JPH0992915A

JPH0992915A - 半導体レーザ駆動装置

Info

Publication number: JPH0992915A
Application number: JP7248141A
Authority: JP
Inventors: Tomiyuki Numata; 富行沼田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-09-26
Filing date: 1995-09-26
Publication date: 1997-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】高帯域大電流を供給する電流源を用いない、
サージノイズの影響を受けにくい、半導体レーザ駆動装
置を提供する。【解決手段】半導体レーザの出射光の一部を検出し、
検出された出射光に対応する検出信号を半導体レーザに
フィードバックすることにより、半導体レーザの出射パ
ワーを制御する半導体レーザ駆動装置であって、該検出
信号の低周波成分に基づいて、半導体レーザに駆動電流
を供給する第１制御ループと、該検出信号の高周波成分
に基づいて、半導体レーザに駆動電流を供給する第２制
御ループと、を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はミニディスク等の光
ディスク装置に用いられる半導体レーザ駆動装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、さまざまな光ディスクドライブが
提案されている。そのうちの１つとして、光磁気媒体を
用いたミニディスクドライブがある。図８は、ミニディ
スクドライブの記録・再生動作時の外部磁界、レーザパ
ワーおよび記録マークを模式的に示す。以下、ミニディ
スクドライブの記録・再生動作を図８を参照しながら説
明する。

【０００３】情報を再生するためには、低パワーＰ_Rの
光ビームを光ディスクの磁性膜に照射する。磁気光学効
果を利用して、磁性膜からの反射光から、記録されてい
る記録マークＭ_Rの磁化の状態が検出でき、その結果、
情報の再生ができる。

【０００４】情報の記録は、高パワーＰ_Wの光ビームを
照射する。これによって、まず磁性膜の温度を上昇させ
ることにより、保磁力を低下させる。次に外部から記録
データで変調された外部磁界をかけることによって、磁
性膜の磁化方向を外部磁界の方向に磁化反転させる。そ
の結果、光磁気媒体に記録マークＭ_Wを記録できる。

【０００５】このような光ディスク装置の光源には半導
体レーザが用いられる。半導体レーザはスペクトルの単
一性がよく、そのコヒーレント長は、光ピックアップの
半導体レーザと光ディスクとの間の距離に比べてかなり
長い。そのため、光ピックアップから出射されたレーザ
光が光ディスク上で反射された後、再び半導体レーザ出
射面へと戻るレーザ光、いわゆる「戻り光」が存在する
と、干渉効果により半導体レーザ出射光のノイズ（レー
ザ出射光のパワー変動）が著しく増大する。

【０００６】このノイズを低減する方法としては、半導
体レーザを高周波（数１００ＭＨｚ）で変調し、半導体
レーザのスペクトルをマルチ化することによって、戻り
光の干渉を防ぐ高周波重畳法と、半導体レーザの出射光
の一部を検出し、そのノイズ成分（高周波成分）を半導
体レーザにフィードバックすることによってノイズを低
減する高速ＡＰＣ（オート・パワー・コントロール）法
とがある。

【０００７】図７は、ＡＰＣ法による従来の半導体レー
ザ駆動装置のブロック図を示す。以下、後者のＡＰＣ法
を、図７を参照しながら説明する。半導体レーザ７０１
は電流源７０２からの供給電流７ａにより駆動され、レ
ーザ光７ｂを出射する。レーザ光７ｂはコリメータレン
ズ７０３・ビームスプリッタ７０４・対物レンズ７０５
を経て、光ディスク７０６に照射される。光ディスク７
０６からの反射光７ｂ’は、再び対物レンズ７０５を経
て、ビ一ムスプリック７０４に到達し、ビームスプリッ
タ７０４によって、信号検出用光学系（不図示）に導か
れる。

【０００８】一方、半導体レーザ７０１から出射された
レーザ光７ｂはビームスプリッタ７０４により、その一
部７ｂ”が光検出器７０７へと導かれる。つまり、半導
体レーザ７０１の出射パワーは、光検出器７０７によっ
てモニターされる。光検出器７０７の出力信号７ｃは低
周波増幅器７０８に入力され、温度変化等によって生じ
るレーザパワーの低周波変動成分が増幅される。同時
に、光検出器７０７の出力信号である、レーザパワー検
出信号７ｃは、交流結合コンデンサ７０９を介して高周
波増幅器７１０に入力され、前述した戻り光ノイズ等の
高周波変動成分が増幅される。

