JPH0961837A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH0961837A JPH0961837A JP22087195A JP22087195A JPH0961837A JP H0961837 A JPH0961837 A JP H0961837A JP 22087195 A JP22087195 A JP 22087195A JP 22087195 A JP22087195 A JP 22087195A JP H0961837 A JPH0961837 A JP H0961837A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素エリア内の樹脂の盛り上がり部分を解消
し、画素エリア内において平坦な配線基板を得ることに
ある。 【解決手段】 メタル配線５０２からなる電極パターン
が形成され、これらメタル配線間に硬化性樹脂がプレス
成型によって充填される配線基板において、前記電極パ
ターンの最端部に位置するメタル配線の外側に隣接して
ダミー配線５０３を形成した。ダミー配線５０３の厚さ
は、ほぼメタル配線５０２の厚さにする。
し、画素エリア内において平坦な配線基板を得ることに
ある。 【解決手段】 メタル配線５０２からなる電極パターン
が形成され、これらメタル配線間に硬化性樹脂がプレス
成型によって充填される配線基板において、前記電極パ
ターンの最端部に位置するメタル配線の外側に隣接して
ダミー配線５０３を形成した。ダミー配線５０３の厚さ
は、ほぼメタル配線５０２の厚さにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示パネルのため
の光学変調素子として用いる配線基板に関し、詳しくは
走査電極群と信号電極群をマトリックス状に構成し、そ
の間に形成された画素部を選択的に変調させることによ
って表示を行う表示素子の配線基板に関するものであ
る。
の光学変調素子として用いる配線基板に関し、詳しくは
走査電極群と信号電極群をマトリックス状に構成し、そ
の間に形成された画素部を選択的に変調させることによ
って表示を行う表示素子の配線基板に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来用いられていた液晶表示素子用の電
極基板はガラス基板上にＩＴＯなどの透明電極を形成し
ていた。しかしながら、上記の透明電極では抵抗率が高
いため、表示面積の大型化、高精細化にともない素子パ
ネル内における電圧波形の遅延が問題となっていた。
極基板はガラス基板上にＩＴＯなどの透明電極を形成し
ていた。しかしながら、上記の透明電極では抵抗率が高
いため、表示面積の大型化、高精細化にともない素子パ
ネル内における電圧波形の遅延が問題となっていた。
【０００３】また、透明電極を厚く形成することも考え
られるが、成膜に時間・コストがかかり、かつ透明性が
悪くなる等の欠点があった。
られるが、成膜に時間・コストがかかり、かつ透明性が
悪くなる等の欠点があった。
【０００４】このような問題を解決するために、膜厚の
薄い透明電極に併設して金属からなる電極を形成するこ
とが行われている（特開平２−６３０１９号参照）。こ
れは、金属配線を透明な絶縁物で埋め込み表面に金属パ
ターンを露出した配線基板上に、ＩＴＯ膜等の透明電極
を形成したものである。
薄い透明電極に併設して金属からなる電極を形成するこ
とが行われている（特開平２−６３０１９号参照）。こ
れは、金属配線を透明な絶縁物で埋め込み表面に金属パ
ターンを露出した配線基板上に、ＩＴＯ膜等の透明電極
を形成したものである。
【０００５】上記のような構成の基板を作成する時に、
金属配線間を埋める絶縁物として透明な樹脂を用いた発
明（特願平５−１５８１８２号参照）がある。この製造
方法を図７、図８に示す。
金属配線間を埋める絶縁物として透明な樹脂を用いた発
明（特願平５−１５８１８２号参照）がある。この製造
方法を図７、図８に示す。
【０００６】先ず、図７（ａ）に示すように、平滑な型
基板２０１の表面に紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂等のモノ
マー液２０２を所定量滴下する。次に、図７（ｂ），
（ｃ）に示すように、あらかじめ金属配線パターン２０
３が施された基板２０４を、配線面が型基板２０１に向
けて樹脂液２０２を挟むように接触させる。
基板２０１の表面に紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂等のモノ
マー液２０２を所定量滴下する。次に、図７（ｂ），
（ｃ）に示すように、あらかじめ金属配線パターン２０
３が施された基板２０４を、配線面が型基板２０１に向
けて樹脂液２０２を挟むように接触させる。
【０００７】さらに、図７（ｄ）、図８（ａ）に示すよ
うに、型基板２０１と配線基板２０４をプレス機２０５
等で上下から圧力を加え全面にわたって密着させ、その
後、図８（ｂ）に示すようにＵＶ光２０６をあてて樹脂
を硬化させ、図８（ｃ），（ｄ）に示すように型基板を
離型して金属配線埋め込み基板２０７を形成する。
うに、型基板２０１と配線基板２０４をプレス機２０５
等で上下から圧力を加え全面にわたって密着させ、その
後、図８（ｂ）に示すようにＵＶ光２０６をあてて樹脂
を硬化させ、図８（ｃ），（ｄ）に示すように型基板を
離型して金属配線埋め込み基板２０７を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような製造方法
において、型基板と配線基板を加圧密着する工程で配線
