JPH0969743A

JPH0969743A - ノイズフィルタ

Info

Publication number: JPH0969743A
Application number: JP22218195A
Authority: JP
Inventors: Yuji Maruyama; 雄二丸山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1995-08-30
Filing date: 1995-08-30
Publication date: 1997-03-11

Abstract

(57)【要約】【課題】特性が向上し、安定化して、製造方法が容易
なノイズフィルタを提供する。【解決手段】本発明は、誘電体セラミック層を複数積
層して成る積層体に、信号側インダクタ成分、グランド
側インダクタ成分を配置し、両インダクタ成分間で容量
成分が発生するノイズフィルタにおいて、前記積層体を
構成する誘電体セラミック層間には、独立して、略１タ
ーンの信号ライン導体パターンまたはグランドライン導
体パターンが配置されており、複数の信号ライン導体パ
ターンまたはグランドライン導体パターンを接続するビ
アホール導体が、各インダクタ成分（コイル）のコイル
内面積部分を挟んで分散して配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明はノイズフィルタに関
し、特に、ノイズ特性が安定するノイズフィルタに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のノイズフィルタは、複数の誘電体
セラミック層が積層して成る積層体の各誘電体セラミッ
ク層間に、信号ライン導体パターンとグランドライン導
体パターンとを配置して、分布定数的にインダクタ成
分、容量成分を発生させていた。

【０００３】具体的な構造の一例は、誘電体セラミック
層となる第１の誘電体シート上に、略半ターン形状の信
号ライン導体パターンと、略半ターン形状のグランドラ
イン導体パターンとを両者並設する。また、誘電体セラ
ミック層となる第２の誘電体シート上に、略半ターン形
状のグランドライン導体パターンと、略半ターン形状の
信号ライン導体パターンとを両者並設する。

【０００４】この第１の誘電体シート、第２の誘電体シ
ートに形成した信号ライン導体パターンの他端は、第２
の誘電体シート、第１の誘電体シートに形成した信号ラ
イン導体パターンの一端に、ビアーホール導体を介して
接続しており、第２の誘電体シート、第１の誘電体シー
トに形成したグランドライン導体パターンの他端は、第
２の誘電体シート、第１の誘電体シートに形成したグラ
ンドライン導体パターンの一端に、ビアーホール導体を
介して接続している。

【０００５】また、第１の誘電体シートに形成した信号
ライン導体パターンは、誘電層を介して第２の誘電体シ
ートに形成したグランドライン導体パターンと対向し、
第１の誘電体シートに形成したグランドライン導体パタ
ーンは、誘電層を介して第２の誘電体シートに形成した
信号ライン導体パターンと対向している。

【０００６】同様に、第２の誘電体シートに形成した信
号ライン導体パターンは、誘電層を介して第１の誘電体
シートに形成したグランドライン導体パターンと対向
し、第２の誘電体シートに形成したグランドライン導体
パターンは、誘電層を介して第１の誘電体シートに形成
した信号ライン導体パターンと対向している。

【０００７】これによって、半ターン形状の複数の信号
ライン導体パターンがビアホール導体によって順次接続
して、所定ターン数の信号側インダクタ成分を構成し、
また、半ターン形状の複数のグランドライン導体パター
ンがビアホール導体によって順次接続して、所定ターン
数のグランド側インダクタ成分を構成していた。

【０００８】そして、信号側インダクタ成分の一端は積
層体の端面に形成された入力端子電極に接続し、信号側
インダクタ成分の他端は積層体の端面に形成された出力
端子電極に接続し、また、グランド側インダクタ成分の
一部は、積層体の端面に形成されたグランド電位の端子
電極に接続する。

【０００９】また、信号側インダクタ成分とグランド側
インダクタ成分との間では、同時に所定容量が発生する
ことになり、分布定数的に、両インダクタ成分、相互イ
ンダクタ成分成分及び容量成分とによって、所定特性の
ノイズフィルタが達成されてる。

【００１０】尚、製造方法としては、誘電体セラミック
グリーンシート上に略半ターンの信号ライン導体パター
ンとなる導体膜と略半ターンのグランドライン導体パタ
ーンとなる導体膜とを形成した第１の誘電体シート、第
２の誘電体シート形成する。

