JPH0966669A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH0966669A JPH0966669A JP7224072A JP22407295A JPH0966669A JP H0966669 A JPH0966669 A JP H0966669A JP 7224072 A JP7224072 A JP 7224072A JP 22407295 A JP22407295 A JP 22407295A JP H0966669 A JPH0966669 A JP H0966669A
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- JP
- Japan
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- thin film
- recording
- wavelength
- thickness
- optical disc
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 種々の特性の劣化を防止しつつ、レーザ光の
短波長化に対応できる光ディスクを提供し、これによ
り、さらなる高記録密度化を図る。 【解決手段】 ディスク基板１上に、記録層２として、
第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３、Ｂｉ2 Ｔｅ3 薄膜４、第２
のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜５がこの順に積層され、さらにこの
上にＡｌ薄膜６が形成されてなり、記録層２をレーザ光
の照射により合金化させることによって、情報の記録が
なされる光ディスクであって、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜
３の膜厚が３０ｎｍ未満となされているものである。特
に、情報の記録に際して波長が６８０ｎｍのレーザ光を
用いる場合には、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を１
７ｎｍ〜２３ｎｍとする。
短波長化に対応できる光ディスクを提供し、これによ
り、さらなる高記録密度化を図る。 【解決手段】 ディスク基板１上に、記録層２として、
第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３、Ｂｉ2 Ｔｅ3 薄膜４、第２
のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜５がこの順に積層され、さらにこの
上にＡｌ薄膜６が形成されてなり、記録層２をレーザ光
の照射により合金化させることによって、情報の記録が
なされる光ディスクであって、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜
３の膜厚が３０ｎｍ未満となされているものである。特
に、情報の記録に際して波長が６８０ｎｍのレーザ光を
用いる場合には、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を１
７ｎｍ〜２３ｎｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、追記型のメモリー
形態に対応した光ディスクに関する。
形態に対応した光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報記録の分野においては、光学
情報記録方式に関する研究が盛んに進められている。こ
の光学情報記録方式は、非接触で記録／再生が行えるこ
と、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度を達
成できること、再生専用型、追記型、書換可能型のそれ
ぞれのメモリー形態に対応できること等、数々の利点を
有しており、安価な大容量ファイルを実現する方式とし
て産業用から民生用まで幅広い用途への適用が考えられ
ている。
情報記録方式に関する研究が盛んに進められている。こ
の光学情報記録方式は、非接触で記録／再生が行えるこ
と、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度を達
成できること、再生専用型、追記型、書換可能型のそれ
ぞれのメモリー形態に対応できること等、数々の利点を
有しており、安価な大容量ファイルを実現する方式とし
て産業用から民生用まで幅広い用途への適用が考えられ
ている。
【０００３】追記型のメモリー形態に対応した光ディス
クの１つとして、ガラスあるいはプラスチックよりなる
ディスク基板上に、記録層として、第１のＳｂ2 Ｓｅ3
薄膜、Ｂｉ2 Ｔｅ3 薄膜、第２のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜がこ
の順に積層され、さらにこの上にＡｌ薄膜が形成された
ものがある。
クの１つとして、ガラスあるいはプラスチックよりなる
ディスク基板上に、記録層として、第１のＳｂ2 Ｓｅ3