端のところで樹脂が盛り上がるという問題が起こる場合
があった。
において、型基板と配線基板を加圧密着する工程で配線
端のところで樹脂が盛り上がるという問題が起こる場合
があった。
【０００９】このことを、図を使って説明する。樹脂３
０２を挟んで型基板３０１と配線基板３０３を合わせる
と、図９（ａ）に示すように、配線３０３より高いとこ
ろまで樹脂３０２が存在する。
０２を挟んで型基板３０１と配線基板３０３を合わせる
と、図９（ａ）に示すように、配線３０３より高いとこ
ろまで樹脂３０２が存在する。
【００１０】これに上下から圧力を加えると、図９
（ｂ）に示すように、配線３０３が広い範囲に渡って存
在しているところでは樹脂層の厚さと配線高さが同一に
なるが、配線が途切れる付近では配線のない部分の基板
３０１がたわみ、樹脂が完全にプレスされず配線端部に
だけ樹脂の高さが配線より高くなる部分３０４が生じる
ことがあった。
（ｂ）に示すように、配線３０３が広い範囲に渡って存
在しているところでは樹脂層の厚さと配線高さが同一に
なるが、配線が途切れる付近では配線のない部分の基板
３０１がたわみ、樹脂が完全にプレスされず配線端部に
だけ樹脂の高さが配線より高くなる部分３０４が生じる
ことがあった。
【００１１】このような配線基板３０３を用いて液晶セ
ルを構成した場合、画素エリア内にセルギャップむらが
発生し、均一な表示が行えないという問題があった。
ルを構成した場合、画素エリア内にセルギャップむらが
発生し、均一な表示が行えないという問題があった。
【００１２】本発明の目的は、画素エリア内の樹脂の盛
り上がり部分を解消し、画素エリア内において平坦な配
線基板を得ることにある。
り上がり部分を解消し、画素エリア内において平坦な配
線基板を得ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記のような問題を解決
するために、本発明は、メタル配線からなる電極パター
ンが形成され、これらメタル配線間に硬化性樹脂がプレ
ス成型によって充填される配線基板において、前記電極
パターンの最端部に位置するメタル配線の外側に隣接し
てダミー配線を形成したことを特徴としている。
するために、本発明は、メタル配線からなる電極パター
ンが形成され、これらメタル配線間に硬化性樹脂がプレ
ス成型によって充填される配線基板において、前記電極
パターンの最端部に位置するメタル配線の外側に隣接し
てダミー配線を形成したことを特徴としている。
【００１４】この場合に、前記ダミー配線の厚さは、ほ
ぼメタル配線の厚さに等しいことが望ましく、また前記
ダミー配線は、メタル配線と同一の工程で形成されるこ
とが好適である。
ぼメタル配線の厚さに等しいことが望ましく、また前記
ダミー配線は、メタル配線と同一の工程で形成されるこ
とが好適である。
【００１５】また、前記硬化性樹脂としては、紫外線硬
化樹脂を用いることが好ましい。
化樹脂を用いることが好ましい。
【００１６】〔作用〕本発明は、プレス成型の際の基板
のたわみによって配線終端部のメタル配線上に生じる樹
脂の盛り上がり部を、配線終端部に隣接して配線と近い
厚さのタミー配線よって、基板に掛かる歪みを受け止
め、配線端部においても基板に均一な力が加えられるよ
うにして樹脂の盛り上がりをダミー配線部に移し画素エ
リアから離すことが可能となる。
のたわみによって配線終端部のメタル配線上に生じる樹
脂の盛り上がり部を、配線終端部に隣接して配線と近い
厚さのタミー配線よって、基板に掛かる歪みを受け止
め、配線端部においても基板に均一な力が加えられるよ
うにして樹脂の盛り上がりをダミー配線部に移し画素エ
リアから離すことが可能となる。
【００１７】以下に図を使って説明する。図１０（ａ）
は、液晶表示装置に用いられる配線基板の平面図を模式
的に示したものである。このような形状に厚膜メタルを
配線電極としてパターニングした基板を、前述したよう
に樹脂を使って配線段差を平坦化するために型基板と配
線基板を加圧密着すると、図１０（ａ）のＢ−Ｂ′線に
よる端面図である図１０（ｂ）に示すように、基板のた
わみによって配線電極の列の端部４０３の部分に、樹脂
の盛り上がり４０５が発生する。
は、液晶表示装置に用いられる配線基板の平面図を模式
的に示したものである。このような形状に厚膜メタルを
配線電極としてパターニングした基板を、前述したよう
に樹脂を使って配線段差を平坦化するために型基板と配
線基板を加圧密着すると、図１０（ａ）のＢ−Ｂ′線に
よる端面図である図１０（ｂ）に示すように、基板のた
わみによって配線電極の列の端部４０３の部分に、樹脂
の盛り上がり４０５が発生する。
【００１８】特に、端部４０３の部分は表示画素領域内
４０４で、液晶のセルギャップが盛り上がり樹脂によっ
て狭くなり表示品質が低下する。
４０４で、液晶のセルギャップが盛り上がり樹脂によっ
て狭くなり表示品質が低下する。
【００１９】そこで、図１０（ｃ）に示すように、配線
電極列終端部に配線と同程度高さ（厚さ）のダミー配線
４０６を配置して、樹脂の盛り上がり領域を４０６の部
分へ移し、画素領域内４０４の平坦性を確保する。
電極列終端部に配線と同程度高さ（厚さ）のダミー配線
４０６を配置して、樹脂の盛り上がり領域を４０６の部
分へ移し、画素領域内４０４の平坦性を確保する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１〜図３
を使って説明する。
を使って説明する。
【００２１】図１（ａ）に示すように、基板５０１上に
画素電極用の配線５０２と、それに平行な方向に隣接す
る部分に配線とほぼ同じ高さ（厚さ）のダミー配線５０
