JPH0963525A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
走査型電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPH0963525A JPH0963525A JP7213381A JP21338195A JPH0963525A JP H0963525 A JPH0963525 A JP H0963525A JP 7213381 A JP7213381 A JP 7213381A JP 21338195 A JP21338195 A JP 21338195A JP H0963525 A JPH0963525 A JP H0963525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- vacuum
- gas
- region
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １次電子ビームの散乱を抑えて２次電子信号
のＳ／Ｎ比を高めることが可能な走査型電子顕微鏡を提
供する。 【解決手段】 電子銃１１から射出された１次電子の通
路を形成する真空室１と、真空室１に圧力制限開口３ａ
を介して連設される試料室２と、試料室２に配置され１
次電子の照射に応答して試料７から発生する２次電子を
取り込み可能な２次電子検出電極３とを備えた走査型電
子顕微鏡において、試料室２内の圧力制限開口３ａと試
料７との間を複数の領域２ａ、２ｂに区分し、圧力制限
開口３ａの延長上には連通孔４ａが設けられた隔壁４
と、電子増倍作用を有するガスを複数の領域２ａ、２ｂ
のうち一部の領域２ａに限定して供給するガス供給源１
０と、複数の領域２ａ、２ｂのうち、上記一部の領域２
ａとは異なる他の一部の領域２ｂを真空排気する真空ポ
ンプ６とを設ける。
のＳ／Ｎ比を高めることが可能な走査型電子顕微鏡を提
供する。 【解決手段】 電子銃１１から射出された１次電子の通
路を形成する真空室１と、真空室１に圧力制限開口３ａ
を介して連設される試料室２と、試料室２に配置され１
次電子の照射に応答して試料７から発生する２次電子を
取り込み可能な２次電子検出電極３とを備えた走査型電
子顕微鏡において、試料室２内の圧力制限開口３ａと試
料７との間を複数の領域２ａ、２ｂに区分し、圧力制限
開口３ａの延長上には連通孔４ａが設けられた隔壁４
と、電子増倍作用を有するガスを複数の領域２ａ、２ｂ
のうち一部の領域２ａに限定して供給するガス供給源１
０と、複数の領域２ａ、２ｂのうち、上記一部の領域２
ａとは異なる他の一部の領域２ｂを真空排気する真空ポ
ンプ６とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料からの２次電
子を低真空のガス雰囲気中で増倍した後に検出する環境
制御型の走査型電子顕微鏡に関する。
子を低真空のガス雰囲気中で増倍した後に検出する環境
制御型の走査型電子顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】環境制御型の走査型電子顕微鏡は、試料
から発生する２次電子を電子増倍作用を有するガス（例
えば水蒸気）が供給された低真空環境の下で増倍し、増
倍された２次電子を検出電極で検出するものである。こ
の種の顕微鏡によれば、通常の電子顕微鏡では観察でき
ないような種々の試料を観察することができる。
から発生する２次電子を電子増倍作用を有するガス（例
えば水蒸気）が供給された低真空環境の下で増倍し、増
倍された２次電子を検出電極で検出するものである。こ
の種の顕微鏡によれば、通常の電子顕微鏡では観察でき
ないような種々の試料を観察することができる。
【０００３】従来の環境制御型の走査型電子顕微鏡の一
例を図３に示す。この例では、電子銃１１が収納された
真空室１と試料室２とが圧力制限アパーチャ板３に形成
された圧力制限アパーチャ３ａを介して接している。圧
力制限アパーチャ板３の周囲には絶縁体１５を介して電
磁式の対物レンズ５が配置される。試料室２には、コン
トロールバルブ１０ａを介して設けられた気体供給源１
０よりガス増幅を行う雰囲気としてのガスが供給され
る。試料室２の圧力は、コントロールバルブ１０ａの開
閉と、真空ポンプ６と試料室２との間に設けられたコン
トロールバルブ６ａの開閉を制御することによって０．
１〜数１０Ｔorr程度に保たれる。このとき、試料室２
の気体は圧力制限アパーチャ３ａを通じて真空室１にも
流入する。実際には、コントロールバルブ６ａ閉状態に
され、試料室２のガスは専ら圧力制限アパーチャ３ａを
介して真空ポンプ１３により排気されることによって上
述した圧力に保たれる。真空室１の圧力は真空ポンプ１
３により試料室２のそれよりも小さい圧力（真空度の高
い状態）、例えば圧力制限アパーチャ３ａの真上で１０
-2〜１０-3Ｔorr程度に保たれる。また、真空室１は不
図示のオリフィスにより複数の部屋に区分される。それ
ぞれの部屋は、別々の真空ポンプにて真空排気される
（このような排気方法を差動排気と呼ぶ）。従って、真
空室１の圧力は上側の部屋ほど小さく、電子銃１１の置
かれた部屋で最小となる。試料室２の内部には、観察対
象の試料７が収納される。圧力制限アパーチャ板３に
は、可変電圧源８より試料７に対する正の電圧が印加さ
れる。
例を図３に示す。この例では、電子銃１１が収納された
真空室１と試料室２とが圧力制限アパーチャ板３に形成
された圧力制限アパーチャ３ａを介して接している。圧
力制限アパーチャ板３の周囲には絶縁体１５を介して電
磁式の対物レンズ５が配置される。試料室２には、コン
トロールバルブ１０ａを介して設けられた気体供給源１
０よりガス増幅を行う雰囲気としてのガスが供給され
る。試料室２の圧力は、コントロールバルブ１０ａの開
閉と、真空ポンプ６と試料室２との間に設けられたコン
トロールバルブ６ａの開閉を制御することによって０．
１〜数１０Ｔorr程度に保たれる。このとき、試料室２
の気体は圧力制限アパーチャ３ａを通じて真空室１にも
流入する。実際には、コントロールバルブ６ａ閉状態に
され、試料室２のガスは専ら圧力制限アパーチャ３ａを
介して真空ポンプ１３により排気されることによって上
述した圧力に保たれる。真空室１の圧力は真空ポンプ１
３により試料室２のそれよりも小さい圧力（真空度の高
い状態）、例えば圧力制限アパーチャ３ａの真上で１０
-2〜１０-3Ｔorr程度に保たれる。また、真空室１は不
図示のオリフィスにより複数の部屋に区分される。それ
ぞれの部屋は、別々の真空ポンプにて真空排気される
（このような排気方法を差動排気と呼ぶ）。従って、真
