JPH0951054A - 電子部品用基板及びその製造方法 - Google Patents
電子部品用基板及びその製造方法Info
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- JPH0951054A JPH0951054A JP7200702A JP20070295A JPH0951054A JP H0951054 A JPH0951054 A JP H0951054A JP 7200702 A JP7200702 A JP 7200702A JP 20070295 A JP20070295 A JP 20070295A JP H0951054 A JPH0951054 A JP H0951054A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付け等の加熱や腐蝕に対し変色やフクレ
を生ずることなく、軽量で且つ熱歪が少なく、さらに熱
放散性に優れた電子部品用基板とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 Ｓｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合
金の基体に３〜２０μｍの化学めっき層と、その上に形
成された０．１〜１０μｍの電気めっき層を持ち、且
つ、該化学めっき層は電気めっき層より厚く形成され、
さらに最上層に１．５〜５μｍの金めっき層を持つこと
により達成される。その製造方法として、Ａｌ−Ｓｉ合
金の基体を脱脂し、ＡｌエッチングとＳｉエッチングを
施し、Ｚｎ−Ｎｉ−Ｃｕ合金置換による前処理を行なっ
た後、ＮｉＰ，ＮｉＢ，又はＣｏＰによる３〜２０μｍ
の厚さで化学めっき処理し、その後３５０〜５５０℃の
加熱処理し、さらにＮｉ又はＣｏの０．１〜１０μｍの
厚さで電気めっき処理してから金めっきを施すものであ
る。
を生ずることなく、軽量で且つ熱歪が少なく、さらに熱
放散性に優れた電子部品用基板とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 Ｓｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合
金の基体に３〜２０μｍの化学めっき層と、その上に形
成された０．１〜１０μｍの電気めっき層を持ち、且
つ、該化学めっき層は電気めっき層より厚く形成され、
さらに最上層に１．５〜５μｍの金めっき層を持つこと
により達成される。その製造方法として、Ａｌ−Ｓｉ合
金の基体を脱脂し、ＡｌエッチングとＳｉエッチングを
施し、Ｚｎ−Ｎｉ−Ｃｕ合金置換による前処理を行なっ
た後、ＮｉＰ，ＮｉＢ，又はＣｏＰによる３〜２０μｍ
の厚さで化学めっき処理し、その後３５０〜５５０℃の
加熱処理し、さらにＮｉ又はＣｏの０．１〜１０μｍの
厚さで電気めっき処理してから金めっきを施すものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性を必要とする電
子部品用基板とその製造方法に関する。
子部品用基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から電子部品用基板には、アルミニ
ウム金属がその軽量性と熱伝導性、加工容易性などから
多く使用されている。特開平１−２０５５５５号公報で
は、さらにアルミニウム合金を用いた基板材料が開示さ
れている。これはＡｌ−Ｓｉ合金を用いて、加工容易
性、軽量性、熱膨張時の歪防止等を目的とし、そのまま
では半田付け性不十分な為、基板材料に０．１〜２μｍ
の化学めっき層とその上に０．５〜２μｍの電気めっき
層を施し、そこに金めっき層を置いて改善したものであ
る。
ウム金属がその軽量性と熱伝導性、加工容易性などから
多く使用されている。特開平１−２０５５５５号公報で
は、さらにアルミニウム合金を用いた基板材料が開示さ
れている。これはＡｌ−Ｓｉ合金を用いて、加工容易
性、軽量性、熱膨張時の歪防止等を目的とし、そのまま
では半田付け性不十分な為、基板材料に０．１〜２μｍ
の化学めっき層とその上に０．５〜２μｍの電気めっき
層を施し、そこに金めっき層を置いて改善したものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記技術に
より形成された基板材料に半田付け等の熱処理を加える
と、Ａｌ−Ｓｉ合金材とめっき層の界面にめっき剥がれ
やフクレを生じる場合があり、また化学めっき層と電気
めっき層を経て、Ｓｉ，Ａｌと金めっきが反応すること
により、変色と耐蝕性の低下を生じさせる現象が見ら
