JPH088182A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH088182A JPH088182A JP21480194A JP21480194A JPH088182A JP H088182 A JPH088182 A JP H088182A JP 21480194 A JP21480194 A JP 21480194A JP 21480194 A JP21480194 A JP 21480194A JP H088182 A JPH088182 A JP H088182A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 青色乃至紫外線領域の発光素子を得る。
【構成】 ｎ−ＳｉＣを基板１０として、ｎ型クラッド
層１２、ｐ型又はアンドープの活性層１４及びクラッド
層１６を成長させる。各層１２，１４，１６は、一般的
にＡｌ1-x-y-zＢxＧａyＩｎzＮと表現される窒化物半導
体の混晶からなる。ｘ，ｙ，ｚ値はそれぞれ０以上、１
以下である。基板１０と格子整合し且つ目的の発光波長
を得られるように、各層１２，１４，１６のｘ，ｙ，ｚ
値を調整する。
層１２、ｐ型又はアンドープの活性層１４及びクラッド
層１６を成長させる。各層１２，１４，１６は、一般的
にＡｌ1-x-y-zＢxＧａyＩｎzＮと表現される窒化物半導
体の混晶からなる。ｘ，ｙ，ｚ値はそれぞれ０以上、１
以下である。基板１０と格子整合し且つ目的の発光波長
を得られるように、各層１２，１４，１６のｘ，ｙ，ｚ
値を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、よ
り具体的には、青色領域及びこれより短い波長帯域で動
作する発光ダイオード、レーザ・ダイオード、光検出器
及び電子デバイス等の半導体装置に関する。
り具体的には、青色領域及びこれより短い波長帯域で動
作する発光ダイオード、レーザ・ダイオード、光検出器
及び電子デバイス等の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線領域及び近赤外線領域の半導体レ
ーザは、既に商品化されているが、昨今は、より波長の
短い発光装置、具体的には、青色乃至紫外線領域にわた
る短波長発光装置が望まれている。例えば、４５５ｎｍ
領域（青色）の発光ダイオードとして、ＺｎＳｅ系、Ｓ
ｉＣ系及びＧａＮ系が研究されている。ＧａＮ系材料を
使用した青色発光ダイオードでは、１Ｃｄの高輝度が実
現されている（日経エレクトロニクス、１９９４．２．
２８号、ｐｐ．９３〜１０２）。
ーザは、既に商品化されているが、昨今は、より波長の
短い発光装置、具体的には、青色乃至紫外線領域にわた
る短波長発光装置が望まれている。例えば、４５５ｎｍ
領域（青色）の発光ダイオードとして、ＺｎＳｅ系、Ｓ
ｉＣ系及びＧａＮ系が研究されている。ＧａＮ系材料を
使用した青色発光ダイオードでは、１Ｃｄの高輝度が実
現されている（日経エレクトロニクス、１９９４．２．
２８号、ｐｐ．９３〜１０２）。
【０００３】上記文献に記載されるＧａＮ系の青色発光
ダイオードでは、基板にサファイアを使用する。しか
し、サファイア基板は、そのままでは、ＧａＮと格子定
数が一致せず、格子整合をうまくとれない。例えば、成
長層でｃ軸が傾斜してしまうという問題点がある。そこ
で、上記文献では、サファイア基板に先ずバッファ層と
してＧａＮを低温で成長し、さらにその上に、単結晶Ｇ
ａＮを形成する２段階成長法を採用して、この問題を克
服している。
ダイオードでは、基板にサファイアを使用する。しか
し、サファイア基板は、そのままでは、ＧａＮと格子定
数が一致せず、格子整合をうまくとれない。例えば、成
長層でｃ軸が傾斜してしまうという問題点がある。そこ
で、上記文献では、サファイア基板に先ずバッファ層と
してＧａＮを低温で成長し、さらにその上に、単結晶Ｇ
ａＮを形成する２段階成長法を採用して、この問題を克
服している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、２段階成長法
では、ＧａＮバッファ層が必要な分、結晶成長に手間が
かかり、おのずと信頼性も低下する。また、ＧａＮのバ
ンドギャップは波長（λｇ）にして３６５．５ｎｍであ
り、上記文献に記載される青色発光ダイオードは、バン
ド端発光になっていない。即ち、不純物等の再結合中心
を介して４５５ｎｍ領域で発光するものであり、応用が
制限され、寿命などにも問題が残る。
では、ＧａＮバッファ層が必要な分、結晶成長に手間が
かかり、おのずと信頼性も低下する。また、ＧａＮのバ