空室１の圧力は上側の部屋ほど小さく、電子銃１１の置
かれた部屋で最小となる。試料室２の内部には、観察対
象の試料７が収納される。圧力制限アパーチャ板３に
は、可変電圧源８より試料７に対する正の電圧が印加さ
れる。
【０００４】試料７の観察時には、電子銃１１から放出
された１次電子のビームがコンデンサレンズ１２、対物
レンズ５により圧力制限アパーチャ３ａを通過して試料
７上に集束され、この集束された１次電子ビームがスキ
ャンコイル１４にて走査される。このとき、試料７から
放出される２次電子は、圧力制限アパーチャ板３が作り
出す電場中でガス分子と衝突を繰り返して増倍され、そ
の後に２次電子検出電極としての圧力制限アパーチャ板
３に取り込まれる。取り込まれた２次電子信号はプリア
ンプ９を介して不図示の処理装置に送られる。ガス増幅
の過程で正のイオンが生成され、その正イオンは試料７
に降り注ぐ。従って、試料７が絶縁物であっても、１次
電子ビームの照射による負の帯電が中和され、導電処理
が不要となる。
された１次電子のビームがコンデンサレンズ１２、対物
レンズ５により圧力制限アパーチャ３ａを通過して試料
７上に集束され、この集束された１次電子ビームがスキ
ャンコイル１４にて走査される。このとき、試料７から
放出される２次電子は、圧力制限アパーチャ板３が作り
出す電場中でガス分子と衝突を繰り返して増倍され、そ
の後に２次電子検出電極としての圧力制限アパーチャ板
３に取り込まれる。取り込まれた２次電子信号はプリア
ンプ９を介して不図示の処理装置に送られる。ガス増幅
の過程で正のイオンが生成され、その正イオンは試料７
に降り注ぐ。従って、試料７が絶縁物であっても、１次
電子ビームの照射による負の帯電が中和され、導電処理
が不要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した電子顕微鏡で
は、所定圧のガス雰囲気に設定された試料室２から圧力
制限アパーチャ３ａを介して真空室１にガスが流入する
ため、真空室１内の圧力制限アパーチャ３ａの上部付近
の圧力はその周囲の圧力よりも高めになる。従って、２
次電子信号の強度を上げるべく試料室２の圧力を高めに
設定すると、圧力制限アパーチャ３ａの上部付近の圧力
が上昇するため、アパーチャ３ａの上部付近で１次電子
ビームの散乱が大きくなって２次電子信号のＳ／Ｎ比が
低下する。また、真空室１は細いスリーブ状に形成され
ているために真空排気の効率が悪く、真空室１へ流入す
るガスを逐次排気して適正な真空度を維持するには真空
ポンプ１３の容量を相当に大きくする必要があった。
は、所定圧のガス雰囲気に設定された試料室２から圧力
制限アパーチャ３ａを介して真空室１にガスが流入する
ため、真空室１内の圧力制限アパーチャ３ａの上部付近
の圧力はその周囲の圧力よりも高めになる。従って、２
次電子信号の強度を上げるべく試料室２の圧力を高めに
設定すると、圧力制限アパーチャ３ａの上部付近の圧力
が上昇するため、アパーチャ３ａの上部付近で１次電子
ビームの散乱が大きくなって２次電子信号のＳ／Ｎ比が
低下する。また、真空室１は細いスリーブ状に形成され
ているために真空排気の効率が悪く、真空室１へ流入す
るガスを逐次排気して適正な真空度を維持するには真空
ポンプ１３の容量を相当に大きくする必要があった。
【０００６】本発明の目的は、１次電子ビームの散乱を
抑えて２次電子信号のＳ／Ｎ比を高めることが可能で、
真空室を排気する真空ポンプの容量も小さくて足りる走
査型電子顕微鏡を提供することにある。
抑えて２次電子信号のＳ／Ｎ比を高めることが可能で、
真空室を排気する真空ポンプの容量も小さくて足りる走
査型電子顕微鏡を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の実施の形態を示
す図１に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、電
子線源１１から射出された１次電子の通路を形成する真
空室１と、真空室１に圧力制限開口３ａを介して連設さ
れ、内部には試料７が収納される試料室２と、試料室２
に配置され、１次電子の照射に応答して試料７から発生
する２次電子を取り込み可能な２次電子検出電極３と、
試料室２の内部を、２次電子が放出される第１の領域２
ａと、当該第１の領域２ａと連通孔４ａを介して連通す
る少なくとも一つの第２の領域２ｂとに区分する隔壁４
と、電子増倍作用を有するガスを第１の領域２ａに限定
して供給するガス供給手段１０、１０ａと、第２の領域
２ｂを真空排気する真空排気手段６、６ａと、を具備し
た走査型電子顕微鏡により、上述した目的を達成する。
請求項２の発明は、電子線源１１から射出された１次電
子の通路を形成する真空室１と、真空室１に圧力制限開
口３ａを介して連設され、内部には試料７が収納される
試料室２と、試料室２に配置され、１次電子の照射に応
答して試料７から発生する２次電子を取り込み可能な２
次電子検出電極３と、試料室２内の圧力制限開口３ａと
試料７との間を複数の領域２ａ、２ｂに区分し、圧力制
限開口３ａの延長上には連通孔４ａが設けられた隔壁４
と、電子増倍作用を有するガスを、複数の領域２ａ、２
ｂのうち一部の領域２ａに限定して供給するガス供給手
段１０、１０ａと、複数の領域２ａ、２ｂのうち、上記
一部の領域２ａとは異なる他の一部の領域２ｂを真空排
気する真空排気手段６、６ａと、を具備した走査型電子
顕微鏡により、上述した目的を達成する。請求項３の発
明では、請求項２記載の走査型電子顕微鏡において、複
数の領域２ａ、２ｂのうち、試料７を収納する領域２ｂ
が真空排気手段６、６ａにより真空排気される。図２を
参照して説明すると、請求項４の発明では、請求項２記
載の走査型電子顕微鏡において、隔壁２０の少なくとも
一部に導電性を有する電極部２０ｂを設けた。請求項５
の発明では、請求項２記載の走査型電子顕微鏡におい
て、圧力制限開口３ａと試料７との間が３以上の領域２
ｄ、２ｅ、２ｂに区分されるように隔壁２０、２１が設
けられ、上記複数の領域２ｄ、２ｅ、２ｂのうち、圧力
制限開口３ａに接する領域２ｄと試料７を収納する領域
２ｂとが真空排気手段６、６ａ、２４、２４ａにより真
空排気される。再び図１により説明すると、請求項６の
発明では、請求項１又は２記載の走査型電子顕微鏡にお
いて、試料７の観察中に、ガス供給手段１０、１０ａに
よるガスの供給と、真空排気手段６、６ａによる真空排
気とを並行して実行する制御手段１６を具備した。請求
項７の発明では、１次電子の照射に応答して試料から発
生した２次電子を、電子増倍作用を有するガス雰囲気中