【０００９】低周波増幅器７０８の出力信号７ｄ、およ
び高周波増幅器７１０の出力信号７ｅは、加算器７１１
によって加算される。加算器７１１の出力信号である７
ｇは、比較器７１２の反転入力端子に入力される。記録
パワー基準電圧Ｖ_Wおよび再生パワー基準電圧Ｖ_Rは、切
り替え器７１３を介して比較器７１２の非反転入力に信
号７ｈとして入力される。切り替え器７１３は制御部
（不図示）からの信号７ｆによって記録・再生に応じ
て、記録パワー基準電圧Ｖ_Wと再生パワー基準電圧Ｖ_Rと
を切り替える。比較器７１２は、加算器７１１の出力信
号７ｇと、基準信号７ｈとの差に応じた信号７ｉを出力
する。比較器７１２の出力信号７ｉは、電流源７０２に
入力され、半導体レーザ駆動電流７ａは、以下のように
制御される。半導体レーザ７０１の出射パワーが大き
くなると、加算器７１１の出力信号７ｇも大きくなる。
この出力信号７ｇは、比較器７１２の反転入力端子に入
力され、基準電圧信号７ｈは、比較器７１２の非反転入
力端子に入力される。出力信号７ｇが基準電圧信号７ｈ
よりも大きいと、比較器７１２の出力７ｉレベルが小さ
くなる。出力信号７ｇが基準電圧信号７ｈよりも小さい
と、比較器７１２の出力７ｉレベルが大きくなる。

【００１０】このように、レーザパワー検出信号７ｃの
低周波成分および高周波成分は、ともに半導体レーザ７
０１にフィードバックされる。これにより、半導体レー
ザ出射光７ｂの安定化とノイズの低減とがおこなわれ
る。

【００１１】例えば、特開平４−６９８２４および特開
平４−１４３９３３は、上述の高速ＡＰＣについて記載
している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図７に示した従来の半
導体レーザ駆動装置では電流源が一つである。そのた
め、電流源は、高周波成分まで電流を制御できる広い帯
域幅と、半導体レーザを記録パワーによって駆動できる
だけの大電流ドライブ能力が必要となる。具体的には、
ミニディスク装置においてノイズ低減の効果を得るため
には、制御帯域の最高周波数が１ＭＨｚ以上であること
が必要であり、記録時のレーザパワーを得るためには、
最大駆動電流が１００ｍＡ以上であることが必要であ
る。

【００１３】このような、高帯域大電流の電流源回路を
実現することは容易ではなく、高価なものになるという
課題がある。また、高帯域な回路は、電気ノイズの影響
を受けやすい。そのため、サージノイズが回路に混入し
た場合には、過大な電流を半導体レーザに供給すること
になり、半導体レーザが劣化するという課題がある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ駆動装置は、半導体レーザの出射光の一部を検出し、
検出された出射光に対応する検出信号を半導体レーザに
フィードバックすることにより、半導体レーザの出射パ
ワーを制御する半導体レーザ駆動装置であって、該検出
信号の第１周波数帯域の成分に基づいて第１駆動電流を
増減させる第１制御ループと、該検出信号の第２周波数
帯域の成分に基づいて第２駆動電流を増減させる第２制
御ループと、を備えており、該半導体レーザは、該第１
駆動電流および該第２駆動電流の和の駆動電流を受け取
ることにより駆動され、そのことにより上記目的が達成
される。

【００１５】ある実施例では、前記第１駆動電流の最大
値は、前記第２駆動電流の最大値よりも大きい。

【００１６】ある実施例では、前記第１周波数帯域の上
限の周波数は、１０ｋＨｚ以下であり、前記第２周波数
帯域の上限の周波数は、１ＭＨｚを越える。

【００１７】ある実施例では、前記第２駆動電流の最大
値は、１０ｍＡ以下である。

【００１８】ある実施例では、前記第１制御ループは、
前記検出信号を直流結合によって受け取り、該検出信号
と基準信号との比較に応じて比較出力を出力する比較手
段と、該比較出力に基づいて前記半導体レーザに駆動電
流を供給する第１駆動手段と、を備えており、前記第２
制御ループは、前記検出信号を交流結合によって受け取
り、該検出信号に基づいて前記半導体レーザに第２駆動
電流を供給する第２駆動手段を備えている。