薄膜、Ｂｉ2 Ｔｅ3 薄膜、第２のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜がこ
の順に積層され、さらにこの上にＡｌ薄膜が形成された
ものがある。
【０００４】この光ディスクにおいては、レーザ光の熱
によって合金化を行い、材料組成を変化させ、この変化
前後の反射率の違いを利用することによって情報の記録
を行っている。具体的には、レーザ光を照射し、Ｂｉ2
Ｔｅ3 合金と、この上下に存在するＳｂ2 Ｓｅ3 合金と
を反応させて、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系の４元合金を
生成させることによって、反射率を変化させている。
によって合金化を行い、材料組成を変化させ、この変化
前後の反射率の違いを利用することによって情報の記録
を行っている。具体的には、レーザ光を照射し、Ｂｉ2
Ｔｅ3 合金と、この上下に存在するＳｂ2 Ｓｅ3 合金と
を反応させて、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系の４元合金を
生成させることによって、反射率を変化させている。
【０００５】この光ディスクに対して実際に記録を行う
に際しては、上述の規格に基づいて、波長が７８０ｎｍ
あるいは８３０ｎｍであるレーザ光を用いる。なお、こ
の光ディスクにおいては、上述の波長のレーザ光を１０
ｍＷ程度の記録パワーにて用いることにより、所望の記
録ピット長を形成することができるようになされ、ま
た、波長が７８０ｎｍのレーザ光が照射されたときの反
射率が約１５％となるように構成されている（以下、こ
の光ディスクを「現行波長用光ディスク」と称すること
とする。）。
に際しては、上述の規格に基づいて、波長が７８０ｎｍ
あるいは８３０ｎｍであるレーザ光を用いる。なお、こ
の光ディスクにおいては、上述の波長のレーザ光を１０
ｍＷ程度の記録パワーにて用いることにより、所望の記
録ピット長を形成することができるようになされ、ま
た、波長が７８０ｎｍのレーザ光が照射されたときの反
射率が約１５％となるように構成されている（以下、こ
の光ディスクを「現行波長用光ディスク」と称すること
とする。）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、今後、光デ
ィスクの高記録密度化を進めていくためには、レーザ光
を短波長化することが、最も単純かつ適当な方法である
と考えられる。このような要求の中、最近では、波長が
６８０ｎｍのレーザ光の実用化が達成されつつある。
ィスクの高記録密度化を進めていくためには、レーザ光
を短波長化することが、最も単純かつ適当な方法である
と考えられる。このような要求の中、最近では、波長が
６８０ｎｍのレーザ光の実用化が達成されつつある。
【０００７】特に、光磁気ディスク（以下、ＭＯディス
クと称す。）の分野においては、波長が６８０ｎｍのレ
ーザ光を用いて記録／再生を行うドライブの開発が進め
られており、追記型の光ディスクも、このＭＯディスク
と共通のドライブにて記録／再生できるようになること
が望まれる。なお、この波長が６８０ｎｍのレーザ光を
用いるドライブ（以下、「６８０ｎｍ用ドライブ」と称
することとする。）においては、記録パワーが最大で１
３ｍＷ、記録層からの反射率が１０〜２５％と設定され
ると思われる。
クと称す。）の分野においては、波長が６８０ｎｍのレ
ーザ光を用いて記録／再生を行うドライブの開発が進め
られており、追記型の光ディスクも、このＭＯディスク
と共通のドライブにて記録／再生できるようになること
が望まれる。なお、この波長が６８０ｎｍのレーザ光を
用いるドライブ（以下、「６８０ｎｍ用ドライブ」と称
することとする。）においては、記録パワーが最大で１
３ｍＷ、記録層からの反射率が１０〜２５％と設定され
ると思われる。
【０００８】しかしながら、前述したような現行波長用
光ディスクに対して、６８０ｎｍ用ドライブを用いて記
録を行うと、通常の記録パワーでは記録感度が不足して
しまう。例えば、ＭＯディスクでは１０ｍＷなる記録パ
ワーにて形成できた記録ピット長を得るためには、１３
ｍＷを大幅に越えた記録パワーが必要となってしまい、
通常の６８０ｎｍ用ドライブでは対応しきれなくなる。
光ディスクに対して、６８０ｎｍ用ドライブを用いて記
録を行うと、通常の記録パワーでは記録感度が不足して
しまう。例えば、ＭＯディスクでは１０ｍＷなる記録パ
ワーにて形成できた記録ピット長を得るためには、１３
ｍＷを大幅に越えた記録パワーが必要となってしまい、
通常の６８０ｎｍ用ドライブでは対応しきれなくなる。
【０００９】また、波長が７８０ｎｍのレーザ光を用い
たときには、約１５％であった反射率も、波長が６８０
ｎｍのレーザ光を用いると、約７％まで低下してしま
う。さらには、レーザ光を短波長化することにより、再
生安定性も劣化してしまう。
たときには、約１５％であった反射率も、波長が６８０
ｎｍのレーザ光を用いると、約７％まで低下してしま
う。さらには、レーザ光を短波長化することにより、再
生安定性も劣化してしまう。
【００１０】そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、レーザ光を短波長化して
も、種々の特性の劣化を防止できる、高記録密度化に適