で増倍して２次電子検出電極に取り込む走査型電子顕微
鏡において、ガス雰囲気に設定された領域２ａに、２次
電子検出電極３側よりも試料７側が低圧となる圧力勾配
を生じさせる圧力勾配設定手段４、６、６ａを具備した
走査型電子顕微鏡により、上述した目的を達成する。請
求項８の発明では、電子線源１１から射出された１次電
子の通路を形成する真空室１と、真空室１に圧力制限開
口３ａを介して連設され、内部には試料７が収納される
試料室２と、試料室２に配置され、１次電子の照射に応
答して試料７から発生する２次電子を取り込み可能な２
次電子検出電極３と、試料室２を真空排気する真空排気
手段６、６ａと、電子増倍作用を有するガスを試料室２
内の試料７と２次電子検出電極３とに挟まれた領域２ａ
に供給するガス供給手段１０、１０ａと、真空排気手段
６、６ａによる真空排気に対して、上記領域２ａに供給
されたガスに排気抵抗を与える抵抗手段４と、を具備し
た走査型電子顕微鏡により、上述した目的を達成する。
す図１に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、電
子線源１１から射出された１次電子の通路を形成する真
空室１と、真空室１に圧力制限開口３ａを介して連設さ
れ、内部には試料７が収納される試料室２と、試料室２
に配置され、１次電子の照射に応答して試料７から発生
する２次電子を取り込み可能な２次電子検出電極３と、
試料室２の内部を、２次電子が放出される第１の領域２
ａと、当該第１の領域２ａと連通孔４ａを介して連通す
る少なくとも一つの第２の領域２ｂとに区分する隔壁４
と、電子増倍作用を有するガスを第１の領域２ａに限定
して供給するガス供給手段１０、１０ａと、第２の領域
２ｂを真空排気する真空排気手段６、６ａと、を具備し
た走査型電子顕微鏡により、上述した目的を達成する。
請求項２の発明は、電子線源１１から射出された１次電
子の通路を形成する真空室１と、真空室１に圧力制限開
口３ａを介して連設され、内部には試料７が収納される
試料室２と、試料室２に配置され、１次電子の照射に応
答して試料７から発生する２次電子を取り込み可能な２
次電子検出電極３と、試料室２内の圧力制限開口３ａと
試料７との間を複数の領域２ａ、２ｂに区分し、圧力制
限開口３ａの延長上には連通孔４ａが設けられた隔壁４
と、電子増倍作用を有するガスを、複数の領域２ａ、２
ｂのうち一部の領域２ａに限定して供給するガス供給手
段１０、１０ａと、複数の領域２ａ、２ｂのうち、上記
一部の領域２ａとは異なる他の一部の領域２ｂを真空排
気する真空排気手段６、６ａと、を具備した走査型電子
顕微鏡により、上述した目的を達成する。請求項３の発
明では、請求項２記載の走査型電子顕微鏡において、複
数の領域２ａ、２ｂのうち、試料７を収納する領域２ｂ
が真空排気手段６、６ａにより真空排気される。図２を
参照して説明すると、請求項４の発明では、請求項２記
載の走査型電子顕微鏡において、隔壁２０の少なくとも
一部に導電性を有する電極部２０ｂを設けた。請求項５
の発明では、請求項２記載の走査型電子顕微鏡におい
て、圧力制限開口３ａと試料７との間が３以上の領域２
ｄ、２ｅ、２ｂに区分されるように隔壁２０、２１が設
けられ、上記複数の領域２ｄ、２ｅ、２ｂのうち、圧力
制限開口３ａに接する領域２ｄと試料７を収納する領域
２ｂとが真空排気手段６、６ａ、２４、２４ａにより真
空排気される。再び図１により説明すると、請求項６の
発明では、請求項１又は２記載の走査型電子顕微鏡にお
いて、試料７の観察中に、ガス供給手段１０、１０ａに
よるガスの供給と、真空排気手段６、６ａによる真空排
気とを並行して実行する制御手段１６を具備した。請求
項７の発明では、１次電子の照射に応答して試料から発
生した２次電子を、電子増倍作用を有するガス雰囲気中
で増倍して２次電子検出電極に取り込む走査型電子顕微
鏡において、ガス雰囲気に設定された領域２ａに、２次
電子検出電極３側よりも試料７側が低圧となる圧力勾配
を生じさせる圧力勾配設定手段４、６、６ａを具備した
走査型電子顕微鏡により、上述した目的を達成する。請
求項８の発明では、電子線源１１から射出された１次電
子の通路を形成する真空室１と、真空室１に圧力制限開
口３ａを介して連設され、内部には試料７が収納される
試料室２と、試料室２に配置され、１次電子の照射に応
答して試料７から発生する２次電子を取り込み可能な２
次電子検出電極３と、試料室２を真空排気する真空排気
手段６、６ａと、電子増倍作用を有するガスを試料室２
内の試料７と２次電子検出電極３とに挟まれた領域２ａ
に供給するガス供給手段１０、１０ａと、真空排気手段
６、６ａによる真空排気に対して、上記領域２ａに供給
されたガスに排気抵抗を与える抵抗手段４と、を具備し
た走査型電子顕微鏡により、上述した目的を達成する。
【０００８】請求項１、２の発明では、ガス供給手段１
０、１０ａから領域２ａにガスを供給しつつ真空排気手
段６、６ａにて領域２ｂを真空排気すると、領域２ａか
ら連通孔４ａを介して領域２ｂ側にガスが吸引される。
請求項３の発明では、領域２ａに供給されたガスが連通
孔４ａを経て試料７及びその周囲に吸引される。請求項
４の発明では、隔壁２０を例えば２次電子検出用の電極
として利用できる。請求項５の発明では、ガス供給源１
０、１０から供給されたガスが、領域２ｂの真空排気に
伴って試料７側に吸引される。試料７とは逆方向の圧力
制限開口３ａ側にガスが漏れても、そのガスは領域２ｄ
の真空排気に伴って真空室１に流入することなく試料室
２から排気される。請求項６の発明では、試料７の観察
中に領域２ａのガスが領域２ｂに吸引される。請求項７
の発明では、圧力勾配設定手段４、６、６ａにて設定さ
れる圧力勾配に従って、領域２ａのガスが２次電子検出
電極３側から試料７側に流出する。請求項８の発明で
は、抵抗手段４が与える排気抵抗を利用して試料７の近
傍に適度な圧力のガスを滞留させつつ、そのガスを真空
排気手段６、６ａにて必要な流量だけ試料室２外へ排気
できる。
０、１０ａから領域２ａにガスを供給しつつ真空排気手
段６、６ａにて領域２ｂを真空排気すると、領域２ａか
ら連通孔４ａを介して領域２ｂ側にガスが吸引される。
請求項３の発明では、領域２ａに供給されたガスが連通
孔４ａを経て試料７及びその周囲に吸引される。請求項
４の発明では、隔壁２０を例えば２次電子検出用の電極
として利用できる。請求項５の発明では、ガス供給源１
０、１０から供給されたガスが、領域２ｂの真空排気に
伴って試料７側に吸引される。試料７とは逆方向の圧力
制限開口３ａ側にガスが漏れても、そのガスは領域２ｄ
の真空排気に伴って真空室１に流入することなく試料室