【００１９】ある実施例では、前記比較手段は、前記半
導体レーザの出射パワーに応じて、少なくとも２つの基
準信号を切り替えて用いる基準信号切り替え手段を備え
ており、該基準信号切り替え手段の切り替え操作から所
定の期間、前記第２駆動電流を変化させないミュート手
段を備えている。

【００２０】ある実施例では、前記ミュート手段は、サ
ンプル・ホールド回路によって、前記第２駆動電流を前
記所定の期間、変化させない。

【００２１】以下、作用について説明する。低帯域大電
流駆動である第１制御ループは、レーザパワーの低周波
変動を安定化するように働き、高帯域小電流駆動である
第２制御ループは、レーザパワーのノイズ成分を低減す
るようにはたらく。

【００２２】また、第１制御ループはその基準信号を切
り替えることにより、レーザパワーを再生パワーから記
録パワーに、あるいは記録パワーから再生パワーに変化
させるように働き、このパワー切り替えを第２制御ルー
プが妨げることのないように、第２制御ループはミュー
トされる。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１は、本発明による半導体レー
ザ駆動装置の実施の形態を説明するための図である。こ
こでは半導体レーザ駆動装置をミニディスクドライブに
応用している。図７の従来例で示したビームスプリッタ
から光ディスクまでの光路と、光ディスクから信号検出
用光学系（不図示）までの反射光路とは省略してある。

【００２４】光検出器２は、半導体レーザ１によって出
射された出射光ａの一部である光ａ’を検出する。光検
出器２としては、例えばフォトダイオードが用いられ
る。光検出器２の出力信号Ｖ_lは、比較器３の非反転入
力端子に直流結合によって入力されるとともに、コンデ
ンサＣ₁を介して増幅器５に交流結合によって入力され
る。比較器３の反転入力端子には基準信号Ｖ_refが入力
される。切り替え器４は、記録パワー基準電圧Ｖ_Wある
いは再生パワー基準電圧Ｗ_Rを、制御部（不図示）から
の信号Ｓ₁に基づいて切り替えることによって基準信号
Ｖ_refとして、比較器３の反転入力端子に出力する。

【００２５】比較器３は、光検出器２からの出力信号Ｖ
₁と基準信号Ｖ_refとの差を増幅し、信号Ｖ₂として電流
源６に出力する。電流源６（第１電流供給手段）は、信
号Ｖ₂に応じて半導体レーザ駆動電流Ｉ₁を出力する。具
体的には、入力信号Ｖ₂が大きいと駆動電流Ｉ₁が小さく
なる。比較器３および電流源６を用いた第１制御ループ
によれば、半導体レーザ１の出射パワーが、所定の再生
パワーあるいは記録パワーより大きいときは、駆動電流
Ｉ₁を小さくすることによってそのパワーが減少する。
逆に、半導体レーザ１の出射パワーが、所定の再生パワ
ーあるいは記録パワーより小さいときは、駆動電流Ｉ₁
を大きくすることによってそのパワーが増加する。

【００２６】増幅器５は、光検出器２からの出力信号Ｖ
₁の交流成分（高周波成分）を増幅し信号Ｖ₃を電流源７
に出力する。電流源７（第２電流供給手段）は、信号Ｖ
₃に応じて半導体レーザ駆動電流Ｉ₂を出力する。増幅器
５および電流源７を用いた第２制御ループは、半導体レ
ーザ１の出射パワーが戻り光ノイズによって増減するの
を抑制するように動作する。すなわち第１制御ループと
同様に、第２制御ループも負帰還をおこなうことによっ
て、半導体レーザ１の出射パワーを安定化する。

【００２７】半導体レーザ駆動電流Ｉ₁および半導体レ
ーザ駆動電流Ｉ₂は、ともに半導体レーザ１に供給され
る。すなわち、半導体レーザ１は、半導体レーザ駆動電
流Ｉ₁および半導体レーザ駆動電流Ｉ₂の和の電流によっ
て駆動される。

