施の形態においては、成長
基板としてＭＯＶＰＥ法により成長させたＣｄＴｅエピ
タキシャル層を設けたシリコン基板を用いているが、サ
ファイア基板上にＭＯＶＰＥ法によりＣｄＴｅエピタキ
シャル層を設けた基板を用いても良いものである。
基板としてＭＯＶＰＥ法により成長させたＣｄＴｅエピ
タキシャル層を設けたシリコン基板を用いているが、サ
ファイア基板上にＭＯＶＰＥ法によりＣｄＴｅエピタキ
シャル層を設けた基板を用いても良いものである。
【００４９】また、上記各実施の形態においては、支持
基板上に設ける下地エピタキシャル層としてＣｄＴｅエ
ピタキシャル層を１層のみ用いているが、最終的に得よ
うとするエピタキシャル層の種類に応じて、格子定数を
整合させるために、格子定数が段階的に異なる複数の下
地エピタキシャル層を設けても良いものである。
基板上に設ける下地エピタキシャル層としてＣｄＴｅエ
ピタキシャル層を１層のみ用いているが、最終的に得よ
うとするエピタキシャル層の種類に応じて、格子定数を
整合させるために、格子定数が段階的に異なる複数の下
地エピタキシャル層を設けても良いものである。
【００５０】また、上記各実施の形態においては、Ｈｇ
ＣｄＴｅエピタキシャル層の液相エピタキシャル成長方
法を説明しているが、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層に
限られるものでなく、他の組合せ、例えば、シリコン支
持基板上に下地エピタキシャル層としてＧａＡｓ層を成
長させた成長基板を用いてＡｌＧａＡｓエピタキシャル
層を液相エピタキシャル成長させても良いし、或いは、
シリコン支持基板上に下地エピタキシャル層としてＧａ
Ａｓ層を成長させた成長基板を用いてＺｎＳｅエピタキ
シャル層を液相エピタキシャル成長させても良い。
ＣｄＴｅエピタキシャル層の液相エピタキシャル成長方
法を説明しているが、ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層に
限られるものでなく、他の組合せ、例えば、シリコン支
持基板上に下地エピタキシャル層としてＧａＡｓ層を成
長させた成長基板を用いてＡｌＧａＡｓエピタキシャル
層を液相エピタキシャル成長させても良いし、或いは、
シリコン支持基板上に下地エピタキシャル層としてＧａ
Ａｓ層を成長させた成長基板を用いてＺｎＳｅエピタキ
シャル層を液相エピタキシャル成長させても良い。
【００５１】さらに、サファイア基板に下地エピタキシ
ャル層としてシリコン層を成長させた成長基板を用い
て、さらにシリコン層を液相エピタキシャル成長させて
ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）構
造を形成しても良く、これらの他の組合せにおいても、
残留メルト及び結晶核の少ない液相エピタキシャル層を
得ることができる。
ャル層としてシリコン層を成長させた成長基板を用い
て、さらにシリコン層を液相エピタキシャル成長させて
ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）構
造を形成しても良く、これらの他の組合せにおいても、
残留メルト及び結晶核の少ない液相エピタキシャル層を
得ることができる。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、シリコン基板等の支持
基板上にシリコンとは異なるＣｄＴｅ等の異種結晶から
なる薄い下地エピタキシャル層を介して少なくとも最初
の成長開始温度が過冷却成長温度になる条件でＨｇＣｄ
Ｔｅ等の化合物半導体層を成長させたので、得られた液
相エピタキシャル層表面に残留メルト及び結晶核が残る
ことがないので、良好なモホロジーの化合物半導体結晶
を大面積で、且つ、安価に提供することができる。
基板上にシリコンとは異なるＣｄＴｅ等の異種結晶から
なる薄い下地エピタキシャル層を介して少なくとも最初
の成長開始温度が過冷却成長温度になる条件でＨｇＣｄ
Ｔｅ等の化合物半導体層を成長させたので、得られた液
相エピタキシャル層表面に残留メルト及び結晶核が残る
ことがないので、良好なモホロジーの化合物半導体結晶
を大面積で、且つ、安価に提供することができる。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の説明図である。
【図６】ＨｇＣｄＴｅ結晶の成長方法の説明図である。
【図７】閉管チッピング式液相成長装置の概念的構成の
説明図である。
説明図である。
【図８】従来の結晶成長方法における結晶成長後のエピ
タキシャル層表面の外観を示す説明図である。
タキシャル層表面の外観を示す説明図である。
１ シリコン基板 ２ ＣｄＴｅエピタキシャル層 ３ 成長基板 ４ ＨｇＣｄＴｅエピタキシャル層 ５ アンプル ６ ヒーター ７ 成長融液 ８ 成長後の基板 ９ メルトオフ方向 １０ 残留メルト及び結晶核
Claims (6)
- 【請求項１】 支持基板と、前記支持基板上にエピタキ
シャル成長させた前記支持基板とは異種結晶からなる少
なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基板上への
化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方法におい
て、前記成長基板表面の前記結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において前記成長基板
と融液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長
を開始し、次いで、前記成長基板と融液とを分離して液
相エピタキシャル層の結晶成長を終了したのち、液相化
温度近傍のメルトバック条件となる温度まで前記融液の
温度を上昇させ、次いで、前記融液と前記成長基板とを
