JPH0917831A - ウエハプロービング装置 - Google Patents
ウエハプロービング装置Info
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- JPH0917831A JPH0917831A JP9640796A JP9640796A JPH0917831A JP H0917831 A JPH0917831 A JP H0917831A JP 9640796 A JP9640796 A JP 9640796A JP 9640796 A JP9640796 A JP 9640796A JP H0917831 A JPH0917831 A JP H0917831A
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- Japan
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- wafer
- probe
- inspected
- infrared
- probing
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ＬＳＩチップをウエハ状態で電気検査
をする際に使うプロービング用の端子が形成されたプロ
ーブウエハを被検査ウエハ上に正確にアライメントし、
プロービングを行なう。 【解決手段】 赤外光照明装置１にて被検査ウエハ１０
の裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で照明
し、被検査ウエハ１０の表面よりプローブウエハを通し
て被検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウ
エハ２のプロービング端子とにそれぞれ別の波長におい
て同時に焦点が合う様に色収差をもたせた赤外対物レン
ズ４により、第一のダイクロイックフィルタ５と第二の
ダイクロイックフィルタ６を切り換えて被検査ウエハ１
０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービ
ング端子双方を同一の光学系で観察し正確な相対位置を
測定して、高精度なアライメントを実現する。
をする際に使うプロービング用の端子が形成されたプロ
ーブウエハを被検査ウエハ上に正確にアライメントし、
プロービングを行なう。 【解決手段】 赤外光照明装置１にて被検査ウエハ１０
の裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で照明
し、被検査ウエハ１０の表面よりプローブウエハを通し
て被検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウ
エハ２のプロービング端子とにそれぞれ別の波長におい
て同時に焦点が合う様に色収差をもたせた赤外対物レン
ズ４により、第一のダイクロイックフィルタ５と第二の
ダイクロイックフィルタ６を切り換えて被検査ウエハ１
０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービ
ング端子双方を同一の光学系で観察し正確な相対位置を
測定して、高精度なアライメントを実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウエハプロービング
装置に関し、特に、半導体ＬＳＩチップをウエハ状態で
電気検査をする際に使うプロービング用の端子が形成さ
れたプローブウエハを被検査ウエハ上に正確にアライメ
ントし、プロービングを行なうウエハプロービング装置
に関する。
装置に関し、特に、半導体ＬＳＩチップをウエハ状態で
電気検査をする際に使うプロービング用の端子が形成さ
れたプローブウエハを被検査ウエハ上に正確にアライメ
ントし、プロービングを行なうウエハプロービング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウエハプロービング装置について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【０００３】図２は、従来の第一の例を示す側面図であ
る。図２に示す第一のウエハプロービング装置は、半導
体ウエハ１８を検査するための検査ステージ１１と、検
査ステージ１１の周囲に設置されたプローブカード自動
位置合わせ機構１２と、プローブカード自動位置合わせ
機構１２の構成要素であり、表面に数本等間隔で平行に
幅を持った導電線（ａ〜ｃ）が形成された絶縁性のゴム
１３と、前記のおのおのの導電線（ａ〜ｃ）に接続され
ており、独立して各導電線（ａ〜ｃ）に電気信号が送信
可能な電源１４と、検査ステージ１１の上方に位置する
プローブカード１５と、プローブカード１５が装着され
ているインサートリング１６と、プローブカード１５に
対してほぼ垂直に装着されているプローブ針１７と、を
含んで構成される（例えば、特開平１−２６５１７５号
公報）。
る。図２に示す第一のウエハプロービング装置は、半導
体ウエハ１８を検査するための検査ステージ１１と、検
査ステージ１１の周囲に設置されたプローブカード自動
位置合わせ機構１２と、プローブカード自動位置合わせ
機構１２の構成要素であり、表面に数本等間隔で平行に
幅を持った導電線（ａ〜ｃ）が形成された絶縁性のゴム
１３と、前記のおのおのの導電線（ａ〜ｃ）に接続され
ており、独立して各導電線（ａ〜ｃ）に電気信号が送信
可能な電源１４と、検査ステージ１１の上方に位置する
プローブカード１５と、プローブカード１５が装着され
ているインサートリング１６と、プローブカード１５に
対してほぼ垂直に装着されているプローブ針１７と、を
含んで構成される（例えば、特開平１−２６５１７５号
公報）。
【０００４】検査ステージ１１は、図示しない各モータ
に結合されていて、Ｘ・Ｙ・Ｚ方向、およびＺ軸を中心
としたθ回転が可能とされており、検査ステージ１１の
半導体ウエハ１８の載置面は、真空装置に接続されてい
て、半導体ウエハ１８を真空吸着可能とされている。さ
らに、検査ステージ１１上に載置した半導体ウエハ１８
を正確に位置決めするために、あらかじめ定められた位
置に、ＣＣＤカメラを使ったパターン認識装置又はレー
ザを用いた認識機構が設置されている。
に結合されていて、Ｘ・Ｙ・Ｚ方向、およびＺ軸を中心
としたθ回転が可能とされており、検査ステージ１１の
半導体ウエハ１８の載置面は、真空装置に接続されてい
て、半導体ウエハ１８を真空吸着可能とされている。さ
らに、検査ステージ１１上に載置した半導体ウエハ１８
を正確に位置決めするために、あらかじめ定められた位
置に、ＣＣＤカメラを使ったパターン認識装置又はレー