【００１１】その導体膜の互いにその開口部が対向しあ
うように夫々導電性ペーストによって形成し、これらの
グリーンシートを交互に積層一体化して、一体焼成して
形成する。その後、積層体の端面に、入出力端子電極、
グランド電位の端子電極を夫々形成する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のノイズ
フィルタのビアホール導体の形成位置に関し、例えば、
信号側インダクタ成分を形成するために信号ライン導体
パターンどうしを接続するビアホール導体は、実質的に
グランドライン導体パターンで構成されるグランドライ
ン側インダクタ成分のコイル内面積部分（磁束が通過す
る中央部分）に位置することになる。

【００１３】また、グランドライン導体パターンどうし
を接続するビアホール導体は、信号側インダクタ成分の
コイル内面積部分（磁束が通過する中央部分）に位置す
ることになる。

【００１４】このように、一方のインダクタ成分のコイ
ル内面積部分に、他方の導体パターンのビアホール導体
が位置している。

【００１５】このため、一方のインダクタ成分で発生す
る磁束が通過するコイル内面積部分に、他方の導体パタ
ーンのビアホール導体が位置しているため、インダクタ
成分を低下させてしまうことになる。

【００１６】しかも、誘電体セラミック層となるシート
の積層位置ずれが発生すると、インダクタ成分を構成す
るコイル内面積が大きく変動してしまう。

【００１７】この両者のために、特に各インダクタ成分
が低下し、また、大きな変動が発生してしまうことにな
り、信号側のインダクタ成分、グランド側のインダクタ
成分、、相互インダクタ成分、両インダクタ成分の対向
によって発生する容量成分との関係において特性が決定
されるノイズフィルタにおいて、実用上大きな問題であ
った。

【００１８】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、インダクタ成分を最大にし、
且つその変動が少ないノイズフィルタを提供するもので
ある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の誘電体
セラミック層を積層して成る積層体と、該積層体の各層
間に配置され、信号側インダクタ成分を構成する信号ラ
イン導体パターンと、該積層体の各層間に配置され、グ
ランド側インダクタ成分を構成するとともに、前記信号
ライン導体パターンと対向して容量成分を構成するグラ
ンドライン導体パターンと、前記隣接する各層間に配置
された信号ライン導体パターンとを複数の誘電体セラミ
ック層を貫いて形成された第１ビアホール導体と、前記
隣接する層間に配置されたグランドライン導体パターン
とを複数の誘電体セラミック層を貫いて形成された第２
ビアホール導体と、を備えるノイズフィルタにおいて、
前記積層体の各層間の信号ライン導体パターン及びグラ
ンドライン導体パターンは、夫々略１ターン形状を成
し、且つ前記第１ビアホール導体と第２ビアホール導体
が信号側インダクタ成分及びグランド側インダクタ成分
を構成するコイル内面積部分を挟んで対象位置に配置さ
れているノイズフィルタである。

【００２０】

【作用】本発明によれば、信号側インダク成分を構成す
る信号ライン導体パターン及びグランド側インダク成分
を構成するグランドライン導体パターンとが独立した各
誘電体セラミック層間に配置されている。そして、その
層間において、ターン数は略１ターン形状となってい
る。

【００２１】従って、仮に信号ライン導体パターン、グ
ランドライン導体パターンの形成において、積層位置ず
れ等が発生しても、夫々の信号ライン導体パターンで構
成される信号側インダクタ成分のコイル内面積部分及び
グランドライン導体パターンで構成されるグランド側イ
ンダクタ成分のコイル内面積部分が変動することがない
ため、安定したインダクタ成分を得ることができる。

【００２２】また、信号ライン導体パターンどうしを接
続する第１ビアホール導体及びグランドライン導体パタ
ーンどうしを接続する第２ビアホール導体は、夫々イン
ダクタ成分のコイル内面積部分を挟んで、その外部の対
象位置に形成されている。

【００２３】即ち、信号ライン導体パターンの両端部
は、例えば積層体の一方方向の一方端寄り部分に、グラ
ンドライン導体パターンの両端部は、例えば積層体の一
方方向の他方端寄り部分に配置されることになる。