２から排気される。請求項６の発明では、試料７の観察
中に領域２ａのガスが領域２ｂに吸引される。請求項７
の発明では、圧力勾配設定手段４、６、６ａにて設定さ
れる圧力勾配に従って、領域２ａのガスが２次電子検出
電極３側から試料７側に流出する。請求項８の発明で
は、抵抗手段４が与える排気抵抗を利用して試料７の近
傍に適度な圧力のガスを滞留させつつ、そのガスを真空
排気手段６、６ａにて必要な流量だけ試料室２外へ排気
できる。
【０００９】なお、上記では本発明を分かり易くするた
めに実施の形態の図を参照したが、これにより本発明が
図示の形態に限定されるものではない。
めに実施の形態の図を参照したが、これにより本発明が
図示の形態に限定されるものではない。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１及び図２を参照して本発明の
実施の形態を説明する。なお、図１及び図２において図
３と共通する部分には同一符号を付し、それらの説明は
省略する。
実施の形態を説明する。なお、図１及び図２において図
３と共通する部分には同一符号を付し、それらの説明は
省略する。
【００１１】−第１の実施の形態− 図１は本発明の第１の実施の形態に係る環境制御型の走
査型電子顕微鏡の概略を示すものである。この形態で
は、圧力制限アパーチャ板３と試料７との間にガス圧制
御板４が設けられ、これにより試料室２の内部が増倍領
域２ａと排気領域２ｂとに区分されている。領域２ａ、
２ｂはガス圧制御板４の連通孔４ａを介して連通する。
試料７は連通孔４ａの直下に配置される。連通孔４ａは
圧力制限アパーチャ３ａと同軸に設けられ、その直径は
試料７から発生する２次電子のガス圧制御板４の位置に
おける水平方向の拡散径よりも大きく設定される。ただ
し、Ｓ／Ｎ比を十分取ることが可能な状態であれば、必
ずしも拡散径より大きくする必要はない。電子増倍用の
ガス（典型例では水蒸気）を供給する気体供給源１０は
増倍領域２ａと直結され、従って上記ガスは増倍領域２
ａのみに供給される。一方、真空ポンプ６は排気領域２
ｂの下部に連結されている。
査型電子顕微鏡の概略を示すものである。この形態で
は、圧力制限アパーチャ板３と試料７との間にガス圧制
御板４が設けられ、これにより試料室２の内部が増倍領
域２ａと排気領域２ｂとに区分されている。領域２ａ、
２ｂはガス圧制御板４の連通孔４ａを介して連通する。
試料７は連通孔４ａの直下に配置される。連通孔４ａは
圧力制限アパーチャ３ａと同軸に設けられ、その直径は
試料７から発生する２次電子のガス圧制御板４の位置に
おける水平方向の拡散径よりも大きく設定される。ただ
し、Ｓ／Ｎ比を十分取ることが可能な状態であれば、必
ずしも拡散径より大きくする必要はない。電子増倍用の
ガス（典型例では水蒸気）を供給する気体供給源１０は
増倍領域２ａと直結され、従って上記ガスは増倍領域２
ａのみに供給される。一方、真空ポンプ６は排気領域２
ｂの下部に連結されている。
【００１２】１６は、コントロールバルブ６ａ，１０
ａ、および真空ポンプ１３の動作を制御する制御装置で
ある。試料７の観察時、増倍領域２ａの圧力が所定圧
（０．１〜数１０Ｔorr程度）になるように、制御装置
１６は気体供給源１０から増倍領域２ａへガスを供給し
つつ、真空ポンプ６、１３により真空室１及び試料室２
の排気領域２ｂを絶えず真空排気する。なお、実際には
真空室１が差動排気される点は上述した図３の例と同じ
である。従って、真空ポンプ１３は複数設けられる。排
気領域２ｂの圧力は、増倍領域２ａよりも十分に小さい
値、例えば排気口２ｃの付近で１０-2〜１０-3Ｔorr程
度に設定される。
ａ、および真空ポンプ１３の動作を制御する制御装置で
ある。試料７の観察時、増倍領域２ａの圧力が所定圧
（０．１〜数１０Ｔorr程度）になるように、制御装置
１６は気体供給源１０から増倍領域２ａへガスを供給し
つつ、真空ポンプ６、１３により真空室１及び試料室２
の排気領域２ｂを絶えず真空排気する。なお、実際には
真空室１が差動排気される点は上述した図３の例と同じ
である。従って、真空ポンプ１３は複数設けられる。排
気領域２ｂの圧力は、増倍領域２ａよりも十分に小さい
値、例えば排気口２ｃの付近で１０-2〜１０-3Ｔorr程
度に設定される。
【００１３】各室１、２の圧力が整った後、電子銃１１
から試料７に１次電子が照射される。これに応答して試
料７から発生する２次電子は、増倍領域２ａでガス増倍
されて圧力制限アパーチャ板３に取り込まれる。本実施
の形態では、連通孔４ａを設けて排気室２ｂを真空ポン
プ６で排気するため、倍増領域２ａの連通孔４ａ付近に
は試料７側が低圧となる圧力勾配が発生してガスが連通
孔４ａを通して排気領域２ｂに流出する。その結果、増
倍領域２ａの圧力制限アパーチャ３ａ付近の圧力が局所
的に低くなり、圧力制限アパーチャ３ａを挟んで真空室
１側と増倍領域２ａ側との圧力差が小さくなるため増倍
領域２ａから真空室１へ流入するガス量が小さくなる。
そのため、圧力制限アパーチャ３ａ上部付近の圧力上昇
が抑制され、一次電子の散乱が抑えられる。また、ガス
圧制御板４がガスに適度の排気抵抗を与えるため、真空
ポンプ６にて試料室２を絶えず真空排気しても、増倍領
域２ａには適度な圧力のガスが滞留する。ちなみに、ガ
ス圧制御板４が存在しない図３の例において真空ポンプ
６を作動させたときは、気体供給源１０から供給される
ガスが試料７付近に滞留することなく試料室２外へ逐次
排気され、ガス増倍が不可能となる。従って、観察中に
真空ポンプ６を絶えず駆動して真空室１へのガス流入を
抑えることは図３の従来例では不可能であった。なお、
排気領域２ｂを常時真空排気しても、試料７及びその周
囲には連通孔４ａから水蒸気等のガスが絶えず供給され
るから、試料７の乾燥が防がれる。
から試料７に１次電子が照射される。これに応答して試
料７から発生する２次電子は、増倍領域２ａでガス増倍
されて圧力制限アパーチャ板３に取り込まれる。本実施
の形態では、連通孔４ａを設けて排気室２ｂを真空ポン
プ６で排気するため、倍増領域２ａの連通孔４ａ付近に
は試料７側が低圧となる圧力勾配が発生してガスが連通
孔４ａを通して排気領域２ｂに流出する。その結果、増
倍領域２ａの圧力制限アパーチャ３ａ付近の圧力が局所
的に低くなり、圧力制限アパーチャ３ａを挟んで真空室
１側と増倍領域２ａ側との圧力差が小さくなるため増倍
領域２ａから真空室１へ流入するガス量が小さくなる。
そのため、圧力制限アパーチャ３ａ上部付近の圧力上昇
が抑制され、一次電子の散乱が抑えられる。また、ガス
圧制御板４がガスに適度の排気抵抗を与えるため、真空
ポンプ６にて試料室２を絶えず真空排気しても、増倍領