ザを用いた認識機構が設置されている。
【０００５】プローブカード１５は、例えば絶縁性の合
成樹脂で形成された絶縁基板に、各々絶縁状態でプリン
ト配線されたもの、即ち、プリント基板と呼ばれている
ものである。上記プリント配線は、一端を被検査体検査
装置であるテスタに接続する端子と、もう一端をプロー
ブ端子例えばプローブ針１７と接続するごとく配線構成
されている。
成樹脂で形成された絶縁基板に、各々絶縁状態でプリン
ト配線されたもの、即ち、プリント基板と呼ばれている
ものである。上記プリント配線は、一端を被検査体検査
装置であるテスタに接続する端子と、もう一端をプロー
ブ端子例えばプローブ針１７と接続するごとく配線構成
されている。
【０００６】プローブカード自動位置合わせ機構１２
は、図３に示すように、絶縁性のゴム１３に幅例えば１
５μｍの導電線（ａ〜ｃ）例えば１５μｍピッチで例え
ば３本形成されている。上記のように設置したプローブ
カード１５により、半導体ウエハ１８の検査を実行する
際、ＩＣチップに形成された電極パッド配列パターン
と、プローブカード１５に装着された各プローブ針１７
を接触させるために予め正確な位置合わせを実行する。
この位置合わせについて説明する。
は、図３に示すように、絶縁性のゴム１３に幅例えば１
５μｍの導電線（ａ〜ｃ）例えば１５μｍピッチで例え
ば３本形成されている。上記のように設置したプローブ
カード１５により、半導体ウエハ１８の検査を実行する
際、ＩＣチップに形成された電極パッド配列パターン
と、プローブカード１５に装着された各プローブ針１７
を接触させるために予め正確な位置合わせを実行する。
この位置合わせについて説明する。
【０００７】予め、プローブカード１５に装着された各
プローブ針１７に各々識別番号を付けるとともに、各配
列位置を図示しない制御部に記憶しておく。又、その中
のプローブ針から複数例えば２本のプローブ針１７を基
準プローブ針１７ａ、１７ｂと記憶する。ここで、この
基準となるプローブ針１７ａ、１７ｂの決定は、通常Ｉ
Ｃチップの電極パッドの配列が、ＩＣチップの周縁付近
や内部において縦横に規則的に形成されている部分があ
る、この縦又は横に同列又は同行の電極パッドに対応す
る最遠となる２本のプローブ針１７ａ、１７ｂを基準と
しておく。上記のような記憶はオペレータがマニュアル
入力しても良いし、プローブカード１５自体に設けられ
た記憶機構例えばメモリーＩＣから読み出しても良い。
このような状態で自動位置合わせを実行する。
プローブ針１７に各々識別番号を付けるとともに、各配
列位置を図示しない制御部に記憶しておく。又、その中
のプローブ針から複数例えば２本のプローブ針１７を基
準プローブ針１７ａ、１７ｂと記憶する。ここで、この
基準となるプローブ針１７ａ、１７ｂの決定は、通常Ｉ
Ｃチップの電極パッドの配列が、ＩＣチップの周縁付近
や内部において縦横に規則的に形成されている部分があ
る、この縦又は横に同列又は同行の電極パッドに対応す
る最遠となる２本のプローブ針１７ａ、１７ｂを基準と
しておく。上記のような記憶はオペレータがマニュアル
入力しても良いし、プローブカード１５自体に設けられ
た記憶機構例えばメモリーＩＣから読み出しても良い。
このような状態で自動位置合わせを実行する。
【０００８】まず、プローブカード１５の各プローブ針
１７が設けられている位置の下方向に、検査ステージ１
１を移動してプローブカード自動位置合わせ機構１２を
設置する（Ａ）。この設置は、ある程度位置合わせされ
た状態でプローブカード１５がインサートリング１６に
設置されるので、容易に行なうことが可能である。次に
検査ステージ１１を上昇することにより、各プローブ針
１７をプローブカード自動位置合わせ機構１２の導電線
（ａ〜ｃ）が形成された絶縁性のゴム１３に接続させる
（Ｂ）。次に、電源１４から導電線（ａ〜ｃ）のうち中
心線である導電線ｂに電気信号を送信する（Ｃ）。この
ことにより、導電線ｂに接触しているプローブ針１７か
らテスタ（図示せず）に信号が送られ、テスタにより、
どのプローブ針１７が導電線ｂに接触しているか確認さ
れる（Ｄ）。この接触しているプローブ針１７が上記で
記憶した基準となる第一の基準プローブ針１７ａか判断
する（Ｅ）。この判断により、接触しているプローブ針
１７が第一の基準プローブ針１７ａでない場合、その接
触しているプローブ針１７と第一の基準プローブ針１７
ａとの距離を計算し、その距離分だけ検査ステージ１１
を下降後移動する（Ｆ）。そして、上記（Ｂ〜Ｅ）の動
作を第一の基準プローブ針１７ａが導電線ｂに接触する
まで繰り返す。次に、第一の基準プローブ針１７ａが導
電線ｂに接触した後、導電線ａ〜ｃから電気信号を各々
単独で送信する（Ｇ）。そして、テスタにより、第一の
基準プローブ針１７ａが導電線ａ〜ｃに接触しているか
判断する（Ｈ）。ここで、導電線ａ、ｃのどちらかにに
接触していない場合、検査ステージ１１を下降後接触し
ていない導電線ａまたはｃ方向に微移動する（Ｉ）。そ
して、検査ステージ１１を上昇し（Ｊ）上記（Ｇ，Ｈ）
の動作を、第一の基準プローブ針１７ａが導電線ａ、ｃ
の両方に接触するまで繰り返す。即ち、プローブ針１７
の先端の直径は例えば５０μｍなので、ピッチ１５μｍ
幅１５μｍの導電線ａ〜ｃに全て接触させることによ
り、高精度に位置決めを行なうものである。次に、第二
の基準プローブ針１７ｂは、上記第一の基準プローブ針
１７ａが接触している各導電線ａ〜ｃの延長上で、この
各導電線ａ〜ｃに接触状態にある。つまり、上記第一の
基準プローブ針１７ａが位置合わせされた状態で、、各
導電線ａ〜ｃに電源１４から電気信号を送信し、テスタ
によりどの導電線（ａ〜ｃ）に第二の基準プローブ針１
７ｂが接触しているか判断する。
１７が設けられている位置の下方向に、検査ステージ１
１を移動してプローブカード自動位置合わせ機構１２を
設置する（Ａ）。この設置は、ある程度位置合わせされ
た状態でプローブカード１５がインサートリング１６に
設置されるので、容易に行なうことが可能である。次に
検査ステージ１１を上昇することにより、各プローブ針
１７をプローブカード自動位置合わせ機構１２の導電線
（ａ〜ｃ）が形成された絶縁性のゴム１３に接続させる
（Ｂ）。次に、電源１４から導電線（ａ〜ｃ）のうち中
心線である導電線ｂに電気信号を送信する（Ｃ）。この
ことにより、導電線ｂに接触しているプローブ針１７か
らテスタ（図示せず）に信号が送られ、テスタにより、
どのプローブ針１７が導電線ｂに接触しているか確認さ
れる（Ｄ）。この接触しているプローブ針１７が上記で
記憶した基準となる第一の基準プローブ針１７ａか判断
する（Ｅ）。この判断により、接触しているプローブ針
１７が第一の基準プローブ針１７ａでない場合、その接
