JPH0995524A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH0995524A JPH0995524A JP25165795A JP25165795A JPH0995524A JP H0995524 A JPH0995524 A JP H0995524A JP 25165795 A JP25165795 A JP 25165795A JP 25165795 A JP25165795 A JP 25165795A JP H0995524 A JPH0995524 A JP H0995524A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装時における半導体パッケージの耐半田ス
トレス性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 エポキシ官能基を２個以上有するエポキ
シ化合物、式（１）で示されるフェノール樹脂を総フェ
ノール樹脂硬化剤量に対して３０〜１００重量％含むフ
ェノール樹脂、無機質充填材及び硬化促進剤を必須成分
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲは、水素、ハロゲン類、アルキル基及びそれ
らの誘導体の中から選択される原子または官能基）
トレス性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 エポキシ官能基を２個以上有するエポキ
シ化合物、式（１）で示されるフェノール樹脂を総フェ
ノール樹脂硬化剤量に対して３０〜１００重量％含むフ
ェノール樹脂、無機質充填材及び硬化促進剤を必須成分
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲは、水素、ハロゲン類、アルキル基及びそれ
らの誘導体の中から選択される原子または官能基）
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
表面実装化における、耐半田ストレス性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
表面実装化における、耐半田ストレス性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路などの電子部品を、熱硬化性樹脂で封止している
が、特に集積回路では、耐熱性、耐湿性に優れたオルソ
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボ
ラック樹脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶
シリカなどの無機質充填材を配合したエポキシ樹脂組成
物が用いられている。ところが近年、集積回路の高集積
化に伴いチップがだんだん大型化し、かつパッケージは
従来のＤＩＰタイプから表面実装化された小型、薄型の
ＱＦＰ、ＳＯＰ、ＳＯＪ、ＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＰＬＣ
Ｃ に変わってきている。即ち、大型チップを小型で薄
いパッケージに封入することになるため、熱応力により
クラックが発生し、これらのクラックによる耐湿性低下
などの問題が大きくクローズアップされている。特に半
田付け工程において、急激に２００℃以上の高温にさら
されることにより、パッケージの割れや樹脂とチップの
剥離により耐湿性が劣化してしまうといった問題点がで
てきている。従って、これらの大型チップを封止するの
に適した、信頼性の高い半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の開発が望まれている。
回路などの電子部品を、熱硬化性樹脂で封止している
が、特に集積回路では、耐熱性、耐湿性に優れたオルソ
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボ
ラック樹脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶
シリカなどの無機質充填材を配合したエポキシ樹脂組成
物が用いられている。ところが近年、集積回路の高集積
化に伴いチップがだんだん大型化し、かつパッケージは
従来のＤＩＰタイプから表面実装化された小型、薄型の
ＱＦＰ、ＳＯＰ、ＳＯＪ、ＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＰＬＣ
Ｃ に変わってきている。即ち、大型チップを小型で薄
いパッケージに封入することになるため、熱応力により
クラックが発生し、これらのクラックによる耐湿性低下
などの問題が大きくクローズアップされている。特に半
田付け工程において、急激に２００℃以上の高温にさら
されることにより、パッケージの割れや樹脂とチップの
剥離により耐湿性が劣化してしまうといった問題点がで
てきている。従って、これらの大型チップを封止するの
に適した、信頼性の高い半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の開発が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題点に対して、エポキシ樹脂としてエポキシ官能基を２
個以上有するエポキシ化合物を用い、フェノール樹脂硬
化剤として式（１）で示されるフェノール樹脂を用いる
ことにより、実装時における半導体パッケージの耐半田
ストレス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供するところにある。
題点に対して、エポキシ樹脂としてエポキシ官能基を２
個以上有するエポキシ化合物を用い、フェノール樹脂硬
化剤として式（１）で示されるフェノール樹脂を用いる
ことにより、実装時における半導体パッケージの耐半田
ストレス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ官能基を２個以上有するエポキシ化合物、（Ｂ）式
（１）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂硬
化剤量に対して３０〜１００重量％含むフェノール樹
脂、
シ官能基を２個以上有するエポキシ化合物、（Ｂ）式
（１）で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂硬
化剤量に対して３０〜１００重量％含むフェノール樹