【００２４】これによって、２つのコイル内面積部分に
は、第１、第２ビアホール導体が存在することがないた
め、インダクタ成分を最大限に大きくすることができ
る。

【００２５】その結果、信号側のインダクタ成分、グラ
ンド側のインダクタ成分、相互インダクタ成分、信号側
のインダクタ成分とグランド側のインダクタ成分との対
向によって発生する容量成分によって決定されるノイズ
フィルタ特性が最大且つ安定化させることができる。

【００２６】しかも、第１、第２ビアホール導体がコイ
ル内面積部分を挟んで分散されて配置されているため、
製造工程中で誘電体セラミック層間の剥離現象を減少さ
せることができ、誘電体セラミック層を積層した時の積
層表面を比較的に平坦化することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明のノイズフィルタを
図面に基づいて詳説する。

【００２８】図１は本発明のノイズフィルタの外観斜視
図であり、図２は積層体部分の分解斜視図であり、図３
（ａ）〜（ｄ）は、誘電体セラミック層となるシート上
に形成された信号ライン導体パターン、グランドライン
導体パターンとなる導体膜の平面図である。

【００２９】本発明のノイズフィルタは、例えば６層の
誘電体セラミック層１ｘ、１ａ〜１ｅが積層して構成さ
れた積層体１と、該積層体１の外表面に形成した信号ラ
イン側の入力の端子電極６、７とグランド電位の端子電
極８とから主に構成されている。

【００３０】積層体１は、アルミナ、ＢａＴｉＯ₃、Ｔ
ｉＯ₂、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎなどの誘電体セラミッ
ク、またはこのような誘電体セラミックと結晶化ガラス
成分との混合物などで構成された誘電体セラミック層１
ｘ、１ａ〜１ｅとから成る。

【００３１】この積層体１の各誘電体セラミック層１ａ
と１ｂとの間、１ｃと１ｄの間には、信号ライン導体パ
ターン２ｂ、２ｄが形成されてる。

【００３２】また、この積層体１の各誘電体セラミック
層１ｘと１ａとの間、１ｂと１ｃとの間、１ｄと１ｅの
間には、グランドライン導体パターン３ａ、３ｃ、３ｅ
が形成されている。

【００３３】また、信号ライン導体パターン２ｂの他端
部分には、隣接する信号ライン導体パターン２ｄの一端
部と接続するために、誘電体セラミック層１ｂに形成さ
れた第１ビアホール導体４ｂ、誘電体セラミック層１ｃ
に形成された第１ビアホール導体４ｃが配置されてい
る。

【００３４】また、信号ライン導体パターン２ｄの他端
部には、積層体１の外部に信号ライン導体パターン２ｄ
を引き出すために誘電体セラミック層１ｄに形成された
第１ビアホール導体４ｄが配置されている。

【００３５】尚、信号ライン導体パターン２ｂの一端部
分には、その一端を外部に引き出すために、誘電体セラ
ミック層１ｘに形成されたビアホール導体４ｘ、誘電体
セラミック層１ａに形成されたビアホール導体４ａが配
置されている。

【００３６】グランドライン導体パターン３ａの他端部
分には、隣接するグランドライン導体パターン３ｃの一
端部と接続するために、誘電体セラミック層１ａに形成
された第１ビアホール導体５ａ、誘電体セラミック層１
ｂに形成された第２ビアホール導体５ｃが配置されてい
る。

【００３７】また、グランドライン導体パターン３ｃの
他端部分には、隣接するグランドライン導体パターン３
ｅの一端部と接続するために、誘電体セラミック層１ｃ
に形成された第２ビアホール導体５ｃ、誘電体セラミッ
ク層１ｄに形成された第２ビアホール導体５ｄが配置さ
れている。

【００３８】さらに、グランドライン導体パターン３ｅ
の他端部には、積層体１の外部にグランドライン導体パ
ターン３ｅを引き出すために誘電体セラミック層１ｅに
形成されたビアホール導体５ｅが配置されている。

【００３９】これにより、信号側のインダクタ成分の電
気的な導通状態は、ビアホール導体４ｘ、４ａ、信号ラ
イン導体パターン２ｂ、ビアホール導体４ｂ、４ｃ、信
号ライン導体パターン２ｄ、ビアホール導体４ｄ、４ｅ
となる。