３を配置する。なお、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
による端面図である。
画素電極用の配線５０２と、それに平行な方向に隣接す
る部分に配線とほぼ同じ高さ（厚さ）のダミー配線５０
３を配置する。なお、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
による端面図である。
【００２２】このダミー配線は画素電極と同一のプロセ
スで形成することが望ましいが、レジスト等の物質で配
線と別個に形成してもかまわない。
スで形成することが望ましいが、レジスト等の物質で配
線と別個に形成してもかまわない。
【００２３】ダミー配線の形状は図２の５０４で示すよ
うな島状等でもかまわないが、埋め込み樹脂の流動性を
考慮すると配線と同様な帯状が望ましい。ダミー配線の
厚みは画素電極と同一であることが望ましいが、ガラス
基板の歪みが生じない程度の差ならばかまわない。ダミ
ー配線は画素電極に隣接して、一般には１〜２０ｍｍ程
度、望ましくは５〜１０ｍｍの幅に配置する。
うな島状等でもかまわないが、埋め込み樹脂の流動性を
考慮すると配線と同様な帯状が望ましい。ダミー配線の
厚みは画素電極と同一であることが望ましいが、ガラス
基板の歪みが生じない程度の差ならばかまわない。ダミ
ー配線は画素電極に隣接して、一般には１〜２０ｍｍ程
度、望ましくは５〜１０ｍｍの幅に配置する。
【００２４】配置の幅が２０ｍｍを越えてもかまわない
が、それ以下の場合と画素電極上の樹脂を平坦化すると
いう効果の点では特に差はない。また、配置の幅が１ｍ
ｍ以下では、圧力を加えて樹脂を平坦化する際に起きる
基板のたわみを吸収できず、画素電極領域に樹脂の盛り
上がりを生じてしまう場合もある。
が、それ以下の場合と画素電極上の樹脂を平坦化すると
いう効果の点では特に差はない。また、配置の幅が１ｍ
ｍ以下では、圧力を加えて樹脂を平坦化する際に起きる
基板のたわみを吸収できず、画素電極領域に樹脂の盛り
上がりを生じてしまう場合もある。
【００２５】この基板５０１を、図３（ａ）に示すよう
に、配線面が型基板５０５に向けて平坦化用の埋め込み
樹脂の液５０６を挟むように接触させる。この際、型基
板５０５としては金属、ガラス、セラミック、合成樹脂
等を用いることが可能で、基板５０１としてはガラス、
セラミック、樹脂等の透明性のものを用いることが出来
る。 また、埋め込み樹脂５０６としてはエポキシ系、
アクリル系等の紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂のモノマーを
用いることができる。樹脂液５０６は、型基板５０５、
配線基板５０１のどちらの上に先に滴下してあっても良
い。
に、配線面が型基板５０５に向けて平坦化用の埋め込み
樹脂の液５０６を挟むように接触させる。この際、型基
板５０５としては金属、ガラス、セラミック、合成樹脂
等を用いることが可能で、基板５０１としてはガラス、
セラミック、樹脂等の透明性のものを用いることが出来
る。 また、埋め込み樹脂５０６としてはエポキシ系、
アクリル系等の紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂のモノマーを
用いることができる。樹脂液５０６は、型基板５０５、
配線基板５０１のどちらの上に先に滴下してあっても良
い。
【００２６】つぎに、図３（ｂ）に示すように、型基板
５０５と配線基板５０１をプレス機５０７等で上下から
圧力を加え全面にわたって密着させる。
５０５と配線基板５０１をプレス機５０７等で上下から
圧力を加え全面にわたって密着させる。
【００２７】その後、図３（ｃ）に示すように、ＵＶ光
５０８をあてて硬化させ、型基板を離型して、図３
（ｄ）に示すような金属配線埋め込み基板５０９を形成
する。この時、ＵＶ光は型基板５０５側から当てても配
線基板５０１側から当てても、また両方から同時にあて
ても良い。
５０８をあてて硬化させ、型基板を離型して、図３
（ｄ）に示すような金属配線埋め込み基板５０９を形成
する。この時、ＵＶ光は型基板５０５側から当てても配
線基板５０１側から当てても、また両方から同時にあて
ても良い。
【００２８】樹脂による平坦化を行う画素部以外を遮光
して画素部以外の樹脂を未硬化のまま、洗浄除去すれば
より好ましい。
して画素部以外の樹脂を未硬化のまま、洗浄除去すれば
より好ましい。
【００２９】本発明による表面平坦化基板は、特に液晶
表示装置において有効であるが、用途はこれに限られる
ものではなく、マトリックス駆動を用いた表示装置全般
に応用可能であることは言うまでもない。
表示装置において有効であるが、用途はこれに限られる
ものではなく、マトリックス駆動を用いた表示装置全般
に応用可能であることは言うまでもない。
【００３０】
（実施例１）図４は、本発明によるプロセスを模式的に
示したものである。１００ｍｍ□のガラス基板６０１上
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線６０２として形成し、その配線に平
行な両端に１００μｍ離して、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のダミー配線６０３を１００μｍピッチで１００本、同
一のプロセスで形成した。
示したものである。１００ｍｍ□のガラス基板６０１上
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線６０２として形成し、その配線に平