域２ａには適度な圧力のガスが滞留する。ちなみに、ガ
ス圧制御板４が存在しない図３の例において真空ポンプ
６を作動させたときは、気体供給源１０から供給される
ガスが試料７付近に滞留することなく試料室２外へ逐次
排気され、ガス増倍が不可能となる。従って、観察中に
真空ポンプ６を絶えず駆動して真空室１へのガス流入を
抑えることは図３の従来例では不可能であった。なお、
排気領域２ｂを常時真空排気しても、試料７及びその周
囲には連通孔４ａから水蒸気等のガスが絶えず供給され
るから、試料７の乾燥が防がれる。
【００１４】−第２の実施の形態− 図２は本発明の第２の実施の形態に係る環境制御型の走
査型電子顕微鏡のうち、特に試料と２次電子検出電極と
の間を拡大して示す図である。なお、図２において図１
又は図３と共通する部分には同一符号を付し、それらの
説明は省略する。
査型電子顕微鏡のうち、特に試料と２次電子検出電極と
の間を拡大して示す図である。なお、図２において図１
又は図３と共通する部分には同一符号を付し、それらの
説明は省略する。
【００１５】図２の形態では、圧力制限アパーチャ板３
と試料７との間に二つのガス圧制御板２０、２１が設け
られ、それらによって試料室７の内部は排気領域２ｂ、
２ｄと増倍領域２ｅの３つの領域に区分されている。排
気領域２ｄと増倍領域２ｅとはガス圧制御板２０の連通
孔２０ａを介して連通し、増倍領域２ｅと排気領域２ｂ
とはガス圧制御板２１の連通孔２１ａを介して連通す
る。連通孔２０ａ、２１ａは圧力制限アパーチャ３ａと
同軸に設けられる。
と試料７との間に二つのガス圧制御板２０、２１が設け
られ、それらによって試料室７の内部は排気領域２ｂ、
２ｄと増倍領域２ｅの３つの領域に区分されている。排
気領域２ｄと増倍領域２ｅとはガス圧制御板２０の連通
孔２０ａを介して連通し、増倍領域２ｅと排気領域２ｂ
とはガス圧制御板２１の連通孔２１ａを介して連通す
る。連通孔２０ａ、２１ａは圧力制限アパーチャ３ａと
同軸に設けられる。
【００１６】上側のガス圧制御板２０は、導電性材料に
て構成される環状の電極部２０ｂと、これを外側から支
持する絶縁体製の支持部２０ｃとを有する。電極部２０
ｂには可変電圧源２２から試料７に対する正の電圧が印
加可能である。電極部２０ｂに取り込まれる２次電子は
プリアンプ２３を介して不図示の処理装置に送られる。
気体供給源１０は増倍領域２ｅに直結され、従って気体
供給源１０のガスは増倍領域２ｅのみに供給される。排
気領域２ｄには真空ポンプ２４がコントロールバルブ２
４ａを介して接続される。排気領域２ｂは図１の例と同
じく真空ポンプ６にて真空排気される。なお、真空ポン
プ２４と真空ポンプ６とを共通化してもよい。
て構成される環状の電極部２０ｂと、これを外側から支
持する絶縁体製の支持部２０ｃとを有する。電極部２０
ｂには可変電圧源２２から試料７に対する正の電圧が印
加可能である。電極部２０ｂに取り込まれる２次電子は
プリアンプ２３を介して不図示の処理装置に送られる。
気体供給源１０は増倍領域２ｅに直結され、従って気体
供給源１０のガスは増倍領域２ｅのみに供給される。排
気領域２ｄには真空ポンプ２４がコントロールバルブ２
４ａを介して接続される。排気領域２ｂは図１の例と同
じく真空ポンプ６にて真空排気される。なお、真空ポン
プ２４と真空ポンプ６とを共通化してもよい。
【００１７】コントロールバルブ６ａ，１０ａ，２４ａ
の動作は図１の形態と同様に制御装置１６にて制御され
る。試料７の観察時に、増倍領域２ｅの圧力が所定圧
（０．１〜数１０Ｔorr程度）になるように、制御装置
１６は気体供給源１０から増倍領域２ｅへガスを供給し
つつ、真空ポンプ６、２４により排気領域２ｂ、２ｄを
絶えず真空排気する。なお、真空室１も同時に真空排気
される。排気領域２ｂ、２ｄの圧力は、増倍領域２ｅよ
りも十分に小さい値、例えば排気口２ｃ及び圧力制限ア
パーチャ３ａの付近で１０-2〜１０-3Ｔorr程度に設定
される。なお、排気領域２ｂ、２ｄの圧力を必ずしも等
しく設定する必要はない。
の動作は図１の形態と同様に制御装置１６にて制御され
る。試料７の観察時に、増倍領域２ｅの圧力が所定圧
（０．１〜数１０Ｔorr程度）になるように、制御装置
１６は気体供給源１０から増倍領域２ｅへガスを供給し
つつ、真空ポンプ６、２４により排気領域２ｂ、２ｄを
絶えず真空排気する。なお、真空室１も同時に真空排気
される。排気領域２ｂ、２ｄの圧力は、増倍領域２ｅよ
りも十分に小さい値、例えば排気口２ｃ及び圧力制限ア
パーチャ３ａの付近で１０-2〜１０-3Ｔorr程度に設定
される。なお、排気領域２ｂ、２ｄの圧力を必ずしも等
しく設定する必要はない。
【００１８】以上の環境下において圧力制限アパーチャ
板３及び電極部２０ｂの少なくともいずれか一方に試料
７に対する正の電圧を印加し、その状態で試料７に１次
電子を照射すれば、試料７から発生した２次電子が増倍
領域２ｅにてガス増倍された上で圧力制限アパーチャ板
３又は電極部２０ｂに取り込まれる。本実施の形態で
は、圧力制限アパーチャ板３と倍増領域２ｅとの間に排
気領域２ｄを設け、排気領域２ｄの圧力を倍増領域２ｅ
の圧力より低く設定しているため、圧力制限アパーチャ
３ａを通って真空室１に流入するガスの量を図１の形態
より小さくすることができる。その結果、１次電子の散
乱がさらに抑えられてより高いＳ／Ｎ比の２次電子信号
が得られる。さらに、コントロールバルブ２４ａを制御
することにより、すなわち、真空ポンプ２４で排気され
る量を制御することによって排気領域２ｄの圧力を変化
させることができるため、最適な観察像が得られるよう
に真空室１へのガス流入量を制御することができる。な
お、圧力制限アパーチャ板３及び電極部２０ｂのいずれ
により２次電子を検出するかは、例えば好適な２次電子
信号の得られる方を選択するなど、試料７の観察状態
（増倍領域２ｅの圧力，電圧あるいは試料７の種類等）
に応じて適宜選択してよい。また、連通孔２０ａ，２１
ａの直径は、圧力制限アパーチャ板３及び電極部２０ｂ
のいずれにより２次電子を検出するか、あるいは、どち
らに高い電圧をかけるか等によって異なる。
板３及び電極部２０ｂの少なくともいずれか一方に試料
７に対する正の電圧を印加し、その状態で試料７に１次
電子を照射すれば、試料７から発生した２次電子が増倍
領域２ｅにてガス増倍された上で圧力制限アパーチャ板
３又は電極部２０ｂに取り込まれる。本実施の形態で
は、圧力制限アパーチャ板３と倍増領域２ｅとの間に排
気領域２ｄを設け、排気領域２ｄの圧力を倍増領域２ｅ
の圧力より低く設定しているため、圧力制限アパーチャ
３ａを通って真空室１に流入するガスの量を図１の形態