した光ディスクを提供することを目的とする。
みて提案されたものであり、レーザ光を短波長化して
も、種々の特性の劣化を防止できる、高記録密度化に適
した光ディスクを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、ディスク基板上
に、記録層として、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜、Ｂｉ2 Ｔ
ｅ3 薄膜、第２のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜がこの順に積層さ
れ、さらにこの上にＡｌ薄膜が形成されてなり、第１の
Ｓｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚が３０ｎｍ未満となされている
ものである。
達成するために提案されたものであり、ディスク基板上
に、記録層として、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜、Ｂｉ2 Ｔ
ｅ3 薄膜、第２のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜がこの順に積層さ
れ、さらにこの上にＡｌ薄膜が形成されてなり、第１の
Ｓｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚が３０ｎｍ未満となされている
ものである。
【００１２】このように第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚
を薄くすることにより、記録感度が向上し、記録層の反
射率も高まり、また、再生安定性も向上する。
を薄くすることにより、記録感度が向上し、記録層の反
射率も高まり、また、再生安定性も向上する。
【００１３】特に、情報の記録に際して波長が６８０ｎ
ｍのレーザ光を用いる場合には、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄
膜の膜厚が１７ｎｍ〜２３ｎｍとなされて好適である。
ｍのレーザ光を用いる場合には、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄
膜の膜厚が１７ｎｍ〜２３ｎｍとなされて好適である。
【００１４】なお、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚が２
３ｎｍよりも厚くされた光ディスクに対して、ＭＯディ
スクに使用される６８０ｎｍ用ドライブを用いると、記
録層からの反射率が不足して、正確な読み出しが困難と
なる。また、この光ディスクの記録感度も不足するた
め、所望の記録ピット長を得るために非常に大きな記録
パワーが必要となる。さらに、再生安定性も劣化する。
逆に、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚が１７ｎｍ未満と
なされた光ディスクに対して、ＭＯディスクに使用され
る６８０ｎｍ用ドライブを用いると、記録層からの反射
率が高くなりすぎてかえって正確な読み出しが困難とな
る。また、この光ディスクの記録感度が高すぎて、所望
の記録ピット長よりも長いピットが形成されてしまった
りする。
３ｎｍよりも厚くされた光ディスクに対して、ＭＯディ
スクに使用される６８０ｎｍ用ドライブを用いると、記
録層からの反射率が不足して、正確な読み出しが困難と
なる。また、この光ディスクの記録感度も不足するた
め、所望の記録ピット長を得るために非常に大きな記録
パワーが必要となる。さらに、再生安定性も劣化する。
逆に、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚が１７ｎｍ未満と
なされた光ディスクに対して、ＭＯディスクに使用され
る６８０ｎｍ用ドライブを用いると、記録層からの反射
率が高くなりすぎてかえって正確な読み出しが困難とな
る。また、この光ディスクの記録感度が高すぎて、所望
の記録ピット長よりも長いピットが形成されてしまった
りする。
【００１５】ところで、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚
以外の構成は、７８０ｎｍあるいは８３０ｎｍなる波長
のレーザ光を用いて記録がなされる光ディスク（現行波
長用光ディスク）と同様であればよい。このため、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 薄膜の膜厚は１２ｎｍ程度、第２のＳｂ2 Ｓｅ
3 薄膜の膜厚は１３０ｎｍ程度、Ａｌ薄膜の膜厚は１０
０ｎｍ程度となされて好適である。
以外の構成は、７８０ｎｍあるいは８３０ｎｍなる波長
のレーザ光を用いて記録がなされる光ディスク（現行波
長用光ディスク）と同様であればよい。このため、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 薄膜の膜厚は１２ｎｍ程度、第２のＳｂ2 Ｓｅ
3 薄膜の膜厚は１３０ｎｍ程度、Ａｌ薄膜の膜厚は１０
０ｎｍ程度となされて好適である。
【００１６】また、ディスク基板の材料も、従来と同様
の光学特性および機械特性を有するものであればよく、
