JPH0967558A - Adhesive sheet for wafer dicing - Google Patents
Adhesive sheet for wafer dicingInfo
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- JPH0967558A JPH0967558A JP7223988A JP22398895A JPH0967558A JP H0967558 A JPH0967558 A JP H0967558A JP 7223988 A JP7223988 A JP 7223988A JP 22398895 A JP22398895 A JP 22398895A JP H0967558 A JPH0967558 A JP H0967558A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の技術分野】本発明は、シリコンウェハ等をダイ
シングし、さらにリードフレーム等に接着する工程で使
用される接着用シートに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an adhesive sheet used in the step of dicing a silicon wafer or the like and further adhering it to a lead frame or the like.
【０００２】[0002]
【発明の技術的背景】シリコン、ガリウムヒ素などの半
導体ウェハは大径の状態で製造され、このウェハは素子
小片（ＩＣチップ）に切断分離（ダイシング）された後
に次の工程であるマウント工程に移されている。この
際、半導体ウェハは予じめ粘着シートに貼着された状態
でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピッ
クアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディン
グ工程に移送される。BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor wafers of silicon, gallium arsenide and the like are manufactured in a large-diameter state, and this wafer is cut and separated (diced) into element pieces (IC chips) and then subjected to the next step of a mounting step. Has been moved. At this time, the semiconductor wafer is subjected to the steps of dicing, washing, drying, expanding, and picking up in a state of being adhered to the adhesive sheet in advance, and then transferred to the bonding step of the next step.
【０００３】このような半導体ウェハのダイシング工程
からピックアップ工程に至る工程で用いられる粘着シー
トとしては、ダイシング工程から乾燥工程まではウェハ
チップに対して充分な接着力を有しており、ピックアッ
プ時にはウェハチップに粘着剤が付着しない程度の接着
力を有しているものが望まれている。[0003] Such an adhesive sheet used in the steps from the dicing step to the pick-up step of a semiconductor wafer has a sufficient adhesive force to the wafer chip from the dicing step to the drying step, and the wafer is picked up during the pick-up. It is desired that the chip has such an adhesive strength that an adhesive does not adhere to the chip.
【０００４】ダイボンディング工程において、ピックア
ップされたチップに、エポキシ系接着剤、ポリイミド系
接着剤、銀ペーストなどの液状で供給されるダイ接着用
接着剤が塗布・乾燥され、これを熱圧着してリードフレ
ームに固定し、半導体装置が製造されている。しかしな
がら、このような液状物の塗布では、チップが非常に小
さな場合には、適量の接着剤を均一に塗布することが困
難であり、ＩＣチップから接着剤がはみ出したり、ある
いはＩＣチップが大きい場合には、接着剤が不足するな
ど、充分な接着力を有するように接着を行うことができ
ないなどという問題点があった。In the die bonding process, a die-bonding adhesive such as an epoxy adhesive, a polyimide adhesive, or a silver paste which is supplied in a liquid state is applied to the picked-up chip and dried, and the die is thermocompressed. A semiconductor device is manufactured by fixing it to a lead frame. However, in the case of applying such a liquid material, when the chip is very small, it is difficult to apply an appropriate amount of the adhesive uniformly, and when the adhesive sticks out of the IC chip or the IC chip is large. However, there is a problem in that the adhesive cannot be adhered so as to have a sufficient adhesive force, such as lack of adhesive.
【０００５】また半導体装置に要求される性能が近年さ
らに高度化し、耐熱性・耐湿性・イオン性不純物の濃度
等の要求性能を上記エポキシ系の接着剤では満足するこ
とが困難になってきている。Further, in recent years, the performance required for semiconductor devices has become more sophisticated, and it has become difficult to satisfy the required performance such as heat resistance, moisture resistance, and the concentration of ionic impurities with the above epoxy adhesive. .