触しているプローブ針１７と第一の基準プローブ針１７
ａとの距離を計算し、その距離分だけ検査ステージ１１
を下降後移動する（Ｆ）。そして、上記（Ｂ〜Ｅ）の動
作を第一の基準プローブ針１７ａが導電線ｂに接触する
まで繰り返す。次に、第一の基準プローブ針１７ａが導
電線ｂに接触した後、導電線ａ〜ｃから電気信号を各々
単独で送信する（Ｇ）。そして、テスタにより、第一の
基準プローブ針１７ａが導電線ａ〜ｃに接触しているか
判断する（Ｈ）。ここで、導電線ａ、ｃのどちらかにに
接触していない場合、検査ステージ１１を下降後接触し
ていない導電線ａまたはｃ方向に微移動する（Ｉ）。そ
して、検査ステージ１１を上昇し（Ｊ）上記（Ｇ，Ｈ）
の動作を、第一の基準プローブ針１７ａが導電線ａ、ｃ
の両方に接触するまで繰り返す。即ち、プローブ針１７
の先端の直径は例えば５０μｍなので、ピッチ１５μｍ
幅１５μｍの導電線ａ〜ｃに全て接触させることによ
り、高精度に位置決めを行なうものである。次に、第二
の基準プローブ針１７ｂは、上記第一の基準プローブ針
１７ａが接触している各導電線ａ〜ｃの延長上で、この
各導電線ａ〜ｃに接触状態にある。つまり、上記第一の
基準プローブ針１７ａが位置合わせされた状態で、、各
導電線ａ〜ｃに電源１４から電気信号を送信し、テスタ
によりどの導電線（ａ〜ｃ）に第二の基準プローブ針１
７ｂが接触しているか判断する。
【０００９】このことにより、図４に示すように第二の
基準プローブ針１７ｂが各導電線（ａ〜ｃ）のいずれか
もしくは複数に接触していない場合、検査ステージ１１
の移動およびプローブカード１５のθ回転により、上記
第一および第二の基準プローブ針１７ａ、１７ｂを参照
してプローブカード１５のθ方向のズレを補正する。
又、第二の基準プローブ針１７ｂが各導電線（ａ〜ｃ）
と接触している場合、プローブカード１５の設置にθ方
向のズレがないと判断し、この状態の検査ステージ１１
の位置を第一の基準位置として記憶する（Ｋ）。次に、
検査ステージ１１を９０度回転し、所定量だけ移動し
て、プローブ針１７群の下方に、導電線（ａ〜ｃ）が上
記位置合わせとは直角をなすように設定する（Ｌ）。そ
して、検査ステージ１１を上昇することにより（Ｍ）、
いずれかのプローブ針１７と導電線ｂとを接触状態とし
て、電源１４から導電線ｂに電気信号を送信する。この
ことにより、導電線ｂに接触しているプローブ針１７か
らテスタに信号が送られ、テスタによりどのプローブ針
１７が導電線ｂに接触しているか確認する。そして、そ
のプローブ針１７が導電線ａおよびｃと接触するように
検査ステージ１１を微移動して、導電線（ａ〜ｃ）に接
触した状態の検査ステージ１１の位置を第二の基準位置
と記憶するとともに、この接触しているプローブ針１７
を第三の基準プローブ針１７ｃとして記憶する。上記し
た第一、第二、第三の基準プローブ針１７と第一および
第二の基準位置との関係からある位置における検査ステ
ージ１１の中心に対して、どの位置にプローブ針が配列
されているか認識できる。
基準プローブ針１７ｂが各導電線（ａ〜ｃ）のいずれか
もしくは複数に接触していない場合、検査ステージ１１
の移動およびプローブカード１５のθ回転により、上記
第一および第二の基準プローブ針１７ａ、１７ｂを参照
してプローブカード１５のθ方向のズレを補正する。
又、第二の基準プローブ針１７ｂが各導電線（ａ〜ｃ）
と接触している場合、プローブカード１５の設置にθ方
向のズレがないと判断し、この状態の検査ステージ１１
の位置を第一の基準位置として記憶する（Ｋ）。次に、
検査ステージ１１を９０度回転し、所定量だけ移動し
て、プローブ針１７群の下方に、導電線（ａ〜ｃ）が上
記位置合わせとは直角をなすように設定する（Ｌ）。そ
して、検査ステージ１１を上昇することにより（Ｍ）、
いずれかのプローブ針１７と導電線ｂとを接触状態とし
て、電源１４から導電線ｂに電気信号を送信する。この
ことにより、導電線ｂに接触しているプローブ針１７か
らテスタに信号が送られ、テスタによりどのプローブ針
１７が導電線ｂに接触しているか確認する。そして、そ
のプローブ針１７が導電線ａおよびｃと接触するように
検査ステージ１１を微移動して、導電線（ａ〜ｃ）に接
触した状態の検査ステージ１１の位置を第二の基準位置
と記憶するとともに、この接触しているプローブ針１７
を第三の基準プローブ針１７ｃとして記憶する。上記し
た第一、第二、第三の基準プローブ針１７と第一および
第二の基準位置との関係からある位置における検査ステ
ージ１１の中心に対して、どの位置にプローブ針が配列
されているか認識できる。
【００１０】そして、検査すべき半導体ウエハ１８を検
査ステージ１１に載置し、ＣＣＤカメラ又はレーザ等で
検査ステージ１１のＸ・Ｙ方向と半導体ウエハ１８に形
成されたスクライズライン等との方向を位置合わせする
と同時に、半導体ウエハ１８の中心と検査ステージ１１
との中心との位置関係を認識し、又、半導体ウエハ１８
の中心からどの位置にＩＣチップが形成されているかも
認識する。そして、上記したように、プローブ針１７配
列と検査ステージ１１の中心と半導体ウエハ１８の中
心、半導体ウエハ１８とＩＣチップの形成位置の各位置
関係から、プローブ針１７配列とＩＣチップが位置合わ
せが可能であり、ゆえに各プローブ針１７をＩＣチップ
の電極にパッドに自動的に位置合わせ可能となる。
査ステージ１１に載置し、ＣＣＤカメラ又はレーザ等で
検査ステージ１１のＸ・Ｙ方向と半導体ウエハ１８に形
成されたスクライズライン等との方向を位置合わせする
と同時に、半導体ウエハ１８の中心と検査ステージ１１
との中心との位置関係を認識し、又、半導体ウエハ１８
の中心からどの位置にＩＣチップが形成されているかも
認識する。そして、上記したように、プローブ針１７配
列と検査ステージ１１の中心と半導体ウエハ１８の中
心、半導体ウエハ１８とＩＣチップの形成位置の各位置
関係から、プローブ針１７配列とＩＣチップが位置合わ
せが可能であり、ゆえに各プローブ針１７をＩＣチップ
の電極にパッドに自動的に位置合わせ可能となる。
【００１１】図５は、従来の第二の例を示す断面図であ
る。図５に示すウエハプロービング装置は、複数のプロ
ーブ針を備えたテストプローブ装置の各プローブ針の先
端を、ウエハの表面側に配列された複数のパッドに接触
させる半導体素子検査方法において、上記ウエハを透過
可能な検出用電磁波を上記ウエハの裏面側から照射する
と共に、上記ウエハを載置するチャック台においては、
少なくとも上記プローブ針の配置面積に相当する部分を
上記電磁波が透過可能に構成しておき、上記電磁波のウ
エハ表面近傍での反射波によって上記ウエハの裏面側か
ら上記各パッドと各プローブ針先端との位置を把握し、