より小さくすることができる。その結果、１次電子の散
乱がさらに抑えられてより高いＳ／Ｎ比の２次電子信号
が得られる。さらに、コントロールバルブ２４ａを制御
することにより、すなわち、真空ポンプ２４で排気され
る量を制御することによって排気領域２ｄの圧力を変化
させることができるため、最適な観察像が得られるよう
に真空室１へのガス流入量を制御することができる。な
お、圧力制限アパーチャ板３及び電極部２０ｂのいずれ
により２次電子を検出するかは、例えば好適な２次電子
信号の得られる方を選択するなど、試料７の観察状態
（増倍領域２ｅの圧力，電圧あるいは試料７の種類等）
に応じて適宜選択してよい。また、連通孔２０ａ，２１
ａの直径は、圧力制限アパーチャ板３及び電極部２０ｂ
のいずれにより２次電子を検出するか、あるいは、どち
らに高い電圧をかけるか等によって異なる。
【００１９】図１、図２の形態において、ガス圧制御板
４、２１に電圧を印加し、増倍領域２ａ、２ｅのガス増
倍で発生する正イオンのうちで試料７の電気的中和に必
要な量以上の余剰分をガス圧制御板４、２１にて捕獲し
てもよい。
４、２１に電圧を印加し、増倍領域２ａ、２ｅのガス増
倍で発生する正イオンのうちで試料７の電気的中和に必
要な量以上の余剰分をガス圧制御板４、２１にて捕獲し
てもよい。
【００２０】図１及び図２の実施の形態では、電子銃１
１が電子線源を、圧力制限アパーチャ板３及びガス圧制
御板２０の電極部２０ｂが２次電子検出電極を、圧力制
限アパーチャ３ａが圧力制限開口を、ガス圧制御板４、
２０、２１が隔壁を、連通孔４ａ、２０ａ、２１ａが隔
壁の連通孔を、気体供給源１０およびコントロールバル
ブ１０ａがガス供給手段を、真空ポンプ６、２４および
コントロールバルブ６ａ、２４ａが真空排気手段を、制
御装置１６が制御手段を、ガス圧制御板４、真空ポンプ
６およびコントロールバルブ６ａ、又はガス圧制御板２
０、２１と真空ポンプ６、２４とコントロールバルブ６
ａ、２４ａとの組合わせが圧力勾配設定手段を、ガス圧
制御板４、２０、２１が抵抗手段をそれぞれ構成する。
１が電子線源を、圧力制限アパーチャ板３及びガス圧制
御板２０の電極部２０ｂが２次電子検出電極を、圧力制
限アパーチャ３ａが圧力制限開口を、ガス圧制御板４、
２０、２１が隔壁を、連通孔４ａ、２０ａ、２１ａが隔
壁の連通孔を、気体供給源１０およびコントロールバル
ブ１０ａがガス供給手段を、真空ポンプ６、２４および
コントロールバルブ６ａ、２４ａが真空排気手段を、制
御装置１６が制御手段を、ガス圧制御板４、真空ポンプ
６およびコントロールバルブ６ａ、又はガス圧制御板２
０、２１と真空ポンプ６、２４とコントロールバルブ６
ａ、２４ａとの組合わせが圧力勾配設定手段を、ガス圧
制御板４、２０、２１が抵抗手段をそれぞれ構成する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料室から１次電子の通路へのガスの流入を抑えられる
ので、その通路の圧力の上昇を抑制することができ、１
次電子の散乱を抑えてＳ／Ｎ比の高い２次電子信号を検
出できる。また、１次電子の通路を排気する真空ポンプ
の容量も小さくて足りる。特に請求項３の発明では、試
料室内の限られた領域に供給されるガスを試料及びその
周囲に吸引しつつ試料室外へ排気できるので、試料室の
全体にガスを封じ込める場合と同様の環境に試料を置く
ことができる。請求項４の発明では、試料室内の圧力制
限のために設けられる隔壁を電極に利用して観察条件の
自由度を高められる。請求項５の発明では、試料とは逆
方向の圧力制限開口側に漏れ出したガスを真空室１に流
入させることなく試料室外へ排気できるので、１次電子
の散乱を一層効果的に抑えることができる。請求項６の
発明では、試料の観察中、圧力制限開口と試料との間に
必要量のガスを供給しつつ、そのガスに試料側への吸引
力を作用させることができる。
試料室から１次電子の通路へのガスの流入を抑えられる
ので、その通路の圧力の上昇を抑制することができ、１
次電子の散乱を抑えてＳ／Ｎ比の高い２次電子信号を検
出できる。また、１次電子の通路を排気する真空ポンプ
の容量も小さくて足りる。特に請求項３の発明では、試
料室内の限られた領域に供給されるガスを試料及びその
周囲に吸引しつつ試料室外へ排気できるので、試料室の
全体にガスを封じ込める場合と同様の環境に試料を置く
ことができる。請求項４の発明では、試料室内の圧力制
限のために設けられる隔壁を電極に利用して観察条件の
自由度を高められる。請求項５の発明では、試料とは逆
方向の圧力制限開口側に漏れ出したガスを真空室１に流
入させることなく試料室外へ排気できるので、１次電子
の散乱を一層効果的に抑えることができる。請求項６の
発明では、試料の観察中、圧力制限開口と試料との間に
必要量のガスを供給しつつ、そのガスに試料側への吸引
力を作用させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る環境制御型の
走査型電子顕微鏡の概略を示す図。
走査型電子顕微鏡の概略を示す図。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る環境制御型の
走査型電子顕微鏡のち、特に試料室の概略を示す図。
走査型電子顕微鏡のち、特に試料室の概略を示す図。
【図３】従来の環境制御型の走査型電子顕微鏡の概略を
示す図。型の走査型電子顕微鏡の概略を示す図。
示す図。型の走査型電子顕微鏡の概略を示す図。
１ 真空室 ２ 試料室 ２ａ，２ｅ 増倍領域 ２ｂ，２ｄ 排気領域 ３ 圧力制限アパーチャ板 ３ａ 圧力制限アパーチャ ４，２０，２１ ガス圧制御板 ６，１３，２４ 真空ポンプ ６ａ，１０ａ，２４ａ コントロールバルブ １０ 気体供給源 １６ 制御装置 ２０ｂ 電極
Claims (8)
- 【請求項１】 電子線源から射出された１次電子の通路
を形成する真空室と、 前記真空室に圧力制限開口を介して連設され、内部には
試料が収納される試料室と、 前記試料室に配置され、前記１次電子の照射に応答して
前記試料から発生する２次電子を取り込み可能な２次電
子検出電極と、 前記試料室の内部を、前記２次電子が放出される第１の
領域と、当該第１の領域と連通孔を介して連通する少な
くとも一つの第２の領域とに区分する隔壁と、 電子増倍作用を有するガスを前記第１の領域に限定して
供給するガス供給手段と、 前記第２の領域を真空排気する真空排気手段と、を具備
したことを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 【請求項２】 電子線源から射出された１次電子の通路