【００２８】ここで、比較器３および電流源６による第
１制御ループ、および増幅器５および電流源７による第
２制御ループが制御する周波数帯域および駆動電流範囲
について説明する。図２は、本発明による半導体レーザ
駆動装置の第１および第２制御ループの利得の周波数特
性を示す図である。図２の実線２ａは、第１制御ループ
の周波数特性を、実線２ｂは、第２制御ループの周波数
特性を示す。半導体レーザ１は、半導体レーザ駆動電流
Ｉ₁および半導体レーザ駆動電流Ｉ₂の和の電流によって
駆動されるので、半導体レーザ１を制御する制御ループ
全体の周波数特性は、第１および第２制御ループの周波
数特性の利得を加算した特性になる。図２の破線２ｃ
は、この制御ループ全体の周波数特性を示す。

【００２９】第１制御ループは、半導体レーザの温度特
性などに起因する、低い周波数におけるパワー変動を抑
制する。また記録・再生パワーの切り替えに際して、第
１制御ループは、十分に速く（ミニディスクドライブに
おいては、数１００μｓ）応答すればよい。以上のこと
から、第１制御ループが制御する周波数帯域の最高周波
数ｆ₁は、数ｋＨｚのオーダーであることが必要であ
る。好ましくは、最高周波数ｆ₁は、１０ｋＨｚであ
る。なお、この最高周波数ｆ₁は、第１制御ループおよ
び第２制御ループの制御利得が一致する周波数である。

【００３０】第２制御ループは、半導体レーザの戻り光
ノイズを抑制する。ミニディスク装置においては、再生
信号の最高周波数は、ほぼ７２０ｋＨｚである。そのた
め、戻り光ノイズ抑制の効果を得るためには、第２制御
ループの制御帯域の最高周波数ｆ₂は、少なくとも１Ｍ
Ｈｚは必要である。最高周波数ｆ₂は、好ましくは数Ｍ
Ｈｚである。なお、この最高周波数ｆ₂は、第２制御ル
ープの制御利得が０ｄＢ以上である制御帯域の最高周波
数である。

【００３１】なお図２においては、第１制御ループの制
御帯域および第２制御ループの制御帯域が一部、重複し
ている。しかし第１制御ループおよび第２制御ループの
制御帯域は、重複していなくてもよい。例えば、第１制
御帯域が直流から周波数ｆ₁までであって、第２制御帯
域が周波数ｆ₁から周波数ｆ₂までであってもよい。

【００３２】図３は、半導体レーザの出射パワー−駆動
電流特性を示す図である。出射パワー−駆動電流特性を
表す曲線を、ここでは「Ｉ−Ｐ曲線」という。Ｉ−Ｐ曲
線は、半導体レーザの温度上昇によって、実線３ａから
破線３ｂへとシフトする。また個々の半導体レーザによ
って、Ｉ−Ｐ曲線はバラツキが大きい。これに対応し、
かつ記録パワーを駆動するためには、第１制御ループ
（電流源６）の最大駆動電流Ｉ_1MAXは１００ｍＡ程度が
必要である。

【００３３】いっぽう戻り光ノイズによるパワー変動Δ
Ｐは、記録パワーＰ_Wの１０％程度であり、これを抑制
するための第２制御ループ（電流源７）の最大駆区動電
流Ｉ_2M _AXは１０ｍＡあれば十分である。

【００３４】

【実施例】

（実施例１）図４は、本発明の半導体レーザ駆動装置の
実施例１の回路を示す。以下、図４を参照しながら回路
の動作を説明する。光検出器であるフォトダイオード２
のカソード端子は、電源電圧Ｖ_DDに接続され逆バイアス
が加えられている。アノード端子には電流電圧変換のた
めの抵抗Ｒ₁が接統されている。フォトダイオード２が
入射光を受けると、入射光に比例した電流Ｉ₃が流れ
る。抵抗Ｒ₁における電圧降下によって、電流Ｉ₃に応じ
電圧Ｖ₁が発生する。

