JPH095391A - Ｉｃチップの試験装置、試験方法、および試験・整形方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 透光性基板上に形成されたプローブ電極をＩ
Ｃチップのバンプに加圧接触させて電気的特性を試験す
るＩＣチップの試験装置において、バンプとプローブ電
極との接触状態の観察を可能とし、各バンプの接触平行
度と接触サイズとを調整可能とする。 【構成】 プローブ電極3 は、少なくともバンプ2 に接
触する先端部3aが透光性の電極からなり、この透光性プ
ローブ電極3 を通して、先端部が変形する程度に加圧接
触されたバンプ2 の接触状態を観察する観察手段6 を備
え、その観察結果に基づいて、プローブ電極3 とバンプ
2 との接触状態を調整する接触状態調整手段10を備えて
なるＩＣチップ1 の試験装置、およびそれを用いたＩＣ
チップ1 の試験方法、試験・整形方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップの試験装
置、試験方法、および試験・整形方法に係り、特にＣＯ
Ｇ(Chip On Glass) 実装やＭＣＭ(Multi Chip Module)
等に用いるベアチップＩＣを対象としたＩＣチップの試
験装置、試験方法、および試験・整形方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体技術の進歩により、ＩＣチップの
入出力端子は多ピン化・狭ピッチ化の傾向にあり、その
ような状況の中でＴＡＢ(Tape Automated Bonding)やＣ
ＯＧ(Chip On Glass) のような新しい実装技術が実用化
され、ＩＣの多ピン化・狭ピッチ化に対応した実装技術
が開発されている。一方、このような多ピン・狭ピッチ
のＩＣチップに対する電気的特性の試験方法に関して
も、近年、開発が進められてきている。

【０００３】例えば、特開平４−３３３５３号の公報
に、このような多ピン・狭ピッチのＩＣチップに対応で
きる試験方法が開示されている。その基本構成は図４に
示す通りであり、以下にその内容を説明する。

【０００４】図中、記号１０５はプローブ基板であり、
ガラス等の透明な基板１０４の表面に、被試験ＩＣチッ
プ１０１のバンプ１０２に対応するプローブ電極１０３
がフォトリソグラフィプロセスにて形成されたものであ
る。このＩＣチップ１０１の電気的特性を試験するため
に、ＩＣチップ１０１上のバンプ１０２とプローブ電極
１０３とを整合圧接（即ち、相互の位置合わせをして加
圧接触）し、電気的に接続する。

【０００５】そして、このプローブ電極１０３は、プロ
ーブ基板１０５から外に引き出され、外部でＩＣテスタ
ー（図示せず）と接続されている。この状態で、ＩＣテ
スターにより、ＩＣチップ１０１の電気的特性試験を行
うことができる。

【０００６】ここで、重要な技術的事項は、ＩＣチップ
１０１のバンプ１０２とプローブ電極１０３との整合圧
接（即ち、相互の位置合わせをした加圧接触）である。
このために、透明なプローブ基板１０５の背面側に観察
手段１０６を配設して、バンプ１０２とプローブ電極１
０３との相互の位置合わせ状態を観察する。そして、そ
の観察結果に基づいて接触位置・接触圧力調整手段１１
０により整合圧接を行うようにしている。この接触位置
・接触圧力調整手段１１０は、次のような構成になって
いる。

【０００７】記号１０７ａはＸＹ方向（水平方向）を調
整する手段であり、例えばＸＹテーブルが用いられる。
そして、記号１０７ｂはθ方向（ＸＹ面上の回転角度）
を調整する手段であり、これら二つの調整手段を組み合
わせて接触位置調整手段１０７を構成している。さら
に、記号１０９は、Ｚ方向（垂直方向）を調整する手段
であり、併せて接触圧力をも調整する。これらの記号１
０７および記号１０９の手段を組み合わせて、接触位置
・接触圧力調整手段１１０を構成している。

【０００８】上記の観察手段１０６と接触位置・接触圧
力調整手段１１０とを用いることにより、整合圧接（即
ち、相互の位置合わせをした加圧接触）を実現し、その
結果、ＩＣチップの電気的特性試験を行うことが可能に
なる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
においては、次の問題がある。第１に、プローブ電極１
０３が不透明であるため、バンプ１０２とプローブ電極
１０３との接触状態の観察が不完全である。

