JPH098013A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体用エッチャント - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体用エッチャントInfo
- Publication number
- JPH098013A JPH098013A JP15631295A JP15631295A JPH098013A JP H098013 A JPH098013 A JP H098013A JP 15631295 A JP15631295 A JP 15631295A JP 15631295 A JP15631295 A JP 15631295A JP H098013 A JPH098013 A JP H098013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etchant
- compound semiconductor
- group
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第ＩＩ族元素の主成分がＺｎより成るＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体薄膜層の選択的食刻を可能とし、接
合界面を明瞭にし、膜厚測定を可能ならしめる。 【構成】 フッ化水素酸：過酸化水素：水＝（４．５〜
０．４）：１：（２５〜１６５）（モル比）なるエッチ
ャントでエッチングする。 【効果】 ヘテロ接合界面が明確になり、正確で且つ精
密な膜厚測定を可能にする。
ＶＩ族化合物半導体薄膜層の選択的食刻を可能とし、接
合界面を明瞭にし、膜厚測定を可能ならしめる。 【構成】 フッ化水素酸：過酸化水素：水＝（４．５〜
０．４）：１：（２５〜１６５）（モル比）なるエッチ
ャントでエッチングする。 【効果】 ヘテロ接合界面が明確になり、正確で且つ精
密な膜厚測定を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に層構造を有するＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の各層界面を明瞭に発現させて
層厚測定を可能にするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用エッ
チャントに係わる。
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の各層界面を明瞭に発現させて
層厚測定を可能にするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用エッ
チャントに係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、可視短波長領域の発光素子、例え
ば発光ダイオードや半導体レーザーなどの材料として、
ＺｎＳ, ＺｎＳｅ, ＣｄＳおよびそれらの固溶体をはじ
めとするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が注目されている。
このようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた発光素子
は通常、構成元素を異にする２以上の薄膜半導体結晶層
から成る積層構造より構成される。輝度や発光効率など
の特性は基本的に、積層構造を構成する各層の膜厚に依
存するため、膜厚の制御性を確認することは重要であ
り、各薄膜結晶層の層厚測定が必要となる。一般には、
積層構造を構成する各層はμｍオーダーの層厚を有する
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜であって、へき開断面を
明瞭に判別するための処理が施されていない場合はノマ
ルスキー微分干渉顕微鏡等による従来の簡便な観測手段
では層界面が不明瞭なため、正確で且つ精密な層厚測定
は困難であった。そのため、層厚測定をノマルスキー微
分干渉顕微鏡等の簡便な観測手段により容易に行うに
は、積層されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層に特有の選
択性を有する適切なエッチャントによりへき開断面を明
瞭に判別可能とする処理が必要であった。
ば発光ダイオードや半導体レーザーなどの材料として、
ＺｎＳ, ＺｎＳｅ, ＣｄＳおよびそれらの固溶体をはじ
めとするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が注目されている。
このようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた発光素子
は通常、構成元素を異にする２以上の薄膜半導体結晶層
から成る積層構造より構成される。輝度や発光効率など
の特性は基本的に、積層構造を構成する各層の膜厚に依
存するため、膜厚の制御性を確認することは重要であ
り、各薄膜結晶層の層厚測定が必要となる。一般には、
積層構造を構成する各層はμｍオーダーの層厚を有する
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜であって、へき開断面を
明瞭に判別するための処理が施されていない場合はノマ
ルスキー微分干渉顕微鏡等による従来の簡便な観測手段
では層界面が不明瞭なため、正確で且つ精密な層厚測定
は困難であった。そのため、層厚測定をノマルスキー微
分干渉顕微鏡等の簡便な観測手段により容易に行うに
は、積層されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層に特有の選
