JPH0995775A - 連続真空蒸着装置のるつぼ機構 - Google Patents

連続真空蒸着装置のるつぼ機構

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JPH0995775A
JPH0995775A JP25495495A JP25495495A JPH0995775A JP H0995775 A JPH0995775 A JP H0995775A JP 25495495 A JP25495495 A JP 25495495A JP 25495495 A JP25495495 A JP 25495495A JP H0995775 A JPH0995775 A JP H0995775A
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JP
Japan
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crucible
evaporation material
continuous vacuum
evaporation
evaporated
Prior art date
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Pending
Application number
JP25495495A
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English (en)
Inventor
Kinya Kisoda
欣弥 木曽田
Hiroyuki Watanabe
浩幸 渡辺
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Chugai Ro Co Ltd
Original Assignee
Chugai Ro Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0995775A publication Critical patent/JPH0995775A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 予備加熱された蒸発材料Sをるつぼ2に装入
できる連続真空蒸着装置のるつぼ機構1を提供する。 【解決手段】 粉体、粒状体あるいはペレット状からな
る蒸発材料Sが収納されるるつぼ2を有する連続真空蒸
着装置のるつぼ機構1において、るつぼ2が蒸発材料S
が収納される凹部5を有する本体部4と蒸発材料Sを載
置する載置部6とからなり、載置部6上の蒸発材料Sを
凹部5に供給するプッシャ機構3をるつぼ2の近傍に備
えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、連続真空蒸着装置
のるつぼ機構に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、連続真空蒸着装置に使用されるる
つぼ機構として、図6に示するつぼ機構30が知られて
いる。このるつぼ機構30は、2つのるつぼ31、32
と、該るつぼ31、32のいずれか一方を蒸発加熱位置
Aに移動させる移動装置(図示せず)とから構成されて
おり、真空蒸着時、蒸発材料を収納したるつぼ31、3
2のいずれか一方を蒸発加熱位置Aに移動させ、プラズ
マ流またはエレクトロンビームにより一方のるつぼ31
内の蒸発材料を蒸発させている。そして、るつぼ31内
の蒸発材料が蒸発して減少すると、他方のるつぼ32を
上記移動装置により蒸発加熱位置Aに移動して、るつぼ
32内の蒸発材料を蒸発させることで、連続的に蒸発材
料を蒸発させている。
【0003】また、図7に示するつぼ機構35は、蒸発
材料を収納する複数の凹部37を形成した円板形状の本
体36と該本体を回転させる移動機構(図示せず)とか
ら構成されており、真空蒸着時、蒸発材料を収納した複
数の凹部37のいずれか1つを蒸発加熱位置Aに位置さ
せ、この凹部37にプラズマ流またはエレクトロンビー
ムを収束させて蒸発材料を蒸発させている。そして、蒸
発加熱位置Aの凹部37内の蒸発材料が減少すると、本
体36を移動機構により回転させて他の凹部37を蒸発
加熱位置Aに位置させて他の凹部37内の蒸発材料を蒸
発させることで連続的に蒸発を行っている。
【0004】一方、図8、9に示するつぼ機構40は、
るつぼ41と、モータ43の駆動により該るつぼ41の
幅方向に移動する蒸発材料供給装置42とから構成され
ており、るつぼ41内の蒸発材料が蒸発して減少する
と、蒸発材料供給装置42によりるつぼ41の上方から
蒸発材料をるつぼ41内に供給して蒸発材料を連続的に
蒸発させている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記る
つぼ機構30では、るつぼ31、32を切り換える間、
処理材料の搬送を停止するとともに、プラズマ流または
エレクトロンビームガンを停止しなければならない。ま
た、切り換えられたるつぼ32には、切り換えられる直
前のるつぼ31内の蒸発材料に比較して多量の蒸発材料
が収納されているので、蒸発量が急激に変化し、これに
より成膜状態が変化するという問題点があった。また、
上記るつぼ機構35についても同様の問題点があった。
【0006】一方、上記るつぼ機構40では、蒸発材料
の減少分を蒸発材料供給装置42により連続的に供給す
るので、処理材料の搬送を停止したり、プラズマ流また
はエレクトロンビームガンを停止する必要がないうえ、
急激に蒸発材料が増加することがないという長所がある
ものの、蒸発材料供給装置42の蒸発材料が直接るつぼ
41内に供給されるため、スプラッシュあるいはアウト
ガスが発生して、成膜状態が安定しないという問題点が
あった。
【0007】そこで本発明は、連続真空蒸着装置に使用
されるるつぼ機構であって、連続真空蒸着の際、スプラ
ッシュの発生を抑制するとともに、アウトガスの急激な
発生を防止することができる連続真空蒸着装置のるつぼ
機構を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る連続真空蒸着装置のるつぼ機構では、
粉体、粒状体あるいはペレット状からなる蒸発材料が収
納されるるつぼを有する連続真空蒸着装置のるつぼ機構
において、上記るつぼが上記蒸発材料が収納される凹部
を有する本体部と蒸発材料を載置する載置部とからな
り、上記載置部上の蒸発材料を上記凹部に供給するプッ
シャ機構を上記るつぼの近傍に備えていることを特徴と
している。
【0009】上記構成からなる連続真空蒸着装置のるつ
ぼ機構では、るつぼ内の蒸発材料をプラズマ流またはエ
レクトロンビームにより蒸発させる際、載置部に載置さ
れた蒸発材料は、るつぼの凹部に収納された蒸発材料か
らの熱伝導と輻射熱およびプラズマ流からの輻射熱と熱
衝撃により予熱される。この予熱された蒸発材料を上記
供給手段によりるつぼに供給する。
【0010】上記載置部はるつぼの縁に形成することが
好ましく、上記供給手段はモータあるいは油圧機構等を
駆動源とするプッシャーで構成して蒸発材料をるつぼに
送り込むようにすることが好ましい。
【0011】また、上記載置部に蒸発材料を補給する補
給手段を設け、載置部の蒸発材料がるつぼに供給された
後に蒸発材料を上記載置部に補給するようにしてもよ
い。上記補給手段は所定の分量の蒸発材料を載置部に補
給できる構成とし、蒸発材料を貯蔵するホッパーと所定
分量を排出するフィーダーとで構成することが好まし
い。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