【００１０】バンプ１０２とプローブ電極１０３との相
互の位置関係は把握できるが、例えば、プローブ基板１
０５とＩＣチップ１０１との平行度は把握できない。ま
た、バンプ１０２とプローブ電極１０３とが加圧接触す
ることにより、バンプ１０２の先端部が変形して生じた
平坦部の大きさ（以後、接触サイズ、または接触面積と
称する）も把握できない。

【００１１】第２に、プローブ基板１０５とＩＣチップ
１０１との平行度を調整する手段がない。第３に、各バ
ンプ１０２とプローブ電極１０３との接触サイズを適正
なレベルに調整することができない。これは、第１およ
び第２の問題に起因するものである。

【００１２】その結果、第１〜第３の問題により、不完
全な接触状態で試験されるＩＣチップがでてくる。ま
た、第２〜第３の問題により、試験を完了したＩＣチッ
プを用いて、例えばＣＯＧ実装を行う場合、接触部分に
対応するバンプの形状が不適切なものがあるため、その
矯正作業を新たに追加する必要が生じ、工程が複雑にな
る。

【００１３】ここで、第１の問題は、プローブ電極が不
透明であることに起因するものであり、第２および第３
の問題は、それぞれ、平行度を調整する手段、および接
触サイズを観察して調整する手段が欠落していることに
起因している。

【００１４】本発明は、上記の問題に鑑み、バンプとプ
ローブ電極との接触状態の観察を可能とし、ＩＣチップ
の接触平行度とバンプの接触サイズとを調整可能とする
ＩＣチップの試験装置を提供するものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、図１の原理構成図に示したＩＣチップ
の試験装置を提供する。

【００１６】図中、記号２は、ＩＣチップ１の上に付設
されたバンプであり、ＩＣチップの引出し電極に接続さ
れている。一方、このＩＣチップ１と対向して、透光性
基板４の表面にプローブ電極３が形成されたプローブ基
板５を設ける。このプローブ電極３の先端部３ａは、透
光性の材料で形成され、バンプ２の位置と対応して形成
されている。記号３ｂは、プローブ電極３の引出し電極
部であり、この引出し電極部３ｂがＩＣチップの電気的
特性試験機（図示せず）に接続されている。

【００１７】そして、このプローブ基板５の背面側に観
察手段６を備え、この観察手段６は、透光性のプローブ
電極３を通してバンプの接触状態を観察するものであ
る。さらに、ＩＣチップ１を支持し、かつ観察手段６の
観察結果に基づいて、プローブ電極３とバンプ２との接
触状態を調整する接触状態調整手段１０を備えている。

【００１８】プローブ電極３の先端部３ａとバンプ２と
は、接触状態調整手段１０により、バンプの先端部が変
形する程度に加圧接触され、かつその接触状態の調整が
行われて、ＩＣチップの電気的特性の試験が行われる。

【００１９】ここで言う「接触状態調整手段１０」と
は、具体的には、プローブ電極３の先端部３ａとバンプ
２とを加圧接触させ、各バンプが各プローブ電極のほぼ
中心に位置するように接触位置を調整し、かつ、各バン
プの接触サイズがほぼ同等になるように接触角度と接触
圧力とを調整する機能を有するものである。また、ここ
で言うバンプ２の「接触サイズ」とは、バンプ２とプロ
ーブ電極３とが加圧接触することにより、バンプ２の先
端部が変形して生じた平坦部の大きさのことである。

【００２０】ここでは、接触状態調整手段１０がＩＣチ
ップ１を支持する構成になっているが、プローブ基板５
を支持して調整する構成にしてもよい。また、接触状態
調整手段１０は、ＩＣチップ１とプローブ基板５の各々
に分割されて配設され、それらを個別に支持し、かつ、
その内部機能をそれぞれに分担させてなる構成にしても
よい。

【００２１】なお、観察手段６で観察し、接触状態調整
手段１０で調整する工程は、操作者がマニュアルで実行
する場合と、その一部または全部を自動で行う場合があ
り、それらのいずれでもよい。