これにより両者の位置合わせを行うことを特徴とする
（例えば、特開平５−１４２２９６号公報）。
る。図５に示すウエハプロービング装置は、複数のプロ
ーブ針を備えたテストプローブ装置の各プローブ針の先
端を、ウエハの表面側に配列された複数のパッドに接触
させる半導体素子検査方法において、上記ウエハを透過
可能な検出用電磁波を上記ウエハの裏面側から照射する
と共に、上記ウエハを載置するチャック台においては、
少なくとも上記プローブ針の配置面積に相当する部分を
上記電磁波が透過可能に構成しておき、上記電磁波のウ
エハ表面近傍での反射波によって上記ウエハの裏面側か
ら上記各パッドと各プローブ針先端との位置を把握し、
これにより両者の位置合わせを行うことを特徴とする
（例えば、特開平５−１４２２９６号公報）。
【００１２】チャック台２０には、真空吸着法にてシリ
コンウエハ１９が吸着、保持されている。そしてウエハ
１９の上方の位置には、複数のプローブ針２２を備えた
テストプローブ装置２３が配置されている。またチャッ
ク台２０及びチャック台２０を垂直軸芯回りに回転する
ための回転機構２１の軸芯部には、透孔２４が形成され
ており、その下方の位置に、ウエハ表面近傍での反射赤
外光によってダミーチップ３３内のパッドとプローブ針
２２先端との位置を検出する位置検出手段として赤外線
ＴＶカメラ２５を配置している。赤外線ＴＶカメラ２５
は、赤外用レンズ２６を備えるものである。赤外線ＴＶ
カメラ２５に近接した位置には、透孔２４を通してウエ
ハ１９の裏面側に赤外線を照射するための赤外光ランプ
２７（電磁波照射手段）が配置されている。赤外線ＴＶ
カメラ２５は、Ｘステージ２８、Ｙステージ２９によ
り、ＸＹ移動可能であり、図示しないがＺ方向にも移動
可能にされているものとする。チャック台２０は、Ｘス
テージ３０、Ｙステージ３１、Ｚステージ３２により、
ＸＹＺ移動可能である。
コンウエハ１９が吸着、保持されている。そしてウエハ
１９の上方の位置には、複数のプローブ針２２を備えた
テストプローブ装置２３が配置されている。またチャッ
ク台２０及びチャック台２０を垂直軸芯回りに回転する
ための回転機構２１の軸芯部には、透孔２４が形成され
ており、その下方の位置に、ウエハ表面近傍での反射赤
外光によってダミーチップ３３内のパッドとプローブ針
２２先端との位置を検出する位置検出手段として赤外線
ＴＶカメラ２５を配置している。赤外線ＴＶカメラ２５
は、赤外用レンズ２６を備えるものである。赤外線ＴＶ
カメラ２５に近接した位置には、透孔２４を通してウエ
ハ１９の裏面側に赤外線を照射するための赤外光ランプ
２７（電磁波照射手段）が配置されている。赤外線ＴＶ
カメラ２５は、Ｘステージ２８、Ｙステージ２９によ
り、ＸＹ移動可能であり、図示しないがＺ方向にも移動
可能にされているものとする。チャック台２０は、Ｘス
テージ３０、Ｙステージ３１、Ｚステージ３２により、
ＸＹＺ移動可能である。
【００１３】ウエハ１９には、その中央部にダミーチッ
プ３３が形成されており、通常のチップ３４上のパッド
と同様なアルミニウムによって形成したマーカを有す
る。このダミーチップ３３は、通常のチップ３４のよう
な配線は施されない。
プ３３が形成されており、通常のチップ３４上のパッド
と同様なアルミニウムによって形成したマーカを有す
る。このダミーチップ３３は、通常のチップ３４のよう
な配線は施されない。
【００１４】上記のような装置、及びウエハ１９を用い
て、チップ２１上のパッドとプローブ針２２との位置合
わせを行う手順について説明する。まず、ウエハ１９
を、チャック台２０に装着する。その際、ダミーチップ
３３をチャック台２０の透孔２４の部分に位置させる。
次いで赤外線ランプ２７によってウエハ１９をその裏面
から観察する。このときウエハ１９は、赤外透過率が良
好なものである一方、アルミニウムのマーカは赤外光を
透過しないので、その表面に設けたマーカを、その裏面
側から観察することが可能である。そしてこの状態で、
テストプローブ装置２３の直下にダミーチップ３３が位
置するようにチャック台２０を移動させ、次いでテスト
プローブ装置２３を徐々に下降させて、各プローブ針２
２の先端がチップ表面のわずかに上方に位置するか又は
チップ表面に接触する状態にする。このとき、赤外線Ｔ
Ｖカメラ２５においては、その光学系の焦点深度を充分
に浅くしておくことで、上記プローブ針２２は、その先
端又はその先端部近傍のみが観察される。そして上記赤
外線ＴＶカメラ２５により観察し、ステージを動かし
て、プローブ針２２の先端をマーカの位置に一致させる
ことで両者の位置合わせを行う。この後、チップ３４の
配列ピッチだけＸＹ方向にチャック台２０を、順次移動
させ、ウエハ１９上の全てのチップ３４の検査を行う。
て、チップ２１上のパッドとプローブ針２２との位置合
わせを行う手順について説明する。まず、ウエハ１９
を、チャック台２０に装着する。その際、ダミーチップ
３３をチャック台２０の透孔２４の部分に位置させる。
次いで赤外線ランプ２７によってウエハ１９をその裏面
から観察する。このときウエハ１９は、赤外透過率が良
好なものである一方、アルミニウムのマーカは赤外光を
透過しないので、その表面に設けたマーカを、その裏面
側から観察することが可能である。そしてこの状態で、
テストプローブ装置２３の直下にダミーチップ３３が位
置するようにチャック台２０を移動させ、次いでテスト
プローブ装置２３を徐々に下降させて、各プローブ針２
２の先端がチップ表面のわずかに上方に位置するか又は
チップ表面に接触する状態にする。このとき、赤外線Ｔ
Ｖカメラ２５においては、その光学系の焦点深度を充分
に浅くしておくことで、上記プローブ針２２は、その先
端又はその先端部近傍のみが観察される。そして上記赤
外線ＴＶカメラ２５により観察し、ステージを動かし
て、プローブ針２２の先端をマーカの位置に一致させる
ことで両者の位置合わせを行う。この後、チップ３４の
配列ピッチだけＸＹ方向にチャック台２０を、順次移動
させ、ウエハ１９上の全てのチップ３４の検査を行う。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の第一の
ウエハプロービング装置は、プローブ針とプローブカー
ド自動位置合わせ機構上の導電線との間の電気的接触に
より求めたプローブ針配列と検査ステージの中心との位
置関係と、ＣＣＤカメラを使ったパターン認識装置又は
レーザを用いた認識機構により求めた検査ステージの中
心とウエハの中心、ウエハの中心とＩＣチップの形成位
置の各位置関係からプローブ針配列とＩＣチップの間の
位置合わせを行なうため、プローブ針と半導体ウエハに
形成されたＩＣチップの電極パッドの位置関係を直接測
定しておらず、各位置関係により間接的に位置関係を求
