JPH0956148A - 高電圧半導体バルブ - Google Patents
高電圧半導体バルブInfo
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- JPH0956148A JPH0956148A JP7210318A JP21031895A JPH0956148A JP H0956148 A JPH0956148 A JP H0956148A JP 7210318 A JP7210318 A JP 7210318A JP 21031895 A JP21031895 A JP 21031895A JP H0956148 A JPH0956148 A JP H0956148A
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- JP
- Japan
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- kib
- coefficient
- voltage
- thyristor
- nrq
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 冗長サイリスタ数を増やすことなく、点検イ
ンタ―バルを長くする。 【解決手段】 複数個の半導体素子を直列接続し、端子
間にサージアレスタを接続した高電圧半導体バルブにお
いて、前記半導体素子個々の故障を検出し、その故障件
数を判別する故障件数判別手段を備え、前記半導体素子
の健全数が所定個数以下になった時に、運転を停止する
ことによって前記バルブを保護する高電圧半導体バルブ
において、運転を停止する判断基準となる健全半導体数
の最小値ＮRQを、前記サージアレスタの保護レベルをＵ
A ，半導体素子間の電圧アンバランス係数をＫIB，余裕
係数をＫMG，半導体素子の耐圧をＵTHとすれば、 ＮRQ＝（ＵA ×ＫIB×ＫMG）／ＵTH の少数点以下を切上げた値としたことを特徴とした高電
圧半導体バルブ。
ンタ―バルを長くする。 【解決手段】 複数個の半導体素子を直列接続し、端子
間にサージアレスタを接続した高電圧半導体バルブにお
いて、前記半導体素子個々の故障を検出し、その故障件
数を判別する故障件数判別手段を備え、前記半導体素子
の健全数が所定個数以下になった時に、運転を停止する
ことによって前記バルブを保護する高電圧半導体バルブ
において、運転を停止する判断基準となる健全半導体数
の最小値ＮRQを、前記サージアレスタの保護レベルをＵ
A ，半導体素子間の電圧アンバランス係数をＫIB，余裕
係数をＫMG，半導体素子の耐圧をＵTHとすれば、 ＮRQ＝（ＵA ×ＫIB×ＫMG）／ＵTH の少数点以下を切上げた値としたことを特徴とした高電
圧半導体バルブ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、直流送電、周波数
変換等用いる高電圧半導体バルブに関する。
変換等用いる高電圧半導体バルブに関する。
【０００２】
【従来の技術】直流送電、周波数変換設備において、電
力変換を行うために、高電圧半導体バルブが複数台用い
られる。例えば、サイリスタを使用したサイリスタバル
ブによる直流送電システムにおける交流・直流変換を行
う回路を図２に示す。以下の説明は、半導体バルブの代
表例としてサイリスタバルブを例にとるが、半導体素子
としてＧＴＯサイリスタを使用したＧＴＯバルブ等にお
いても本発明は同様に適用できるものである。
力変換を行うために、高電圧半導体バルブが複数台用い
られる。例えば、サイリスタを使用したサイリスタバル
ブによる直流送電システムにおける交流・直流変換を行
う回路を図２に示す。以下の説明は、半導体バルブの代
表例としてサイリスタバルブを例にとるが、半導体素子
としてＧＴＯサイリスタを使用したＧＴＯバルブ等にお
いても本発明は同様に適用できるものである。
【０００３】図２において、１ー１〜１ー１２がサイリ
スタバルブで、要求される電圧に耐えるよう複数個のサ
イリスタを直列接続して構成される。サイリスタバルブ
１ー１〜１ー１２は、各々過電圧から保護するため、サ
ージアレスタ２ー１〜２ー１２を端子間に接続してい
る。１２台のサイリスタバルブ１ー１〜１ー１２は３相
ブリッジ結線の２段カスケード接続され、２台の変換器
用変圧器３ー１，３ー２により交流系統と接続される。
サイリスタの直接数Ｎは、一般に以下のように決定され
る。
スタバルブで、要求される電圧に耐えるよう複数個のサ