【００２２】要するに、本発明のＩＣチップの試験装置
は、このようなプローブ基板と観察手段とを備え、先端
部が変形する程度に加圧接触されたバンプとプローブ電
極との接触状態を、透光性のプローブ電極を通してプロ
ーブ基板の背面側から観察し、その観察結果に基づいて
接触状態を調整する調整手段を備えて構成されるもので
ある。

【００２３】

【作用】図１の基板４のみならず、プローブ電極３（少
なくともバンプ２と加圧接触する先端部３ａ）も透光性
の材料で形成されているため、観察手段６は、プローブ
電極３を通して先端部が変形する程度に加圧接触された
バンプ２の接触状態を的確に観察することができる。

【００２４】プローブ電極３とバンプ２の位置関係を観
察できることは勿論、バンプ２の平坦部の接触サイズ
（または、接触面積）をも観察できる。さらに、ＩＣチ
ップ１の両端にあるバンプ２の接触サイズを観察し比較
することにより、間接的にＩＣチップ１とプローブ基板
５との平行度を把握することができる。

【００２５】次に、接触状態調整手段１０は、観察手段
６の的確な観察結果に基づいて、プローブ電極３とバン
プ２との接触状態を調整することができるものである。
（具体的には、各バンプが各プローブ電極のほぼ中心に
位置するように接触位置を調整し、かつ、各バンプの接
触サイズがほぼ同等になるように接触角度と接触圧力と
を調整する機能を有するものである。）その結果、ＩＣ
チップ１とプローブ基板５の平行度と、各バンプ２の接
触サイズとを的確に調整することができ、特性試験のた
めの各バンプ２の接触状態を、従来技術よりもはるかに
適正なものとすることができる。

【００２６】さらに、この特性試験が完了した状態で、
各バンプ２の先端部は平面状に適度の変形を受け、全て
のバンプにわたる平面度やその平面部のサイズが良好な
状態に調整・整形されている。従って、このＩＣチップ
１がＬＣＤ用のＩＣドライバである場合、それを用いて
ＬＣＤパネル周辺部の所定の場所にＣＯＧ実装を行うの
に極めて便利な状態に調整・整形することができる。即
ち、ＣＯＧ実装に用いるＩＣチップを特性試験で選別
し、その選別されたＩＣチップを用いて直ちにＣＯＧ実
装を行うというプロセスが可能となり、バンプ形状の矯
正プロセスが不要であるため、工程を簡略化することが
できる。

【００２７】

【実施例】図１を参照して、ＩＣチップの試験装置の実
施例を説明する。ＩＣチップ１、プローブ基板５、観察
手段６、接触状態調整手段１０を含む基本構成について
は既に説明をしてあるため、ここでは特に、接触状態調
整手段１０の内部構成について説明する。この実施例
は、請求項２の内容に対応するものである。

【００２８】図中、記号７ａはＸＹ方向（水平方向）を
調整する手段であり例えばＸＹテーブルが用いられる。
そして、記号７ｂはθ方向（ＸＹ面上の回転角度）を調
整する手段であり、これら二つの調整手段を組み合わせ
て接触位置調整手段７を構成している。さらに、記号９
は、Ｚ方向（垂直方向）を調整する手段であり、併せて
接触圧力をも調整する。これらの手段は、図４に示した
従来例とほぼ同等のものである。

【００２９】しかし、本発明は、上記の手段以外に、記
号８で示したφ方向（ＸＹ面がＺ軸に対して回転する角
度）を調整する手段を備えている所に特徴がある。そし
て、これらの記号７〜記号９の手段を組み合わせて、接
触状態調整手段１０を構成している。

【００３０】ここで、観察手段６により、バンプ２がプ
ローブ電極３に加圧接触される接触位置と接触サイズと
を観察し、その観察結果に基づいて、接触状態調整手段
１０により接触状態（即ち、接触位置、接触角度、およ
び接触圧力）を調整する。具体的には、ＸＹ方向を調整
する手段７ａと、θ方向を調整する手段７ｂからなる接
触位置調整手段７により、各バンプが各プローブ電極の
ほぼ中心に位置するように接触位置を調整する。そし
て、接触角度（φ方向）を調整する手段８と接触圧力
（Ｚ方向）を調整する手段９とにより、各バンプの接触
サイズがほぼ同等になるように接触角度と接触圧力とを
調整するものである。その結果、ＩＣチップ１とプロー
ブ基板５の平行度と、各バンプ２の接触サイズとを的確
に調整することができ、特性試験のための各バンプ２の
接触状態を、従来技術よりもはるかに適正なものとする
ことができる。