行な両端に１００μｍ離して、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のダミー配線６０３を１００μｍピッチで１００本、同
一のプロセスで形成した。
【００３１】この基板にＵＶ照射オゾン処理を５分間行
った後、シランカップリング剤としてＡ−１７４（日本
ユニカー（株））とエチルアルコールを１：４に混合し
たもの（図示せず）をスピンコートし１００℃、２０分
熱処理を行い密着処理を施した。
った後、シランカップリング剤としてＡ−１７４（日本
ユニカー（株））とエチルアルコールを１：４に混合し
たもの（図示せず）をスピンコートし１００℃、２０分
熱処理を行い密着処理を施した。
【００３２】基板６０１上にディスペンサー６０４を使
って、アクリル系ＵＶ硬化樹脂（ペンタエリストールト
リアクリレート：ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト：１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン＝５
０：５０：２）６０５を滴下した。
って、アクリル系ＵＶ硬化樹脂（ペンタエリストールト
リアクリレート：ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト：１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン＝５
０：５０：２）６０５を滴下した。
【００３３】ガラスを型基板６０６として、ＵＶ硬化樹
脂６０５を挟んで配線基板６０１と密着させ、プレス機
６０７によって２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を３分間加え
た。
脂６０５を挟んで配線基板６０１と密着させ、プレス機
６０７によって２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を３分間加え
た。
【００３４】プレス機から取り出した後、画素エリア以
外はマスク６０８で遮光した後、中心波長３６５ｎｍの
ＵＶ光（光強度２００ｍＪ／ｃｍ2 ）を照射し、ＵＶ硬
化樹脂６０５を光硬化した。
外はマスク６０８で遮光した後、中心波長３６５ｎｍの
ＵＶ光（光強度２００ｍＪ／ｃｍ2 ）を照射し、ＵＶ硬
化樹脂６０５を光硬化した。
【００３５】離型治具を用いて配線基板６０１から型基
板６０６を離型し、イソプロパノール溶液中で超音波洗
浄し未硬化のＵＶ硬化樹脂を除去し、金属配線埋め込み
基板６０９を作製した。
板６０６を離型し、イソプロパノール溶液中で超音波洗
浄し未硬化のＵＶ硬化樹脂を除去し、金属配線埋め込み
基板６０９を作製した。
【００３６】この基板６０９上にＩＴＯ膜、配向膜等を
形成した後、２枚を対向してギャップ材を挟んでセル組
し液晶を注入し、１．５μｍのギャップを持った液晶表
示装置を作製したところ、画素エリアの全域にわたって
均一なセルギャップが得られていた。
形成した後、２枚を対向してギャップ材を挟んでセル組
し液晶を注入し、１．５μｍのギャップを持った液晶表
示装置を作製したところ、画素エリアの全域にわたって
均一なセルギャップが得られていた。
【００３７】（比較例）本発明の比較例を図５を用いて
示す。ガラス基板７０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＣｒパターンを１００μｍピッチで画素配線７０２と
して形成し、実施例１とは異なってダミー配線は設け
ず、シランカップリング処理以下は実施例１と同様の工
程を経てセルギャップ１．５μｍのギャップを持った液
晶表示装置を作製したところ、画素表示エリアの周囲５
ｍｍ幅の領域７０３が、セルギャップが狭くなった為に
黄色に着色してしまった。
示す。ガラス基板７０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＣｒパターンを１００μｍピッチで画素配線７０２と
して形成し、実施例１とは異なってダミー配線は設け
ず、シランカップリング処理以下は実施例１と同様の工
程を経てセルギャップ１．５μｍのギャップを持った液
晶表示装置を作製したところ、画素表示エリアの周囲５
ｍｍ幅の領域７０３が、セルギャップが狭くなった為に
黄色に着色してしまった。
【００３８】（実施例２）１００ｍｍ□のガラス基板上
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成し、その際に配線に平行
な両端に５００μｍ離して、１５μｍ幅で厚み２μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで２０本、同一のプロセ
スで形成した。
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成し、その際に配線に平行
な両端に５００μｍ離して、１５μｍ幅で厚み２μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで２０本、同一のプロセ
スで形成した。
【００３９】シランカップリング処理以下は実施例１と
同様の工程を経てセルギャップ１．５μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
同様の工程を経てセルギャップ１．５μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
【００４０】（実施例３）図６に示すように、１００ｍ
ｍ□のガラス基板８０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＭｏパターンを１００μｍピッチで画素配線８０２と