【００４０】また、グランド側のインダクタ成分の電気
的な導通状態は、グランドライン導体パターン３ａ、ビ
アホール導体５ａ、５ｂ、グランドライン導体パターン
３ｃ、ビアホール導体５ｃ、５ｄ、グランドライン導体
パターン３ｅ、ビアホール導体５ｅとなる。

【００４１】そして、積層体１の一方方向の一方端面に
は信号側の入力端子電極６が形成され、積層体１の一方
方向の他方端面には信号側の出力端子電極７が形成さ
れ、積層体１の他方方向の一方及びまたは他方端面には
グランド側端子電極８が形成されている。そして、端子
電極６、例えばビアホール導体４ｅの露出部分に接続
し、端子電極７は、例えばビアホール導体４ｘの露出部
分に接続するように形成され、端子電極８は、例えばビ
アホール導体５ｅの露出部分に接続するように形成され
いる。

【００４２】ここで、信号ライン導体パターン２ｂ、２
ｄ、グランドライン導体パターン３ａ、３ｃ、３ｅ及び
ビアホール導体４ｘ、４ａ〜４ｅ、５ａ〜５ｅは、夫々
Ａｇをなどを主成分とする導体によって、端子電極６〜
８は、夫々Ａｇをなどを主成分とする下地導体、及びそ
の表面にＮｉメッキや半田メッキなどのメッキ層から構
成される。

【００４３】次に、信号ライン導体パターン２ｂ、２
ｄ、グランドライン導体パターン３ａ、３ｃ、３ｅのパ
ターンを図３（ａ）〜図３（ｄ）を用いて説明する。

【００４４】図３（ａ）は例えば誘電体セラミック層１
ａと１ｂとの層間、即ち、誘電体セラミック層１ｂ上に
形成された信号ライン導体パターン２ｂのパターンを示
す。

【００４５】図において、信号ライン導体パターン２ｂ
は、誘電体セラミック層１ｂとなる誘電体シート（説明
上「１ｂ」と記す）上に形成される。具体的には、略１
ターン形状を成し、その信号ライン導体パターン２ｂの
一端側及び他端側が例えば誘電体シート１ｂの左側に配
置されている。そして、その信号ライン導体パターン２
ｂの他端部分には、誘電体シート１ｂの厚み貫く第１ビ
アホール導体４ｂが形成されている。同時に、誘電体シ
ート１ｂの右側寄りに第２ビアホール導体５ｂが形成さ
れている。尚、この第２ビアホール導体５ｂは誘電体シ
ート１ｂを挟持する誘電体シート１ａ、誘電体シート１
ｃ上に形成されたグランドライン導体パターン３ａ、３
ｃを接続するためのビアホール導体の一部となる。

【００４６】図３（ｂ）は例えば誘電体セラミック層１
ｃと１ｄとの層間、即ち、誘電体セラミック層１ｃ上に
形成された信号ライン導体パターン２ｃのパターンを示
す。

【００４７】図において、信号ライン導体パターン２ｄ
は、誘電体セラミック層１ｄとなる誘電体シート（説明
上「１ｄ」と記す）上に形成される。具体的には、略１
ターン形状を成し、その信号ライン導体パターン２ｄの
一端側及び他端側が例えば誘電体シート１ｄの左側に配
置されている。そして、その信号ライン導体パターン２
ｄの他端部分には、誘電体シート１ｄの厚み貫く第１ビ
アホール導体４ｄが形成されている。同時に、誘電体シ
ート１ｄの右側寄りに第２ビアホール導体５ｄが形成さ
れている。尚、この第２ビアホール導体５ｄは誘電体シ
ート１ｄを挟持する誘電体シート１ｃ、誘電体シート１
ｅ上に形成されたグランドライン導体パターン３ｃ、３
ｅを接続するためのビアホール導体の一部となる。

【００４８】図３（ｃ）は例えば誘電体セラミック層１
ｘと１ａとの層間、即ち、誘電体セラミック層１ａ上に
形成されたグランドライン導体パターン３ａのパターン
を示す。