【００３１】このように、ＩＣチップ１とプローブ基板
５の平行度や、各バンプ２の接触サイズ等を的確に調整
することができることについて、図２を参照して、さら
に詳しく説明する。

【００３２】図２は、プローブ電極（透明な先端部３
ａ）に、接触部が変形する程度に加圧接触されたバンプ
２の接触位置と接触サイズとを、観察手段６により観察
した例を示している。図中の記号１はＩＣチップであ
り、プローブ電極（透明な先端部３ａ）に加圧接触され
たＩＣチップ１のバンプの接触形状（または、接触サイ
ズ）が、プローブ電極の透明な先端部３ａを通して、記
号Ｓ１〜Ｓ４で示されるように観察される。

【００３３】この図の例においては、接触サイズがＳ１
からＳ４の順に小さくなっている。当初のバンプの大き
さがほぼ均等であるとすると、この場合は、記号Ｓ１の
側が狭く、記号Ｓ４の側が広くなるように、ＩＣチップ
１がプローブ基板に加圧接触されていることを示してい
る。このように、バンプの接触サイズを比較することに
より、ＩＣチップとプローブ基板との平行度を判定する
ことができる。そして、これらの各バンプの接触サイズ
がほぼ等しくなるように、接触状態調整手段を用いて接
触角度と接触圧力とを調整し、その結果、ＩＣチップと
プローブ基板との平行度を適正に調整することができ
る。

【００３４】この図においては、すでに各バンプが各プ
ローブ電極のほぼ中心に位置しているが、これは観察手
段の観察結果に基づいて、接触状態調整手段により予め
接触位置が調整されているからである。

【００３５】また、各バンプの平均的な接触サイズも、
観察手段の観察結果に基づいて、接触状態調整手段によ
り接触角度と接触圧力とを調整して適正なレベルに制御
することができる。この実施例は、請求項３の内容に対
応するものである。

【００３６】このようにして試験されたＩＣチップは、
バンプの先端部が適度の変形を受け、各バンプの均一性
や平面部のサイズが良好な状態に調整・整形されてい
る。従って、例えば、ＣＯＧ実装に用いるＩＣチップに
関して、本実施例の特性試験で選別し、その選別された
ＩＣチップを用いて直ちにＣＯＧ実装を行うというプロ
セスが可能となり、バンプ形状の矯正プロセスが不要で
あるため、工程を簡略化することができる。

【００３７】これはＣＯＧ実装に限らず、ＭＣＭ(Multi
Chip Module) 等に用いるＩＣチップに関しても同様で
ある。これらの実施例は、請求項３および請求項６〜７
に対応するものである。

【００３８】次に、図３を参照して、さらに具体的にＩ
Ｃチップの試験装置およびその試験方法について説明す
る。本実施例では、被試験ＩＣチップ１を仰向けに置
き、プローブ基板５はプローブ電極３を下向きに置いて
いる。ＩＣチップ１は、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θステージ１５に
固定されて任意の位置に移動でき、また、Ｚ軸方向には
任意の圧力でプローブ基板５と加圧接触されるようにな
っている。

【００３９】プローブ基板５は、ガラス等の透明な基板
４と、その表面上で、かつ、被試験ＩＣチップ１のバン
プ２に対応する位置に形成されたプローブ電極３とを備
えている。

【００４０】このプローブ電極３は、フォトリソグラフ
ィプロセスにて形成されているため、狭ピッチ・高密度
のものを実現することができる。また、このプローブ電
極３は、少なくともバンプ２に接触する部分が透光性の
電極で形成され、この電極を通して、プローブ基板５の
背面側からバンプ２の接触状態を観察できるようになっ
ている。