めるため精度が各位置関係の精度の和となり精度が劣化
し、さらに微細化された半導体ウエハに適用するには精
度が不足するという問題点があった。
ウエハプロービング装置は、プローブ針とプローブカー
ド自動位置合わせ機構上の導電線との間の電気的接触に
より求めたプローブ針配列と検査ステージの中心との位
置関係と、ＣＣＤカメラを使ったパターン認識装置又は
レーザを用いた認識機構により求めた検査ステージの中
心とウエハの中心、ウエハの中心とＩＣチップの形成位
置の各位置関係からプローブ針配列とＩＣチップの間の
位置合わせを行なうため、プローブ針と半導体ウエハに
形成されたＩＣチップの電極パッドの位置関係を直接測
定しておらず、各位置関係により間接的に位置関係を求
めるため精度が各位置関係の精度の和となり精度が劣化
し、さらに微細化された半導体ウエハに適用するには精
度が不足するという問題点があった。
【００１６】上述した従来の第二のウエハプロービング
装置は、プローブ針の先端とウエハのマーカを同時に観
察する撮像光学系において、プローブ針の先端又は先端
近傍のみを観察するように、その光学系の焦点深度を充
分浅くする必要があり、あるいは、微細な半導体ウエハ
のパターン上のマーカをみれる様、その光学系を高倍率
にするため必然的に焦点深度が浅くなり、そのため各プ
ローブ針の先端をウエハ表面のわずか上方に位置させる
か、又はウエハ表面に接触させる必要がある。このた
め、プローブ針がウエハ表面上の電極パッド以外の部分
と又は接触しても良い部分以外の部分と、プローブ針と
ウエハ間距離が極めて狭いために、接触してしまう可能
性がある、又は接触することにより半導体回路を破壊し
てしまう恐れがあるという問題点があった。
装置は、プローブ針の先端とウエハのマーカを同時に観
察する撮像光学系において、プローブ針の先端又は先端
近傍のみを観察するように、その光学系の焦点深度を充
分浅くする必要があり、あるいは、微細な半導体ウエハ
のパターン上のマーカをみれる様、その光学系を高倍率
にするため必然的に焦点深度が浅くなり、そのため各プ
ローブ針の先端をウエハ表面のわずか上方に位置させる
か、又はウエハ表面に接触させる必要がある。このた
め、プローブ針がウエハ表面上の電極パッド以外の部分
と又は接触しても良い部分以外の部分と、プローブ針と
ウエハ間距離が極めて狭いために、接触してしまう可能
性がある、又は接触することにより半導体回路を破壊し
てしまう恐れがあるという問題点があった。
【００１７】
【課題を解決するための手段】第１の発明のウエハプロ
ービング装置は、シリコンを透過する波長域の赤外光で
被検査ウエハを照明する手段と、被検査ウエハのパター
ン面側にプロービング用の端子を配置したシリコンをベ
ースにしたプローブウエハと、前記プローブウエハを被
検査ウエハ面に対し垂直に移動させ、プローブウエハの
プロービング端子を被検査ウエハ面に接触させたり離し
たりするプローブウエハ退避手段と、シリコンを透過す
る赤外域の一波長において被検査ウエハのパターン面上
に焦点が合い、シリコンを透過する赤外域の別の一波長
で前記プローブウエハ退避手段により退避状態である前
記プローブウエハのプロービング端子に焦点が合う色収
差をもつ赤外光用対物レンズと、シリコンを透過する前
記赤外域の一波長のみを透過する第一のダイクロイック
フィルタと、シリコンを透過する前記赤外域の別の一波
長のみを透過する第二のダイクロイックフィルタと、前
記第一のダイクロイックフィルタと前記第二のダイクロ
イックフィルタを前記赤外光用対物レンズの光路中に交
互に出し入れする切り換え手段と、前記赤外光用対物レ
ンズからの赤外光光束を結像する結像レンズと、前記結
像レンズの結像面上に撮像面が位置する赤外カメラと、
被検査ウエハパターンと前記プローブウエハのプロービ
ング端子の像より双方のずれ量を算出しアライメントす
る手段と、を備えて構成される。
ービング装置は、シリコンを透過する波長域の赤外光で
被検査ウエハを照明する手段と、被検査ウエハのパター
ン面側にプロービング用の端子を配置したシリコンをベ
ースにしたプローブウエハと、前記プローブウエハを被
検査ウエハ面に対し垂直に移動させ、プローブウエハの
プロービング端子を被検査ウエハ面に接触させたり離し
たりするプローブウエハ退避手段と、シリコンを透過す
る赤外域の一波長において被検査ウエハのパターン面上
に焦点が合い、シリコンを透過する赤外域の別の一波長
で前記プローブウエハ退避手段により退避状態である前
記プローブウエハのプロービング端子に焦点が合う色収
差をもつ赤外光用対物レンズと、シリコンを透過する前
記赤外域の一波長のみを透過する第一のダイクロイック
フィルタと、シリコンを透過する前記赤外域の別の一波
長のみを透過する第二のダイクロイックフィルタと、前
記第一のダイクロイックフィルタと前記第二のダイクロ
イックフィルタを前記赤外光用対物レンズの光路中に交
互に出し入れする切り換え手段と、前記赤外光用対物レ
ンズからの赤外光光束を結像する結像レンズと、前記結
像レンズの結像面上に撮像面が位置する赤外カメラと、
被検査ウエハパターンと前記プローブウエハのプロービ
ング端子の像より双方のずれ量を算出しアライメントす
る手段と、を備えて構成される。
【００１８】第２の発明のウエハプロービング装置は、
第１の発明の前記照明する手段が複数の赤外線スペクト
ルを含有するものである。
第１の発明の前記照明する手段が複数の赤外線スペクト
ルを含有するものである。
【００１９】第３の発明のウエハプロービング装置は、
第１の発明の前記赤外光用対物レンズの色収差が、前記
結像レンズを含んだものである。
第１の発明の前記赤外光用対物レンズの色収差が、前記
結像レンズを含んだものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００２１】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図１に示すウエハプロービング装置は、被検査ウエ
ハ１０の裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で
照明する赤外光照明装置１と、被検査ウエハ１０のパタ
ーン面側にプロービング用の端子を配置したシリコンを
ベースにしたプローブウエハ２と、プローブウエハ２を
被検査ウエハ１０の表面に対し垂直に移動させ、プロー
ブウエハ２のプロービング端子を被検査ウエハ１０に接
触させたり離したりするプローブウエハ退避装置３と、
シリコンを透過する赤外域の一波長において被検査ウエ
ハ１０のパターン面上に焦点が合い、シリコンを透過す
る赤外域の別の一波長でプローブウエハ退避装置３によ