ガラスであっても、プラスチックであってもよい。プラ
スチックとしては、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、ポ
リカーボネート、エポキシ樹脂等が使用可能である。さ
らに、この光ディスクにおいては、Ａｌ薄膜上を紫外線
硬化樹脂等よりなる保護膜にて被覆してもよい。
の光学特性および機械特性を有するものであればよく、
ガラスであっても、プラスチックであってもよい。プラ
スチックとしては、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、ポ
リカーボネート、エポキシ樹脂等が使用可能である。さ
らに、この光ディスクにおいては、Ａｌ薄膜上を紫外線
硬化樹脂等よりなる保護膜にて被覆してもよい。
【００１７】以上のように、本発明を適用することによ
り、情報の記録に用いるレーザ光を短波長化しても、種
々の特性の劣化を防止できるようになる。
り、情報の記録に用いるレーザ光を短波長化しても、種
々の特性の劣化を防止できるようになる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を適用した実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１９】実施例１ 本実施例に係る光ディスクは、記録に用いるレーザ光を
６８０ｎｍに短波長化した場合に適用可能な追記型光デ
ィスクである。
６８０ｎｍに短波長化した場合に適用可能な追記型光デ
ィスクである。
【００２０】具体的には、この光ディスクは、ポリカー
ボネートよりなり、直径３００ｍｍのディスク基板１上
に、記録層２として、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 薄膜４、第２のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜５がこの順に
積層され、さらにこの上に、Ａｌ薄膜６が形成されてな
る。
ボネートよりなり、直径３００ｍｍのディスク基板１上
に、記録層２として、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３、Ｂｉ
2 Ｔｅ3 薄膜４、第２のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜５がこの順に
積層され、さらにこの上に、Ａｌ薄膜６が形成されてな
る。
【００２１】なお、Ｂｉ2 Ｔｅ3 薄膜４、第２のＳｂ2
Ｓｅ3 薄膜５、Ａｌ薄膜６は、それぞれスパッタリング
法によって、順に、１５ｎｍ、１３０ｎｍ、１００ｎｍ
なる膜厚に成膜されている。ここまでの構成は、現行波
長用光ディスクと同様である。
Ｓｅ3 薄膜５、Ａｌ薄膜６は、それぞれスパッタリング
法によって、順に、１５ｎｍ、１３０ｎｍ、１００ｎｍ
なる膜厚に成膜されている。ここまでの構成は、現行波
長用光ディスクと同様である。
【００２２】これに対して、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３
は、他の薄膜同様スパッタリング法によって成膜される
が、その膜厚が現行波長用光ディスクの３０ｎｍ程度に
比して２０ｎｍと薄くなされている。
は、他の薄膜同様スパッタリング法によって成膜される
が、その膜厚が現行波長用光ディスクの３０ｎｍ程度に
比して２０ｎｍと薄くなされている。
【００２３】以上のような構成を有する光ディスクに対
して、波長が６８０ｎｍのレーザ光を照射したところ、
記録層２からの反射率が１５％であった。この値は、波
長が７８０ｎｍのレーザ光を現行波長用光ディスクに照
射したときの反射率と同レベルである。
して、波長が６８０ｎｍのレーザ光を照射したところ、
記録層２からの反射率が１５％であった。この値は、波
長が７８０ｎｍのレーザ光を現行波長用光ディスクに照
射したときの反射率と同レベルである。
【００２４】また、上述の光ディスクに対して、波長が
６８０ｎｍのレーザ光を用いて、実際に情報の記録を行
った。ここで、情報の記録は、レーザ光を照射した部分
におけるＢｉ2 Ｔｅ3 合金とこの上下に存在するＳｂ−
Ｓｅ系合金とを反応させて、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系
の４元合金を生成させ、反射率を変化させることによっ
て行った。この結果、２８０ｎｓｅｃの記録ピット長を
得るために必要な記録パワー（以下、最適記録パワーと
する。）は１１．５ｍＷであり、波長が７８０ｎｍおよ
び８３０ｎｍのレーザ光を用いて現行波長用光ディスク
に記録を行う場合の最適記録パワーと同レベルとなっ
た。
６８０ｎｍのレーザ光を用いて、実際に情報の記録を行
った。ここで、情報の記録は、レーザ光を照射した部分
におけるＢｉ2 Ｔｅ3 合金とこの上下に存在するＳｂ−
Ｓｅ系合金とを反応させて、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系
の４元合金を生成させ、反射率を変化させることによっ
て行った。この結果、２８０ｎｓｅｃの記録ピット長を
得るために必要な記録パワー（以下、最適記録パワーと
する。）は１１．５ｍＷであり、波長が７８０ｎｍおよ