【００４１】被試験ＩＣチップ１上のバンプ２とプロー
ブ電極３とは、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θステージ１５により整合
圧接され，電気的に接続される。記号１１は中継基板で
あり、前記プローブ基板５上のチップ圧接部から外側に
向かって広がるように設計されたプローブ電極３の外側
の電極端子は、例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）を
用いた熱圧着による接続（図中に明示せず）によって、
この中継基板１１の電極１１ｂと接続されている。

【００４２】プローブ基板５と中継基板１１は、プロー
ブヘッド保持具１２ａ，１２ｂにより固定されている。
このプローブヘッド保持具１２ａ，１２ｂは、図示され
ていない手段によって、プローブ基板の平行度（即ち、
角度φ）を調整することができる。本実施例において
は、図１に示した構成とは異なり、Ｘ−Ｙ−Ｚ−θを調
整する手段としてのＸ−Ｙ−Ｚ−θステージ１５と、φ
を調整する手段としてのプローブヘッド保持具１２ａ，
１２ｂとが、分離した構成になっている。

【００４３】そして、この中継基板１１の電極１１ｂ
は、プローブ１４ａ，１４ｂおよび同軸ケーブルからな
るプローブ配線１４ｃにより、外部でＩＣテスターのテ
ストヘッド２０と接続されて、ＩＣチップ１の電気的特
性試験が実施されることになる。このテストヘッド２０
は、本実施例のように装置の真上に配置する構成とは別
に、装置の側面部に構成する場合もある。

【００４４】プローブ１４ａ，１４ｂは、通常はポゴピ
ンによって構成され、中継配線ブロック１３ａ，１３ｂ
に固定されて、中継基板１１の電極１１ｂと、ＩＣテス
ターのテストヘッド２０の電極端子２１とにプロービン
グされる。

【００４５】この中継配線ブロック１３ａ，１３ｂは、
図示されていない手段で本装置に固定されており、プロ
ーブ基板５とテストヘッド２０の電極端子２１間の距離
が最大でも１００mm以下になるように設計されているの
で、２０ＭＨｚを越えるような高い動作周波数のＩＣチ
ップ１であっても、試験品質を落とすことなく特性試験
ができる。

【００４６】本発明ではフラットなプローブ基板を用い
るため、従来のプローブカードのようにオーバードライ
ブを１００μｍ程度かけてＩＣチップ１とプローブ電極
３間の平行度のばらつきを吸収することができない。経
験的に、チップ長に対してプローブカードの場合数１０
μｍ、本発明のようにフラットな場合は数μｍ程度の精
度でプローブ基板の平行度調整が要求される。

【００４７】この問題を解決するために、まず、同軸落
射照明光源の顕微鏡６０をプローブ基板を挟んで被試験
ＩＣチップの反対側に設置した。プローブ基板５を構成
する基板４とプローブ電極３とが透光性であるため、こ
の顕微鏡６０によりプローブ電極３を通して、バンプ２
とプローブ電極３の接触状態を観察することができる。
この観察の具体例が図２に示されるものであり、この図
を用いて既に説明したようなやり方で、ＩＣチップ１と
プローブ電極３間の平行度をほぼ正確に合わせることが
できる。

【００４８】ここで，ＩＣチップ１のバンプ２とプロー
ブ電極３との接触圧力は、経験的に約１０ｇ／バンプ以
上あれば安定することが分かっており、バンプ形成時の
高さばらつきを考慮すると、約１５ｇ／バンプ以上必要
となる。しかし，加圧を上げすぎるとバンプのダメージ
が大きくなるので、被試験チップのバンプ数に合わせて
適正加圧が得られるような加圧機構も必要であり、この
ような機構も本装置に組み込まれている。

【００４９】なお、記号６０は、上記した顕微鏡ではな
く、小型ＣＣＤカメラとその光学系で構成する方が、操
作上や小型化の観点からは望ましいものとなる。これ
は、テストヘッド２０の中心部に形成した穴（図示せ
ず）を通して設置されるか、プローブ基板５とテストヘ
ッド２０の間に反射鏡またはプリズム（図示せず）を介
して設置され、バンプ２とプローブ電極３の接触部を観
察することが可能な構成になっている。