イリスタを直列接続して構成される。サイリスタバルブ
１ー１〜１ー１２は、各々過電圧から保護するため、サ
ージアレスタ２ー１〜２ー１２を端子間に接続してい
る。１２台のサイリスタバルブ１ー１〜１ー１２は３相
ブリッジ結線の２段カスケード接続され、２台の変換器
用変圧器３ー１，３ー２により交流系統と接続される。
サイリスタの直接数Ｎは、一般に以下のように決定され
る。
【０００４】
【数１】 Ｎ＝［（ＳＩＷＶ×ＫIB）／ＵTH］＋ＮR ……（１） ＝［（ＵA ×ＫTS×ＫIB）／ＵTH］＋ＮR ……（２） 但し、ＵA ：サージアレスタの保護レベル ＫTS：試験安全係数 ＫIB：サイリスタ間の電圧アンバランス係数 ＵTH：サイリスタの耐圧 ＮR ：冗長サイリスタ数 ＳＩＷＶ：開閉インパルス耐電圧レベル （１）式の右辺の第１項は、サイリスタが試験に耐える
ために必要な最小限の直列数を示すものである。一方、
右辺の第２項は、サイリスタの偶発的な故障を予め見込
んでおき、運転中に直列接続のサイリスタの何個かが故
障しても必要最低限の直列数は確保することができ、従
って、運転を継続できるようにするための冗長サイリス
タ数ＮR を示している。
ために必要な最小限の直列数を示すものである。一方、
右辺の第２項は、サイリスタの偶発的な故障を予め見込
んでおき、運転中に直列接続のサイリスタの何個かが故
障しても必要最低限の直列数は確保することができ、従
って、運転を継続できるようにするための冗長サイリス
タ数ＮR を示している。
【０００５】一般に冗長サイリスタ数ＮR は、サイリス
タやその付属部品の故障確率と、サイリスタバルブの点
検周期を勘案して決定する。即ち、定期点検の際に故障
した部品は全て交換しておき次の点検までの間にサイリ
スタの何個かが偶発故障を起しても運転を停止しなくて
も良いようにＮR を決定する。
タやその付属部品の故障確率と、サイリスタバルブの点
検周期を勘案して決定する。即ち、定期点検の際に故障
した部品は全て交換しておき次の点検までの間にサイリ
スタの何個かが偶発故障を起しても運転を停止しなくて
も良いようにＮR を決定する。
【０００６】サイリスタバルブ１ー１〜１ー１２に加わ
る最大電圧（１式のＳＩＷＶ）は、（２）式で示したよ
うに、サージアレスタ２ー１〜２ー１２の保護レベルＵ
A に試験安全係数ＫTSを乗じたものである。そしてＫTS
は、ＩＥＣ- ７００（１９８１），Ｔｅｓｔｉｎｇ ｏ
ｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｖａｌｖｅｓ ｆｏ
ｒ ｈｉｇｈ- Ｖｏｌｔａｇｅ ｄ．ｃ．ｐｏｗｅｒ
ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎによると１．１５と規定され
ている。又、サイリスタバルブを製作した場合は、設計
値通りにサイリスタバルブが製作されているか否かを試
験する必要があり、その試験安全係数ＫTSは以下に示す
項目を考慮して決定されている。
る最大電圧（１式のＳＩＷＶ）は、（２）式で示したよ
うに、サージアレスタ２ー１〜２ー１２の保護レベルＵ
A に試験安全係数ＫTSを乗じたものである。そしてＫTS
は、ＩＥＣ- ７００（１９８１），Ｔｅｓｔｉｎｇ ｏ
ｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｖａｌｖｅｓ ｆｏ
ｒ ｈｉｇｈ- Ｖｏｌｔａｇｅ ｄ．ｃ．ｐｏｗｅｒ
ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎによると１．１５と規定され
ている。又、サイリスタバルブを製作した場合は、設計
値通りにサイリスタバルブが製作されているか否かを試
験する必要があり、その試験安全係数ＫTSは以下に示す
項目を考慮して決定されている。
【０００７】(1) 試験時の印加電圧の誤差及び測定の誤
差 (2) 絶縁物の経時的耐電圧の劣化 (3) サージアレスタの保護レベルの経時変化 (4) サージアレスタの協調電流決定時の解析の不確定要
素 (5) サージアレスタの保護レベルの測定誤差 等である。
差 (2) 絶縁物の経時的耐電圧の劣化 (3) サージアレスタの保護レベルの経時変化 (4) サージアレスタの協調電流決定時の解析の不確定要
素 (5) サージアレスタの保護レベルの測定誤差 等である。
【０００８】一方、稼動中のサイリスタバルブが、偶発
故障を起しサイリスタの数が冗長サイリスタ数ＮR に達
した時には運転停止する必要があり、このため運転中の