れ、改善を必要とした。
より形成された基板材料に半田付け等の熱処理を加える
と、Ａｌ−Ｓｉ合金材とめっき層の界面にめっき剥がれ
やフクレを生じる場合があり、また化学めっき層と電気
めっき層を経て、Ｓｉ，Ａｌと金めっきが反応すること
により、変色と耐蝕性の低下を生じさせる現象が見ら
れ、改善を必要とした。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用基板
は、Ｓｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合金から成る
基体と、基体の表面上に形成した金属表面層とから成
り、該金属表面層は基体に接する３〜２０μｍの化学め
っき層と、その上に形成された０．１〜１０μｍの電気
めっき層を持ち、且つ、該化学めっき層は電気めっき層
より厚く形成され、さらに最上層に１．５〜５μｍの金
めっき層を持つことを特徴とする。
は、Ｓｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合金から成る
基体と、基体の表面上に形成した金属表面層とから成
り、該金属表面層は基体に接する３〜２０μｍの化学め
っき層と、その上に形成された０．１〜１０μｍの電気
めっき層を持ち、且つ、該化学めっき層は電気めっき層
より厚く形成され、さらに最上層に１．５〜５μｍの金
めっき層を持つことを特徴とする。
【０００５】本発明の電子部品用基板の製造方法として
は、まずＳｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合金から
なる基体を脱脂、ＡｌエッチングそしてＳｉエッチング
を行う。これはＡｌエッチングにより、Ａｌ表面の酸化
皮膜を除去し、更にＳｉエッチングにより表面をＡｌリ
ッチとすることにある。次に表面のＡｌとＺｎ−Ｎｉ−
Ｃｕ合金とを、又は表面のＡｌとＰｄとを各々化学的置
換で前処理する。この前処理は次工程の化学めっきを容
易に行えるようにするためである。化学めっきを行った
後３５０〜５５０℃の加熱処理し、さらにＮｉ又はＣｏ
の電気めっき処理してから、金めっきを施すことにより
成し遂げられる。化学めっき及び電気めっきにより形成
されるめっき層はＮｉ又はＣｏが好ましい。
は、まずＳｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合金から
なる基体を脱脂、ＡｌエッチングそしてＳｉエッチング
を行う。これはＡｌエッチングにより、Ａｌ表面の酸化
皮膜を除去し、更にＳｉエッチングにより表面をＡｌリ
ッチとすることにある。次に表面のＡｌとＺｎ−Ｎｉ−
Ｃｕ合金とを、又は表面のＡｌとＰｄとを各々化学的置
換で前処理する。この前処理は次工程の化学めっきを容
易に行えるようにするためである。化学めっきを行った
後３５０〜５５０℃の加熱処理し、さらにＮｉ又はＣｏ
の電気めっき処理してから、金めっきを施すことにより
成し遂げられる。化学めっき及び電気めっきにより形成
されるめっき層はＮｉ又はＣｏが好ましい。
【０００６】
【作用】Ａｌ−Ｓｉ合金は、軽量で且つ表１に示す様
に、熱膨張率がＳｉの含有率が増すに従い、小さくなる
ことにより、半導体装置に用いる際の温度による歪を減
少させる。使用可能な範囲はＳｉが１５ｗｔ％以上が好
ましく、１５ｗｔ％未満では歪が大きくなり適当でな
い。
に、熱膨張率がＳｉの含有率が増すに従い、小さくなる
ことにより、半導体装置に用いる際の温度による歪を減
少させる。使用可能な範囲はＳｉが１５ｗｔ％以上が好
ましく、１５ｗｔ％未満では歪が大きくなり適当でな
い。
【０００７】
【表１】
【０００８】Ａｌ−Ｓｉ合金の基板は、特に、Ｓｉ含有
率大の場合はガスアトマイズ法等の噴霧法によって得た
合金粉末を熱間での押し出しや鍛造により塑性加工し
て、所望の形状に作成する。作成された基板は、表面を
中性洗剤を用いて脱脂し、アルカリによるＡｌエッチン
グによりＡｌ表面の酸化皮膜を除去した後、硝酸と弗化
物を用いてＳｉエッチングを行って、Ｓｉを除去し、基
板表面をＡｌリッチの状態にする。
率大の場合はガスアトマイズ法等の噴霧法によって得た
合金粉末を熱間での押し出しや鍛造により塑性加工し
て、所望の形状に作成する。作成された基板は、表面を
中性洗剤を用いて脱脂し、アルカリによるＡｌエッチン
グによりＡｌ表面の酸化皮膜を除去した後、硝酸と弗化
物を用いてＳｉエッチングを行って、Ｓｉを除去し、基
板表面をＡｌリッチの状態にする。
【０００９】上記下地処理の後、化学めっきの前処理と
してＺｎジンケートにＮｉ及びＣｕを加えたＺｎ−Ｎｉ
−Ｃｕ混合液又はＰｄＳＯ4，ＰｄＣｌ2溶液を用いて、