【００５０】記号３０は段積みされたチップトレーで、
ＩＣチップ１をピックアップするＩＣチップハンドラー
３１０により、ＩＣチップ１が１チップずつ順番に取り
出される。そのＩＣチップハンドラー３１０が記号３１
の場所に移動して、ＩＣチップ１はＸ−Ｙ−Ｚ−θステ
ージ１５０の上に置かれる。

【００５１】Ｘ−Ｙ−Ｚ−θステージ１５０上に置かれ
たＩＣチップ１はＣＣＤカメラ３２にて画像認識され、
自動的に位置合わせされてセットされる。そして、その
ＩＣチップ１がセットされたＸ−Ｙ−Ｚ−θステージ１
５０は、矢印ＡＲＷ１で示された方向（右側）のテスト
ステーション（即ち、記号１５で示されるＸ−Ｙ−Ｚ−
θステージの位置）に送り込まれる。その後、ＩＣチッ
プ１は、矢印ＡＲＷ２で示された方向（上側）に移動さ
れ、プロービングおよび電気的特性試験が行われる。

【００５２】試験終了後のＩＣチップ１は、矢印ＡＲＷ
２で示された下側、および矢印ＡＲＷ１で示された左側
に移動されて、ＩＣチップハンドラー３１０によりアン
ロードされる。具体的には、試験終了後のＩＣチップ１
は複数のチップトレー３０に分類してセットされる。そ
のチップトレー３０は、チップトレーハンドラー（図示
せず）により自動的にピックアップされて、アンローダ
ー部Ａ（良品のＩＣチップを集めるアンローダー部）
（図示せず）、アンローダー部Ｂ（不良品のＩＣチップ
を集めるアンローダー部）（図示せず）、余剰トレー仮
置き部（図示せず）の３箇所に区分けして置かれる。

【００５３】そして、これらのＩＣチップ１は、すでに
述べたように、例えばＣＯＧやＭＣＭ用のＩＣチップと
して、その実装工程に移されて利用されるものとなる。
ここで、記号６０および記号３２の二つの観察手段は、
同じものを兼用する構成にすることも可能である。

【００５４】

【発明の効果】以上述べたように、請求項１〜３の発明
によれば、観察手段の的確な観察結果に基づいて、接触
状態調整手段により、先端部が変形する程度に加圧接触
されたバンプとプローブ電極との接触状態を適正に調整
することを可能にするＩＣチップの試験装置を構成する
ことができる。具体的には、各バンプが各プローブ電極
のほぼ中心に位置するように接触位置を調整し、かつ、
各バンプの接触サイズがほぼ同等になるように接触角度
と接触圧力とを調整する機能を有するＩＣチップの試験
装置を構成するものである。その結果、ＩＣチップとプ
ローブ基板の平行度と、各バンプの接触サイズとを的確
に調整することができ、特性試験のための各バンプの接
触状態を、従来技術よりもはるかに適正なものとするこ
とができる。

【００５５】さらに、請求項４〜７の発明によれば、Ｉ
Ｃチップの特性試験が完了した状態で、各バンプの先端
部は平面状に適度の変形を受け、全てのバンプにわたる
平面度やその平面部のサイズが適正な状態に調整・整形
されている。従って、例えばＣＯＧ実装に用いるＩＣチ
ップに関して、本発明の特性試験で選別し、その選別さ
れたＩＣチップを用いて直ちにＣＯＧ実装を行うという
プロセスが可能となり、バンプ形状の矯正プロセスが不
要であるため、工程を簡略化することができる。これは
ＣＯＧ実装に限らず、ＭＣＭ(Multi Chip Module) 等に
用いるＩＣチップに関しても同様である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の原理構成図