【００３５】まず第１制御ループを説明する。電圧Ｖ₁
は、バッファ回路であるオペアンプ４０１に入力され、
オペアンプ４０１の出力Ｖ₄は、比較器である差動増幅
回路３の非反転入力に接続されている。差動増幅回路３
は、抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅、コンデンサＣ₂およ
びＣ₃およびオペアンプ４０２を有している。差動増幅
回路３の反転入力には、抵抗Ｒ₄を介してスイッチ回路
４が接続されている。スイッチ回路４の入力には、基準
電圧Ｖ_WおよびＶ_Rが接統されている。スイッチ回路４
は、記録／再生を切り替える信号Ｓ₁によって基準電圧
Ｖ_WおよびＶ_Rを選択的にＶ_refとして出力する。基準電
圧Ｖ_WおよびＶ_Rは、レーザパワーが所定の記録／再生パ
ワーとなるようにそれぞれ調整される。差動増幅回路３
のコンデンサＣ₂およびＣ₃は、帯域を制限する。差動増
幅回路３の抵抗およびコンデンサの値は、制御ループの
帯域の最高周波数が数ｋＨｚとなるように決められる。

【００３６】スイッチ回路４で選択された基準電圧をＶ
_refとすると、差動増幅回路３の出力電圧Ｖ₂は次式で表
される。

【００３７】Ｖ₂＝ｋ×（Ｖ₄−Ｖ_ref）＝ｋ×（Ｉ₃×Ｒ₁−Ｖ_ref）ただし、定数ｋは差動増幅回路３の抵抗値で決まるゲイ
ンである。上式は、電流Ｉ₃が大きいほど電圧Ｖ₂が高く
なり、電流Ｉ₃が小さいほど電圧Ｖ₂が低くなることを示
す。

【００３８】差動増幅回路３の出力電圧Ｖ₂は、電流源
回路６に入力される。電流源回路６は、オペアンプ４０
３、抵抗Ｒ₆およびＲ₇、およびトランジスタＴ_r1を有し
ている。オペアンプ４０３の非反転入力端子には、差動
増幅回路３の出力が接続されている。オペアンプ４０３
の出力端子は抵抗Ｒ₆を介してトランジスタＴ_r1のベー
スに接続され、トランジスタＴ_r1のエミッタはオペアン
プ４０３の反転入力端子に接続されるとともに、抵抗Ｒ
₇を介して電源電圧Ｖ_DDに接続されている。そしてトラ
ンジスタＴ_r1のコレクタは、半導体レーザ１のアノード
端子に接続されている。オペアンプ４０３は、反転入力
端子の電圧と非反転入力端子の電圧が等しくなるように
はたらくので、抵抗Ｒ₇の両端には（Ｖ_DD−Ｖ₂）の電圧
が発生し、抵抗Ｒ₇には、（Ｖ_DD−Ｖ₂）／Ｒ₇の電流が
流れる。この電流は、ほぼトランジスタＴ_r ₁のコレクタ
電流に等しい。つまり、レーザ駆動電流Ｉ₂は、電圧Ｖ₁
と電圧Ｖ_refとの差に応じて制御される。なお、電流Ｉ₁
の最大値が１００ｍＡ以上となるように抵抗Ｒ₇の値が
決められている。

【００３９】例えば、レーザ出射光のパワーが大きくな
ると、フォトダイオード２を流れる電流Ｉ₃が増加し、
電圧Ｖ₁およびＶ₄も高くなる。電圧Ｖ₄が上昇すると、
電圧Ｖ₂も上昇する。電流源回路６においては、入力電
圧である電圧Ｖ２が高くなると、逆に電流Ｉ₁は減少す
る。したがって、結果としては、レーザ出射光のパワー
には負帰還がかかることになる。

【００４０】次に第２制御ループについて説明する。電
圧Ｖ₁は、コンデンサＣ₁を介して、高周波増幅回路５の
反転入力に接統されている。高周波増幅回路５は、入力
抵抗Ｒ₈およびＲ₉、ビデオアンプ４０４、可変抵抗ＶＲ
₁、コンデンサＣ₄およびＣ₅、および抵抗Ｒ₁₀を有して
いる。ビデオアンプ４０４として、例えば、ＮＪＭ５９
２（新日本無線）を用いれば、数ＭＨｚの制御帯域幅が
得られる。可変抵抗ＶＲ₁は、このビデオアンプ４０４
のゲインを調整するためのものである。コンデンサＣ₄
は、ピデオアンプ４０４の出力電圧の直流成分を取り除
くためのものである。また、抵抗Ｒ₁₀およびコンデンサ
Ｃ₅は、位相進み回路を構成し、制御系の発振を防ぐこ
とによって安定な制御を得る役割をしている。