サイリスタの健全性をモニタする必要がある。
故障を起しサイリスタの数が冗長サイリスタ数ＮR に達
した時には運転停止する必要があり、このため運転中の
サイリスタの健全性をモニタする必要がある。
【０００９】運転中のサイリスタの健全性をモニタする
方法の例を図３を用いて説明する。サイリスタバルブ１
は直列接続されたＮ個のサイリスタ４ー１〜４ーＮと、
それに直列接続されたバルブリアクトル５ー１，５ー２
及び各サイリスタ４ー１〜４ーＮに並列接続された抵抗
とコンデンサの直列回路からなるスナバ回路６ー１〜６
ーＮから成る。更に、各サイリスタ４ー１〜４ーＮに直
列インピーダンスと発光ダイオードの直列接続からなる
モニタ回路７ー１〜７ーＮを並列接続する。前記発光ダ
イオードには保護用にそれぞれ逆並列にダイオードを接
続する。モニタ回路７ー１〜７ーＮは、サイリスタ４ー
１〜４ーＮが健全であれば、サイリスタ４ー１〜４ーＮ
のアノード側に正電圧が印加されてる間、光信号を発
し、この光信号はライトガイド８ー１〜８ーＮにより、
大地電位にあるサイリスタ故障判別回路９に送られる。
サイリスタ故障判別回路９は、光信号を電気信号に変換
した後、各サイリスタ４ー１〜４ーＮのモニタ信号を一
旦ラッチ回路でラッチし、マイクロプロセサ（ＣＰ
Ｕ）、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）及び書込み可能メモ
リ（ＲＡＭ）により故障数や故障位置の判別、停止の必
要性等を演算し、入出力回路（Ｉ／Ｏ）を介して、表示
回路１０に状態表示をすると共に、必要な場合は停止信
号１１を発生する。停止信号１１は冗長サイリスタＮR
がなくなった時点で発生する。
方法の例を図３を用いて説明する。サイリスタバルブ１
は直列接続されたＮ個のサイリスタ４ー１〜４ーＮと、
それに直列接続されたバルブリアクトル５ー１，５ー２
及び各サイリスタ４ー１〜４ーＮに並列接続された抵抗
とコンデンサの直列回路からなるスナバ回路６ー１〜６
ーＮから成る。更に、各サイリスタ４ー１〜４ーＮに直
列インピーダンスと発光ダイオードの直列接続からなる
モニタ回路７ー１〜７ーＮを並列接続する。前記発光ダ
イオードには保護用にそれぞれ逆並列にダイオードを接
続する。モニタ回路７ー１〜７ーＮは、サイリスタ４ー
１〜４ーＮが健全であれば、サイリスタ４ー１〜４ーＮ
のアノード側に正電圧が印加されてる間、光信号を発
し、この光信号はライトガイド８ー１〜８ーＮにより、
大地電位にあるサイリスタ故障判別回路９に送られる。
サイリスタ故障判別回路９は、光信号を電気信号に変換
した後、各サイリスタ４ー１〜４ーＮのモニタ信号を一
旦ラッチ回路でラッチし、マイクロプロセサ（ＣＰ
Ｕ）、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）及び書込み可能メモ
リ（ＲＡＭ）により故障数や故障位置の判別、停止の必
要性等を演算し、入出力回路（Ｉ／Ｏ）を介して、表示
回路１０に状態表示をすると共に、必要な場合は停止信
号１１を発生する。停止信号１１は冗長サイリスタＮR
がなくなった時点で発生する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明のように、従
来はサイリスタバルブ１ー１〜１ー１２は運転中に常時
その健全性がモニタされ、故障数が冗長サイリスタ数Ｎ
R を越えた時に運転を停止していた。しかしながら、特
に、サイリスタバルブ１ー１〜１ー１２が適用されるシ
ステムの重要度が非常に高く、停止を極力避ける必要が
ある場合などは、冗長サイリスタ数ＮR を多くしたり、
或いは点検周期を短くして対応していた。しかし冗長サ
イリスタ数ＮR の増加は、サイリスタバルブの外形寸法
を増加するばかりでなく、電力損失をも増加することに
なり、経済的でない。また、点検周期の短縮は運転可能
時間を短縮すると共に、保守費用の増大を招く。
来はサイリスタバルブ１ー１〜１ー１２は運転中に常時
その健全性がモニタされ、故障数が冗長サイリスタ数Ｎ
R を越えた時に運転を停止していた。しかしながら、特
に、サイリスタバルブ１ー１〜１ー１２が適用されるシ
ステムの重要度が非常に高く、停止を極力避ける必要が
ある場合などは、冗長サイリスタ数ＮR を多くしたり、
或いは点検周期を短くして対応していた。しかし冗長サ
イリスタ数ＮR の増加は、サイリスタバルブの外形寸法
を増加するばかりでなく、電力損失をも増加することに
なり、経済的でない。また、点検周期の短縮は運転可能