【００４９】図において、グランドライン導体パターン
３ａは、誘電体セラミック層１ａとなる誘電体シート
（説明上「１ａ」と記す）上に形成される。具体的に
は、略１ターン形状を成し、そのグランドライン導体パ
ターン３ａの一端側及び他端側が例えば誘電体シート１
ａの右側に配置されている。そして、そのグランドライ
ン導体パターン３ａの他端部分には、誘電体シート１ａ
の厚み貫く第２ビアホール導体５ａが形成されている。
同時に、誘電体シート１ａの左側寄りに第１ビアホール
導体４ａが形成されている。尚、この第１ビアホール導
体４ａは誘電体シート１ｂに形成された信号ライン導体
パターン２ａを外部に延出するためのビアホール導体の
一部となる。

【００５０】図３（ｄ）は例えば誘電体セラミック層１
ｂと１ｃとの層間、即ち、誘電体セラミック層１ｃ上に
形成されたグランドライン導体パターン３ｃのパターン
を示す。

【００５１】図において、グランドライン導体パターン
３ｃは、誘電体セラミック層１ｃとなる誘電体シート
（説明上「１ｃ」と記す）上に形成される。具体的に
は、略１ターン形状を成し、そのグランドライン導体パ
ターン３ｃの一端側及び他端側が例えば誘電体シート１
ｃの右側に配置されている。そして、そのグランドライ
ン導体パターン３ｃの他端部分には、誘電体シート１ｃ
の厚み貫く第２ビアホール導体５ｃが形成されている。
同時に、誘電体シート１ｃの右側寄りに第１ビアホール
導体４ｃが形成されている。尚、この第１ビアホール導
体４ｃは誘電体シート１ｃを挟持する誘電体シート１
ｂ、誘電体シート１ｄ上に形成された信号ライン導体パ
ターン２ｂ、２ｄを接続するためのビアホール導体の一
部となる。

【００５２】尚、図３には示していないが、例えば誘電
体セラミック層１ｄと１ｅとの層間、即ち、誘電体セラ
ミック層１ｅ上に形成されたグランドライン導体パター
ン３ｅは、上述の図３（ｃ）と同一パターンとなってい
る。図３（ｃ）におけるビアホール導体５ａに相当する
ビアホール導体５ｅは、誘電体シート１ｅに形成された
グランドライン導体パターン３ｅを外部に延出するため
のビアホール導体の一部となり、図３（ｃ）におけるビ
アホール導体４ａに相当するビアホール導体４ｅは、誘
電体シート１ｄに形成された信号ライン導体パターン２
ｄを、ビアホール導体４ｄとともに外部に延出するため
のビアホール導体となる。

【００５３】また、誘電体セラミック層１ｘとなる誘電
体シート１ｘは、１つのビアホール導体４ｘが形成され
ている。このビアホール導体４ｘは、ビアホール導体４
ａとともに、誘電体シート１ｂ上の信号ライン導体パタ
ーン２ｂの一端部分に接続して、これによって、信号ラ
イン導体パターン２ｂの一端を外部に露出する。

【００５４】以上の構成により、信号側インダクタ成分
（コイル）は、例えばビアホール導体４ｘ、４ａ、信号
ライン導体パターン２ｂの一端、信号ライン導体パター
ン２ｂの他端、ビアホール導体４ｂ、４ｃ、信号ライン
導体パターン２ｄの一端、信号ライン導体パターン２ｄ
の他端、ビアホール導体４ｄ、４ｅと接続して、約２タ
ーンのコイルとなる。

【００５５】また、グランド側インダクタ成分（コイ
ル）は、例えばグランドライン導体パターン３ａの他
端、ビアホール導体５ａ、５ｂ、グランドライン導体パ
ターン３ｃの一端、グランドライン導体パターン３ｃの
他端、ビアホール導体５ｃ、５ｄ、グランドライン導体
パターン３ｅの一端、グランドライン導体パターン５ｅ
の他端、ビアホール導体５ｅと接続して、約２．５ター
ンのコイルとなる。

【００５６】同時に、図２、図３から判るように、信号
ライン導体パターン２ｂは、誘電体セラミック層１ａ、
１ｂを介して、グランドライン導体パターン３ａ、３ｃ
にその一部が対向しており、信号ライン導体パターン２
ｄは、誘電セラミック層１ｃ、１ｄを介してグランドラ
イン導体パターン３ｃ、３ｅにその一部が対向してお
り、その対向部分で夫々容量容量成分が発生する。