して形成し、その際に配線に平行な両端に３００μｍ離
して、２００μｍ幅で長さ１０ｍｍ、厚み２μｍの島状
のダミー配線８０３を配線８０２に平行な方向に３００
μｍ間隔で８個、垂直な方向に２個並べた配置に同一の
プロセスで形成した。
ｍ□のガラス基板８０１上に、１０μｍ幅で厚み２μｍ
のＭｏパターンを１００μｍピッチで画素配線８０２と
して形成し、その際に配線に平行な両端に３００μｍ離
して、２００μｍ幅で長さ１０ｍｍ、厚み２μｍの島状
のダミー配線８０３を配線８０２に平行な方向に３００
μｍ間隔で８個、垂直な方向に２個並べた配置に同一の
プロセスで形成した。
【００４１】シランカップリング処理以下は実施例１と
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
【００４２】（実施例４）１００ｍｍ□のガラス基板上
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に３００μｍ離して、２０μｍ幅で厚み１μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで１０本、フォトレジス
トを用いて形成した。
に、１０μｍ幅で厚み２μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配線として形成した後、その配線に平行
な両端に３００μｍ離して、２０μｍ幅で厚み１μｍの
ダミー配線を３００μｍピッチで１０本、フォトレジス
トを用いて形成した。
【００４３】シランカップリング処理以下は実施例１と
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
【００４４】（実施例５）１００ｍｍ□のガラス基板上
に、１０μｍ幅で厚み４μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配置として形成した後、その配線に平行
な両端に１ｍｍ離して、４ｍｍ幅で長さ２０ｍｍ、厚み
４．３μｍのＡｕの箔でできた島状のダミー配線を配線
に平行な方向に１０ｍｍ間隔で３個、垂直な方向に１個
並べた配置に転写法で形成した。
に、１０μｍ幅で厚み４μｍのＣｒパターンを１００μ
ｍピッチで画素配置として形成した後、その配線に平行
な両端に１ｍｍ離して、４ｍｍ幅で長さ２０ｍｍ、厚み
４．３μｍのＡｕの箔でできた島状のダミー配線を配線
に平行な方向に１０ｍｍ間隔で３個、垂直な方向に１個
並べた配置に転写法で形成した。
【００４５】シランカップリング処理以下は実施例１と
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
同様の工程を経てセルギャップ２．１μｍのギャップを
持った液晶表示装置を作製したところ、画素エリアの全
域にわたって均一なセルギャップが得られていた。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂を用いて埋め込み配線を平坦化する際に表示画素領
域で均一な表面ができ、特に液晶表示装置に適用すると
セルギャップむらのない高品位な画像を得ることが出来
る。
樹脂を用いて埋め込み配線を平坦化する際に表示画素領
域で均一な表面ができ、特に液晶表示装置に適用すると
セルギャップむらのない高品位な画像を得ることが出来
る。
【図１】本発明の実施の形態の一例を示した図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線による端
面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線による端
面図である。
【図２】他の実施の形態を示した図である。
【図３】本配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４】配線基板の製造工程の実施例を示す図である。
【図５】比較例による配線基板の図である。
【図６】他の実施例の配線基板の平面図である。
【図７】配線基板の製造工程を示す図である。
【図８】同じく図７の続きである。
【図９】従来の配線基板の問題点を説明するための図で
ある。
ある。
【図１０】従来の配線基板の課題を解決するための解決
原理を示す図である。
原理を示す図である。
５０１ 配線基板 ５０２ メタル配線 ５０３ ダミー配線 ５０４ ダミー配線 ５０５ 型基板 ５０６ 紫外線硬化樹脂 ５０７ プレス機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 友野 晴夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 メタル配線からなる電極パターンが形成
され、これらメタル配線間に硬化性樹脂がプレス成型に
よって充填される配線基板において、 前記電極パターンの最端部に位置するメタル配線の外側
に隣接してダミー配線を形成したことを特徴とする配線
基板。 - 【請求項２】 前記ダミー配線の厚さは、ほぼメタル配
線の厚さに等しいことを特徴とする請求項１記載の配線
基板。 - 【請求項３】 前記ダミー配線は、メタル配線と同一の
工程で形成されることを特徴とする請求項１又は２記載
の配線基板。 - 【請求項４】 前記硬化性樹脂は、紫外線硬化樹脂であ
ることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22087195A JP3423495B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