時間を短縮すると共に、保守費用の増大を招く。
【００１１】本発明の目的は、かかる従来の欠点を除去
するためになされたものであって、経済的で小形低損
失、又、保守費用の安価な高電圧半導体バルブを提供す
ることにある。
するためになされたものであって、経済的で小形低損
失、又、保守費用の安価な高電圧半導体バルブを提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、複数個の半導体素子を直
列接続し、端子間にサージアレスタを接続した高電圧半
導体バルブにおいて、前記半導体素子個々の故障を検出
し、その故障件数を判別する故障件数判別手段を備え、
前記半導体素子の健全数が所定個数以下になった時に、
運転を停止することによって前記バルブを保護する高電
圧半導体バルブにおいて、運転を停止する判断基準とな
る健全半導体数の最小値ＮRQを、前記サージアレスタの
保護レベルをＵA ，半導体素子間の電圧アンバランス係
数をＫIB，余裕係数をＫMG，半導体素子の耐圧をＵTHと
すれば、
に、請求項１に記載の発明は、複数個の半導体素子を直
列接続し、端子間にサージアレスタを接続した高電圧半
導体バルブにおいて、前記半導体素子個々の故障を検出
し、その故障件数を判別する故障件数判別手段を備え、
前記半導体素子の健全数が所定個数以下になった時に、
運転を停止することによって前記バルブを保護する高電
圧半導体バルブにおいて、運転を停止する判断基準とな
る健全半導体数の最小値ＮRQを、前記サージアレスタの
保護レベルをＵA ，半導体素子間の電圧アンバランス係
数をＫIB，余裕係数をＫMG，半導体素子の耐圧をＵTHと
すれば、
【００１３】
【数２】ＮRQ＝（ＵA ×ＫIB×ＫMG）／ＵTH の少数点以下を切上げた値としたことを特徴としたもの
である。又、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における余裕係数ＫMGを、１．０５〜１．１１と
したことにある。
である。又、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における余裕係数ＫMGを、１．０５〜１．１１と
したことにある。
【００１４】更に、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の発明における電圧アンバランス係数ＫIB、サー
ジアレスタの保護レベルをＵA の少なくとも一方は実測
値を用いるようにしたものである。
に記載の発明における電圧アンバランス係数ＫIB、サー
ジアレスタの保護レベルをＵA の少なくとも一方は実測
値を用いるようにしたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して本発明を説
明する。今、サージアレスタの保護レベルＵA に対して
取る余裕をＫMGとすると、運転を継続するに必要な最小
限直列数ＮRQを（３）式で決定する。
明する。今、サージアレスタの保護レベルＵA に対して
取る余裕をＫMGとすると、運転を継続するに必要な最小
限直列数ＮRQを（３）式で決定する。
【００１６】
【数３】 ＮRQ＝（ＵA ×ＫIB×ＫMG）／ＵTH ……（３） 余裕係数ＫMGの値自身は、サイリスタバルブの設計に依
存するが、基本的に考慮すべき次項は以下である。
存するが、基本的に考慮すべき次項は以下である。
【００１７】(1) 絶縁物の経時的耐電圧の劣化 (2) サージアレスタの保護レベルの経時変化 (3) サージアレスタの協調電流決定時の解析の不確定要
素 (4) サージアレスタの保護レベルの測定誤差 (1) 項は、サイリスタバルブの耐電圧を決定する最もク
リティカルな部品がサイリスタである場合は、一般にサ
イリスタの耐電圧の経時劣化は無いと考えられるので無
視できる。
素 (4) サージアレスタの保護レベルの測定誤差 (1) 項は、サイリスタバルブの耐電圧を決定する最もク
リティカルな部品がサイリスタである場合は、一般にサ
イリスタの耐電圧の経時劣化は無いと考えられるので無
視できる。
【００１８】(2) 項は、使用しているサージアレスタの
保護レベルの経時変化が常に減少方向である場合は無視
できる。サイリスタバルブの開閉インパルス耐電圧レベ
ルＳＩＷＶを決めるための、試験安全係数ＫTSは上記４
つの項の他に試験時の印加電圧の誤差及び測定誤差を考
慮している。試験時のこれらの誤差は一般には３％が認
められているので、試験時の誤差は統計的に処理すれ
ば、１＋（０．０３2 ＋０．０３2 ）1/2 ＝１．０４