【０００６】一方、ダイ接着用あるいはリードフレーム
接着用に耐熱性の優れたポリイミド樹脂を用いたフィル
ム接着剤が提案されている。このフィルム接着剤では前
述したような塗布工程の欠点は改善されるが、被着体へ
の熱圧着条件が２７５℃、５０kgf/cm2、３０分間と高
温・長時間と過酷で、半導体装置の回路面への負担が大
きく、イミド化にともなう水の発生など、電子部品への
信頼性や量産性の面で、充分な要求を満たしていなかっ
た。On the other hand, a film adhesive using a polyimide resin having excellent heat resistance has been proposed for die attachment or lead frame attachment. Although this film adhesive improves the above-mentioned drawbacks of the coating process, the thermocompression bonding conditions for the adherend are 275 ° C., 50 kgf / cm 2 , 30 minutes, a high temperature and a long time, and it is severe. The load on the circuit surface was large, and the requirements for electronic components such as water generation accompanying imidization were not sufficiently satisfied in terms of reliability and mass productivity.
【０００７】[0007]
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、室温下での圧着または温和な
加熱・加圧条件でウエハに貼着可能で回路面等への負担
が少なく、さらにダイシングの際にはダイシングテープ
として使用することができ、しかも接着剤としてウェハ
裏面にマウントすることができ、リードフレーム等に対
する接着力に優れ、ダイボンド後に耐熱性、耐老化性等
に優れた硬化物を形成しうる接着用シートを提供し、さ
らに得られる半導体装置の信頼性を向上させることを目
的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and can be attached to a wafer by pressure bonding at room temperature or under mild heating / pressurizing conditions and can be applied to a circuit surface or the like. It has a low load, can be used as a dicing tape during dicing, and can be mounted on the backside of the wafer as an adhesive. It has excellent adhesion to lead frames, etc., and has heat resistance and aging resistance after die bonding. An object of the present invention is to provide an adhesive sheet capable of forming an excellent cured product and further improve the reliability of the obtained semiconductor device.
【０００８】[0008]
【発明の概要】本発明に係るウェハダイシング・接着用
シートは、基材と、その上に形成された接着剤層とから
なり、該接着剤層がポリイミド系樹脂と該ポリイミド系
樹脂と相溶する含窒素有機化合物とを含む接着剤組成物
からなることを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION A wafer dicing / adhesion sheet according to the present invention comprises a substrate and an adhesive layer formed thereon, the adhesive layer being compatible with a polyimide resin and the polyimide resin. And a nitrogen-containing organic compound.
【０００９】また本発明においては、前記基材と接着剤
層との接着力が、接着剤層と貼着されるシリコンウェハ
との接着力よりも小さいことが好ましい。さらに、本発
明においては、上記接着剤層が、上記ポリイミド系樹脂
１００重量部に対し含窒素有機化合物０．５〜５０重量
部とを含む接着剤組成物からなることが好ましい。Further, in the present invention, it is preferable that the adhesive force between the base material and the adhesive layer is smaller than the adhesive force between the adhesive layer and the silicon wafer to be adhered. Further, in the present invention, it is preferable that the adhesive layer is made of an adhesive composition containing 0.5 to 50 parts by weight of a nitrogen-containing organic compound with respect to 100 parts by weight of the polyimide resin.
【００１０】[0010]
【発明の具体的説明】以下、本発明に係るウェハダイシ
ング・接着用シートについて、具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The wafer dicing / bonding sheet according to the present invention will be specifically described below.
【００１１】本発明のウェハダイシング・接着用シート
は、基材と、その上に形成された接着剤層とからなる。
ウェハダイシング・接着用シートは、テープ状、プリカ
ット状シートなどあらゆる形状をとりうる。The wafer dicing / adhesion sheet of the present invention comprises a substrate and an adhesive layer formed thereon.
The wafer dicing / adhesion sheet can have any shape such as a tape shape or a precut shape sheet.