ンドギャップは波長（λｇ）にして３６５．５ｎｍであ
り、上記文献に記載される青色発光ダイオードは、バン
ド端発光になっていない。即ち、不純物等の再結合中心
を介して４５５ｎｍ領域で発光するものであり、応用が
制限され、寿命などにも問題が残る。
【０００５】本発明は、このようなバッファ層を必要と
せずに、基板上に直接、必要な層を成長させることので
きる半導体装置を提示することを目的とする。
せずに、基板上に直接、必要な層を成長させることので
きる半導体装置を提示することを目的とする。
【０００６】青色より短い波長帯では、発光素子のみな
らず、受光素子も望まれており、本発明はまた、青色以
下の波長帯で発光する発光素子又は受光する受光素子と
なりうる半導体装置を提示することを目的とする。
らず、受光素子も望まれており、本発明はまた、青色以
下の波長帯で発光する発光素子又は受光する受光素子と
なりうる半導体装置を提示することを目的とする。
【０００７】更に、放射線被曝環境（例えば、通信衛星
内）でも動作するようなデバイス、具体的には、エネル
ギー・ギャップの広い半導体デバイスが望まれており、
本発明は、このような要望を満たす電子デバイス又は光
デバイスたりうる半導体装置を提示することも目的とす
る。
内）でも動作するようなデバイス、具体的には、エネル
ギー・ギャップの広い半導体デバイスが望まれており、
本発明は、このような要望を満たす電子デバイス又は光
デバイスたりうる半導体装置を提示することも目的とす
る。
【０００８】更に、高温度環境で大出力の得られる電子
デバイス又は光デバイスが望まれており、本発明は、こ
のような要望を満たす電子デバイス又は光デバイスたり
うる半導体装置を提示することも目的とする。
デバイス又は光デバイスが望まれており、本発明は、こ
のような要望を満たす電子デバイス又は光デバイスたり
うる半導体装置を提示することも目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、０．２５５
ｎｍから０．３１１ｎｍ又は０．３５ｎｍまでに入る格
子定数を具備する結晶を基板にして、その上に所望の半
導体材料を成長させる。勿論、成長する半導体材料は、
基板に格子整合するように、格子定数を選択又は調整す
る。成長する半導体材料は、ＢＮを含む２以上の窒化物
半導体の混晶からなるもの、具体的には、Ａｌ1-x-y-z
ＢxＧａyＩｎzＮが好ましい。基板は、具体的には、Ｓ
ｉＣ、ＢｅＯ、ＬｉＢ3Ｏ5又はＡｌＮである。
ｎｍから０．３１１ｎｍ又は０．３５ｎｍまでに入る格
子定数を具備する結晶を基板にして、その上に所望の半
導体材料を成長させる。勿論、成長する半導体材料は、
基板に格子整合するように、格子定数を選択又は調整す
る。成長する半導体材料は、ＢＮを含む２以上の窒化物
半導体の混晶からなるもの、具体的には、Ａｌ1-x-y-z
ＢxＧａyＩｎzＮが好ましい。基板は、具体的には、Ｓ
ｉＣ、ＢｅＯ、ＬｉＢ3Ｏ5又はＡｌＮである。
【００１０】本発明はまた、ＢＮを含む２以上の窒化物
半導体の混晶半導体を基板上に成長させる。
半導体の混晶半導体を基板上に成長させる。
【００１１】
【作用】上述のような格子定数を具備する結晶材料を基
板とすることにより、バンドギャップの広い半導体材料
を結晶成長させることができる。特に、ＢＮを含む２以
上の窒化物半導体からなる混晶半導体を用いることによ
り、完全な格子整合を得ることができる。これにより、
青色乃至紫外領域で発光又は受光する発光素子又は受光
素子を提供できる。窒化物半導体の混晶半導体はバンド
ギャップが大きいので、耐放射線性が高まる。窒化物は
本質的に硬いことから、より高い温度でも動作可能にな
り、更には、より大きな出力のデバイスも実現できる。
板とすることにより、バンドギャップの広い半導体材料
を結晶成長させることができる。特に、ＢＮを含む２以
上の窒化物半導体からなる混晶半導体を用いることによ
り、完全な格子整合を得ることができる。これにより、
青色乃至紫外領域で発光又は受光する発光素子又は受光
素子を提供できる。窒化物半導体の混晶半導体はバンド
ギャップが大きいので、耐放射線性が高まる。窒化物は
本質的に硬いことから、より高い温度でも動作可能にな
り、更には、より大きな出力のデバイスも実現できる。
【００１２】ＢＮを含む２以上の窒化物半導体からなる
混晶半導体を用いることにより、従来使用されなかった
結晶を基板として利用できるようになり、上記目的を達
成する半導体装置を提供できる。
混晶半導体を用いることにより、従来使用されなかった
結晶を基板として利用できるようになり、上記目的を達