２、即ち、４．２％ということになる。少なくとも本発
明によれば、必要最小限直列数ＮRQはこの４．２％を考
慮しなくて良いため小さくすることができ、ＫMG＝１．
１５−０．０４２＝１．１１となる。更に、前記の(1),
(2)項を無視できる場合は、(3),(4) 項のみを考慮すれ
ば良いので更にＮRQは小さくすることができ、この場
合、サージアレスタの協調電流決定時の解析の不確定要
素及びサージアレスタの保護レベルの測定誤差はそれぞ
れ３％程度と考えられているため前述のように、ＫMG＝
１＋（０．０３2 ＋０．０３2 ）1/2 ＝１．０４２とな
るので、安全性を考え、小数点第３位の値を切上げて、
ＫMG＝１．０５とすることも可能である。
保護レベルの経時変化が常に減少方向である場合は無視
できる。サイリスタバルブの開閉インパルス耐電圧レベ
ルＳＩＷＶを決めるための、試験安全係数ＫTSは上記４
つの項の他に試験時の印加電圧の誤差及び測定誤差を考
慮している。試験時のこれらの誤差は一般には３％が認
められているので、試験時の誤差は統計的に処理すれ
ば、１＋（０．０３2 ＋０．０３2 ）1/2 ＝１．０４
２、即ち、４．２％ということになる。少なくとも本発
明によれば、必要最小限直列数ＮRQはこの４．２％を考
慮しなくて良いため小さくすることができ、ＫMG＝１．
１５−０．０４２＝１．１１となる。更に、前記の(1),
(2)項を無視できる場合は、(3),(4) 項のみを考慮すれ
ば良いので更にＮRQは小さくすることができ、この場
合、サージアレスタの協調電流決定時の解析の不確定要
素及びサージアレスタの保護レベルの測定誤差はそれぞ
れ３％程度と考えられているため前述のように、ＫMG＝
１＋（０．０３2 ＋０．０３2 ）1/2 ＝１．０４２とな
るので、安全性を考え、小数点第３位の値を切上げて、
ＫMG＝１．０５とすることも可能である。
【００１９】一方、電圧アンバランス係数ＫIBやアレス
タ保護レベルＵA は、サイリスタバルブ設計時は、設計
値を使用する。設計値は、一般に或る程度の余裕を見込
んだ値を用いるため、実際に製作すると実際のＫIBやＵ
A は設計値より小さくなる。従って、必要最小限直列数
ＮRQを決定するのに実際に測定したＫIBやＵA を使用す
れば、設計値を使用した場合よりＮRQが小さくなる。
タ保護レベルＵA は、サイリスタバルブ設計時は、設計
値を使用する。設計値は、一般に或る程度の余裕を見込
んだ値を用いるため、実際に製作すると実際のＫIBやＵ
A は設計値より小さくなる。従って、必要最小限直列数
ＮRQを決定するのに実際に測定したＫIBやＵA を使用す
れば、設計値を使用した場合よりＮRQが小さくなる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、図１
から明らかなように、実運転中に必要な健全サイリスタ
数ＮRQが従来（Ｎ−ＮR ）よりも少なくなる。このた
め、サイリスタバルブのサイリスタ直列数を従来と同一
（Ｎ）とすれば、故障が許容される冗長サイリスタと見
做せるサイリスタ数（Ｎ−ＮRQ）が従来より多くなるた
め、点検インターバルを長くすることができ、保守費用
の低減という経済的効果をもたらす。
から明らかなように、実運転中に必要な健全サイリスタ
数ＮRQが従来（Ｎ−ＮR ）よりも少なくなる。このた
め、サイリスタバルブのサイリスタ直列数を従来と同一
（Ｎ）とすれば、故障が許容される冗長サイリスタと見
做せるサイリスタ数（Ｎ−ＮRQ）が従来より多くなるた
め、点検インターバルを長くすることができ、保守費用
の低減という経済的効果をもたらす。
【００２１】更に、装置を予測せずに停止しなくてはな
らないような事態が発生する可能性も従来より減少す
る。一方、点検インターバルは従来と同じとすれば、サ
イリスタ直列数は、［（Ｎ−ＮR ）−ＮRQ］だけ減少す
ることができるので、電圧損失の低減、装置の小形化及
び経済性の改善が図れる。
らないような事態が発生する可能性も従来より減少す
る。一方、点検インターバルは従来と同じとすれば、サ
イリスタ直列数は、［（Ｎ−ＮR ）−ＮRQ］だけ減少す
ることができるので、電圧損失の低減、装置の小形化及
び経済性の改善が図れる。
【図１】本発明を説明するための、サイリスタバルブの
保護レベルとサイリスタ数との関係を示した図。
保護レベルとサイリスタ数との関係を示した図。
【図２】サイリスタバルブの適用例を示した図。
【図３】サイリスタバルブを構成するサイリスタ素子の
健全数をモニタする回路図。