【００１２】基材としては、特に限定されることなく、
種々のフィルム、特に好ましくはプラスチックフィルム
が用いられる。このような基材としては、具体的には、
ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポ
リアラミドフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポ
リエーテル・エーテルケトンフィルム、ポリフェニレン
サルファイドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエ
チレンナフタレートフィルム等が用いられる。また、基
材はこれらフィルムの積層体であってもよい。さらに、
上記フィルムと、他のフィルムとの積層体であってもよ
い。The substrate is not particularly limited,
Various films are used, particularly preferably plastic films. As such a base material, specifically,
Polyimide film, polyetherimide film, polyaramid film, polyetherketone film, polyetheretherketone film, polyphenylene sulfide film, polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film and the like are used. Further, the substrate may be a laminate of these films. further,
It may be a laminate of the above film and another film.
【００１３】基材の膜厚は、その材質にもよるが、通常
は１０〜３００μｍ程度であり、好ましくは１６〜１０
０μｍ程度である。また、基材の片面にシリコーン処理
等により離型処理を施しておいても構わない。The thickness of the base material depends on its material, but is usually about 10 to 300 μm, preferably 16 to 10 μm.
It is about 0 μm. Further, one surface of the base material may be subjected to a release treatment such as silicone treatment.
【００１４】接着剤層を構成するポリイミド系樹脂は、
側鎖または主鎖にイミド結合を有し、具体的には、ポリ
イミド樹脂、ポリイソイミド樹脂、マレイミド樹脂、ビ
スマレイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテ
ルイミド樹脂、ポリ−イミド・イソインドロキナゾリン
ジオンイミド樹脂等が挙げられ、これらの樹脂単独もし
くは２つ以上混合させて使用することができる。これら
の中でも特にポリイミド樹脂が好ましい。The polyimide resin forming the adhesive layer is
Having an imide bond in the side chain or main chain, specifically, polyimide resin, polyisoimide resin, maleimide resin, bismaleimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, poly-imide / isoindoloquinazolinedione imide resin Etc., and these resins can be used alone or in combination of two or more. Of these, a polyimide resin is particularly preferable.
【００１５】ポリイミド系樹脂の分子量は、好ましくは
１０，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５
０，０００〜１００，０００程度である。上記のような
ポリイミド系樹脂には、反応性官能基を有しない熱可塑
性ポリイミド系樹脂と加熱によりイミド化反応する熱硬
化性のポリイミド樹脂が存在するが、そのいずれであっ
てもよい。熱硬化性ポリイミド樹脂を本発明の接着剤の
構成成分として使用する場合は、ＩＣチップとリードフ
レームを仮接着したのち、加熱硬化して接着剤層をポリ
イミド化し、接着工程を完了させる。The molecular weight of the polyimide resin is preferably 10,000 to 1,000,000, particularly preferably 5
It is about 10,000 to 100,000. Among the above-mentioned polyimide resins, there is a thermosetting polyimide resin which undergoes an imidization reaction with a thermoplastic polyimide resin having no reactive functional group by heating, and any of them may be used. When a thermosetting polyimide resin is used as a constituent component of the adhesive of the present invention, after the IC chip and the lead frame are temporarily adhered, they are heat-cured to polyimidize the adhesive layer to complete the adhesion process.
【００１６】本発明において最も好ましいポリイミド系
樹脂は、一般に芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン
酸二無水物との混合物からポリアミド酸（前駆体）を合
成し、これを加熱により脱水環化（イミド化）すること
によって得られる（下記式参照）。The most preferred polyimide resin in the present invention is generally a polyamic acid (precursor) synthesized from a mixture of an aromatic diamine and an aromatic tetracarboxylic dianhydride, which is heated for dehydration cyclization (imidization). ) Is obtained (see the following formula).
【００１７】[0017]
【化１】 Embedded image
【００１８】Ａｒを含むイミド結合部位およびＡｒ’と
しては、具体的には次表の芳香族基等が任意の組合せで
用いられる。As the imide bond site containing Ar and Ar ', the aromatic groups shown in the following table are specifically used in any combination.