択性を有する適切なエッチャントによりへき開断面を明
瞭に判別可能とする処理が必要であった。
【０００３】ここで、従来のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
結晶を対象にしたエッチャントを省みるに、ＺｎＳｅ単
結晶エッチング用の臭素とメタノール混合溶液（例えば
特公平５−９４００）が知られている。しかし、当該混
合溶液は結晶表面の鏡面加工を目的としたエッチャント
である。ＣｄＴｅの組成に近い薄膜結晶についてはフッ
化水素酸と過酸化水素水と水の混合溶液がある（特開平
４−３７０９４８）。また、ＨｇＴｅの組成に近い薄膜
結晶に対しては硝酸と塩酸と水と臭素と酢酸の混合溶液
（特開平４−３７０９４８）が公表されている。これら
の２混合溶液はいずれも転位の検出を目的とした混合溶
液である。従って、従来においてはＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体薄膜結晶の層厚測定を達成するために、基板と成
長層或いは成長層相互の界面を明瞭に判別することを目
的にした選択性を有するエッチャントは公表されていな
い。
結晶を対象にしたエッチャントを省みるに、ＺｎＳｅ単
結晶エッチング用の臭素とメタノール混合溶液（例えば
特公平５−９４００）が知られている。しかし、当該混
合溶液は結晶表面の鏡面加工を目的としたエッチャント
である。ＣｄＴｅの組成に近い薄膜結晶についてはフッ
化水素酸と過酸化水素水と水の混合溶液がある（特開平
４−３７０９４８）。また、ＨｇＴｅの組成に近い薄膜
結晶に対しては硝酸と塩酸と水と臭素と酢酸の混合溶液
（特開平４−３７０９４８）が公表されている。これら
の２混合溶液はいずれも転位の検出を目的とした混合溶
液である。従って、従来においてはＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体薄膜結晶の層厚測定を達成するために、基板と成
長層或いは成長層相互の界面を明瞭に判別することを目
的にした選択性を有するエッチャントは公表されていな
い。
【０００４】最近、青色発光素子材料として特に注目を
集めている系に、ＧａＡｓ半導体基板上に成長されたＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体薄膜結晶のうち、ＩＩ族がＺｎ
またはそれにＣｄが含まれる元素、ＶＩ族がＳｅまたは
それにＳが含まれる元素で構成される多層薄膜半導体結
晶がある（例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
Ｖｏｌ．６２，Ｎｏ．１７，２６ Ａｐｒｉｌ １９９
３）。このようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ヘテロ接合
系のヘテロ接合界面を明瞭に判別するのを可能とするエ
ッチャントは知られていない。このため、ヘテロ接合構
造を構成する各薄膜結晶層の層厚測定が充分に且つ正確
に実施できない問題点があった。
集めている系に、ＧａＡｓ半導体基板上に成長されたＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体薄膜結晶のうち、ＩＩ族がＺｎ
またはそれにＣｄが含まれる元素、ＶＩ族がＳｅまたは
それにＳが含まれる元素で構成される多層薄膜半導体結
晶がある（例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
Ｖｏｌ．６２，Ｎｏ．１７，２６ Ａｐｒｉｌ １９９
３）。このようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ヘテロ接合
系のヘテロ接合界面を明瞭に判別するのを可能とするエ
ッチャントは知られていない。このため、ヘテロ接合構
造を構成する各薄膜結晶層の層厚測定が充分に且つ正確
に実施できない問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体結晶のエッチャントとして従来より公表されている
ものは鏡面エッチング、並びに転位評価を目的としてい
る。一方、層構造を有する半導体薄膜結晶の層厚評価を
目的としたものは公表されていない。例えば、第ＩＩ族
の主成分がＺｎより成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜
結晶のヘテロ接合構造において、特に、ヘテロ接合を構
成する各層の膜厚測定を目的としたＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体用エッチャントは公表されていない。輝度や発光
効率などの特性は基本的に、積層構造を構成する各層の
膜厚に依存するため、正確な膜厚の把握は重要である。
本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、第ＩＩ族の主成分がＺｎより成るＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体の選択的な食刻をもたらし接合界面を明瞭と
し、もって層厚測定を可能にするＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体用エッチャントを提供することにある。
導体結晶のエッチャントとして従来より公表されている
ものは鏡面エッチング、並びに転位評価を目的としてい
る。一方、層構造を有する半導体薄膜結晶の層厚評価を
目的としたものは公表されていない。例えば、第ＩＩ族
の主成分がＺｎより成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜
結晶のヘテロ接合構造において、特に、ヘテロ接合を構
成する各層の膜厚測定を目的としたＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体用エッチャントは公表されていない。輝度や発光
効率などの特性は基本的に、積層構造を構成する各層の
膜厚に依存するため、正確な膜厚の把握は重要である。
本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、第ＩＩ族の主成分がＺｎより成るＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体の選択的な食刻をもたらし接合界面を明瞭と
し、もって層厚測定を可能にするＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体用エッチャントを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるエッチャン
トは、フッ化水素酸と過酸化水素と水とを、モル比にし
て（４．５〜０．４）：１：（２５〜１６５）で混合さ
せるものである。このエッチャントは、４６重量％のフ
ッ化水素酸水と、３５重量％の過酸化水素水と、水と
を、体積比にして概ね（０．５〜５）：１：（５〜３
０）で混合することによって得られる。特に、フッ化水
素酸の過酸化水素に対するモル比が４．５を超えると各
層の構成元素の違いによる選択性が失われると共にエッ
チング面全体が荒れるため、上記範囲外では必ずしも充
分な効果は得られない。被食刻層の表面状態を損なわず
に選択的なエッチングを実施できる温度は概ね１０〜２
５℃であり、特に１５℃が好ましい。
トは、フッ化水素酸と過酸化水素と水とを、モル比にし
て（４．５〜０．４）：１：（２５〜１６５）で混合さ
せるものである。このエッチャントは、４６重量％のフ
ッ化水素酸水と、３５重量％の過酸化水素水と、水と
を、体積比にして概ね（０．５〜５）：１：（５〜３
０）で混合することによって得られる。特に、フッ化水
素酸の過酸化水素に対するモル比が４．５を超えると各
層の構成元素の違いによる選択性が失われると共にエッ
チング面全体が荒れるため、上記範囲外では必ずしも充
分な効果は得られない。被食刻層の表面状態を損なわず
に選択的なエッチングを実施できる温度は概ね１０〜２
５℃であり、特に１５℃が好ましい。
【０００７】本発明に係わる上記のフツ化水素酸と過酸
化水素と水とを、上記の範囲内で混合させてなる混合溶
液は、次項に例示する第ＩＩ族の主成分がＺｎより成る
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を選択的に食刻し、積層構造
の接合界面を明確にさせることができる。例えば、化合
物半導体基板上に作製された２層以上のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体薄膜結晶のうち、ＩＩ族がＺｎまたはそれに
Ｃｄが含まれる元素、ＶＩ族がＳｅまたはそれにＳが含
まれる元素で構成され、各層がμｍオ−ダ−の層厚を有
する薄膜半導体結晶のへき開断面を、上記のエッチャン
トにより室温で撹拌しながら数分間エッチングを行うこ
とで、ノマルスキー微分干渉顕微鏡にて各層の界面が明
確になり、各層の膜厚測定が容易に可能となる。
化水素と水とを、上記の範囲内で混合させてなる混合溶
液は、次項に例示する第ＩＩ族の主成分がＺｎより成る
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を選択的に食刻し、積層構造
の接合界面を明確にさせることができる。例えば、化合
物半導体基板上に作製された２層以上のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体薄膜結晶のうち、ＩＩ族がＺｎまたはそれに
Ｃｄが含まれる元素、ＶＩ族がＳｅまたはそれにＳが含
まれる元素で構成され、各層がμｍオ−ダ−の層厚を有
する薄膜半導体結晶のへき開断面を、上記のエッチャン
トにより室温で撹拌しながら数分間エッチングを行うこ
とで、ノマルスキー微分干渉顕微鏡にて各層の界面が明
確になり、各層の膜厚測定が容易に可能となる。
【０００８】例えば、第ＩＩ族の主成分がＺｎより成る
ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＴｅ、Ｚ
ｎＣｄＳＳｅ、ＺｎＣｄＳＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体より構成される積層構造で有効である。
ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＴｅ、Ｚ
ｎＣｄＳＳｅ、ＺｎＣｄＳＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体より構成される積層構造で有効である。
【０００９】上記に例示した第ＩＩ族の主成分がＺｎよ
り成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体において、第ＶＩ族元
素である、例えばＳとＳｅの構成比率に限定はない。
り成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体において、第ＶＩ族元
素である、例えばＳとＳｅの構成比率に限定はない。
【００１０】また、上記に例示した第ＩＩ族の主成分が
Ｚｎより成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜層へのドー
ピングの有無に拘らず、本発明の効果が発揮される。