| US08/704,140 US5905558A (en) | 1995-08-29 | 1996-08-28 | Circuit plate, process for producing same and liquid crystal device including same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22087195A JP3423495B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961837A true JPH0961837A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3423495B2 JP3423495B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=16757852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22087195A Expired - Fee Related JP3423495B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3423495B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967512A1 (en) * | 1998-01-09 | 1999-12-29 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal device having leakage current preventive function |
| EP1059558A1 (en) * | 1998-03-03 | 2000-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of scattering fine particles, method of manufacturing liquid crystal display, apparatus for scattering fine particles, and liquid crystal display |
| US6603528B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JP2007034235A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
| JP2008537601A (ja) * | 2005-03-14 | 2008-09-18 | シピックス・イメージング・インコーポレーテッド | セグメントディスプレイ用バックプレーンの設計及び製造方法 |
| US7633588B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-12-15 | Au Optronics Corp. | Fringe field switching LCD having smectic liquid crystal and utilizing alternate current squared wave driving voltage |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP22087195A patent/JP3423495B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6961112B2 (en) | 1998-03-03 | 2005-11-01 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Method of scattering fine particles, method of manufacturing liquid crystal display, apparatus for scattering fine particles, and liquid crystal display |
| US6603528B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JP2008537601A (ja) * | 2005-03-14 | 2008-09-18 | シピックス・イメージング・インコーポレーテッド | セグメントディスプレイ用バックプレーンの設計及び製造方法 |
| US7633588B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-12-15 | Au Optronics Corp. | Fringe field switching LCD having smectic liquid crystal and utilizing alternate current squared wave driving voltage |
| JP2007034235A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
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|---|---|
| JP3423495B2 (ja) | 2003-07-07 |
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