成する半導体装置を提供できる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１４】図１は、発光ダイオード又は半導体レーザ
たりうる本発明の実施例の基本断面構造を示す。本実施
例では、サファイア基板の代わりにＳｉＣを使用する。
図１では、ｎ−ＳｉＣ基板１０の上に、ｎ型のクラッド
層１２、ｐ型又はアンドープの活性層１４及びｐ型のク
ラッド層１６を、ＬＰＥ（液晶エピタキシャル成長）
法、ＭＢＥ（分子ビーム・エピタキシャル成長）法又は
ＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシャル成長）法で順
次成長させる。
たりうる本発明の実施例の基本断面構造を示す。本実施
例では、サファイア基板の代わりにＳｉＣを使用する。
図１では、ｎ−ＳｉＣ基板１０の上に、ｎ型のクラッド
層１２、ｐ型又はアンドープの活性層１４及びｐ型のク
ラッド層１６を、ＬＰＥ（液晶エピタキシャル成長）
法、ＭＢＥ（分子ビーム・エピタキシャル成長）法又は
ＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシャル成長）法で順
次成長させる。
【００１５】基板１０の下とクラッド層１６の上にそれ
ぞれ電極１８，２０を蒸着し、所定の温度でアニールし
てオーミック電極を形成する。電極１８，２０間に電流
を注入することにより、周知の通り活性層１４が発光す
る。活性層１４に所定波長の光が入力すれば、光の強さ
に応じた電流が発生し、受光素子として機能する。これ
らの点は、赤外線領域の従来の発光素子及び受光素子と
全く同じである。本実施例はまた、赤外線領域の光半導
体デバイスと同様に、光アンプ又は光スイッチとして機
能させることができることは明らかである。
ぞれ電極１８，２０を蒸着し、所定の温度でアニールし
てオーミック電極を形成する。電極１８，２０間に電流
を注入することにより、周知の通り活性層１４が発光す
る。活性層１４に所定波長の光が入力すれば、光の強さ
に応じた電流が発生し、受光素子として機能する。これ
らの点は、赤外線領域の従来の発光素子及び受光素子と
全く同じである。本実施例はまた、赤外線領域の光半導
体デバイスと同様に、光アンプ又は光スイッチとして機
能させることができることは明らかである。
【００１６】クラッド層１２、活性層１４及びクラッド
層１６は一般的にはＡｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ及びＩｎＮの
窒化物半導体又は化合物半導体の混晶からなり、それら
の組成は、格子定数が基板１０に合致すると共に、それ
ぞれのバンドギャップが所望値になるように選択され
る。
層１６は一般的にはＡｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ及びＩｎＮの
窒化物半導体又は化合物半導体の混晶からなり、それら
の組成は、格子定数が基板１０に合致すると共に、それ
ぞれのバンドギャップが所望値になるように選択され
る。
【００１７】図２は、ＡｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ及びＩｎＮ
のバンドギャップと格子定数の関係を示す。ＡｌＮ、Ｂ
Ｎ及びＩｎＮで決定される三角形内で、バンドギャップ
と格子定数を相互に独立に選択できる。ＳｉＣの格子定
数は６Ｈのもので、３．０８２Ａ（オングストローム）
であり、ＡｌＮ、ＢＮ及びＩｎＮで決定される三角形内
に完全に入る。具体的には、ＢＮ及びＩｎＮを要素とす
る混晶半導体、ＡｌＮ及びＢＮを要素とする混晶半導
体、ＡｌＮ、ＢＮ及びＧａＮを要素とする混晶半導体、
ＡｌＮ、ＢＮ及びＩｎＮを要素とする混晶半導体、並び
に、ＡｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ及びＩｎＮを要素とする混晶
半導体は、ＳｉＣと格子定数を完全に一致させることが
できる。
のバンドギャップと格子定数の関係を示す。ＡｌＮ、Ｂ
Ｎ及びＩｎＮで決定される三角形内で、バンドギャップ
と格子定数を相互に独立に選択できる。ＳｉＣの格子定
数は６Ｈのもので、３．０８２Ａ（オングストローム）
であり、ＡｌＮ、ＢＮ及びＩｎＮで決定される三角形内
に完全に入る。具体的には、ＢＮ及びＩｎＮを要素とす
る混晶半導体、ＡｌＮ及びＢＮを要素とする混晶半導
体、ＡｌＮ、ＢＮ及びＧａＮを要素とする混晶半導体、
ＡｌＮ、ＢＮ及びＩｎＮを要素とする混晶半導体、並び
に、ＡｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ及びＩｎＮを要素とする混晶
半導体は、ＳｉＣと格子定数を完全に一致させることが
できる。
【００１８】従来、窒素化合物半導体としては、Ｇａ
Ｎ、ＡｌＮ及びＩｎＮが注目されており、これらの組み
合わせによる（ＡｌＧａＩｎ）Ｎなる混晶半導体が研究
されてきた。今回、本出願の発明者らは、従来全く注目
されなかったＢＮ（窒化ボロン）に注目し、そのエネル
ギー・ギャップを光吸収法により測定した。その結果が
図２に示されている。この測定結果から、発明者らは、
新たにＢＮを加えた窒素化合物半導体の混晶を提案する
ものである。
Ｎ、ＡｌＮ及びＩｎＮが注目されており、これらの組み
合わせによる（ＡｌＧａＩｎ）Ｎなる混晶半導体が研究
されてきた。今回、本出願の発明者らは、従来全く注目
されなかったＢＮ（窒化ボロン）に注目し、そのエネル
ギー・ギャップを光吸収法により測定した。その結果が
図２に示されている。この測定結果から、発明者らは、
新たにＢＮを加えた窒素化合物半導体の混晶を提案する
ものである。
【００１９】ＢＮを加えることにより、格子定数の選択
範囲とバンドギャップの選択範囲が大きく広がり、格子
定数がＢＮとＩｎＮとの間にある結晶としては、例え
ば、ＳｉＣ、ＢｅＯ（ベリリア）、ＬｉＢ3Ｏ5及びＡｌ
Ｎがある。ＢｅＯ（ベリリア）の格子定数は２．６９８
Ａであり、ＬｉＢ3Ｏ5の格子定数はＳｉＣとＢｅＯの間
に位置する。図２から分かるように、ＳｉＣは、最も広
い範囲でエネルギー・バンドを選択できる。ＡｌＮは、
最近の報告で、基板として利用できる程の結晶を入手で
きる見通しがついている。
範囲とバンドギャップの選択範囲が大きく広がり、格子
定数がＢＮとＩｎＮとの間にある結晶としては、例え
ば、ＳｉＣ、ＢｅＯ（ベリリア）、ＬｉＢ3Ｏ5及びＡｌ
Ｎがある。ＢｅＯ（ベリリア）の格子定数は２．６９８
Ａであり、ＬｉＢ3Ｏ5の格子定数はＳｉＣとＢｅＯの間
に位置する。図２から分かるように、ＳｉＣは、最も広
い範囲でエネルギー・バンドを選択できる。ＡｌＮは、
最近の報告で、基板として利用できる程の結晶を入手で
きる見通しがついている。
【００２０】クラッド層１２、活性層１４及びクラッド
層１６の各組成は一般的には、Ａｌ1-x-y-zＢxＧａyＩ
ｎzＮと表記される。ｘ，ｙ，ｚ値は、０以上で１以下
である。勿論、クラッド層１２、活性層１４及びクラッ
ド層１６の各ｘ，ｙ，ｚ値は、特異的に一致することは
あっても、一般的には異なるのが普通である。
層１６の各組成は一般的には、Ａｌ1-x-y-zＢxＧａyＩ
ｎzＮと表記される。ｘ，ｙ，ｚ値は、０以上で１以下
である。勿論、クラッド層１２、活性層１４及びクラッ
ド層１６の各ｘ，ｙ，ｚ値は、特異的に一致することは
あっても、一般的には異なるのが普通である。
【００２１】例えば、クラッド層１２，１６は、Ａｌ
1-xＢxＮ、Ａｌ1-x-yＢxＧａyＮ、又はＡｌ1-x-zＢxＩ
ｎzＮであってもよい。勿論、活性層１４としても、Ａ
ｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ及びＩｎＮの全てを含まなければい
けないわけではなく、１又は２の窒化物（例えば、Ａｌ
Ｎ又はＩｎＮ等）を除いてもよい。
1-xＢxＮ、Ａｌ1-x-yＢxＧａyＮ、又はＡｌ1-x-zＢxＩ
ｎzＮであってもよい。勿論、活性層１４としても、Ａ
ｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ及びＩｎＮの全てを含まなければい
けないわけではなく、１又は２の窒化物（例えば、Ａｌ
Ｎ又はＩｎＮ等）を除いてもよい。
【００２２】基板１０、クラッド層１２，１６及び活性
層１４を構成する材料が極めて硬いので、より高い温度
で、より大きな出力を得ることも可能になる。即ち、高
温大出力動作が可能になる。例えば、紫外領域のレーザ
装置としたときでも、寿命等に関して高い信頼性を期待
できる。
層１４を構成する材料が極めて硬いので、より高い温度
で、より大きな出力を得ることも可能になる。即ち、高
温大出力動作が可能になる。例えば、紫外領域のレーザ
装置としたときでも、寿命等に関して高い信頼性を期待
できる。
【００２３】図２から分かるように、発光素子として見
た場合、発光波長を４５５ｎｍ（青色領域）から２０４
ｎｍ（紫外領域）までの中の任意の波長に設定できる。
受光素子として見た場合に、同様の波長範囲の受光特性
を期待できることは明らかである。
た場合、発光波長を４５５ｎｍ（青色領域）から２０４
ｎｍ（紫外領域）までの中の任意の波長に設定できる。
受光素子として見た場合に、同様の波長範囲の受光特性
を期待できることは明らかである。
【００２４】クラッド層１２の組成は、ＳｉＣ基板１０
とほぼ完全に格子整合するものを選択できるので、格子
欠陥のほとんど存在しないクラッド層１２を得ることが
できる。格子欠陥の無い又は非常に少ないクラッド層１
２が得られるので、その上に成長する活性層１４及びク
ラッド層１６も、格子整合のとれた良好な結晶となり易
くなる。
とほぼ完全に格子整合するものを選択できるので、格子
欠陥のほとんど存在しないクラッド層１２を得ることが
できる。格子欠陥の無い又は非常に少ないクラッド層１
２が得られるので、その上に成長する活性層１４及びク
ラッド層１６も、格子整合のとれた良好な結晶となり易
くなる。
【００２５】基板１０としてＳｉＣを例示したが、格子
定数が２．５Ａ乃至３．５Ａの六方晶系であれば、クラ
ッド層１２，１６及び活性層１４を構成する混晶半導体
と格子定数を一致させることが可能になるので、基板１
０として使用できる。
定数が２．５Ａ乃至３．５Ａの六方晶系であれば、クラ
ッド層１２，１６及び活性層１４を構成する混晶半導体
と格子定数を一致させることが可能になるので、基板１
０として使用できる。
【００２６】赤外線領域の半導体レーザの研究によれ
ば、クラッド層１２，１６と活性層１４との間に僅かな
応力（引張り応力又は圧縮応力）を作用させた方が好ま
しいとする報告がある。本実施例では、クラッド層１
２、活性層１４及びクラッド層１６の格子定数を互いに
独立に調整できるので、基板１０、クラッド層１２、活
性層１４及びクラッド１６の間で、意図的に僅かに格子
定数をずらすことは容易である。また、成長膜の厚み方
向で格子定数をずらすことも容易である。そこで、例え
ば、各層１２，１４，１６を薄くすると共に格子定数を
大きく又は小さくすることにより、歪みを有する超格子
構造とする。これにより、特性を更に改善することがで
きる。
ば、クラッド層１２，１６と活性層１４との間に僅かな
応力（引張り応力又は圧縮応力）を作用させた方が好ま
しいとする報告がある。本実施例では、クラッド層１
２、活性層１４及びクラッド層１６の格子定数を互いに
独立に調整できるので、基板１０、クラッド層１２、活
性層１４及びクラッド１６の間で、意図的に僅かに格子
定数をずらすことは容易である。また、成長膜の厚み方
向で格子定数をずらすことも容易である。そこで、例え
ば、各層１２，１４，１６を薄くすると共に格子定数を
大きく又は小さくすることにより、歪みを有する超格子
構造とする。これにより、特性を更に改善することがで
きる。
【００２７】本実施例は、バンドギャップが大きくなる
ので、例えば、放射線に対する耐性が高いと考えられ
る。即ち、本発明により、耐放射線の電子デバイス（ト
ランジスタ及びスイッチング素子など）又は光デバイス
（発光素子や受光素子の他に、光スイッチ及び光アンプ
等）を提供できる。
ので、例えば、放射線に対する耐性が高いと考えられ
る。即ち、本発明により、耐放射線の電子デバイス（ト
ランジスタ及びスイッチング素子など）又は光デバイス
（発光素子や受光素子の他に、光スイッチ及び光アンプ
等）を提供できる。
【００２８】ｎ型基板を使用する実施例を説明したが、
ｐ型基板でもよいことは明らかである。ｐ型基板の場
合、クラッド層１２をｐ型に、活性層１４をｐ型又はア
ンドープに、クラッド層１６をｎ型にすればよい。
ｐ型基板でもよいことは明らかである。ｐ型基板の場
合、クラッド層１２をｐ型に、活性層１４をｐ型又はア
ンドープに、クラッド層１６をｎ型にすればよい。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から容易に理解できるよう
に、本発明によれば、バッファ層を設ける必要なしに、
完全に格子整合のとれた半導体装置を形成することがで
き、これまでの赤外線領域の半導体レーザで実現されて
いるバンド端発光を、青色乃至紫外領域で一気に実現で
きるようになる。これにより、窒素系半導体の応用範囲
が広がる。
に、本発明によれば、バッファ層を設ける必要なしに、
完全に格子整合のとれた半導体装置を形成することがで
き、これまでの赤外線領域の半導体レーザで実現されて
いるバンド端発光を、青色乃至紫外領域で一気に実現で
きるようになる。これにより、窒素系半導体の応用範囲
が広がる。
【００３０】また、本発明によれば、青色乃至紫外領域
で発光又は受光する発光素子又は受光素子となる半導体
装置を提供できる。
で発光又は受光する発光素子又は受光素子となる半導体
装置を提供できる。
【００３１】使用材料の観点からは、放射線被曝環境又
は高温環境でも動作するような電子デバイス又は光デバ
イスを提供でき、更には、大出力の電子デバイス又は光
デバイスを提供できる。
は高温環境でも動作するような電子デバイス又は光デバ
イスを提供でき、更には、大出力の電子デバイス又は光
デバイスを提供できる。
【図１】 本発明の一実施例の断面構造図である。
【図２】 バンドギャップと格子定数の関係を示す図で
ある。
ある。
１０：基板 １２：クラッド層 １４：活性層 １６：クラッド層 １８，２０：電極
Claims (21)
- 【請求項１】 基板上に所望の半導体材料を成長させて
なる半導体装置であって、当該基板が、０．２５５ｎｍ
から０．３１１ｎｍまでに入る格子定数を具備する結晶
からなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記基板が、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＬｉＢ3
Ｏ5及びＡｌＮの何れかである請求項１に記載の半導体
装置。 - 【請求項３】 上記基板上に成長させる半導体材料が、
ＢＮを含む２以上の窒化物半導体の混晶からなる請求項
１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 上記基板上に成長させる半導体材料の少
なくとも一部が、Ａｌ1-x-y-zＢxＧａyＩｎzＮからなる
請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 光デバイスである請求項１乃至４の何れ
か１項に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 発光素子である請求項５に記載の半導体
装置。 - 【請求項７】 受光素子である請求項５に記載の半導体
装置。 - 【請求項８】 電子デバイスである請求項１乃至４の何
れか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項９】 基板上に、第１のクラッド層、活性層及
び第２のクラッド層を順次、成長させてなる半導体装置
であって、当該基板が、０．２５５ｎｍから０．３５ｎ
ｍまでに入る格子定数を具備する結晶からなり、当該第
１のクラッド層、当該活性層及び当該第２のクラッド層
がそれぞれ、ＢＮを含む２以上の窒化物半導体の混晶か
らなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】 上記窒化物半導体は、ＡｌＮ、ＢＮ、
ＧａＮ又はＩｎＮである請求項９に記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 第１のクラッド層、活性層及び第２の
クラッド層がそれぞれ、Ａｌ1-x-y-zＢxＧａyＩｎzＮか
らなる請求項１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 発光素子である請求項９乃至１１の何
れか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 受光素子である請求項９乃至１１の何
れか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項１４】 基板上に所望の半導体材料を成長させ
てなる半導体装置であって、当該基板に成長させる半導
体材料が、ＢＮを含む２以上の窒化物半導体の混晶から
なることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１５】 上記基板が、ＢＮの格子定数からＩｎ
Ｎの格子定数までに入る格子定数を具備する結晶からな
る請求項１４に記載の半導体装置。 - 【請求項１６】 上記基板が、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＬｉＢ
3Ｏ5及びＡｌＮの何れかである請求項１５に記載の半導
体装置。 - 【請求項１７】 上記基板上に成長させる半導体材料の
少なくとも一部が、Ａｌ1-x-y-zＢxＧａyＩｎzＮからな
る請求項１４乃至１６の何れか１項に記載の半導体装
置。 - 【請求項１８】 光デバイスである請求項１４乃至１７
の何れか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項１９】 発光素子である請求項１８に記載の半
導体装置。 - 【請求項２０】 受光素子である請求項１８に記載の半
導体装置。 - 【請求項２１】 電子デバイスである請求項１４乃至１
７の何れか１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21480194A JPH088182A (ja) | 1994-04-22 | 1994-09-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-84391 | 1994-04-22 | ||
| JP8439194 | 1994-04-22 | ||
| JP21480194A JPH088182A (ja) | 1994-04-22 | 1994-09-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088182A true JPH088182A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=26425437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21480194A Pending JPH088182A (ja) | 1994-04-22 | 1994-09-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088182A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005210084A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-08-04 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル基板、半導体積層構造、転位低減方法およびエピタキシャル形成用基板 |
| JP2009027022A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| WO2014059733A1 (zh) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 清华大学 | 具有氧化铍的半导体结构 |
| WO2014087799A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 株式会社村田製作所 | 圧電部材、弾性波装置及び圧電部材の製造方法 |
| US8940624B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-01-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Method for producing P-type nitride semiconductor layer |
| US9705287B2 (en) | 2013-02-14 | 2017-07-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP21480194A patent/JPH088182A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005210084A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-08-04 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル基板、半導体積層構造、転位低減方法およびエピタキシャル形成用基板 |
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| WO2014087799A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 株式会社村田製作所 | 圧電部材、弾性波装置及び圧電部材の製造方法 |
| US9831416B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric member that achieves high sound speed, acoustic wave apparatus, and piezoelectric member manufacturing method |
| US9705287B2 (en) | 2013-02-14 | 2017-07-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050905 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051220 |