を形成する真空室と、 前記真空室に圧力制限開口を介して連設され、内部には
試料が収納される試料室と、 前記試料室に配置され、前記１次電子の照射に応答して
前記試料から発生する２次電子を取り込み可能な２次電
子検出電極と、 前記試料室内の前記圧力制限開口と前記試料との間を複
数の領域に区分し、前記圧力制限開口の延長上には連通
孔が設けられた隔壁と、 電子増倍作用を有するガスを、前記複数の領域のうち一
部の領域に限定して供給するガス供給手段と、 前記複数の領域のうち、前記一部の領域とは異なる他の
一部の領域を真空排気する真空排気手段と、を具備した
ことを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 【請求項３】 請求項２記載の走査型電子顕微鏡におい
て、 前記複数の領域のうち、前記試料を収納する領域が前記
真空排気手段により真空排気されることを特徴とする走
査型電子顕微鏡。 - 【請求項４】 請求項２記載の走査型電子顕微鏡におい
て、 前記隔壁の少なくとも一部に導電性を有する電極部を設
けたことを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 【請求項５】 請求項２記載の走査型電子顕微鏡におい
て、 前記圧力制限開口と前記試料との間が３以上の領域に区
分されるように前記隔壁が設けられ、 前記複数の領域のうち、前記圧力制限開口に接する領域
と前記試料を収納する領域とが前記真空排気手段により
真空排気されることを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 【請求項６】 請求項１又は２記載の走査型電子顕微鏡
において、 前記試料の観察中に、前記ガス供給手段による前記ガス
の供給と、前記真空排気手段による前記真空排気とを並
行して実行する制御手段を具備したことを特徴とする走
査型電子顕微鏡。 - 【請求項７】 １次電子の照射に応答して試料から発生
した２次電子を、電子増倍作用を有するガス雰囲気中で
増倍して２次電子検出電極に取り込む走査型電子顕微鏡
において、 前記ガス雰囲気に設定された領域に、前記２次電子検出
電極側よりも前記試料側が低圧となる圧力勾配を生じさ
せる圧力勾配設定手段を具備したことを特徴とする走査
型電子顕微鏡。 - 【請求項８】 電子線源から射出された１次電子の通路
を形成する真空室と、 前記真空室に圧力制限開口を介して連設され、内部には
試料が収納される試料室と、 前記試料室に配置され、前記１次電子の照射に応答して
前記試料から発生する２次電子を取り込み可能な２次電
子検出電極と、 前記試料室を真空排気する真空排気手段と、 電子増倍作用を有するガスを前記試料室内の前記試料と
前記２次電子検出電極とに挟まれた領域に供給するガス
供給手段と、 前記真空排気手段による真空排気に対して、前記領域に
供給された前記ガスに排気抵抗を与える抵抗手段と、を
具備したことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213381A JPH0963525A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 走査型電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213381A JPH0963525A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 走査型電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963525A true JPH0963525A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16638264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7213381A Pending JPH0963525A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 走査型電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0963525A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000070297A2 (en) * | 1999-05-19 | 2000-11-23 | National Institute Of Standards And Technology (Nist) | Humidity chamber for scanning atomic force microscope |
| JP2005268224A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Fei Co | 荷電粒子ビームシステム |
| JP2007173149A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡の真空排気装置 |
| WO2007086254A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Sii Nanotechnology Inc. | 荷電粒子ビーム装置 |
| WO2007089124A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Cebt Co. Ltd. | Device for sustaining differential vacuum degrees for electron column |
| JP2007250222A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
| WO2019116605A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線照射装置、分析システム |
-
1995
- 1995-08-22 JP JP7213381A patent/JPH0963525A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000070297A2 (en) * | 1999-05-19 | 2000-11-23 | National Institute Of Standards And Technology (Nist) | Humidity chamber for scanning atomic force microscope |