Ｚｎより成るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜層へのドー
ピングの有無に拘らず、本発明の効果が発揮される。
【００１１】
【作用】第ＩＩ族の主成分がＺｎより成るＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体を選択的に食刻する作用を有する。
化合物半導体を選択的に食刻する作用を有する。
【００１２】
（実施例１）以下、本発明の実施例の第１例を示す。本
実施例では減圧ＭＯＣＶＤ法にて、ＧａＡｓ半導体基板
上にＺｎＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅ層の計２層を成長した場
合を示す。ＧａＡｓ基板はアンドープで面方位（１０
０）のものを使用し、その上に積層した２層にもドーピ
ングは行っていない。エッチング前のへき開断面のノマ
ルスキー微分干渉顕微鏡による断面観察結果では、Ｚｎ
ＳＳｅ層とＣｄＺｎＳｅ層の界面は不明瞭であり、各層
の膜厚測定は不可能である。なお、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体エピタキシャル層の層膜厚は５．５μｍであっ
た。
実施例では減圧ＭＯＣＶＤ法にて、ＧａＡｓ半導体基板
上にＺｎＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅ層の計２層を成長した場
合を示す。ＧａＡｓ基板はアンドープで面方位（１０
０）のものを使用し、その上に積層した２層にもドーピ
ングは行っていない。エッチング前のへき開断面のノマ
ルスキー微分干渉顕微鏡による断面観察結果では、Ｚｎ
ＳＳｅ層とＣｄＺｎＳｅ層の界面は不明瞭であり、各層
の膜厚測定は不可能である。なお、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体エピタキシャル層の層膜厚は５．５μｍであっ
た。
【００１３】上記の単純なへき開では接合界面が不明瞭
であった結晶について本発明に係るＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体用エッチャントによりエッチングを実施した。フ
ッ化水素酸と過酸化水素と水とを、モル比１．２９：
１：１２７で混合したエッチャントを用いて室温で約３
分間エッチングを行った。本エッチャントは４６重量％
のフッ化水素酸水と３５重量％の過酸化水素水と水と
を、体積比１．５：１：２５にて混合して調製した。そ
の結果、ノマルスキー微分干渉顕微鏡観察では、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層に接合界面が明瞭
に観測された。ちなみに、本試料においては、ＺｎＳＳ
ｅ層及びＣｄＺｎＳｅ層の各々の層厚は２．３μｍ及び
３．２μｍと判明し、０．１μｍ単位に膜厚が正確に求
められた。これより、各層の成長速度が判明し、成長速
度の適正化により各層の結晶性の向上が可能になった。
なお、エッチング後のエピタキシャル成長膜の表面は多
少荒れて白濁したものの、エピタキシャル成長膜の総膜
厚には変化は見られず、ともに５．５μｍであった。即
ち、本発明によるエッチャントでは、膜厚の変化、特に
当該エッチャントに対し露呈する最表面のＣｄＺｎＳｅ
に対し、何等のエッチング作用をもたらさずに選択的な
食刻により接合界面を明瞭にすることが可能であった。
また、ＧａＡｓ基板、ＺｎＳＳｅ層及びＣｄＺｎＳｅ層
はドーピング不純物の取り込みの有無に関わらず、エッ
チング後には界面が明確に観察できた。
であった結晶について本発明に係るＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体用エッチャントによりエッチングを実施した。フ
ッ化水素酸と過酸化水素と水とを、モル比１．２９：
１：１２７で混合したエッチャントを用いて室温で約３
分間エッチングを行った。本エッチャントは４６重量％
のフッ化水素酸水と３５重量％の過酸化水素水と水と
を、体積比１．５：１：２５にて混合して調製した。そ
の結果、ノマルスキー微分干渉顕微鏡観察では、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体エピタキシャル層に接合界面が明瞭
に観測された。ちなみに、本試料においては、ＺｎＳＳ
ｅ層及びＣｄＺｎＳｅ層の各々の層厚は２．３μｍ及び
３．２μｍと判明し、０．１μｍ単位に膜厚が正確に求
められた。これより、各層の成長速度が判明し、成長速
度の適正化により各層の結晶性の向上が可能になった。
なお、エッチング後のエピタキシャル成長膜の表面は多
少荒れて白濁したものの、エピタキシャル成長膜の総膜
厚には変化は見られず、ともに５．５μｍであった。即
ち、本発明によるエッチャントでは、膜厚の変化、特に
当該エッチャントに対し露呈する最表面のＣｄＺｎＳｅ
に対し、何等のエッチング作用をもたらさずに選択的な
食刻により接合界面を明瞭にすることが可能であった。
また、ＧａＡｓ基板、ＺｎＳＳｅ層及びＣｄＺｎＳｅ層
はドーピング不純物の取り込みの有無に関わらず、エッ
チング後には界面が明確に観察できた。
【００１４】（実施例２）以下、本発明の第２実施例を
示す。第１例と同様に減圧ＭＯＣＶＤ法にてＧａＡｓ半
導体基板上にＺｎＳＳｅ層の成長を行った。その後第２
層目にＺｎＳｅを成長した。ＧａＡｓ基板はアンドープ
で面方位（１００）のものを使用し、その上に積層した
２層にもドーピングは行っていない。Ｘ線ロッキングカ
−ブ測定によりＺｎＳＳｅ層の組成はＺｎＳ0.06Ｓｅ
0.94と２層で組成の違いは非常に小さく、ＺｎＳｅとの
格子不整合度も約０．２７％と小さい。ここで、格子不