【００１９】[0019]
【表１】 [Table 1]
【００２０】[0020]
【表２】 [Table 2]
【００２１】このようなポリイミド系樹脂の前駆体が熱
硬化性ポリイミド樹脂として市販されており、本発明に
おいては、たとえばセミコファインＳＰ−８１１（商品
名：東レ（株）製）、セミコファインＳＰ−５１０（商
品名：東レ（株）製）等が好ましく用いられる。本発明
に係るウェハダイシング・接着用シートの接着剤層を構
成するポリイミド系樹脂は、上記のような前駆体を適当
な加熱により硬化させることにより得られる。また、上
記のようなポリイミドの前駆体そのものを接着剤層のポ
リイミド系樹脂の構成成分として用い、最終接着工程に
よる加熱により完全に硬化させてポリイミド化するよう
な方法で用いることもできる。A precursor of such a polyimide resin is commercially available as a thermosetting polyimide resin. In the present invention, for example, Semicofine SP-811 (trade name: manufactured by Toray Industries, Inc.), Semicofine SP- 510 (trade name: manufactured by Toray Industries, Inc.) and the like are preferably used. The polyimide-based resin that constitutes the adhesive layer of the wafer dicing / adhesion sheet according to the present invention is obtained by curing the above precursor by appropriate heating. It is also possible to use the above-mentioned polyimide precursor itself as a constituent component of the polyimide resin of the adhesive layer and to completely cure it by heating in the final bonding step to form a polyimide.
【００２２】接着剤層を構成する含窒素有機化合物と
は、分子中に少なくとも１つの窒素原子を有する有機化
合物を指す。該含窒素有機化合物はポリイミド系樹脂と
相溶し、乾燥状態で相分離しない接着剤相を形成する。
該含窒素有機化合物は常温常圧において液状状態であっ
ても、固体状態であっても良い。The nitrogen-containing organic compound constituting the adhesive layer means an organic compound having at least one nitrogen atom in the molecule. The nitrogen-containing organic compound is compatible with the polyimide resin and forms an adhesive phase that does not phase separate in the dry state.
The nitrogen-containing organic compound may be in a liquid state or a solid state at room temperature and atmospheric pressure.
【００２３】このような含窒素有機化合物としては、ト
リエタノールアミン、α，ω−ビス（３−アミノプロピ
ル）ポリエチレングリコールエーテル；低分子量のアミ
ド樹脂、ウレタン樹脂、アミド酸樹脂等の含窒素化合物
が用いられる。Examples of such nitrogen-containing organic compounds include triethanolamine, α, ω-bis (3-aminopropyl) polyethylene glycol ether; nitrogen-containing compounds such as low molecular weight amide resins, urethane resins and amic acid resins. Used.
【００２４】含窒素有機化合物は、前記ポリイミド系樹
脂１００重量部に対して、好ましくは０．５〜５０重量
部、好ましくは特に好ましくは３〜３０重量部の割合で
用いられる。The nitrogen-containing organic compound is used in an amount of preferably 0.5 to 50 parts by weight, particularly preferably 3 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyimide resin.
【００２５】本発明にかかるウェハダイシング・接着用
シートの接着剤層は、上記のようなポリイミド系樹脂、
含窒素有機化合物とを含む接着剤組成物から形成されて
いる。この接着剤組成物には、必要に応じ、シリコーン
樹脂、アクリル樹脂、アミド樹脂、ウレタン樹脂等が添
加されていてもよい。また、接着剤組成物を調製する際
に、上記各成分を均一に溶解・分散させることが可能な
溶媒を用いることもできる。このような溶媒としては、
上記材料を均一に溶解できるものであれば特に限定はな
く、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、
ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベ
ンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロ
フラン、エチルセルソルブ、ジオキサン等を挙げること
ができ。１種類のみを用いてもよいし、２種類以上を混
合して用いてもよい。The adhesive layer of the wafer dicing / adhesion sheet according to the present invention is composed of the above-mentioned polyimide resin,
It is formed from an adhesive composition containing a nitrogen-containing organic compound. A silicone resin, an acrylic resin, an amide resin, a urethane resin, or the like may be added to this adhesive composition, if necessary. Further, when preparing the adhesive composition, it is possible to use a solvent capable of uniformly dissolving and dispersing the above components. As such a solvent,
There is no particular limitation as long as it can dissolve the above materials uniformly, and examples thereof include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide,
Examples thereof include diethylene glycol dimethyl ether, toluene, benzene, xylene, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, dioxane and the like. Only one kind may be used, or two or more kinds may be mixed and used.