表面のＡｌ，Ｓｉを遮蔽した後、ＮｉＰ，ＮｉＢ又はＣ
ｏＰの化学めっきを行う。化学めっきはＡｌ部分に析出
すると同時に、基板表面に残っているＳｉ露出部分にも
広がる。Ｓｉ露出部分の大きさから、化学めっきの厚み
を３μｍ以上とすれば、Ｓｉ部分を蔽うことができる。
また、厚く付けすぎれば高価のため２０μｍ以下とする
のが好ましい。
してＺｎジンケートにＮｉ及びＣｕを加えたＺｎ−Ｎｉ
−Ｃｕ混合液又はＰｄＳＯ4，ＰｄＣｌ2溶液を用いて、
表面のＡｌ，Ｓｉを遮蔽した後、ＮｉＰ，ＮｉＢ又はＣ
ｏＰの化学めっきを行う。化学めっきはＡｌ部分に析出
すると同時に、基板表面に残っているＳｉ露出部分にも
広がる。Ｓｉ露出部分の大きさから、化学めっきの厚み
を３μｍ以上とすれば、Ｓｉ部分を蔽うことができる。
また、厚く付けすぎれば高価のため２０μｍ以下とする
のが好ましい。
【００１０】化学めっきされた基板は非酸化性雰囲気中
で３５０〜５５０℃に加熱することにより、残留するＨ
2Ｏ、Ｃｌ，Ｏ，Ｈ，Ｎ，Ｓ等のガス成分を排除する。
３５０℃未満では排除がはかどらず、特に、Ａｌ−Ｓｉ
基板とめっき層の界面にあるガス成分を排除するのが難
しく、また素材中のＡｌとＮｉ又はＣｏの拡散層が出来
ず、密着性が弱くなる。５５０℃を越えると、Ａｌ−Ｓ
ｉ基板自体の耐熱性の限界に近づき、寸法精度の異常や
変形などを起こしやすい。以上のことから４００℃〜５
００℃にて加熱するのが好ましいと云える。
で３５０〜５５０℃に加熱することにより、残留するＨ
2Ｏ、Ｃｌ，Ｏ，Ｈ，Ｎ，Ｓ等のガス成分を排除する。
３５０℃未満では排除がはかどらず、特に、Ａｌ−Ｓｉ
基板とめっき層の界面にあるガス成分を排除するのが難
しく、また素材中のＡｌとＮｉ又はＣｏの拡散層が出来
ず、密着性が弱くなる。５５０℃を越えると、Ａｌ−Ｓ
ｉ基板自体の耐熱性の限界に近づき、寸法精度の異常や
変形などを起こしやすい。以上のことから４００℃〜５
００℃にて加熱するのが好ましいと云える。
【００１１】電気めっきは、Ｎｉ又はＣｏのめっきが好
ましく下地層の化学めっきでＳｉ部分が遮蔽されるた
め、スルーホールが殆どなく、また熱処理によりガス成
分を除去してあるが為にピンホールの形成も皆無とな
る。電気めっきは従って非常に薄くめっきするだけでよ
く０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。
ましく下地層の化学めっきでＳｉ部分が遮蔽されるた
め、スルーホールが殆どなく、また熱処理によりガス成
分を除去してあるが為にピンホールの形成も皆無とな
る。電気めっきは従って非常に薄くめっきするだけでよ
く０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。
【００１２】前記理由により、電気めっき層は化学めっ
き層より薄くなるが、これは電気めっき層を厚くする
と、めっき粒子が粗くなり電気めっき層を施すことによ
る面の緻密さを減ずるためでもある。好ましくは化学め
っき層の１／２〜１／１００にするとよい。
き層より薄くなるが、これは電気めっき層を厚くする
と、めっき粒子が粗くなり電気めっき層を施すことによ
る面の緻密さを減ずるためでもある。好ましくは化学め
っき層の１／２〜１／１００にするとよい。
【００１３】最上層の金めっき層は、コストの見地から
薄いことが望ましいが、１．５μｍ未満では半田付け等
の処理による下地Ｎｉ層の拡散が抑えきれず変色しやす
く、５μｍを越えると寸法精度に影響し、且つコストも
高価になり好ましくない。
薄いことが望ましいが、１．５μｍ未満では半田付け等
の処理による下地Ｎｉ層の拡散が抑えきれず変色しやす
く、５μｍを越えると寸法精度に影響し、且つコストも
高価になり好ましくない。
【００１４】
【実施例】本発明での電子部品用基板の概念図を図１に
示す。Ａｌ−Ｓｉ基板１上に化学めっき層２があり、そ
の上に電気めっき層３が形成され、さらにその上に金め
っき層４が形成されるものである。
示す。Ａｌ−Ｓｉ基板１上に化学めっき層２があり、そ
の上に電気めっき層３が形成され、さらにその上に金め
っき層４が形成されるものである。
【００１５】（実施例１） ガスアトマイズ法で作成し
たＳｉ４０ｗｔ％含有のＡｌ−Ｓｉ合金粉末を加圧焼結
により５０ｍｍ×５０ｍｍ，厚さ５ｍｍの基板を用意し
た。基板を中性洗剤を用いて脱脂したのち、水洗してＮ
ａＯＨ１００ｇ／ｌの水溶液に３０秒放置し、Ａｌ酸化
皮膜の除去をした。水洗後、濃硝酸を２倍に希釈した液
に酸性弗化アンモニウムを１００ｇ／ｌの割合で加えた
ものに漬け１分間放置し、Ｓｉのエッチングを行った。
さらに水洗後、この基板を酸化亜鉛とＮａＯＨからなる