び８３０ｎｍのレーザ光を用いて現行波長用光ディスク
に記録を行う場合の最適記録パワーと同レベルとなっ
た。
【００２５】これらの結果は、本実施例の光ディスク
は、ＭＯディスクに対する記録／再生を行うための６８
０ｎｍ用ドライブによって、記録／再生を行うことが可
能であることを示している。即ち、本実施例の光ディス
クにおいては、レーザ光を短波長化しても、記録感度の
劣化を防止できることがわかった。
は、ＭＯディスクに対する記録／再生を行うための６８
０ｎｍ用ドライブによって、記録／再生を行うことが可
能であることを示している。即ち、本実施例の光ディス
クにおいては、レーザ光を短波長化しても、記録感度の
劣化を防止できることがわかった。
【００２６】さらに、上述の光ディスクに記録された情
報を１．８ｍＷの読み出しパワーによって繰り返し読み
出し、Ｃ／Ｎ比の低下について測定した。この結果、通
常の籾だしパワーよりも５割程高い読み出しパワーを用
いたにも関わらず、数万回の読み出しを行っても、初期
のＣ／Ｎ比から２ｄＢも低下しなかった。
報を１．８ｍＷの読み出しパワーによって繰り返し読み
出し、Ｃ／Ｎ比の低下について測定した。この結果、通
常の籾だしパワーよりも５割程高い読み出しパワーを用
いたにも関わらず、数万回の読み出しを行っても、初期
のＣ／Ｎ比から２ｄＢも低下しなかった。
【００２７】以上のように、現行波長用光ディスクより
第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を薄くした光ディスク
は、レーザ光を短波長化しても、種々の特性が劣化しな
いものとなることがわかった。
第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を薄くした光ディスク
は、レーザ光を短波長化しても、種々の特性が劣化しな
いものとなることがわかった。
【００２８】以下、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚の
最適な範囲について調べるために、各種実験を行った。
最適な範囲について調べるために、各種実験を行った。
【００２９】実験１ 先ず、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚により記録感度
がどのように変化するかを調べた。具体的には、第１の
Ｓｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚が、３０ｎｍ（現行波長用光
ディスクと同じ）、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍとな
された以外は実施例１にて示した光ディスクと同様の構
成を有する光ディスクを用意し、これらの光ディスクに
対して６８０ｎｍなる波長のレーザ光を用いた記録を行
い、記録パワーと記録ピット長との関係について調べ
た。この結果を図２に示す。
がどのように変化するかを調べた。具体的には、第１の
Ｓｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚が、３０ｎｍ（現行波長用光
ディスクと同じ）、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍとな
された以外は実施例１にて示した光ディスクと同様の構
成を有する光ディスクを用意し、これらの光ディスクに
対して６８０ｎｍなる波長のレーザ光を用いた記録を行
い、記録パワーと記録ピット長との関係について調べ
た。この結果を図２に示す。
【００３０】図２より、２８０ｎｓｅｃの記録ピット長
を得るために必要な記録パワー（最適記録パワー）は、
第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を薄くするほど小さく
てすむことがわかる。即ち、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３
の膜厚を薄くするほど記録感度が向上することがわか
る。しかし、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を薄くし
すぎると、記録感度が高くなりすぎるため、通常用いて
いる記録パワー（１０ｍＷ程度）によって記録を行うこ
とにより、実際に記録されたピット長が所望のものより
大きくなってしまうこともわかる。
を得るために必要な記録パワー（最適記録パワー）は、
第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を薄くするほど小さく
てすむことがわかる。即ち、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３
の膜厚を薄くするほど記録感度が向上することがわか
る。しかし、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を薄くし
すぎると、記録感度が高くなりすぎるため、通常用いて
いる記録パワー（１０ｍＷ程度）によって記録を行うこ
とにより、実際に記録されたピット長が所望のものより
大きくなってしまうこともわかる。