【００２６】本発明にかかるウェハダイシング・接着用
シートは、上記のような接着剤組成物を、基材上に塗布
し、塗膜を乾燥することにより得られる。接着剤層の膜
厚は、好ましくは１〜５０μｍ程度であり、特に好まし
くは１０〜２０μｍ程度である。The wafer dicing / adhesion sheet according to the present invention is obtained by applying the adhesive composition as described above on a substrate and drying the coating film. The thickness of the adhesive layer is preferably about 1 to 50 μm, particularly preferably about 10 to 20 μm.
【００２７】かくして得られるウェハダイシング・接着
用シートは、室温での貼付（いわゆる感圧接着）か、ま
たは温和な加熱・加圧でウェハに接着して、ダイシング
が可能になる。この時の接着力はシリコンウェハに対し
好ましくは１００ｇ／２５ｍｍ以上、特に好ましくは４
００ｇ／２５ｍｍ以上である。The wafer dicing / adhesion sheet thus obtained can be attached at room temperature (so-called pressure-sensitive adhesion) or adhered to the wafer by mild heating / pressurization for dicing. The adhesive force at this time is preferably 100 g / 25 mm or more for the silicon wafer, and particularly preferably 4
It is 00 g / 25 mm or more.
【００２８】さらに本発明のウェハダイシング・接着用
シートの基材と接着剤層との接着力は、前記シリコンウ
ェハに対する接着力よりも小さい値が好ましく、より好
ましくは、１００ｇ／２５ｍｍ以下である。これにより
ダイシングされたチップが接着剤層を接着したままピッ
クアップが可能となる。Further, the adhesive force between the base material and the adhesive layer of the wafer dicing / adhesive sheet of the present invention is preferably smaller than the adhesive force to the silicon wafer, more preferably 100 g / 25 mm or less. As a result, the diced chip can be picked up with the adhesive layer adhered.
【００２９】次に本発明に係るウェハダイシング・接着
用シートの使用方法について説明する。まず、接着用シ
ートをダイシング装置上に固定し、シリコンウェハの一
方の面を接着用シートに貼着して固定する。必要に応じ
てウェハを温和な加熱・加圧をすることにより、接着力
を向上させても良い。次いで、ダイシングソーなどの切
断手段を用いて、上記のシリコンウェハと接着用シート
とを切断してＩＣチップを得る。この際のシリコンウェ
ハと接着用シートの接着剤層との接着力が、接着用シー
トの接着剤層と基材との接着力よりも強く、接着剤層を
ＩＣチップの片面に固着残存させて基材から剥離するこ
とができる。Next, a method of using the wafer dicing / bonding sheet according to the present invention will be described. First, the adhesive sheet is fixed on the dicing device, and one surface of the silicon wafer is attached and fixed to the adhesive sheet. The adhesive force may be improved by mildly heating and pressurizing the wafer as needed. Then, the silicon wafer and the adhesive sheet are cut using a cutting means such as a dicing saw to obtain an IC chip. At this time, the adhesive force between the silicon wafer and the adhesive layer of the adhesive sheet is stronger than the adhesive force between the adhesive layer of the adhesive sheet and the base material, and the adhesive layer is fixed and left on one side of the IC chip. It can be peeled from the substrate.