【００５７】さらに、信号側インダクタ成分（コイル）
とグランド側インダクタ成分（コイル）との中央磁路で
あるコイル内面積部分Ｘｓ、Ｘｇが共通化している。

【００５８】結局、分布定数的には、信号側インダクタ
成分、グランド側インダクタ成分、相互インダクタ成
分、容量成分が発生することになり、等価回路的には、
図４に示すようになり、所定カットオフ周波数で、所定
減衰極、所定減衰量を有するノイズフィルタが達成され
ることになる。

【００５９】以上の構成では、１枚の誘電体シート上
に、信号ライン導体パターン２ｂ、２ｄ、またはグラン
ドライン導体パターン３ａ、３ｃ、３ｅの何れかの導体
パターンが１種類のみ形成されており、しかも、略１タ
ーンであるため、各インダクタ成分を構成するコイルの
内面積部分Ｘｓ、Ｘｇが規定されている。

【００６０】しかも、信号ライン導体パターン２ｂ、２
ｄに接続するビアホール導体４ａ〜４ｅは、グランドラ
イン導体パターン３ａ、３ｃ、３ｅのコイル内面積部分
Ｘｓ、Ｘｇに対して外部に形成されており、また、グラ
ンドライン導体パターン３ａ、３ｃ、３ｅに接続するビ
アホール導体５ａ〜５ｅは、信号ライン導体パターン２
ｂ、２ｄのコイル内面積部分Ｘｓ、Ｘｇに対して外部に
形成されているため、ビアホール導体の形成によって、
コイル内面積が減少することが一切なく、最大の磁束が
通過する磁路を確保でき、各インダクタ成分を大きくす
ることができ、特性を向上させることができる。

【００６１】しかも、誘電体シート１ａ〜１ｅを積層す
るにあたり、若干の位置ずれがあったとしても、各イン
ダクタ成分のコイル内面積部分Ｘｓ、Ｘｇの大きさに変
動を与えることがないため、特性の安定が達成できる。

【００６２】さらに、ビアホール導体４ｘ、４ａ〜４ｅ
と５ａ〜５ｅとが、各導体パターン２ｂ、２ｄ、３ａ、
３ｃ、３ｄのコイル内面積部分Ｘｓ、Ｘｇを挟んで、例
えば右側と左側に分散されて配置される。このため、ビ
アホール導体４ｘ、４ａ〜４ｅと５ａ〜５ｅが一箇所に
集中することがないため、製造工程中で誘電体セラミッ
ク層１ｘ、１ａ〜１ｅ間の剥離現象を減少させることが
でき、誘電体セラミック層１ｘ、１ａ〜１ｅを積層した
時の積層表面を比較的に平坦化することができる。

【００６３】尚、ここで、簡単に上述のノイズフィルタ
の製造方法を説明する。

【００６４】まず、各誘電体セラミック層１ｘ、１ａ〜
１ｅとなる誘電体シートを用意する。

【００６５】尚、シートの形状は、複数のノイズフィル
タが抽出できる大きさとして、端子電極形成前で、切断
・分割することが量産性で有利であるが、説明上、ノイ
ズフィルタの形状と同一の誘電体シートとする。

【００６６】まず、誘電体セラミック層１ｘとなる誘電
体シートにビアホール導体４ｘとなるスルーホールを形
成して、Ａｇ系導電性ペーストで該スルーホールにビア
ホール導体を充填する。

【００６７】次に、誘電体セラミック層１ａとなる誘電
体シートにビアホール導体４ａ、５ａとなるスルーホー
ルを形成して、Ａｇ系導電性ペーストで該スルーホール
にビアホール導体を充填するとともに、Ａｇ系導電性ペ
ーストでシート１ａ上にグランドライン導体パターン３
ａとなる導体膜を形成する。

【００６８】次に、同様に、誘電体セラミック層１ｂ〜
１ｅとなる誘電体シートにビアホール導体４ｂ〜４ｅ、
５ｂ〜５ｅとなるスルーホールを形成して、Ａｇ系導電
性ペーストで該スルーホールにビアホール導体を充填す
るとともに、Ａｇ系導電性ペーストでシート１ａ上に信
号ライン導体パターン２ｂ、２ｄまたはグランドライン
導体パターン３ｃ、３ｅとなる導体膜を形成する。尚、
誘電体シート１ａと誘電体シート１ｅは共用できる。