【００４１】高周波増幅回路５の出力電圧Ｖ₃は、電流
源回路７に入力される。電流源回路７は、抵抗Ｒ₁₁、Ｒ
₁₂およびＲ₁₃、およびトランジスタＴ_r2で構成されたエ
ミッタフォロワ回路であり、その出力電流の交流成分Ｉ
₂は、コンデンサＣ₆を介して半導体レーザ１に供給され
る。

【００４２】電流Ｉ₂の値は、電圧Ｖ₃の変化分（交流成
分）をΔＶ₃、半導体レーザ１のインピーダンスをＺ_LD
とすると、Ｉ₂＝ΔＶ₃／Ｚ_LDとなる。電流Ｉ₂の最大値
を１０ｍＡ程度に制限するためには、図示しない抵抗Ｒ
₇をコンデンサＣ₆に直列に挿入し電流Ｉ₂（＝ΔＶ₃／
（Ｚ_LD＋Ｒ₇））を制限するか、あるいはエミッタフォ
ロワ回路の電源電圧Ｖ_SSを調整すればよい。後者の場合
は、電源電圧自体を制限することにより、エミッタフォ
ロワ回路を飽和させることになる。

【００４３】以上述べたように、本発明の半導体レーザ
駆動装置によれば、高帯域小電流駆動の制御ループと、
低帯域大電流駆動の制御ループとによりレーザパワーの
制御をおこなっている。そのため高帯域かつ大電流の電
流源回路を用いる必要がない。また高帯域小電流駆動の
制御ループにサージノイズが混入しても、高帯域制御ル
ープの駆動電流は小さいので、半導体レーザの劣化を招
くことはない。なお、低帯域大電流駆動の制御ループ
は、帯域が低く、かつ応答速度も遅いので、サージノイ
ズが混入する可能性が低く、問題とはならない。

【００４４】（実施例２）本発明による半導体レーザ駆
動装置の実施例２を、図５および図６を参照しながら説
明する。図５は、本発明による半導体レーザ駆動装置の
実施例２のブロック図を示す。図６は、実施例２におけ
る、再生パワーから記録パワーへの切り替え、または記
録パワーから再生パワーへの切り替えに際しての各部の
波形を示す。

【００４５】図６の時刻ｔ₁において、制御信号Ｓ₁によ
って基準電圧Ｖ_refがＶ_RからＶ_Wに切り替えられると、
電流Ｉ₁が上昇し、レーザパワーも上昇する。すると増
幅器５の出力電圧Ｖ₃はこの上昇を抑制すべく減少す
る。もし電圧Ｖ₃がこのまま電流源７に入力されると、
電流Ｉ₂の減少によってレーザパワーの上昇は抑制さ
れ、オーバーシュー卜を招いて、レーザパワーが安定す
るまでに時間がかかることになる。これは、時刻ｔ₂に
おいて、基準電圧Ｖ_refがＶ_WからＶ_Rに切り替えられる
ときも同様であり、レーザパワーの安定に必要以上の時
間を要することになる。

【００４６】そこで、図５に示すタイミング回路８およ
びスイッチ回路９によって、レーザパワー切り替え時
に、所定の期間、電流源７から電流Ｉ₂が流れないよう
にする。タイミング回路８は、信号Ｓ₁を受け取り、信
号Ｓ₁に基づいてレーザパワー切り替え時に、スイッチ
回路９を所定の期間、オフする信号Ｓ₂を出力する。

【００４７】増幅器５の出力電圧Ｖ₃は、スイッチ回路
９を介して電流源７に入力される。したがって、レーザ
パワー切り替え直後の所定の期間は、電圧Ｖ₃は電流源
７に入力されない。その結果、電流Ｉ₂は変化しない。

【００４８】つまり、信号Ｓ₁によって基準電圧Ｖ_refが
Ｖ_RからＶ_Wに、あるいはＶ_WからＶ_Rに切り替えられた直
後から、レーザパワーが所定のパワーに安定するまでの
期間は、スイッチ回路９が開いた状態（オフ状態）にな
り、増幅器５および電流源７からなる第２制御ループ
は、その動作がミュートされる。

【００４９】図５に示す実施例２では、単純なスイッチ
回路９を用いたが、これには限られない。例えば、パワ
ー切り替え時に電圧Ｖ₃を保持するサンプルホールド回
路を用いてもよい。