【００３０】このようにして接着剤層が固着されている
ＩＣチップをリードフレームに載置し、次いで加熱す
る。加熱温度は、通常は１００〜３００℃、好ましくは
１５０〜２５０℃であり、加熱時間は、通常は１秒〜６
０分、好ましくは１秒〜１分である。このような加熱に
より、接着剤層中のポリイミド系樹脂を硬化させ、ＩＣ
チップとリードフレームとを強固に接着することができ
る。The IC chip to which the adhesive layer is thus fixed is placed on the lead frame and then heated. The heating temperature is usually 100 to 300 ° C, preferably 150 to 250 ° C, and the heating time is usually 1 second to 6 ° C.
It is 0 minutes, preferably 1 second to 1 minute. By such heating, the polyimide resin in the adhesive layer is cured, and the IC
It is possible to firmly bond the chip and the lead frame.
【００３１】なお、本発明の接着用シートは、上記のよ
うな使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミック
ス、金属などの接着に使用することもできる。The adhesive sheet of the present invention can be used for adhering semiconductor compounds, glass, ceramics, metals and the like, in addition to the above-mentioned usage.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明によれば、室温条件または温和な
熱圧着条件でウエハに貼着可能で回路面等への負担が少
なく、さらにダイシングの際にはダイシングテープとし
て使用することができ、しかも接着剤としてウェハ裏面
にマウントすることができ、リードフレーム等との接着
力に優れ、ダイボンド後に耐熱性、耐老化性等に優れた
硬化物を形成しうる接着剤層を備えた接着用シートを提
供することができる。According to the present invention, it can be adhered to a wafer under room temperature conditions or mild thermocompression bonding conditions, has less burden on the circuit surface, etc., and can be used as a dicing tape during dicing, Moreover, an adhesive sheet having an adhesive layer that can be mounted on the back surface of a wafer as an adhesive and has excellent adhesive strength to lead frames and the like, and can form a cured product having excellent heat resistance and aging resistance after die bonding. Can be provided.
【００３３】[0033]
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００３４】なお、以下の実施例および比較例におい
て、「接着力」は次のようにして評価した。接着力 基材と接着剤層間の接着力は、接着用シートの接着剤層
面を両面粘着テープで鋼板に固定し、基材を１８０°剥
離する際の応力をＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて測定し、
接着力（Ａ）とした。In the following examples and comparative examples, the "adhesive strength" was evaluated as follows. Adhesive strength The adhesive strength between the base material and the adhesive layer is determined by fixing the adhesive layer surface of the adhesive sheet to a steel plate with a double-sided adhesive tape and measuring the stress when peeling the base material by 180 ° according to JIS Z0237.
The adhesive strength (A) was used.
【００３５】接着剤とシリコンウェハ間の接着力は、室
温または所定の温度に加熱したシリコンウェハの鏡面仕
上げ面に接着用シートを貼着し、次いで基材を接着剤層
から剥離し、該接着剤層面に２５ｍｍ幅のセロハンテー
プに貼着した後、セロハンテープとともに接着剤層をシ
リコンウェハから１８０°剥離する際の応力をＪＩＳＺ
０２３７に準じて測定し、接着力（Ｂ）とした。The adhesive force between the adhesive and the silicon wafer is determined by attaching an adhesive sheet to the mirror-finished surface of the silicon wafer heated to room temperature or a predetermined temperature, and then peeling the base material from the adhesive layer, After applying the cellophane tape with a width of 25 mm on the agent layer surface, the stress when peeling the adhesive layer together with the cellophane tape from the silicon wafer by 180 ° is JISZ.
The adhesive strength (B) was measured according to 0237.