【００６９】このようビアホール導体及びまたは導体パ
ターンとなる導体が形成された複数の誘電体シートを、
積層順序に応じて、熱圧着を行い、一体的に積層する。

【００７０】次に、この積層体を例えば大気雰囲気中
で、所定ピーク温度で一体焼結する。

【００７１】尚、焼成雰囲気、焼成のピーク温度など
は、用いる誘電体セラミック材料、導体の材料によって
異なるものである。

【００７２】このように焼成された積層体１の端面に、
ビアホール導体１ｘ、４ｅ、５ｅに接続するように端子
電極７、６、８を形成する。

【００７３】具体的には、厚膜手法によってＡｇ系下地
導体膜を焼きつけ形成し、その後、バレルメッキで、所
定材料、例えばＮｉ、半田などのメッキ層を鍍着させ
る。

【００７４】

【実施例】本発明者は、一層あたり略１ターンを形成し
た本発明のノイズフィルタと、１層あたり、半ターンの
信号ライン導体パターン、グランドライン導体パターン
を並設した従来のノイズフィルタにおいて、夫々のイン
ダクタ成分（コイル）のターン数、コイル内面積が同一
となるように設定しフィルタ特性を調べた。その結果
を図５、図６に示す。尚、両図において、線Ａは位置ず
れがない状態（正常な状態）の特性であり、線Ｂは位置
ずれが平面方向に５０μｍ発生した状態の特性である。

【００７５】本発明品においては、位置ずれがの有無に
係わらず、カットオフ周波数、減衰極周波数、減衰量に
おいては両者の差異は非常に小さく、減衰極よりも高い
周波数領域で、周波数のシフトが若干認められる程度で
ある。

【００７６】これに対して、従来品においては、位置ず
れがによって、その特性が大きく変動してしまい、特
に、特性上極めて重要な減衰極周波数、減衰量において
は顕著である。

【００７７】以上の結果から、本発明品においては、製
造工程で発生する位置ずれなどが発生したとしても、そ
の特性の変動を有効に抑えることができるため、特性的
にも安定し、製造工程での特性信頼性が向上する。

【００７８】上述のように特性の変動を抑えるために
は、図３（ａ）（ｂ）と図３（ｃ）（ｄ）に示すよう
に、信号ライン導体パターン２ｂ、２ｄとグランドライ
ン導体パターン３ａ、３ｃ、３ｅのコイル内面積部分Ｘ
ｓ、Ｘｇを若干変位させることも重要である。これは、
信号ライン導体パターン２ｂ、２ｄとグランドライン導
体パターン３ａ、３ｃ、３ｅとの対向部分が位置ずれに
よって、その対向面積が大きく変動しないように、予
め、一方の導体、例えば、図３（ａ）、（ｂ）に示す信
号ライン導体パターン２ｂ、２ｄの一端及び他端と対向
する位置の導体パターンの直線部２１ｂ、２１ｄを、他
方の導体、例えば図３（ｃ）（ｄ）に示すグランドライ
ン導体パターン３ａ、３ｃの一端及び他端と対向させな
いようにする。

【００７９】また、グランドライン導体コイルパターン
３ａ、３ｃの一端及び他端と対向する位置の導体パター
ンの直線部３１ａ、３１ｃに関しても、信号ライン導体
コイルパターン２ｂ、２ｄの一端及び他端と対向させな
いようにする。これにより、信号ライン導体コイルパタ
ーン２ｂ、２ｄとグランドライン導体コイルパターン３
ａ、３ｃ、３ｅとの対向部分は、実質的に、信号ライン
導体コイルパターン２ｂ、２ｃ、グランドライン導体コ
イルパターン３ａ、３ｃ、３ｅの両端部を及び直線部２
１ｂ、２１ｄ、３１ａ、３１ｃを除く部分となる。

