JPH0954227A - 光実装用成形基板及びその製造方法 - Google Patents

光実装用成形基板及びその製造方法

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JPH0954227A
JPH0954227A JP20549295A JP20549295A JPH0954227A JP H0954227 A JPH0954227 A JP H0954227A JP 20549295 A JP20549295 A JP 20549295A JP 20549295 A JP20549295 A JP 20549295A JP H0954227 A JPH0954227 A JP H0954227A
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JP
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optical
substrate
resin
packaging substrate
optical fiber
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JP20549295A
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Koji Sato
弘次 佐藤
Yoshito Shudo
義人 首藤
Shunichi Tono
俊一 東野
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 より高精度で、信頼性が高く、且つ、経済的
な光実装用成形基板及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 少なくとも光半導体部品を搭載する平坦
部33と光ファイバを固定するV溝部32を有し、光フ
ァイバよりも柔らかい樹脂組成物により射出成形で作製
されるため、光ファイバにミクロな傷が発生せず、しか
も高精度で且つ安価となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ(L
D)、受光素子(PD)等の半導体光部品と光ファイバ
を有効に且つ安価に結合させる光実装用成形基板及びそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信システムの普及に伴い、安価な光
モジュールへの要請が強まっている。光モジュールの中
でも最も重要な技術は、半導体レーザ、受光素子と光フ
ァイバとを効率良く結合し、且つ安定に保持することで
ある。即ち、光ファイバのコア径は、約10μmと小さ
く、また、例えば、半導体レーザのスポット径は0.5
×10μm程度の楕円形であって且つ広がり角も数10
度以上に広がってしまうため、これらを効率良く結合す
るためにはレンズを使用して結合することが通常行われ
ている。
【0003】しかしながら、微小な光学系のアライメン
トには多くの時間と手間とを要し、光モジュールの経済
化を妨げる最も大きな要因となっている。また、モジュ
ールの封止は、通常気密管封止を行う必要があり、これ
も大きなコストアップ要因であった。更に、こうした方
法では、より高速な光通信を行うために必要と考えられ
る多心の光ファイバと半導体レーザアレイとの接続は全
く不可能である問題があった。
【0004】こうした問題を避けるために、レンズ系を
使用しないで光ファイバと光半導体を結合する試みがな
されている。図3にその一例を示す(佐々木、他;’9
5信学会総合全国大会講演発表番号C−185)。図3
に示すように、Si基板を加工してなる実装基板1に
は、半導体レーザ4が埋め込まれる一方、光ファイバ7
を固定するための整列溝2が形成されると共に光ファイ
バ7を接着剤により固定する固定する固定溝3が形成さ
れ、光ファイバ7を整列溝2に差し込むことにより半導
体レーザ4と位置合わせされている。
【0005】このように位置合わせされた後、同じくS
i基板を加工して作製された押さえ基板5を接着剤を用
いて封止している。このような無調芯接続により、10
dB程度の接続特性が得られている。また、この方法を
用いて多心光ファイバと半導体レーザアレイとの接続も
検討されている。その一例を図4に示す(三浦、他;電
子材料、’94,No.12、 pp.91−96)。
【0006】即ち、実装基板21には、半導体レーザア
レイ23が固定されると共に6本の整列溝が形成され、
これら整列溝に光ファイバアレイ22の複数の光ファイ
バが挿入されている。各光ファイバは、押え基板24で
実装基板21に対して押さえ付けられ、更に、半田膜2
5で固定されている。この例においても無調芯接続特性
で、約10dB程度の値が報告されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光モジ
ュールにおいて必須である実装基板は、現状ではSi基
板のリソグラフィーにより作製されているが、以下の問
題があることが指摘されている。
【0008】Si基板の結晶軸の方向とフォトマスク
の角度ずれによる軸ずれが無視できない。即ち、V溝部
の加工においては、角度が1度ずれることにより、15
μmの軸ずれ量が発生する事が指摘されている。 Siはガラスファイバは共に硬度が高い材料であるた
め、両者が直接接触する事により、光ファイバ表面にミ
クロな傷を誘起し、長期的な信頼性の面で問題がある。
【0009】Si基板の加工によって、光実装用基板
のような段差が大きく、且つ、複雑な形状を加工するた
めのコストは決して無視できない。このため、将来、光
加入者に大量に導入する際には、より経済的な作製法が
必要となる。 本発明は、上記従来技術に鑑みて成されたものであり、
より高精度で、信頼性が高く、且つ、経済的な光実装用
成形基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明は、以下の4発明よりなる。 (1)少なくとも光半導体部品を搭載する平坦部と光フ
ァイバを固定するV溝部を有し、樹脂組成物により形成
されることを特徴とする光実装用成形基板である。 (2)少なくとも光半導体部品を搭載する平坦部と光フ
ァイバを固定するV溝部を有し、樹脂組成物により形成
され、且つ、該平坦部の一部は金属薄膜よりなることを