整合度とは（ＺｎＳｅ層の格子定数−ＺｎＳＳｅ層の格
子定数）×１００／（ＺｎＳＳｅ層の格子定数）と定義
した。へき開後未処理のものについてノマルスキー微分
干渉顕微鏡により倍率１０００倍にて観察したが、Ｚｎ
ＳＳｅ層とＺｎＳｅ層の界面は見当たらず、各層の膜厚
測定は不可能であった。なお、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体エピタキシャル層の層膜厚は２．４μｍであった。
示す。第１例と同様に減圧ＭＯＣＶＤ法にてＧａＡｓ半
導体基板上にＺｎＳＳｅ層の成長を行った。その後第２
層目にＺｎＳｅを成長した。ＧａＡｓ基板はアンドープ
で面方位（１００）のものを使用し、その上に積層した
２層にもドーピングは行っていない。Ｘ線ロッキングカ
−ブ測定によりＺｎＳＳｅ層の組成はＺｎＳ0.06Ｓｅ
0.94と２層で組成の違いは非常に小さく、ＺｎＳｅとの
格子不整合度も約０．２７％と小さい。ここで、格子不
整合度とは（ＺｎＳｅ層の格子定数−ＺｎＳＳｅ層の格
子定数）×１００／（ＺｎＳＳｅ層の格子定数）と定義
した。へき開後未処理のものについてノマルスキー微分
干渉顕微鏡により倍率１０００倍にて観察したが、Ｚｎ
ＳＳｅ層とＺｎＳｅ層の界面は見当たらず、各層の膜厚
測定は不可能であった。なお、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体エピタキシャル層の層膜厚は２．４μｍであった。
【００１５】上記へき開後未処理の結晶について本発明
に係るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用エッチャントによる
エッチングを試みた。フッ化水素酸と過酸化水素と水と
を、モル比１．７１：１：１０５にて混合したエッチャ
ントを用いて室温で約１分間エッチングを行った。本エ
ッチャントは４６重量％のフッ化水素酸水と、３５重量
％の過酸化水素水と水とを、体積比２：１：２０にて混
合して調製した。その結果、ノマルスキー微分干渉顕微
鏡観察でエッチング前には単一層にしか見えなかったＧ
ａＡｓ半導体基板面上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピ
タキシャル層に界面が明瞭に現れ、ＺｎＳＳｅ層及びＺ
ｎＳｅ層の各々の層厚が１．８μｍ及び０．６μｍと判
明した。なお且つエッチング前後での総膜厚の変化は見
られなかった。即ち、本発明によるエッチャントでは、
膜厚の変化、特に当該エッチャントに対し露呈する最表
面のＺｎＳｅに対し、何等のエッチング作用をもたらさ
ずに選択的な食刻により接合界面を明瞭とすることが可
能であった。また、ＧａＡｓ基板、ＺｎＳＳｅ層及びＺ
ｎＳｅ層はドーピング不純物の取り込みの有無に関わら
ず、エッチング後には界面が明確に観察できた。
に係るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用エッチャントによる
エッチングを試みた。フッ化水素酸と過酸化水素と水と
を、モル比１．７１：１：１０５にて混合したエッチャ
ントを用いて室温で約１分間エッチングを行った。本エ
ッチャントは４６重量％のフッ化水素酸水と、３５重量
％の過酸化水素水と水とを、体積比２：１：２０にて混
合して調製した。その結果、ノマルスキー微分干渉顕微
鏡観察でエッチング前には単一層にしか見えなかったＧ
ａＡｓ半導体基板面上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピ
タキシャル層に界面が明瞭に現れ、ＺｎＳＳｅ層及びＺ
ｎＳｅ層の各々の層厚が１．８μｍ及び０．６μｍと判
明した。なお且つエッチング前後での総膜厚の変化は見
られなかった。即ち、本発明によるエッチャントでは、
膜厚の変化、特に当該エッチャントに対し露呈する最表
面のＺｎＳｅに対し、何等のエッチング作用をもたらさ
ずに選択的な食刻により接合界面を明瞭とすることが可
能であった。また、ＧａＡｓ基板、ＺｎＳＳｅ層及びＺ
ｎＳｅ層はドーピング不純物の取り込みの有無に関わら
ず、エッチング後には界面が明確に観察できた。
【００１６】
【発明の効果】第ＩＩ族の主成分がＺｎより成るＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体薄膜層の各層の膜厚測定を容易にす
る効果がある。
ＶＩ族化合物半導体薄膜層の各層の膜厚測定を容易にす
る効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】 フッ化水素酸と過酸化水素と水とのモル
比が、（４．５〜０．４）：１：（２５〜１６５）であ
ることを特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用エッチ
ャント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15631295A JPH098013A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体用エッチャント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15631295A JPH098013A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体用エッチャント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098013A true JPH098013A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15625054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15631295A