脂、
【０００５】
【化３】 （式中のＲは、水素、ハロゲン類、アルキル基及びそれ
らの誘導体の中から選択される原子または官能基）
らの誘導体の中から選択される原子または官能基）
【０００６】（Ｃ）無機質充填材及び（Ｄ）硬化促進剤
を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物であり、従来のエポキシ樹脂組成物に比
べ、優れた信頼性として耐半田ストレス性と半田処理後
の耐湿性を有するものである。
を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物であり、従来のエポキシ樹脂組成物に比
べ、優れた信頼性として耐半田ストレス性と半田処理後
の耐湿性を有するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ官能基を
２個以上有するエポキシ化合物とは、例えばビフェニル
型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、
フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノ
ボラック型エポキシ化合物、トリフェノールメタン型エ
ポキシ化合物、アルキル変性トリフェノールメタン型エ
ポキ化合物等のことを言う。特にエポキシ樹脂組成物と
しての無機充填材量を８０〜９０重量％にする場合、ビ
フェニル型エポキシ化合物やビスフェノール型エポキシ
化合物等の結晶性のものを用いた方が溶融粘度の設定上
好ましい。
２個以上有するエポキシ化合物とは、例えばビフェニル
型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、
フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノ
ボラック型エポキシ化合物、トリフェノールメタン型エ
ポキシ化合物、アルキル変性トリフェノールメタン型エ
ポキ化合物等のことを言う。特にエポキシ樹脂組成物と
しての無機充填材量を８０〜９０重量％にする場合、ビ
フェニル型エポキシ化合物やビスフェノール型エポキシ
化合物等の結晶性のものを用いた方が溶融粘度の設定上
好ましい。
【０００８】式（１）の分子構造で示されるフェノール
樹脂は、従来のフェノールノボラック樹脂に比べて、硬
化物のゴム領域で高強度、低弾性率を示し、リードフレ
ーム（４２アロイ、銅合金）等の金属類との接着性に優
れる。更に耐半田ストレス性を最大限に引き出すために
は、式（１）で示されるフェノール樹脂を、総フェノー
ル樹脂硬化剤量に対して３０重量％以上、好ましくは５
０重量％以上の使用が望ましい。３０重量％未満である
と、目標とした耐半田ストレス性が不充分である。式
（１）のＲは、水素、ハロゲン類、アルキル基及びそれ
らの誘導体の中から選択される原子または官能基である
が、好ましいのはメチル基である。式中のｍ＝０〜５、
ｎ＝０〜２０であるが、ｍが５を越えると強度が低下
し、ｎが２０を越えると粘度が高くなるため、流動性が
低下する。式（１）のフェノール樹脂は、フェノール類
とクロトンアルデヒドを酸性触媒存在下で脱水縮合させ
ることにより得られる。また式（１）のフェノール樹脂
の中では、立体障害の影響を受けにくく、高い熱時強度
が得られると考えられる式（２）で示されるフェノール
樹脂が好ましい。式（１）で示されるフェノール樹脂以
外に他のフェノール樹脂を併用する場合は、フェノール
性水酸基を有するポリマー全般を用いればよい。例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テル
ペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物
などがある。また、これらの硬化剤の配合量としては、
エポキシ化合物のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を合
わせるように配合することが望ましい。
樹脂は、従来のフェノールノボラック樹脂に比べて、硬
化物のゴム領域で高強度、低弾性率を示し、リードフレ
ーム（４２アロイ、銅合金）等の金属類との接着性に優
れる。更に耐半田ストレス性を最大限に引き出すために
は、式（１）で示されるフェノール樹脂を、総フェノー
ル樹脂硬化剤量に対して３０重量％以上、好ましくは５
０重量％以上の使用が望ましい。３０重量％未満である
と、目標とした耐半田ストレス性が不充分である。式
（１）のＲは、水素、ハロゲン類、アルキル基及びそれ
らの誘導体の中から選択される原子または官能基である
が、好ましいのはメチル基である。式中のｍ＝０〜５、
ｎ＝０〜２０であるが、ｍが５を越えると強度が低下
し、ｎが２０を越えると粘度が高くなるため、流動性が
低下する。式（１）のフェノール樹脂は、フェノール類
とクロトンアルデヒドを酸性触媒存在下で脱水縮合させ
ることにより得られる。また式（１）のフェノール樹脂
の中では、立体障害の影響を受けにくく、高い熱時強度
が得られると考えられる式（２）で示されるフェノール
樹脂が好ましい。式（１）で示されるフェノール樹脂以
外に他のフェノール樹脂を併用する場合は、フェノール
性水酸基を有するポリマー全般を用いればよい。例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テル
ペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物
などがある。また、これらの硬化剤の配合量としては、
エポキシ化合物のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を合
わせるように配合することが望ましい。
【０００９】本発明で用いる無機質充填材としては、溶
融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、二次
凝集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナなどが挙
げられ、特に球状シリカ粉末、及び溶融シリカ粉末と球
状シリカ粉末との混合物が好ましい。また、無機充填材
の配合量としては、耐半田ストレス性から総エポキシ樹
脂組成物量に対して８０〜９０重量％が好ましい。無機
充填材量が８０重量％未満だと低熱膨張化、低吸水化が
得られず、耐半田ストレス性が不充分である。また、無
機質充填材量が９０重量％を越えると高粘度化による半