【００３６】[0036]
【実施例１】 熱硬化性ポリイミド樹脂：１００重量部 トリエタノールアミン（分子量１４９）：３０重量部お
よび溶媒（Ｎ−メチルピロリドン）：５２５重量部から
なる接着剤組成物をシリコーン剥離処理したポリエチレ
ンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）に塗布し、
接着剤層の厚さが１５μｍの接着用シートを得た。乾燥
は、遠赤外線を用いて２０〜３０秒行ない、接着剤面を
離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム
からなる剥離シート（厚さ３８μｍ）で保護した。上記
のようにして接着力を測定した結果を表３に示す。Example 1 Polyethylene terephthalate obtained by subjecting an adhesive composition comprising a thermosetting polyimide resin: 100 parts by weight, triethanolamine (molecular weight: 149): 30 parts by weight and a solvent (N-methylpyrrolidone): 525 parts by weight, to a silicone release treatment. Apply to a film (thickness 50 μm),
An adhesive sheet having an adhesive layer thickness of 15 μm was obtained. Drying was performed for 20 to 30 seconds using far infrared rays, and the adhesive surface was protected with a release sheet (thickness 38 μm) made of a polyethylene terephthalate film having a release treatment. Table 3 shows the results of measuring the adhesive force as described above.
【００３７】得られた接着用シートを、剥離シートを残
してウェハダイシング用リングフレームの形状に型抜き
し、リンテック社製ウェハ貼着装置（Adwill RAD 250
0、商品名）でリングフレーム及び５インチ径ウェハに
常温で貼着し、公知の方法でダイシング及びリードフレ
ームへのダイボンディングを行った。ダイシング工程、
ピックアップ工程、及びダイボンディング工程は問題な
く行うことができた。またチップとリードフレームの接
着性も充分であった。結果を表３に示す。The obtained adhesive sheet was die-cut into the shape of a ring frame for wafer dicing, leaving a release sheet, and a wafer sticking device (Adwill RAD 250 manufactured by Lintec Co., Ltd. was used.
No. 0, trade name) was attached to a ring frame and a 5-inch diameter wafer at room temperature, and dicing and die bonding to a lead frame were performed by a known method. Dicing process,
The pickup process and the die bonding process could be performed without any problems. Also, the adhesiveness between the chip and the lead frame was sufficient. The results are shown in Table 3.
【００３８】[0038]
【実施例２】熱可塑性ポリイミド樹脂溶液（３０重量
％）３３３重量部に２０重量部のα，ω−ビス（３−ア
ミノプロピル）ポリエチレングリコールエーテル（広栄
化学工業（株）製、分子量約１０００）を添加し、攪拌
して接着剤組成物を得た。得られた接着剤組成物をポリ
フェニレンサルファイドフィルム（厚さ５０μｍ、東レ
（株）製）の剥離処理面に塗布乾燥し、実施例１と同じ
剥離シートで保護された厚さが１５μｍの接着剤層を有
する接着用シートを得た。Example 2 333 parts by weight of a thermoplastic polyimide resin solution (30% by weight) and 20 parts by weight of α, ω-bis (3-aminopropyl) polyethylene glycol ether (manufactured by Koei Chemical Industry Co., Ltd., molecular weight: about 1000) Was added and stirred to obtain an adhesive composition. The obtained adhesive composition was applied to the release-treated surface of a polyphenylene sulfide film (thickness: 50 μm, manufactured by Toray Industries, Inc.), dried, and protected with the same release sheet as in Example 1, and an adhesive layer having a thickness of 15 μm. An adhesive sheet having
【００３９】得られた接着用シートを１５０℃に加熱し
たシリコンウェハおよびリングフレームに貼付し、１kg
のゴムロールで圧着した。貼着後、実施例１と同様にダ
イシング及びダイボンディングを行った。いずれの工程
も問題なく行うことができた。またチップとリードフレ
ームの接着性も充分であった。結果を表３に示す。The obtained adhesive sheet was attached to a silicon wafer and a ring frame heated to 150 ° C. and 1 kg
It was pressure-bonded with a rubber roll. After sticking, dicing and die bonding were performed in the same manner as in Example 1. All steps could be performed without any problems. Also, the adhesiveness between the chip and the lead frame was sufficient. The results are shown in Table 3.