【００５０】このように再生モードから記録モード（ま
たは消去モード）への切り替え、または記録モード（ま
たは消去モード）から再生モードへの切り替えに際し
て、切り替えの直後から所定の期間は、高帯域小電流駆
動の制御ループの動作をミュートするので、低帯域大電
流駆動の制御ループによるパワー切り替えの動作を妨げ
ることはない。

【００５１】

【発明の効果】本発明によれば、高帯域小電流駆動の制
御ループと、低帯域大電流駆動の制御ループとによりレ
ーザパワーの制御をおこなっている。このことにより、
少なくとも以下の効果を有する。

【００５２】(1) コスト的に不利な高帯域かつ大電流の
電流源回路を用いる必要がない。

【００５３】(2) 高帯域小電流駆動の制御ループにサー
ジノイズが混入しても、高帯域制御ループの駆動電流は
小さいので、半導体レーザの劣化を生じない。

【００５４】また本発明によれば、再生モードから記録
モード（または消去モード）への切り替え、または記録
モード（または消去モード）から再生モードへの切り替
えに際して、切り替えの直後から所定の期間は、高帯域
小電流駆動の制御ループの動作をミュートする。このこ
とにより、低帯域大電流駆動の制御ループによるパワー
切り替えの動作が、高帯域小電流駆動の制御ループによ
って、打ち消されることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体レーザ駆動装置の実施の形
態を説明するための図である。

【図２】本発明による半導体レーザ駆動装置の制御ルー
プの利得−周波数特性を示す図である。

【図３】本発明による半導体レーザ駆動装置の半導体レ
ーザの出射パワー−駆動電流特性を示す図である。

【図４】本発明による半導体レーザ駆動装置の実施例１
の回路を示す図である。

【図５】本発明による半導体レーザ駆動装置の実施例２
のブロック図を示すである。

【図６】実施例２における、再生パワーから記録パワー
への切り替え、または記録パワーから再生パワーへの切
り替えに際しての各部の波形を示す図である。

【図７】ＡＰＣ法による従来の半導体レーザ駆動装置の
ブロック図を示す図である。

【図８】ミニディスクドライブの記録・再生動作時の外
部磁界、レーザパワーおよび記録マークを模式的に示す
図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ２光検出器３比較器４切り替え器５増幅器６、７電流源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザの出射光の一部を検出し、
検出された出射光に対応する検出信号を半導体レーザに
フィードバックすることにより、半導体レーザの出射パ
ワーを制御する半導体レーザ駆動装置であって、該検出信号の第１周波数帯域の成分に基づいて第１駆動
電流を増減させる第１制御ループと、該検出信号の第２周波数帯域の成分に基づいて第２駆動
電流を増減させる第２制御ループと、を備えており、該半導体レーザは、該第１駆動電流およ
び該第２駆動電流の和の駆動電流を受け取ることにより
駆動される半導体レーザ駆動装置。
【請求項２】前記第１駆動電流の最大値は、前記第２
駆動電流の最大値よりも大きい、請求項１に記載の半導
体レーザ駆動装置。
【請求項３】前記第１周波数帯域の上限の周波数は、
１０ｋＨｚ以下であり、前記第２周波数帯域の上限の周
波数は、１ＭＨｚを越える、請求項２に記載の半導体レ
ーザ駆動装置。
【請求項４】前記第２駆動電流の最大値は、１０ｍＡ
以下である請求項３に記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項５】前記第１制御ループは、前記検出信号を
直流結合によって受け取り、該検出信号と基準信号との
比較に応じて比較出力を出力する比較手段と、該比較出
力に基づいて前記半導体レーザに駆動電流を供給する第
１駆動手段と、を備えており、前記第２制御ループは、前記検出信号を交流結合によっ
て受け取り、該検出信号に基づいて前記半導体レーザに
第２駆動電流を供給する第２駆動手段を備えている、請
求項４に記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項６】前記比較手段は、前記半導体レーザの出
射パワーに応じて、少なくとも２つの基準信号を切り替
えて用いる基準信号切り替え手段を備えており、該基準
信号切り替え手段の切り替え操作から所定の期間、前記
第２駆動電流を変化させないミュート手段を備えた、請
求項５に記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項７】前記ミュート手段は、サンプル・ホール
ド回路によって、前記第２駆動電流を前記所定の期間、
変化させない、請求項６に記載の半導体レーザ駆動装
置。