【００３１】実験２ 次に、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚と、６８０ｎｍ
なる波長のレーザ光を照射したときの記録層２からの反
射率との関係を調べた。この結果を図３に示す。
なる波長のレーザ光を照射したときの記録層２からの反
射率との関係を調べた。この結果を図３に示す。
【００３２】図３より、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜
厚が３０ｎｍのとき、最も反射率が低く、これよりも膜
厚を厚くする、あるいは、薄くすることによって、反射
率を向上させることができることがわかる。但し、上述
したように、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚が厚すぎ
ると、記録感度が劣化することから、第１のＳｂ2 Ｓｅ
3 薄膜３の膜厚を３０ｎｍよりも薄くすることによっ
て、反射率を向上させることが好ましい。また、ＭＯデ
ィスクに対する記録／再生を行うための６８０ｎｍ用ド
ライブが、１０〜２５％の範囲の反射率に対応できるよ
うに設計されるであろうことを考慮すると、第１のＳｂ
2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を１７〜２３ｎｍなる範囲とする
ことが好ましいことがわかる。
厚が３０ｎｍのとき、最も反射率が低く、これよりも膜
厚を厚くする、あるいは、薄くすることによって、反射
率を向上させることができることがわかる。但し、上述
したように、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚が厚すぎ
ると、記録感度が劣化することから、第１のＳｂ2 Ｓｅ
3 薄膜３の膜厚を３０ｎｍよりも薄くすることによっ
て、反射率を向上させることが好ましい。また、ＭＯデ
ィスクに対する記録／再生を行うための６８０ｎｍ用ド
ライブが、１０〜２５％の範囲の反射率に対応できるよ
うに設計されるであろうことを考慮すると、第１のＳｂ
2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を１７〜２３ｎｍなる範囲とする
ことが好ましいことがわかる。
【００３３】実験３ 次いで、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を変化させる
ことにより、再生安定性がどのように変化するかを調べ
た。具体的には、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を、
２６ｎｍ、２０ｎｍ、１８ｎｍとした以外は実施例１に
て示された光ディスクと同様の構成を有する光ディスク
を用意し、これらの光ディスクに対して６８０ｎｍ用ド
ライブを用いた記録を行い、この情報を１８ｍＷの読み
出しパワーにて数万回に亘って読み出して、Ｃ／Ｎ比の
低下量について測定した。この結果を図４に示す。
ことにより、再生安定性がどのように変化するかを調べ
た。具体的には、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜厚を、
２６ｎｍ、２０ｎｍ、１８ｎｍとした以外は実施例１に
て示された光ディスクと同様の構成を有する光ディスク
を用意し、これらの光ディスクに対して６８０ｎｍ用ド
ライブを用いた記録を行い、この情報を１８ｍＷの読み
出しパワーにて数万回に亘って読み出して、Ｃ／Ｎ比の
低下量について測定した。この結果を図４に示す。
【００３４】図４より、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜３の膜
厚を薄くすることにより、多数回読み出してもＣ／Ｎ比
の低下量を抑制できるようになることがわかる。
厚を薄くすることにより、多数回読み出してもＣ／Ｎ比
の低下量を抑制できるようになることがわかる。
【００３５】以上の実験１〜実験３の結果より、レーザ
光を６８０ｎｍに短波長化しても、種々の特性が劣化し
ない光ディスクを得るためには、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄
膜３の膜厚を１７ｎｍ〜２３ｎｍに設定するとよいこと
がわかった。
光を６８０ｎｍに短波長化しても、種々の特性が劣化し
ない光ディスクを得るためには、第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄
膜３の膜厚を１７ｎｍ〜２３ｎｍに設定するとよいこと
がわかった。
【００３６】以上、本発明に係る光ディスクについて説
明したが、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、種々の変形変更が可能である。例えば、レーザ光
としては必ずしも６８０ｎｍなる波長のものを用いる必
要はなく、用いる波長によって第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜
３の膜厚を適宜変更すればよい。
明したが、本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、種々の変形変更が可能である。例えば、レーザ光