再び接触させて前記液相エピタキシャル層表面を僅かに
メルトバックすることを特徴とする液相エピタキシャル
成長方法。 - 【請求項２】 支持基板と、前記支持基板上にエピタキ
シャル成長させた前記支持基板とは異種結晶からなる少
なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基板上への
化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方法におい
て、前記成長基板表面の前記結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において前記成長基板
と融液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長
を開始し、次いで、前記成長基板と融液とを分離して液
相エピタキシャル層の結晶成長を中断したのち、液相化
温度近傍のメルトバック条件となる温度まで前記融液の
温度を上昇させ、次いで、前記融液と前記成長基板とを
再び接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長を行う
ことを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項３】 上記最初に成長させた液相エピタキシャ
ル成長層の厚さが、上記再び成長させた液相エピタキシ
ャル層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項２記載
の液相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項４】 支持基板と、前記支持基板上にエピタキ
シャル成長させた前記支持基板とは異種結晶からなる少
なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基板上への
化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方法におい
て、前記成長基板表面の前記結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において前記成長基板
と融液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長
を開始し、次いで、液相エピタキシャル層の結晶成長を
終了したのち、前記成長基板と融液とを接触させた状態
で液相化温度近傍のメルトバック条件となる温度まで前
記融液の温度を上昇させて前記液相エピタキシャル層表
面を僅かにメルトバックすることを特徴とする液相エピ
タキシャル成長方法。 - 【請求項５】 支持基板と、前記支持基板上にエピタキ
シャル成長させた前記支持基板とは異種結晶からなる少
なくとも一種類以上の結晶層とからなる成長基板上への
化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方法におい
て、前記成長基板表面の前記結晶層がメルトバックせ
ず、且つ、過冷却条件の融液温度において前記成長基板
と融液とを接触させて液相エピタキシャル層の結晶成長
を開始し、次いで、液相エピタキシャル層の結晶成長を
中断したのち、前記成長基板と融液とを接触させた状態
で液相化温度近傍のメルトバック条件となる温度まで前
記融液の温度を上昇させ、次いで、前記融液を降温して
再び液相エピタキシャル層の結晶成長を行うことを特徴
とする液相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項６】 上記最初に成長させた液相エピタキシャ
ル成長層の厚さが、上記再び成長させた液相エピタキシ
ャル層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項５記載
の液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252158A JPH0997804A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252158A JPH0997804A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997804A true JPH0997804A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17233299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7252158A Withdrawn JPH0997804A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997804A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691625B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | Ⅲ족 질화물계 반도체의 에칭방법 |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP7252158A patent/JPH0997804A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691625B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | Ⅲ족 질화물계 반도체의 에칭방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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