り退避状態であるプローブウエハ２のプロービング端子
に焦点が合う色収差をもつ赤外対物レンズ４と、シリコ
ンを透過する前記赤外域の一波長のみを透過する第一の
ダイクロイックフィルタ５と、シリコンを透過する前記
赤外域の別の一波長のみを透過する第二のダイクロイッ
クフィルタ６と、第一のダイクロイックフィルタ５と第
二のダイクロイックフィルタ６を赤外対物レンズ４の光
路中に交互に出し入れする切り換え装置７と、赤外対物
レンズ４からの光束を結像する結像レンズ８と、結像レ
ンズ８の結像面上に撮像面が位置する赤外カメラ９と、
被検査ウエハ１０のパターンとプローブウエハ２のプロ
ービング端子の像より双方のずれ量を算出しアライメン
トする手段９１と、を含んで構成される。
る。図１に示すウエハプロービング装置は、被検査ウエ
ハ１０の裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で
照明する赤外光照明装置１と、被検査ウエハ１０のパタ
ーン面側にプロービング用の端子を配置したシリコンを
ベースにしたプローブウエハ２と、プローブウエハ２を
被検査ウエハ１０の表面に対し垂直に移動させ、プロー
ブウエハ２のプロービング端子を被検査ウエハ１０に接
触させたり離したりするプローブウエハ退避装置３と、
シリコンを透過する赤外域の一波長において被検査ウエ
ハ１０のパターン面上に焦点が合い、シリコンを透過す
る赤外域の別の一波長でプローブウエハ退避装置３によ
り退避状態であるプローブウエハ２のプロービング端子
に焦点が合う色収差をもつ赤外対物レンズ４と、シリコ
ンを透過する前記赤外域の一波長のみを透過する第一の
ダイクロイックフィルタ５と、シリコンを透過する前記
赤外域の別の一波長のみを透過する第二のダイクロイッ
クフィルタ６と、第一のダイクロイックフィルタ５と第
二のダイクロイックフィルタ６を赤外対物レンズ４の光
路中に交互に出し入れする切り換え装置７と、赤外対物
レンズ４からの光束を結像する結像レンズ８と、結像レ
ンズ８の結像面上に撮像面が位置する赤外カメラ９と、
被検査ウエハ１０のパターンとプローブウエハ２のプロ
ービング端子の像より双方のずれ量を算出しアライメン
トする手段９１と、を含んで構成される。
【００２２】赤外光照明装置１にて被検査ウエハ１０の
裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で照明し、
被検査ウエハ１０の表面よりプローブウエハを通して被
検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウエハ
２のプロービング端子とをそれぞれ別の波長において同
時に焦点が合う様な色収差をもった赤外対物レンズ４に
より観察する。
裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で照明し、
被検査ウエハ１０の表面よりプローブウエハを通して被
検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウエハ
２のプロービング端子とをそれぞれ別の波長において同
時に焦点が合う様な色収差をもった赤外対物レンズ４に
より観察する。
【００２３】被検査ウエハ１０のパターン面上に焦点が
あう光の波長のみ透過させる第一のダイクロイックフィ
ルタ５とプローブウエハ退避装置３により退避状態であ
るプローブウエハ２のプロービング端子に焦点が合う光
の波長のみ透過させる第二のダイクロイックフィルタ６
を切り換え装置７により切り換えて、被検査ウエハ１０
のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービン
グ端子双方を同一の光学系で観察することで正確な相対
位置を測定して、高精度なアライメントを実現する。
あう光の波長のみ透過させる第一のダイクロイックフィ
ルタ５とプローブウエハ退避装置３により退避状態であ
るプローブウエハ２のプロービング端子に焦点が合う光
の波長のみ透過させる第二のダイクロイックフィルタ６
を切り換え装置７により切り換えて、被検査ウエハ１０
のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービン
グ端子双方を同一の光学系で観察することで正確な相対
位置を測定して、高精度なアライメントを実現する。
【００２４】アライメントを取った後、プローブウエハ
退避装置３によりプローブウエハ２を被検査ウエハ１０
上におろしプロービングを行なう。ここで被検査ウエハ
１０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロー
ビング端子の像は結像レンズ８により赤外カメラ９の撮
像面上に結像される。被検査ウエハ１０のパターンと退
避状態のプローブウエハ２のプロービング端子それぞれ
の像は図示しない画像処理装置により処理され、相対位
置から位置ズレ量が算出される。この位置ズレ量を補正
するように被検査ウエハ１０を保持する図示しない検査
ステージを駆動して被検査ウエハ１０を動かしアライメ
ントを取る。
退避装置３によりプローブウエハ２を被検査ウエハ１０
上におろしプロービングを行なう。ここで被検査ウエハ
１０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロー
ビング端子の像は結像レンズ８により赤外カメラ９の撮
像面上に結像される。被検査ウエハ１０のパターンと退
避状態のプローブウエハ２のプロービング端子それぞれ
の像は図示しない画像処理装置により処理され、相対位
置から位置ズレ量が算出される。この位置ズレ量を補正
するように被検査ウエハ１０を保持する図示しない検査
ステージを駆動して被検査ウエハ１０を動かしアライメ
ントを取る。
【００２５】赤外対物レンズ４の色収差は結像レンズ８
を含んだものであり、赤外カメラ９の撮像面にうつる結
像レンズ８により結像される像において、被検査ウエハ
１０のパターン面上とプローブウエハ退避装置３により
退避状態であるプローブウエハ２のプロービング端子と
にそれぞれシリコンを透過する異なる２波長の赤外光で
同時に焦点が合うようにプローブウエハ退避装置３の退
避量を決め、あるいは、赤外対物レンズ４に色収差をも
たせている。
を含んだものであり、赤外カメラ９の撮像面にうつる結
像レンズ８により結像される像において、被検査ウエハ
１０のパターン面上とプローブウエハ退避装置３により
退避状態であるプローブウエハ２のプロービング端子と
にそれぞれシリコンを透過する異なる２波長の赤外光で
同時に焦点が合うようにプローブウエハ退避装置３の退
避量を決め、あるいは、赤外対物レンズ４に色収差をも
たせている。
【００２６】