健全数をモニタする回路図。
１ー１〜１ー１２…サイリスタバルブ ２ー１〜２ー１２…サージアレスタ ３ー１，３ー２ …変換用変圧器 ４ …サイリスタバルブ ５ー１〜５ーＮ …サイリスタ ６ー１，６ー２ …バルブリアクトル ７ー１〜７ーＮ …スナバ回路 ９ー１〜９ーＮ …ライトガイド １０ …サイリスタ故障判別回路 １１ …表示回路 １２ …停止信号 ＵA …サージアレスタの保護レベル ＫTS …試験安全係数 ＫIB …サイリスタ間の電圧アンバランス係
数 ＵTH …サイリスタの耐圧 ＮR …冗長サイリスタ数 ＳＩＷＶ …開閉インパルス耐電圧レベル ＫMG …保護レベルＵA に対して取る余裕係
数
数 ＵTH …サイリスタの耐圧 ＮR …冗長サイリスタ数 ＳＩＷＶ …開閉インパルス耐電圧レベル ＫMG …保護レベルＵA に対して取る余裕係
数
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０２Ｍ 7/48 9181−5Ｈ Ｈ０２Ｍ 7/48 Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 複数個の半導体素子を直列接続
し、端子間にサージアレスタを接続した高電圧半導体バ
ルブにおいて、前記半導体素子個々の故障を検出し、そ
の故障件数を判別する故障件数判別手段を備え、前記半
導体素子の健全数が所定個数以下になった時に、運転を
停止することによって前記バルブを保護する高電圧半導
体バルブにおいて、 運転を停止する判断基準となる健全半導体数の最小値Ｎ
RQを、前記サージアレスタの保護レベルをＵA ，半導体
素子間の電圧アンバランス係数をＫIB，余裕係数をＫM
G，半導体素子の耐圧をＵTHとすれば、 ＮRQ＝（ＵA ×ＫIB×ＫMG）／ＵTH の少数点以下を切上げた値としたことを特徴とした高電
圧半導体バルブ。 - 【請求項２】 前記余裕係数ＫMGは、１．０５〜
１．１１であることを特徴とした請求項１に記載の高電
圧半導体バルブ。 - 【請求項３】 前記電圧アンバランス係数ＫIB、
サージアレスタの保護レベルをＵA の少なくとも一方は
実測値を用いることを特徴とした請求項１に記載の高電
圧半導体バルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7210318A JPH0956148A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 高電圧半導体バルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7210318A JPH0956148A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 高電圧半導体バルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0956148A true JPH0956148A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16587447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7210318A Pending JPH0956148A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 高電圧半導体バルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0956148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012157156A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置の保護装置 |
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1995
- 1995-08-18 JP JP7210318A patent/JPH0956148A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012157156A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置の保護装置 |
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