【図２】 バンプとプローブ電極との接触状態を示す図

【図３】 実施例を示す図

【図４】 従来のＩＣチップの試験装置の構成を示す図

【符号の説明】

１，１０１ ＩＣチップ ２，１０２ バンプ ３，１０３ プローブ電極 ３ａ 先端部 ３ｂ 引出し電極部 ４，１０４ 基板、透光性基板 ５，１０５ プローブ基板 ６，１０６ 観察手段 ７，１０７ 接触位置調整手段 ７ａ，１０７ａ ＸＹ方向を調整する手段、ＸＹ
テーブル ７ｂ，１０７ｂ θ方向を調整する手段 ８ 接触角度（φ方向）を調整する
手段 ９，１０９ 接触圧力（Ｚ方向）を調整する
手段 １０ 接触状態調整手段 １１ 中継基板 １１ｂ 電極 １２ａ，１２ｂ プローブヘッド保持具 １３ａ，１３ｂ 中継配線ブロック １４ａ，１４ｂ プローブ １４ｃ プローブ配線 １５，１５０ Ｘ−Ｙ−Ｚ−θステージ ２０ ＩＣテスターのテストヘッド ２１ 電極端子 ３０ チップトレー ３１，３１０ ＩＣチップハンドラー ３２ ＣＣＤカメラ ６０ 顕微鏡、ＣＣＤカメラ １１０ 接触位置・接触圧力調整手段 Ｓ1 〜Ｓ４ 接触サイズ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＣチップに付設されたバンプの位置に
   対応して形成されるプローブ電極が、透光性基板の表面
   に形成されてなるプローブ基板と、 該プローブ基板の背面側に配設されて、該バンプと該プ
   ローブ電極とを観察する観察手段とを備え、 該バンプと該プローブ電極とを、該バンプの先端部が変
   形する程度に加圧接触させ、該ＩＣチップの電気的特性
   を試験するＩＣチップの試験装置であって、 該プローブ電極は、少なくとも該バンプに接触する部分
   が透光性の電極からなり、 該観察手段は、透光性の該プローブ電極を通して該バン
   プの接触状態を観察するものであり、 該観察手段の観察結果に基づいて、該バンプと該プロー
   ブ電極との接触状態を調整する接触状態調整手段を備え
   てなることを特徴とするＩＣチップの試験装置。
2. 【請求項２】 前記観察手段は、前記バンプが前記プロ
   ーブ電極に加圧接触される接触位置と接触サイズとを観
   察するものであり、 前記接触状態調整手段は、該観察の結果に基づいて、各
   バンプが各プローブ電極のほぼ中心に位置するように接
   触位置を調整し、 かつ、各バンプの接触サイズがほぼ同等になるように、
   接触角度および接触圧力の一方または両方を調整するも
   のである請求項１記載のＩＣチップの試験装置。
3. 【請求項３】 各前記バンプの接触サイズが所定のサイ
   ズの範囲に入るように、前記接触状態調整手段により、
   接触圧力および接触角度の一方または両方を調整する請
   求項２記載のＩＣチップの試験装置。
4. 【請求項４】 ＩＣチップに付設されたバンプの位置に
   対応して、透光性の基板上に形成された少なくとも一部
   が透光性のプローブ電極に、該バンプを加圧接触させ、 該バンプが該プローブ電極に加圧接触される接触状態
   を、透光性の該プローブ電極を通して観察し、 該観察の結果に基づいて該接触状態を調整し、 ＩＣチップの電気的特性を試験することを特徴とするＩ
   Ｃチップの試験方法。
5. 【請求項５】 前記観察の結果に基づいて、 各前記バンプの接触位置が各前記プローブ電極のほぼ中
   心になるように、接触位置を調整し、 各前記バンプの接触サイズがほぼ同等になるように、接
   触角度および接触圧力の一方または両方を調整する請求
   項４記載のＩＣチップの試験方法。
6. 【請求項６】 ＩＣチップを実装する実装基板上の電極
   に、該ＩＣチップのバンプを接続して該ＩＣチップを実
   装する工程に先立ち、該ＩＣチップを試験・整形する方
   法であって、 該ＩＣチップのバンプを、透光性の基板上に形成された
   透光性のプローブ電極に、該バンプの先端部が変形する
   程度に加圧接触させ、 該バンプと該プローブ電極との接触状態を該プローブ電
   極を通して観察し、 該観察の結果に基づいて該接触状態を調整し、かつ、各
   該バンプの接触サイズが所定のサイズの範囲に入るよう
   に、各該バンプの整形を行い、 ＩＣチップの電気的特性を試験することを特徴とするＩ
   Ｃチップの試験・整形方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の試験・整形方法により、
   ＬＣＤ装置またはＭＣＭ装置に用いるＩＣチップの試験
   ・整形を行うＩＣチップの試験・整形方法。