ジンケート液にロッセル塩５０ｇ／ｌ、塩化ニッケル、
塩化銅をそれぞれ１ｇ／ｌ加えて、ｌ分間放置した後水
洗し、前処理を完了した。
たＳｉ４０ｗｔ％含有のＡｌ−Ｓｉ合金粉末を加圧焼結
により５０ｍｍ×５０ｍｍ，厚さ５ｍｍの基板を用意し
た。基板を中性洗剤を用いて脱脂したのち、水洗してＮ
ａＯＨ１００ｇ／ｌの水溶液に３０秒放置し、Ａｌ酸化
皮膜の除去をした。水洗後、濃硝酸を２倍に希釈した液
に酸性弗化アンモニウムを１００ｇ／ｌの割合で加えた
ものに漬け１分間放置し、Ｓｉのエッチングを行った。
さらに水洗後、この基板を酸化亜鉛とＮａＯＨからなる
ジンケート液にロッセル塩５０ｇ／ｌ、塩化ニッケル、
塩化銅をそれぞれ１ｇ／ｌ加えて、ｌ分間放置した後水
洗し、前処理を完了した。
【００１６】その後、化学めっき（無電解めっき）にて
ＮｉＰの膜を５μｍ付着させた。無電解ＮｉＰめっき液
はＮｉ濃度５ｇ／ｌ，ｐＨ４．５、浴温度９０±２℃の
めっき液を使用する。所定の厚さの化学めっき層を形成
した後、これをめっき液からとり出し、水洗したのち乾
燥させて、水素ガスを通した還元炉に入れ、４００℃±
５℃で３０分放置し熱処理した。冷却後、基板を陰極に
してＮｉの電気めっきを行い２μｍの膜を付着させた。
電気Ｎｉめっきは通常のワット浴使用でｐＨ４．５，浴
温度５５℃，電流密度２Ａ／ｄｍ2にて行なう。この後
水洗して、さらに金めっきを施し３μｍ付着させて基板
の作成を終えた。金めっきは通常のシアン化金めっき浴
使用でｐＨ６，浴温度６０℃，電流密度０．３Ａ／ｄｍ
2にてめっきする。
ＮｉＰの膜を５μｍ付着させた。無電解ＮｉＰめっき液
はＮｉ濃度５ｇ／ｌ，ｐＨ４．５、浴温度９０±２℃の
めっき液を使用する。所定の厚さの化学めっき層を形成
した後、これをめっき液からとり出し、水洗したのち乾
燥させて、水素ガスを通した還元炉に入れ、４００℃±
５℃で３０分放置し熱処理した。冷却後、基板を陰極に
してＮｉの電気めっきを行い２μｍの膜を付着させた。
電気Ｎｉめっきは通常のワット浴使用でｐＨ４．５，浴
温度５５℃，電流密度２Ａ／ｄｍ2にて行なう。この後
水洗して、さらに金めっきを施し３μｍ付着させて基板
の作成を終えた。金めっきは通常のシアン化金めっき浴
使用でｐＨ６，浴温度６０℃，電流密度０．３Ａ／ｄｍ
2にてめっきする。
【００１７】この作成基板を同時に複数枚処理した後、
次の様な試験を行った。 耐熱試験・・・４５０℃×３０分の炉による加熱を行っ
たのち、基板表面のフクレと変色むらを調べた。フクレ
や変色ムラがあれば×、なければ○とした。 耐蝕試験・・・５％食塩水を用いて４８時間の塩水噴霧
後、風乾かし、腐蝕によるフクレと変色むらを調べた。
フクレや変色むらがあれば×、なければ○とした。 結果を表２に示す。
次の様な試験を行った。 耐熱試験・・・４５０℃×３０分の炉による加熱を行っ
たのち、基板表面のフクレと変色むらを調べた。フクレ
や変色ムラがあれば×、なければ○とした。 耐蝕試験・・・５％食塩水を用いて４８時間の塩水噴霧
後、風乾かし、腐蝕によるフクレと変色むらを調べた。
フクレや変色むらがあれば×、なければ○とした。 結果を表２に示す。
【００１８】（実施例２） 前処理液をＰｄＳＯ4，Ｐ
ｄＣｌ2をＰｄ換算で５００ｐｐｍとした他は実施例１
と同様に作成し試験した。他の実施例、比較例もそれぞ
れ表２に示す条件で試験した。またその結果を表２に合
わせて示す。実施No.３，４，９，１０，１１，１４，
１９は比較例である。
ｄＣｌ2をＰｄ換算で５００ｐｐｍとした他は実施例１
と同様に作成し試験した。他の実施例、比較例もそれぞ
れ表２に示す条件で試験した。またその結果を表２に合
わせて示す。実施No.３，４，９，１０，１１，１４，
１９は比較例である。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】軽量で且つガラスやリードフレーム等と
固着させても熱歪みの少ないＡｌ−Ｓｉ合金を用いるこ
とにより熱放散性に優れ、さらに本発明によるめっき層
は加熱や腐蝕に強く、半田付けの熱やペーストに対して
耐性を持ったものとなり、優れた半導体装置用基板材料
として有用である。
固着させても熱歪みの少ないＡｌ−Ｓｉ合金を用いるこ
とにより熱放散性に優れ、さらに本発明によるめっき層
は加熱や腐蝕に強く、半田付けの熱やペーストに対して
耐性を持ったものとなり、優れた半導体装置用基板材料
として有用である。
【図１】本発明基板の概略図である。
１：Ａｌ−Ｓｉ基板 ２：化学めっき層 ３：電気めっき層 ４：金めっき層
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合