としては必ずしも６８０ｎｍなる波長のものを用いる必
要はなく、用いる波長によって第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜
３の膜厚を適宜変更すればよい。
【００３７】また、上述の実施例においては、ディスク
基板１の材料として、ポリカーボネートを用いたが、所
定の光学特性、機械特性を有するものであれば、いずれ
のプラスチックを用いてもよく、また、ガラスを用いて
もよい。さらに、上述の実施例の光ディスクは、ディス
ク基板１上に記録層２とＡｌ膜６が積層されてなるが、
Ａｌ膜６上に紫外線硬化樹脂等よりなる保護膜が形成さ
れた構成となされてもよい。
基板１の材料として、ポリカーボネートを用いたが、所
定の光学特性、機械特性を有するものであれば、いずれ
のプラスチックを用いてもよく、また、ガラスを用いて
もよい。さらに、上述の実施例の光ディスクは、ディス
ク基板１上に記録層２とＡｌ膜６が積層されてなるが、
Ａｌ膜６上に紫外線硬化樹脂等よりなる保護膜が形成さ
れた構成となされてもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を適用すると、種々の特性の劣化を防止しつつ、記録
に用いるレーザ光の短波長化に対応できるようになる。
明を適用すると、種々の特性の劣化を防止しつつ、記録
に用いるレーザ光の短波長化に対応できるようになる。
【００３９】このため、追記型の光ディスクのさらなる
高記録密度化を図ることも可能となる。
高記録密度化を図ることも可能となる。
【図１】光ディスクの一構成例を示す模式的断面図であ
る。
る。
【図２】第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚を種々に異なら
せたときの記録パワーと記録ピット長との関係を示す特
性図である。
せたときの記録パワーと記録ピット長との関係を示す特
性図である。
【図３】第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚と反射率との関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図４】第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚を種々に異なら
せたときの読み出し回数とＣ／Ｎ比の低下量との関係を
示す特性図である。
せたときの読み出し回数とＣ／Ｎ比の低下量との関係を
示す特性図である。
１ ディスク基板 ２ 記録層 ３ 第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜 ４ Ｂｉ2 Ｔｅ3 薄膜 ５ 第２のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜 ６ Ａｌ薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ディスク基板上に、記録層として、第１
のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜、Ｂｉ2 Ｔｅ3 薄膜、第２のＳｂ2
Ｓｅ3 薄膜がこの順に積層され、さらにこの上にＡｌ薄
膜が形成されてなり、 前記第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚が３０ｎｍ未満とな
されていることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 前記第１のＳｂ2 Ｓｅ3 薄膜の膜厚が１
７ｎｍ〜２３ｎｍとなされ、記録に際して、波長が６８
０ｎｍのレーザ光が用いられることを特徴とする請求項
１記載の光ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224072A JPH0966669A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光ディスク |
| US08/703,792 US5851729A (en) | 1995-08-31 | 1996-08-27 | Optical disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224072A JPH0966669A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0966669A true JPH0966669A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16808130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7224072A Pending JPH0966669A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0966669A (ja) |
-
1995
- 1995-08-31 JP JP7224072A patent/JPH0966669A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031028 |