導体パッケージ中のダイパット、金線ワイヤーのずれ等
の不都合が生じる。本発明で用いる硬化促進剤として
は、エポキシ基と水酸基との硬化反応を促進させるもの
であればよく、一般に封止材料に用いられているものを
広く用いることができる。例えば、ジアザビシクロウン
デセン、トリフェニルホスフィン、ジメチルベンジルア
ミン、２−メチルイミダゾールなどが単独もしくは混合
して用いてもよい。
融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、二次
凝集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナなどが挙
げられ、特に球状シリカ粉末、及び溶融シリカ粉末と球
状シリカ粉末との混合物が好ましい。また、無機充填材
の配合量としては、耐半田ストレス性から総エポキシ樹
脂組成物量に対して８０〜９０重量％が好ましい。無機
充填材量が８０重量％未満だと低熱膨張化、低吸水化が
得られず、耐半田ストレス性が不充分である。また、無
機質充填材量が９０重量％を越えると高粘度化による半
導体パッケージ中のダイパット、金線ワイヤーのずれ等
の不都合が生じる。本発明で用いる硬化促進剤として
は、エポキシ基と水酸基との硬化反応を促進させるもの
であればよく、一般に封止材料に用いられているものを
広く用いることができる。例えば、ジアザビシクロウン
デセン、トリフェニルホスフィン、ジメチルベンジルア
ミン、２−メチルイミダゾールなどが単独もしくは混合
して用いてもよい。
【００１０】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
化合物、フェノール樹脂硬化剤、無機質充填材及び硬化
促進剤を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシ
ランカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、酸化アン
チモン、ヘキサブロムベンゼンなどの難燃剤、カーボン
ブラック、ベンガラなどの着色剤、天然ワックス、合成
ワックスなどの離型剤及び通常半導体封止用樹脂組成物
に用いられているシリコーンオイル、ゴムなどの低応力
添加剤など、種々の添加剤を配合しても差し支えない。
また本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て製造するには、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤、無機充填材、硬化促進剤、その他の添加剤をミキサ
ー等によって充分に均一に混合した後、更に熱ロールま
たはニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料
とすることができる。これらの成形材料は、電気部品あ
るいは電子部品であるトランジスタ、集積回路などの被
覆、絶縁、封止などに適用することができる。
化合物、フェノール樹脂硬化剤、無機質充填材及び硬化
促進剤を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシ
ランカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、酸化アン
チモン、ヘキサブロムベンゼンなどの難燃剤、カーボン
ブラック、ベンガラなどの着色剤、天然ワックス、合成
ワックスなどの離型剤及び通常半導体封止用樹脂組成物
に用いられているシリコーンオイル、ゴムなどの低応力
添加剤など、種々の添加剤を配合しても差し支えない。
また本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て製造するには、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤、無機充填材、硬化促進剤、その他の添加剤をミキサ
ー等によって充分に均一に混合した後、更に熱ロールま
たはニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料
とすることができる。これらの成形材料は、電気部品あ
るいは電子部品であるトランジスタ、集積回路などの被
覆、絶縁、封止などに適用することができる。
【００１１】以下、本発明を実施例で具体的に説明す。 実施例１ 下記組成物 ３，３′，５，５′−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル（融点 １０８℃，エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ） ８．８５重量部 式（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤（軟化点１０５℃，水酸基当量１１ １ｇ／ｅｑ） ３．９６重量部
【化４】 （ｎの値が０〜３を示す混合物であり、その重量割合はｎ＝０が１に対してｎ＝ １が０．６５、ｎ＝２が０．４１、ｎ＝３が０．２８である。 フェノールノボラック樹脂硬化剤（軟化点６５℃，水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ ） ０．９９重量部 溶融シリカ粉末（平均粒径１０μｍ，比表面積２．０ｍ２／ｇ） ３５重量部 球状シリカ粉末（平均粒径３０μｍ，比表面積２．５ｍ２／ｇ） ５０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７ ０．２重量部 カーボンブラック ０．５重量部 カルナバワックス ０．５重量部 を常温においてミキサーで混合し、７０〜１００℃で２
軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とし
た。粉砕して得られた成形材料は、ＥＭＭＩ−Ｉー６６
に準じた試験用金型を用い、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ
2、１２０秒の条件でスパイラルフローを測定した。更
に、得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランス
ファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０
秒の条件で、半田クラック試験用として６×６ｍｍのチ
ップを５２ｐＱＦＰに封止し、また半田耐湿性試験用と
して３×６ｍｍのチップを１６ｐＳＯＰに封止した。封
止したテスト用素子について、下記の半田クラック試