【００４０】[0040]
【実施例３】実施例２と同じポリイミド樹脂溶液に、ポ
リイミド樹脂１００重量部に対して３０重量部のトリエ
タノールアミンを添加し、攪拌して接着剤組成物を得
た。得られた接着剤組成物を、シリコーン剥離処理した
ポリエステルフィルム（厚さ５０μｍ）の剥離処理面に
塗布し乾燥し、実施例１と同じ剥離シートで保護された
厚さが１５μｍの厚さの接着剤層を有する接着用シート
を得た。Example 3 To the same polyimide resin solution as in Example 2, 30 parts by weight of triethanolamine was added to 100 parts by weight of the polyimide resin, and the mixture was stirred to obtain an adhesive composition. The obtained adhesive composition was applied to the release-treated surface of a silicone release-treated polyester film (thickness: 50 μm), dried, and protected with the same release sheet as in Example 1 and bonded to a thickness of 15 μm. An adhesive sheet having an agent layer was obtained.
【００４１】得られた接着用シートを用いて実施例１と
同様の操作を行なった。いずれの工程も問題なく行うこ
とができた。またチップとリードフレームの接着性も充
分であった。結果を表３に示す。The same operation as in Example 1 was carried out using the obtained adhesive sheet. All steps could be performed without any problems. Also, the adhesiveness between the chip and the lead frame was sufficient. The results are shown in Table 3.
【００４２】[0042]
【比較例１】実施例１で使用した熱硬化性ポリイミド樹
脂をポリフェニレンサルファイドフィルム（厚さ５０μ
ｍ、東レ（株）製）に塗布し、厚さが１５μｍのポリイ
ミド樹脂層を形成し、接着用シートを得た。Comparative Example 1 The thermosetting polyimide resin used in Example 1 was used as a polyphenylene sulfide film (thickness: 50 μm).
m, manufactured by Toray Industries, Inc.) to form a polyimide resin layer having a thickness of 15 μm to obtain an adhesive sheet.
【００４３】ウェハを２００℃に加熱し、ウェハの裏面
に上記の接着用シートを加熱ロールにより１０kg/cm2で
圧着しようとしたが、接着できず、続く工程も行うこと
ができなかった。接着力を表３に示す。The wafer was heated to 200 ° C. and the above-mentioned adhesive sheet was tried to be pressure-bonded to the back surface of the wafer by a heating roll at 10 kg / cm 2 , but the adhesive could not be adhered and the subsequent steps could not be performed. The adhesive strength is shown in Table 3.
【００４４】[0044]
【表３】 [Table 3]
Claims (3)
からなり、該接着剤層がポリイミド系樹脂と該ポリイミ
ド系樹脂と相溶する含窒素有機化合物とを含む接着剤組
成物からなるウェハダイシング・接着用シート。1. An adhesive composition comprising a substrate and an adhesive layer formed thereon, the adhesive layer containing a polyimide resin and a nitrogen-containing organic compound compatible with the polyimide resin. Wafer dicing / adhesive sheet consisting of.
とシリコンウェハとの接着力よりも小さいことを特徴と
する請求項１に記載のウェハダイシング・接着用シー
ト。2. The wafer dicing / adhesion sheet according to claim 1, wherein the adhesive force between the base material and the adhesive layer is smaller than the adhesive force between the adhesive layer and the silicon wafer.
１００重量部に対し含窒素有機化合物０．５〜５０重量
部とを含む接着剤組成物からなることを特徴とする請求
項１または２に記載のウェハダイシング・接着用シー
ト。3. The adhesive composition comprises an adhesive composition containing 0.5 to 50 parts by weight of a nitrogen-containing organic compound with respect to 100 parts by weight of the polyimide resin. The wafer dicing / adhesion sheet described in.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7223988A JPH0967558A (en) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | Adhesive sheet for wafer dicing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7223988A JPH0967558A (en) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | Adhesive sheet for wafer dicing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0967558A true JPH0967558A (en) | 1997-03-11 |
Family
ID=16806830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7223988A Pending JPH0967558A (en) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | Adhesive sheet for wafer dicing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0967558A (en) |
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- 1995-08-31 JP JP7223988A patent/JPH0967558A/en active Pending
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