Pending JPH098013A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体用エッチャント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3176194A4 (en) * | 2014-07-30 | 2018-03-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming resin thin film for hydrofluoric acid etching and resin thin film for hydrofluoric acid etching |
-
1995
- 1995-06-22 JP JP15631295A patent/JPH098013A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3176194A4 (en) * | 2014-07-30 | 2018-03-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming resin thin film for hydrofluoric acid etching and resin thin film for hydrofluoric acid etching |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3230638B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP3164016B2 (ja) | 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法 | |
| JP3813740B2 (ja) | 電子デバイス用基板 | |
| US6100104A (en) | Method for fabricating a plurality of semiconductor bodies | |
| EP0404565B1 (en) | Compound semiconductor device and method of surface treatment of such a device | |
| JP3289683B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US7903708B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof | |
| US6426264B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor laminated substrate, semiconductor crystal substrate and semiconductor device | |
| JPH04199752A (ja) | 化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
| US5198690A (en) | Electroluminescent device of II-IV compound semiconductor | |
| US8154018B2 (en) | Semiconductor device, its manufacture method and template substrate | |
| WO2009147976A1 (ja) | ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法 | |
| JP3262080B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH11274560A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| US20030104705A1 (en) | Method of forming ohmic electrode | |
| JPH10135140A (ja) | ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子 | |
| JP4651161B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP3463736B2 (ja) | 半導体発光素子、およびその発光強度の調整方法 | |
| JPH098013A (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体用エッチャント | |
| JP2002124702A (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子 | |
| JP2653901B2 (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JPH1135397A (ja) | ＧａＮ系結晶基板の製造方法 | |
| JPH088182A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3460181B2 (ja) | 垂直共振器型発光素子及びその製造方法 | |
| KR100586959B1 (ko) | 질화물 단결정 제조방법, 질화물 반도체 발광소자 및제조방법 |