験、半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示す。
軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とし
た。粉砕して得られた成形材料は、ＥＭＭＩ−Ｉー６６
に準じた試験用金型を用い、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ
2、１２０秒の条件でスパイラルフローを測定した。更
に、得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランス
ファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０
秒の条件で、半田クラック試験用として６×６ｍｍのチ
ップを５２ｐＱＦＰに封止し、また半田耐湿性試験用と
して３×６ｍｍのチップを１６ｐＳＯＰに封止した。封
止したテスト用素子について、下記の半田クラック試
験、半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示す。
【００１２】評価方法 半田ストレス試験：封止したテスト用素子を、８５℃、
８５％ＲＨの環境下で２４時間、４８時間、７２時間及
び１２０時間処理し、その後２６０℃の半田槽に１０秒
間浸漬させた後、顕微鏡で外部クラックを観察した。ク
ラック発生数／総数で表した。試験片の数は１６個。 半田耐湿性試験：封止したテスト用素子を、８５℃、８
５％ＲＨの環境下で７２時間処理し、その後２６０℃の
半田槽に１０秒間浸漬させた後、プレッシャークッカー
試験を行い、回路のオープン不良を測定した。試験片の
数は１６個。
８５％ＲＨの環境下で２４時間、４８時間、７２時間及
び１２０時間処理し、その後２６０℃の半田槽に１０秒
間浸漬させた後、顕微鏡で外部クラックを観察した。ク
ラック発生数／総数で表した。試験片の数は１６個。 半田耐湿性試験：封止したテスト用素子を、８５℃、８
５％ＲＨの環境下で７２時間処理し、その後２６０℃の
半田槽に１０秒間浸漬させた後、プレッシャークッカー
試験を行い、回路のオープン不良を測定した。試験片の
数は１６個。
【００１３】実施例２〜５ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の成形品を得、この
成形品を用いて実施例１と同様に半田ストレス試験及び
半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示す。 比較例１〜２ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の成形品を得、この
成形品を用いて実施例１と同様に半田ストレス試験及び
半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示す。
材料を得た。この成形材料で試験用の成形品を得、この
成形品を用いて実施例１と同様に半田ストレス試験及び
半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示す。 比較例１〜２ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の成形品を得、この
成形品を用いて実施例１と同様に半田ストレス試験及び
半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【発明の効果】本発明に従うと、実装時における半導体
パッケージの耐半田ストレス性に優れたものである。
パッケージの耐半田ストレス性に優れたものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ官能基を２個以上有する
エポキシ化合物、（Ｂ）式（１）で示されるフェノール
樹脂を総フェノール樹脂硬化剤量に対して３０〜１００
重量％含むフェノール樹脂、 【化１】 （式中のＲは、水素、ハロゲン類、アルキル基及びそれ
らの誘導体の中から選択される原子または官能基） （Ｃ）無機質充填材及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分と
することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項２】 式（１）のフェノール樹脂が、式（２）
である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 【化２】 - 【請求項３】 エポキシ官能基を２個以上有するエポキ
シ化合物が、３，３′，５，５′−テトラメチルビフェ
ノールジグリシジルエーテル及び／又は３，３′，５，
５′−テトラメチルビフェノールメタンジグリシジルエ
ーテルである請求項１又は請求項２記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25165795A JPH0995524A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25165795A JPH0995524A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0995524A true JPH0995524A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17226083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25165795A Withdrawn JPH0995524A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0995524A (ja) |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25165795A patent/JPH0995524A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040520 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040526 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20040806 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |