JPH0974231A - 超伝導三端子素子 - Google Patents
超伝導三端子素子Info
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- JPH0974231A JPH0974231A JP7230306A JP23030695A JPH0974231A JP H0974231 A JPH0974231 A JP H0974231A JP 7230306 A JP7230306 A JP 7230306A JP 23030695 A JP23030695 A JP 23030695A JP H0974231 A JPH0974231 A JP H0974231A
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- superconductor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/128—Junction-based devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高温超伝導体を用いて、非平衡超伝導効果を利
用した増幅機能を有する超伝導三端子素子を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】層状結晶構造を有し、かつその層状構造が
トンネル型ジョセフソン接合として作用する超伝導体か
らなる第１の超伝導層１と、第１の超伝導層１の一方の
面に接合され、第１の端子５を持つ第２の超伝導層２
と、第１の超伝導層１の他方の面に、二つに分離されて
接合され、それぞれに第２、第３の端子６、７を持つ第
３の超伝導層３、４とを設ける。さらに、第１の超伝導
層１はＢi系２２０１超伝導体の他に、各種Ｂi系、Ｔl
系その他の超伝導体、あるいはその組合せから構成され
る。
用した増幅機能を有する超伝導三端子素子を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】層状結晶構造を有し、かつその層状構造が
トンネル型ジョセフソン接合として作用する超伝導体か
らなる第１の超伝導層１と、第１の超伝導層１の一方の
面に接合され、第１の端子５を持つ第２の超伝導層２
と、第１の超伝導層１の他方の面に、二つに分離されて
接合され、それぞれに第２、第３の端子６、７を持つ第
３の超伝導層３、４とを設ける。さらに、第１の超伝導
層１はＢi系２２０１超伝導体の他に、各種Ｂi系、Ｔl
系その他の超伝導体、あるいはその組合せから構成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超伝導電子計算機
あるいは超伝導デジタル回路または超伝導量子デバイス
等超伝導回路に使用される超伝導三端子素子に関するも
のである。
あるいは超伝導デジタル回路または超伝導量子デバイス
等超伝導回路に使用される超伝導三端子素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】超伝導体を用いた電気回路素子には、代
表的なものとしてジョセフソン素子があるが、増幅機能
を有するものはほとんどない。ジョセフソン素子も増幅
機能がないために、超伝導体で増幅回路を構成すること
が困難であり、デジタル回路を構成する際に設計マージ
ンが少なくなり、回路を構成する素子特性に厳しい条件
が付けらる。その為に超伝導電子計算機の構成などが困
難となる大きな欠点がある。このような欠点を克服する
ために、従来の超伝導三端子素子においては、米国特許
第４,３３４,１５８号明細書に示されるように、非平衡
超伝導効果を利用した素子が考えられた（アイ・イー・
イー・イー・トランザクション オン マグネティクス
（S.M.Faris,IEEE Transaction on Magnetics,Vol.MAG-
19,No.31983))。この素子はクイテロンと呼ばれてい
る。上記クイテロンは、３層の超伝導体がジョセフソン
接合で結合されており、中間の超伝導層が薄く設計され
ている。上記中間超伝導層に外層の超伝導層から準粒子
を注入させることにより、上記中間超伝導層の超伝導エ
ネルギーギャップを減少させ、それにより出力電流と電
圧を変化させる。上記のエス・エム・ファリス（S.M.Fa
ris）氏の報告によれば、電力利得が約２、電流利得は
約８に達し、半導体と同じノンラッチ、インバーティン
グ論理動作を示し、スイッチ速度は５０pｓ程度にな
る。さらに、原理上寸法の制約がないため、高集積化が
可能であるという利点を有している。
表的なものとしてジョセフソン素子があるが、増幅機能
を有するものはほとんどない。ジョセフソン素子も増幅
機能がないために、超伝導体で増幅回路を構成すること
が困難であり、デジタル回路を構成する際に設計マージ
ンが少なくなり、回路を構成する素子特性に厳しい条件
が付けらる。その為に超伝導電子計算機の構成などが困
難となる大きな欠点がある。このような欠点を克服する
ために、従来の超伝導三端子素子においては、米国特許
第４,３３４,１５８号明細書に示されるように、非平衡
超伝導効果を利用した素子が考えられた（アイ・イー・
イー・イー・トランザクション オン マグネティクス
（S.M.Faris,IEEE Transaction on Magnetics,Vol.MAG-
19,No.31983))。この素子はクイテロンと呼ばれてい
る。上記クイテロンは、３層の超伝導体がジョセフソン
接合で結合されており、中間の超伝導層が薄く設計され
ている。上記中間超伝導層に外層の超伝導層から準粒子
を注入させることにより、上記中間超伝導層の超伝導エ
ネルギーギャップを減少させ、それにより出力電流と電
圧を変化させる。上記のエス・エム・ファリス（S.M.Fa
ris）氏の報告によれば、電力利得が約２、電流利得は
約８に達し、半導体と同じノンラッチ、インバーティン
グ論理動作を示し、スイッチ速度は５０pｓ程度にな
る。さらに、原理上寸法の制約がないため、高集積化が
可能であるという利点を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の超伝導三端子素子においては、利得をあげようとす
るためには、準粒子の注入をより効果的にする必要があ
る。上記クイテロンでは、上記中間超伝導層に３０nｍ
のＮbを用いており、利得をあげようとすれば、さらに
薄くする必要があるが、製造上の制約と信頼性などの問
題から１０nｍ以下にするのは非常に難しいという問題
点がある。
来の超伝導三端子素子においては、利得をあげようとす
るためには、準粒子の注入をより効果的にする必要があ
る。上記クイテロンでは、上記中間超伝導層に３０nｍ
のＮbを用いており、利得をあげようとすれば、さらに
薄くする必要があるが、製造上の制約と信頼性などの問
題から１０nｍ以下にするのは非常に難しいという問題
点がある。
【０００４】さらにまた、上記クイテロンは金属の低温
超伝導体で構成されおり、高温超伝導体での動作が望ま
しいところである。しかし、上記の文献で発表された構
成のクイテロンを高温超伝導体で製造することは非常に
困難と考えられる。増幅機能を有する従来の超伝導素子
には以上のような問題点があった。
超伝導体で構成されおり、高温超伝導体での動作が望ま
しいところである。しかし、上記の文献で発表された構
成のクイテロンを高温超伝導体で製造することは非常に
困難と考えられる。増幅機能を有する従来の超伝導素子
には以上のような問題点があった。
【０００５】非平衡超伝導効果を効率的に起こすために
は、少ない電流で準粒子を多数注入することが必要であ
る。その時超伝導エネルギーギャップΔは１-２δnqpに
比例する。δnqpは規格化された過剰準粒子濃度で次の
式で表される。
は、少ない電流で準粒子を多数注入することが必要であ
る。その時超伝導エネルギーギャップΔは１-２δnqpに
比例する。δnqpは規格化された過剰準粒子濃度で次の
式で表される。
【０００６】
【数１】δnqp＝Ｉqpτeff／４Ｎ（０）Δ ここで、Ｉqpは準粒子注入率でＩqp＝Ｊ／eｄと表さ
れ、Ｊ，ｅ，ｄはそれぞれ電流、電荷、および準粒子注
入層の厚さである。また、Ｎ（０）はフェルミ順位の状
態密度である。τは有効準粒子緩和時間で、フォノンが
対破壊を起こさないで超伝導体から逃げて行く時間をτ
es、フォノンが対破壊を起こすまでの時間をτB、準粒
子が再結合して対を形成するまでの時間をτRとして、
れ、Ｊ，ｅ，ｄはそれぞれ電流、電荷、および準粒子注
入層の厚さである。また、Ｎ（０）はフェルミ順位の状
態密度である。τは有効準粒子緩和時間で、フォノンが
対破壊を起こさないで超伝導体から逃げて行く時間をτ
es、フォノンが対破壊を起こすまでの時間をτB、準粒
子が再結合して対を形成するまでの時間をτRとして、
【０００７】
【数２】τeff＝τR（１＋τes／τB） と表現される。通常金属超伝導体では、Ｎ（０）が大き
いので比較的大きなエネルギーギャップの変化を起こす
ためにはかなり大きな電流を流す必要がある。低キャリ
ア濃度超伝導体ではＮ（０）が金属超伝導体に比較して
約１桁小さいので、同じ電流注入でも１０倍〜１００倍
の大きな効果をあげることができる。また、τeffを大
きくとることで注入の効果をあげることも可能である
が、（数２）式の諸量は超伝導物質によって決まる量で
あるために、大幅に変えることはできない。 本発明は
上述の課題を解決するためになされたもので、高温超伝
導体を用いて、非平衡超伝導効果を利用した増幅機能を
有する超伝導三端子素子を提供することを目的とする。
いので比較的大きなエネルギーギャップの変化を起こす
ためにはかなり大きな電流を流す必要がある。低キャリ
ア濃度超伝導体ではＮ（０）が金属超伝導体に比較して
約１桁小さいので、同じ電流注入でも１０倍〜１００倍
の大きな効果をあげることができる。また、τeffを大
きくとることで注入の効果をあげることも可能である
が、（数２）式の諸量は超伝導物質によって決まる量で
あるために、大幅に変えることはできない。 本発明は
上述の課題を解決するためになされたもので、高温超伝
導体を用いて、非平衡超伝導効果を利用した増幅機能を
有する超伝導三端子素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明においては、層状結晶構造を有し、かつそ
の層状構造がトンネル型ジョセフソン接合として作用す
る超伝導体からなる第１の超伝導層と、上記第１の超伝
導層の一方の面に接合され、第１の端子を持つ第２の超
伝導層と、上記第１の超伝導層の他方の面に、二つに分
離されて接合され、それぞれに第２、第３の端子を持つ
第３の超伝導層とを設ける。
めに、本発明においては、層状結晶構造を有し、かつそ
の層状構造がトンネル型ジョセフソン接合として作用す
る超伝導体からなる第１の超伝導層と、上記第１の超伝
導層の一方の面に接合され、第１の端子を持つ第２の超
伝導層と、上記第１の超伝導層の他方の面に、二つに分
離されて接合され、それぞれに第２、第３の端子を持つ
第３の超伝導層とを設ける。
【０００９】さらに、上記第１の超伝導層をＢi系２２
０１超伝導体、Ｂi系２２１２超伝導体、Ｂi系２２２３
超伝導体、Ｔl系２２０１超伝導体、Ｔl系２２１２超伝
導体、Ｔl系２２２３超伝導体、Ｌa2-XＳrXＣuＯ4，Ｎd
2-XＣeXＣuＯ4のうちの一つ、もしくはその組合せから
構成する。
０１超伝導体、Ｂi系２２１２超伝導体、Ｂi系２２２３
超伝導体、Ｔl系２２０１超伝導体、Ｔl系２２１２超伝
導体、Ｔl系２２２３超伝導体、Ｌa2-XＳrXＣuＯ4，Ｎd
2-XＣeXＣuＯ4のうちの一つ、もしくはその組合せから
構成する。
【００１０】このような手段により、第２の超伝導層か
ら第１の超伝導層に電流を流した場合に発生する電圧
が、第３の超伝導層から第１の超伝導層へ流す電流によ
って制御される。
ら第１の超伝導層に電流を流した場合に発生する電圧
が、第３の超伝導層から第１の超伝導層へ流す電流によ
って制御される。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係わる超伝導三端
子素子の第１の超伝導層を示す図である。
子素子の第１の超伝導層を示す図である。
【００１２】本発明では準粒子を注入するトンネル接合
として、層状構造を有する超伝導体の中にあるＳＩＳ構
造、すなわちイントリンシックジョセフソン接合を利用
する。このイントリンシックジョセフソン接合には、一
例として図１に示すような層状構造を有する高温超伝導
体Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏ8の結晶構造がある。図１からわか
るように、層状構造では超伝導層と絶縁層が交互に積層
され、隣り合う超伝導層がジョセフソン結合している。
また、結合部が絶縁層であるためにトンネル接合（ＳＩ
Ｓ接合）になっており、層状構造超伝導体全体が直列に
接続されたトンネルジョセフソン接合と同等である。こ
のような接合はイントリンシックジョセフソン接合と呼
ばれる。（ただし、大きな層状構造超伝導体の単結晶を
そのまま用いても、イントリンシックジョセフソン接合
本来の特性を測定することはできない。これは、接合長
がジョセフソン侵入長より大きい場合にはジョセフソン
電流が小さく抑えられてしまうからである。これを解決
する方法は特願平５−２２２７９１号に記した。） 図１からわかるように、超伝導層の厚さは、Ｂi2Ｓr2Ｃ
aＣu2Ｏ8の場合、約０.３nｍである。つまり、（数１）
式においてｄが通常の準粒子注入層の厚さに比較して１
／１００以下になる。このことは、層状構造の超伝導体
においては準粒子注入率が通常の超伝導体におけるクイ
テロン構造よりも１００倍以上大きいことを意味してお
り、そのような超伝導体で非平衡超伝導効果を利用する
素子を構成すれば、クイテロンよりも利得の大きい特性
の超伝導増幅機能素子が可能であることがわかる。
として、層状構造を有する超伝導体の中にあるＳＩＳ構
造、すなわちイントリンシックジョセフソン接合を利用
する。このイントリンシックジョセフソン接合には、一
例として図１に示すような層状構造を有する高温超伝導
体Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏ8の結晶構造がある。図１からわか
るように、層状構造では超伝導層と絶縁層が交互に積層
され、隣り合う超伝導層がジョセフソン結合している。
また、結合部が絶縁層であるためにトンネル接合（ＳＩ
Ｓ接合）になっており、層状構造超伝導体全体が直列に
接続されたトンネルジョセフソン接合と同等である。こ
のような接合はイントリンシックジョセフソン接合と呼
ばれる。（ただし、大きな層状構造超伝導体の単結晶を
そのまま用いても、イントリンシックジョセフソン接合
本来の特性を測定することはできない。これは、接合長
がジョセフソン侵入長より大きい場合にはジョセフソン
電流が小さく抑えられてしまうからである。これを解決
する方法は特願平５−２２２７９１号に記した。） 図１からわかるように、超伝導層の厚さは、Ｂi2Ｓr2Ｃ
aＣu2Ｏ8の場合、約０.３nｍである。つまり、（数１）
式においてｄが通常の準粒子注入層の厚さに比較して１
／１００以下になる。このことは、層状構造の超伝導体
においては準粒子注入率が通常の超伝導体におけるクイ
テロン構造よりも１００倍以上大きいことを意味してお
り、そのような超伝導体で非平衡超伝導効果を利用する
素子を構成すれば、クイテロンよりも利得の大きい特性
の超伝導増幅機能素子が可能であることがわかる。
【００１３】図２は本発明に係わる超伝導三端子素子の
構成図を示す。１は第１の超伝導層、２は第２の超伝導
層、３および４は二つに分離された第３の超伝導層、５
は共通電極、６は準粒子注入電極、７は検出用電極であ
る。
構成図を示す。１は第１の超伝導層、２は第２の超伝導
層、３および４は二つに分離された第３の超伝導層、５
は共通電極、６は準粒子注入電極、７は検出用電極であ
る。
【００１４】図２において、準粒子注入電極６から第１
の超伝導層１に電流を流して、準粒子を注入することに
より、第１の超伝導層１の超伝導エネルギーギャップを
変化させ、それによるイントリンシックジョセフソント
ンネル接合の電流電圧特性の変化を検出用電極７で検出
することができる。
の超伝導層１に電流を流して、準粒子を注入することに
より、第１の超伝導層１の超伝導エネルギーギャップを
変化させ、それによるイントリンシックジョセフソント
ンネル接合の電流電圧特性の変化を検出用電極７で検出
することができる。
【００１５】
【実施例】図３は本発明に係わる超伝導三端子素子の実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【００１６】図３において、ＳrＴiＯ3の（１００）面
基板８（以下ＳＴＯ基板）の上に基板温度７００℃で高
周波スパッタ法によりＹＢa2Ｃu3Ｏ7薄膜９を厚み１５
０nｍエピタキシャル成長させた。その後、引き続き基
板温度６５０℃でＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏ8薄膜１０を厚さ６
０nｍエピタキシャル成長させた。さらに上記の工程に
引き続き、７００℃でＹＢa2Ｃu3Ｏ7薄膜１１を厚み１
５０nｍエピタキシャル成長させた。以上の工程によ
り、それぞれの超伝導層の界面は乱れや不純物相のない
清浄な界面が得られた。この状態を図３（ａ）に示す。
基板８（以下ＳＴＯ基板）の上に基板温度７００℃で高
周波スパッタ法によりＹＢa2Ｃu3Ｏ7薄膜９を厚み１５
０nｍエピタキシャル成長させた。その後、引き続き基
板温度６５０℃でＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏ8薄膜１０を厚さ６
０nｍエピタキシャル成長させた。さらに上記の工程に
引き続き、７００℃でＹＢa2Ｃu3Ｏ7薄膜１１を厚み１
５０nｍエピタキシャル成長させた。以上の工程によ
り、それぞれの超伝導層の界面は乱れや不純物相のない
清浄な界面が得られた。この状態を図３（ａ）に示す。
【００１７】次にレジスト１２Ａを塗布し、準粒子注入
層の大きさに相当する部分を残し、超伝導層１０および
１１をイオンミリングにより取り除いた。この状態を図
３（ｂ）に示す。次に超伝導層９の上にイオンミリング
で、取り除いた超伝導層１０と１１の厚さだけＳiＯ絶
縁体層１３を堆積した。この状態を図３（ｃ）に示す。
次にレジスト１２Ａをアセトンで取り除いた後、再びレ
ジスト１２Ｂを塗布し、超伝導層１１の上に、準粒子注
入用と検出用の二つの電極用のパターンを形成し、この
二つの電極に使われない残りの超伝導層の部分をイオン
ミリングで取り除いた。その後取り除いた超伝導層１１
の厚さと同じ厚さだけＳiＯ絶縁層１４を堆積した。こ
の状態を図３（ｄ）に示す。次に超伝導層９から電極を
とるために、電極となる領域以外の部分にふたたびレジ
スト１２Ｃを塗布し、残りをイオンミリングで取り去っ
た。この状態を図３（ｅ）に示す。最後にＡuからなる
電極１５，１６，１７をリフトオフで１００nｍ堆積し
た。この状態を図３（ｆ）に示した。
層の大きさに相当する部分を残し、超伝導層１０および
１１をイオンミリングにより取り除いた。この状態を図
３（ｂ）に示す。次に超伝導層９の上にイオンミリング
で、取り除いた超伝導層１０と１１の厚さだけＳiＯ絶
縁体層１３を堆積した。この状態を図３（ｃ）に示す。
次にレジスト１２Ａをアセトンで取り除いた後、再びレ
ジスト１２Ｂを塗布し、超伝導層１１の上に、準粒子注
入用と検出用の二つの電極用のパターンを形成し、この
二つの電極に使われない残りの超伝導層の部分をイオン
ミリングで取り除いた。その後取り除いた超伝導層１１
の厚さと同じ厚さだけＳiＯ絶縁層１４を堆積した。こ
の状態を図３（ｄ）に示す。次に超伝導層９から電極を
とるために、電極となる領域以外の部分にふたたびレジ
スト１２Ｃを塗布し、残りをイオンミリングで取り去っ
た。この状態を図３（ｅ）に示す。最後にＡuからなる
電極１５，１６，１７をリフトオフで１００nｍ堆積し
た。この状態を図３（ｆ）に示した。
【００１８】図４は本発明に係わる超伝導三端子素子の
電流電圧特性を示す図である。
電流電圧特性を示す図である。
【００１９】図４において、図３の準粒子注入電極１６
から共通電極１５に種々の大きさの電流を流した時の、
検出用電極１７と共通電極１５の間の電流電圧特性を示
した。準粒子注入しない場合、すなわち注入電流をＩi
として、Ｉi＝０の場合、図４に示すような著しい非線
形特性を示した。次にＩi＝０.６ｍＡの場合、非平衡超
伝導効果によるエネルギーギャップが減少した。Ｉi＝
１.２ｍＡの場合にはほとんど線形な電流電圧特性にな
った。Ｉi＝０.９ｍＡから１.２ｍＡに変化した時の検
出用電極１７側の電流変化は２ｍＡであり、電流利得が
約１.７であった。
から共通電極１５に種々の大きさの電流を流した時の、
検出用電極１７と共通電極１５の間の電流電圧特性を示
した。準粒子注入しない場合、すなわち注入電流をＩi
として、Ｉi＝０の場合、図４に示すような著しい非線
形特性を示した。次にＩi＝０.６ｍＡの場合、非平衡超
伝導効果によるエネルギーギャップが減少した。Ｉi＝
１.２ｍＡの場合にはほとんど線形な電流電圧特性にな
った。Ｉi＝０.９ｍＡから１.２ｍＡに変化した時の検
出用電極１７側の電流変化は２ｍＡであり、電流利得が
約１.７であった。
【００２０】また、実施例に用いたＢi系２２１２超伝
導体の代りに、本発明の請求項２に示した、Ｂi系２２
０１超伝導体、Ｂi系２２２３超伝導体、Ｔl系２２０１
超伝導体、Ｔl系２２１２超伝導体、Ｔl系２２２３超伝
導体、Ｌa2-XＳrXＣuＯ4，Ｎd2-XＣeXＣuＯ4のうちの一
つ、もしくはその組合せた他の超伝導体を用い、図３の
工程を経て得られた素子の特性は図４とほとんど同じで
あった。
導体の代りに、本発明の請求項２に示した、Ｂi系２２
０１超伝導体、Ｂi系２２２３超伝導体、Ｔl系２２０１
超伝導体、Ｔl系２２１２超伝導体、Ｔl系２２２３超伝
導体、Ｌa2-XＳrXＣuＯ4，Ｎd2-XＣeXＣuＯ4のうちの一
つ、もしくはその組合せた他の超伝導体を用い、図３の
工程を経て得られた素子の特性は図４とほとんど同じで
あった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係わる
超伝導三端子素子においては、第２の超伝導層から第１
の超伝導層に電流を流した場合に発生する電圧が、第３
の超伝導層から第１の超伝導層へ流す電流によって制御
されるので、高温超伝導体を用いて、非平衡超伝導効果
を利用した増幅機能を有する超伝導素子を構成すること
ができる。
超伝導三端子素子においては、第２の超伝導層から第１
の超伝導層に電流を流した場合に発生する電圧が、第３
の超伝導層から第１の超伝導層へ流す電流によって制御
されるので、高温超伝導体を用いて、非平衡超伝導効果
を利用した増幅機能を有する超伝導素子を構成すること
ができる。
【図１】超伝導三端子素子の第１の超伝導層を示す図で
ある。
ある。
【図２】超伝導三端子素子の構成図である。
【図３】超伝導三端子素子の実施例を示す図である。
【図４】超伝導三端子素子の電流電圧特性を示す図であ
る。
る。
１…第１の超伝導層（層状構造超伝導体） ２…第２の超伝導層 ３…第３の超伝導層 ４…第３の超伝導層 ５…共通電極 ６…準粒子注入電極 ７…検出用電極 ８…基板 ９…ＹＢa2Ｃu3Ｏ7超伝導体 １０…Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏ8層状構造超伝導体 １１…ＹＢa2Ｃu3Ｏ7超伝導体 １２…レジスト １３，１４…ＳiＯ絶縁層 １５，１６，１７…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 狩元 慎一 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 ▲つる▼ 浩二 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 久保 衆伍 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】層状結晶構造を有し、かつその層状構造が
トンネル型ジョセフソン接合として作用する超伝導体か
らなる第１の超伝導層と、上記第１の超伝導層の一方の
面に接合され、第１の端子を持つ第２の超伝導層と、上
記第１の超伝導層の他方の面に、二つに分離されて接合
され、それぞれに第２、第３の端子を持つ第３の超伝導
層とを有することを特徴とする超伝導三端子素子。 - 【請求項２】上記第１の超伝導層がＢi系２２０１超伝
導体、Ｂi系２２１２超伝導体、Ｂi系２２２３超伝導
体、Ｔl系２２０１超伝導体、Ｔl系２２１２超伝導体、
Ｔl系２２２３超伝導体、Ｌa2-XＳrXＣuＯ4，Ｎd2-XＣe
XＣuＯ4のうちの一つ、もしくはその組合せからなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の超伝導三端子素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230306A JPH0974231A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 超伝導三端子素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230306A JPH0974231A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 超伝導三端子素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974231A true JPH0974231A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16905772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230306A Pending JPH0974231A (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 超伝導三端子素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974231A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346491C (zh) * | 2003-06-18 | 2007-10-31 | 南京大学 | 高温超导材料本征结的制备方法 |
| TWI382948B (zh) * | 2006-02-15 | 2013-01-21 | Miraial Co Ltd | 薄板收納容器 |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP7230306A patent/JPH0974231A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346491C (zh) * | 2003-06-18 | 2007-10-31 | 南京大学 | 高温超导材料本征结的制备方法 |
| TWI382948B (zh) * | 2006-02-15 | 2013-01-21 | Miraial Co Ltd | 薄板收納容器 |
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