【発明の効果】本発明のウエハプロービング装置は、色
収差をもたせた赤外対物レンズを用いて被検査ウエハの
パターンとプローブウエハのプロービング端子の双方を
同一の光学系により認識することにより、両者の位置ズ
レを直接測定できるため、高精度に測定でき、かつ非接
触であるため無用な被検査ウエハへの接触を減らすこと
ができる。すなわち、プローブ針をウエハから十分離し
た退避状態で、第１の波長の赤外光を照射してウエハの
位置を撮像し、第２の波長の赤外光を照射してプローブ
針の位置を撮像し、この両撮像データにもとづいて双方
のずれ量を計算してアライメントを行なうから、プロー
ブ針とウエハ間距離を十分にとれるので、プローブ針が
ウエハ表面上の電極パッド以外の部分または接触しても
よい部分以外の部分に接触して、半導体回路を破壊して
しまう恐れがないという効果がある。
収差をもたせた赤外対物レンズを用いて被検査ウエハの
パターンとプローブウエハのプロービング端子の双方を
同一の光学系により認識することにより、両者の位置ズ
レを直接測定できるため、高精度に測定でき、かつ非接
触であるため無用な被検査ウエハへの接触を減らすこと
ができる。すなわち、プローブ針をウエハから十分離し
た退避状態で、第１の波長の赤外光を照射してウエハの
位置を撮像し、第２の波長の赤外光を照射してプローブ
針の位置を撮像し、この両撮像データにもとづいて双方
のずれ量を計算してアライメントを行なうから、プロー
ブ針とウエハ間距離を十分にとれるので、プローブ針が
ウエハ表面上の電極パッド以外の部分または接触しても
よい部分以外の部分に接触して、半導体回路を破壊して
しまう恐れがないという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】従来の第一の例を示す側面図である。
【図３】図２に示したプローブカード自動位置合わせ機
構周辺を拡大した構成図である。
構周辺を拡大した構成図である。
【図４】基準プローブ針１７と各導電線（ａ〜ｃ）の接
触状態を示す図である。
触状態を示す図である。
【図５】従来の第二の例を示す断面図である。
１ 赤外光照明装置 ２ プローブウエハ ３ プローブウエハ退避装置 ４ 赤外対物レンズ ５ 第一のダイクロイックフィルタ ６ 第二のダイクロイックフィルタ ７ 切り換え装置 ８ 結像レンズ ９ 赤外カメラ １０ 被検査ウエハ １１ 検査ステージ １２ プローブカード自動位置合わせ機構 １３ 絶縁性のゴム １４ 電源 １５ プローブカード １６ インサートリング １７ プローブ針 １７ａ プローブ針 １７ｂ プローブ針 １８ 半導体ウエハ １９ ウエハ ２０ チャック台 ２１ 回転機構 ２２ プローブ針 ２３ テストプローブ装置 ２４ 透孔 ２５ 赤外線ＴＶカメラ ２６ 赤外用レンズ ２７ 赤外光ランプ ２８，２９ 赤外線ＴＶカメラ２５のＸＹステ
ージ ３０，３１，３２ チャック台２０のＸＹＺステージ ３３ ダミーチップ ３４ チップ ９１ ずれ量算出アライメント部
ージ ３０，３１，３２ チャック台２０のＸＹＺステージ ３３ ダミーチップ ３４ チップ ９１ ずれ量算出アライメント部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｇ０６Ｆ 15/62 ３８０
Claims (3)
- 【請求項１】シリコンを透過する波長域の赤外光で被検
査ウエハを照明する手段と、 被検査ウエハのパターン面側にプロービング用の端子を
配置したシリコンをベースにしたプローブウエハと、 前記プローブウエハを被検査ウエハ面に対し垂直に移動
させ、プローブウエハのプロービング端子を被検査ウエ
ハ面に接触させたり離したりするプローブウエハ退避手
段と、 シリコンを透過する赤外域の一波長において被検査ウエ
ハのパターン面上に焦点が合い、シリコンを透過する赤
外域の別の一波長で前記プローブウエハ退避手段により
退避状態である前記プローブウエハのプロービング端子
に焦点が合う色収差をもつ赤外光用対物レンズと、 シリコンを透過する前記赤外域の一波長のみを透過する
第一のダイクロイックフィルタと、 シリコンを透過する前記赤外域の別の一波長のみを透過
する第二のダイクロイックフィルタと、 前記第一のダイクロイックフィルタと前記第二のダイク
ロイックフィルタを前記赤外光用対物レンズの光路中に
交互に出し入れする切り換え手段と、 前記赤外光用対物レンズからの赤外光光束を結像する結
像レンズと、 前記結像レンズの結像面上に撮像面が位置する赤外カメ
ラと、 被検査ウエハパターンと前記プローブウエハのプロービ
ング端子の像より双方のずれ量を算出しアライメントす
る手段と、を備えることを特徴とするウエハプロービン
グ装置。 - 【請求項２】 前記照明する手段が複数の赤外線スペク
トルを含有する請求項１記載のウエハプロービング装
置。 - 【請求項３】 前記赤外光用対物レンズの色収差が、前
記結像レンズを含んだものである請求項１記載のウエハ
プロービング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9640796A JP2737744B2 (ja) | 1995-04-26 | 1996-04-18 | ウエハプロービング装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-102528 | 1995-04-26 | ||
| JP10252895 | 1995-04-26 | ||
| JP9640796A JP2737744B2 (ja) | 1995-04-26 | 1996-04-18 | ウエハプロービング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917831A true JPH0917831A (ja) | 1997-01-17 |
| JP2737744B2 JP2737744B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=26437615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9640796A Expired - Fee Related JP2737744B2 (ja) | 1995-04-26 | 1996-04-18 | ウエハプロービング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737744B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042649A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Kian Teng Eng | Test device of semiconductor integrated circuit |