に係る実施の形態について説明する。図1、2は本発明
に係るるつぼ機構1を示している。るつぼ機構1は連続
真空蒸着装置に使用されるもので、るつぼ2とプッシャ
機構3とで構成されている。上記るつぼ2は長方形から
なる凹部5が形成されている本体部4と、上記凹部5の
一辺側の縁の上端部に形成されている平坦な載置部6と
からなり、シート状プラズマは上記凹部5に収束する。
また、本体部4及び載置部6にはプッシャ機構3のプッ
シャー部9をガイドするガイド壁部7が形成してある。
なお、シート状プラズマを使用する必要が無い場合は、
上記凹部5の形状を円形とすることが好ましい。
【0013】上記プッシャ機構3は、台座10に取り付
けられたボールスクリュー11をモータ12で回転駆動
して、ボールスクリュー11に取り付けられた支持部1
3を移動させることで、該支持部13に取り付けられた
プッシャー部9が載置部6上を移動するようになってい
る。また、上記モータ12は制御装置14に接続されて
おり、モータ12の回転角度あるいは速度等が制御さ
れ、プッシャー部9の移動量および速度が調節できるよ
うになっている。
【0014】上記構成からなるるつぼ機構1では、モー
タ12の駆動によりプッシャー部9を載置部6の端部6
aに移動させた状態で載置部6に蒸発材料を載置する。
上記プッシャー部9を載置部6の凹部側の端部6bに向
かって移動することで、蒸発材料は凹部5に供給され
る。なお、上記プッシャ機構3はボールスクリューで駆
動するよう構成してあるが、油圧シリンダー等で構成し
てもよい。
【0015】また、図3、4に示するつぼ機構15は上
記るつぼ機構1に蒸発材料補給装置16を加えて構成さ
れている。上記補給装置16は、蒸発材料が貯蔵される
ホッパー部18、蒸発材料を所定量排出するフィーダー
19、該フィーダー19から排出された蒸発材料を載置
部6に向かって滑らせて供給するシューター部20、及
びこれらを支持する台座21とで構成されている。上記
台座21はモータ22によって回転駆動されるボールス
クリュー23に取り付けられており、ボールスクリュー
23の回転により上記台座21は載置部6の幅方向に移
動できるようになっている。上記モータ22及びフィー
ダー19には制御装置23が接続されており、台座21
を載置部6の幅方向に移動しながらフィーダー19で所
定量の蒸発材料を載置部6に補給する等の補給動作がで
きるようになっている。なお、フィーダー19はアルキ
メデス方式で構成されているが、スクリュー方式あるい
はバイブレーション方式等で構成してもよい。
【0016】上記構成からなるるつぼ機構15では、載
置部6に載置された蒸発材料がプッシャ機構3により凹
部5に供給された後、補給装置16で蒸発材料を載置部
6に連続的に補給することができる。
【0017】次に、上記るつぼ機構15を使用した連続
真空蒸着装置について説明する。図5に示すように、連
続真空蒸着装置25は、真空室26内の底部に上記るつ
ぼ機構15を配置し、るつぼ2の底面にプラズマ流を収
束させるための永久磁石27を配置して構成される。ま
た、真空室26の側壁の中段部には圧力勾配型プラズマ
ガン28が取り付けられており、上段部には基板29の
搬送通路30、31が接続してある。また、るつぼ機構
15の凹部5にはペレット状等からなる蒸発材料Sが収
納されており、載置部6には上記蒸発材料Sが載置さ
れ、補給装置16のホッパー部18には上記蒸発材料S
が貯蔵してある。
【0018】上記連続真空蒸着装置25における成膜は
以下のように行う。まず、基板支持部32に取り付けた
基板29を搬送路30から真空室26に所定速度で装入
させる。次に、プラズマガン28を起動してプラズマ流
を図示しない磁石でシート状に変形してるつぼ2に収束
させ、るつぼ2の凹部5内の蒸発材料Sを蒸発させる。
蒸発した蒸発材料Sは上記基板29に成膜する。上記基
板29は成膜された後、搬送通路31から真空室26の
外へ移動させる。
【0019】また、るつぼ2の凹部5にプラズマ流が収
束することで、載置部6に載置された蒸発材料Sは、蒸
発材料Sからの熱伝導により予熱されて脱ガスされる。
凹部5内の蒸発材料が少量になると、プッシャ機構3の
プッシャー部9により載置部6上の蒸発材料Sを凹部5
に適宜供給する。この際、真空室26に設けられた覗き
窓から真空室26の内部を観察してプッシャー部9の移
動量を制御し、凹部5に装入される蒸発材料Sの量を調
節する。
【0020】載置部6上の蒸発材料Sが少量になると、
蒸発材料Sは補給装置16のフィーダー19により所定
量が排出され、シューター部20を介して載置部6に補
給される。また、この際、載置部6の幅方向に均等に蒸
発材料Sが補給されるように台座21を載置部6の幅方
向に移動させる。
【0021】上記るつぼ機構15または永久磁石27を
図示しない移動装置に設置して、上記るつぼ機構15ま
たは永久磁石27をプラズマガン28に対して進退させ
れば、凹部5内に収束するプラズマ流の位置を変更させ
ることができるので、凹部5内の蒸発材料を有効に蒸発
させることができる。なお、上記圧力勾配型プラズマガ
ン28に替えてエレクトロンビームガンを使用する場
合、上記凹部5上をエレクトロンビームをスキャニング
させることができるので移動装置は必要ない。
【0022】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る連続真空蒸着装置のるつぼ機構では、るつぼに供
給される蒸発材料は載置部に載置され、るつぼに収納さ
れた蒸発材料からの熱伝導等により予熱されて脱ガスが
終了した状態でるつぼに供給される。したがって、供給
された蒸発材料は、スプラッシュの発生を抑制し、ま
た、急激なアウトガスの発生がなく安定して蒸発するの
で、成膜が安定する。また、蒸発材料は蒸発量に応じて
るつぼに供給することができるので蒸発が安定する。
【0023】さらに、るつぼに予備加熱された蒸発材料
を供給するので、連続真空蒸着装置においては、プラズ
マ放電、処理材料の搬送を停止する必要がない。したが
って、処理材料を効率良く連続的に蒸着処理することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る連続真空蒸着装置のるつぼ機構
の平面図である。
【図2】 図1のI−I線断面図である。
【図3】 補給装置を備えた連続真空蒸着装置のるつぼ
機構の平面図である。
【図4】 図3のII−II線断面図である。
【図5】 補給装置を備えた連続真空蒸着装置のるつぼ
機構を使用した連続真空蒸着装置の断面図である。
【図6】 従来のるつぼ機構の平面図である。
【図7】 従来のるつぼ機構の平面図である。
【図8】 供給装置を備えた従来のるつぼ機構の平面図
である。
【図9】 図8のIII−III線断面図である。
【符号の説明】
1…連続真空蒸着装置のるつぼ機構、2…るつぼ、3…
プッシャ機構、5…凹部、6…載置部、16…補給装
置、28…圧力勾配型プラズマガン、S…蒸発材料。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 粉体、粒状体あるいはペレット状からな
    る蒸発材料が収納されるるつぼを有する連続真空蒸着装
    置のるつぼ機構において、上記るつぼが上記蒸発材料が
    収納される凹部を有する本体部と蒸発材料を載置する載
    置部とからなり、上記載置部上の蒸発材料を上記凹部に
    供給するプッシャ機構を上記るつぼの近傍に備えている
    ことを特徴とする連続真空蒸着装置のるつぼ機構。
JP25495495A 1995-10-02 1995-10-02 連続真空蒸着装置のるつぼ機構 Pending JPH0995775A (ja)