特徴とする光実装用成形基板である。 (3)請求項1記載の光実装成形用基板を、該樹脂組成
物の射出成形により作製することを特徴とする光実装用
成形基板の製造方法である。 (4)請求項2記載の光実装成形用基板を、該樹脂組成
物の射出成形の際に該金属薄膜を挿入するインサート成
形法により作製することを特徴とする光実装用成形基板
の製造方法である。 従って、(1)及び(2)の手段によれば、実装基板が
光ファイバよりも柔らかい樹脂により形成されているた
め、光ファイバと長期間接触させていてもミクロな傷を
発生させる心配がない。また、本発明のの光実装基板は
射出成形技術により、金型内に樹脂を充填することによ
り作製されるため、高精度で且つ安価に光実装基板を作
製できる。また、(2)及び(4)の手段によれば、平
坦部の一部に金属薄膜を形成することにより、上述の利
点に加えて光半導体素子から発生する熱を有効に拡散す
ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
〔実施例1〕本発明の第1の実施例を図1に示す。同図
に示すように、本実施例に係る実装基板31は、V溝部
32及び平坦部33を有する。実装基板31の成形に使
用した樹脂は、石英含有エポキシ樹脂であり、射出成形
により作製した。表1,2に金型仕様と射出成形条件を
示す。
【0012】
【表1】
【0013】
【表2】
【0014】ここで、V溝幅は、140.3μm、V溝
深さは121.5μm、V溝角度は60度、V溝間隔は
250μmとし、金型の寸法精度を±0.1μmとする
ことにより、±0.1μmの精度で作製することができ
た。また、平坦部33とV溝平坦部との高さも0.5μ
m以内の精度で合わせることができた。尚、平坦部33
には、半導体レーザの実装の際の位置合わせの為に利用
するマーカ34が付されている。
【0015】こうして作製した実装基板31に、1.3
μm帯の埋め込み型InGaAsP/InP MQWファブ
リペローレーザーアレイ(4連)を接着剤(住友ベーク
ライト社;スミマック ECR-7134/ECH-7134)を用いて固
定した。マーカ34との位置合わせには、実態顕微鏡下
に行い、±0.5以内とした。更に、実装基板31のV
溝部32に、4心テープファイバを固定し、ガラスプレ
ートを押え板として、同じ接着剤により固定した。
【0016】接着剤の熱硬化条件は、90℃,2時間
(1次硬化)と140℃,3時間(2次硬化)とした。
レーザアレイと光ファイバの間隔は、10μm程度と
し、間には接着剤が埋め込まれる構造とした。こうする
ことにより、レーザアレイと光ファイバの接続特性は向
上する利点がある。
【0017】こうして作製した光モジュールの接続特性
は、平均5.1dBであり、無調芯であるため、作業時
間は大幅に短縮可能であった。また、接着剤が封止剤の
役割を果たしているため、特別なキャップ構造を採る必
要なく、モジュール自体の封止が可能となった。接続信
頼性を恒温恒湿試験(40℃,90%)により調べた結
果、2000時間経過しても接続特性の変化は10%以
内であり、十分な信頼性が確認できた。半導体レーザや
光ファイバの接着、固定のためには紫外線硬化型樹脂も
適宜使用することができた。
【0018】〔実施例2〕本発明の第2の実施例を図2
に示す。本実施例に係る実装基板31は、平坦部33に
銅箔35を埋め込んだ点を除いて、基本的には、実施例
1と同様な構造である。成形条件は、実施例1と同様で
あるが、成形時に銅箔(1.7×11.5×0.1m
m)をインサートすることにより、実装基板31を作製
した。V溝部32の成形精度は、実施例1と同様であ
り、平坦部(銅箔部)33とV溝平坦部との高さも実施
例1と同様に0.5μm以内とすることができた。
【0019】実施例1と同様にして、光モジュールの組
立を行い、接続特性を評価したところ、平均4.9dB
であり、実施例1と同様であった。また、接続信頼性を
恒温恒湿試験(85℃、85%)により調べた結果、3
000時間経過しても接続特性の変化は10%以内であ
り、十分な信頼性が確認できた。
【0020】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明によれば、樹脂成形により光実装基板
を作製できるので、以下の効果を奏する。 寸法精度が良く、接続特性に優れる。 極めて安価に作製できる。 接続信頼性が高い。 銅箔を平坦部に埋め込むと、熱の拡散が良好となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す構造図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す構造図である。
【図3】従来の単心光ファイバ用の光モジュールの構造
図である。
【図4】従来の多心光ファイバ用の光モジュールの構造
図である。
【符号の説明】
1 実装基板 2 整列溝 3 固定溝 4 半導体レーザ 5 押さえ基板 6 接着剤固定部 7 光ファイバ 21 実装基板 22 光ファイバアレイ 23 半導体レーザアレイ 24 押さえ基板 25 半田膜 31 実装基板 32 V溝部 33 平坦部 34 マーカ 35 銅箔

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも光半導体部品を搭載する平坦
    部と光ファイバを固定するV溝部を有し、樹脂組成物に
    より形成されることを特徴とする光実装用成形基板。
  2. 【請求項2】 少なくとも光半導体部品を搭載する平坦
    部と光ファイバを固定するV溝部を有し、樹脂組成物に
    より形成され、且つ、該平坦部の一部は金属薄膜よりな
    ることを特徴とする光実装用成形基板。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の光実装成形用基板を、該
    樹脂組成物の射出成形により作製することを特徴とする
    光実装用成形基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の光実装成形用基板を、該
    樹脂組成物の射出成形の際に該金属薄膜を挿入するイン
    サート成形法により作製することを特徴とする光実装用
    成形基板の製造方法。
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