| WO2000070297A3 (en) * | 1999-05-19 | 2002-10-03 | Nat Inst Of Standards & Tech | Humidity chamber for scanning atomic force microscope |
| JP2005268224A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Fei Co | 荷電粒子ビームシステム |
| JP2007173149A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡の真空排気装置 |
| JP4634295B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡の真空排気装置 |
| WO2007086254A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Sii Nanotechnology Inc. | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP2007200648A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム装置 |
| US7804066B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-09-28 | Sii Nanotechnology Inc. | Charged-particle beam apparatus |
| WO2007089124A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Cebt Co. Ltd. | Device for sustaining differential vacuum degrees for electron column |
| US8912506B2 (en) | 2006-02-02 | 2014-12-16 | Cebt Co., Ltd. | Device for sustaining differential vacuum degrees for electron column |
| JP2007250222A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
| WO2019116605A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線照射装置、分析システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6105589A (en) | Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using an air plasma as an oxygen radical source | |
| US7511271B2 (en) | Scanning electron microscope | |
| US5097134A (en) | Scanning electron microscope | |
| US20080283745A1 (en) | Emitter chamber, charged partical apparatus and method for operating same | |
| US8686380B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US20100108902A1 (en) | Dual mode gas field ion source | |
| US20150097485A1 (en) | Method and apparatus for plasma ignition in high vacuum chambers | |
| JPH0963525A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JP2002289129A (ja) | 低真空走査電子顕微鏡 | |
| WO2020084729A1 (ja) | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置のオートフォーカス処理方法、及び検出器 | |
| US4139774A (en) | Apparatus for irradiating a specimen by an electron beam | |
| US20180374720A1 (en) | Gas exhaust plate and plasma processing apparatus | |
| US10651005B2 (en) | Innovative source assembly for ion beam production | |
| JP2821313B2 (ja) | 電子線照射装置 | |
| JP3714810B2 (ja) | 電子線装置 | |
| JPH06215716A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| US10741357B2 (en) | Method of observing liquid specimen, method of analyzing liquid specimen and electron microscope | |
| JPH05234552A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2010114082A (ja) | デュアルモードのガス電界イオン源 | |
| EP2182542B1 (en) | Method of operating a focused ion beam device with a dual mode gas field ion source | |
| KR100896295B1 (ko) | 마이크로칼럼을 이용한 포터블 전자현미경 | |
| JP2006331997A (ja) | 電子源およびそれを備えた電子線応用装置 | |
| JPH06338280A (ja) | 環境制御型の走査型電子顕微鏡 | |
| JP7210762B2 (ja) | 薄膜破損検知機能、および荷電粒子線装置 | |
| JPH0950781A (ja) | 走査型電子顕微鏡 |