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JP25495495A JPH0995775A (ja) 1995-10-02 1995-10-02 連続真空蒸着装置のるつぼ機構

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JPH0995775A true JPH0995775A (ja) 1997-04-08

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1422313A1 (de) * 2002-11-05 2004-05-26 Theva Dünnschichttechnik GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials im Vakuum mit kontinuierlicher Materialnachführung
EP2239352A3 (en) * 2004-09-21 2011-06-08 Global OLED Technology LLC Delivering particulate material to a vaporization zone

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1422313A1 (de) * 2002-11-05 2004-05-26 Theva Dünnschichttechnik GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials im Vakuum mit kontinuierlicher Materialnachführung
WO2004041985A3 (de) * 2002-11-05 2004-06-17 Theva Duennschichttechnik Gmbh Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines hochtemperatursupraleiters im vakuum mit kontinuierlicher materialnachführung
US7727335B2 (en) 2002-11-05 2010-06-01 Theva Dunnschichttechnik Gmbh Device and method for the evaporative deposition of a coating material
EP2239352A3 (en) * 2004-09-21 2011-06-08 Global OLED Technology LLC Delivering particulate material to a vaporization zone
KR101348672B1 (ko) * 2004-09-21 2014-01-08 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 미립자 물질을 증발시키고 이를 표면상에 응축시켜 층을 형성시키는 방법

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