| WO2002031868A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede d'alignement de plaquettes empilees |
| US6480012B1 (en) | 1999-06-21 | 2002-11-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe card device |
| US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
| US8659743B2 (en) | 2009-08-10 | 2014-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8927900B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
| US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| WO2019107173A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ針の針先位置調整方法および検査装置 |
| CN110146799A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法 |
| CN113670816A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-11-19 | 成都云绎智创科技有限公司 | 一种视觉识别定位引导的装置及系统 |
| US11428645B2 (en) * | 2020-02-11 | 2022-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer inspection device and method of manufacturing semiconductor device by using the wafer inspection device |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP9640796A patent/JP2737744B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042649A1 (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Kian Teng Eng | Test device of semiconductor integrated circuit |
| US6480012B1 (en) | 1999-06-21 | 2002-11-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe card device |
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8969761B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
| US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946589B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
| US8927900B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
| US8933369B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2002031868A1 (fr) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede d'alignement de plaquettes empilees |
| JP4618859B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2011-01-26 | 東レエンジニアリング株式会社 | 積層ウエハーのアライメント方法 |
| JP2002118052A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Toray Eng Co Ltd | 積層ウエハーのアライメント方法 |
| US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8969752B2 (en) | 2003-03-12 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
| US8659743B2 (en) | 2009-08-10 | 2014-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method |
| WO2019107173A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ針の針先位置調整方法および検査装置 |
| CN110146799A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法 |
| US11428645B2 (en) * | 2020-02-11 | 2022-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer inspection device and method of manufacturing semiconductor device by using the wafer inspection device |
| CN113670816A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-11-19 | 成都云绎智创科技有限公司 | 一种视觉识别定位引导的装置及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737744B2 (ja) | 1998-04-08 |
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