金からなる基体と、基体の表面上に形成した金属表面層
とからなり、該金属表面層が基体に接する３〜２０μｍ
の化学めっき層と、その上に形成された０．１〜１０μ
ｍの電気めっき層を持ち、且つ、該化学めっき層は電気
めっき層より厚く形成され、更に最上層に１．５〜５μ
ｍの金めっき層を持つことを特徴とする電子部品用基
板。 - 【請求項２】 前記化学めっき層と電気めっき層がＮｉ
又はＣｏからなることを特徴とする請求項１に記載の電
子部品用基板。 - 【請求項３】 Ｓｉを１５ｗｔ％以上含むＡｌ−Ｓｉ合
金からなる基体を脱脂、ＡｌエッチングそしてＳｉエッ
チングを施し、Ｚｎ−Ｎｉ−Ｃｕ合金置換またはＰｄ置
換による前処理を行なった後、ＮｉＰ，ＮｉＢ，又はＣ
ｏＰによる３〜２０μｍの厚さで化学めっき処理し、そ
の後３５０〜５５０℃の加熱処理し、さらにＮｉ又はＣ
ｏによる０．１〜１０μｍの厚さで電気めっき処理して
から金めっきを施す電子部品用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20070295A JP3567539B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 電子部品用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20070295A JP3567539B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 電子部品用基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0951054A true JPH0951054A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3567539B2 JP3567539B2 (ja) | 2004-09-22 |
Family
ID=16428818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20070295A Expired - Fee Related JP3567539B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 電子部品用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3567539B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103733331A (zh) * | 2011-07-28 | 2014-04-16 | 电气化学工业株式会社 | 半导体元件用散热器件 |
| JP2019195065A (ja) * | 2019-05-22 | 2019-11-07 | 國立成功大學Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｈｅｎｇ Ｋｕｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | 高伝導卑金属電極と合金ローオームチップ抵抗の作製方法 |
-
1995
- 1995-08-07 JP JP20070295A patent/JP3567539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103733331A (zh) * | 2011-07-28 | 2014-04-16 | 电气化学工业株式会社 | 半导体元件用散热器件 |
| US9524918B2 (en) | 2011-07-28 | 2016-12-20 | Denka Company Limited | Heat dissipating component for semiconductor element |
| JP2019195065A (ja) * | 2019-05-22 | 2019-11-07 | 國立成功大學Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｈｅｎｇ Ｋｕｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | 高伝導卑金属電極と合金ローオームチップ抵抗の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3567539B2 (ja) | 2004-09-22 |
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