【００８０】このようにすれば、図３の示す左右方向に
位置ずれ（ビアホール導体の接続が可能な程度）が発生
しても、両導体パターン２ｂ、２ｄ、３ａ、３ｃ、３ｅ
での対向面積が大きく変動しないため、フィルタ特性の
変動が少なくなる。

【００８１】尚、上述の実施例では、２層の信号ライン
導体パターン２ｂ、２ｄ、３層のグランドライン導体パ
ターン３ａ、３ｃ、３ｅが積層されてノイズフィルタが
構成されているが、所望のフィルタ特性に応じて、夫々
信号ライン導体パターン、グランドライン導体パターン
の積層・接続数を変えても構わない。

【００８２】また、最外層以外の誘電体セラミック層
は、容量成分上厚みの制御が重要となる。仮に厚い誘電
体セラミック層が必要な場合には、例えば導体パターン
が形成されておらず、ビアホール導体のみを形成した誘
電体セラミック層を別途介在させても構わない。同時
に、最外層の誘電体セラミック層に関しては、主に機械
的な強度を確保するために、ビアホール導体のみを形成
した誘電体セラミック層を複数積層しても構わない。

【００８３】

【発明の効果】本発明によれば、信号側インダクタ成分
とグランド側インダクタ成分とが積層体内で互いに容量
成分を発生するように対向して配置されており、積層体
を構成する各誘電体セラミック層間には、独立して約１
ターンの信号ライン導体パターン又はグランドライン導
体パターンが形成されている。

【００８４】また、複数の信号ライン導体パターンまた
はグランドライン導体パターンとを接続する第１、第２
ビアホール導体が、導体パターンのコイル内面積部分を
挟んで、分散されている。

【００８５】このため、各インダクタ成分（コイル）の
コイル内面積部分の面積を充分に大きくするこができ、
しかも、磁束を阻害するものがないため、最大のインダ
クタ成分を得ることができる。

【００８６】また、誘電体セラミック層となるシートの
積層位置ずれが発生しても、コイル内面積部分の面積の
変動がないため、特性の変動を有効に抑えることができ
る。

【００８７】これにより、ノイズフィルタの特性が向
上、且つ安定した、実用上有用なノイズフィルタとな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のノイズフィルタの外観斜視図である。

【図２】本発明のノイズフィルタの各導体パターンの接
続状態を示すための積層体部分の分解斜視図である。

【図３】（ａ）、（ｂ）は、夫々本発明のノイズフィル
タに用いる信号ライン導体パターンを示す平面図であ
り、（ｃ）、（ｄ）は、本発明のノイズフィルタに用い
るグランドライン導体パターンの平面図である。

【図４】本発明のノイズフィルタの等価的な回路図であ
る。

【図５】本発明のノイズフィルタの特性図である。

【図６】従来のノイズフィルタの特性図である。

【符号の説明】

１・・・・・・積層体１ｘ、１ａ〜１ｅ・・・誘電体セラミック層２ｂ、２ｄ・・・・信号ライン導体コイルパターン３ａ、３ｃ、３ｅ・・・グランドライン導体コイルパタ
ーン４ａ〜４ｅ・・・・ビアホール導体５ａ〜５ｅ・・・・ビアホール導体６、７・・信号側の入出力端子電極８・・・・グランド側の端子電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の誘電体セラミック層を積層して成
る積層体と、該積層体の各層間に配置され、信号側インダクタ成分を
構成する信号ライン導体パターンと、該積層体の各層間に配置され、グランド側インダクタ成
分を構成するとともに、前記信号ライン導体パターンと
対向して容量成分を構成するグランドライン導体パター
ンと、前記隣接する各層間に配置された信号ライン導体パター
ンとを複数の誘電体セラミック層を貫いて形成された第
１ビアホール導体と、前記隣接する層間に配置されたグランドライン導体パタ
ーンとを複数の誘電体セラミック層を貫いて形成された
第２ビアホール導体と、を備えるノイズフィルタにおい
て、前記積層体の各層間の信号ライン導体パターン及びグラ
ンドライン導体パターンは、夫々略１ターン形状を成
し、且つ前記第１ビアホール導体と第２ビアホール導体
が信号側インダクタ成分及びグランド側インダクタ成分
を構成するコイル内面積部分を挟んで対象位置に配置さ
れていることを特徴とするノイズフィルタ。